JP3154145U - 電極構造 - Google Patents

電極構造 Download PDF

Info

Publication number
JP3154145U
JP3154145U JP2009005011U JP2009005011U JP3154145U JP 3154145 U JP3154145 U JP 3154145U JP 2009005011 U JP2009005011 U JP 2009005011U JP 2009005011 U JP2009005011 U JP 2009005011U JP 3154145 U JP3154145 U JP 3154145U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
comb
bus bar
width
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2009005011U
Other languages
English (en)
Inventor
許國強
戴▲ゆ▼▲えい▼
陳永芳
呉孟修
Original Assignee
新日光能源科技股▼分▲有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新日光能源科技股▼分▲有限公司 filed Critical 新日光能源科技股▼分▲有限公司
Application granted granted Critical
Publication of JP3154145U publication Critical patent/JP3154145U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433Particular geometry of the grid contacts
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】光に対する低遮蔽率の特性と低抵抗の特性を併せ持つことで、光電変換効率を高める太陽電池の電極構造を提供する。【解決手段】電極構造2は太陽電池Aの基板21に設けられ、電極構造2は複数のバスバー電極22及び複数のくし型電極23を備える。バスバー電極22は、間隔をおいて基板21上に設置される。くし型電極23は、バスバー電極22の両側に設けられ、くし型電極23は、第一端231と第二端232を有する。第一端231の幅は第二端232の幅より広く、くし型電極23の第一端231は、バスバー電極22の中の1本に連結される。【選択図】図2

