JP3166726B2 - 反強誘電性液晶光学素子及びその駆動方法 - Google Patents
反強誘電性液晶光学素子及びその駆動方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、文字、図形等を表
示する表示装置、入射光の透過量が変化する調光装置、
光シャッター等に利用される液晶光学素子に関し、更に
詳しくは反強誘電性液晶材料を用いた高コントラストの
反強誘電性液晶光学素子に関するものである。
示する表示装置、入射光の透過量が変化する調光装置、
光シャッター等に利用される液晶光学素子に関し、更に
詳しくは反強誘電性液晶材料を用いた高コントラストの
反強誘電性液晶光学素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイは、薄型、軽量、低消
費電力という点で、ＣＲＴより有利なため、コンピュー
ター用のディスプレイ、あるいは携帯用のディスプレイ
として広く利用されている。ところで、現在利用されて
いる液晶ディスプレイには、ネマティック液晶が用いら
れている。ネマティック液晶は応答時間が速いもので２
０ｍｓ程と遅く、動画表示の点で、ＣＲＴより不利であ
る。
費電力という点で、ＣＲＴより有利なため、コンピュー
ター用のディスプレイ、あるいは携帯用のディスプレイ
として広く利用されている。ところで、現在利用されて
いる液晶ディスプレイには、ネマティック液晶が用いら
れている。ネマティック液晶は応答時間が速いもので２
０ｍｓ程と遅く、動画表示の点で、ＣＲＴより不利であ
る。
【０００３】そこで、応答速度が遅いネマティック液晶
に代わって、高速応答が可能な液晶としてスメクティッ
ク液晶が期待されている。特に、R. B. Meyerらにより
報告された強誘電性液晶（J. Phys. （France） 36, L6
9 （1975））とA. D. L. Chandaniらにより報告された
反強誘電性液晶（Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1265 （1
989））は自発分極を有し、電場印加時に自発分極と電
場との相互作用のため、１ｍｓ以下の高速応答が可能で
ある。
に代わって、高速応答が可能な液晶としてスメクティッ
ク液晶が期待されている。特に、R. B. Meyerらにより
報告された強誘電性液晶（J. Phys. （France） 36, L6
9 （1975））とA. D. L. Chandaniらにより報告された
反強誘電性液晶（Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1265 （1
989））は自発分極を有し、電場印加時に自発分極と電
場との相互作用のため、１ｍｓ以下の高速応答が可能で
ある。
【０００４】強誘電性液晶の光スイッチング現象を利用
した光学素子として、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦ
ＬＣ）光学素子が、N. A. Clark, S. T. Lagerwallによ
り提案されている（App. Phys. Lett., Vol.36, P.899
（1980））。ＳＳＦＬＣ光学素子は、印加電場に対し双
安定性を示し、２状態間の光学応答は高速（１ｍｓ以
下）という特徴を有している。ただし、双安定性のため
ＳＳＦＬＣ光学素子の電気光学応答は明状態と暗状態の
２つの状態のスイッチングに限定される。したがって、
電圧制御による中間調の表示は困難である。
した光学素子として、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦ
ＬＣ）光学素子が、N. A. Clark, S. T. Lagerwallによ
り提案されている（App. Phys. Lett., Vol.36, P.899
（1980））。ＳＳＦＬＣ光学素子は、印加電場に対し双
安定性を示し、２状態間の光学応答は高速（１ｍｓ以
下）という特徴を有している。ただし、双安定性のため
ＳＳＦＬＣ光学素子の電気光学応答は明状態と暗状態の
２つの状態のスイッチングに限定される。したがって、
電圧制御による中間調の表示は困難である。
【０００５】一方、反強誘電性液晶を利用した光学素子
が、A. D. L. Chandaniらにより提案されている（Jpn.
J. Appl. Phys., 29, 1757 （1990））。反強誘電性液
晶は、電場無印加時の反強誘電相と電場印加時の強誘電
相との電場誘起相転移に基づく３安定性を有し、３状態
間の光学応答はＳＳＬＦＣ光学素子と同様に高速（１ｍ
ｓ以下）という特徴を有している。この反強誘電性液晶
をバイアス電圧印加下にてスイッチングさせることによ
り、単純マトリクス方式での駆動が可能となる。また、
反強誘電相と強誘電相の共存状態を電圧制御することに
よる、単純マトリクス駆動での中間調表示がY. Yamamot
oらにより報告されている（Ferroelectrics, 149, 295
（1993））。
が、A. D. L. Chandaniらにより提案されている（Jpn.
