JP3161831B2 - Circuit element module - Google Patents

Circuit element module

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に素子を搭載し
た回路素子モジュールに係り、特に、高周波素子を搭載
した回路素子モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit element module having elements mounted on a substrate, and more particularly to a circuit element module having high frequency elements mounted thereon.

【０００２】[0002]

【従来の技術】携帯無線端末等に用いられる回路素子モ
ジュールは、表面弾性波素子、インピーダンス整合回
路、遅延線、低雑音増幅器などの構成要素を含む機能ユ
ニット、例えば、弾性表面波フィルタ等の機能ユニット
を、基板に搭載して構成される。これらの構成要素、特
に、表面弾性波素子は、気密封止、電磁波シールドが必
要となる。2. Description of the Related Art A circuit element module used in a portable radio terminal or the like is a functional unit including components such as a surface acoustic wave element, an impedance matching circuit, a delay line, and a low noise amplifier, for example, a function such as a surface acoustic wave filter. The unit is configured by being mounted on a substrate. These components, particularly the surface acoustic wave element, require hermetic sealing and electromagnetic wave shielding.

【０００３】従来の表面弾性波フィルタにおいて、電磁
波シールド機能を損なうことなく安価に気密封止する技
術としては、例えば、特開平２−２８３１１２号公報に
記載されるものがある。すなわち、この技術は、セラミ
クスからなる単層基板に表面弾性波素子を載置し、接地
端子を除く、外部接続用電極パターンの金属キャップ封
止部を絶縁膜で覆い、さらに、無機導体膜を形成し、こ
れに金属キャップをはんだ付けして、表面弾性波フィル
タを構成するものである。また、特開平２−１７７６０
９号公報には、リードフレーム付きエンジニアリングプ
ラスチックケースの空洞部に表面弾性波素子を載置し、
外部接続用電極リードの周辺を除く、ケースの略全体を
めっきなどの金属膜で覆う構成の表面弾性波フィルタが
開示されている。As a technique for hermetically sealing a conventional surface acoustic wave filter at low cost without impairing the electromagnetic wave shielding function, there is, for example, a technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-283112. In other words, in this technique, a surface acoustic wave device is mounted on a single-layer substrate made of ceramics, and a metal cap sealing portion of an external connection electrode pattern, excluding a ground terminal, is covered with an insulating film. The surface acoustic wave filter is formed and a metal cap is soldered thereto. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-17660
In JP-A-9, a surface acoustic wave device is placed in a cavity of an engineering plastic case with a lead frame,
There is disclosed a surface acoustic wave filter configured to cover substantially the entire case except for the periphery of an external connection electrode lead with a metal film such as plating.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の表面弾性波フィルタは、表面弾性波素子単体の
パッケージについての低価格化技術であり、インピーダ
ンス整合回路などの周辺回路を含む機能ユニットとして
は、言及されていない。特に、携帯無線端末等の小形軽
量実装を実現するには、表面弾性波素子を中心とする機
能ユニットの小形化および低価格化が課題であり、気密
封止と電磁波シールド機能を損なうことなくこれを解決
しなければならない。However, the above-described conventional surface acoustic wave filter is a technology for reducing the cost of a package of a single surface acoustic wave element, and is not suitable as a functional unit including a peripheral circuit such as an impedance matching circuit. , Not mentioned. In particular, in order to realize compact and lightweight mounting of portable wireless terminals, etc., it is important to reduce the size and cost of functional units, mainly surface acoustic wave devices, without impairing the hermetic sealing and electromagnetic wave shielding functions. Must be solved.

【０００５】ところで、この種の回路素子モジュールに
おけるコスト低減の障害の一つは、基板にある。すなわ
ち、従来は、基板として、アルミナ、ムライト、ガラス
等の無機材料が用いられている。この無機材料の基板
は、製造に手間がかかると共に、歩留まりが悪い等の問
題があり、コストの低減が困難であった。One of the obstacles to cost reduction in this type of circuit element module is the substrate. That is, conventionally, inorganic materials such as alumina, mullite, and glass have been used as the substrate. The substrate made of the inorganic material requires a lot of trouble in manufacturing and has a problem such as a low yield, and it is difficult to reduce the cost.

【０００６】一方、これに対して、本発明者らは、製造
が容易で、安価に製作できる有機材料の基板を用いるこ
とを考えた。しかし、有機材料の基板は、水を透過しや
すいため、湿度に敏感な表面弾性波素子等の実装には適
していないという問題があることを見出した。On the other hand, the present inventors have considered using an organic material substrate which is easy to manufacture and can be manufactured at low cost. However, it has been found that a substrate made of an organic material has a problem that it is not suitable for mounting a surface acoustic wave device or the like that is sensitive to humidity because the substrate easily transmits water.

【０００７】本発明の目的は、このような問題を解決し
て、表面弾性波素子等を含む機能ユニットを、小形軽量
かつ低価格に実装した回路素子モジュールを提供するこ
とにある。An object of the present invention is to solve the above problem and to provide a circuit element module in which a functional unit including a surface acoustic wave element or the like is mounted in a small, lightweight, and low-cost.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、 第１、第２の主面を有し、第１の
主面が素子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭
載領域に配置された少なくとも１の素子と、この基板の
素子搭載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを
有する回路素子モジュールにおいて、上記基板は、有機
材料で構成され、かつ、その第１の主面に設けられ、少
なくとも上記素子搭載領域を囲む第１の金属膜と、その
第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向する領
域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、さらに、上
記基板は、素子搭載領域に配置されて、素子との接続を
行なうための内部接続電極と、上記キャップには覆われ
ず、かつ、第１の金属膜および第２の金属膜と接触しな
い位置に配置されて、外部との接続を行なうための外部
接続電極と、一端が上記内部接続電極と接続されるビア
と、その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、
一端が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有
し、上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含
み得る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通
する状態で上記第１の金属膜に密着されることを特徴と
する回路素子モジュールが提供される。 According to the present invention, there is provided a substrate having first and second principal surfaces, the first principal surface being an element mounting region, A circuit element module having at least one element disposed in an element mounting area on the main surface of the substrate and a conductive cap that covers at least the element mounting area of the substrate, wherein the substrate is made of an organic material; and A first metal film provided on the first main surface and surrounding at least the element mounting region; and a second metal film provided on the second main surface and covering at least a region facing the element mounting region. A substrate, the substrate is disposed in an element mounting area, and an internal connection electrode for making connection with the element; and the first metal film and a first metal film which are not covered by the cap. Is placed in a position where it does not come into contact with the second metal film An external connection electrode for connecting with the outside, and via which one end is connected to the internal connection electrodes, together with a part thereof connected to said corresponding vias,
One end has a wiring conductor connected to the external connection electrode, and the cap has an opening having a size that can include an element mounting area to be covered inside, and the opening is electrically conductive. Thus, a circuit element module is provided which is in close contact with the first metal film.

【０００９】上記基板は、上記ビアが設けられる第１の
絶縁層と、その下層側に配置されて、上記配線導体が設
けられる第２の絶縁層とを少なくとも有し、これらが積
層されて構成される多層構造とすることができる。ま
た、上記第１の絶縁層の上面が、上記第１の主面であ
り、かつ、第１の金属膜は、上記素子搭載領域にも配置
される構造とすることができる。この場合、上記素子搭
載領域内の第１の金属膜上に、少なくとも１の素子が搭
載される構成とすることができる。[0009] The substrate has at least a first insulating layer provided with the via and a second insulating layer disposed below the first insulating layer and provided with the wiring conductor. It can be a multi-layer structure. Further, the upper surface of the first insulating layer may be the first main surface, and the first metal film may be arranged also in the element mounting region. In this case, at least one element can be mounted on the first metal film in the element mounting area.

【００１０】上記第１の金属膜上に搭載される素子とし
ては、水分に敏感な素子、例えば、弾性表面波素子が挙
げられる。The element mounted on the first metal film includes an element sensitive to moisture, for example, a surface acoustic wave element.

【００１１】また、本発明は、素子として、上記素子搭
載領域に配置される平面コイルをさらに有することがで
きる。上記平面コイルは、平面螺旋構造を有する配線で
構成され、螺旋の中央に、内部接続電極と、ビアとを有
する構造とすることができる。Further, the present invention may further include, as an element, a planar coil disposed in the element mounting area. The planar coil may be configured by a wiring having a planar spiral structure, and may have a structure having an internal connection electrode and a via at the center of the spiral.

【００１２】具体的には、上記平面コイルが複数形成さ
れ、該複数の平面コイルと上記弾性表面波素子とが接続
されて構成される、整合回路内蔵型の弾性表面波フィル
タを機能ユニットとして搭載する回路素子モジュールが
構成できる。More specifically, a surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, which is formed by connecting a plurality of the planar coils and the surface acoustic wave element, is mounted as a functional unit. A circuit element module can be configured.

【００１３】本発明では、上記素子搭載領域は、上記平
面コイルが配置される部分を除いて、上記第１の金属膜
で覆われる構造とすることができる。In the present invention, the element mounting area may be structured to be covered with the first metal film except for a portion where the planar coil is arranged.

【００１４】上記外部接続用電極は、多層基板の側面に
設けられる構成とすることができる。また、上記多層基
板は、その側面の、上記外部接続用電極が配置されてい
る部分以外の領域を覆う第３の金属膜をさらに有する構
造とすることができる。The external connection electrode may be provided on a side surface of the multilayer substrate. Further, the multilayer substrate may have a structure further including a third metal film covering a region other than a portion where the external connection electrode is disposed on a side surface thereof.

【００１５】さらに、本発明では、上記素子搭載領域
の、金属膜で覆われない部分を覆う防水性樹脂をさらに
有する構造とすることができる。Further, according to the present invention, it is possible to provide a structure having a waterproof resin which covers a portion of the element mounting area which is not covered with the metal film.