Description

本考案は、太陽電池の電極構造に関する。
シリコンは、各種半導体産業において、最も重要且つ広く使用されている電子材料である。現在、シリコンウェハーの生産は、すでに成熟した技術であり、さらに、シリコンのエネルギーギャップが太陽光を吸収するのに適していることにより、シリコン太陽電池は、現在最も広く使用される太陽電池である。一般に、単結晶シリコン、又は多結晶シリコン太陽電池の構造は、表面電極(Conducting grid)、反射防止膜(Anti-reflective layer)、N型とP型半導体層及び裏面電極(Back contact electrode)等のいくつかの層を有している。
P型とN型半導体層が互いに接触すると、N型半導体層内の電子は、P型半導体層内に流れ込んで、その中の正孔に嵌まり込む。P−N接触面付近では、電子−正孔の結合によりキャリアの空乏層が形成され、P型とN型半導体層がそれぞれ負、正の電荷を帯びることにより内蔵電場が形成される。太陽光によってこのP−N構造が照射されると、P型とN型半導体層が太陽光を吸収して電子−正孔対を発生させる。空乏層によって提供される内蔵電場が、半導体内に発生した電子を電池内で流動させ、電極によって電子が引き出されることで、太陽エネルギー電池が形成される。
表面電極の材料は、一般に、ニッケル、銀、アルミ、銅及びパラジウム等の金属が組み合わさったものである。さらに、充分な電子量を伝導させるために、前記電極と基板の間には充分な大きさの接触面積を必要とする。しかしながら、太陽の入射光において、表面電極による遮蔽率を低くするために、基板を覆う表面電極の面積は、できるだけ小さくしなければならない。このように、表面電極の構造の設計から言えば、表面電極は、低抵抗であると同時に光に対して低遮蔽率であるという特性を有する必要がある。このために、現在の表面電極は、主に、バスバー電極(bus bar)と、くし型電極(finger)の二つから成る構造になっている。バスバー電極の断面積は、くし型電極の断面積より大きい。つまり、バスバー電極は木の主幹のようなもので、くし型電極は木の枝が電池表面の各所に分散しているようなものである。これにより、電子は、くし型電極によってバスバー電極に集められ、バスバー電極によって外部負荷に送られる。言い換えれば、断面積が大きいバスバー電極は電子の流量を高め、断面積が小さいくし型電極は光の遮蔽率を下げるのである。
図1は、従来の太陽電池の電極構造1を示した図である。半導体基板11には、2本のバスバー電極12及び複数のくし型電極13が設けられている。半導体内で発生する電子は、くし型電極13によってバスバー電極12に伝導され、さらに、バスバー電極12が電子を引き出すことで、電気エネルギーを外部負荷に供給する。
単結晶シリコン太陽電池の光電変換効率の理論値は最高27%に達する。しかし、研究開発段階では、約24%で、製品の商品化になると約12〜14%に過ぎない。したがって、本考案は、光に対する低遮蔽率の特性と低抵抗の特性を併せ持つことで、光電変換効率を高めた電極構造を提供することを課題とする。
上記目的を達成するため、本考案の電極構造は、太陽電池の基板に設けられたバスバー電極及びくし型電極を備える。前記くし型電極は、前記バスバー電極の両側に設けられる。前記くし型電極は、第一端と第二端を有する。前記第一端の幅は前記第二端の幅より広い。さらに、前記第一端は、前記バスバー電極と連結する。
前記くし型電極は、前記第一端から前記第二端に収斂される形状を有することが望ましい。
太陽電池の電気的特性が、表面電極の光の遮蔽率及び抵抗値に大きく関係するので、従来の技術においては、くし型電極の幅を縮小することで、光の遮蔽率を低くした。しかしながら、くし型電極の幅が一定の幅まで縮小されたとき、電子が小さい伝導路を流れることで抵抗値が高くなる現象が発生し、電子が伝導する過程で電気エネルギーの消耗(例えば、電気抵抗値が高すぎることで電気エネルギーが熱エネルギーに変換されて、外界に散逸する)が生じる。逆に、電子が伝導される過程において、抵抗値が高いことによる電気エネルギーの消耗が発生するのを回避するため、くし型電極の幅を広くする必要がある。しかしながら、このようなくし型電極構造は、光の遮蔽率を高くする。これに鑑みて、本考案の電極構造は、くし型電極の第一端の幅が第二端の幅より広く設計されている。このように、くし型電極の形状を変更し、くし型電極の第一端の幅を第二端より広くすることにより、効果的に電子流動時に受ける抵抗を低くすることができる。従来の技術と比較したとき、本考案は、くし型電極の構造変更によって低遮蔽率及び低抵抗値の特性を同時に兼ね備え、効果的に太陽電池全体の光電変換効率を高めることができる。
本考案は、くし型電極の構造変更によって、低遮蔽率及び低抵抗値の特性を同時に兼ね備え、効果的に太陽電池全体の光電変換効率を高めることができる。
従来の電極構造を示す図。 本考案の電極構造を示す図。 本考案の電極構造の変形例を示す図。
以下、図を参照しながら、本考案の好適な実施形態における電極構造について説明する。
図2は、本考案の電極構造2を示す。この電極構造2は、太陽電池Aの基板21上に設けられる。電極構造2は、複数のバスバー電極22及び複数のくし型電極23を備える。
太陽電池Aの基板21は、半導体基板又は光電変換基板である。半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、又はガリウム砒素基板等である。基板21が、例えば半導体基板である時、N型半導体層(図示せず)及びP型半導体層(図示せず)を有する。
バスバー電極22は、間隔をおいて互いに平行に基板21上に設けられる。バスバー電極22は、いずれも外部負荷(図示せず)に連結される。本実施形態において、電極構造2は、2本のバスバー電極22を有する場合を例とするが、バスバー電極22の本数を増減させることが可能である。