J. Appl. Phys., 29, 1757 （1990））。反強誘電性液
晶は、電場無印加時の反強誘電相と電場印加時の強誘電
相との電場誘起相転移に基づく３安定性を有し、３状態
間の光学応答はＳＳＬＦＣ光学素子と同様に高速（１ｍ
ｓ以下）という特徴を有している。この反強誘電性液晶
をバイアス電圧印加下にてスイッチングさせることによ
り、単純マトリクス方式での駆動が可能となる。また、
反強誘電相と強誘電相の共存状態を電圧制御することに
よる、単純マトリクス駆動での中間調表示がY. Yamamot
oらにより報告されている（Ferroelectrics, 149, 295
（1993））。
【０００６】Y. Yamadaらにより反強誘電性液晶と単純
マトリクス駆動を組み合わせた、対角６インチのフルカ
ラー表示可能な反強誘電性液晶光学素子が報告されてい
る（SID’95 Digest, 791 （1995））。
マトリクス駆動を組み合わせた、対角６インチのフルカ
ラー表示可能な反強誘電性液晶光学素子が報告されてい
る（SID’95 Digest, 791 （1995））。
【０００７】しかし、この反強誘電性液晶光学素子で
は、ネマティック液晶とＴＦＴ駆動を組み合わせた素子
でのコントラストが１００以上あるのに比べ、コントラ
ストが３０と非常に小さい。これは暗状態での反強誘電
性液晶の前駆現象による光漏れが原因である。前駆現象
とは、反強誘電相から強誘電相へ電場誘起相転移する前
に、光軸の方向が層法線からずれる現象である。前駆現
象が大きいと、バイアス電圧による光軸のずれが大きく
なり、コントラストが大きく低下する。
は、ネマティック液晶とＴＦＴ駆動を組み合わせた素子
でのコントラストが１００以上あるのに比べ、コントラ
ストが３０と非常に小さい。これは暗状態での反強誘電
性液晶の前駆現象による光漏れが原因である。前駆現象
とは、反強誘電相から強誘電相へ電場誘起相転移する前
に、光軸の方向が層法線からずれる現象である。前駆現
象が大きいと、バイアス電圧による光軸のずれが大きく
なり、コントラストが大きく低下する。
【０００８】反強誘電性液晶を単純マトリクス方式で駆
動する場合、選択期間中は任意の透過率を得るため電圧
が印加されているが、非選択時にも表示色を維持するた
めバイアス電圧と、他の走査電極の画素に任意の透過率
を表示させるため信号電圧が印加されている。明状態や
中間調状態では、（バイアス電圧）＋（信号電圧）は、
シキイ値より小さくなるように設定されるので影響を受
けないが、暗状態では前駆現象のため大きな影響を受け
る。
動する場合、選択期間中は任意の透過率を得るため電圧
が印加されているが、非選択時にも表示色を維持するた
めバイアス電圧と、他の走査電極の画素に任意の透過率
を表示させるため信号電圧が印加されている。明状態や
中間調状態では、（バイアス電圧）＋（信号電圧）は、
シキイ値より小さくなるように設定されるので影響を受
けないが、暗状態では前駆現象のため大きな影響を受け
る。
【０００９】反強誘電性液晶は、図５に示したようにバ
イアス電圧を印加しても透過率が０％であるのが理想で
あるが、現実は、反強誘電性液晶の前駆現象により、図
４に示したようにバイアス電圧を印加すると光漏れが生
じ透過率が数％になり、１００以上のコントラストを得
ることが困難になる。コントラストは（明状態での透過
率）／（暗状態での透過率）で求められるので、暗状態
での透過率の上昇はコントラストに大きく影響する。
イアス電圧を印加しても透過率が０％であるのが理想で
あるが、現実は、反強誘電性液晶の前駆現象により、図
４に示したようにバイアス電圧を印加すると光漏れが生
じ透過率が数％になり、１００以上のコントラストを得
ることが困難になる。コントラストは（明状態での透過
率）／（暗状態での透過率）で求められるので、暗状態
での透過率の上昇はコントラストに大きく影響する。
【００１０】上述したように、従来の反強誘電性液晶と
単純マトリクス駆動を組み合わせた液晶光学素子では、
表示色維持のためのバイアス電圧を印加する必要があ
り、反強誘電性液晶の前駆現象のため暗状態でもバイア
ス電圧により透過率が上昇し、１００以上のコントラス
トを得ることは困難である。
単純マトリクス駆動を組み合わせた液晶光学素子では、
表示色維持のためのバイアス電圧を印加する必要があ
り、反強誘電性液晶の前駆現象のため暗状態でもバイア
ス電圧により透過率が上昇し、１００以上のコントラス
トを得ることは困難である。
【００１１】一方、特開平８−１２２８３０号公報（以
下、従来例１と呼ぶ。）には、反強誘電性液晶セルを２
枚重ね合わせ、暗状態での光漏れを防止し、コントラス
トを向上させた反強誘電性液晶素子が、開示されてい
る。この公報においては、２枚の液晶セルを反強誘電性
液晶の層法線を直交するように配置している。片方の液
晶セルは強誘電相のみを使用し、もう一方の液晶セルの
印加電圧を制御することにより暗状態から明状態および
中間調を表示する。反強誘電性液晶等の自発分極を有す
る液晶の光軸の傾く方向は、自発分極の符号と印加する
電圧の極性による。したがって、同じ液晶であれば印加
する電圧の極性を代えることにより、傾く方向が変わ
る。ここでは、正の電圧を印加したときに時計回りにθ
光軸が傾くとして、そのときθと表す。また、負の電圧
を印加したときに反時計回りにθ光軸が傾くとして、そ
のとき−θと表す。
下、従来例１と呼ぶ。）には、反強誘電性液晶セルを２
枚重ね合わせ、暗状態での光漏れを防止し、コントラス
トを向上させた反強誘電性液晶素子が、開示されてい
る。この公報においては、２枚の液晶セルを反強誘電性
液晶の層法線を直交するように配置している。片方の液
晶セルは強誘電相のみを使用し、もう一方の液晶セルの
印加電圧を制御することにより暗状態から明状態および
中間調を表示する。反強誘電性液晶等の自発分極を有す
る液晶の光軸の傾く方向は、自発分極の符号と印加する
電圧の極性による。したがって、同じ液晶であれば印加
する電圧の極性を代えることにより、傾く方向が変わ
る。ここでは、正の電圧を印加したときに時計回りにθ
光軸が傾くとして、そのときθと表す。また、負の電圧
を印加したときに反時計回りにθ光軸が傾くとして、そ
のとき−θと表す。
【００１２】図６に示したように、強誘電相のみ使用す
る反強誘電性液晶セル１２をθｍａｘ光軸が傾いた強誘
電相にしたとき、もう一方の反強誘電性液晶セル１１に
