JP3160138B2 - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内部電流狭窄構造を有
する屈折率導波型の半導体レーザ素子およびこの半導体
レーザー素子をＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を用い
て、１回の成長により製造できる製造方法に関する。
する屈折率導波型の半導体レーザ素子およびこの半導体
レーザー素子をＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を用い
て、１回の成長により製造できる製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報処理用の光源に使用するこ
とを目的として、半導体レーザ素子の開発が活発化して
いる。この用途の半導体レーザ素子においては、非点収
差が小さいこと、放射広がり角が狭いこと、単一モード
で発振することなどの性能が要求される。このような性
能を有する半導体レーザ素子として、内部電流狭窄構造
を有する屈折率導波型半導体レーザ素子が開発されてい
る。この内部電流狭窄構造を有する屈折率導波型半導体
レーザ素子の製造は、少なくとも２回以上の結晶成長工
程を必要とするが、歩留まりや製造コストを考慮する
と、１回の結晶成長工程で半導体レーザ素子を製造でき
ることが望ましい。
とを目的として、半導体レーザ素子の開発が活発化して
いる。この用途の半導体レーザ素子においては、非点収
差が小さいこと、放射広がり角が狭いこと、単一モード
で発振することなどの性能が要求される。このような性
能を有する半導体レーザ素子として、内部電流狭窄構造
を有する屈折率導波型半導体レーザ素子が開発されてい
る。この内部電流狭窄構造を有する屈折率導波型半導体
レーザ素子の製造は、少なくとも２回以上の結晶成長工
程を必要とするが、歩留まりや製造コストを考慮する
と、１回の結晶成長工程で半導体レーザ素子を製造でき
ることが望ましい。
【０００３】そこで、本願出願人は、例えば特願平４−
２９１８０５号において、１回の結晶成長工程により、
内部電流狭窄構造を有する屈折率導波型半導体レーザ素
子を製造する方法を提案している。
２９１８０５号において、１回の結晶成長工程により、
内部電流狭窄構造を有する屈折率導波型半導体レーザ素
子を製造する方法を提案している。
【０００４】この製造方法は、ＳｉドープＧａＡｓ半導
体層およびＳｉドープＡｌＧａＡｓ層の導電型が、半導
体層が成長する際の面方位に依存することを利用したも
のである。以下に、この製造方法による半導体レーザ素
子の作製工程を、図１９を用いて説明する。
体層およびＳｉドープＡｌＧａＡｓ層の導電型が、半導
体層が成長する際の面方位に依存することを利用したも
のである。以下に、この製造方法による半導体レーザ素
子の作製工程を、図１９を用いて説明する。
【０００５】まず、図１９（ａ）に示すように、ｐ型Ｇ
ａＡｓ基板９１の面方位（１００）の面にレジスト９１
０を形成する。
ａＡｓ基板９１の面方位（１００）の面にレジスト９１
０を形成する。
【０００６】次に、図１９（ｂ）に示すように、この基
板９１上のレジスト９１０に、フォトリソグラフィー技
術を用いて、ストライプ９１５を形成する。
板９１上のレジスト９１０に、フォトリソグラフィー技
術を用いて、ストライプ９１５を形成する。
【０００７】続いて、図１９（ｃ）に示すように、この
ストライプ９１５の形成された状態のレジスト９１０を
マスクとして、エッチングにより基板９１のストライプ
９１５部にＶ溝を形成する。エッチャントにはリン酸と
過酸化水素水との混合液を用いた。硫酸と過酸化水素水
との混合液を用いてもよい。Ｖ溝の断面形状は両傾斜面
９２０の面方位を（１１１）Ａとし、溝幅は３μｍとし
た。
ストライプ９１５の形成された状態のレジスト９１０を
マスクとして、エッチングにより基板９１のストライプ
９１５部にＶ溝を形成する。エッチャントにはリン酸と
過酸化水素水との混合液を用いた。硫酸と過酸化水素水
との混合液を用いてもよい。Ｖ溝の断面形状は両傾斜面
９２０の面方位を（１１１）Ａとし、溝幅は３μｍとし
た。
【０００８】次に、硫酸と過酸化水素水の混合液をエッ
チャントとして、図１９（ｄ）に示すように、面方位が
（１１１）Ａである側面９２０と、面方位が（４１１）
Ａ面である側面９２１とからなるＶ溝を形成する。Ｖ溝
の形成が終わると、図１９（ｅ）に示すように、レジス
ト９１０を除去し、基板９１を濃硫酸処理する。
チャントとして、図１９（ｄ）に示すように、面方位が
（１１１）Ａである側面９２０と、面方位が（４１１）
Ａ面である側面９２１とからなるＶ溝を形成する。Ｖ溝
の形成が終わると、図１９（ｅ）に示すように、レジス
ト９１０を除去し、基板９１を濃硫酸処理する。
【０００９】続いて、このような基板９１上に、図１９
（ｆ）に示すように、ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層９
２を成長し、さらに、この電流狭窄層９２の上に、図１
９（ｇ）に示すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層９
３、ＧａＡｓ活性層９４、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
９５およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層９６をＭＢＥ法に
より順次成長する。
（ｆ）に示すように、ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層９
２を成長し、さらに、この電流狭窄層９２の上に、図１
９（ｇ）に示すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層９
３、ＧａＡｓ活性層９４、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
９５およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層９６をＭＢＥ法に
より順次成長する。
【００１０】最後に、ｐ側電極９１２を基板９１側に、
ｎ側電極９１３をコンタクト層９６側に形成して本実施
例１の半導体レーザ素子を得る。
ｎ側電極９１３をコンタクト層９６側に形成して本実施
例１の半導体レーザ素子を得る。
【００１１】さて、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法に
おいては、ｎ型ドーパントとしてＳｉ（シリコン）をド
ープしたＧａＡｓを、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦
３）である面上に成長させると、成長過程でＡｓの付着
が抑制され、半導体層がｐ型に反転することが知られて
いる。他方、面方位が（ｎ１１）Ａ（ｎ≧４）や（１０
０）である面上では、このような現象は観られず、成長
層はｎ型となる。
おいては、ｎ型ドーパントとしてＳｉ（シリコン）をド
ープしたＧａＡｓを、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦
３）である面上に成長させると、成長過程でＡｓの付着
が抑制され、半導体層がｐ型に反転することが知られて
いる。他方、面方位が（ｎ１１）Ａ（ｎ≧４）や（１０
０）である面上では、このような現象は観られず、成長
層はｎ型となる。
【００１２】従って、上記従来の半導体レーザ素子にお
いて、図１９（ｆ）に示すような、面方位が（１１１）
Ａである面９２０と面方位が（４１１）Ａである面９２
１の二つの面で構成された側面を有するＶ溝と、表面の
面方位が（１００）の基板９１上にＳｉドープＧａＡｓ
層９２を成長させた場合、Ｖ溝の面９２０上のＳｉドー
プＧａＡｓ層（斜線部）のみがｐ型の導電型を示し、Ｖ
溝の面９２１上および面方位が（１００）の面９２２上
の成長層はｎ型の導電型を示す。こうして、内部電流狭
窄構造を有する半導体レーザ素子を作製することができ
る。
いて、図１９（ｆ）に示すような、面方位が（１１１）
Ａである面９２０と面方位が（４１１）Ａである面９２
１の二つの面で構成された側面を有するＶ溝と、表面の
面方位が（１００）の基板９１上にＳｉドープＧａＡｓ
層９２を成長させた場合、Ｖ溝の面９２０上のＳｉドー
プＧａＡｓ層（斜線部）のみがｐ型の導電型を示し、Ｖ
溝の面９２１上および面方位が（１００）の面９２２上
の成長層はｎ型の導電型を示す。こうして、内部電流狭
窄構造を有する半導体レーザ素子を作製することができ
る。
【００１３】上記半導体レーザ素子は、活性層９４の中
央部９３０が、エネルギーギャップが大きく屈折率の小
さいＡｌＧａＡｓクラッド層９３および９５で囲まれて
おり、実屈折率導波構造を構成するので、基本横モード
発振を得ることができる。
央部９３０が、エネルギーギャップが大きく屈折率の小
さいＡｌＧａＡｓクラッド層９３および９５で囲まれて
おり、実屈折率導波構造を構成するので、基本横モード
発振を得ることができる。
【００１４】このように、基板上に複数の面方位の面で
構成された溝を加工し、ＭＢＥ法を組み合わせて半導体
レーザー素子を作製すると、１回の結晶成長で内部電流
狭窄構造を有する屈折率導波型半導体レーザ素子を実現
することができる。
構成された溝を加工し、ＭＢＥ法を組み合わせて半導体
レーザー素子を作製すると、１回の結晶成長で内部電流
狭窄構造を有する屈折率導波型半導体レーザ素子を実現
することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体レーザ素子においては、発光部となる活性
層９４の中央部９３０は、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦
ｎ≦３）である面９２０を両側面部として有する上記Ｖ
溝の直上に位置して形成されるので、やや基板９１側に
屈曲し、この部分の層厚が厚くなり易い。このため、活
性層９４の中央部９３０の実効屈折率が大きくなり、レ
ーザ光が中央部に収束しながら導波するので、水平横モ
ードが高次発振になるという問題がある。
ような半導体レーザ素子においては、発光部となる活性
層９４の中央部９３０は、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦
ｎ≦３）である面９２０を両側面部として有する上記Ｖ
溝の直上に位置して形成されるので、やや基板９１側に
屈曲し、この部分の層厚が厚くなり易い。このため、活
性層９４の中央部９３０の実効屈折率が大きくなり、レ
ーザ光が中央部に収束しながら導波するので、水平横モ
ードが高次発振になるという問題がある。
【００１６】また、ｐ型およびｎ型クラッド層内に横方
向への広がり電流が流れるので、駆動電流の増加を招く
という問題もある。
向への広がり電流が流れるので、駆動電流の増加を招く
という問題もある。
【００１７】さらに、上記半導体レーザ素子の製造にお
いて、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦３）である面上
に半導体層を成長させる際には、面方位が（１００）で
ある面上での成長に比べて結晶性が悪く、光損失が生じ
るという問題もある。
いて、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦３）である面上
に半導体層を成長させる際には、面方位が（１００）で
ある面上での成長に比べて結晶性が悪く、光損失が生じ
るという問題もある。
【００１８】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたものであり、横方向への広がり電流が抑制さ
れ、光取り出し効率の良い内部電流狭窄構造を有する半
導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを目
的とする。
になされたものであり、横方向への広がり電流が抑制さ
れ、光取り出し効率の良い内部電流狭窄構造を有する半
導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザー
素子は、少なくとも第１の半導体層からなる活性層を、
該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体
層と該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半
導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レー
ザ素子において、面方位が（１００）の面を表面とする
ｐ型ＧａＡｓ基板の該表面に、底面部と両側面部を有す
る溝が形成されており、該底面部の面方位は（１００）
であり、各側面部は該溝の深さ方向で面方位が異なる２
つ以上の面として形成されている基板上に、Ｓｉドープ
電流狭窄層が、該側面部の内少なくとも１つ以上の面の
上ではｐ型の導電性を示し、該１つ以上の面以外の上で
はｎ型の導電性を示すように形成され、該電流狭窄層の
上に該発光用積層部が形成されており、そのことにより
上記目的が達成される。
素子は、少なくとも第１の半導体層からなる活性層を、
該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体
層と該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半
導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レー
ザ素子において、面方位が（１００）の面を表面とする
ｐ型ＧａＡｓ基板の該表面に、底面部と両側面部を有す
る溝が形成されており、該底面部の面方位は（１００）
であり、各側面部は該溝の深さ方向で面方位が異なる２
つ以上の面として形成されている基板上に、Ｓｉドープ
電流狭窄層が、該側面部の内少なくとも１つ以上の面の
上ではｐ型の導電性を示し、該１つ以上の面以外の上で
はｎ型の導電性を示すように形成され、該電流狭窄層の
上に該発光用積層部が形成されており、そのことにより
上記目的が達成される。
【００２０】また、本発明の半導体レーザー素子は、少
なくとも第１の半導体層からなる活性層を、該第１の半
導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体層と該第１
の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半導体層とで
挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レーザ素子にお
いて、前記発光用積層部が少なくともＳｉドープＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を含み、前記溝の側面部の内の少なく
とも１つ以上の面に対応する該クラッド層の領域におけ
る層厚方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を示
し、該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記基
板の表面に対応する該クラッド層の領域がｎ型の導電性
を示す構成となっている。
なくとも第１の半導体層からなる活性層を、該第１の半
導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体層と該第１
の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半導体層とで
挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レーザ素子にお
いて、前記発光用積層部が少なくともＳｉドープＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を含み、前記溝の側面部の内の少なく
とも１つ以上の面に対応する該クラッド層の領域におけ
る層厚方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を示
し、該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記基
板の表面に対応する該クラッド層の領域がｎ型の導電性
を示す構成となっている。
【００２１】また、本発明の半導体レーザー素子は、少
なくとも第１の半導体層からなる活性層を、該第１の半
導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体層と該第１
の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半導体層とで
挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レーザ素子にお
いて、前記発光用積層部の上にＳｉドープＧａＡｓコン
タクト層が形成されており、前記溝の側面部の内の少な
くとも１つ以上の面に対応する該コンタクト層の領域に
おける層厚方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を