【００１６】本発明で用いられる基板を構成する有機材
料としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン
（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ポリテトラフル
オロエチレン等が挙げられる。The organic material constituting the substrate used in the present invention includes, for example, glass epoxy resin, BT resin (bismaleimide / triazine resin), polytetrafluoroethylene and the like.

【００１７】さらに、本発明では、コイル、容量および
抵抗を、多層基板に内蔵させることができる。Further, according to the present invention, the coil, the capacitance, and the resistance can be built in the multilayer substrate.

【００１８】本発明で用いられる基板は、母基板から切
断されて形成され、基板の側面に、基板の厚さ方向に延
びる溝状の電極部を有する。この回路素子モジュール用
基板は、例えば、上記基板を複数個取りできる母基板
に、各基板の上記電極部となる位置に、貫通孔を設け、
次に、母基板を切断して、複数個の上記基板に分離し、
さらに、各基板について、該基板の側面と、上記電極部
とを、それらの境界部を除いて、金属膜を成膜すること
により製造することができる。The substrate used in the present invention is formed by cutting the mother substrate, and has a groove-like electrode portion extending in the thickness direction of the substrate on a side surface of the substrate. This circuit element module substrate, for example, on a mother substrate from which a plurality of the substrates can be taken, through-holes are provided at positions to be the electrode portions of each substrate,
Next, the mother substrate is cut and separated into a plurality of the above substrates,
Further, with respect to each substrate, the side surface of the substrate and the above-mentioned electrode portion can be manufactured by forming a metal film except for their boundary portions.

【００１９】[0019]

【作用】本発明において用いられる基板は、第１、第２
の主面を有し、第１の主面が素子搭載領域となるもので
ある。そして、この基板は、有機材料で構成される。有
機材料は、安価であり、成型が容易であるので、後述す
る実施例で示すように、多層基板とする場合に、セラミ
ック基板より容易に製作できる。従って、安価に製造す
ることができる。The substrate used in the present invention comprises first and second substrates.
, And the first main surface is an element mounting area. The substrate is made of an organic material. Since an organic material is inexpensive and easy to mold, it can be manufactured more easily than a ceramic substrate when a multi-layer substrate is used, as will be described in an embodiment described later. Therefore, it can be manufactured at low cost.

【００２０】基板の第１の主面には、素子を搭載するた
めの素子搭載領域が設定される。この素子搭載領域は、
キャップで覆われて、外部と遮断される。このキャップ
により、水分の直接的侵入を防ぐと共に、電磁シールド
が行なわれる。An element mounting area for mounting an element is set on the first main surface of the substrate. This element mounting area is
It is covered with a cap and is isolated from the outside. This cap prevents direct entry of moisture and provides electromagnetic shielding.

【００２１】また、本発明では、基板の第１の主面に設
けられる第１の金属膜は、基板上面での、水分の透過面
積を減少させると共に、電磁シールドにも効果がある。
従って、可能な限り、広い面積でも受けられることが好
ましい。ただし、この第１の金属膜は、少なくとも素子
搭載領域を囲むように設けられるので、素子の搭載に
は、支障とはならない。Further, according to the present invention, the first metal film provided on the first main surface of the substrate has an effect of reducing the water transmission area on the upper surface of the substrate and also has an effect on electromagnetic shielding.
Therefore, it is preferable that the receiving area be as large as possible. However, since the first metal film is provided so as to surround at least the element mounting area, it does not hinder the mounting of the element.

【００２２】さらに、基板の第２の主面に設けられる第
２の金属膜は、基板の底面側からの水分の侵入を防ぐと
共に、電磁シールドにも効果がある。この第２の金属膜
は、上記素子搭載領域に対向する領域を少なくとも覆う
第２の金属膜とを有し、さらに、上記基板は、素子との
接続を行なうための内部接続電極を素子搭載領域に配置
し、外部との接続を行なうための外部接続電極を、上記
キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および第２
の金属膜と接触しない位置に配置している。そして、こ
れらを、ビアと、配線導体とで接続している。これによ
り、素子搭載領域に配置される素子と外部とを接続する
際に、基板の上面に配線を設けることがないので、基板
上面を、第１の金属膜にキャップが密着する状態で覆う
ことができる。従って、水分の侵入の防止と、電磁シー
ルドの効果を向上させることができる。Further, the second metal film provided on the second main surface of the substrate prevents moisture from intruding from the bottom surface side of the substrate and is also effective for electromagnetic shielding. The second metal film has a second metal film covering at least a region facing the element mounting region, and the substrate further includes an internal connection electrode for connecting to the element. And an external connection electrode for making a connection with the outside is not covered with the cap, and is connected to the first metal film and the second metal film.
Are arranged so as not to contact the metal film. These are connected by vias and wiring conductors. Accordingly, when connecting the element disposed in the element mounting area to the outside, no wiring is provided on the upper surface of the substrate, so that the upper surface of the substrate is covered with the cap in close contact with the first metal film. Can be. Therefore, it is possible to prevent the intrusion of moisture and to improve the effect of the electromagnetic shield.

【００２３】また、弾性表面波素子を含む回路素子モジ
ュールの場合、弾性表面波素子の直近にコイル等の素子
を接続したいという要望がある。ところが、セラミック
基板の場合、その表面が粗いため、コイル等を薄膜技術
で形成した場合、表面の凹凸のため、抵抗分が大きくな
り、目的の特性のものが得にくいという問題があった。
本発明では、有機材料を用いることにより、基板の表面
を滑らかに形成することができるので、コイル等を形成
する際に、精度よく形成することができる。Further, in the case of a circuit element module including a surface acoustic wave element, there is a demand to connect an element such as a coil immediately near the surface acoustic wave element. However, in the case of a ceramic substrate, since the surface is rough, when a coil or the like is formed by a thin film technique, there is a problem that the resistance is increased due to the unevenness of the surface, and it is difficult to obtain a target characteristic.
In the present invention, since the surface of the substrate can be formed smoothly by using an organic material, it is possible to form the coil and the like with high accuracy.

【００２４】なお、本発明のその他の作用を列挙すれ
ば、次のとおりである。 （１）基板を多層構造とすることにより、モジュールの
多機能化が可能となる。The other actions of the present invention are as follows. (1) The multi-layer structure of the module enables the module to have multiple functions.

【００２５】（２）金属膜を接地層とすることにより、
電磁シールド作用が有効に行なえると共に、信号配線を
ストリップライン構成にでき、高周波信号波形の歪を低
減できるし、これを遅延線として使用する場合、マイク
ロストリップラインのように実効誘電率の低下はなく線
路長が短くなりモジュールサイズの小形化に寄与する。(2) By using the metal film as a ground layer,
The electromagnetic shielding function can be effectively performed, the signal wiring can be configured as a strip line, the distortion of the high-frequency signal waveform can be reduced, and when this is used as a delay line, the decrease in the effective dielectric constant like a microstrip line does not occur. And the line length is shortened, contributing to downsizing of the module size.

【００２６】（３）コイル、容量、抵抗の基板内蔵化は
モジュールサイズの小形化に寄与する。（４）弾性表面
波素子の直近にインピーダンス整合用コイルを配置する
ことで、弾性表面波フィルタの通過損失を低減できる。(3) The incorporation of coils, capacitors, and resistors in the substrate contributes to downsizing of the module size. (4) By disposing the impedance matching coil in the immediate vicinity of the surface acoustic wave element, the transmission loss of the surface acoustic wave filter can be reduced.

【００２７】（５）基板側面のほとんどを金属膜で覆う
ことにより、有機材料を基板に用いたときの気密性およ
び電磁波シールド性が向上できる。(5) By covering most of the side surfaces of the substrate with the metal film, the airtightness and the electromagnetic wave shielding property when an organic material is used for the substrate can be improved.

【００２８】（６）基板最上層と中間層に平面螺旋配線
をパターニングし、螺旋配線中央にて電気接続してコイ
ルを形成することにより、コイルの巻数を増加させ、小
さなコイル占有面積で大きなインダクタンスを得ること
ができる。また、基板最上層と中間層間の絶縁層厚さを
薄くすることで、両層に形成したコイルの結合係数が高
くでき、結果的に小さなコイル占有面積で大きなインダ
クタンスを得ることができる。このことは、同じインダ
クタンスを得るのにコイルの配線長を短くでき、コイル
の抵抗を低く押さえることができＱ値を高くすることが
可能となる。さらに、中間層と接地層間の絶縁層厚さを
厚くすれば、接地層とコイルの接近によるインダクタン
スおよびＱ値の低下を少なくすることができる。(6) Planar spiral wiring is patterned on the uppermost layer and the intermediate layer of the substrate, and electrically connected at the center of the spiral wiring to form a coil, thereby increasing the number of turns of the coil and increasing the inductance with a small coil occupying area. Can be obtained. Also, by reducing the thickness of the insulating layer between the uppermost layer of the substrate and the intermediate layer, the coupling coefficient of the coils formed in both layers can be increased, and as a result, a large inductance can be obtained with a small coil occupation area. This means that the wiring length of the coil can be shortened to obtain the same inductance, the resistance of the coil can be suppressed low, and the Q value can be increased. Furthermore, if the thickness of the insulating layer between the intermediate layer and the ground layer is increased, the decrease in inductance and Q value due to the proximity of the coil to the ground layer can be reduced.

【００２９】（７）ストリップライン構成がとれる中間
層に遅延線を内蔵することにより、上記した作用により
分波器モジュールを小形にできる。(7) By incorporating the delay line in the intermediate layer having a strip line configuration, the duplexer module can be downsized by the above operation.

【００３０】（８）分波器モジュール、低雑音増幅器お
よび整合回路内蔵弾性表面波フィルタを一体化すること
により、個々にパッケージするよりも小形かつ安価なフ
ロントエンドモジュールが得られる。(8) By integrating the duplexer module, the low-noise amplifier, and the surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, a front-end module smaller and less expensive than individually packaged can be obtained.