転移するのに充分な電圧を印加し、θｍａｘ光軸が傾い
た強誘電相になったときは暗状態になり（ａ）、逆極性
の電圧を印加し−θｍａｘ光軸が傾いた強誘電相になっ
たときは、２θｍａｘが９０度でなければ明状態になり
（ｂ）、２θｍａｘが４５度のとき最も透過率が高い明
状態が得られる。この強誘電相のみ使用する反強誘電性
液晶セル１２の光軸をθｍａｘ傾けたときの、反強誘電
性液晶セル１１に印加する電圧による透過率の変化を、
図８の実線で示した。この方法では、バイアス電圧が印
加された暗状態を使用しないので、反強誘電性液晶の前
駆現象による光漏れは影響しなくなり、高コントラスト
の液晶光学素子が得られる。
る反強誘電性液晶セル１２をθｍａｘ光軸が傾いた強誘
電相にしたとき、もう一方の反強誘電性液晶セル１１に
転移するのに充分な電圧を印加し、θｍａｘ光軸が傾い
た強誘電相になったときは暗状態になり（ａ）、逆極性
の電圧を印加し−θｍａｘ光軸が傾いた強誘電相になっ
たときは、２θｍａｘが９０度でなければ明状態になり
（ｂ）、２θｍａｘが４５度のとき最も透過率が高い明
状態が得られる。この強誘電相のみ使用する反強誘電性
液晶セル１２の光軸をθｍａｘ傾けたときの、反強誘電
性液晶セル１１に印加する電圧による透過率の変化を、
図８の実線で示した。この方法では、バイアス電圧が印
加された暗状態を使用しないので、反強誘電性液晶の前
駆現象による光漏れは影響しなくなり、高コントラスト
の液晶光学素子が得られる。
【００１３】図７に、強誘電相のみ使用する反強誘電性
液晶セル１２の光軸が−θｍａｘ傾いたときの、光軸の
配置と透過率の変化を示した。このときは、（ａ）のよ
うに反強誘電性液晶セル１１の光軸が−θｍａｘ傾いた
とき暗状態となり、（ｂ）のように反強誘電性液晶セル
１１の光軸がθｍａｘ傾いたとき、２θｍａｘが９０度
でなければ明状態になる。この強誘電相のみ使用する反
強誘電性液晶セル１２を−θｍａｘ光軸を傾けたとき、
反強誘電性液晶セル１１に印加する電圧による透過率の
変化を、図８の点線で示した。
液晶セル１２の光軸が−θｍａｘ傾いたときの、光軸の
配置と透過率の変化を示した。このときは、（ａ）のよ
うに反強誘電性液晶セル１１の光軸が−θｍａｘ傾いた
とき暗状態となり、（ｂ）のように反強誘電性液晶セル
１１の光軸がθｍａｘ傾いたとき、２θｍａｘが９０度
でなければ明状態になる。この強誘電相のみ使用する反
強誘電性液晶セル１２を−θｍａｘ光軸を傾けたとき、
反強誘電性液晶セル１１に印加する電圧による透過率の
変化を、図８の点線で示した。
【００１４】液晶光学素子は、液晶セルに電荷の直流成
分が蓄積されると信頼性が低下するので、ある期間ごと
に印加電圧の極性を代えることが好ましい。しかし、強
誘電相のみ使用する反強誘電性液晶セル１２は印加する
電圧の極性を交互に代えることができるので、電荷の蓄
積は避けられるが、もう一方の反強誘電性液晶セル１１
は、例えば図８に示したように透過率ａ％からｂ％への
変化のときは印加電圧の極性は交互に代わっているが、
透過率ａ％からｃ％への変化のときは印加電圧の極性は
代わらない。このように、表示するデータによっては、
同じ極性の電圧の印加が続き、電荷の蓄積により液晶光
学素子の動作信頼性が低下する。
分が蓄積されると信頼性が低下するので、ある期間ごと
に印加電圧の極性を代えることが好ましい。しかし、強
誘電相のみ使用する反強誘電性液晶セル１２は印加する
電圧の極性を交互に代えることができるので、電荷の蓄
積は避けられるが、もう一方の反強誘電性液晶セル１１
は、例えば図８に示したように透過率ａ％からｂ％への
変化のときは印加電圧の極性は交互に代わっているが、
透過率ａ％からｃ％への変化のときは印加電圧の極性は
代わらない。このように、表示するデータによっては、
同じ極性の電圧の印加が続き、電荷の蓄積により液晶光
学素子の動作信頼性が低下する。
【００１５】また、従来例１では同一走査ライン上に光
軸がθｍａｘ傾いた強誘電相と、光軸が−θｍａｘ傾い
た強誘電相が存在することもあるが、これを実現するに
は強誘電相に転移するのに充分な電圧と、逆極性の充分
な電圧を、同一走査ライン上に実現する必要がある。し
かし、これを単純マトリクス方式の駆動で実現するの
は、走査電極の電圧と信号電極の電圧の値、及び、非選
択時に透過率が保持できるバイアス電圧と信号電極の電
圧、反強誘電性液晶のシキイ値の値を選択しなければな
らず、非常に困難である。
軸がθｍａｘ傾いた強誘電相と、光軸が−θｍａｘ傾い
た強誘電相が存在することもあるが、これを実現するに
は強誘電相に転移するのに充分な電圧と、逆極性の充分
な電圧を、同一走査ライン上に実現する必要がある。し
かし、これを単純マトリクス方式の駆動で実現するの
は、走査電極の電圧と信号電極の電圧の値、及び、非選
択時に透過率が保持できるバイアス電圧と信号電極の電
圧、反強誘電性液晶のシキイ値の値を選択しなければな
らず、非常に困難である。
【００１６】特開平１０−３９３２７号公報（以下、従
来例２と呼ぶ。）には、反強誘電性液晶セル、エレクト
ロクリニック効果を示すスメクティック液晶セルまたは
強誘電性液晶セルを２枚重ね合わせた液晶表示素子が開
示されている。この公報においては、２枚の液晶セルを
液晶セルの光軸を直交するように配置している。図９
は、従来例２の光軸の配置を示す模式図である。液晶セ
ル１１，２は反強誘電性液晶、もしくはエレクトロクリ
ニック効果を示すスメクティック液晶が充填されてい
る。（ａ）に示したように、液晶セル１１の光軸が−
θ、液晶セル１２の光軸がθ傾いたときは、明状態を示
す。同様に（ｃ）に示したように、液晶セル１１の光軸
がθ、液晶セル１２の光軸が−θ傾いたときは、明状態
を示す。一方、（ｂ）に示したように、液晶セル１１と
１２が電圧無印加状態のとき、もしくは（ｄ）と（ｅ）
に示したように、液晶セル１１と２の光軸の傾きがθも
しくは−θと同じ傾きのとき、暗状態を示す。
来例２と呼ぶ。）には、反強誘電性液晶セル、エレクト
ロクリニック効果を示すスメクティック液晶セルまたは
強誘電性液晶セルを２枚重ね合わせた液晶表示素子が開
示されている。この公報においては、２枚の液晶セルを
液晶セルの光軸を直交するように配置している。図９
は、従来例２の光軸の配置を示す模式図である。液晶セ
ル１１，２は反強誘電性液晶、もしくはエレクトロクリ
ニック効果を示すスメクティック液晶が充填されてい
る。（ａ）に示したように、液晶セル１１の光軸が−