示し、該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記
基板の表面に対応する該コンタクト層の領域がｎ型の導
電性を示す構成となっている。
なくとも第１の半導体層からなる活性層を、該第１の半
導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半導体層と該第１
の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第３の半導体層とで
挟んでなる発光用積層部を備えた半導体レーザ素子にお
いて、前記発光用積層部の上にＳｉドープＧａＡｓコン
タクト層が形成されており、前記溝の側面部の内の少な
くとも１つ以上の面に対応する該コンタクト層の領域に
おける層厚方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を
示し、該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記
基板の表面に対応する該コンタクト層の領域がｎ型の導
電性を示す構成となっている。
【００２２】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくともＧａＡｓ層からなる。
層が、少なくともＧａＡｓ層からなる。
【００２３】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が少なくともＡｌＧａＡｓ層からなり、該ＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅が前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも
小さい。
層が少なくともＡｌＧａＡｓ層からなり、該ＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅が前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも
小さい。
【００２４】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層がＡｌＧａＡｓ層からなり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制
帯幅が、少なくとも前記第１の半導体層の禁制帯幅より
も大きく、かつ、前記第２の半導体層および第３の半導
体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい。
層がＡｌＧａＡｓ層からなり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制
帯幅が、少なくとも前記第１の半導体層の禁制帯幅より
も大きく、かつ、前記第２の半導体層および第３の半導
体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい。
【００２５】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくともＧａＡｓ層と、ＡｌＧａＡｓ層とから
なり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅が前記第１の半導体
層の禁制帯幅よりも大きく、かつ、前記第２の半導体層
および第３の半導体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さ
い。
層が、少なくともＧａＡｓ層と、ＡｌＧａＡｓ層とから
なり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅が前記第１の半導体
層の禁制帯幅よりも大きく、かつ、前記第２の半導体層
および第３の半導体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さ
い。
【００２６】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくとも第１のＡｌＧａＡｓ層と第２のＡｌＧ
ａＡｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯
幅は前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも小さく、該第
２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層お
よび第３の半導体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さ
い。
層が、少なくとも第１のＡｌＧａＡｓ層と第２のＡｌＧ
ａＡｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯
幅は前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも小さく、該第
２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層お
よび第３の半導体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さ
い。
【００２７】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくともＧａＡｓと、第１のＡｌＧａＡｓ層と
第２のＡｌＧａＡｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層および前記第３の
半導体層の禁制帯幅よりも大きく、該第２のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は該第２の半導体層および第３の半導体
層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい請求項１、２また
は３に記載の半導体レーザ素子。
層が、少なくともＧａＡｓと、第１のＡｌＧａＡｓ層と
第２のＡｌＧａＡｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層および前記第３の
半導体層の禁制帯幅よりも大きく、該第２のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は該第２の半導体層および第３の半導体
層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい請求項１、２また
は３に記載の半導体レーザ素子。
【００２８】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくともＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ層とからな
り、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層
および前記第３の半導体層の禁制帯幅よりも大きい。
層が、少なくともＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ層とからな
り、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層
および前記第３の半導体層の禁制帯幅よりも大きい。
【００２９】ある実施例では、前記Ｓｉドープ電流狭窄
層が、少なくとも第１のＡｌＧａＡｓ層と、第２のＡｌ
ＧａＡｓ層と第３のＡｌＧａＡｓ層とからなり、該第１
のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第１の半導体層の禁
制帯幅よりも小さく、該第２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯
幅は前記第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯
幅よりも大きく、該第３のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は
前記第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯幅と
同じかあるいは小さい。
層が、少なくとも第１のＡｌＧａＡｓ層と、第２のＡｌ
ＧａＡｓ層と第３のＡｌＧａＡｓ層とからなり、該第１
のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第１の半導体層の禁
制帯幅よりも小さく、該第２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯
幅は前記第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯
幅よりも大きく、該第３のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は
前記第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯幅と
同じかあるいは小さい。
【００３０】本発明の半導体レーザー素子の製造方法
は、少なくとも第１の半導体層からなる活性層の上下面
を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半
導体層と、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第
３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導
体レーザ素子の製造方法において、面方位が（１００）
の面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板の該表面に、少なく
とも２種類以上のエッチング液を用いてエッチングを行
うことにより、底面部と両側面部とを有する溝を、該底
面部を面方位（１００）の面とし、各側面部を溝深さ方
向に異なる面方位を有する２つ以上の面として形成する
工程と、該溝が形成された基板上に、Ｓｉドープ電流狭
窄層を、該側面部の内少なくとも１つ以上の面の上では
ｐ型の導電性を示し、該１つ以上の面以外の上ではｎ型
の導電性を示すように形成する工程と、該Ｓｉドープ電
流狭窄層の上に該発光用積層部を形成する工程と、を含
んでおり、そのことにより上記目的が達成される。
は、少なくとも第１の半導体層からなる活性層の上下面
を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の半
導体層と、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第
３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導
体レーザ素子の製造方法において、面方位が（１００）
の面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板の該表面に、少なく
とも２種類以上のエッチング液を用いてエッチングを行
うことにより、底面部と両側面部とを有する溝を、該底
面部を面方位（１００）の面とし、各側面部を溝深さ方
向に異なる面方位を有する２つ以上の面として形成する
工程と、該溝が形成された基板上に、Ｓｉドープ電流狭
窄層を、該側面部の内少なくとも１つ以上の面の上では
ｐ型の導電性を示し、該１つ以上の面以外の上ではｎ型
の導電性を示すように形成する工程と、該Ｓｉドープ電
流狭窄層の上に該発光用積層部を形成する工程と、を含
んでおり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３１】ある実施例では、前記発光用積層部が少な
くともＳｉドープＡｌＧａＡｓクラッド層を含み、前記
溝の側面部の内の少なくとも１つ以上の面に対応する該
クラッド層の領域における層厚方向の一部または全域部
がｐ型の導電性を示し、該溝の側面部の他の面および溝
の縁に連なる前記基板の表面に対応する該クラッド層の
領域がｎ型の導電性を示すように形成する。
くともＳｉドープＡｌＧａＡｓクラッド層を含み、前記
溝の側面部の内の少なくとも１つ以上の面に対応する該
クラッド層の領域における層厚方向の一部または全域部
がｐ型の導電性を示し、該溝の側面部の他の面および溝
の縁に連なる前記基板の表面に対応する該クラッド層の
領域がｎ型の導電性を示すように形成する。
【００３２】ある実施例では、前記発光用積層部の上
に、ＳｉドープＧａＡｓコンタクト層を形成する工程を
包含し、該コンタクト層の領域における層厚方向の一部
または全域部がｐ型の導電性を示し、該溝の側面部の他
の面および溝の縁に連なる前記基板の表面に対応する該
コンタクト層の領域がｎ型の導電性を示すように形成す
る。
に、ＳｉドープＧａＡｓコンタクト層を形成する工程を
包含し、該コンタクト層の領域における層厚方向の一部
または全域部がｐ型の導電性を示し、該溝の側面部の他
の面および溝の縁に連なる前記基板の表面に対応する該
コンタクト層の領域がｎ型の導電性を示すように形成す
る。
【００３３】
【作用】本発明の半導体レーザ素子においては、面方位
が（１００）である面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板の
表面に、底面部と両側面部とを有する溝が形成される。
溝の底面部の面方位は基板の表面の面方位と同じ（１０
０）とされ、溝の各側面部は、溝の深さ方向に異なる面
方位を有する２つ以上の面で形成される。
が（１００）である面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板の
表面に、底面部と両側面部とを有する溝が形成される。
溝の底面部の面方位は基板の表面の面方位と同じ（１０
０）とされ、溝の各側面部は、溝の深さ方向に異なる面
方位を有する２つ以上の面で形成される。
【００３４】この基板の上にＳｉドープ電流狭窄層が形
成されており、この電流狭窄層の溝の側面部の内少なく
とも１つ以上の面上に対応する領域はｐ型の導電性を示
し、他の面上に対応する領域はｎ型の導電性を示すよう
にできる。このため、電流注入幅を、この電流狭窄層の
ｐ型領域に限定することができる。
成されており、この電流狭窄層の溝の側面部の内少なく
とも１つ以上の面上に対応する領域はｐ型の導電性を示
し、他の面上に対応する領域はｎ型の導電性を示すよう
にできる。このため、電流注入幅を、この電流狭窄層の
ｐ型領域に限定することができる。
【００３５】さらに、電流狭窄層の上には、Ｓｉドープ
ＡｌＧａＡｓクラッド層を含む発光用積層部が形成され
ており、このクラッド層は、層厚方向の一部または全部
について、電流狭窄層のｐ型領域に対応する領域でｐ型
の導電性を示し、他の面上の領域ではｎ型の導電性を示
す。
ＡｌＧａＡｓクラッド層を含む発光用積層部が形成され
ており、このクラッド層は、層厚方向の一部または全部
について、電流狭窄層のｐ型領域に対応する領域でｐ型
の導電性を示し、他の面上の領域ではｎ型の導電性を示
す。
【００３６】また、発光用積層部の上には、Ｓｉドープ
ＧａＡｓコンタクト層が形成されており、このコンタク
ト層においても、その層厚方向の一部または全部につい
て、上記クラッド層のｐ型の導電性を示す領域に対応す
る領域がｐ型の導電性を示し、他の面上の領域ではｎ型
の導電性を示す。
ＧａＡｓコンタクト層が形成されており、このコンタク
ト層においても、その層厚方向の一部または全部につい
て、上記クラッド層のｐ型の導電性を示す領域に対応す
る領域がｐ型の導電性を示し、他の面上の領域ではｎ型
の導電性を示す。
【００３７】このクラッド層内およびコンタクト層内の
ｐ型領域により電流経路がさらに狭窄される。
ｐ型領域により電流経路がさらに狭窄される。
【００３８】発光部となる活性層の中央部は、エネルギ
ーギャップが大きく屈折率の小さいＡｌＧａＡｓクラッ
ド層で囲まれており、実屈折率導波構造となる。この活
性層の中央部は溝の底面部に対応して形成されるので平
坦となり、結晶性も良好である。
ーギャップが大きく屈折率の小さいＡｌＧａＡｓクラッ
ド層で囲まれており、実屈折率導波構造となる。この活
性層の中央部は溝の底面部に対応して形成されるので平
坦となり、結晶性も良好である。
【００３９】上記溝は、面方位（１００）の面を表面と
するｐ型ＧａＡｓ基板の表面に、２種類以上のエッチン
グ液を用いてエッチングを行うことにより形成すること
ができる。
するｐ型ＧａＡｓ基板の表面に、２種類以上のエッチン
グ液を用いてエッチングを行うことにより形成すること
ができる。
【００４０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図において、同様の機能を有する部分
は同一の番号で示す。
ながら説明する。図において、同様の機能を有する部分
は同一の番号で示す。
【００４１】（実施例１）図１（ｆ）に実施例１の半導
体レーザ素子の断面を示す。この半導体レーザ素子は、
面方位が（１００）であるｐ型ＧａＡｓ基板１の表面
に、深さ方向に面方位の異なる２つの面１００、１０１
で側面が形成された溝が設けられている。溝の２つの側
面１００、１０１の内、側面１００の面方位は（１１
