JP3172623B2 - Thermal head - Google Patents
Thermal headInfo
- Publication number
- JP3172623B2 JP3172623B2 JP12974393A JP12974393A JP3172623B2 JP 3172623 B2 JP3172623 B2 JP 3172623B2 JP 12974393 A JP12974393 A JP 12974393A JP 12974393 A JP12974393 A JP 12974393A JP 3172623 B2 JP3172623 B2 JP 3172623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- glaze layer
- electrodes
- thermal head
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやプリン
タなどに用いられるサーマルヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head used for a facsimile or a printer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９は従来のサーマルヘッドの一例を示
す断面図であり、図１０はそのサーマルヘッドの平面図
である。このサーマルヘッドは、アルミナなどから成る
電気絶縁性の基板２上に、ガラスなどから成るクレーズ
層３が部分的に形成され、図９で示される基板２の右方
の端部に補強電極４が形成されており、さらにこの上に
スパッタリングなどの薄膜形成法を用いて、窒化タンタ
ルＴａＮなどから成る発熱抵抗体層１２を形成する。次
に、Ａｌなどから成る金属膜が全面にわたってスパッタ
リングなどの薄膜形成法を用いて形成された後、フォト
リソグラフィ法を用いてパターニングされ、共通電極
５、個別電極６、走査線を構成する発熱抵抗体７、さら
にその上にはスパタッリングなどの薄膜形成法を用い
て、Ｓｉ3Ｎ4，サイアロンから成る保護膜８が形成され
る。2. Description of the Related Art FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional thermal head, and FIG. 10 is a plan view of the thermal head. In this thermal head, a craze layer 3 made of glass or the like is partially formed on an electrically insulating substrate 2 made of alumina or the like, and a reinforcing electrode 4 is provided on the right end of the substrate 2 shown in FIG. The heating resistor layer 12 made of tantalum nitride TaN or the like is formed thereon by using a thin film forming method such as sputtering. Next, after a metal film made of Al or the like is formed over the entire surface by using a thin film forming method such as sputtering, it is patterned by using a photolithography method to form a common electrode 5, an individual electrode 6, and a heating resistor constituting a scanning line. A protective film 8 made of Si 3 N 4 and Sialon is formed on the body 7 and further thereon using a thin film forming method such as spattling.
【０００３】こうして得られたサーマルヘッド上に、は
んだバンプ９を介して各個別電極６と接続されるよう
に、駆動素子１０が搭載される。補強電極４は、厚膜ペ
ーストの印刷、焼成による厚膜技術を用いて、抵抗体の
金属材料で形成されることによって、共通電極５に流れ
る電流の一部が補強電極４に分流するため、共通電流５
での電圧降下が抑制され、印画濃度変動が少なくなる。A driving element 10 is mounted on the thus obtained thermal head so as to be connected to each individual electrode 6 via a solder bump 9. The reinforcing electrode 4 is formed of a resistor metal material by using a thick film technology by printing and baking a thick film paste, so that a part of the current flowing to the common electrode 5 is diverted to the reinforcing electrode 4. Common current 5
, The voltage drop is suppressed, and the print density fluctuation is reduced.
【０００４】薄膜型サーマルヘッドの場合、発熱抵抗体
７膜の厚さは数百Å、共通電極５、個別電極６などの電
極１１の膜の厚さは１μｍと以下と極めて薄い。このた
め表面の粗い基板２に直接これらで成膜すると、電極１
１が相互に接触してショートなどが発生しやすいことか
ら、電極１１間の距離を極力広げている。また、製版プ
リンターのように感熱性孔版印刷用原紙にサーマルヘッ
ドに穿孔を施すような場合には、よい画質を得るため
に、図１１で示されるように発熱抵抗体幅ｗを小さくす
る必要があることから、電極１１間の距離ｔを２０μｍ
以上に拡げている。In the case of a thin-film type thermal head, the thickness of the heating resistor 7 film is several hundreds of mm, and the thickness of the electrode 11 such as the common electrode 5 and the individual electrode 6 is as thin as 1 μm or less. Therefore, when these films are directly formed on the substrate 2 having a rough surface, the electrodes 1
1 are likely to be in contact with each other to cause a short circuit or the like. Further, in the case where a thermal head is perforated on a heat-sensitive stencil sheet as in a plate making printer, it is necessary to reduce the width w of the heating resistor as shown in FIG. 11 in order to obtain good image quality. Therefore, the distance t between the electrodes 11 is set to 20 μm
It has expanded to the above.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０で示さ
れるように電極１１間の距離ｔを２０μｍ以上にする
と、すなわちグレーズ層３と保護膜８との密着性がグレ
ーズ層３と電極１１との密着性に比べて非常に弱いた
め、保護膜８とグレーズ層３および電極１１との全体的
な密着力が低下する。グレーズ層３は、ガラスなどをス
クリーン印刷して焼結するので、その表面粗さはほぼ０
Åとなり、グレーズ層３では、アンカ効果による密着力
はほとんどない。However, as shown in FIG. 10, when the distance t between the electrodes 11 is set to 20 μm or more, that is, the adhesion between the glaze layer 3 and the protective film 8 is reduced. Is very weak as compared with the adhesion of the protective film 8, the overall adhesion between the protective film 8 and the glaze layer 3 and the electrode 11 is reduced. Since the glaze layer 3 is sintered by screen printing glass or the like, the surface roughness thereof is almost zero.