θ、液晶セル１２の光軸がθ傾いたときは、明状態を示
す。同様に（ｃ）に示したように、液晶セル１１の光軸
がθ、液晶セル１２の光軸が−θ傾いたときは、明状態
を示す。一方、（ｂ）に示したように、液晶セル１１と
１２が電圧無印加状態のとき、もしくは（ｄ）と（ｅ）
に示したように、液晶セル１１と２の光軸の傾きがθも
しくは−θと同じ傾きのとき、暗状態を示す。
【００１７】したがって、ある期間は液晶セル１１の光
軸の傾きを０から−θ、液晶セル１２の光軸の傾きを０
からθ利用し、次の期間では液晶セル１１の光軸の傾き
を０からθ、液晶セル１２の光軸の傾きを０から−θ利
用すれば、液晶セル１１と液晶セル１２は印加電圧の極
性を交互に代えることができる。しかし、暗状態は電圧
無印加状態を用いれば、反強誘電性液晶を単純マトリク
ス方式では、単層の反強誘電性液晶光学素子と同様にバ
イアス電圧による光漏れが生じる。一方、（ｄ）または
（ｅ）を使用すると、例えば、ある期間ごとに明、暗、
明と表示するとき、液晶セル１１または液晶セル１２の
いずれかで、連続して同じ極性の印加電圧が続くことに
なり、液晶光学素子の動作信頼性が低下する。
軸の傾きを０から−θ、液晶セル１２の光軸の傾きを０
からθ利用し、次の期間では液晶セル１１の光軸の傾き
を０からθ、液晶セル１２の光軸の傾きを０から−θ利
用すれば、液晶セル１１と液晶セル１２は印加電圧の極
性を交互に代えることができる。しかし、暗状態は電圧
無印加状態を用いれば、反強誘電性液晶を単純マトリク
ス方式では、単層の反強誘電性液晶光学素子と同様にバ
イアス電圧による光漏れが生じる。一方、（ｄ）または
（ｅ）を使用すると、例えば、ある期間ごとに明、暗、
明と表示するとき、液晶セル１１または液晶セル１２の
いずれかで、連続して同じ極性の印加電圧が続くことに
なり、液晶光学素子の動作信頼性が低下する。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
課題を解決するもので、反強誘電性液晶光学素子の暗状
態の光漏れを防止し、高コントラストの反強誘電性液晶
光学素子を提供することが目的である。また、セルに印
加する電圧の極性を交互に代えることができる反強誘電
性液晶光学素子の駆動方法を提供することが目的であ
る。
課題を解決するもので、反強誘電性液晶光学素子の暗状
態の光漏れを防止し、高コントラストの反強誘電性液晶
光学素子を提供することが目的である。また、セルに印
加する電圧の極性を交互に代えることができる反強誘電
性液晶光学素子の駆動方法を提供することが目的であ
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の反強誘電性液晶光学素子は、透明電極と配
向膜をそれぞれに有する一対の透明基板間に反強誘電性
液晶材料が狭持された反強誘電性液晶セルと、光軸が変
化する補償層とを偏光方向が直交するように配置した２
枚の偏光板の間に備えていることを特徴としている。
に、本発明の反強誘電性液晶光学素子は、透明電極と配
向膜をそれぞれに有する一対の透明基板間に反強誘電性
液晶材料が狭持された反強誘電性液晶セルと、光軸が変
化する補償層とを偏光方向が直交するように配置した２
枚の偏光板の間に備えていることを特徴としている。
【００２０】本発明で使用する好適な補償層は、反強誘
電性液晶材料が狭持された反強誘電性液晶セル、強誘電
性液晶材料が狭持された強誘電性液晶セル、エレクトロ
クリニック効果を有するスメクティック液晶材料が狭持
されたエレクトロクリニック効果を有するスメクティッ
ク液晶セル、フェリ誘電性液晶材料が狭持されたフェリ
誘電性液晶セル、強誘電性高分子液晶材料が狭持された
強誘電性高分子液晶セル、強誘電性高分子液晶材料が狭
持された、フィルム状の強誘電性高分子液晶セル、及
び、ネマティック液晶材料が狭持された面内でスイッチ
ングするネマティック液晶セルのいずれかを使用する。
電性液晶材料が狭持された反強誘電性液晶セル、強誘電
性液晶材料が狭持された強誘電性液晶セル、エレクトロ
クリニック効果を有するスメクティック液晶材料が狭持
されたエレクトロクリニック効果を有するスメクティッ
ク液晶セル、フェリ誘電性液晶材料が狭持されたフェリ
誘電性液晶セル、強誘電性高分子液晶材料が狭持された
強誘電性高分子液晶セル、強誘電性高分子液晶材料が狭
持された、フィルム状の強誘電性高分子液晶セル、及
び、ネマティック液晶材料が狭持された面内でスイッチ
ングするネマティック液晶セルのいずれかを使用する。
【００２１】補償層は、単純マトリクス方式での駆動時
における、反強誘電性液晶セルの暗状態での光軸のずれ
θｏと直交する光軸と、逆極性の印加電圧における暗状
態の光軸のずれ−θｏと直交する光軸の２値を少なくと
も有する。また、反強誘電性液晶セルは、印加電圧の極
性に対する対称性を利用して、ある期間には０からθｍ
ａｘの光軸の変化、次の期間には０から−θｍａｘの変
化を利用する。
における、反強誘電性液晶セルの暗状態での光軸のずれ
θｏと直交する光軸と、逆極性の印加電圧における暗状
態の光軸のずれ−θｏと直交する光軸の２値を少なくと
も有する。また、反強誘電性液晶セルは、印加電圧の極
性に対する対称性を利用して、ある期間には０からθｍ
ａｘの光軸の変化、次の期間には０から−θｍａｘの変
化を利用する。
【００２２】反強誘電性液晶光学素子は単純マトリクス
方式の駆動では、暗状態でも、同一ラインの表示色維持
のためバイアス電圧が印加されている。したがって、反
強誘電性液晶セルは前駆現象により層法線から光軸が角
度θｏ傾く。一方、補償層の光軸が反強誘電性液晶セル
の光軸のずれθｏと、直交するように配置しているの
で、前駆現象による光漏れが防止でき、低い透過率の暗
状態が得られる。逆極性の暗状態のときは、補償層の光
軸を逆極性の印加電圧における暗状態の光軸のずれ−θ
ｏと直交するように切り替えることにより、前駆現象に
よる光漏れが防止でき、低い透過率の暗状態が得られ
る。また、反強誘電性液晶セルは、層法線を軸とする印
加電圧に対する光軸の傾きの対称性を利用して、ある期
間ごとに逆極性の電圧を印加できるので、電荷の蓄積は
避けられる。
方式の駆動では、暗状態でも、同一ラインの表示色維持
のためバイアス電圧が印加されている。したがって、反
強誘電性液晶セルは前駆現象により層法線から光軸が角
度θｏ傾く。一方、補償層の光軸が反強誘電性液晶セル