【００３１】（９）基板側面のめっきを、貫通孔のめっ
き工程と同時に行うことにより安価に回路素子モジュー
ルが生産できる。(9) The circuit element module can be produced at low cost by plating the side surface of the substrate simultaneously with the plating step of the through hole.

【００３２】（１０）金属膜で覆われていない基板端面
を防水性の樹脂で覆うことにより、回路素子モジュール
の耐水性が向上できる。(10) By covering the end face of the substrate not covered with the metal film with a waterproof resin, the water resistance of the circuit element module can be improved.

【００３３】[0033]

【実施例】以下、本発明の回路素子モジュールの実施例
について、図面を参照して説明する。なお、本発明の回
路素子モジュールは、特に、周波数に拘束されるもので
はないが、以下の実施例では、高周波モジュールを例と
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the circuit element module according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The circuit element module of the present invention is not particularly limited by frequency, but in the following embodiments, a high-frequency module is used as an example.

【００３４】図１は、本発明の実施例を示す高周波モジ
ュールの構造を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing the structure of a high-frequency module according to an embodiment of the present invention.

【００３５】本実施例の高周波モジュールは、基本的
に、多層基板１０と、これに載置された高周波素子３０
と、多層基板１０の上面を気密封止する導電性のキャッ
プ４０とを備えて構成される。The high-frequency module according to the present embodiment basically includes a multilayer substrate 10 and a high-frequency element 30 mounted on the multilayer substrate 10.
And a conductive cap 40 for hermetically sealing the upper surface of the multilayer substrate 10.

【００３６】多層基板１０は、第１の主面（図面上方
側）と、第２の主面（図面下方側）とを有し、第１の主
面が素子搭載領域ＤＡとなる。素子搭載領域ＤＡには、
少なくとも１の素子として、高周波素子３０と、その他
のチップ部品１４とが搭載されている。また、平面コイ
ル１１が、素子搭載領域ＤＡに設けられている。The multilayer substrate 10 has a first main surface (upper side in the drawing) and a second main surface (lower side in the drawing), and the first main surface is an element mounting area DA. In the element mounting area DA,
As at least one element, a high-frequency element 30 and other chip components 14 are mounted. Further, the planar coil 11 is provided in the element mounting area DA.

【００３７】上記多層基板１０は、ガラスエポキシ、Ｂ
Ｔレジン（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ポリテ
トラフルオロエチレン（テフロン：デュポン社商品名）
などの有機材料で構成される。これらの有機材料は、い
ずれも、従来の無機材料を用いる場合に比べて、安価に
製造することができる。また、高周波素子３０として、
弾性表面波素子（ＳＡＷ）を用いる場合、基板と高周波
素子の熱膨張率が近いことが好ましい。これらの材料
と、従来用いられている無機材料の熱膨張率を、表１に
示す。The multilayer substrate 10 is made of glass epoxy, B
T resin (bismaleimide / triazine resin), polytetrafluoroethylene (Teflon: trade name of DuPont)
And other organic materials. All of these organic materials can be manufactured at a lower cost than in the case where a conventional inorganic material is used. Further, as the high-frequency element 30,
When a surface acoustic wave device (SAW) is used, it is preferable that the substrate and the high-frequency device have close thermal expansion coefficients. Table 1 shows the thermal expansion coefficients of these materials and conventionally used inorganic materials.

【００３８】[0038]

【表１】 [Table 1]

【００３９】表１に示すように、有機材料は、いずれも
ＳＡＷの熱膨張率と近い値となっている。これに対し
て、無機材料は、熱膨張率がＳＡＷと１桁異なるため、
温度変化によって、ＳＡＷに応力が生じて、歪がはいる
危険がある。本実施例では、熱膨張率が近いので、この
危険がない。As shown in Table 1, all of the organic materials have values close to the coefficient of thermal expansion of SAW. On the other hand, since the thermal expansion coefficient of the inorganic material is different by one digit from that of SAW,
Due to the temperature change, there is a danger that the SAW will be stressed and strained. In this embodiment, there is no danger because the coefficients of thermal expansion are close.

【００４０】この多層基板１０は、それぞれ上記した有
機材料で形成される、第１の絶縁層１０ａと、その下層
側に配置される第２の絶縁層１０ｂとを有し、これらが
積層されて構成される。第１の絶縁層１０ａの上面（第
２の絶縁層と接触しない面）側が、上記第１の主面を構
成する。また、第２の絶縁層１０ｂの下面（第１の絶縁
層と接触しない面）側が、上記第２の主面を構成する。The multi-layer substrate 10 has a first insulating layer 10a, each of which is formed of the above-described organic material, and a second insulating layer 10b disposed below the first insulating layer 10a. Be composed. The upper surface (the surface not in contact with the second insulating layer) of the first insulating layer 10a constitutes the first main surface. The lower surface (the surface not in contact with the first insulating layer) of the second insulating layer 10b constitutes the second main surface.

【００４１】上記多層基板１０の第１の主面には、上記
素子搭載領域ＤＡを囲む第１の金属膜２１ａが設けられ
ている。また、上記多層基板１０の第２の主面には、上
記素子搭載領域ＤＡに対向する領域を少なくとも覆う第
２の金属膜２が設けられている。本実施例では、多層基
板１０の第２の主面の周辺部を除く大部分の領域に、第
２の金属膜２０が設けられている。The first main surface of the multilayer substrate 10 is provided with a first metal film 21a surrounding the element mounting area DA. A second metal film 2 is provided on the second main surface of the multilayer substrate 10 so as to cover at least a region facing the element mounting region DA. In the present embodiment, the second metal film 20 is provided in most of the region other than the peripheral portion of the second main surface of the multilayer substrate 10.

【００４２】さらに、素子搭載領域ＤＡ内に、第１の金
属膜２１ｂが設けられている。上記第１の金属膜２１ａ
は、素子搭載領域の外側に位置し、第１の金属膜２１ｂ
は、素子搭載領域の内側に位置する。両者は、配置され
る位置が相違するにすぎず、実質的には同じものであ
る。従って、両者は、接続されていてもよい。例えば、
一体の膜として、同時に形成されることができる。Further, a first metal film 21b is provided in the element mounting area DA. The first metal film 21a
Are located outside the element mounting region and are the first metal films 21b.
Are located inside the element mounting area. Both differ only in the position where they are arranged, and are substantially the same. Therefore, both may be connected. For example,
It can be formed simultaneously as an integral film.

【００４３】また、本実施例では図示していないが、例
えば、図３（ｂ）に示すように、多層基板１０の側面
に、第３の金属膜２３が設けられている。この第３の金
属膜２３は、上記した第１の金属膜２１ａおよび第２の
金属膜２０と接続されている。これにより、本実施例の
高周波モジュールは、多層基板１０のほぼ全面が金属膜
で覆われることとなり、電磁シールドおよび耐湿性が向
上する。なお、この第３の金属膜２３は、後述する外部
接続電極２２ｂとは接触しないように、境界を介して設
けられる。Although not shown in the present embodiment, for example, as shown in FIG. 3B, a third metal film 23 is provided on the side surface of the multilayer substrate 10. The third metal film 23 is connected to the first metal film 21a and the second metal film 20 described above. Thus, in the high-frequency module of the present embodiment, almost the entire surface of the multilayer substrate 10 is covered with the metal film, and the electromagnetic shield and the moisture resistance are improved. Note that the third metal film 23 is provided through a boundary so as not to contact an external connection electrode 22b described later.

【００４４】これらの第１、第２および第３の金属膜
は、接地導体として機能する構成とすることができる。
さらに、これらは、可能な限り、多層基板１０の表面を
覆うように、面積を大きく形成することが好ましい。こ
れにより、水の透過をより効果的に防ぐことができる。The first, second, and third metal films can be configured to function as ground conductors.
Further, it is preferable that these have a large area so as to cover the surface of the multilayer substrate 10 as much as possible. Thereby, permeation of water can be more effectively prevented.

【００４５】これらの金属膜および平面コイル１１は、
例えば、銅、ニッケル、クロム等のめっき膜を、パター
ニングして構成することができる。また、これらの膜の
上に、さらに金をめっきしてもよい。これらの金属膜お
よび平面コイル１１は、後述する他の実施例のように、
絶縁層１０ａ、１０ｂの上面部に埋め込まれる構成とし
てもよい。これは、絶縁層１０ａ，１０ｂの上面をドラ
イエッチング等の方向で目的のパターンの凹部を設け、
この部分に、銅等の金属をめっき等によって充填するこ
とにより形成することができる。また、これらの金属の
パターンを設けた絶縁シートを用意し、これに樹脂を塗
布して、これらの金属パターンを絶縁層の上面に埋め込
むことによって、構成することができる。The metal film and the planar coil 11 are
For example, a plating film of copper, nickel, chromium, or the like can be formed by patterning. Further, gold may be further plated on these films. These metal films and the planar coil 11 are, as in other embodiments described later,
It may be configured to be embedded in the upper surfaces of the insulating layers 10a and 10b. This means that the upper surfaces of the insulating layers 10a and 10b are provided with concave portions of a desired pattern in a direction such as dry etching.
This portion can be formed by filling a metal such as copper by plating or the like. Alternatively, an insulating sheet provided with these metal patterns is prepared, a resin is applied to the insulating sheet, and these metal patterns are embedded in the upper surface of the insulating layer.