くし型電極23は、基板21のN型半導体層の表面に設けられる。くし型電極23は、第一端231と第二端232を有する。このうち、第一端231の幅d1は、第二端232の幅d2より広い。そして、くし型電極23は、その第一端231によって2本のバスバー電極22のうちの1本に連結される。くし型電極23とバスバー電極22は、垂直に基板21上に配置される。また、本実施形態において、くし型電極23の形状は台形を例としているが、この形状に制限されるものではない。
次に、電子流動の観点から説明する。基板21が太陽光線を受けると、基板21に入射された光線は、光電変換反応により、基板21内で変換されて大量の電子を放出する。これらの電子が基板21の表面に達すると、基板21表面に分布するくし型電極23によって電子が集められる。くし型電極23中の第一端231の幅d1が第二端232の幅d2より広く、くし型電極23は、第一端231から第二端232にかけて、なめらかに連続して収斂される構造である。このため、くし型電極23に進入した電子は、抵抗が小さい状態で、第二端232から第一端231に流れる。続いて、くし型電極23とバスバー電極22がくし型電極23の第一端231を介して連結しているので、くし型電極23に進入した電子は、第二端232から第一端231に流れた後、第一端231によってバスバー電極22に集められる。続いて、バスバー電極22が外部負荷に連結されているので、光電変換反応によって発生した電子が外部負荷に送られる。
くし型電極23が、基板21の表面に設けられるが、光の遮蔽率を低くするために、くし型電極23の幅は広くない方がよい。さらに、電極構造2は、設計上、バスバー電極22の幅が、明らかにくし型電極23の幅より広い。例えば、ここで開示されるバスバー電極22の幅d3は2mmであり、それに対応するくし型電極23の第一端231の幅d1は60μmから110μmであり、第二端232の幅d2は40μmから100μmである。このため、バスバー電極22の抵抗値は、明らかにくし型電極23の抵抗値より小さい。また、電子は、くし型電極23の第二端232から第一端231の方向に流れ、第一端231からバスバー電極22に進入する。
上述したくし型電極23の第一端231と第二端232の幅の差は、電子がくし型電極23内で受ける抵抗を低くするために、5μmから70μmの範囲でなければならない。この構造設計により、電子の流動速度は速くなる。他の実施形態において、電極構造は、必要に応じてバスバー電極の本数を変更することが可能である。例えば、電極構造は、1本のバスバー電極、又は、3本のバスバー電極、又は、さらに多くのバスバー電極を備えることが可能である。同じ大きさの基板では、バスバー電極の本数が2本より多い場合、その幅はおそらく2mmより狭い(例えば、可能な幅は1.5mm、又はさらに狭い)。当然、バスバー電極の数量が2本より少ない場合、その幅はおそらく2mmより広い(例えば、可能な幅は2.5mm、又はさらに広い)。このように、電極構造におけるバスバー電極の本数及び幅は、ニーズに応じて必要な本数及び幅にすることができる。
次に、くし型電極23の変形例について、図3を参照して説明する。くし型電極23の外辺は、内向湾曲線、外向湾曲線、直線又は斜線であり、くし型電極23は、このうちのいずれか2本の線が組み合わさった形状である。例えば、2本の内向湾曲線、2本の外向湾曲線、1本の直線と1本の斜線、1本の直線と1本の内向湾曲線、又は、1本の直線と1本の外向湾曲線の組み合わせである。
本考案では、同時に、太陽電池も提供する。太陽電池は、基板とその表面に設けられた電極構造を備える。電極構造は、複数のバスバー電極及び複数のくし型電極を備える。バスバー電極は、間隔をおいて基板上に設けられる。くし型電極はバスバー電極の両側に設けられる。くし型電極は、第一端と第二端を有する。第一端の幅は第二端の幅より広い。さらに、くし型電極の第一端は、バスバー電極のうちの1本と連結される。この太陽電池における基板、バスバー電極及びくし型電極は、すでに上述の実施形態において開示されているため、ここでは詳述しない。
太陽電池の電気的特性が、表面電極の光の遮蔽率及び抵抗値に大きく関係するので、従来の技術においては、くし型電極の幅を縮小することで、光の遮蔽率を低くした。しかしながら、くし型電極の幅が一定の幅まで縮小されたとき、電子が小さい伝導路を流れることで抵抗値が高くなる現象が発生し、電子が伝導する過程で電気エネルギーの消耗(例えば、電気抵抗値が高すぎることで電気エネルギーが熱エネルギーに変換されて、外界に散逸する)が生じる。逆に、電子が伝導される過程において、抵抗値が高いことによる電気エネルギーの消耗が発生するのを回避するため、くし型電極の幅を広くする必要がある。しかしながら、このようなくし型電極構造は、光の遮蔽率を高くする。これに鑑みて、本考案の太陽電池は、くし型電極の第一端の幅が第二端の幅より広く設計されている。このように、くし型電極の形状を変更し、くし型電極の第一端の幅を第二端より広くすることにより、効果的に電子流動時に受ける抵抗を低くすることができる。従来の技術と比較したとき、本考案は、くし型電極の構造変更によって低遮蔽率及び低抵抗値の特性を同時に兼ね備え、効果的に太陽電池全体の光電変換効率を高めることができる。
以上、本考案の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施形態に限られるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲の設計変更などがあっても、本考案に含まれる。
1 電極構造
11 基板
12 バスバー電極
13 くし型電極
2 電極構造
21 基板
22 バスバー電極
23 くし型電極
231 第一端
232 第二端
A 太陽電池