１）Ａであり、側面１０１の面方位は（４１１）Ａであ
る。この溝は底面を有し、その面方位は（１００）であ
る。
体レーザ素子の断面を示す。この半導体レーザ素子は、
面方位が（１００）であるｐ型ＧａＡｓ基板１の表面
に、深さ方向に面方位の異なる２つの面１００、１０１
で側面が形成された溝が設けられている。溝の２つの側
面１００、１０１の内、側面１００の面方位は（１１
１）Ａであり、側面１０１の面方位は（４１１）Ａであ
る。この溝は底面を有し、その面方位は（１００）であ
る。
【００４２】この溝を埋めるようにして、基板１上に、
ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が形成されている。こ
の電流狭窄層２は、溝の側面１００上の領域ではｐ型の
導電性を示し、溝の側面１０１上、底面１０２上および
溝の外側の面１０３上の領域ではｎ型の導電性を示す。
ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が形成されている。こ
の電流狭窄層２は、溝の側面１００上の領域ではｐ型の
導電性を示し、溝の側面１０１上、底面１０２上および
溝の外側の面１０３上の領域ではｎ型の導電性を示す。
【００４３】Ｓｉドープ電流狭窄層２の上には、ｐ型Ａ
ｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えば、Ｘ＝０.５
０）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１
４）、ｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えば、Ｗ
＝０.５０）およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこの
順で積層形成されている。クラッド層３および５は、活
性層４よりも禁制帯幅の大きな材料で形成されており、
このクラッド層３、活性層４およびクラッド層５で発光
用積層部が構成されている。
ｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えば、Ｘ＝０.５
０）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１
４）、ｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えば、Ｗ
＝０.５０）およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこの
順で積層形成されている。クラッド層３および５は、活
性層４よりも禁制帯幅の大きな材料で形成されており、
このクラッド層３、活性層４およびクラッド層５で発光
用積層部が構成されている。
【００４４】そして、ｐ型基板１側にはｐ側電極１２が
形成され、ｎ型コンタクト層６側にはｎ側電極１３が形
成されている。このような半導体レーザ素子は、以下の
ようにして作製される。
形成され、ｎ型コンタクト層６側にはｎ側電極１３が形
成されている。このような半導体レーザ素子は、以下の
ようにして作製される。
【００４５】まず、図１（ａ）に示すように、ｐ型Ｇａ
Ａｓ基板１表面上にレジスト１１を塗布する。
Ａｓ基板１表面上にレジスト１１を塗布する。
【００４６】次に、図１（ｂ）に示すように、この基板
１のレジスト１１にホトリソグラフィー技術を用いて、
幅３μｍのストライプ１５を形成する。
１のレジスト１１にホトリソグラフィー技術を用いて、
幅３μｍのストライプ１５を形成する。
【００４７】続いて、この基板１のストライプ１５形成
位置に、２種類のエッチング液、例えば、２種類の硫酸
と過酸化水素水の混合液を用いて、図１（ｃ）に示すよ
うな、底面の面方位が（１００）であり、各側面が２つ
の面方位（１１１）Ａ、（４１１）Ａで構成されたＶ溝
を形成する。溝の形成が終わると、図１（ｄ）に示すよ
うに、レジスト１１を除去し、基板１を熱硫酸処理す
る。
位置に、２種類のエッチング液、例えば、２種類の硫酸
と過酸化水素水の混合液を用いて、図１（ｃ）に示すよ
うな、底面の面方位が（１００）であり、各側面が２つ
の面方位（１１１）Ａ、（４１１）Ａで構成されたＶ溝
を形成する。溝の形成が終わると、図１（ｄ）に示すよ
うに、レジスト１１を除去し、基板１を熱硫酸処理す
る。
【００４８】次に、図１（ｅ）に示すようにＭＢＥ装置
内で、厚み２μｍのＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２を
成長させる。先述したように、ＭＢＥ法において、面方
位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦３）である面上に、ｎ型ド
ーパントとしてＳｉをドープしたＧａＡｓを成長させる
と、成長過程でＡｓの付着が抑制されるので、半導体層
の導電性はｐ型に反転する。他方、面方位が（ｎ１１）
Ａ（ｎ≧４）である面や（１００）である面上では、こ
のような反転現象は見られず、この面上のＳｉドープ電
流狭窄層２の導電性はｎ型となる。他のドーパントを用
いた場合には、このような現象は見られない。
内で、厚み２μｍのＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２を
成長させる。先述したように、ＭＢＥ法において、面方
位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦３）である面上に、ｎ型ド
ーパントとしてＳｉをドープしたＧａＡｓを成長させる
と、成長過程でＡｓの付着が抑制されるので、半導体層
の導電性はｐ型に反転する。他方、面方位が（ｎ１１）
Ａ（ｎ≧４）である面や（１００）である面上では、こ
のような反転現象は見られず、この面上のＳｉドープ電
流狭窄層２の導電性はｎ型となる。他のドーパントを用
いた場合には、このような現象は見られない。
【００４９】図１８にＧａＡｓ基板の面方位が（ｎ１
１）Ａ（１≦ｎ≦３）の面上にＳｉドープＧａＡｓ層を
成長させた場合の、ＳｉドープＧａＡｓ層の導電性の基
板温度とＡｓの圧力に対する依存性を示す。この図に示
した例においては基板の温度条件を４００℃〜８００℃
までの間とした。 図から理解されるように、Ａｓの圧
力が低いほど、または基板温度が高いほど、Ｓｉドープ
ＧａＡｓ層の導電性はｐ型を示しやすく、７００℃以上
ではほとんどｐ型を示す。この理由としては、以下のよ
うなことが考えられる。
１）Ａ（１≦ｎ≦３）の面上にＳｉドープＧａＡｓ層を
成長させた場合の、ＳｉドープＧａＡｓ層の導電性の基
板温度とＡｓの圧力に対する依存性を示す。この図に示
した例においては基板の温度条件を４００℃〜８００℃
までの間とした。 図から理解されるように、Ａｓの圧
力が低いほど、または基板温度が高いほど、Ｓｉドープ
ＧａＡｓ層の導電性はｐ型を示しやすく、７００℃以上
ではほとんどｐ型を示す。この理由としては、以下のよ
うなことが考えられる。
【００５０】即ち、面方位が（ｎ１１）Ａ（１≦ｎ≦
３）である面は、１本の結合手を有するＧａで覆われて
おり、吸着したＡｓは付着係数が小さいので、不純物Ｓ
ｉはＧａと結合してＡｓ位置に入りやすい。また、基板
温度を上げたり、Ａｓ圧力を低くすると、さらにＡｓの
付着係数が減少してｐ型を示しやすくなる。
３）である面は、１本の結合手を有するＧａで覆われて
おり、吸着したＡｓは付着係数が小さいので、不純物Ｓ
ｉはＧａと結合してＡｓ位置に入りやすい。また、基板
温度を上げたり、Ａｓ圧力を低くすると、さらにＡｓの
付着係数が減少してｐ型を示しやすくなる。
【００５１】図１（ｅ）において、面方位が（１１１）
Ａである溝の側面１００上の電流狭窄層２（斜線部）は
ｐ型の導電性を示す。他方、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面１０１上、溝の底面１０２上および溝の外側
１０３上の電流狭窄層１１１、１１２、１１３はｎ型を
示す。従って、この半導体レーザ素子においては、面方
位が（１１１）Ａである側面１００上（斜線部１１０）
のみが電流経路となる。
Ａである溝の側面１００上の電流狭窄層２（斜線部）は
ｐ型の導電性を示す。他方、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面１０１上、溝の底面１０２上および溝の外側
１０３上の電流狭窄層１１１、１１２、１１３はｎ型を
示す。従って、この半導体レーザ素子においては、面方
位が（１１１）Ａである側面１００上（斜線部１１０）
のみが電流経路となる。
【００５２】なお、１本の結合手を有するＧａに吸着し
たＡｓの遊離しやすさは、ＳｉドープＧａＡｓ層の成長
条件に依存する。基板１の温度が比較的低温であり、Ａ
ｓフラックス量が多い条件下の成長では、Ａｓが遊離し
にくく、１本の結合手を有するＧａで覆われると、面方
位が（１１１）Ａや（３１１）Ａの面上の領域であって
もその領域はｎ型の導電性を示すことがある。よって、
適当な成長条件を選択することが必要となる。また、溝
深さ方向に異なる面方位を有する２つ以上の面は、少な
くとも１つ以上の面の上で形成されるＳｉドープＧａＡ
ｓ層がｐ型の導電性を示すものであれば、どのような組
み合わせであってもよく、例えば、（１１１）Ａ面と
（３１１）Ａ面との組み合わせや、（７５５）Ａ面と
（５１１）Ａ面との組み合わせであってもよく、また３
つ以上の面方位を有する面の組み合わせであってもよ
い。
たＡｓの遊離しやすさは、ＳｉドープＧａＡｓ層の成長
条件に依存する。基板１の温度が比較的低温であり、Ａ
ｓフラックス量が多い条件下の成長では、Ａｓが遊離し
にくく、１本の結合手を有するＧａで覆われると、面方
位が（１１１）Ａや（３１１）Ａの面上の領域であって
もその領域はｎ型の導電性を示すことがある。よって、
適当な成長条件を選択することが必要となる。また、溝
深さ方向に異なる面方位を有する２つ以上の面は、少な
くとも１つ以上の面の上で形成されるＳｉドープＧａＡ
ｓ層がｐ型の導電性を示すものであれば、どのような組
み合わせであってもよく、例えば、（１１１）Ａ面と
（３１１）Ａ面との組み合わせや、（７５５）Ａ面と
（５１１）Ａ面との組み合わせであってもよく、また３
つ以上の面方位を有する面の組み合わせであってもよ
い。
【００５３】ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２の成長
後、引き続き、この電流狭窄層２上にｐ型ＡｌXＧａ1-X
Ａｓクラッド層３、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４、ｎ型Ａ
ｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５およびｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層６を順次成長させる。
後、引き続き、この電流狭窄層２上にｐ型ＡｌXＧａ1-X
Ａｓクラッド層３、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４、ｎ型Ａ
ｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５およびｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層６を順次成長させる。
【００５４】上記ｎ型クラッド層５およびｎ型コンタク
ト層６のドーパントとしてはＳｎ等のｎ型ドーパントを
用いても良いが、基板１の温度を比較的低温にしてＡｓ
のフラックス量を多くすることにより、ｎ型の導電性を
示すように成長させることもできる。
ト層６のドーパントとしてはＳｎ等のｎ型ドーパントを
用いても良いが、基板１の温度を比較的低温にしてＡｓ
のフラックス量を多くすることにより、ｎ型の導電性を
示すように成長させることもできる。
【００５５】最後に、基板１側にｐ側電極１２を、コン
タクト層６側にｎ側電極１３を形成して図１（ｆ）に示
すような半導体レーザ素子を得る。
タクト層６側にｎ側電極１３を形成して図１（ｆ）に示
すような半導体レーザ素子を得る。
【００５６】この半導体レーザ素子においては、溝の形
成領域に対応する部分の活性層の中央部１１２が発光部
となる。この発光部はエネルギーギャップが大きく屈折
率の小さいＡｌＧａＡｓクラッド層３、５で囲まれてお
り、実屈折率導波構造となっている。さらに、電流経路
が図１（ｆ）に示す斜線部の幅に狭窄されているので、
従来の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減
させることができる。また、溝に、基板１の表面と同じ
面方位（１００）を有する底面部を設け、活性層の中央
部１１２がこの溝の底面部に対応するので、活性層の中
央部１１２の層厚が厚くなることがなく、結晶性に優
れ、基本横モード発振が得られ易い。
成領域に対応する部分の活性層の中央部１１２が発光部
となる。この発光部はエネルギーギャップが大きく屈折
率の小さいＡｌＧａＡｓクラッド層３、５で囲まれてお
り、実屈折率導波構造となっている。さらに、電流経路
が図１（ｆ）に示す斜線部の幅に狭窄されているので、
従来の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減
させることができる。また、溝に、基板１の表面と同じ
面方位（１００）を有する底面部を設け、活性層の中央
部１１２がこの溝の底面部に対応するので、活性層の中
央部１１２の層厚が厚くなることがなく、結晶性に優
れ、基本横モード発振が得られ易い。
【００５７】本実施例１の半導体レーザ素子を７８０ｎ
ｍ帯のＤＨ（ダブルヘテロ）構造として作製したとこ
ろ、閾値電流は１０ｍＡであった。
ｍ帯のＤＨ（ダブルヘテロ）構造として作製したとこ
ろ、閾値電流は１０ｍＡであった。
【００５８】（実施例２）図２に実施例２の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例２の半導体レーザ素子は、Ｓｉ
ドープ電流狭窄層７の構成以外は実施例１と同様であ
り、Ｓｉドープ電流狭窄層７以外の層については実施例
１と同じ番号を附して説明する。この半導体レーザ素子
のＳｉドープ電流狭窄層７は、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層
４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅の小さいＳ
ｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ（例えばＺ＝０.１０）から
なる。面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）
上のＳｉドープ電流狭窄層７はｐ型の導電性を示し、面
方位が（４１１）Ａである側面上、面方位が（１００）
である溝の底面上および溝の両外側の（１００）上の領
域のＳｉドープ電流狭窄層７はｎ型の導電性を示す。
ザ素子を示す。本実施例２の半導体レーザ素子は、Ｓｉ
ドープ電流狭窄層７の構成以外は実施例１と同様であ
り、Ｓｉドープ電流狭窄層７以外の層については実施例
１と同じ番号を附して説明する。この半導体レーザ素子
のＳｉドープ電流狭窄層７は、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層
４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅の小さいＳ
ｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ（例えばＺ＝０.１０）から
なる。面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）
上のＳｉドープ電流狭窄層７はｐ型の導電性を示し、面
方位が（４１１）Ａである側面上、面方位が（１００）
である溝の底面上および溝の両外側の（１００）上の領
域のＳｉドープ電流狭窄層７はｎ型の導電性を示す。
【００５９】本実施例２の半導体レーザ素子は電流狭窄
層７がＡｌＧａＡｓからなるので、実施例１の半導体レ
ーザ素子に比べ、活性層４で発光する光が電流狭窄層７
に吸収されるのを抑制することができる。よって、ｐ型
ＧａXＡｌ1-XＡｓクラッド層３を薄く形成して水平方向
の広がり電流を減少させることができるので、さらに閾
値電流を低減できる。
層７がＡｌＧａＡｓからなるので、実施例１の半導体レ
ーザ素子に比べ、活性層４で発光する光が電流狭窄層７
に吸収されるのを抑制することができる。よって、ｐ型
ＧａXＡｌ1-XＡｓクラッド層３を薄く形成して水平方向
の広がり電流を減少させることができるので、さらに閾
値電流を低減できる。
【００６０】（実施例３）図３に実施例３の半導体レー
ザ素子を示す。実施例１の半導体レーザー素子の基板と
同じ構成の基板１上にＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラ
ッド層（例えば、Ｐ＝０.５０）８、ｐ型ＡｌPＧａ1-P
Ａｓクラッド層３（例えば、Ｐ＝０.５０）、ＡｌYＧａ
1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型Ａ
ｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えば、Ｗ＝０.５０）
がこの順に積層形成され、Ｓｉドープクラッド層８がＳ
ｉドープ電流狭窄層の役目を果たす。このＳｉドープク
ラッド層８の禁制帯幅は活性層４よりも大きく、かつ、
ｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは同じかあ
るいは小さい。
ザ素子を示す。実施例１の半導体レーザー素子の基板と
同じ構成の基板１上にＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラ
ッド層（例えば、Ｐ＝０.５０）８、ｐ型ＡｌPＧａ1-P
Ａｓクラッド層３（例えば、Ｐ＝０.５０）、ＡｌYＧａ
1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型Ａ
ｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えば、Ｗ＝０.５０）
がこの順に積層形成され、Ｓｉドープクラッド層８がＳ
ｉドープ電流狭窄層の役目を果たす。このＳｉドープク
ラッド層８の禁制帯幅は活性層４よりも大きく、かつ、
ｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは同じかあ
るいは小さい。
【００６１】このＳｉドープクラッド層８において、面
方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上に形成
された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）
Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である溝の底
面上および溝の両外側の（１００）面上に形成された部
分はｎ型の導電性を示す。他の構造は実施例１と同様な
ものとすることができる。
方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上に形成
された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）
Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である溝の底
面上および溝の両外側の（１００）面上に形成された部
分はｎ型の導電性を示す。他の構造は実施例１と同様な
ものとすることができる。
【００６２】本実施例３の半導体レーザ素子は、屈折率
の大きい電流狭窄層（例えばＧａＡｓ層等）の代わり
に、屈折率が小さくエネルギーギャップの大きいＳｉド
ープＡｌPＧａ1-PＡｓクラッド層８により電流狭窄が行
われるので、基板１や屈折率の大きい電流狭窄層による
光吸収のない実屈折率導波構造ができる。よって、ｐ型
クラッド層３を薄く形成することができるので、水平方
向の広がり電流を低減することができる。このため、光
取り出し効率の向上を図ることができ、閾値電流を低減
できる。
の大きい電流狭窄層（例えばＧａＡｓ層等）の代わり
に、屈折率が小さくエネルギーギャップの大きいＳｉド
ープＡｌPＧａ1-PＡｓクラッド層８により電流狭窄が行
われるので、基板１や屈折率の大きい電流狭窄層による
光吸収のない実屈折率導波構造ができる。よって、ｐ型
クラッド層３を薄く形成することができるので、水平方
向の広がり電流を低減することができる。このため、光
取り出し効率の向上を図ることができ、閾値電流を低減
できる。
【００６３】（実施例４）図４に実施例４の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例４の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２、ＳｉドープＡｌP
Ｇａ1-PＡｓクラッド層８（例えば、Ｐ＝０.５０）、ｐ
型クラッド層ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えばＸ
＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝
０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５
（例えばＷ＝０.５）がこの順で積層形成されており、
他の構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じであ
る。Ｓｉドープ電流狭窄層２およびＳｉドープクラッド
層８の両方が電流狭窄層の役目を果たす。このＳｉドー
プクラッド層８は活性層４よりも禁制帯幅が大きく、か
つ、ｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５と禁制帯
幅が同じかあるいは小さい。
ザ素子を示す。本実施例４の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２、ＳｉドープＡｌP
Ｇａ1-PＡｓクラッド層８（例えば、Ｐ＝０.５０）、ｐ
型クラッド層ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えばＸ
＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝
０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５
（例えばＷ＝０.５）がこの順で積層形成されており、
他の構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じであ
る。Ｓｉドープ電流狭窄層２およびＳｉドープクラッド
層８の両方が電流狭窄層の役目を果たす。このＳｉドー
プクラッド層８は活性層４よりも禁制帯幅が大きく、か
つ、ｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５と禁制帯
幅が同じかあるいは小さい。
【００６４】これらＳｉドープ電流狭窄層２およびＳｉ
ドープクラッド層８において、面方位が（１１１）Ａで
ある溝の領域（斜線部）上に形成された部分はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の領域上、
面方位が（１００）である底面上および溝の両外側の面
方位（１００）の面上に形成された部分はｎ型の導電性
を示す。他の構造は実施例１と同様なものとすることが
できる。
ドープクラッド層８において、面方位が（１１１）Ａで
ある溝の領域（斜線部）上に形成された部分はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の領域上、
面方位が（１００）である底面上および溝の両外側の面
方位（１００）の面上に形成された部分はｎ型の導電性
を示す。他の構造は実施例１と同様なものとすることが
できる。
【００６５】本実施例４の半導体レーザ素子は、上記Ｓ
ｉドープ電流狭窄層２のみならず、Ｓｉドープクラッド
層８においても電流狭窄が行われるので、ｐ型クラッド
層３を薄く形成しても、基板１や電流狭窄層による光吸
収のない実屈折率導波構造ができる。よって、水平方向
の広がり電流が抑制され、閾値電流をさらに低減でき
る。
ｉドープ電流狭窄層２のみならず、Ｓｉドープクラッド
層８においても電流狭窄が行われるので、ｐ型クラッド
層３を薄く形成しても、基板１や電流狭窄層による光吸
収のない実屈折率導波構造ができる。よって、水平方向
の広がり電流が抑制され、閾値電流をさらに低減でき
る。
【００６６】（実施例５）図５に実施例５の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例５の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
にＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えばＺ
＝０.１０）、ＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラッド層
８（例えば、Ｐ＝０.５０）、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓク
ラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活
性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）がこの順で積
層形成されており、他の構造は実施例１の半導体レーザ
ー素子と同じである。
ザ素子を示す。本実施例５の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
にＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えばＺ
＝０.１０）、ＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラッド層
８（例えば、Ｐ＝０.５０）、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓク
ラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活
性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）がこの順で積
層形成されており、他の構造は実施例１の半導体レーザ
ー素子と同じである。
【００６７】この半導体レーザー素子においてはＳｉド
ープ電流狭窄層７およびＳｉドープクラッド層８の両方
が電流狭窄層の役目を果たす。Ｓｉドープ電流狭窄層７
はＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）
よりも禁制帯幅が小さく、Ｓｉドープクラッド層８はｐ
型クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは禁制帯幅が
同じかあるいは小さい。
ープ電流狭窄層７およびＳｉドープクラッド層８の両方
が電流狭窄層の役目を果たす。Ｓｉドープ電流狭窄層７
はＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）
よりも禁制帯幅が小さく、Ｓｉドープクラッド層８はｐ
型クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは禁制帯幅が
同じかあるいは小さい。
【００６８】これらＳｉドープ電流狭窄層７およびＳｉ
ドープクラッド層８において、面方位が（１１１）Ａで
ある溝の領域（斜線部）上に形成された部分はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の領域上、
面方位が（１００）である底面上および溝の両外側の面
方位（１００）の面上に形成された部分はｎ型の導電性
を示す。他の構造は実施例１と同様なものとすることが
できる。
ドープクラッド層８において、面方位が（１１１）Ａで
ある溝の領域（斜線部）上に形成された部分はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の領域上、
面方位が（１００）である底面上および溝の両外側の面
方位（１００）の面上に形成された部分はｎ型の導電性
を示す。他の構造は実施例１と同様なものとすることが
できる。
【００６９】本実施例５の半導体レーザ素子は、電流狭
窄層がＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７からな
るので、ｐ型クラッド層３を薄く形成しても、実施例４
の半導体レーザ素子に比べて、基板や電流狭窄層による
光吸収の少ない実屈折率導波構造ができる。よって、水
平方向の広がり電流が抑制され、閾値電流をさらに低減
できる。
窄層がＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７からな
るので、ｐ型クラッド層３を薄く形成しても、実施例４
の半導体レーザ素子に比べて、基板や電流狭窄層による
光吸収の少ない実屈折率導波構造ができる。よって、水
平方向の広がり電流が抑制され、閾値電流をさらに低減
できる。
【００７０】（実施例６）図６に実施例６の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例６の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
に、電流狭窄層としてのＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層
２、ＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込め層９（例え
ば、Ｑ＝０.６０）、ＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラ
ッド層８（例えばＰ＝０.５）、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ
クラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ
活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）がこの順で積
層形成されている。Ｓｉドープ光閉じ込め層９はｐ型ク
ラッド層３およびｎ型クラッド層５よりも禁制帯幅が大
きい。他の構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じ
である。
ザ素子を示す。本実施例６の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
に、電流狭窄層としてのＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層
２、ＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込め層９（例え
ば、Ｑ＝０.６０）、ＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓクラ
ッド層８（例えばＰ＝０.５）、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ
クラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ
活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）およびｎ型ＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）がこの順で積
層形成されている。Ｓｉドープ光閉じ込め層９はｐ型ク
ラッド層３およびｎ型クラッド層５よりも禁制帯幅が大
きい。他の構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じ
である。
【００７１】これらＳｉドープ電流狭窄層２、Ｓｉドー
プ光閉じ込め層９およびＳｉドープクラッド層８におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の面方位（１００）の面上
に形成された部分はｎ型の導電性を示す。他の構造は実
施例１と同様なものとすることができる。
プ光閉じ込め層９およびＳｉドープクラッド層８におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の面方位（１００）の面上
に形成された部分はｎ型の導電性を示す。他の構造は実
施例１と同様なものとすることができる。
【００７２】本実施例６の半導体レーザー素子では、上
記光閉じ込め層９が、クラッド層８よりも屈折率が小さ
く、エネルギーギャップが大きいので、基板１や電流狭
窄層による光吸収のない非常に優れた実屈折率を有する
導波構造ができる。よって、水平方向の広がり電流が抑
制され、光取り出し効率が向上するので、閾値電流をさ
らに低減できる。
記光閉じ込め層９が、クラッド層８よりも屈折率が小さ
く、エネルギーギャップが大きいので、基板１や電流狭
窄層による光吸収のない非常に優れた実屈折率を有する
導波構造ができる。よって、水平方向の広がり電流が抑
制され、光取り出し効率が向上するので、閾値電流をさ
らに低減できる。
【００７３】（実施例７）図７に実施例７の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例７の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
に、ＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えば
Ｚ＝０.１０）、ＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込
め層９（例えばＱ＝０.６０）、ＳｉドープＡｌPＧａ
1-PＡｓクラッド層８（例えばＰ＝０.５）、ｐ型ＡｌX
Ｇａ1-XＡｓクラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌY
Ｇａ1-YＡｓ活性層４（例えばＹ＝０.１４）およびｎ型
ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）が
この順に積層形成されている。Ｓｉドープ電流狭窄層７
は活性層４よりも禁制帯幅が小さく、Ｓｉドープ光閉じ
込め層９はｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５よ
りも禁制帯幅が大きい。Ｓｉドープクラッド層８はｐ型
クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは禁制帯幅が同
じかあるいは小さい。他の構造は実施例１の半導体レー
ザー素子と同じである。
ザ素子を示す。本実施例７の半導体レーザ素子は、実施
例１の半導体レーザー素子の基板と同じ構成の基板１上
に、ＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えば
Ｚ＝０.１０）、ＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込
め層９（例えばＱ＝０.６０）、ＳｉドープＡｌPＧａ
1-PＡｓクラッド層８（例えばＰ＝０.５）、ｐ型ＡｌX
Ｇａ1-XＡｓクラッド層３（例えばＸ＝０.５）、ＡｌY
Ｇａ1-YＡｓ活性層４（例えばＹ＝０.１４）およびｎ型
ＡｌWＧａ1-WＡｓクラッド層５（例えばＷ＝０.５）が
この順に積層形成されている。Ｓｉドープ電流狭窄層７
は活性層４よりも禁制帯幅が小さく、Ｓｉドープ光閉じ
込め層９はｐ型クラッド層３およびｎ型クラッド層５よ
りも禁制帯幅が大きい。Ｓｉドープクラッド層８はｐ型
クラッド層３およびｎ型クラッド層５とは禁制帯幅が同
じかあるいは小さい。他の構造は実施例１の半導体レー
ザー素子と同じである。
【００７４】これらＳｉドープ電流狭窄層７、Ｓｉドー
プ光閉じ込め層９およびＳｉドープクラッド層８におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の面方位（１００）の面上
に形成された部分はｎ型の導電性を示す。
プ光閉じ込め層９およびＳｉドープクラッド層８におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の面方位（１００）の面上
に形成された部分はｎ型の導電性を示す。
【００７５】上記Ｓｉドープ光閉じ込め層９は、Ｓｉド
ープクラッド層８よりも屈折率が小さく、エネルギーギ
ャップが大きいので、基板１や電流狭窄層による光吸収
が抑制された実屈折率導波構造ができる。
ープクラッド層８よりも屈折率が小さく、エネルギーギ
ャップが大きいので、基板１や電流狭窄層による光吸収
が抑制された実屈折率導波構造ができる。
【００７６】また、電流狭窄層７がＡｌＧａＡｓで形成
されているので、実施例６の半導体レーザ素子に比べ
て、さらに強力な実屈折率導波構造となる。
されているので、実施例６の半導体レーザ素子に比べ
て、さらに強力な実屈折率導波構造となる。
【００７７】よって、水平方向の広がり電流が抑制さ
れ、閾値電流が格段に低減できる。
れ、閾値電流が格段に低減できる。
【００７８】（実施例８）図８に実施例８の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例８の半導体レーザ素子は、基本
構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じであり、Ｇ
ａYＡｌ1-YＡｓ（例えばＹ＝０.１４）からなる活性層
４が量子井戸構造である点が異なる。活性層４とクラッ
ド層３および５との間には、ＧａQＡｌ1-QＡｓ（例えば
Ｑ＝０.３５）からなる光ガイド層（図示せず）が設け
られ、ＳＣＨ（ＳｅｐａｒａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎ
ｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）またはＧＲＩＮ
（Ｇｒａｄｅ Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ）−Ｓ
ＣＨ構造となっており、光を活性層４内に充分閉じ込め
ることができる。活性層４が量子井戸構造であるので、
さらに閾値電流を低減することができる。
ザ素子を示す。本実施例８の半導体レーザ素子は、基本
構造は実施例１の半導体レーザー素子と同じであり、Ｇ
ａYＡｌ1-YＡｓ（例えばＹ＝０.１４）からなる活性層
４が量子井戸構造である点が異なる。活性層４とクラッ
ド層３および５との間には、ＧａQＡｌ1-QＡｓ（例えば
Ｑ＝０.３５）からなる光ガイド層（図示せず）が設け
られ、ＳＣＨ（ＳｅｐａｒａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎ
ｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）またはＧＲＩＮ
（Ｇｒａｄｅ Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ）−Ｓ
ＣＨ構造となっており、光を活性層４内に充分閉じ込め
ることができる。活性層４が量子井戸構造であるので、
さらに閾値電流を低減することができる。
【００７９】また、Ｓｉドープ電流狭窄層２において、
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る側面上、面方位が（１００）である溝の底面上および
溝の両外側の面方位（１００）の面上の領域はｎ型の導
電性を示す。他の構造は実施例１と同様なものとするこ
とができる。
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る側面上、面方位が（１００）である溝の底面上および
溝の両外側の面方位（１００）の面上の領域はｎ型の導
電性を示す。他の構造は実施例１と同様なものとするこ
とができる。
【００８０】本実施例８の半導体レーザ素子は、閾値電
流が１ｍＡとなり、実施例１に比べて１／１０の値とす
ることができた。
流が１ｍＡとなり、実施例１に比べて１／１０の値とす
ることができた。
【００８１】本実施例８の半導体レーザー素子では、電
流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成したが、
実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成しても、基板や
電流狭窄層による光吸収のない非常に強力な実屈折率導
波構造とすることができる。
流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成したが、
実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成しても、基板や
電流狭窄層による光吸収のない非常に強力な実屈折率導
波構造とすることができる。
【００８２】（実施例９）図９に実施例９の半導体レー
ザ素子を示す。本実施例９の半導体レーザー素子は、６
６０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素子
に本発明を適用したものである。
ザ素子を示す。本実施例９の半導体レーザー素子は、６
６０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素子
に本発明を適用したものである。
【００８３】この半導体レーザ素子は、ｐ型ＧａＡｓ基
板１の（１００）面に、実施例１と同様な溝が形成さ
れ、この基板１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が
形成されている。このＳｉドープ電流狭窄層２におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の（１００）面上に形成さ
れた領域はｎ型の導電性を示す。
板１の（１００）面に、実施例１と同様な溝が形成さ
れ、この基板１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が
形成されている。このＳｉドープ電流狭窄層２におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の（１００）面上に形成さ
れた領域はｎ型の導電性を示す。
【００８４】Ｓｉドープ電流狭窄層２の上には、ｐ型
（ＡｌSＧａ1-S）TＩｎ1-TＰクラッド層３（例えばＳ＝
０.７０、Ｔ＝０.５１）、（ＡｌMＧａ1-M）NＩｎ1-NＰ
活性層４（例えば、Ｍ＝０、Ｎ＝０.５１）、ｎ型（Ａ
ｌUＧａ1-U）VＩｎ1-VＰクラッド層５（Ｕ＝０.７０、
Ｖ＝０.５１）およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこ
の順に積層形成されている。クラッド層３および５は、
活性層４よりも禁制帯幅の大きな材料から形成されてお
り、クラッド層３、活性層４およびクラッド層５が光発
光用の積層部となっている。
（ＡｌSＧａ1-S）TＩｎ1-TＰクラッド層３（例えばＳ＝
０.７０、Ｔ＝０.５１）、（ＡｌMＧａ1-M）NＩｎ1-NＰ
活性層４（例えば、Ｍ＝０、Ｎ＝０.５１）、ｎ型（Ａ
ｌUＧａ1-U）VＩｎ1-VＰクラッド層５（Ｕ＝０.７０、
Ｖ＝０.５１）およびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこ
の順に積層形成されている。クラッド層３および５は、
活性層４よりも禁制帯幅の大きな材料から形成されてお
り、クラッド層３、活性層４およびクラッド層５が光発
光用の積層部となっている。
【００８５】この半導体レーザ素子においては、活性層
４における平坦部が発光部となる。この発光部は、エネ
ルギーギャップが大きく屈折率の小さいクラッド層３、
５で囲まれており、実屈折率導波構造となっている。ま
た、電流経路が斜線部の幅に狭窄されているので、従来
の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減させ
ることができる。
４における平坦部が発光部となる。この発光部は、エネ
ルギーギャップが大きく屈折率の小さいクラッド層３、
５で囲まれており、実屈折率導波構造となっている。ま
た、電流経路が斜線部の幅に狭窄されているので、従来
の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減させ
ることができる。
【００８６】以上のような構造を６６０ｎｍ帯のＩｎＧ
ａＡｌＰ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られた。本実施例９の半導体レーザ素子は、発振
波長が６３３ｎｍ、閾値電流は１２ｍＡとなり、従来の
６６０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素
子の閾値電流を大幅に低減できた。
ａＡｌＰ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られた。本実施例９の半導体レーザ素子は、発振
波長が６３３ｎｍ、閾値電流は１２ｍＡとなり、従来の
６６０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素
子の閾値電流を大幅に低減できた。
【００８７】本実施例９の半導体レーザー素子において
は、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成し
たが、実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成しても、
基板や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力な実屈
折率導波構造とすることができる。
は、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成し
たが、実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成しても、
基板や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力な実屈
折率導波構造とすることができる。
【００８８】（実施例１０）図１０に実施例１０の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１０の半導体レーザー素
子は、４７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レ
ーザ素子に本発明を適用したものである。
体レーザ素子を示す。本実施例１０の半導体レーザー素
子は、４７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レ
ーザ素子に本発明を適用したものである。
【００８９】この半導体レーザ素子は、ｐ型ＧａＡｓ基
板１の（１００）面に、実施例１と同様な溝が形成さ
れ、この基板１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が
形成されている。このＳｉドープ電流狭窄層２におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の（１００）面上に形成さ
れた部分はｎ型の導電性を示す。
板１の（１００）面に、実施例１と同様な溝が形成さ
れ、この基板１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が
形成されている。このＳｉドープ電流狭窄層２におい
て、面方位が（１１１）Ａである溝の領域（斜線部）上
に形成された部分はｐ型の導電性を示し、面方位が（４
１１）Ａである溝の領域上、面方位が（１００）である
溝の底面上および溝の両外側の（１００）面上に形成さ
れた部分はｎ型の導電性を示す。
【００９０】Ｓｉドープ電流狭窄層２の上には、ｐ型Ｚ
ｎSＭｇ1-SＳTＳｅ1-Tクラッド層３（例えばＳ＝０.７
５、Ｔ＝０.４２）、ＺｎMＭｇ1-MＳNＳｅ1-N活性層４
（例えば、Ｍ＝１、Ｎ＝０）、ｎ型ＺｎUＭｇ1-UＳVＳ
ｅ1-Vクラッド層５（Ｕ＝０.７５、Ｖ＝０.４２）およ
びｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこの順に積層形成され
ている。
ｎSＭｇ1-SＳTＳｅ1-Tクラッド層３（例えばＳ＝０.７
５、Ｔ＝０.４２）、ＺｎMＭｇ1-MＳNＳｅ1-N活性層４
（例えば、Ｍ＝１、Ｎ＝０）、ｎ型ＺｎUＭｇ1-UＳVＳ
ｅ1-Vクラッド層５（Ｕ＝０.７５、Ｖ＝０.４２）およ
びｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がこの順に積層形成され
ている。
【００９１】クラッド層３および５は、活性層４よりも
禁制帯幅の大きな材料から形成されており、クラッド層
３、活性層４およびクラッド層５が発光用積層部となっ
ている。
禁制帯幅の大きな材料から形成されており、クラッド層
３、活性層４およびクラッド層５が発光用積層部となっ
ている。
【００９２】本実施例１０の半導体レーザ素子において
は、活性層４における平坦部が発光部となる。この発光
部はエネルギーギャップが大きく屈折率の小さいクラッ
ド層３、５で囲まれており、実屈折率導波構造となって
いる。また、電流経路が斜線部の幅に狭窄されるので、
従来の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減
させることができる。
は、活性層４における平坦部が発光部となる。この発光
部はエネルギーギャップが大きく屈折率の小さいクラッ
ド層３、５で囲まれており、実屈折率導波構造となって
いる。また、電流経路が斜線部の幅に狭窄されるので、
従来の半導体レーザ素子に比べて大幅に閾値電流を低減
させることができる。
【００９３】以上のような構造を４７０ｎｍ帯のＺｎＭ
ｇＳＳｅ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られる。本実施例１０の半導体レーザ素子は、発
振波長が４７８ｎｍ、閾値電流は２０ｍＡとなり、従来
の４７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レーザ
素子の閾値電流に比べて十分低い値が得られた。
ｇＳＳｅ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られる。本実施例１０の半導体レーザ素子は、発
振波長が４７８ｎｍ、閾値電流は２０ｍＡとなり、従来
の４７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レーザ
素子の閾値電流に比べて十分低い値が得られた。
【００９４】本実施例１０の半導体レーザー素子におい
て、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２
を形成したが、実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成
しても、基板および電流狭窄層による光吸収のない非常
に強力な実屈折率導波構造とすることができる。