【００４６】また、上記多層基板１０には、素子搭載領
域ＤＡに配置されて、素子との接続を行なうためのの内
部接続電極２２ａと、上記キャップ４０には覆われず、
かつ、第１の金属膜２１ａ，２１ｂおよび第２の金属膜
２０と接触しない位置に配置されて、外部との接続を行
なうための外部接続電極２２ｂとが設けられる。内部接
続電極２２ａは、搭載される素子の接続のため、少なく
とも２つが設けられる。実際には、上述したように、素
子は、上記高周波素子３０のほか、他の素子も存在する
ので、２以上となる。この内部接続電極２２ａは、例え
ば、金属膜で構成されるほか、後述するビア２５の端面
を内部接続電極２２ａとしてもよい。外部接続電極２２
ｂも、同様に少なくとも２つが設けられる。この外部接
続電極２２ｂは、多層基板１０の側面に設けられる。The multilayer substrate 10 has an internal connection electrode 22a arranged in the element mounting area DA for connection with the element, and is not covered with the cap 40.
Further, an external connection electrode 22b is provided at a position not in contact with the first metal films 21a and 21b and the second metal film 20, and is connected to the outside. At least two internal connection electrodes 22a are provided for connection of mounted elements. Actually, as described above, the number of elements is two or more because other elements exist in addition to the high-frequency element 30. The internal connection electrode 22a may be formed of, for example, a metal film, or may have an end surface of a via 25 described later as the internal connection electrode 22a. External connection electrode 22
Similarly, at least two b are provided. The external connection electrode 22b is provided on a side surface of the multilayer substrate 10.

【００４７】さらに、多層基板１０には、ビア２５が設
けられる。このビア２５は、上述した第１、第２の絶縁
層１０ａ，１０ｂに設けられる。このビア２５のうち、
少なくとも２は、第１の絶縁層１０ａのみに設けられ、
その一端が、上記した内部接続電極２２ａと接続され
る。本実施例では、いずれも、その一端上に、内部接続
電極２２ａが形成されている。なお、ビア２５の端部自
体を内部接続電極２２ａとしてもよい。Further, vias 25 are provided in the multilayer substrate 10. The via 25 is provided in the above-described first and second insulating layers 10a and 10b. Of these vias 25,
At least 2 is provided only on the first insulating layer 10a,
One end is connected to the internal connection electrode 22a described above. In each of the embodiments, the internal connection electrode 22a is formed on one end. The end of the via 25 itself may be used as the internal connection electrode 22a.

【００４８】また、ビア２５の他のものは、第１、第２
の絶縁層１０ａ，１０ｂを通過している。これらのビア
２５のうち一部は、一端が上記第１の金属膜２１ａに、
他端が第２の金属膜２０にそれぞれ接続される。また、
他のビア２５は、一端が上記第１の金属膜２１ｂに、他
端が第２の金属膜２０にそれぞれ接続される。これによ
って、多層基板１０の両面に設けられる第１、第２およ
び第３の金属膜２２ａ，２０，２２ｂが等電位面を構成
し、接地導体として用いることができる。The other components of the via 25 include the first and second vias.
Pass through the insulating layers 10a and 10b. One of these vias 25 has one end in the first metal film 21a,
The other ends are respectively connected to the second metal films 20. Also,
The other via 25 has one end connected to the first metal film 21 b and the other end connected to the second metal film 20. Thus, the first, second, and third metal films 22a, 20, and 22b provided on both surfaces of the multilayer substrate 10 form equipotential surfaces and can be used as ground conductors.

【００４９】また、上記第２の絶縁層の上面（第１の絶
縁層との界面）側には、配線導体２４が設けられる。こ
の配線導体２４のうち、少なくとも２つは、一端が、上
記外部接続電極２２ｂと接続される。また、この配線導
体２４の他の部分には、上記内部接続電極２２ａと接続
されているビア２５の他端が接続される。これによっ
て、内部接続電極２２ａと外部接続電極２２ｂとが接続
されることになる。本実施例では、電極接続用の配線導
体２４のみが示されているが、この他に、内部で、素子
間の接続に用いられ、それぞれ対応するビア２５と接続
される配線導体２４も存在することができる。A wiring conductor 24 is provided on the upper surface (interface with the first insulating layer) of the second insulating layer. One end of at least two of the wiring conductors 24 is connected to the external connection electrode 22b. The other end of the via 25 connected to the internal connection electrode 22a is connected to another portion of the wiring conductor 24. Thereby, the internal connection electrode 22a and the external connection electrode 22b are connected. In the present embodiment, only the wiring conductors 24 for electrode connection are shown, but there are also wiring conductors 24 used internally for connection between elements and connected to the corresponding vias 25. be able to.

【００５０】本実施例では、配線導体２４は、その上下
に、接地層となる金属膜２１ａ，２１ｂ，２０とがあ
り、これらに挟まれるように配置される。従って、配線
導体２４は、ストリップラインを構成する。このため、
高周波信号波形の歪を極力低減できると共に、これを遅
延線として使用する場合、マイクロストリップラインの
ように実効誘電率の低下はなく、線路長が短くなり、モ
ジュールサイズの小形化が可能となる。また、本実施例
では、水分に敏感な高周波素子３０を、第１の金属膜２
１ｂの上に搭載している。これにより、高周波素子３０
に、基板１０側から水分が直接浸入することを防ぐこと
ができる。In this embodiment, the wiring conductor 24 has metal films 21a, 21b, and 20 serving as ground layers above and below the wiring conductor 24, and is arranged so as to be sandwiched between them. Therefore, the wiring conductor 24 forms a strip line. For this reason,
The distortion of the high-frequency signal waveform can be reduced as much as possible, and when this is used as a delay line, the effective dielectric constant does not decrease as in a microstrip line, the line length is shortened, and the module size can be reduced. In this embodiment, the high-frequency element 30 sensitive to moisture is replaced with the first metal film 2.
1b. Thereby, the high-frequency element 30
In addition, it is possible to prevent moisture from directly entering from the substrate 10 side.

【００５１】キャップ４０は、例えば、後述する図３に
示すように、トレー状の形態で、開口部４０ａを有す
る。このキャップ４０は、その上記多層基板１０の素子
搭載領域の外側で、該基板１０の上面の第１の金属膜２
１ａに、その開口部４０ａを密着させる。密着は、例え
ば、はんだ４１により行なう。The cap 40 has an opening 40a in the form of a tray, for example, as shown in FIG. The cap 40 is provided on the first metal film 2 on the upper surface of the multilayer substrate 10 outside the element mounting region.
The opening 40a is brought into close contact with 1a. The adhesion is performed by, for example, the solder 41.

【００５２】このような構成によれば、高周波素子３０
が搭載される空間が、キャップ４０と、多層基板１０の
第１，第２および第３の金属膜２１ａ，２１ｂ，２０，
２３とによって、電磁シールドさると共に、気密封止さ
れる。なお、多層基板１０の絶縁材料として、有機材料
は、多少とも透湿性がある。しかし、本実施例では、第
１，第２および第３の金属膜によって、多層基板１０が
覆われるので、例えば、図１に示すように、水分の侵入
経路１００ができるだけ長くとれる。従って、耐湿性
が、それだけ向上する。According to such a configuration, the high-frequency element 30
Is mounted on the cap 40 and the first, second, and third metal films 21a, 21b, 20,
23 provides an airtight seal as well as an electromagnetic shield. Note that, as an insulating material of the multilayer substrate 10, an organic material has a certain degree of moisture permeability. However, in the present embodiment, since the multilayer substrate 10 is covered with the first, second, and third metal films, for example, as shown in FIG. Therefore, the moisture resistance is improved accordingly.

【００５３】また、有機材料であるため、絶縁層の表面
が滑らかに形成することができる。従って、絶縁層の上
部にコイル等を形成する場合に、基板面の凹凸が少ない
ため、凹凸によって生じる特性の誤差を小さくできて、
目的の性能ものを歩留まりよく形成することができる。Further, since it is an organic material, the surface of the insulating layer can be formed smoothly. Therefore, when a coil or the like is formed above the insulating layer, the unevenness of the substrate surface is small, so that an error in characteristics caused by the unevenness can be reduced.
The desired performance can be formed with good yield.

【００５４】次に、本発明の第２の実施例について、図
２を参照して説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【００５５】図２に示す第２の実施例は、多層基板１０
が、第１の絶縁層１０ａと、第２の絶縁層１０ｂと、そ
の間に設けられた第３の絶縁層とを有する３層構造であ
ること、および、多くの回路素子を備えて構成されるこ
とに特徴があり、他の構成は、上記第１の実施例と同様
である。ここでは、相違点を中心として説明する。The second embodiment shown in FIG.
Has a three-layer structure including a first insulating layer 10a, a second insulating layer 10b, and a third insulating layer provided therebetween, and includes many circuit elements. The other features are the same as those of the first embodiment. Here, the description will focus on the differences.

【００５６】第３の絶縁層１０ｃは、上述した第１，第
２の絶縁層１０ａ，１０ｂと同じ有機材料で形成され
る。そして、その内部に、複数個のビア２５と、配線導
体２４と、抵抗素子１３とが設けられている。また、第
３の絶縁層１０ｃには、平面コイル１１が設けられてい
る。この平面コイル１１は、ビア２５を介して、第１の
絶縁層１０ａ上に設けられた平面コイル１１と接続され
ている。また、本実施例では、この第３の絶縁層１０ｃ
に設けられた配線導体２４の一部と、第２の絶縁層１０
ｂに設けられた配線導体２４の一部とが、それぞれ外部
接続電極２２ｂに接続されている。また、第３の絶縁層
の上面と第１の絶縁層１０ａの対応する上面とには、そ
れぞれ対向する電極１２ａ，１２ｂが配置され、それら
の間に絶縁層１０ａを挟んでコンデンサ１２を形成して
いる。本実施例も、上記した第１の実施例と同様の効果
を有するものである。The third insulating layer 10c is formed of the same organic material as the first and second insulating layers 10a and 10b. In addition, a plurality of vias 25, wiring conductors 24, and resistance elements 13 are provided therein. The planar coil 11 is provided on the third insulating layer 10c. The planar coil 11 is connected via a via 25 to the planar coil 11 provided on the first insulating layer 10a. In the present embodiment, the third insulating layer 10c
Of the wiring conductor 24 provided on the second insulating layer 10
b and a part of the wiring conductor 24 are connected to the external connection electrode 22b. Opposite electrodes 12a and 12b are arranged on the upper surface of the third insulating layer and the corresponding upper surface of the first insulating layer 10a, respectively, and the capacitor 12 is formed with the insulating layer 10a interposed therebetween. ing. This embodiment also has the same effect as the first embodiment.