の光軸のずれθｏと、直交するように配置しているの
で、前駆現象による光漏れが防止でき、低い透過率の暗
状態が得られる。逆極性の暗状態のときは、補償層の光
軸を逆極性の印加電圧における暗状態の光軸のずれ−θ
ｏと直交するように切り替えることにより、前駆現象に
よる光漏れが防止でき、低い透過率の暗状態が得られ
る。また、反強誘電性液晶セルは、層法線を軸とする印
加電圧に対する光軸の傾きの対称性を利用して、ある期
間ごとに逆極性の電圧を印加できるので、電荷の蓄積は
避けられる。
【００２３】よって、本発明に係る反強誘電性液晶光学
素子の駆動方法は、補償層の光軸が、反強誘電性液晶セ
ルのバイアス電圧印加による光学軸の傾き角θｏと逆極
性での傾き角−θｏに直交するように変化することを特
徴とし、補償層の光軸が、反強誘電性液晶セルのシキイ
値より高い電圧を印加した暗状態での傾き角θｄと逆極
性での傾き角−θｄに直交するように変化することを特
徴とし、又は、反強誘電性液晶セルの光学軸と、補償層
の光学軸を直交させることによって、暗状態を得ること
を特徴としている。
素子の駆動方法は、補償層の光軸が、反強誘電性液晶セ
ルのバイアス電圧印加による光学軸の傾き角θｏと逆極
性での傾き角−θｏに直交するように変化することを特
徴とし、補償層の光軸が、反強誘電性液晶セルのシキイ
値より高い電圧を印加した暗状態での傾き角θｄと逆極
性での傾き角−θｄに直交するように変化することを特
徴とし、又は、反強誘電性液晶セルの光学軸と、補償層
の光学軸を直交させることによって、暗状態を得ること
を特徴としている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る反強誘電性液晶光学素子
の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の液晶
光学素子の構成を示す断面図である。本実施形態例の反
強誘電性液晶光学素子（簡単に、液晶光学素子と言う）
は、図１に示すように、偏光方向が直交するように配置
した２枚の偏光板の間に、反強誘電性液晶セルと光軸の
傾き角を代えることができる補償層とを備える２層型の
反強誘電性液晶光学素子である。このとき、偏光板６の
偏光方向と反強誘電性液晶の層法線方向を一致させ、ま
た、偏光板７の偏光方向は偏光板６と直交するように配
置する。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る反強誘電性液晶光学素子
の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の液晶
光学素子の構成を示す断面図である。本実施形態例の反
強誘電性液晶光学素子（簡単に、液晶光学素子と言う）
は、図１に示すように、偏光方向が直交するように配置
した２枚の偏光板の間に、反強誘電性液晶セルと光軸の
傾き角を代えることができる補償層とを備える２層型の
反強誘電性液晶光学素子である。このとき、偏光板６の
偏光方向と反強誘電性液晶の層法線方向を一致させ、ま
た、偏光板７の偏光方向は偏光板６と直交するように配
置する。
【００２５】補償層９には反強誘電性液晶セルを使用
し、反強誘電性液晶セル８と補償層９としての反強誘電
性液晶セルは、互いの層法線が直交するように配置す
る。また、一対の透明基板１上に透明電極２を形成し、
透明電極２上に配向膜３を形成し（本図では両側の基板
上に形成しているが片側の基板のみでも素子の構成は可
能である）、透明電極２が対向するように配置して液晶
セルが構成される。この液晶セルの内部には反強誘電性
液晶材料が狭持される。
し、反強誘電性液晶セル８と補償層９としての反強誘電
性液晶セルは、互いの層法線が直交するように配置す
る。また、一対の透明基板１上に透明電極２を形成し、
透明電極２上に配向膜３を形成し（本図では両側の基板
上に形成しているが片側の基板のみでも素子の構成は可
能である）、透明電極２が対向するように配置して液晶
セルが構成される。この液晶セルの内部には反強誘電性
液晶材料が狭持される。
【００２６】本実施形態例の液晶光学素子に用いる反強
誘電性液晶材料４は、前駆現象によるバイアス電圧印加
による光軸の回転が小さい方が明状態での透過率が大き
くなるので好ましい。また、補償層９としての反強誘電
性液晶セルに用いる液晶材料５は、反強誘電性液晶材料
４のバイアス電圧印加による光軸の層法線からのずれ角
θｏと、同じ大きさのメモリ角、もしくは、同じ大きさ
のバイアス電圧印加による光軸の層法線からのずれ角を
もつ材料を選択する。また、液晶材料４、５が同じ材料
であれば、バイアス電圧印加による光軸の層法線からの
ずれ角の温度依存性の影響による、光漏れがなくなるの
で好ましい。
誘電性液晶材料４は、前駆現象によるバイアス電圧印加
による光軸の回転が小さい方が明状態での透過率が大き
くなるので好ましい。また、補償層９としての反強誘電
性液晶セルに用いる液晶材料５は、反強誘電性液晶材料
４のバイアス電圧印加による光軸の層法線からのずれ角
θｏと、同じ大きさのメモリ角、もしくは、同じ大きさ
のバイアス電圧印加による光軸の層法線からのずれ角を
もつ材料を選択する。また、液晶材料４、５が同じ材料
であれば、バイアス電圧印加による光軸の層法線からの
ずれ角の温度依存性の影響による、光漏れがなくなるの
で好ましい。
【００２７】本実施形態例の液晶光学素子に用いられる
基板の材質は、ガラス、プラスチック、金属等である。
またカラーフィルターを有する基板を用いたり、顔料や
色素等を基板中に分散させることによって、カラー化す
ることができる。基板は電極が調光層側になるように設
置する。
基板の材質は、ガラス、プラスチック、金属等である。
またカラーフィルターを有する基板を用いたり、顔料や
色素等を基板中に分散させることによって、カラー化す
ることができる。基板は電極が調光層側になるように設
置する。
【００２８】電極としてはインジウム−スズ−オキサイ
ド（ＩＴＯ）等の材質のものが利用できるが、ポリピロ
ール等の有機導電性薄膜も利用できる。また、使用する
基板自身が導電性を有している場合は、基板を電極とし
ても利用することもできる。電極は調光層と密着した状
態で設置する。これらの電極付き基板は液晶が配向する
ように処理されていることが望ましい。この際、２枚の
基板ともホモジニアス配向であることが望ましい。この
配向処理には、ＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶等に用いられるポ
リイミド等の通常の配向膜が利用できる。ポリイミド等
の配向膜は、ポリイミド等が溶剤に溶け込んでいる可溶
性タイプでもよいし、焼成してポリイミド化する焼成タ
イプであっても構わない。またラビング等の配向処理を
行うことが望ましい。
ド（ＩＴＯ）等の材質のものが利用できるが、ポリピロ
ール等の有機導電性薄膜も利用できる。また、使用する
基板自身が導電性を有している場合は、基板を電極とし
ても利用することもできる。電極は調光層と密着した状
態で設置する。これらの電極付き基板は液晶が配向する
ように処理されていることが望ましい。この際、２枚の
基板ともホモジニアス配向であることが望ましい。この
配向処理には、ＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶等に用いられるポ
リイミド等の通常の配向膜が利用できる。ポリイミド等
の配向膜は、ポリイミド等が溶剤に溶け込んでいる可溶
性タイプでもよいし、焼成してポリイミド化する焼成タ
イプであっても構わない。またラビング等の配向処理を
行うことが望ましい。
【００２９】基板の間隔設定には、通常の液晶デバイス
に用いられるガラスまたは高分子樹脂から成るロッド
状、球状のスペーサーを使用することができ、その間隔
は１μｍ〜４μｍ程度が望ましい。反強誘電性液晶セル
８は単層での駆動と同様に、電場誘起相転移により強誘
電相からもう一方の強誘電相の光学軸の変化を利用す
る。明状態では強誘電相に相転移するのに充分な電圧を
印加し、暗状態ではバイアス電圧のみ印加する。中間調
表示の時は、その中間の電圧を印加する。一方、補償層
９の反強誘電性液晶セルは、反強誘電性液晶セル８の対
応する画素に印加されている電圧の極性に応じて、θｏ
と−θｏの光学軸を切り替えて使用する。
に用いられるガラスまたは高分子樹脂から成るロッド
状、球状のスペーサーを使用することができ、その間隔
は１μｍ〜４μｍ程度が望ましい。反強誘電性液晶セル
８は単層での駆動と同様に、電場誘起相転移により強誘
電相からもう一方の強誘電相の光学軸の変化を利用す
る。明状態では強誘電相に相転移するのに充分な電圧を
印加し、暗状態ではバイアス電圧のみ印加する。中間調
表示の時は、その中間の電圧を印加する。一方、補償層
９の反強誘電性液晶セルは、反強誘電性液晶セル８の対
応する画素に印加されている電圧の極性に応じて、θｏ
と−θｏの光学軸を切り替えて使用する。
【００３０】図２（ａ）に、暗状態での反強誘電性液晶
セル８と補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の配置を
示す。単純マトリクス方式の駆動では、暗状態でも、同
一ラインの表示色維持のためバイアス電圧が印加されて
いる。したがって、反強誘電性液晶セルは前駆現象によ
り層法線から光軸が角度θｏ回転する。一方、反強誘電
性液晶セルと層法線が直交するように配置した補償層の
反強誘電性液晶セルの光軸も同一方向に角度θｏで傾い
ており、前駆現象による光漏れが防止でき、低い透過率
の暗状態が得られる。
セル８と補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の配置を
示す。単純マトリクス方式の駆動では、暗状態でも、同
一ラインの表示色維持のためバイアス電圧が印加されて
いる。したがって、反強誘電性液晶セルは前駆現象によ
り層法線から光軸が角度θｏ回転する。一方、反強誘電
性液晶セルと層法線が直交するように配置した補償層の
反強誘電性液晶セルの光軸も同一方向に角度θｏで傾い
ており、前駆現象による光漏れが防止でき、低い透過率
の暗状態が得られる。
【００３１】図２（ｂ）に明状態での反強誘電性液晶セ
ル８と補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の配置を示
す。反強誘電性液晶セルは強誘電相に電場誘起相転移さ
せるので光軸が角度θｍａｘ動く。一方、補償層９の反
強誘電性液晶セルの光軸は暗状態と同様に同一方向に角
度θｏ傾いている。このため、反強誘電性液晶セル単層
の液晶光学素子に比べ、同じ角度θｍａｘでの透過率が
小さくなる。このため、θｏが小さい材料を選択するの
が好ましい。しかし、明状態での透過率の低下よりも、
暗状態での透過率の低下がコントラストには大きく影響
するので、表示品質は向上する。
ル８と補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の配置を示
す。反強誘電性液晶セルは強誘電相に電場誘起相転移さ
せるので光軸が角度θｍａｘ動く。一方、補償層９の反
強誘電性液晶セルの光軸は暗状態と同様に同一方向に角
度θｏ傾いている。このため、反強誘電性液晶セル単層
の液晶光学素子に比べ、同じ角度θｍａｘでの透過率が
小さくなる。このため、θｏが小さい材料を選択するの
が好ましい。しかし、明状態での透過率の低下よりも、
暗状態での透過率の低下がコントラストには大きく影響
するので、表示品質は向上する。
【００３２】図２（ｃ）に示したように、中間調状態で
も明状態と同様に、反強誘電性液晶セル８の光学軸の回
転方向と同方向に、補償層９の反強誘電性液晶セルの光
軸も角度θｏで傾いている。反強誘電性液晶セル８は、
電荷の蓄積を避けるため、ある期間ごとに逆極性の電圧
を印加する。補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の傾
き角は、反強誘電性液晶セルの対応する画素に同期させ
て、もう一方の傾き角に切り替える。
も明状態と同様に、反強誘電性液晶セル８の光学軸の回
転方向と同方向に、補償層９の反強誘電性液晶セルの光
軸も角度θｏで傾いている。反強誘電性液晶セル８は、
電荷の蓄積を避けるため、ある期間ごとに逆極性の電圧
を印加する。補償層９の反強誘電性液晶セルの光軸の傾
き角は、反強誘電性液晶セルの対応する画素に同期させ
て、もう一方の傾き角に切り替える。
【００３３】図３に示したように、明状態、暗状態およ
び中間調状態での光軸の配置は、光軸の層法線からの回
転方向が逆になっただけで、同じである。従って、反強
誘電性液晶セル８、補償層９の反強誘電性液晶セルと
も、ある期間ごとに印加電圧の極性を交互に代えること
ができるので、電荷の蓄積は避けられ、高い動作信頼性
をもつ反強誘電性液晶光学素子がえられる。
び中間調状態での光軸の配置は、光軸の層法線からの回
転方向が逆になっただけで、同じである。従って、反強
誘電性液晶セル８、補償層９の反強誘電性液晶セルと
も、ある期間ごとに印加電圧の極性を交互に代えること
ができるので、電荷の蓄積は避けられ、高い動作信頼性
をもつ反強誘電性液晶光学素子がえられる。
【００３４】また補償層９としては、強誘電性液晶セ
ル、エレクトロクリニック効果を有するスメクティック
液晶セル、フェリ誘電性液晶セル、強誘電性高分子液晶
セル、フィルム状の強誘電性高分子液晶セル、面内でス
イッチングするネマティック液晶セルを用いることもで
きる。このときも、本実施形態例の液晶光学素子に用い
た反強誘電性液晶セル８の前駆現象によるバイアス電圧
印加による光軸の層法線からのずれ角θｏと、同じ大き
さの光軸の傾きを持つ液晶材料を選択する。
ル、エレクトロクリニック効果を有するスメクティック
液晶セル、フェリ誘電性液晶セル、強誘電性高分子液晶
セル、フィルム状の強誘電性高分子液晶セル、面内でス
イッチングするネマティック液晶セルを用いることもで
きる。このときも、本実施形態例の液晶光学素子に用い
た反強誘電性液晶セル８の前駆現象によるバイアス電圧
印加による光軸の層法線からのずれ角θｏと、同じ大き
さの光軸の傾きを持つ液晶材料を選択する。
【００３５】実施形態例２ 本実施形態例は、実施形態例１と同じ構成であるが、反
強誘電性液晶セル８のシキイ値より低い暗状態を使用す
るのではなく、予めシキイ値より高い電圧を印加し、あ
る透過率で保持した状態を暗状態として使用する。この
とき、補償層９の光軸は、反強誘電性液晶セル８で暗状
態として保持した光軸θｄまたは−θｄと直交するよう
にする。また、そのような材料を選択する。
強誘電性液晶セル８のシキイ値より低い暗状態を使用す
るのではなく、予めシキイ値より高い電圧を印加し、あ
る透過率で保持した状態を暗状態として使用する。この
とき、補償層９の光軸は、反強誘電性液晶セル８で暗状
態として保持した光軸θｄまたは−θｄと直交するよう
にする。また、そのような材料を選択する。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明によれ
ば、偏光方向が直交するように配置した２枚の偏光板の
間に、透明電極と配向膜がそれぞれに形成された一対の
透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反強誘電
性液晶セルと、光軸の傾き角を代えることができる補償
層を配置することにより、高コントラストの反強誘電性
液晶光学素子を得ることができる。また、反強誘電性液
晶セルの暗状態での光軸のずれθｏと、補償層の光軸を
直交させることにより、暗状態を出現させ、逆極性のと
きも同様にして暗状態を出現させ、また、反強誘電性液
晶セルは、印加電圧の極性に対する透過率の対称性を利
用しているので、印加電圧の極性を交互に代えることが
できる。これにより、ある期間毎に逆極性の電圧を印加
できるので、高い動作信頼性が得られる。
ば、偏光方向が直交するように配置した２枚の偏光板の
間に、透明電極と配向膜がそれぞれに形成された一対の
透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反強誘電
性液晶セルと、光軸の傾き角を代えることができる補償
層を配置することにより、高コントラストの反強誘電性
液晶光学素子を得ることができる。また、反強誘電性液
晶セルの暗状態での光軸のずれθｏと、補償層の光軸を
直交させることにより、暗状態を出現させ、逆極性のと
きも同様にして暗状態を出現させ、また、反強誘電性液
晶セルは、印加電圧の極性に対する透過率の対称性を利
用しているので、印加電圧の極性を交互に代えることが
できる。これにより、ある期間毎に逆極性の電圧を印加
できるので、高い動作信頼性が得られる。
【図１】実施形態例１の液晶光学素子の構成を示す断面
図である。
図である。
【図２】実施形態例１の液晶光学素子の光軸の配置を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】実施形態例１の液晶光学素子で、図２とは逆極
性の電圧を印加したときの光軸の配置を示す模式図であ
る。
性の電圧を印加したときの光軸の配置を示す模式図であ
る。
【図４】反強誘電性液晶セルの印加電圧に対する光透過
率の変化を示すグラフである。
率の変化を示すグラフである。
【図５】反強誘電性液晶セルの理想的な印加電圧に対す
る光透過率の変化を示すグラフである。
る光透過率の変化を示すグラフである。
【図６】従来の液晶光学素子の光軸の配置を示す模式図
である。
である。
【図７】従来の液晶光学素子で、図６とは逆極性の電圧
を印加したときの光軸の配置を示す模式図である。
を印加したときの光軸の配置を示す模式図である。
【図８】従来の液晶光学素子の印加電圧に対する光透過
率の変化を示すグラフである。
率の変化を示すグラフである。
【図９】従来の液晶光学素子の光軸の配置を示す模式図
である。
である。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 配向膜 ４ 反強誘電性液晶材料 ５ 液晶材料 ６、７ 偏光板 ８ 反強誘電性液晶セル ９ 補償層 １１ 反強誘電性液晶セル １２ 反強誘電性液晶セル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/141 G02F 1/13363 G02F 1/1347
Claims (13)
- 【請求項１】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 強誘電性液晶材料が狭持された強誘電性液晶セルを補償
層として備えることを特徴とする反強誘電性液晶光学素
子。 - 【請求項２】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 エレクトロクリニック効果を有するスメクティック液晶
材料が狭持されたエレクトロクリニック効果を有するス
メクティック液晶セルを補償層として備えることを特徴
とする反強誘電性液晶光学素子。 - 【請求項３】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 フェリ誘電性液晶材料が狭持されたフェリ誘電性液晶セ
ルを補償層として備えることを特徴とする反強誘電性液
晶光学素子。 - 【請求項４】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 強誘電性高分子液晶材料が狭持された強誘電性高分子液
晶セルを補償層として備えることを特徴とする反強誘電
性液晶光学素子。 - 【請求項５】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 強誘電性高分子液晶材料が狭持されたフィルム状の強誘
電性高分子液晶セルを補償層として備えることを特徴と
する反強誘電性液晶光学素子。 - 【請求項６】 透明電極と配向膜とをそれぞれに有する
一対の透明基板間に反強誘電性液晶材料が狭持された反
強誘電性液晶セルと、 光軸が変化する補償層とを偏光方向が直交するように配
置した２枚の偏光板の間に備え、 ネマティック液晶材料が狭持され、面内でスイッチング
するネマティック液晶セルを補償層として備えることを
特徴とする反強誘電性液晶光学素子。 - 【請求項７】 補償層の光軸は、反強誘電性液晶セルの
バイアス電圧印加による光学軸の傾き角θｏと逆極性で
の傾き角−θｏに直交するように変化することを特徴と
する請求項１から６のうちのいずれか１項に記載の反強
誘電性液晶光学素子。 - 【請求項８】 補償層の光軸は、反強誘電性液晶セルの
シキイ値より高い電圧を印加した暗状態での傾き角θｄ
と逆極性での傾き角−θｄに直交するように変化するこ
とを特徴とする請求項１から６のうちのいずれか１項に
記載の反強誘電性液晶光学素子。 - 【請求項９】 反強誘電性液晶セルの光学軸と、補償層
の光学軸を直交させることによって、暗状態を得ること
を特徴とする請求項１から６のうちのいずれか１項に記
載の反強誘電性液晶光学素子。 - 【請求項１０】 ある期間ごとに反強誘電性液晶に印加
する電圧の極性を交換することを特徴とする請求項１か
ら６のうちのいずれか１項に記載の反強誘電性液晶光学
素子。 - 【請求項１１】 請求項１から６のうちのいずれか１項
に記載の反強誘電性液晶光学素子の駆動方法であって、 補償層の光軸が、反強誘電性液晶セルのバイアス電圧印
加による光学軸の傾き角θｏと逆極性での傾き角−θｏ
に直交するように変化することを特徴とする反強誘電性
液晶光学素子の駆動方法。 - 【請求項１２】 請求項１から６のうちのいずれか１項
に記載の反強誘電性液晶光学素子の駆動方法であって、 補償層の光軸が、反強誘電性液晶セルのシキイ値より高
い電圧を印加した暗状態での傾き角θｄと逆極性での傾
き角−θｄに直交するように変化することを特徴とする
反強誘電性液晶光学素子の駆動方法。 - 【請求項１３】 請求項１から６のうちのいずれか１項
に記載の反強誘電性液晶光学素子の駆動方法であって、 反強誘電性液晶セルの光学軸と、補償層の光学軸を直交
させることによって、暗状態を得ることを特徴とする反
強誘電性液晶光学素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805498A JP3166726B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 反強誘電性液晶光学素子及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805498A JP3166726B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 反強誘電性液晶光学素子及びその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000089256A JP2000089256A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3166726B2 true JP3166726B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=17314906
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25805498A Expired - Lifetime JP3166726B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 反強誘電性液晶光学素子及びその駆動方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166726B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602806B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film |
| US6635575B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus to enhance properties of Si-O-C low K films |
| KR102123006B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-15 | 한국생산기술연구원 | Led 마스크의 led 배치 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100862076B1 (ko) | 2002-12-24 | 2008-10-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 가변 시야각을 갖는 액정 표시 장치 |
| CN109031765A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-18 | 北京航空航天大学 | 一种基于双层向列相液晶的光开关 |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP25805498A patent/JP3166726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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