Å, and the glaze layer 3 has little adhesion due to the anchor effect.
【０００６】したがって、成膜時の条件や、グレーズ層
３表面の状態によって、グレーズ層３と保護膜８との密
着にばらつきがあると、内部の応力などによって保護膜
８が剥離するという課題がある。Therefore, if the adhesion between the glaze layer 3 and the protective film 8 varies depending on the conditions at the time of film formation and the state of the surface of the glaze layer 3, there is a problem that the protective film 8 is peeled off due to internal stress or the like. is there.
【０００７】さらに、図１０で示される平面上の形状に
おいて、グレーズ層３が形成されている領域１０上に電
極１１のない領域である三角形状の部分Ａ１，Ａ２，Ａ
３が存在する。この部分では、個別電極６間の距離が２
０μｍ以上あるため、前述のようにグレーズ層３と保護
膜８との密着性がグレーズ層３と個別電極層６との密着
性に比べ弱いため、成膜時の条件や、グレーズ層３表面
の状態によってグレーズ層３と保護膜８との密着性にば
らつきがあると、内部の応力などによって保護膜８が剥
離するといった課題がある。Further, in the planar shape shown in FIG. 10, triangular portions A1, A2, and A, which are regions where no electrode 11 is provided, are formed on the region 10 where the glaze layer 3 is formed.
There are three. In this part, the distance between the individual electrodes 6 is 2
Since the thickness is 0 μm or more, the adhesion between the glaze layer 3 and the protective film 8 is weaker than the adhesion between the glaze layer 3 and the individual electrode layer 6 as described above. If the adhesion between the glaze layer 3 and the protective film 8 varies depending on the state, there is a problem that the protective film 8 is peeled off due to internal stress or the like.
【０００８】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ために、保護膜の密着性を向上させることができるサー
マルヘッドを提供することである。An object of the present invention is to provide a thermal head capable of improving the adhesion of a protective film in order to solve the above-mentioned problems.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性の
基板上にグレーズ層を部分的に被着させるとともに該グ
レーズ層上に直線状に配列した複数の発熱抵抗体と該発
熱抵抗体に電流を供給する複数の電極とを該電極の一端
が基板上面まで導出されるように被着させ、さらに前記
グレーズ層、複数の発熱抵抗体および複数の電極を一端
が基板上面まで延在されている保護層で被覆してなるサ
ーマルヘッドであって、前記グレーズ層と前記保護層と
の間で、かつ隣接する電極間の領域に、外周を保護層形
成領域の内側に位置させた疑似電極が設けられているこ
とを特徴とするサーマルヘッドである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a plurality of heating resistors which are partially deposited on an electrically insulating substrate, are linearly arranged on the glaze layer, and the heating resistors. A plurality of electrodes for supplying current to the substrate such that one end of the electrode is led out to the upper surface of the substrate, and the glaze layer, the plurality of heating resistors and the plurality of electrodes are extended at one end to the upper surface of the substrate. A thermal head comprising a protective layer covered with a pseudo-electrode, wherein the outer periphery is located inside the protective layer forming region between the glaze layer and the protective layer and in a region between adjacent electrodes. Is a thermal head.
【００１０】[0010]
【００１１】[0011]
【作用】本発明に従えば、疑似電極をグレーズ層と保護
層との間で、かつ隣接する電極間の領域に設け、疑似電
極の外周を保護層形成領域の内側に位置させることによ
って、電極間の距離が長くなっても、電極間に介在する
疑似電極によって、保護膜全体の密着力が向上し、保護
膜の剥離が生じない。According to the present invention, the pseudo electrode is provided between the glaze layer and the protective layer and in a region between adjacent electrodes, and the outer periphery of the pseudo electrode is located inside the protective layer forming region. Even if the distance between them becomes long, the pseudo-electrode interposed between the electrodes improves the adhesion of the entire protective film, and does not peel off the protective film.