【００５７】次に、本発明の第３の実施例について、図
３を参照して説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【００５８】本実施例は、弾性表面波素子を備えた整合
回路内蔵弾性表面波フィルタを機能ユニットとして有す
る高周波モジュールの例である。図３（ａ）に、弾性表
面波フィルタの回路例を示す。すなわち、本実施例は、
弾性表面波素子ＳＡＷおよびインピーダンス整合用のコ
イルＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４から構成されている。弾性
表面波フィルタは、その通過損失を低減するためには、
できるだけ弾性表面波素子ＳＡＷの直近でインピーダン
ス整合をとるのが望ましい。本実施例では、インピーダ
ンス整合用のコイルＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を、多層基
板１０上に、平面螺旋配線をパターニング形成すること
で、実装することで実現している。This embodiment is an example of a high-frequency module having, as a functional unit, a surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit having a surface acoustic wave element. FIG. 3A shows a circuit example of a surface acoustic wave filter. That is, in this embodiment,
It is composed of a surface acoustic wave element SAW and coils L1, L2, L3, L4 for impedance matching. In order to reduce the passing loss of the surface acoustic wave filter,
It is desirable to perform impedance matching as close as possible to the surface acoustic wave element SAW. In the present embodiment, the impedance matching coils L1, L2, L3, L4 are implemented by patterning and forming planar spiral wiring on the multilayer substrate 10.

【００５９】本実施例の具体的実装構造を、図３（ｂ）
および（ｃ）に示す。本実施例は、弾性表面波素子等を
実装した多層基板１０と、キャップ４０とを有する。FIG. 3B shows a specific mounting structure of this embodiment.
And (c). This embodiment includes a multilayer substrate 10 on which a surface acoustic wave element or the like is mounted, and a cap 40.

【００６０】本実施例で用いられる多層基板１０は、第
１実施例のものと同様に、第１の絶縁層１０ａおよび第
２の絶縁層１０ｂとを有する。第１の絶縁層１０ａに
は、第１の金属膜２１ａ，２１ｂと、コイルＬ１、Ｌ
２、Ｌ３、Ｌ４と、内部接続電極２２ａと、ビア２５と
が設けられる。また、第２の絶縁層１０ｂには、配線導
体２４と、第２の金属膜２０とが設けられる。本実施例
では、第１の金属膜２１ａ，２１ｂと、コイルＬ１、Ｌ
２、Ｌ３、Ｌ４とが、第１の絶縁層１０ａの上面に埋め
込まれて形成されている。また、配線導体２４と、第２
の金属膜２０とは、第２の絶縁層１０ｂの上に、めっき
膜等をパターニングして設けられている。なお、配線導
体２４と、第２の金属膜２０とは、第１の絶縁膜１０ａ
の仮面が湾埋め込まれる状態で形成される構成としても
よい。なお、このような構造は、他の実施例において
も、採用することができる。The multi-layer substrate 10 used in this embodiment has a first insulating layer 10a and a second insulating layer 10b as in the first embodiment. The first insulating layer 10a includes first metal films 21a and 21b and coils L1 and L1.
2, L3, L4, an internal connection electrode 22a, and a via 25 are provided. The wiring conductor 24 and the second metal film 20 are provided on the second insulating layer 10b. In this embodiment, the first metal films 21a and 21b and the coils L1 and L
2, L3 and L4 are formed so as to be embedded in the upper surface of the first insulating layer 10a. The wiring conductor 24 and the second
The metal film 20 is provided by patterning a plating film or the like on the second insulating layer 10b. Note that the wiring conductor 24 and the second metal film 20 are connected to the first insulating film 10a.
The mask may be formed so as to be embedded in the bay. Note that such a structure can be employed in other embodiments.

【００６１】また、多層基板１０の側面には、外部接続
電極２２ｂが設けられる。この外部接続電極２２ｂは、
多層基板１０の側面部の一部を半円筒状に切欠き、この
部分に、同等の金属膜をめっき等により成膜して設けら
れる。なお、この部分は、多層基板１０を、より大きな
基板に多数個設けて、これを切断して形成する場合に
は、ビアとして設けることもできる。The external connection electrode 22b is provided on the side surface of the multilayer substrate 10. This external connection electrode 22b is
A part of the side surface of the multilayer substrate 10 is cut out in a semi-cylindrical shape, and an equivalent metal film is formed by plating or the like on this portion. This portion may be provided as a via when a large number of multi-layer substrates 10 are provided on a larger substrate and cut and formed.

【００６２】また、上記第１の金属膜２１ａ，２１ｂ
は、コイルＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４部分および外部接続
電極２２を除いて、多層基板１０の上面のほぼ全面を覆
うように設けられる。また、同様に、第２の金属膜２０
は、第２の絶縁基板１０ｂの下面のほぼ全面を覆うよう
に設けられる。この場合、外部接続電極２２ｂと接触し
ないように、その部分を避けて設けられる。さらに、図
３（ｂ）に示すように、多層基板１０の側面に、金属膜
２３が設けられている。この金属膜２３は、上記した第
１の金属膜２１ａおよび第２の金属膜２０と接続されて
いる。これにより、本実施例の高周波モジュールは、多
層基板１０のほぼ全面が金属膜で覆われることとなり、
電磁シールドおよび耐湿性が向上する。The first metal films 21a, 21b
Is provided so as to cover almost the entire upper surface of the multilayer substrate 10 except for the coils L1, L2, L3, L4 and the external connection electrodes 22. Similarly, the second metal film 20
Is provided so as to cover almost the entire lower surface of the second insulating substrate 10b. In this case, it is provided so as not to be in contact with the external connection electrode 22b. Further, as shown in FIG. 3B, a metal film 23 is provided on a side surface of the multilayer substrate 10. This metal film 23 is connected to the first metal film 21a and the second metal film 20 described above. Thereby, in the high-frequency module of this embodiment, almost the entire surface of the multilayer substrate 10 is covered with the metal film,
Electromagnetic shielding and moisture resistance are improved.

【００６３】また、配線導体２４は、ストリップライン
を構成するため、高周波信号の歪を極力抑えることがで
きる。Since the wiring conductor 24 forms a strip line, distortion of a high-frequency signal can be suppressed as much as possible.

【００６４】次に、本発明の第４の実施例について、図
１０を参照して説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【００６５】本実施例は、上記第３実施例の高周波モジ
ュールに、さらに防水処理を施したものである。ここで
は、その点についてのみ説明する。In the present embodiment, the high-frequency module of the third embodiment is further subjected to a waterproof treatment. Here, only that point will be described.

【００６６】すなわち、図１０に示すように、本実施例
では、第１の絶縁層１０ａの上面の素子搭載領域ＤＡに
おいて、金属で覆われていない部分を、防水性樹脂２０
０で覆う。この部分は、第１０図では、コイル１１が設
けられている部分である。このようにすれば、ＳＡＷが
搭載されてい空間は、第１の金属膜２１ａ，２１ｂ、コ
イル１１の金属膜と、防水性樹脂２００と、キャップ４
０とで囲まれて、水分の浸入の防止がより確実になる。That is, as shown in FIG. 10, in the present embodiment, in the element mounting area DA on the upper surface of the first insulating layer 10a, the portion not covered with metal is covered with the waterproof resin 20a.
Cover with 0. This portion is the portion where the coil 11 is provided in FIG. With this configuration, the space in which the SAW is mounted includes the first metal films 21a and 21b, the metal film of the coil 11, the waterproof resin 200, and the cap 4.
Since it is surrounded by 0, the prevention of intrusion of moisture becomes more reliable.

【００６７】なお、この防水性樹脂による防水処理は、
キャップ４０で覆われる部分に限らず、多層基板におけ
る金属膜で覆われない部分について、広く行なうことが
できる。また、この防水処理は、図１０に示す実施例の
構造を有する高周波モジュールに限らず、図１、図２に
示す高周波モジュール、以下に述べる応用モジュール等
にも広く適用することができることはいうまでもない。Note that the waterproof treatment with the waterproof resin is as follows.
Not only the portion covered by the cap 40 but also the portion of the multilayer substrate that is not covered by the metal film can be widely performed. This waterproofing process can be widely applied not only to the high-frequency module having the structure of the embodiment shown in FIG. 10 but also to the high-frequency module shown in FIGS. Nor.

【００６８】次に、本発明の高周波モジュールの構成概
念を用いて、各種応用モジュールの実施例について、説
明する。Next, embodiments of various application modules will be described using the configuration concept of the high-frequency module of the present invention.

【００６９】図４は、上記した本発明の高周波モジュー
ルの構成概念を分波器モジュールに適用した実施例であ
る。FIG. 4 shows an embodiment in which the above-described concept of the high-frequency module of the present invention is applied to a duplexer module.

【００７０】図４（ａ）は、本実施例の分波器モジュー
ルの回路例である。分波器モジュールは、上記した整合
回路内蔵弾性表面波フィルタ２組と略１／４電気長の遅
延線Ｄ２組から構成されている。図４（ｂ）は、その実
装構造を模式的に示す断面図である。FIG. 4A is a circuit example of the duplexer module of the present embodiment. The duplexer module includes two sets of the above-described surface acoustic wave filters with a built-in matching circuit and two sets of delay lines D having a substantially 1/4 electrical length. FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing the mounting structure.