て、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２
を形成したが、実施例２〜７と同様な電流狭窄層を形成
しても、基板および電流狭窄層による光吸収のない非常
に強力な実屈折率導波構造とすることができる。
【００９５】（実施例１１）図１１に実施例１１の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１１の半導体レーザ素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に、実施例１と
同様な溝が形成され、この溝を埋めるようにして、基板
１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が形成されてい
る。このＳｉドープ電流狭窄層２は、面方位が（１１
１）Ａである溝の側面１００上（斜線部）ではｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の側面１０
１、面方位が（１００）である溝の底面１０２および溝
の外側の面１０３上ではｎ型の導電性を示す。
体レーザ素子を示す。本実施例１１の半導体レーザ素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に、実施例１と
同様な溝が形成され、この溝を埋めるようにして、基板
１上にＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２が形成されてい
る。このＳｉドープ電流狭窄層２は、面方位が（１１
１）Ａである溝の側面１００上（斜線部）ではｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の側面１０
１、面方位が（１００）である溝の底面１０２および溝
の外側の面１０３上ではｎ型の導電性を示す。
【００９６】Ｓｉドープ電流狭窄層２の上には、ｐ型Ａ
ｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えば、Ｘ＝０.５
０）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１
４）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラッド層１０
（例えば、Ｌ＝０.５０）が積層形成され、発光用積層
部とされている。このＳｉドープクラッド層１０は、面
方位が（１１１）Ａである溝の側面１００上（斜線部）
に対応する領域の層厚方向の一部または全部においては
ｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の
側面１０１に対応する領域、面方位が（１００）である
溝の底面１０２に対応する領域および溝の外側の面１０
３に対応する領域上ではｎ型の導電性を示す。
ｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例えば、Ｘ＝０.５
０）、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１
４）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラッド層１０
（例えば、Ｌ＝０.５０）が積層形成され、発光用積層
部とされている。このＳｉドープクラッド層１０は、面
方位が（１１１）Ａである溝の側面１００上（斜線部）
に対応する領域の層厚方向の一部または全部においては
ｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の
側面１０１に対応する領域、面方位が（１００）である
溝の底面１０２に対応する領域および溝の外側の面１０
３に対応する領域上ではｎ型の導電性を示す。
【００９７】発光用積層部の上には、ｎ型ＧａＡｓコン
タクト層６が積層形成されている。さらに、ｐ型基板１
側にはｐ側電極１２が形成され、ｎ型コンタクト層６側
にはｎ側電極１３が形成されている。
タクト層６が積層形成されている。さらに、ｐ型基板１
側にはｐ側電極１２が形成され、ｎ型コンタクト層６側
にはｎ側電極１３が形成されている。
【００９８】本実施例１１の半導体レーザ素子において
は、Ｓｉドープクラッド層１０内で電流経路がｐ型導電
性の部分（斜線部）に狭窄され、横方向に流れる広がり
電流をさらに抑制できるので、実施例１の半導体レーザ
素子に比べて大幅に閾値電流を低減させることができ
る。ただし、Ｓｉドープ電流狭窄層１０内に形成される
ｐ型領域については、層厚方向全てにおいてｐ型とする
と、ヘテロ接合部にｐｎ接合が形成されるためリーク電
流が発生する場合もあるので、この場合には、図１１に
示したように溝の側面に対応して形成するｐ型領域を層
厚方向については一部の範囲にとどめればよい。
は、Ｓｉドープクラッド層１０内で電流経路がｐ型導電
性の部分（斜線部）に狭窄され、横方向に流れる広がり
電流をさらに抑制できるので、実施例１の半導体レーザ
素子に比べて大幅に閾値電流を低減させることができ
る。ただし、Ｓｉドープ電流狭窄層１０内に形成される
ｐ型領域については、層厚方向全てにおいてｐ型とする
と、ヘテロ接合部にｐｎ接合が形成されるためリーク電
流が発生する場合もあるので、この場合には、図１１に
示したように溝の側面に対応して形成するｐ型領域を層
厚方向については一部の範囲にとどめればよい。
【００９９】本実施例１０の半導体レーザ素子を７８０
ｎｍ帯のＤＨ構造として作製したところ、閾値電流５ｍ
Ａを得た。
ｎｍ帯のＤＨ構造として作製したところ、閾値電流５ｍ
Ａを得た。
【０１００】（実施例１２）図１２に実施例１２の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１２の半導体レーザ素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に実施例１と同
様な溝が形成され、この溝を埋めるようにして、基板１
上にＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えば
Ｚ＝０.１０）、ｐ型ＧａXＡｌ1-XＡｓクラッド層３、
ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）お
よびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラッド層１０（例え
ば、Ｌ＝０.５０）がこの順に形成されている。Ｓｉド
ープ電流狭窄層７は、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例え
ば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅が小さい。Ｓｉドー
プクラッド層１０上に形成されるコンタクト層１１ａは
ＳｉドープＧａＡｓからなる。
体レーザ素子を示す。本実施例１２の半導体レーザ素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に実施例１と同
様な溝が形成され、この溝を埋めるようにして、基板１
上にＳｉドープＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流狭窄層７（例えば
Ｚ＝０.１０）、ｐ型ＧａXＡｌ1-XＡｓクラッド層３、
ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）お
よびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラッド層１０（例え
ば、Ｌ＝０.５０）がこの順に形成されている。Ｓｉド
ープ電流狭窄層７は、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層４（例え
ば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅が小さい。Ｓｉドー
プクラッド層１０上に形成されるコンタクト層１１ａは
ＳｉドープＧａＡｓからなる。
【０１０１】これらＳｉドープ電流狭窄層７、Ｓｉドー
プクラッド層１０およびＳｉドープコンタクト層１１ａ
において、面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領
域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１
１）Ａである溝の側面上、面方位が（１００）である溝
の底面および溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示
す。他の構造は実施例１１と同様なものとすることがで
きる。
プクラッド層１０およびＳｉドープコンタクト層１１ａ
において、面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領
域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１
１）Ａである溝の側面上、面方位が（１００）である溝
の底面および溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示
す。他の構造は実施例１１と同様なものとすることがで
きる。
【０１０２】この半導体レーザ素子は、電流狭窄層７が
ＡｌＧａＡｓからなるので、実施例１１の半導体レーザ
素子に比べて、活性層４で発光する光が電流狭窄層に吸
収されるのを抑制することができる。よって、ｐ型Ｇａ
XＡｌ1-XＡｓクラッド層３を薄く形成して水平方向の広
がり電流を抑制することができるので、さらに閾値電流
を低減できる。
ＡｌＧａＡｓからなるので、実施例１１の半導体レーザ
素子に比べて、活性層４で発光する光が電流狭窄層に吸
収されるのを抑制することができる。よって、ｐ型Ｇａ
XＡｌ1-XＡｓクラッド層３を薄く形成して水平方向の広
がり電流を抑制することができるので、さらに閾値電流
を低減できる。
【０１０３】また、Ｓｉドープクラッド層１０内のみな
らず、コンタクト層１１ａ内でも電流経路がｐ型の部分
（斜線部）に狭窄され、横方向に流れる広がり電流をさ
らに低減できる。ただし、コンタクト層１１ａに形成さ
れるｐ型領域については、層厚方向全てにおいてｐ型と
すると、電極部からリーク電流が発生する場合もあるの
で、この場合には、図１２に示したように溝の側面に対
応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の範
囲にとどめればよい。
らず、コンタクト層１１ａ内でも電流経路がｐ型の部分
（斜線部）に狭窄され、横方向に流れる広がり電流をさ
らに低減できる。ただし、コンタクト層１１ａに形成さ
れるｐ型領域については、層厚方向全てにおいてｐ型と
すると、電極部からリーク電流が発生する場合もあるの
で、この場合には、図１２に示したように溝の側面に対
応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の範
囲にとどめればよい。
【０１０４】（実施例１３）図１３に実施例１３の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１３の半導体レーザ素子
は、Ｓｉドープ電流狭窄層１７としてＳｉドープＡｌＰ
Ｇａ1-KＡｓ（例えば、Ｋ＝０.５０）が形成されてい
る。このＳｉドープ電流狭窄層１７は、ＡｌYＧａ1-YＡ
ｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅が
大きく、かつ、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例
えば、Ｘ＝０.５０）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡ
ｓクラッド層１０（例えば、Ｌ＝０.５０）と禁制帯幅
が同じかあるいは小さい。このＳｉドープ電流狭窄層１
７の上に発光用積層部が形成されている。Ｓｉドープ電
流狭窄層１７、およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラ
ッド層１０の一部あるいは全部において、面方位が（１
１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の側面上、
面方位が（１００）である溝の底面上および溝の両外側
の（１００）面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただ
し、Ｓｉドープクラッド層１０内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテ
ロ接合部にｐｎ接合が形成されるためリーク電流が発生
する場合もあるので、この場合には、図１３に示したよ
うに溝の側面に対応して形成するｐ型領域を層厚方向に
ついては一部の範囲にとどめればよい。他の構造は実施
例１１と同様なものとすることができる。
体レーザ素子を示す。本実施例１３の半導体レーザ素子
は、Ｓｉドープ電流狭窄層１７としてＳｉドープＡｌＰ
Ｇａ1-KＡｓ（例えば、Ｋ＝０.５０）が形成されてい
る。このＳｉドープ電流狭窄層１７は、ＡｌYＧａ1-YＡ
ｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも禁制帯幅が
大きく、かつ、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３（例
えば、Ｘ＝０.５０）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡ
ｓクラッド層１０（例えば、Ｌ＝０.５０）と禁制帯幅
が同じかあるいは小さい。このＳｉドープ電流狭窄層１
７の上に発光用積層部が形成されている。Ｓｉドープ電
流狭窄層１７、およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡｓクラ
ッド層１０の一部あるいは全部において、面方位が（１
１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導
電性を示し、面方位が（４１１）Ａである溝の側面上、
面方位が（１００）である溝の底面上および溝の両外側
の（１００）面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただ
し、Ｓｉドープクラッド層１０内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテ
ロ接合部にｐｎ接合が形成されるためリーク電流が発生
する場合もあるので、この場合には、図１３に示したよ
うに溝の側面に対応して形成するｐ型領域を層厚方向に
ついては一部の範囲にとどめればよい。他の構造は実施
例１１と同様なものとすることができる。
【０１０５】本実施例１３の半導体レーザ素子において
は、例えばＧａＡｓ層等の屈折率の大きい電流狭窄層の
代わりに、屈折率が小さくエネルギーギャップの大きい
ＳｉドープＡｌKＧａ1-KＡｓ電流狭窄層１７により電流
狭窄が行われているので、基板１や屈折率の大きい電流
狭窄層による光吸収のない実屈折率導波構造が構成され
る。よって、光取り出し効率が向上し、閾値電流の低減
化を図ることができる。
は、例えばＧａＡｓ層等の屈折率の大きい電流狭窄層の
代わりに、屈折率が小さくエネルギーギャップの大きい
ＳｉドープＡｌKＧａ1-KＡｓ電流狭窄層１７により電流
狭窄が行われているので、基板１や屈折率の大きい電流
狭窄層による光吸収のない実屈折率導波構造が構成され
る。よって、光取り出し効率が向上し、閾値電流の低減
化を図ることができる。
【０１０６】（実施例１４）図１４に実施例１４の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１４の半導体レーザ素子
は、Ｓｉドープ電流狭窄層として、ＳｉドープＧａＡｓ
電流狭窄層２と、このＳｉドープＧａＡｓ層２上にＡｌ
YＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも
禁制帯幅が大きく、かつ、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッ
ド層３（例えばＸ＝０.５）およびＳｉドープＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層１０（例えばＷ＝０.５）と禁制帯幅
が同じかあるいは小さいＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓク
ラッド層８（例えば、Ｐ＝０.５０）が形成されてい
る。このＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２、Ｓｉドープ
クラッド層８、およびＳｉドープクラッド層１０の一部
あるいは全部においては、面方位が（１１１）Ａである
溝の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面
方位が（４１１）Ａである溝の側面上、面方位が（１０
０）面である溝の底面上および溝の両外側の（１００）
面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、Ｓｉドープ
クラッド層１０内に形成されるｐ型領域については、層
厚方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテロ接合部にｐｎ
接合が形成されるためリーク電流が発生する場合もある
ので、この場合には、図１４に示したように溝の側面に
対応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の
範囲にとどめればよい。他の構造は実施例１１と同様な
ものとすることができる。
体レーザ素子を示す。本実施例１４の半導体レーザ素子
は、Ｓｉドープ電流狭窄層として、ＳｉドープＧａＡｓ
電流狭窄層２と、このＳｉドープＧａＡｓ層２上にＡｌ
YＧａ1-YＡｓ活性層４（例えば、Ｙ＝０.１４）よりも
禁制帯幅が大きく、かつ、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッ
ド層３（例えばＸ＝０.５）およびＳｉドープＡｌWＧａ
1-WＡｓクラッド層１０（例えばＷ＝０.５）と禁制帯幅
が同じかあるいは小さいＳｉドープＡｌPＧａ1-PＡｓク
ラッド層８（例えば、Ｐ＝０.５０）が形成されてい
る。このＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２、Ｓｉドープ
クラッド層８、およびＳｉドープクラッド層１０の一部
あるいは全部においては、面方位が（１１１）Ａである
溝の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面
方位が（４１１）Ａである溝の側面上、面方位が（１０
０）面である溝の底面上および溝の両外側の（１００）
面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、Ｓｉドープ
クラッド層１０内に形成されるｐ型領域については、層
厚方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテロ接合部にｐｎ
接合が形成されるためリーク電流が発生する場合もある
ので、この場合には、図１４に示したように溝の側面に
対応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の
範囲にとどめればよい。他の構造は実施例１１と同様な
ものとすることができる。
【０１０７】本実施例１４の半導体レーザ素子は、上記
Ｓｉドープ電流狭窄層２のみならず、Ｓｉドープクラッ
ド層８においても電流狭窄が行われるので、ｐ型クラッ
ド層３を薄く形成しても、基板１や電流狭窄層による光
吸収が少ない実屈折率導波構造を形成できる。よって、
水平方向の広がり電流を抑制することができるので、閾
値電流がさらに低減できる。
Ｓｉドープ電流狭窄層２のみならず、Ｓｉドープクラッ
ド層８においても電流狭窄が行われるので、ｐ型クラッ
ド層３を薄く形成しても、基板１や電流狭窄層による光
吸収が少ない実屈折率導波構造を形成できる。よって、
水平方向の広がり電流を抑制することができるので、閾
値電流がさらに低減できる。
【０１０８】（実施例１５）図１５に実施例１５の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１５の半導体レーザ素子
は、電流狭窄層として、ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層
２とＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込め層９（例え
ば、Ｑ＝０.６０）が形成されている。この、Ｓｉドー
プ光閉じ込め層９はｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３
（例えばＸ＝０.５）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡ
ｓクラッド層１０（例えばＬ＝０.５）よりも禁制帯幅
が大きい。このＳｉドープ電流狭窄層２、Ｓｉドープ光
閉じ込め層９、およびＳｉドープクラッド層１０の一部
あるいは全部において、面方位が（１１１）Ａである溝
の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面方
位が（４１１）Ａである溝の側面上、面方位が（１０
０）である溝の底面上および溝の両外側の（１００）面
上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、Ｓｉドープク
ラッド層１０内に形成されるｐ型領域については、層厚
方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテロ接合部にｐｎ接
合が形成されるためリーク電流が発生する場合もあるの
で、この場合には、図１５に示したように溝の側面に対
応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の範
囲にとどめればよい。他の構造は実施例１１と同様なも
のとすることができる。
体レーザ素子を示す。本実施例１５の半導体レーザ素子
は、電流狭窄層として、ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層
２とＳｉドープＡｌQＧａ1-QＡｓ光閉じ込め層９（例え
ば、Ｑ＝０.６０）が形成されている。この、Ｓｉドー
プ光閉じ込め層９はｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓクラッド層３
（例えばＸ＝０.５）およびＳｉドープＡｌLＧａ1-LＡ
ｓクラッド層１０（例えばＬ＝０.５）よりも禁制帯幅
が大きい。このＳｉドープ電流狭窄層２、Ｓｉドープ光
閉じ込め層９、およびＳｉドープクラッド層１０の一部
あるいは全部において、面方位が（１１１）Ａである溝
の側面上の領域（斜線部）はｐ型の導電性を示し、面方
位が（４１１）Ａである溝の側面上、面方位が（１０
０）である溝の底面上および溝の両外側の（１００）面
上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、Ｓｉドープク
ラッド層１０内に形成されるｐ型領域については、層厚
方向全てにおいてｐ型とすると、ヘテロ接合部にｐｎ接
合が形成されるためリーク電流が発生する場合もあるの
で、この場合には、図１５に示したように溝の側面に対
応して形成するｐ型領域を層厚方向については一部の範
囲にとどめればよい。他の構造は実施例１１と同様なも
のとすることができる。
【０１０９】上記光閉じ込め層９は、ｐ型クラッド層３
よりも屈折率が小さく、エネルギーギャップが大きいの
で、基板１や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力
な実屈折率導波構造ができる。よって、水平方向の広が
り電流が抑制され、光取り出し効率の高効率化を図れる
ことができるので、閾値電流がさらに低減できる。
よりも屈折率が小さく、エネルギーギャップが大きいの
で、基板１や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力
な実屈折率導波構造ができる。よって、水平方向の広が
り電流が抑制され、光取り出し効率の高効率化を図れる
ことができるので、閾値電流がさらに低減できる。
【０１１０】（実施例１６）図１６に実施例１６の半導
体レーザ素子を示す。本実施例１６の半導体レーザー素
子は、６３０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レ
ーザ素子に本発明を適用したものである。
体レーザ素子を示す。本実施例１６の半導体レーザー素
子は、６３０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レ
ーザ素子に本発明を適用したものである。
【０１１１】この半導体レーザ素子は、発光用積層部の
上に形成されるコンタクト層１１ａが、ＳｉドープＧａ
Ａｓからなる。Ｓｉドープ電流狭窄層２、およびＳｉド
ープコンタクト層１１ａの一部あるいは全部において、
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面、面方位が（１００）である溝の底面および
溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、
Ｓｉドープコンタクト層１１ａ内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、電極
部からリーク電流が発生する場合もあるので、この場合
には、図１６に示したように溝の側面に対応して形成す
るｐ型領域を層厚方向については一部の範囲にとどめれ
ばよい。他の構造は実施例１１と同様なものとすること
ができる。
上に形成されるコンタクト層１１ａが、ＳｉドープＧａ
Ａｓからなる。Ｓｉドープ電流狭窄層２、およびＳｉド
ープコンタクト層１１ａの一部あるいは全部において、
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面、面方位が（１００）である溝の底面および
溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、
Ｓｉドープコンタクト層１１ａ内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、電極
部からリーク電流が発生する場合もあるので、この場合
には、図１６に示したように溝の側面に対応して形成す
るｐ型領域を層厚方向については一部の範囲にとどめれ
ばよい。他の構造は実施例１１と同様なものとすること
ができる。
【０１１２】以上のような構造を６３０ｎｍ帯のＩｎＧ
ａＡｌＰ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られた。本実施例１６の半導体レーザ素子は、発
振波長６３３ｎｍで閾値電流は１２ｍＡとなり、従来の
６３０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素
子の閾値電流を大幅に低減できた。
ａＡｌＰ系の半導体レーザ素子に適用しても、充分な効
果が得られた。本実施例１６の半導体レーザ素子は、発
振波長６３３ｎｍで閾値電流は１２ｍＡとなり、従来の
６３０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザ素
子の閾値電流を大幅に低減できた。
【０１１３】本実施例１６の半導体レーザー素子におい
て、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成し
たが、実施例１２〜１５と同様な電流狭窄層を形成して
も、基板１や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力
な実屈折率導波構造とすることができる。
て、電流狭窄層としてＳｉドープＧａＡｓ層２を形成し
たが、実施例１２〜１５と同様な電流狭窄層を形成して
も、基板１や電流狭窄層による光吸収のない非常に強力
な実屈折率導波構造とすることができる。
【０１１４】（実施例１７）実施例１７では、４７０ｎ
ｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レーザ素子に本発
明を適用したものを採用する。図１７に本実施例１７の
半導体レーザ素子を示す。
ｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系の青色半導体レーザ素子に本発
明を適用したものを採用する。図１７に本実施例１７の
半導体レーザ素子を示す。
【０１１５】この半導体レーザ素子は、発光用積層部の
上に形成されるコンタクト層１１ａが、ＳｉドープＧａ
Ａｓからなる。Ｓｉドープ電流狭窄層２、およびＳｉド
ープコンタクト層１１ａの一部あるいは全部において、
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面、面方位が（１００）である溝の底面および
溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、
Ｓｉドープコンタクト層１１ａ内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、電極
部からリーク電流が発生する場合もあるので、この場合
には、図１７に示したように溝の側面に対応して形成す
るｐ型領域を層厚方向については一部の範囲にとどめれ
ばよい。他の構造は実施例１１と同様なものとすること
ができる。
上に形成されるコンタクト層１１ａが、ＳｉドープＧａ
Ａｓからなる。Ｓｉドープ電流狭窄層２、およびＳｉド
ープコンタクト層１１ａの一部あるいは全部において、
面方位が（１１１）Ａである溝の側面上の領域（斜線
部）はｐ型の導電性を示し、面方位が（４１１）Ａであ
る溝の側面、面方位が（１００）である溝の底面および
溝の外側の面上の領域はｎ型の導電性を示す。ただし、
Ｓｉドープコンタクト層１１ａ内に形成されるｐ型領域
については、層厚方向全てにおいてｐ型とすると、電極
部からリーク電流が発生する場合もあるので、この場合
には、図１７に示したように溝の側面に対応して形成す
るｐ型領域を層厚方向については一部の範囲にとどめれ
ばよい。他の構造は実施例１１と同様なものとすること
ができる。
【０１１６】以上のような構造を４７０ｎｍ帯のＺｎＭ
ｇＳＳｅ系半導体レーザ素子に適用しても、充分な効果
が得られた。本実施例１７の半導体レーザ素子は、発振
波長４７８ｎｍで閾値電流は２０ｍＡとなり、従来の４
７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系青色半導体レーザ素子の
閾値電流を大幅に低減できた。
ｇＳＳｅ系半導体レーザ素子に適用しても、充分な効果
が得られた。本実施例１７の半導体レーザ素子は、発振
波長４７８ｎｍで閾値電流は２０ｍＡとなり、従来の４
７０ｎｍ帯のＺｎＭｇＳＳｅ系青色半導体レーザ素子の
閾値電流を大幅に低減できた。
【０１１７】本実施例１７においては、電流狭窄層とし
てＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２を形成したが、先述
の実施例１２〜１５で取り挙げたのと同様な電流狭窄層
を形成しても、基板１や電流狭窄層による光吸収が抑制
された、発光効率の高い実屈折率導波構造を得ることが
できる。
てＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層２を形成したが、先述
の実施例１２〜１５で取り挙げたのと同様な電流狭窄層
を形成しても、基板１や電流狭窄層による光吸収が抑制
された、発光効率の高い実屈折率導波構造を得ることが
できる。
【０１１８】以上の各実施例において、ＧａＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｌＰ、ＺｎＭｇＳＳｅの混晶比は適宜変更し
てもよい。また、半導体層の材料系も各実施例に示した
ものに限られず、ＧａＡｓ基板を用いる材料系であれ
ば、全ての半導体材料に適用することができる。例え
ば、ＡｌＧａＩｎＮ系、ＺｎＣｄＳＳｅ系、Ｃｕ（Ａｌ
Ｇａ）（ＳＳｅ）2等種々の材料系を用いることができ
る。また、化合物の組成比も適宜変更することができ
る。
ＩｎＧａＡｌＰ、ＺｎＭｇＳＳｅの混晶比は適宜変更し
てもよい。また、半導体層の材料系も各実施例に示した
ものに限られず、ＧａＡｓ基板を用いる材料系であれ
ば、全ての半導体材料に適用することができる。例え
ば、ＡｌＧａＩｎＮ系、ＺｎＣｄＳＳｅ系、Ｃｕ（Ａｌ
Ｇａ）（ＳＳｅ）2等種々の材料系を用いることができ
る。また、化合物の組成比も適宜変更することができ
る。
【０１１９】活性層は量子井戸構造としてもよく、発光
用積層部は光ガイド層を設けたＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔ
ｅ Ｃｏｎｆｉｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）構造やＧＲＩＮ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）−
ＳＣＨ構造としてもよい。
用積層部は光ガイド層を設けたＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔ
ｅ Ｃｏｎｆｉｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）構造やＧＲＩＮ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）−
ＳＣＨ構造としてもよい。
【０１２０】また、溝の形成時に用いられるエッチング
液の混合比も適宜変更してよく、アンモニアと過酸化水
素水の混合液等、他のエッチング液を用いたり、または
それらを組み合わせて用いてもよい。
液の混合比も適宜変更してよく、アンモニアと過酸化水
素水の混合液等、他のエッチング液を用いたり、または
それらを組み合わせて用いてもよい。
【０１２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体レーザー素子においては、電流注入領域を、基
板に形成された複数の面方位の側面部を有する溝の側面
部の内の少なくとも１つ以上の面上の領域に限定するこ
とができるので、水平方向の広がり電流を大幅に低減す
ることができる。光学特性的にも、活性層の中央部は、
エネルギーギャップが大きく屈折率の小さいＡｌＧａＡ
ｓクラッド層で囲まれているので、光損失の少ない実屈
折率導波型構造となる。よって、半導体レーザー素子の
光取り出し効率を高めて低閾値化を実現することができ
る。
の半導体レーザー素子においては、電流注入領域を、基
板に形成された複数の面方位の側面部を有する溝の側面
部の内の少なくとも１つ以上の面上の領域に限定するこ
とができるので、水平方向の広がり電流を大幅に低減す
ることができる。光学特性的にも、活性層の中央部は、
エネルギーギャップが大きく屈折率の小さいＡｌＧａＡ
ｓクラッド層で囲まれているので、光損失の少ない実屈
折率導波型構造となる。よって、半導体レーザー素子の
光取り出し効率を高めて低閾値化を実現することができ
る。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、実施例１の半導体レーザ素
子の製造工程を示す図である。
子の製造工程を示す図である。
【図２】実施例２の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図３】実施例３の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図４】実施例４の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図５】実施例５の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図６】実施例６の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図７】実施例７の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図８】実施例８の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図９】実施例９の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】実施例１０の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１１】実施例１１の半導体レーザ素子の製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図１２】実施例１２の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１３】実施例１３の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１４】実施例１４の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１５】実施例１５の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１６】実施例１６の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１７】実施例１７の半導体レーザ素子を示す断面図
である。
である。
【図１８】基板温度とＡｓ圧力とに対する導電性の依存
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１９】（ａ）〜（ｇ）は、従来の半導体レーザ素子
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ＳｉドープＧａＡｓ電流狭窄層 ３ ｐ型クラッド層 ４ 活性層 ５ ｎ型クラッド層 ６ ｎ型ＧａＡｓコンタクト層 ７、１７ ＳｉドープＡｌＧａＡｓ電流狭窄層 ８、１０ ＳｉドープＡｌＧａＡｓクラッド層 ９ ＳｉドープＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層 １１ レジスト １１ａ ＳｉドープＧａＡｓコンタクト層 １２ ｐ側電極 １３ ｎ側電極 １５ ストライプ １００ 側面 １０１ 側面 １０２ 低面 １０３ 溝の外側 １１０ 斜線部 １１１ 電流狭窄層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−196807（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−140715（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−90060（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−103989（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−120083（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (14)
- 【請求項１】 少なくとも第１の半導体層からなる活性
層を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の
半導体層と該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第
３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導
体レーザ素子において、 面方位が（１００）の面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板
の該表面に、底面部と両側面部を有する溝が形成されて
おり、該底面部の面方位は（１００）であり、各側面部
は該溝の深さ方向で面方位が異なる２つ以上の面として
形成されている基板上に、Ｓｉドープ電流狭窄層が、該
側面部の内少なくとも１つ以上の面の上ではｐ型の導電
性を示し、該１つ以上の面以外の上ではｎ型の導電性を
示すように形成され、該電流狭窄層の上に該発光用積層
部が形成された半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 少なくとも第１の半導体層からなる活性
層を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の
半導体層と該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第
３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導
体レーザ素子において、 前記発光用積層部が少なくともＳｉドープＡｌＧａＡｓ
クラッド層を含み、前記溝の側面部の内の少なくとも１
つ以上の面に対応する該クラッド層の領域における層厚
方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を示し、該溝
の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記基板の表面
に対応する該クラッド層の領域がｎ型の導電性を示す構
成となっている半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 少なくとも第１の半導体層からなる活性
層を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２の
半導体層と該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第
３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部を備えた半導
体レーザ素子において、 前記発光用積層部の上にＳｉドープＧａＡｓコンタクト
層が形成されており、前記溝の側面部の内の少なくとも
１つ以上の面に対応する該コンタクト層の領域における
層厚方向の一部または全域部分がｐ型の導電性を示し、
該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる前記基板の
表面に対応する該コンタクト層の領域がｎ型の導電性を
示す構成となっている半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なくと
もＧａＡｓ層からなる請求項１、２または３に記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が少なくとも
ＡｌＧａＡｓ層からなり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅
が前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも小さい請求項
１、２または３に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層がＡｌＧａＡ
ｓ層からなり、該ＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅が、少なく
とも前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも大きく、か
つ、前記第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯
幅と同じかあるいは小さい請求項１、２または３に記載
の半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なくと
もＧａＡｓ層と、ＡｌＧａＡｓ層とからなり、該ＡｌＧ
ａＡｓ層の禁制帯幅が前記第１の半導体層の禁制帯幅よ
りも大きく、かつ、前記第２の半導体層および第３の半
導体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい請求項１、２
または３に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項８】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なくと
も第１のＡｌＧａＡｓ層と第２のＡｌＧａＡｓ層とから
なり、該第１のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第１の
半導体層の禁制帯幅よりも小さく、該第２のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層および第３の半導
体層の禁制帯幅と同じかあるいは小さい請求項１、２ま
たは３に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項９】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なくと
もＧａＡｓと、第１のＡｌＧａＡｓ層と第２のＡｌＧａ
Ａｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅
は前記第２の半導体層および前記第３の半導体層の禁制
帯幅よりも大きく、該第２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅
は該第２の半導体層および第３の半導体層の禁制帯幅と
同じかあるいは小さい請求項１、２または３に記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項１０】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なく
ともＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ層とからなり、該ＡｌＧａ
Ａｓ層の禁制帯幅は前記第２の半導体層および前記第３
の半導体層の禁制帯幅よりも大きい請求項１、２または
３に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項１１】 前記Ｓｉドープ電流狭窄層が、少なく
とも第１のＡｌＧａＡｓ層と、第２のＡｌＧａＡｓ層と
第３のＡｌＧａＡｓ層とからなり、該第１のＡｌＧａＡ
ｓ層の禁制帯幅は前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも
小さく、該第２のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２
の半導体層および第３の半導体層の禁制帯幅よりも大き
く、該第３のＡｌＧａＡｓ層の禁制帯幅は前記第２の半
導体層および第３の半導体層の禁制帯幅と同じかあるい
は小さい請求項１、２または３に記載の半導体レーザ素
子。 - 【請求項１２】 少なくとも第１の半導体層からなる活
性層の上下面を、該第１の半導体層よりも禁制帯幅の大
きい第２の半導体層と、該第１の半導体層よりも禁制帯
幅の大きい第３の半導体層とで挟んでなる発光用積層部
を備えた半導体レーザ素子の製造方法において、 面方位が（１００）の面を表面とするｐ型ＧａＡｓ基板
の該表面に、少なくとも２種類以上のエッチング液を用
いてエッチングを行うことにより、底面部と両側面部と
を有する溝を、該底面部を面方位（１００）の面とし、
各側面部を溝深さ方向に異なる面方位を有する２つ以上
の面として形成する工程と、 該溝が形成された基板上に、Ｓｉドープ電流狭窄層を、
該側面部の内少なくとも１つ以上の面の上ではｐ型の導
電性を示し、該１つ以上の面以外の上ではｎ型の導電性
を示すように形成する工程と、 該Ｓｉドープ電流狭窄層の上に該発光用積層部を形成す
る工程と、 を含む半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記発光用積層部が少なくともＳｉド
ープＡｌＧａＡｓクラッド層を含み、前記溝の側面部の
内の少なくとも１つ以上の面に対応する該クラッド層の
領域における層厚方向の一部または全域部がｐ型の導電
性を示し、該溝の側面部の他の面および溝の縁に連なる
前記基板の表面に対応する該クラッド層の領域がｎ型の
導電性を示すように形成する請求項１２に記載の半導体
レーザ素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記発光用積層部の上に、Ｓｉドープ
ＧａＡｓコンタクト層を形成する工程を包含し、 該コンタクト層の領域における層厚方向の一部または全
域部がｐ型の導電性を示し、該溝の側面部の他の面およ
び溝の縁に連なる前記基板の表面に対応する該コンタク
ト層の領域がｎ型の導電性を示すように形成する請求項
１２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31561793A JP3160138B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-12-15 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-103312 | 1993-04-28 | ||
| JP10331293 | 1993-04-28 | ||
| JP31561793A JP3160138B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-12-15 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715088A JPH0715088A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3160138B2 true JP3160138B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=26443955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31561793A Expired - Fee Related JP3160138B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-12-15 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160138B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531955B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2010-08-25 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP31561793A patent/JP3160138B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715088A (ja) | 1995-01-17 |
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