【００１２】[0012]
【００１３】[0013]
【実施例】図１は、本発明の一実施例のサーマルヘッド
の一例を示す断面図であり、図２は、そのサーマルヘッ
ドの平面図である。このサーマルヘッドは、アルミナな
どから成る電気絶縁性の基板２２上に、ガラスなどから
グレーズ層２３が部分的に形成され、図１で示される基
板２２の右方の端部に補強電極２４が形成されており、
さらにこの上にスパッタリングなどの薄膜形成法を用い
て、窒化タンタルＴａＮなどから成る発熱抵抗体層３２
を形成する。次に、Ａｌなどから成る金属膜が全面にわ
たってスパッタリングなどの薄膜形成法を用いて形成さ
れた後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングさ
れ、共通電極２５、個別電極２６などの電極３１、発熱
抵抗体２７がそれぞれ所定パターンに形成される。さら
にその上には、スパッタリングなどの薄膜形成法を用い
て、Ｓｉ3Ｎ4，サイアロンなどから成る保護膜２８が形
成される。1 is a sectional view showing an example of a thermal head according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the thermal head. In this thermal head, a glaze layer 23 is partially formed from glass or the like on an electrically insulating substrate 22 made of alumina or the like, and a reinforcing electrode 24 is formed on the right end of the substrate 22 shown in FIG. Has been
Further, a heating resistor layer 32 made of tantalum nitride TaN or the like is formed thereon by using a thin film forming method such as sputtering.
To form Next, after a metal film made of Al or the like is formed over the entire surface by using a thin film forming method such as sputtering, it is patterned by using a photolithography method, and the electrodes 31 such as the common electrode 25 and the individual electrode 26 and the heating resistor are formed. 27 are formed in a predetermined pattern. Further, a protective film 28 made of Si 3 N 4 , Sialon, or the like is formed thereon by using a thin film forming method such as sputtering.
【００１４】こうして得られたサーマルヘッド上に、は
んだバンプ２９を介して各個別電極２６と接続されるよ
うに、駆動素子３０が搭載される。補強電極４は、厚膜
ペーストの印刷、焼成による厚膜技術を用いて、低抵抗
の金属材料で形成されることによって、共通電極２５に
流れる電流の一部が補強電極２４に分流するため、共通
電極２５での電圧降下が抑制され、印画濃度変動が少な
くなる。A drive element 30 is mounted on the thus obtained thermal head so as to be connected to each individual electrode 26 via a solder bump 29. Since the reinforcing electrode 4 is formed of a low-resistance metal material by using a thick film technology by printing and firing a thick film paste, a part of the current flowing to the common electrode 25 is diverted to the reinforcing electrode 24. The voltage drop at the common electrode 25 is suppressed, and the print density fluctuation is reduced.
【００１５】薄膜型サーマルヘッドの場合、発熱抵抗体
３２膜の厚さは数百Å、共通電極２５、個別電極２６の
膜の厚さは１μｍ以下と極めて薄い。このため、表面の
粗い基板２２に直接これらを成膜すると、電極間が相互
に接続され、ショートなどによる不具合が発生しやすい
ことから、図２で示されるように発熱抵抗体２７間の距
離、すなわち電極３１間の距離を極力広げている。ま
た、製版プリンターのように感熱性孔版印刷用原紙にサ
ーマルヘッドで穿孔を施すような場合には、よい画質を
得るために、図３で示されるように発熱抵抗体幅ｗを小
さくする必要があることから、発熱抵抗体間ギャップｔ
を２０μｍ以上に拡げている。In the case of a thin-film type thermal head, the thickness of the heating resistor 32 is several hundreds of mm, and the thickness of the common electrode 25 and the individual electrode 26 is extremely thin, 1 μm or less. For this reason, if these are formed directly on the substrate 22 having a rough surface, the electrodes are connected to each other and a problem such as a short circuit is likely to occur, so that as shown in FIG. That is, the distance between the electrodes 31 is increased as much as possible. Further, when a heat-sensitive stencil sheet is perforated with a thermal head as in a plate making printer, it is necessary to reduce the width w of the heating resistor as shown in FIG. 3 in order to obtain good image quality. Therefore, the gap t between the heating resistors is
Is expanded to 20 μm or more.
【００１６】しかし、電極３１間の距離を２０μｍ以上
にすると前述のようにグレーズ層２３と保護膜２８との
密着性が保護膜２８と電極３１との密着性に比べて非常
に弱いため保護膜２８とグレーズ層２３および電極３１
との全体的な密着力が低下する。したがって、成膜時の
条件や、グレーズ層２３表面の状態によって、グレーズ
層２３と保護膜２８との密着性にばらつきがあると、内
部の応力などによって保護膜２８が剥離する。However, when the distance between the electrodes 31 is set to 20 μm or more, the adhesion between the glaze layer 23 and the protective film 28 is very weak as compared with the adhesion between the protective film 28 and the electrode 31 as described above. 28, glaze layer 23 and electrode 31
And the overall adhesion is reduced. Therefore, if the adhesion between the glaze layer 23 and the protective film 28 varies depending on the conditions at the time of film formation and the state of the surface of the glaze layer 23, the protective film 28 is peeled off due to internal stress or the like.
【００１７】そこで、図２のサーマルヘッドで示される
ように、疑似電極４１，４２（４２ａ，４２ｂの総称）
を設けて、電極３１、疑似電極４１，４２の相互の距離
が、グレーズ層２３上の領域４０においては、常に２０
μｍ以下になるように設定している。これらの疑似電極
４１，４２は、製造工程において個別電極２６、共通電
極２５と同一の工程で、同一の材料により形成される。
疑似電極４１，４２の材料は、グレーズ層２３と密着性
が良好であれば、電極３１と同一の材料でなくてもよい
のは勿論である。また疑似電極４１，４２は、駆動回路
３０とは電気的に接続されない。さらに疑似電極４１，
４２は、グレーズ層２３と保護膜２８との間で、かつ隣
接する電極３１間の領域に設け、疑似電極４１，４２の
外周を保護層形成領域の内側に位置させている。Therefore, as shown by the thermal head in FIG. 2, pseudo electrodes 41 and 42 (general term for 42a and 42b).
Is provided, the distance between the electrode 31 and the pseudo electrodes 41 and 42 is always 20 in the region 40 on the glaze layer 23.
It is set to be less than μm. These pseudo electrodes 41 and 42 are formed of the same material in the same process as the individual electrode 26 and the common electrode 25 in the manufacturing process.
Of course, the material of the pseudo electrodes 41 and 42 may not be the same as the material of the electrode 31 as long as the adhesion to the glaze layer 23 is good. Further, the pseudo electrodes 41 and 42 are not electrically connected to the drive circuit 30. Further, the pseudo electrode 41,
Reference numeral 42 is provided between the glaze layer 23 and the protective film 28 and in a region between the adjacent electrodes 31 so that the outer peripheries of the pseudo electrodes 41 and 42 are located inside the protective layer forming region.
【００１８】図３は、図２で示されるサーマルヘッドの
発熱抵抗体２７付近の拡大図である。共通電極２５、個
別電極２６を含む電極３１間には、疑似電極４１が形成
され、疑似電極４１および電極３１を含むすべての電極
の相互の距離が２０μｍ以下に設定されている。したが
って、電極３１間の距離を２０μｍ以上に設定すること
ができる。FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the heating resistor 27 of the thermal head shown in FIG. A pseudo electrode 41 is formed between the electrodes 31 including the common electrode 25 and the individual electrode 26, and the mutual distance of all the electrodes including the pseudo electrode 41 and the electrode 31 is set to 20 μm or less. Therefore, the distance between the electrodes 31 can be set to 20 μm or more.
【００１９】図４は、図２で示されるサーマルヘッドの
Ａ１〜Ａ３部分の拡大図である。個別電極２６に囲まれ
る三角形状の領域Ａ１〜Ａ３には、疑似電極４２ａ，４
２ｂが形成されている。これらの疑似電極４２ａ，４２
ｂを設けることによって、疑似電極４２ａ，４２ｂおよ
び個別電極２６の相互の距離は、すべて２０μｍ以下に
設定されている。したがって、個別電極２６間の距離、
すなわち発熱抵抗体２７間の距離を２０μｍ以上に設定
することができる。FIG. 4 is an enlarged view of the portions A1 to A3 of the thermal head shown in FIG. The pseudo electrodes 42a, 4a are provided in the triangular regions A1 to A3 surrounded by the individual electrodes 26.
2b is formed. These pseudo electrodes 42a, 42
By providing b, the mutual distance between the pseudo electrodes 42a and 42b and the individual electrode 26 is all set to 20 μm or less. Therefore, the distance between the individual electrodes 26,
That is, the distance between the heating resistors 27 can be set to 20 μm or more.
【００２０】以上のようにして、密着力の弱いグレーズ
層と保護膜が直接密着する部分の幅がすべて２０μｍ以
下になるように形成されるので、グレーズ層と保護膜の
密着力にばらつきが生じても、保護膜が剥離することは
ない。したがって、たとえば製版プリンター用サーマル
ヘッドなどにおいて、発熱抵抗体幅を小さくし、その間
の距離が２０μｍ以上になっても、疑似電極４１，４２
を設けることによって容易に製作することができる。As described above, since the width of the portion where the glaze layer having weak adhesion and the protective film directly adhere to each other is formed to be 20 μm or less, the adhesion between the glaze layer and the protective film varies. However, the protective film does not peel off. Therefore, for example, in a thermal head for a plate making printer or the like, even if the width of the heating resistor is reduced and the distance therebetween becomes 20 μm or more, the pseudo electrodes 41 and 42 are not used.
Can be easily manufactured.
【００２１】図５は、本発明の他の実施例のサーマルヘ
ッドの部分断面図であり、図６は、そのサーマルヘッド
の平面図である。このサーマルヘッドは、アルミナなど
から成る電気絶縁性の基板５２上に、ガラスなどから成
るグレーズ層５３が部分的に形成され表面加工するため
エッチングが行われる。図５で示される基板５２の右方
の端部に補強電極５４が形成されており、さらにこの上
にスパッタリングなどの薄膜形成法を用いて、窒化タン
タルＴａＮなどから成る発熱抵抗体層６２を形成する。
次に、Ａｌなどから成る金属膜が全面にわたってスパッ
タリングなどの薄膜形成法を用いて形成された後、フォ
トリソグラフィ法を用いてパターニングされ、共通電極
５５、個別電極５６、走査線を構成する発熱抵抗体５７
がそれぞれ所定パターンに形成される。さらにその上に
は、スパッタリングなどの薄膜形成法を用いて、Ｓｉ3
Ｎ4、サイアロンから成る保護膜５８が形成される。FIG. 5 is a partial sectional view of a thermal head according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a plan view of the thermal head. In this thermal head, a glaze layer 53 made of glass or the like is partially formed on an electrically insulating substrate 52 made of alumina or the like, and is etched for surface processing. A reinforcing electrode 54 is formed on the right end of the substrate 52 shown in FIG. 5, and a heating resistor layer 62 made of tantalum nitride TaN or the like is further formed thereon by using a thin film forming method such as sputtering. I do.
Next, after a metal film made of Al or the like is formed over the entire surface by using a thin film forming method such as sputtering, it is patterned by using a photolithography method to form a common electrode 55, an individual electrode 56, and a heating resistor constituting a scanning line. Body 57
Are formed in a predetermined pattern. Further thereon, Si 3 is formed by using a thin film forming method such as sputtering.
A protection film 58 made of N 4 and Sialon is formed.
【００２２】こうして得られたサーマルヘッドの上には
んだバンプ５９を介して各個別電極５６と接続されるよ
うに、駆動素子６０が搭載される。補強電極５４は、厚
膜ペーストの印刷、焼成による厚膜技術を用いて、低抵
抗の金属材料で形成されることによって共通電極５５に
流れる電流の一部が補強電極５４に分流するため、共通
電極５５での電圧降下が抑制され、印画濃度変動が少な
くなる。The driving element 60 is mounted on the thus obtained thermal head so as to be connected to the individual electrodes 56 via the solder bumps 59. The reinforcing electrode 54 is formed of a low-resistance metal material by using a thick film technology by printing and baking a thick film paste, so that a part of the current flowing to the common electrode 55 is diverted to the reinforcing electrode 54. The voltage drop at the electrode 55 is suppressed, and the print density fluctuation is reduced.
【００２３】前述の実施例では、疑似電極を設けて、疑
似電極を含むすべての電極間の距離を２０μｍ以下に設
定し、グレーズ層と保護膜が密着している幅をすべて２
０μｍ以下とし、保護膜とグレーズ層および電極などと
の全体的な密着力を向上させ、保護膜の剥離を防止して
いる。しかし、本実施例ではグレーズ層と保護膜との密
着力そのものを向上させ、電極６１間の距離を疑似電極
を設けなくても、２０μｍ以上に設定することができ
る。In the above-described embodiment, the dummy electrodes are provided, the distance between all the electrodes including the dummy electrodes is set to 20 μm or less, and the width of the close contact between the glaze layer and the protective film is set to 2 mm.
When the thickness is set to 0 μm or less, the overall adhesion between the protective film, the glaze layer, the electrodes, and the like is improved, and peeling of the protective film is prevented. However, in this embodiment, the adhesion between the glaze layer and the protective film itself is improved, and the distance between the electrodes 61 can be set to 20 μm or more without providing a pseudo electrode.
【００２４】図７は、本発明の実施例の製造工程を示す
部分断面図である。図７（ａ）で示されるように本実施
例のサーマルヘッドは、アルミナなどから成る電気絶縁
性の基板５２上に、ＳｉＯ2ガラスなどから成るグレー
ズ層５３を形成する。グレーズ層５３には、ＳｉＯ2ガ
ラスのみでなく、アルミナなどのフィラー６５と呼ばれ
る粒径１μｍ以下の粒子が混入している。スクリーン印
刷して、焼結後の未加工のグレーズ層５３の表面には、
ＳｉＯ2ガラスが覆っているため、その表面粗さはほぼ
０Åであり平滑である。FIG. 7 is a partial sectional view showing a manufacturing process of the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7A, in the thermal head of this embodiment, a glaze layer 53 made of SiO 2 glass or the like is formed on an electrically insulating substrate 52 made of alumina or the like. In the glaze layer 53, not only SiO 2 glass but also particles having a particle diameter of 1 μm or less called filler 65 such as alumina are mixed. Screen printing, on the surface of the unprocessed glaze layer 53 after sintering,
Since the SiO 2 glass is covered, the surface roughness is almost 0 ° and smooth.
【００２５】次に弗硝酸（弗酸と硝酸の容積比１：１５
〜２０）をエッチング液として用い、グレーズ層５３の
表面全体のエッチングを行う。この場合、図７（ｂ）で
示されるように、グレーズ層５３の表面はガラスの方が
速くエッチングされるので、ガラス層が数１００Å以上
除去された場合では、フィラー６５が突出し、平滑性が
失われ、その表面粗さは５０Å以上になる。Next, hydrofluoric acid (a volume ratio of hydrofluoric acid to nitric acid of 1:15
20) as an etching solution, the entire surface of the glaze layer 53 is etched. In this case, as shown in FIG. 7B, since the surface of the glaze layer 53 is etched faster by glass, when the glass layer is removed by several hundred degrees or more, the filler 65 protrudes and the smoothness is reduced. It is lost and its surface roughness is more than 50 °.
【００２６】このように形成されたグレーズ層５３の上
に、前述のように発熱抵抗体層６２、金属層を形成し、
フォトリソグラフィ法を用いて、パターニングされ、共
通電極５５、個別電極５６、発熱抵抗体５７を形成し、
その上に保護膜５８が形成される。On the glaze layer 53 thus formed, a heating resistor layer 62 and a metal layer are formed as described above.
Using a photolithography method, patterning is performed to form a common electrode 55, an individual electrode 56, and a heating resistor 57,
A protective film 58 is formed thereon.
【００２７】また、図８は本発明の他の製造方法を示す
図である。図８（ａ）で示されるように、アルミナなど
から成る電気絶縁性の基板５２上に、グレーズ層５３、
発熱抵抗体層６２、Ａｌなどから成る金属層６０を形成
する。次に、電極６１、発熱抵抗体５７をパターニング
するため、図８（ｂ）で示されるように、まず金属層６
０のエッチングを行う。次に図８（ｃ）で示されるよう
に、発熱抵抗体層６２のエッチング時に前述の弗硝酸を
用いてエッチングを行う。このとき、発熱抵抗体層６２
と同時にグレーズ層５３のガラス成分を発熱抵抗体層６
２より５００Å〜３０００Åオーバーエッチングを行
う。FIG. 8 is a view showing another manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 8A, a glaze layer 53 is formed on an electrically insulating substrate 52 made of alumina or the like.
A heating resistor layer 62 and a metal layer 60 made of Al or the like are formed. Next, in order to pattern the electrode 61 and the heating resistor 57, first, as shown in FIG.
0 etching is performed. Next, as shown in FIG. 8C, the heating resistor layer 62 is etched by using the above-mentioned hydrofluoric acid during the etching. At this time, the heating resistor layer 62
At the same time, the glass component of the glaze layer 53 is
Overetching from 500 to 3000 is performed.
【００２８】したがって、グレーズ層は、前述のように
平滑さが失われ、その表面粗さは５０Å以上になる。こ
のようにして、共通電極５５、個別電極５６、発熱抵抗
体５７を形成されると、その上に保護膜５８が形成され
る。Therefore, the glaze layer loses its smoothness as described above, and its surface roughness becomes 50 ° or more. When the common electrode 55, the individual electrode 56, and the heating resistor 57 are formed in this way, a protective film 58 is formed thereon.