【００７１】モジュール構成は、上記した整合回路内蔵
弾性表面波フィルタとほぼ同じであるが、比較的配線面
積が必要な遅延線Ｄ２組をストリップラインとして中間
層に配置でき、分波器モジュールを小形に形成すること
ができる。多層基板１０の構成は、基本的には、これま
で述べた実施例と同様である。The module configuration is almost the same as the above-described surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit. However, a set of delay lines D2 requiring a relatively large wiring area can be arranged as a strip line in the intermediate layer, and the duplexer module can be reduced in size. Can be formed. The configuration of the multilayer substrate 10 is basically the same as that of the embodiments described above.

【００７２】図５は、上記した本発明の高周波モジュー
ルの構成概念を、無線機などのフロントエンドモジュー
ルに適用した実施例である。FIG. 5 shows an embodiment in which the above-described concept of the high-frequency module according to the present invention is applied to a front-end module such as a wireless device.

【００７３】図５（ａ）は、フロントエンドモジュール
の回路例である。フロントエンドモジュールは、上記し
た分波器モジュールと整合回路内蔵弾性表面波フィルタ
Ｆに、高周波トランジスタＴおよび複数のカップリング
コンデンサ１２、バイパスコンデンサ１５、コイル１１
からなる低雑音増幅器を付加した構成である。FIG. 5A is a circuit example of a front end module. The front-end module includes a high-frequency transistor T, a plurality of coupling capacitors 12, a bypass capacitor 15, and a coil 11 in the above-described duplexer module and the surface acoustic wave filter F with a built-in matching circuit.
This is a configuration in which a low noise amplifier composed of

【００７４】図５（ｂ）は、その実装構造を模式的に示
す断面図である。モジュール構成は、上記した分波器モ
ジュールとほぼ同じであるが、モジュール基板サイズを
拡大し、低雑音増幅器のための高周波トランジスタＴお
よび複数のカップリングコンデンサ１２、バイパスコン
デンサ１５、コイル１１および整合回路内蔵弾性表面波
フィルタＦをも同一多層基板１０に実装する。このよう
なモジュール構成をとることにより、個々の機能モジュ
ールをそれぞれパッケージするより、小形かつ安価なフ
ロントエンドモジュールが得られえる。多層基板１０の
構成は、上記各実施例と基本的には同じである。従っ
て、同様の効果が得られる。FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing the mounting structure. The module configuration is almost the same as that of the above-described duplexer module, but the module substrate size is enlarged, a high-frequency transistor T for a low-noise amplifier and a plurality of coupling capacitors 12, a bypass capacitor 15, a coil 11, and a matching circuit are provided. The built-in surface acoustic wave filter F is also mounted on the same multilayer substrate 10. By adopting such a module configuration, a small and inexpensive front-end module can be obtained as compared with the case where individual functional modules are individually packaged. The configuration of the multilayer substrate 10 is basically the same as each of the above embodiments. Therefore, a similar effect can be obtained.

【００７５】図６は、本発明の実施例において用いられ
る、多層基板１０に形成するコイルについての実施例で
ある。FIG. 6 shows an embodiment of a coil formed on the multilayer substrate 10 used in the embodiment of the present invention.

【００７６】図６（ａ）は、基板最上層に螺旋配線をパ
ターニングし、これをコイル１１とするものである。コ
イル１１は、ビア２５により、ストリップラインを構成
する配線導体２４を経て、外部接続電極２２ｂなどから
電気的に他の回路に接続される。この構成からなるコイ
ル１１は、コイル１１の上半分の空間を比誘電率が略１
の気体で満たすことができ、寄生容量を小さくできる。
よって、コイル１１の自己共振周波数を高くすることが
可能となる。FIG. 6A shows a case where a spiral wiring is patterned on the uppermost layer of the substrate and is used as a coil 11. The coil 11 is electrically connected to another circuit from the external connection electrode 22b and the like via the wiring conductor 24 forming the strip line by the via 25. The coil 11 having this configuration has a relative permittivity of approximately 1 in the upper half space of the coil 11.
And the parasitic capacitance can be reduced.
Therefore, the self-resonant frequency of the coil 11 can be increased.

【００７７】図６（ｂ）は、中間層に螺旋配線をパター
ニングし、これをコイル１１とするものである。コイル
１１の中心は、ビア２５を経て、多層基板１０上面に引
き出される。ビア２５の端部２５ａは、多層基板１０に
載置される図示していない弾性表面波素子ＳＡＷなどの
高周波素子３０と、ワイヤボンディングなどで接続され
る。この構成によれば、水分の侵入経路１００を長くで
き、かつ、ビア２５部分の開口面積を小さくできるた
め、気密性の優れた基板構成となる。FIG. 6B shows a pattern in which a spiral wiring is patterned on an intermediate layer to form a coil 11. The center of the coil 11 is drawn out to the upper surface of the multilayer substrate 10 via the via 25. The end 25a of the via 25 is connected to a high-frequency element 30 such as a surface acoustic wave element SAW (not shown) mounted on the multilayer substrate 10 by wire bonding or the like. According to this configuration, the moisture intrusion path 100 can be lengthened, and the opening area of the via 25 can be reduced, resulting in a substrate configuration having excellent airtightness.

【００７８】図６（ｃ）は、基板最上層と中間層に平面
螺旋配線をパターニングし、これらをコイル１１とする
ものである。コイル１１は、中央をビア２５にて電気的
に接続することにより、コイルの巻数を増加させ、小さ
なコイル占有面積で、大きなインダクタンスを得ること
ができる。また、基板最上層と中間層間の絶縁層厚さｔ
１を薄くすることで、両層に形成したコイルの結合係数
が高くでき、結果的に小さなコイル占有面積で大きなイ
ンダクタンスを得ることができる。このことは、同じイ
ンダクタンスを得るのにコイル１１の配線長を短くで
き、コイル１１の抵抗を低くすることができ、Ｑ値を高
くすることが可能となる。FIG. 6C shows a structure in which planar spiral wiring is patterned on the uppermost layer and the intermediate layer of the substrate, and these are used as coils 11. By electrically connecting the center of the coil 11 with the via 25, the number of turns of the coil can be increased, and a large inductance can be obtained with a small coil occupation area. Also, the thickness t of the insulating layer between the uppermost layer of the substrate and the intermediate layer
By making 1 thin, the coupling coefficient of the coils formed in both layers can be increased, and as a result, a large inductance can be obtained with a small coil occupation area. This means that the wiring length of the coil 11 can be shortened to obtain the same inductance, the resistance of the coil 11 can be reduced, and the Q value can be increased.

【００７９】さらに、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のい
ずれに対しても、中間層と接地層間の絶縁層厚さｔ２を
厚くすれば、接地層２０とコイル１１の接近によるイン
ダクタンスおよびＱ値の低下を少なくすることができ
る。Further, in any of FIGS. 6 (a), 6 (b) and 6 (c), if the thickness t2 of the insulating layer between the intermediate layer and the ground layer is increased, the distance between the ground layer 20 and the coil 11 increases. The decrease in inductance and Q value can be reduced.

【００８０】次に、本発明の回路素子モジュールの製造
方法について、図面を参照して説明する。Next, a method of manufacturing a circuit element module according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【００８１】図７は、図３で述べたモジュール構成にお
いて、多層基板１０の基板端面２３のめっき方法を示す
工程概念図である。図７は、多数個取り基板１０’（本
図では４基板を図示）を上方から見た正面図である。FIG. 7 is a process conceptual diagram showing a plating method of the substrate end face 23 of the multilayer substrate 10 in the module configuration described in FIG. FIG. 7 is a front view of the multi-piece substrate 10 ′ (four substrates are shown in the figure) as viewed from above.

【００８２】多数個取り基板１０’に、外部接続電極２
２の位置に貫通ビア用の孔を設けるとともに、これより
絶縁距離を隔てた位置に略基板周辺をルータ等で切断加
工をして、両者を同時にめっきして、側面に第３の金属
膜２３を形成する。多層基板１０の切離しは、一点鎖線
に沿って最後の工程で切断する。このように、基板端面
２３のめっきを、貫通ビア、すなわち外部接続電極２２
のめっき工程で同時に行うことにより、安価に高周波モ
ジュールが生産できる。なお、この時、第１、第２の金
属膜についても、同時にめっきする構成としてもよい。The external connection electrode 2 is provided on the multi-piece substrate 10 ′.
In addition, a hole for a through via is provided at the position 2, and the periphery of the substrate is cut by a router or the like at a position separated from the insulating via by a router or the like, and both are plated at the same time, and the third metal film 23 is formed on the side surface. To form The multi-layer substrate 10 is cut in the last step along the chain line. As described above, the plating of the substrate end face 23 is performed by the through via, that is, the external connection electrode 22.
High-frequency modules can be produced at low cost by performing these steps simultaneously. At this time, the first and second metal films may be simultaneously plated.

【００８３】図８は、整合回路内蔵弾性表面波フィル
タ、分波器モジュールおよびフロントエンドモジュール
など高周波モジュールＭの気密性、特に、その耐水性を
さらに向上させるための実装方法についての説明図であ
る。FIG. 8 is an explanatory view of a mounting method for further improving the airtightness of the high-frequency module M such as a surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, a duplexer module, and a front-end module, in particular, its water resistance. .

【００８４】高周波モジュールＭを携帯無線端末などの
セット基板Ｓに、はんだ接続４２した後、基板端面、特
に、金属膜で覆われていない基板端面を防水性の樹脂２
００で覆うことにより、高周波モジュールの耐水性が向
上できる。これにより、セットとしての信頼性を向上さ
せることができる。After soldering the high-frequency module M to a set substrate S such as a portable radio terminal, the end surface of the substrate, particularly the end surface of the substrate not covered with the metal film, is covered with a waterproof resin 2.
By covering with 00, the water resistance of the high-frequency module can be improved. Thereby, the reliability as a set can be improved.

【００８５】図９は、高周波モジュールの金属キャップ
４０による封止工程における封止方法についての説明図
である。FIG. 9 is an explanatory view of a sealing method in a sealing step of the high-frequency module with the metal cap 40.

【００８６】図９（ａ）の実施例によれば、開口部４０
ａに、はんだ４１をプリコートしたキャップ４０を，パ
ルスヒータＨにて瞬間的に加熱圧着することにより、フ
ラックスレスではんだ封止が可能となる。このことは、
フラックスによるモジュール内部の汚染の防止に寄与
し、信頼性の向上につながる。また、瞬間加熱方式の採
用は、弾性表面波素子ＳＡＷを高温にすることなく封止
できるため、封止工程での素子劣化を防止することがで
きる。According to the embodiment shown in FIG.
The cap 40, which is pre-coated with the solder 41, is instantaneously heated and pressed by the pulse heater H, so that flux-less solder sealing is possible. This means
This contributes to the prevention of contamination inside the module by the flux, leading to an improvement in reliability. In addition, the adoption of the instantaneous heating method enables the surface acoustic wave element SAW to be sealed without raising the temperature, so that element deterioration in the sealing step can be prevented.

【００８７】また、図９（ｂ）の実施例によれば、キャ
ップ４０へのはんだプリコートに替え、プリホームされ
たはんだ４１を用いてもフラックスレスではんだ封止が
可能となり、上記したと同様の効果が得られる。Further, according to the embodiment of FIG. 9 (b), it is possible to perform fluxless solder sealing by using a pre-formed solder 41 instead of the solder pre-coating on the cap 40. The effect of is obtained.

【００８８】以上に述べたように、本発明の各実施例に
よれば、整合回路内蔵弾性表面波フィルタ、分波器モジ
ュールおよびフロントエンドモジュールなどの高周波モ
ジュールは、複数の機能を複合化したにもかかわらず、
小形に形成することができる。しかも、小形化に際し、
高周波特性を損なうことなく、とくに、表面弾性波素子
のように表面汚染に敏感な素子の気密性確保にも、低価
格で対応できるようになる。また、有機材料を用いてい
るため、絶縁層の表面が滑らかとなり、目的の特性のコ
イル等の素子を容易に形成できる上記各実施例では、高
周波モジュールの例を示したが、本発明は、これに限定
されない。As described above, according to each embodiment of the present invention, the high-frequency modules such as the surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, the duplexer module and the front-end module have a plurality of combined functions. Nevertheless,
It can be formed small. Moreover, in miniaturization,
It is possible to respond at a low price without impairing the high-frequency characteristics, particularly for ensuring the airtightness of an element sensitive to surface contamination such as a surface acoustic wave element. Further, since the organic material is used, the surface of the insulating layer becomes smooth, and in each of the above embodiments in which an element such as a coil having desired characteristics can be easily formed, an example of a high-frequency module has been described. It is not limited to this.

【００８９】[0089]

【発明の効果】上記したように、本発明によれば、表面
弾性波素子等を含む機能ユニットを、小形、軽量かつ低
価格に実装することができる。As described above, according to the present invention, a functional unit including a surface acoustic wave device or the like can be mounted in a small size, light weight and low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の高周波モジュールの第１の実施例の構
成を模式的に示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a high-frequency module according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第２の実施例の構成を模式的に示す断
面図。FIG. 2 is a sectional view schematically showing the configuration of a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第３の実施例の構成を示し、（ａ）は
その回路図、（ｂ）は構造を示す斜視図、（ｃ）は第３
の実施例の構成を模式的に示す断面図。3A and 3B show a configuration of a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a circuit diagram, FIG. 3B is a perspective view showing a structure, and FIG.
Sectional drawing which shows the structure of Example of a model typically.

【図４】本発明を分波器モジュールに適用した実施例を
示し、（ａ）はその回路図、（ｂ）は実施例の構成を模
式的に示す断面図。4A and 4B show an embodiment in which the present invention is applied to a duplexer module, FIG. 4A is a circuit diagram thereof, and FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the embodiment.

【図５】本発明をフロントエンドモジュールに適用した
実施例を示し、（ａ）はその回路図、（ｂ）は実施例の
構成を模式的に示す断面図。5A and 5B show an embodiment in which the present invention is applied to a front-end module, FIG. 5A is a circuit diagram thereof, and FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the embodiment.

【図６】本発明で用いることができるコイルについての
実施例を模式的に示す断面図。FIG. 6 is a sectional view schematically showing an example of a coil that can be used in the present invention.

【図７】複数個取りの基板から本発明のモジュールの切
りだしおよび外部電極の製造方法を示す工程概念図。FIG. 7 is a process conceptual diagram showing a method for cutting out a module of the present invention from a plurality of substrates and manufacturing external electrodes.

【図８】耐水性を向上させるため、本発明にさらに適用
することができる実装方法についての説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram of a mounting method that can be further applied to the present invention to improve water resistance.

【図９】本発明における封止方法についての説明図。FIG. 9 is a diagram illustrating a sealing method according to the present invention.

【図１０】本発明の第４の実施例の構成を模式的に示す
断面図。FIG. 10 is a sectional view schematically showing the configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…多層基板 １０’…多数個取り基
板（母基板） １１…コイル １２…コンデンサ １３…抵抗 １４…チップ部品 １５…バイパスコンデンサ ２０…第２の金属膜 ２１ａ，２１ｂ…第１の金属膜 ２２…外部接続電極 ２３…第３の金属膜 ２４…配線導体 ２５…ビア ３０…高周波素子 ４０…キャップ ４１…はんだ １００…水の侵入経路 ２００…防水性樹脂 ＳＡＷ…弾性表面波素子 Ｄ…遅延線 Ｔ…高周波トランジスタ Ｓ…セット基板 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４…インピーダンス整合用コイル Ｆ…整合回路内蔵弾性表面波フィルタ ｔ１、ｔ２…絶縁層厚さDESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer board 10 '... Multi-piece board (base board) 11 ... Coil 12 ... Capacitor 13 ... Resistor 14 ... Chip component 15 ... Bypass capacitor 20 ... Second metal film 21a, 21b ... First metal film 22 ... External connection electrode 23 Third metal film 24 Wiring conductor 25 Via 30 High frequency element 40 Cap 41 Solder 100 Water entry path 200 Waterproof resin SAW Surface acoustic wave element D Delay line T High frequency transistor S: set substrate L1, L2, L3, L4: coil for impedance matching F: surface acoustic wave filter with built-in matching circuit t1, t2: thickness of insulating layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成川 泰弘 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 生産技術研究所 内 (56)参考文献 特開 平３−72708（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302834（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H03H 9/25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Yasuhiro Narukawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Within Hitachi, Ltd. Production Engineering Laboratory (56) References JP-A-3-72708 (JP, A) Kaihei 1-302834 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/12 H03H 9/25

Claims (20)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】第１、第２の主面を有し、第１の主面が素
子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭載領域に
配置された少なくとも１の素子と、この基板の素子搭載
領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する回
路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第１の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第１の金属膜と、 その第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および
第２の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第１の金属膜に密着され、 上記基板は、ビアが設けられる第１の絶縁層と、その下
層側に配置されて、上記配線導体が設けられる第２の絶
縁層とを少なくとも有し、これらが積層されて構成され
るものである回路素子モジュール。A substrate having first and second principal surfaces, the first principal surface being an element mounting region; at least one element disposed in the element mounting region on the first principal surface; In a circuit element module having a conductive cap that covers at least an element mounting region of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface of the substrate. A first metal film surrounding the first metal film, and a second metal film provided on the second main surface of the first metal film and covering at least a region facing the device mounting region; And an internal connection electrode for making connection with the element, and being disposed at a position not covered with the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film, and connected to the outside. External connection electrode for performing A via connected to the internal connection electrode, a wiring conductor partially connected to the corresponding via, and one end connected to the external connection electrode; An opening having a size that can include a region inside, the opening is electrically connected to the first metal film in a state where the opening is electrically conductive, and the substrate is provided with a first insulating layer provided with a via. And a second insulating layer provided on the lower layer side and provided with the wiring conductor, and a stacked structure of these. 【請求項２】請求項１において、上記第１の絶縁層の上
面が、上記第１の主面であり、かつ、第１の金属膜は、
上記素子搭載領域にも配置されるものである回路素子モ
ジュール。2. The method of claim 1, the upper surface of the first insulating layer is a said first major surface, and a first metal film,
A circuit element module that is also arranged in the element mounting area. 【請求項３】請求項２において、上記素子搭載領域内の
第１の金属膜上に、少なくとも１の素子が搭載される回
路素子モジュール。3. The circuit element module according to claim 2, wherein at least one element is mounted on the first metal film in the element mounting area. 【請求項４】請求項３において、上記第１の金属膜上に
搭載される素子が、水分に敏感な素子である回路素子モ
ジュール。4. The circuit element module according to claim 3, wherein the element mounted on the first metal film is an element sensitive to moisture. 【請求項５】請求項３において、第１の金属膜上に搭載
される素子が、弾性表面波素子である回路素子モジュー
ル。5. The circuit element module according to claim 3, wherein the element mounted on the first metal film is a surface acoustic wave element. 【請求項６】請求項５において、上記素子搭載領域に配
置される平面コイルをさらに有する回路素子モジュー
ル。6. The circuit element module according to claim 5 , further comprising a planar coil disposed in said element mounting area. 【請求項７】請求項６において、上記平面コイルは、平
面螺旋構造を有する配線で構成され、螺旋の中央に、内
部接続電極と、ビアとを有するものである回路素子モジ
ュール。7. The circuit element module according to claim 6, wherein the planar coil is formed of a wiring having a planar spiral structure, and has an internal connection electrode and a via at the center of the spiral. 【請求項８】請求項７において、上記平面コイルが複数
形成され、該複数の平面コイルと上記弾性表面波素子と
が接続されて構成される、整合回路内蔵型の弾性表面波
フィルタを機能ユニットとして搭載する回路素子モジュ
ール。8. A functional unit according to claim 7, wherein a plurality of said planar coils are formed, and said plurality of planar coils are connected to said surface acoustic wave element. Circuit element module mounted as 【請求項９】請求項８において、上記素子搭載領域は、
上記平面コイルが配置される部分を除いて、上記第１の
金属膜で覆われる回路素子モジュール。9. The device according to claim 8, wherein:
A circuit element module covered with the first metal film except for a portion where the planar coil is arranged. 【請求項１０】請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９において、 上記外部接続用電極は、多層基板の側面に設けられ、 上記多層基板は、その側面の、上記外部接続用電極が配
置されている部分以外の領域を覆う第３の金属膜をさら
に有する回路素子モジュール。10. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, or 8.
In or 9 , the external connection electrode is provided on a side surface of the multilayer substrate, and the multilayer substrate is provided with a third metal film covering a region of the side surface other than a portion where the external connection electrode is arranged. A circuit element module further provided. 【請求項１１】請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９において、 上記外部接続用電極は、多層基板の側面に設けられ、 上記多層基板は、その側面の、上記外部接続用電極が配
置されている部分以外の領域を覆う第３の金属膜と、上
記素子搭載領域の、金属膜で覆われない部分を覆う防水
性樹脂とをさらに有する回路素子モジュール。11. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, or 8.
In 9 or 9 , the external connection electrode is provided on a side surface of the multilayer substrate, and the multilayer substrate is provided with a third metal film covering a region other than a portion where the external connection electrode is disposed on the side surface. A circuit element module further comprising: a waterproof resin covering a part of the element mounting area that is not covered by the metal film. 【請求項１２】請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９において、上記多層基板は、上記素子搭載領域
の、金属膜で覆われない部分を覆う防水性樹脂をさらに
有する回路素子モジュール。12. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, or 8.
(9 ) In the circuit element module described in (9) , the multilayer substrate further includes a waterproof resin that covers a part of the element mounting area that is not covered with a metal film. 【請求項１３】請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９において、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン
（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）およびポリテトラ
フルオロエチレンのうちいずれか１の有機材料を基板材
料とする回路素子モジュール。13. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, or 8.
Or the circuit element module according to 9, wherein a substrate material is any one of glass epoxy resin, BT resin (bismaleimide / triazine resin), and polytetrafluoroethylene. 【請求項１４】請求項８記載の整合回路内蔵弾性表面波
フィルタ２組と、多層基板の中間層に形成した実質的に
１／４電気長の配線導体２組とを有する分波器モジュー
ルを機能ユニットとして備える回路素子モジュール。14. A duplexer module comprising two sets of surface acoustic wave filters with a built-in matching circuit according to claim 8 and two sets of substantially 1/4 electrical length wiring conductors formed in an intermediate layer of a multilayer substrate. A circuit element module provided as a functional unit. 【請求項１５】請求項１４記載の回路素子モジュール
に、高周波トランジスタ、コイル、容量、および抵抗を
さらに有する無線機用フロントエンドモジュール機能ユ
ニットとして備える回路素子モジュール。15. A circuit element module according to claim 14 , further comprising a high-frequency transistor, a coil, a capacitance, and a resistance as a front-end module functional unit for a radio device. 【請求項１６】第１、第２の主面を有し、第１の主面が
素子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭載領域
に配置された少なくとも１の素子と、この基板の素子搭
載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する
回路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第１の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第１の金属膜と、 その第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および
第２の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第１の金属膜に密着され、 コイル、容量および抵抗を、多層基板に内蔵させたこと
を特徴とする回路素子モジュール。16. A substrate having first and second main surfaces, the first main surface serving as an element mounting area, at least one element arranged in the element mounting area on the first main surface, In a circuit element module having a conductive cap that covers at least an element mounting region of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface of the substrate. A first metal film surrounding the first metal film, and a second metal film provided on the second main surface of the first metal film and covering at least a region facing the device mounting region; And an internal connection electrode for making connection with the element, and being disposed at a position not covered with the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film, and connected to the outside. External connection electrode for performing A via connected to the internal connection electrode, and a wiring conductor partially connected to the corresponding via and having one end connected to the external connection electrode; An opening having a size that can include a region inside, the opening being electrically connected to the first metal film in a state where the opening is electrically conductive, and a coil, a capacitance, and a resistance being incorporated in the multilayer substrate. A circuit element module characterized by the above-mentioned. 【請求項１７】母基板から切断されて形成され、基板の
側面に、基板の厚さ方向に延びる溝状の電極部を有する
回路素子モジュール用基板の製造方法において、 上記基板を複数個取りできる母基板に、各基板の上記電
極部となる位置に、貫通孔を設け、 次に、母基板を切断して、複数個の上記基板に分離し、 さらに、各基板について、該基板の側面と、上記電極部
とを、それらの境界部を除いて、金属膜を成膜すること
を特徴とする、回路素子モジュール用基板の製造方法。17. A method for manufacturing a circuit element module substrate, which is formed by cutting from a mother substrate and has a groove-shaped electrode portion extending in the thickness direction of the substrate on a side surface of the substrate, wherein a plurality of the substrates can be obtained. In the mother substrate, a through hole is provided at a position to be the electrode portion of each substrate.Next, the mother substrate is cut and separated into a plurality of the substrates. A method of manufacturing a circuit element module substrate, comprising: forming a metal film on the electrode portion except for a boundary portion between them. 【請求項１８】第１、第２の主面を有し、第１の主面が
素子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭載領域
に配置された少なくとも１の素子と、この基板の素子搭
載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する
回路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第１の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第１の金属膜と、 その第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および
第２の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第１の金属膜に密着され、 上記外部接続用電極は、多層基板の側面に設けられ、 上記多層基板は、その側面の、上記外部接続用電極が配
置されている部分以外の領域を覆う第３の金属膜と、上
記素子搭載領域の、金属膜で覆われない部分を覆う防水
性樹脂とをさらに有する回路素子モジュール。18. A substrate having first and second main surfaces, the first main surface being an element mounting area, at least one element arranged in the element mounting area on the first main surface, In a circuit element module having a conductive cap that covers at least an element mounting region of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface of the substrate. A first metal film surrounding the first metal film, and a second metal film provided on the second main surface of the first metal film and covering at least a region facing the device mounting region; And an internal connection electrode for making connection with the element, and being disposed at a position not covered with the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film, and connected to the outside. External connection electrode for performing A via connected to the internal connection electrode, and a wiring conductor partially connected to the corresponding via and having one end connected to the external connection electrode; An opening having a size that can include a region inside, the opening being electrically connected to the first metal film, and the external connection electrode being provided on a side surface of the multilayer substrate. A third metal film that covers a side surface of the multilayer substrate other than a portion where the external connection electrode is disposed, and a waterproof property that covers a portion of the element mounting region that is not covered with the metal film; A circuit element module further comprising a resin. 【請求項１９】第１、第２の主面を有し、第１の主面が
素子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭載領域
に配置された少なくとも１の素子と、この基板の素子搭
載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する
回路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第１の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第１の金属膜と、 その第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および
第２の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第１の金属膜に密着され、 上記多層基板は、上記素子搭載領域の、金属膜で覆われ
ない部分を覆う防水性樹脂をさらに有する回路素子モジ
ュール。19. A substrate having first and second main surfaces, the first main surface being an element mounting area, at least one element disposed in the element mounting area on the first main surface, In a circuit element module having a conductive cap that covers at least an element mounting region of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface of the substrate. A first metal film surrounding the first metal film, and a second metal film provided on the second main surface of the first metal film and covering at least a region facing the device mounting region; And an internal connection electrode for making connection with the element, and being disposed at a position not covered with the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film, and connected to the outside. External connection electrode for performing A via connected to the internal connection electrode, and a wiring conductor partially connected to the corresponding via and having one end connected to the external connection electrode; An opening having a size that can include a region inside; the opening is electrically connected to the first metal film in a state where the opening is electrically conductive; and the multilayer substrate is a metal film in the element mounting region. A circuit element module further including a waterproof resin that covers an uncovered portion. 【請求項２０】第１、第２の主面を有し、第１の主面が
素子搭載領域となる基板と、第１の主面の素子搭載領域
に配置された少なくとも１の素子と、この基板の素子搭
載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する
回路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第１の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第１の金属膜と、 その第２の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第２の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第１の金属膜および
第２の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第１の金属膜に密着され、 ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン（ビスマレイミド・ト
リアジン樹脂）およびポリテトラフルオロエチレンのう
ちいずれか１の有機材料を基板材料とする回路素子モジ
ュール。20. A substrate having first and second main surfaces, the first main surface being an element mounting area, at least one element disposed in the element mounting area on the first main surface, In a circuit element module having a conductive cap that covers at least an element mounting region of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface of the substrate. A first metal film surrounding the first metal film, and a second metal film provided on the second main surface of the first metal film and covering at least a region facing the device mounting region; And an internal connection electrode for making connection with the element, and being disposed at a position not covered with the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film, and connected to the outside. External connection electrode for performing A via connected to the internal connection electrode, and a wiring conductor partially connected to the corresponding via and having one end connected to the external connection electrode; An opening having a size that can include a region inside, the opening being electrically connected to the first metal film in a state of being electrically connected, a glass epoxy resin, a BT resin (bismaleimide triazine resin) and A circuit element module using any one organic material of polytetrafluoroethylene as a substrate material.
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