Claims (5)

  1. 太陽電池の基板に設けられた電極構造であって、
    前記基板上に設けられたバスバー電極と、
    前記バスバー電極の両側に設けられたくし型電極と、を備え、
    前記くし型電極は、第一端と第二端を有し、
    前記第一端の幅は前記第二端の幅より広く、
    前記第一端は前記バスバー電極と連結していることを特徴とする電極構造。
  2. 前記各くし型電極は、前記第一端から前記第二端に収斂される形状を有することを特徴とする請求項1に記載の電極構造。
  3. 前記くし型電極は、台形の形状を有することを特徴とする請求項2に記載の電極構造。
  4. 前記第一端の幅は60μmから110μmであり、前記第二端の幅は40μmから100μmであることを特徴とする請求項1に記載の電極構造。
  5. 前記第一端の幅と前記第二端の幅の差は、5μmから70μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の電極構造。
JP2009005011U 2009-02-11 2009-07-17 電極構造 Expired - Lifetime JP3154145U (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW98201970U TWM361106U (en) 2009-02-11 2009-02-11 Electrode structure and solar cell applying the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3154145U true JP3154145U (ja) 2009-10-08

Family

ID=42199327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009005011U Expired - Lifetime JP3154145U (ja) 2009-02-11 2009-07-17 電極構造

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2219226A3 (ja)
JP (1) JP3154145U (ja)
TW (1) TWM361106U (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011176010A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2012073802A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
WO2013099039A1 (ja) * 2011-12-29 2013-07-04 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
WO2013136436A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2013136433A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2014127507A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Kyocera Corp 光電変換素子

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5479222B2 (ja) * 2010-05-25 2014-04-23 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
WO2012002136A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of power storage device
TWI463683B (zh) * 2010-07-09 2014-12-01 Sakamoto Jun A panel, a panel manufacturing method, a solar cell module, a printing apparatus, and a printing method
TWI427812B (zh) * 2010-12-31 2014-02-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
WO2013042417A1 (ja) * 2011-09-23 2013-03-28 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池
WO2013046324A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 三洋電機株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
TWI643352B (zh) * 2012-05-30 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 光電電池
US20140090702A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Suniva, Inc. Bus bar for a solar cell
JP6273583B2 (ja) 2012-11-30 2018-02-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池
TWI496302B (zh) * 2013-01-31 2015-08-11 Motech Ind Inc 太陽能電池
CN103545388A (zh) * 2013-11-15 2014-01-29 英利能源(中国)有限公司 太阳能电池板组件
WO2015172823A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 Applied Materials Italia S.R.L. Solar cell device and method for producing a solar cell device
KR102459719B1 (ko) * 2017-06-14 2022-10-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법
JP1695074S (ja) 2020-09-25 2021-09-21

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283736A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Sharp Corp 太陽電池
KR100366349B1 (ko) * 2001-01-03 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
JP4429306B2 (ja) * 2006-12-25 2010-03-10 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011176010A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2012073802A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
JP2012119394A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
WO2013099039A1 (ja) * 2011-12-29 2013-07-04 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
JPWO2013099039A1 (ja) * 2011-12-29 2015-04-30 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
WO2013136436A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2013136433A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2014127507A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Kyocera Corp 光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2219226A2 (en) 2010-08-18
EP2219226A3 (en) 2015-10-14
TWM361106U (en) 2009-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3154145U (ja) 電極構造
JP3168227U (ja) 太陽電池の電極構造
US20140196768A1 (en) Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9960302B1 (en) Cascaded photovoltaic structures with interdigitated back contacts
EP3588585B1 (en) P-type perc double-sided solar cell, assembly thereof, system thereof and preparation method therefor
CN102347388B (zh) 太阳能电池模块
US10763377B2 (en) Bifacial P-type PERC solar cell and module, system, and preparation method thereof
JP2017534184A (ja) 2層光発電デバイス
JP2020506528A (ja) P型perc両面受光型太陽電池及びそのモジュール、システム並びに製造方法
JP6815533B2 (ja) 穿孔perc両面太陽電池およびそのモジュール、システムと製造方法
CN102983179A (zh) 太阳能电池片的上下式电极结构
KR101125435B1 (ko) Mwt형 태양전지
US20150129022A1 (en) Back contact solar cell
CN211295118U (zh) 一种双面钝化晶体硅太阳能电池
CN201444480U (zh) 太阳能电池
KR20120116120A (ko) 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터
JP2018536292A (ja) 裏面接合型太陽電池基板、その製造方法及び裏面接合型太陽電池
JP2013123054A (ja) 太陽電池
JP2014029934A (ja) 補助バスバー電極を備える太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN202712196U (zh) 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构
JP2017069462A (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
JP3198451U (ja) 4本バスバー太陽電池
CN106910785A (zh) 双面太阳能电池组件及***
CN104319297A (zh) 一种太阳能电池片
KR100322709B1 (ko) 자체전압인가형태양전지및그태양전지를채용한모듈

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3154145

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120909

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120909

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130909

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

A623 Registrability report

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A623

Effective date: 20130315

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term