【００２９】なお、以上のエッチング法以外にドライエ
ッチング法などがあり、これは発熱抵抗体層６２のエッ
チング後にドライエッチングを行い、グレーズ層５３の
みＡｒイオンなどでボンボートし、グレーズ層５３の表
面粗さを向上させている。In addition to the above-mentioned etching method, there is a dry etching method or the like. In this method, dry etching is performed after the heating resistor layer 62 is etched, and only the glaze layer 53 is bombarded with Ar ions or the like, and the surface roughness of the glaze layer 53 is reduced. Has improved.
【００３０】以上説明した製造方法によって、グレーズ
層５３の表面粗さを最大５０Å以上にすることができ、
グレーズ層５３と保護膜５８の密着力が約１．５倍に向
上する。したがって、たとえば、製版プリンタ用サーマ
ルヘッドにおいて発熱抵抗体幅を小さくして、電極６１
間の距離を長くすることができ、その電極６１間の幅が
２０μｍ以上有するものでも容易に製造することができ
る。According to the manufacturing method described above, the surface roughness of the glaze layer 53 can be made 50 ° or more at the maximum.
The adhesion between the glaze layer 53 and the protective film 58 is improved about 1.5 times. Therefore, for example, in the thermal head for a plate making printer, the width of the heating resistor is reduced, and
The distance between the electrodes 61 can be increased, and the electrode 61 having a width of 20 μm or more can be easily manufactured.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護膜と
密着性が良好である材料から成る疑似電極をグレーズ層
と保護層との間で、かつ隣接する電極間の領域に設け、
疑似電極の外周を保護層形成領域の内側に位置させるこ
とによって、電極間の距離が長くなっても、電極間に介
在する疑似電極によって、保護膜全体の密着力が向上
し、保護膜の剥離が生じない。したがって、発熱抵抗体
幅を小さくし、各発熱抵抗体間の距離を長くすることが
でき、保護膜の密着力が向上するサーマルヘッドを提供
することができる。As described above, according to the present invention, a pseudo electrode made of a material having good adhesion to a protective film is provided between the glaze layer and the protective layer and in a region between adjacent electrodes.
By positioning the outer periphery of the pseudo electrode inside the protective layer forming region, even if the distance between the electrodes is long, the pseudo electrode interposed between the electrodes improves the adhesion of the entire protective film and peels off the protective film. Does not occur. Therefore, it is possible to provide a thermal head in which the width of the heating resistor can be reduced, the distance between the heating resistors can be increased, and the adhesion of the protective film can be improved.
【００３２】[0032]
【００３３】したがって、発熱抵抗体幅を小さくし、各
発熱抵抗体間の距離を長くすることができ、保護膜の密
着力が向上するサーマルヘッドを提供することができ
る。Therefore, it is possible to provide a thermal head in which the width of the heating resistors can be reduced, the distance between the heating resistors can be increased, and the adhesion of the protective film can be improved.
【図１】本発明の一実施例のサーマルヘッドの部分断面
図である。FIG. 1 is a partial sectional view of a thermal head according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１で示されるサーマルヘッドの平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of the thermal head shown in FIG.
【図３】図２で示される発熱抵抗体２７付近の拡大図で
ある。FIG. 3 is an enlarged view near a heating resistor 27 shown in FIG. 2;
【図４】図２で示されるＡ１〜Ａ３部分の拡大図であ
る。FIG. 4 is an enlarged view of a portion A1 to A3 shown in FIG. 2;
【図５】本発明の他の実施例のサーマルヘッドの部分断
面図である。FIG. 5 is a partial sectional view of a thermal head according to another embodiment of the present invention.
【図６】図５で示されるサーマルヘッドの平面図であ
る。6 is a plan view of the thermal head shown in FIG.
【図７】グレーズ層５３のエッチングの方法を説明する
ための製造工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process for describing a method of etching the glaze layer 53.
【図８】グレーズ層５３のエッチングの他の方法を説明
するための製造工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a manufacturing process for explaining another method of etching the glaze layer 53.
【図９】従来のサーマルヘッドの部分断面図である。FIG. 9 is a partial sectional view of a conventional thermal head.
【図１０】図９で示されるサーマルヘッドの平面図であ
る。FIG. 10 is a plan view of the thermal head shown in FIG.
【図１１】図１０で示される発熱抵抗体７付近の拡大図
である。FIG. 11 is an enlarged view of the vicinity of the heating resistor 7 shown in FIG.
２２，５２ 基板 ２３，５３ グレーズ層 ２４，５４ 補強電極 ２５，５５ 共通電極 ２６，５６ 個別電極 ２７，５７ 発熱抵抗体 ２９，５９ はんだバンプ ３０，６０ 駆動素子 ３１，６１ 電極 ３２，６２ 発熱抵抗体層 ４１，４２ａ，４２ｂ 疑似電極 ６５ フィラー 22, 52 Substrate 23, 53 Glaze layer 24, 54 Reinforcement electrode 25, 55 Common electrode 26, 56 Individual electrode 27, 57 Heating resistor 29, 59 Solder bump 30, 60 Driving element 31, 61 Electrode 32, 62 Heating resistor Layers 41, 42a, 42b pseudo electrode 65 filler
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝山 茂 鹿児島県姶良郡隼人町内999番地３ 京 セラ株式会社鹿児島隼人工場内 (56)参考文献 特開 平４−363259（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−210469（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−13050（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/335 - 2/345 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Shigeru Katsuyama 999-3, Hayato-cho, Aira-gun, Kagoshima Prefecture Inside of Katoshima Hayato Factory, Kyocera Corporation (56) References JP-A-4-363259 (JP, A) JP-A Sho 60-210469 (JP, A) Japanese Utility Model Showa 55-13050 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B41J 2/335-2/345
Claims (1)
的に被着させるとともに該グレーズ層上に直線状に配列
した複数の発熱抵抗体と該発熱抵抗体に電流を供給する
複数の電極とを該電極の一端が基板上面まで導出される
ように被着させ、さらに前記グレーズ層、複数の発熱抵
抗体および複数の電極を一端が基板上面まで延在されて
いる保護層で被覆してなるサーマルヘッドであって、 前記グレーズ層と前記保護層との間で、かつ隣接する電
極間の領域に、外周を保護層形成領域の内側に位置させ
た疑似電極が設けられていることを特徴とするサーマル
ヘッド。1. A plurality of heating resistors arranged in a straight line on a glaze layer while partially covering a glaze layer on an electrically insulating substrate, and a plurality of electrodes for supplying current to the heating resistors. Are applied so that one end of the electrode extends to the upper surface of the substrate, and the glaze layer, the plurality of heating resistors and the plurality of electrodes are covered with a protective layer whose one end extends to the upper surface of the substrate. A thermal electrode, wherein a pseudo electrode whose outer periphery is located inside a protective layer forming region is provided between the glaze layer and the protective layer and in a region between adjacent electrodes. Thermal head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974393A JP3172623B2 (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974393A JP3172623B2 (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340103A JPH06340103A (en) | 1994-12-13 |
| JP3172623B2 true JP3172623B2 (en) | 2001-06-04 |
Family
ID=15017113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12974393A Expired - Lifetime JP3172623B2 (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172623B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5219757B2 (en) * | 2008-11-26 | 2013-06-26 | 京セラ株式会社 | RECORDING HEAD AND RECORDING DEVICE HAVING THE SAME |
| JP5421680B2 (en) * | 2009-07-21 | 2014-02-19 | セイコーインスツル株式会社 | Thermal head manufacturing method, thermal head and printer |
| JP5366088B2 (en) * | 2009-09-16 | 2013-12-11 | セイコーインスツル株式会社 | Thermal head and printer |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12974393A patent/JP3172623B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06340103A (en) | 1994-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3124873B2 (en) | Thermal head and method of manufacturing the same | |
| JP3172623B2 (en) | Thermal head | |
| US6469724B1 (en) | Thick-film thermal print head and its manufacturing method | |
| JP2003266754A (en) | Thermal head | |
| JPH0661947B2 (en) | Thermal head | |
| JP3231951B2 (en) | Thermal head and method of manufacturing the same | |
| JP3824246B2 (en) | Manufacturing method of thermal head | |
| JPH07112740B2 (en) | Thermal head | |
| JP4748864B2 (en) | Thermal head | |
| JP3472755B2 (en) | Thermal head and method of manufacturing the same | |
| JP3237176B2 (en) | Thermal inkjet head | |
| JP2551773B2 (en) | Thermal head | |
| JPH04251758A (en) | Thermal printing head | |
| JPH0712694B2 (en) | Thermal head | |
| JP2580633Y2 (en) | Thermal head | |
| JP4034143B2 (en) | Thermal head and manufacturing method thereof | |
| JPH04319446A (en) | Thermal head | |
| JPS5959474A (en) | Thin film thermal head | |
| JPH0147036B2 (en) | ||
| JP2606139B2 (en) | Manufacturing method of thermal head | |
| JPS62294562A (en) | Thermal head | |
| JPS6362746A (en) | Preparation of thermal head | |
| JPS6242858A (en) | Preparation of thermal head | |
| JPH01215561A (en) | Thermal recording head and its manufacture | |
| JPS63268663A (en) | Thermal head substrate and manufacture thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090323 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090323 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |