JP3172555B2 - 電界発光素子の電極作製方法 - Google Patents
電界発光素子の電極作製方法Info
- Publication number
- JP3172555B2 JP3172555B2 JP28725591A JP28725591A JP3172555B2 JP 3172555 B2 JP3172555 B2 JP 3172555B2 JP 28725591 A JP28725591 A JP 28725591A JP 28725591 A JP28725591 A JP 28725591A JP 3172555 B2 JP3172555 B2 JP 3172555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- transport layer
- light emitting
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光素子の電極
を作製する方法に関し、より詳しくは電極を形成する基
体に対して結合性の良い有機電界発光素子の電極を作製
する方法に関する。
を作製する方法に関し、より詳しくは電極を形成する基
体に対して結合性の良い有機電界発光素子の電極を作製
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機電界発光素子は、基本的には有機発
光層を正負電極で挟んだ形を有する。正負電極からキャ
リアーとして注入された電子と正孔が再結合する際に形
成される励起子（エキシトン）が励起状態から基底状態
に戻る時に発光を生じさせる。また、輝度を向上させる
ために更に正電極と有機発光層の間に正孔輸送層を介在
させ、あるいは負電極と有機発光層の間に電子輸送層を
介在さることも知られている（特開昭６３−２６４６９
２号、特開昭６３−２９５６９５号、特開平２−２５０
２９２号、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，Ｌ２
６９（１９８８）等）。すなわち、図１に示した様にガ
ラス基板１、透明正電極２、正孔輸送層３、有機発光層
４、電子輸送層５及び負電極６をこの順に積層する。そ
して直流電源７から電圧を加えて発光させる。もちろ
ん、電子輸送層及び正孔輸送層の一方又は両方が省略さ
れることもある。また、電子輸送層や正孔輸送層には有
機化合物だけでなく無機化合物を用いてもよい。
光層を正負電極で挟んだ形を有する。正負電極からキャ
リアーとして注入された電子と正孔が再結合する際に形
成される励起子（エキシトン）が励起状態から基底状態
に戻る時に発光を生じさせる。また、輝度を向上させる
ために更に正電極と有機発光層の間に正孔輸送層を介在
させ、あるいは負電極と有機発光層の間に電子輸送層を
介在さることも知られている（特開昭６３−２６４６９
２号、特開昭６３−２９５６９５号、特開平２−２５０
２９２号、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，Ｌ２
６９（１９８８）等）。すなわち、図１に示した様にガ
ラス基板１、透明正電極２、正孔輸送層３、有機発光層
４、電子輸送層５及び負電極６をこの順に積層する。そ
して直流電源７から電圧を加えて発光させる。もちろ
ん、電子輸送層及び正孔輸送層の一方又は両方が省略さ
れることもある。また、電子輸送層や正孔輸送層には有
機化合物だけでなく無機化合物を用いてもよい。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】有機発光層、正孔輸送層、又
は電子輸送層は水分、酸素、その他の使用環境中のある
種の分子の影響を受けて劣化し易いので、外気から完全
に遮断する必要がある。図１に示したように、有機発光
層、正孔輸送層又は電子輸送層には電極が積層されてい
るから、電極のこれらの層に対する密着性、又は結合性
が低いと経時的に結合力が緩くなり、あるいは剥離し、
そこから水分や酸素が侵入して、正孔輸送層、有機発光
層、又は電子輸送層の劣化が生じて輝度、色彩等の発光
特性が低下する。一般的に、有機発光層、正孔輸送層、
又は電子輸送層に対する金属電極の密着性は悪く、経時
的に結合の緩みあるいは剥離が起こり易い。従って本発
明の目的は、有機電界発光素子において、有機発光層、
正孔輸送層、又は電子輸送層に対する正又は負電極の結
合力を向上させ、それにより発光素子の耐久性を向上さ
せ、発光特性を安定化することにある。
は電子輸送層は水分、酸素、その他の使用環境中のある
種の分子の影響を受けて劣化し易いので、外気から完全
に遮断する必要がある。図１に示したように、有機発光
層、正孔輸送層又は電子輸送層には電極が積層されてい
るから、電極のこれらの層に対する密着性、又は結合性
が低いと経時的に結合力が緩くなり、あるいは剥離し、
そこから水分や酸素が侵入して、正孔輸送層、有機発光
層、又は電子輸送層の劣化が生じて輝度、色彩等の発光
特性が低下する。一般的に、有機発光層、正孔輸送層、
又は電子輸送層に対する金属電極の密着性は悪く、経時
的に結合の緩みあるいは剥離が起こり易い。従って本発
明の目的は、有機電界発光素子において、有機発光層、
正孔輸送層、又は電子輸送層に対する正又は負電極の結
合力を向上させ、それにより発光素子の耐久性を向上さ
せ、発光特性を安定化することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機電界発光
素子の電極を作製する方法において、有機発光層、正孔
輸送層、又は電子輸送層である基体層と、前記基体層の
表面側に配置したグリッド電極例えば金属メッシュと
を、共に負電位にバイアスし、前記基体層の表面をプラ
ズマ又は逆スパッタした後、空気に露呈することなく引
き続いて前記基体層の表面に電極を気相成膜することを
特徴とする。本発明によると、電極と有機発光層、正孔
輸送層、又は電子輸送層との結合力が大きく、水分や酸
素が有機発光層、正孔輸送層、又は電子輸送層に侵入す
ることがなく、電極が優れた遮蔽層として作用する。
素子の電極を作製する方法において、有機発光層、正孔
輸送層、又は電子輸送層である基体層と、前記基体層の
表面側に配置したグリッド電極例えば金属メッシュと
を、共に負電位にバイアスし、前記基体層の表面をプラ
ズマ又は逆スパッタした後、空気に露呈することなく引
き続いて前記基体層の表面に電極を気相成膜することを
特徴とする。本発明によると、電極と有機発光層、正孔
輸送層、又は電子輸送層との結合力が大きく、水分や酸
素が有機発光層、正孔輸送層、又は電子輸送層に侵入す
ることがなく、電極が優れた遮蔽層として作用する。
【０００５】図２は本発明の１実施例を示す図であり、
ガラス基板１の表面に透明正電極２、正孔輸送層３、有
機発光層４、電子輸送層５を順に従来の方法により形成
した後、負電極６の形成を行なう前に、本発明に従って
プラズマ処理を行なう。プラズマ処理は公知のプラズマ
処理装置の内部にこの積層体を収容し、電子輸送層５ま
たは電子輸送層がない場合には有機発光層４を所定の負
電源８に接続する。しかしこれらの層の導電性は充分で
ないから更にメッシュ状グリッド９を層５（または層５
がない場合には層４）に近接させて配置し、同じ負電位
にする。グリッド９と基体層との距離は数ｍｍが好まし
く、又電位は例えば約１５０ボルト以下の負電位を加え
る。使用するプラズマガスとしてはＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ、
Ｘｅ等の不活性ガスや、水素、窒素等のガスをプラズマ
化する。プラズマガス中の正イオンがグリッド９に印加
された負電位により加速されて有機発光層または電子輸
送層の表面を活性化することにより、次に形成される電
極との結合力を向上させる。プラズマ処理の代わりに図
２と同じ配置で周知の逆スパッタ法により基体の表面を
活性化しても良い。又、正孔輸送層を形成して最後に正
電極を形成することもあるから、本発明はこのような場
合も含む。
ガラス基板１の表面に透明正電極２、正孔輸送層３、有
機発光層４、電子輸送層５を順に従来の方法により形成
した後、負電極６の形成を行なう前に、本発明に従って
プラズマ処理を行なう。プラズマ処理は公知のプラズマ
処理装置の内部にこの積層体を収容し、電子輸送層５ま
たは電子輸送層がない場合には有機発光層４を所定の負
電源８に接続する。しかしこれらの層の導電性は充分で
ないから更にメッシュ状グリッド９を層５（または層５
がない場合には層４）に近接させて配置し、同じ負電位
にする。グリッド９と基体層との距離は数ｍｍが好まし
く、又電位は例えば約１５０ボルト以下の負電位を加え
る。使用するプラズマガスとしてはＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ、
Ｘｅ等の不活性ガスや、水素、窒素等のガスをプラズマ
化する。プラズマガス中の正イオンがグリッド９に印加
された負電位により加速されて有機発光層または電子輸
送層の表面を活性化することにより、次に形成される電
極との結合力を向上させる。プラズマ処理の代わりに図
２と同じ配置で周知の逆スパッタ法により基体の表面を
活性化しても良い。又、正孔輸送層を形成して最後に正
電極を形成することもあるから、本発明はこのような場
合も含む。
【０００６】プラズマまたは逆スパッタによる表面処理
が終ると、引き続いて同じ真空中で負電極６を成膜す
る。負電極の材料としては４ｅＶ以下の仕事関数を有す
る金属又は少なくとも１種が４ｅＶ以下の仕事関数を有
する金属を含有する合金から選択され、例えばＭｇ、Ａ
ｌ、及びＭｇ−Ａｇ合金等が使用出来る。電極の成膜は
蒸着、スパッタ等の任意の手法が使用出来る。なお、透
明正電極２、正孔輸送層３、有機発光層４、電子輸送層
５、及び負電極６の材料は全て公知である。例えば、透
明正電極としてはＩｎ−Ｓｎ酸化物、正孔輸送層として
トリフェニルジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体等があり、電子輸送層としてはオキサジア
ゾール誘導体等がある。有機発光層としては縮合多環型
芳香族炭化水素色素、Ｏ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子を含む
縮合多環型色素、金属錯体色素等がある。その例として
は、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、テトラフェニルブタジエン類、ビス
スチリルベンゼン誘導体等が挙げられる（特開平１−２
４５０８７号、同２−８８６８９号、同２−２５０２９
２号、同２−２６１８８９号参照）。
が終ると、引き続いて同じ真空中で負電極６を成膜す
る。負電極の材料としては４ｅＶ以下の仕事関数を有す
る金属又は少なくとも１種が４ｅＶ以下の仕事関数を有
する金属を含有する合金から選択され、例えばＭｇ、Ａ
ｌ、及びＭｇ−Ａｇ合金等が使用出来る。電極の成膜は
蒸着、スパッタ等の任意の手法が使用出来る。なお、透
明正電極２、正孔輸送層３、有機発光層４、電子輸送層
５、及び負電極６の材料は全て公知である。例えば、透
明正電極としてはＩｎ−Ｓｎ酸化物、正孔輸送層として
トリフェニルジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体等があり、電子輸送層としてはオキサジア
ゾール誘導体等がある。有機発光層としては縮合多環型
芳香族炭化水素色素、Ｏ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子を含む
縮合多環型色素、金属錯体色素等がある。その例として
は、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、テトラフェニルブタジエン類、ビス
スチリルベンゼン誘導体等が挙げられる（特開平１−２
４５０８７号、同２−８８６８９号、同２−２５０２９
２号、同２−２６１８８９号参照）。
【０００７】
【実施例の説明】以下に実施例を説明する。以下の例は
ガラス基板の面にＩｎ−Ｓｎ酸化物電極層を形成し、次
いで正孔輸送層、有機発光層、または電子輸送層を形成
した。ついでこれらの層から５ｍｍ離して平行にグリッ
ドを配置し、これらの層とグリッドとには表１に示す電
圧を加えた。０．０５Ｔｏｒｒの真空室中にて表１の方
法でＡｒ及びＨ2 のプラズマまたはイオンを生成し、表
面処理を行なった。次いでＭｇ−Ａｇ電極を蒸着した。
得られた結果を同表に示す。ただし実施例１は正孔輸送
層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−
ジアミン、電極に隣接する有機発光層として８−キノリ
ノールＡｌ錯体を用い、実施例２は有機発光層としてス
チルベン誘導体
ガラス基板の面にＩｎ−Ｓｎ酸化物電極層を形成し、次
いで正孔輸送層、有機発光層、または電子輸送層を形成
した。ついでこれらの層から５ｍｍ離して平行にグリッ
ドを配置し、これらの層とグリッドとには表１に示す電
圧を加えた。０．０５Ｔｏｒｒの真空室中にて表１の方
法でＡｒ及びＨ2 のプラズマまたはイオンを生成し、表
面処理を行なった。次いでＭｇ−Ａｇ電極を蒸着した。
得られた結果を同表に示す。ただし実施例１は正孔輸送
層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−
ジアミン、電極に隣接する有機発光層として８−キノリ
ノールＡｌ錯体を用い、実施例２は有機発光層としてス
チルベン誘導体
【化１】 を使用し、電極に隣接する電子輸送層としてオキサジア
ゾール誘導体
ゾール誘導体
【化２】 を使用した。結果を表１に示す。ただし、ピール試験は
ＪＩＳ規格Ｋ５４００に従って、碁盤目状に１００個の
ます目を刻み、これらを全て覆う様に粘着テープを貼
り、良く密着させ、塗布面と９０度の方向に素早く剥
し、１００のます目めに対して残った数を示す。スクラ
ッチ試験はＲｈｅｓｃａ社製のＣＳＲ−０２試験機で測
定し、無処理の場合を１．０とした相対値で表わした。
ＪＩＳ規格Ｋ５４００に従って、碁盤目状に１００個の
ます目を刻み、これらを全て覆う様に粘着テープを貼
り、良く密着させ、塗布面と９０度の方向に素早く剥
し、１００のます目めに対して残った数を示す。スクラ
ッチ試験はＲｈｅｓｃａ社製のＣＳＲ−０２試験機で測
定し、無処理の場合を１．０とした相対値で表わした。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【発明の効果】無処理のものに比較して、本発明のプラ
ズマまたは逆スパッタで処理した電界発光素子は電極と
の結合力が高くなり、それにより耐久性が向上し、発光
特性が安定化した。一方、酸素雰囲気中での処理及び水
素雰囲気中での処理では密着性が得られなかった。
ズマまたは逆スパッタで処理した電界発光素子は電極と
の結合力が高くなり、それにより耐久性が向上し、発光
特性が安定化した。一方、酸素雰囲気中での処理及び水
素雰囲気中での処理では密着性が得られなかった。
【図１】有機電界発光素子の構成の１例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の方法を説明する図である。
１ ガラス基板 ２ 透明正電極 ３ 正孔輸送層 ４ 有機発光層 ５ 電子輸送層 ９ グリッド電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中谷 賢司 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−84892（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−14795（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−347188（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−101885（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00
Claims (4)
- 【請求項１】 有機電界発光素子の電極を作製する方法
において、有機発光層、正孔輸送層又は電子輸送層であ
る基体層と、前記基体層の表面側に配置したグリッド電
極とを、共に負電位にバイアスし、前記基体層の表面を
プラズマ又は逆スパッタした後、空気に露呈することな
く引き続いて前記基体層の表面に電極を気相成膜するこ
とを特徴とする、有機電界発光素子の電極作製方法。 - 【請求項２】 有機発光層の上に電極を形成するもので
ある、請求項１に記載の有機電界発光素子の電極作製方
法。 - 【請求項３】 有機発光層、電子輸送層及び電極の順に
積層するものである、請求項１に記載の有機電界発光素
子の電極作製方法。 - 【請求項４】 電極は４ｅＶ以下の仕事関数を有する金
属又は少なくとも１種が４ｅＶ以下の仕事関数を有する
金属を含有する合金より選択される請求項１ないし３の
いずれかに記載の有機電界発光素子の電極作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28725591A JP3172555B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 電界発光素子の電極作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28725591A JP3172555B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 電界発光素子の電極作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101889A JPH05101889A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3172555B2 true JP3172555B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17715035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28725591A Expired - Fee Related JP3172555B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 電界発光素子の電極作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172555B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345180A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28725591A patent/JP3172555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05101889A (ja) | 1993-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04357694A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05331459A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2008153004A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3691192B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3197305B2 (ja) | 電界発光素子の保護 | |
| JP2002246185A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| US6597109B1 (en) | Organic EL device and method for production thereof | |
| JP3531680B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH08185983A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH07153571A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPWO2002094965A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH08185982A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3231816B2 (ja) | 電界発光素子の電極作製方法 | |
| JP3172555B2 (ja) | 電界発光素子の電極作製方法 | |
| KR100751381B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기발광 소자 | |
| JP2001267081A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR100787460B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기발광 소자 | |
| JPH11329746A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP4507305B2 (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP3868061B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH05299174A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子 | |
| JP2000208253A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2005310469A (ja) | 有機発光素子 | |
| JP3738870B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3040597B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010306 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090323 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |