JP3150222B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP3150222B2 JP3150222B2 JP06676293A JP6676293A JP3150222B2 JP 3150222 B2 JP3150222 B2 JP 3150222B2 JP 06676293 A JP06676293 A JP 06676293A JP 6676293 A JP6676293 A JP 6676293A JP 3150222 B2 JP3150222 B2 JP 3150222B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign
- etching
- foreign substances
- chemical
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウェットエッチング
によりＩＣやＬＳＩを製造する半導体製造装置に関する
ものである。
によりＩＣやＬＳＩを製造する半導体製造装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の構成について図
５を参照しながら説明する。図５は、従来の半導体製造
装置を示す図である。
５を参照しながら説明する。図５は、従来の半導体製造
装置を示す図である。
【０００３】図５において、１はＢＨＦ液、ＨＦ液等の
薬液、２は薬液１が循環するテフロンチューブ等の配
管、３は薬液１を循環させるためのポンプ、４は異物を
除去するためのフィルター、５はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、６は内槽５からオーバーフロー
した薬液１を溜めるためのエッチング槽の外槽、７はシ
リコンウエハを収納したバスケット、８はエッチングを
行うシリコンウエハである。
薬液、２は薬液１が循環するテフロンチューブ等の配
管、３は薬液１を循環させるためのポンプ、４は異物を
除去するためのフィルター、５はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、６は内槽５からオーバーフロー
した薬液１を溜めるためのエッチング槽の外槽、７はシ
リコンウエハを収納したバスケット、８はエッチングを
行うシリコンウエハである。
【０００４】次に、従来の半導体製造装置の動作につい
て図５を参照しながら説明する。まず、エッチングしよ
うとするシリコンウエハ８をバスケット７に入れ、エッ
チングを行う内槽５に浸す。そして、薬液１中に所定時
間浸した後、図には示していない水洗槽にバスケット７
を入れて、薬液１の除去を行った後、乾燥を行ってエッ
チングは完了する。このような手順で被エッチング膜の
パターン形成をウェットエッチングで行っている。
て図５を参照しながら説明する。まず、エッチングしよ
うとするシリコンウエハ８をバスケット７に入れ、エッ
チングを行う内槽５に浸す。そして、薬液１中に所定時
間浸した後、図には示していない水洗槽にバスケット７
を入れて、薬液１の除去を行った後、乾燥を行ってエッ
チングは完了する。このような手順で被エッチング膜の
パターン形成をウェットエッチングで行っている。
【０００５】ところが、エッチング槽の内槽５にはシリ
コンウエハ８から持ち込まれた異物やエッチングによっ
て発生した反応生成物等の異物が多数蓄積される。この
ため、エッチング槽の内槽５は、オーバーフローするよ
うに形成されているので、異物もオーバーフローされて
外槽６に移動する。そして、オーバーフローした薬液１
はポンプ３により配管２を通り、ポンプ３とフィルター
４を通過して、内槽５に戻るようになっている。この時
に、異物はフィルター４に除去されて、内槽５には異物
のない薬液１が供給されるようになっている。そして、
この循環をくり返し行うことによりエッチング槽の異物
は減少するようになっている。
コンウエハ８から持ち込まれた異物やエッチングによっ
て発生した反応生成物等の異物が多数蓄積される。この
ため、エッチング槽の内槽５は、オーバーフローするよ
うに形成されているので、異物もオーバーフローされて
外槽６に移動する。そして、オーバーフローした薬液１
はポンプ３により配管２を通り、ポンプ３とフィルター
４を通過して、内槽５に戻るようになっている。この時
に、異物はフィルター４に除去されて、内槽５には異物
のない薬液１が供給されるようになっている。そして、
この循環をくり返し行うことによりエッチング槽の異物
は減少するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体製造装置は、薬液１をフィルター４を通して循環
させ異物を減少させるようになっているが、この薬液１
の異物数に関して常時インラインで管理することができ
ないという問題点があった。
半導体製造装置は、薬液１をフィルター４を通して循環
させ異物を減少させるようになっているが、この薬液１
の異物数に関して常時インラインで管理することができ
ないという問題点があった。
【０００７】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、インラインで薬液の異物を管理す
ることができ、フィルターの管理もすることができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、インラインで薬液の異物を管理す
ることができ、フィルターの管理もすることができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔１〕 薬液の異物数を測定する計数手段。 〔２〕 前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演
算手段。 〔３〕 前記演算により求めた異物回復特性があらかじ
め求めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力す
る警報手段。
造装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔１〕 薬液の異物数を測定する計数手段。 〔２〕 前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演
算手段。 〔３〕 前記演算により求めた異物回復特性があらかじ
め求めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力す
る警報手段。
【０００９】
【作用】この発明に係る半導体製造装置においては、計
数手段によって、薬液の異物数が測定される。また、演
算手段によって、前記異物数に基づいて異物回復特性が
求められる。そして、警報手段によって、前記演算によ
り求めた異物回復特性があらかじめ求めた基準特性より
悪いときはその旨の警報が出力される。
数手段によって、薬液の異物数が測定される。また、演
算手段によって、前記異物数に基づいて異物回復特性が
求められる。そして、警報手段によって、前記演算によ
り求めた異物回復特性があらかじめ求めた基準特性より
悪いときはその旨の警報が出力される。
【００１０】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１の構成
について図１及び図２を参照しながら説明する。図１
は、この発明の実施例１を示す図である。また、図２
は、この発明の実施例１の制御装置を示すブロック図で
ある。
について図１及び図２を参照しながら説明する。図１
は、この発明の実施例１を示す図である。また、図２
は、この発明の実施例１の制御装置を示すブロック図で
ある。
【００１１】図１において、１はＢＨＦ液、ＨＦ液等の
薬液、２は薬液１が循環するテフロンチューブ等の配
管、３は薬液１を循環させるためのポンプ、４は異物を
除去するためのフィルター、５はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、６は内槽５からオーバーフロー
した薬液１を溜めるためのエッチング槽の外槽、７はシ
リコンウエハを収納したバスケット、８はエッチングを
行うシリコンウエハである。
薬液、２は薬液１が循環するテフロンチューブ等の配
管、３は薬液１を循環させるためのポンプ、４は異物を
除去するためのフィルター、５はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、６は内槽５からオーバーフロー
した薬液１を溜めるためのエッチング槽の外槽、７はシ
リコンウエハを収納したバスケット、８はエッチングを
行うシリコンウエハである。
【００１２】また、図１において、９はレーザ等の光学
手段により異物の反射光に基づいて異物数を求める液中
ダストカウンター、１０は液中ダストカウンター９に接
続された制御装置、１１は制御装置１０に接続された警
報器である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
手段により異物の反射光に基づいて異物数を求める液中
ダストカウンター、１０は液中ダストカウンター９に接
続された制御装置、１１は制御装置１０に接続された警
報器である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
【００１３】図２において、制御装置１０は、ＲＯＭ、
ＣＰＵ、ＲＡＭなどから構成されている。
ＣＰＵ、ＲＡＭなどから構成されている。
【００１４】ところで、この発明の計数手段は、この実
施例１では液中ダストカウンター９に相当し、この発明
の演算手段は、この実施例１では制御装置１０に相当
し、この発明の警報手段は、この実施例１では警報器１
１に相当する。
施例１では液中ダストカウンター９に相当し、この発明
の演算手段は、この実施例１では制御装置１０に相当
し、この発明の警報手段は、この実施例１では警報器１
１に相当する。
【００１５】この発明の実施例１の動作について図３及
び図４を参照しながら説明する。図３は、この発明の実
施例１の動作を示すフローチャートである。また、図４
は、この発明の実施例１の異物の回復特性を示す図であ
る。
び図４を参照しながら説明する。図３は、この発明の実
施例１の動作を示すフローチャートである。また、図４
は、この発明の実施例１の異物の回復特性を示す図であ
る。
【００１６】エッチングに使用されてフィルター４に送
られる薬液１は、バイパスの配管２を通して液中ダスト
カウンター９に送り込まれ常時異物を測定することがで
きる。この時、エッチングを行うと異物数は図４に示す
ようにシリコンウエハ８を引き上げると、急増し、時間
の経過とともに減少するという回復特性を示す。この異
物数の回復特性はそれぞれの薬液１に特有のものである
ため、あらかじめ薬液１の良好状態の異物数回復特性許
容角度θ0を設定しておき、回復特性角度が許容角度よ
りも大きくなった時（異物数回復特性アラーム角度θ
a）に、この異物回復特性を用いてアラームが鳴るよう
になっている。
られる薬液１は、バイパスの配管２を通して液中ダスト
カウンター９に送り込まれ常時異物を測定することがで
きる。この時、エッチングを行うと異物数は図４に示す
ようにシリコンウエハ８を引き上げると、急増し、時間
の経過とともに減少するという回復特性を示す。この異
物数の回復特性はそれぞれの薬液１に特有のものである
ため、あらかじめ薬液１の良好状態の異物数回復特性許
容角度θ0を設定しておき、回復特性角度が許容角度よ
りも大きくなった時（異物数回復特性アラーム角度θ
a）に、この異物回復特性を用いてアラームが鳴るよう
になっている。
【００１７】薬液１の異物を制御する制御装置１０は、
前述したようにプログラムされたマイクロコンピュータ
ーで構成することができる。すなわち、この制御装置１
０は、図２に示すように、ＣＰＵと、プログラムが格納
されたＲＯＭと、制御用データが格納されたＲＡＭとを
備え、液中ダストカウンター９のデータが入力されると
ＣＰＵで演算処理し、制御出力信号を警報器１１に送
る。
前述したようにプログラムされたマイクロコンピュータ
ーで構成することができる。すなわち、この制御装置１
０は、図２に示すように、ＣＰＵと、プログラムが格納
されたＲＯＭと、制御用データが格納されたＲＡＭとを
備え、液中ダストカウンター９のデータが入力されると
ＣＰＵで演算処理し、制御出力信号を警報器１１に送
る。
【００１８】上記ＲＡＭに格納される制御用データは、
異物数回復特性許容角度θ0である。この実施例１によ
る異物の制御に際し、液中ダストカウンター９からの出
力値の演算結果が異物数回復特性許容角度θ0より大き
くなるとアラームを発する。
異物数回復特性許容角度θ0である。この実施例１によ
る異物の制御に際し、液中ダストカウンター９からの出
力値の演算結果が異物数回復特性許容角度θ0より大き
くなるとアラームを発する。
【００１９】次に、図３に示すフローチャートに従って
制御装置１０の動作について説明する。まず、ステップ
３０において、ＲＡＭに異物数回復特性許容角度θ0な
どを記憶して初期設定を行う。
制御装置１０の動作について説明する。まず、ステップ
３０において、ＲＡＭに異物数回復特性許容角度θ0な
どを記憶して初期設定を行う。
【００２０】ステップ３１において、液中ダストカウン
ター９のデータから一次回帰直線ｌｏｇＮ＝ａ（ｔ−ｔ
ｏ）＋ｂを求める。ここで、Ｎは液中ダストカウンター
９が計数した異物数、ｔは時間、ｔｏは異物最大値（Ｎ
MAX）の時間である。なお、ｂ＝ｌｏｇＮMAXである。
ター９のデータから一次回帰直線ｌｏｇＮ＝ａ（ｔ−ｔ
ｏ）＋ｂを求める。ここで、Ｎは液中ダストカウンター
９が計数した異物数、ｔは時間、ｔｏは異物最大値（Ｎ
MAX）の時間である。なお、ｂ＝ｌｏｇＮMAXである。
【００２１】ステップ３２において、θ＝ｔａｎ-1ａを
求める。
求める。
【００２２】ステップ３３において、前のステップ３２
で求めたθと初期設定値の異物数回復特性許容角度θ0
を比較し、θ≧θ0であれば、ステップ３４においてア
ラームを発し、それ以外はステップ３１に戻りステップ
３１からステップ３３までの処理を繰り返す。
で求めたθと初期設定値の異物数回復特性許容角度θ0
を比較し、θ≧θ0であれば、ステップ３４においてア
ラームを発し、それ以外はステップ３１に戻りステップ
３１からステップ３３までの処理を繰り返す。
【００２３】以上ように、インラインで異物管理が行え
るようになり、高歩留、高信頼性の半導体装置の製造を
行うことができる。また、この装置はフィルター４の管
理にも用いることができる。
るようになり、高歩留、高信頼性の半導体装置の製造を
行うことができる。また、この装置はフィルター４の管
理にも用いることができる。
【００２４】この発明の実施例１は、前述したように、
液中ダストカウンター９を併設し、常時薬液１の異物数
を測定できるようにし、インラインで異物管理やフィル
ター４の管理を行えることを特徴とする。図４に示すよ
うなエッチング時の異物回復特性を利用してインライン
で異物管理を行えるようにしたものである。
液中ダストカウンター９を併設し、常時薬液１の異物数
を測定できるようにし、インラインで異物管理やフィル
ター４の管理を行えることを特徴とする。図４に示すよ
うなエッチング時の異物回復特性を利用してインライン
で異物管理を行えるようにしたものである。
【００２５】すなわち、この発明の実施例１によれば、
液中ダストカウンター９によってエッチング中に常時、
異物測定が行えるようになり、エッチング液の異物管理
をインラインで行い、高品質及び高信頼性のウェットエ
ッチング装置を得るものである。
液中ダストカウンター９によってエッチング中に常時、
異物測定が行えるようになり、エッチング液の異物管理
をインラインで行い、高品質及び高信頼性のウェットエ
ッチング装置を得るものである。
【００２６】
【発明の効果】この発明に係る半導体製造装置は、以上
説明したとおり、薬液の異物数を測定する計数手段と、
前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段
と、前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求
めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警
報手段とを備えたので、常時薬液の異物管理ができ、ま
たフィルターの管理も行えるという効果を奏する。
説明したとおり、薬液の異物数を測定する計数手段と、
前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段
と、前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求
めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警
報手段とを備えたので、常時薬液の異物管理ができ、ま
たフィルターの管理も行えるという効果を奏する。
【図１】この発明の実施例１を示す図である。
【図２】この発明の実施例１の制御装置を示すブロック
図である。
図である。
【図３】この発明の実施例１の動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図４】この発明の実施例１の異物数回復特性を示す図
である。
である。
【図５】従来の半導体製造装置を示す図である。
１ 薬液 ２ 配管 ３ ポンプ ４ フィルター ５ エッチング槽の内槽 ６ エッチング槽の外槽 ７ ウエハバスケット ８ シリコンウエハ ９ 液中ダストカウンター １０ 制御装置 １１ 警報器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−209531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−137430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−259442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−190440（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308,21/304 C23F 1/08 G01N 15/10
Claims (1)
- 【請求項１】 薬液の異物数を測定する計数手段、前記
異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段、及び
前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求めた
基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警報手
段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06676293A JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06676293A JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283498A JPH06283498A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3150222B2 true JP3150222B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13325220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06676293A Expired - Fee Related JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3150222B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3569662B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2004-09-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | 多結晶シリコンの評価方法 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP06676293A patent/JP3150222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06283498A (ja) | 1994-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1187202A (en) | End point detection method | |
| US4851311A (en) | Process for determining photoresist develop time by optical transmission | |
| US20100139421A1 (en) | Evaluation method for chemical solution, qualification method for chemical solution and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3150222B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| US4857750A (en) | Sensor for determining photoresist developer strength | |
| US6420076B1 (en) | Method and apparatus of inspecting foreign substance on substrate surface | |
| JP4763955B2 (ja) | フォトレジスト剥離プロセスの終点を検出するための方法および装置 | |
| JP2760735B2 (ja) | 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 | |
| JPH07142435A (ja) | シリコン基板の洗浄方法 | |
| JP3375338B2 (ja) | 信号の傾斜決定を用いたエンドポイント検出技術 | |
| JPS63303347A (ja) | フイルムの現像時における重金属の濃度の測定方法 | |
| US6150279A (en) | Reverse current gold etch | |
| US20040058551A1 (en) | Fluorous cleaning solution for lithographic processing | |
| Marriott | High Resolution Positive Resist Developers: A Technique Or Functional Evaluation And Process Optimization | |
| JPH0511304B2 (ja) | ||
| JPH05217984A (ja) | 半導体加工装置および半導体評価装置 | |
| KR100772825B1 (ko) | 세정액 재활용 시스템 및 세정액 재활용 방법 | |
| JP7054995B2 (ja) | 超純水の評価方法、超純水製造用膜モジュールの評価方法及び超純水製造用イオン交換樹脂の評価方法 | |
| JP2802177B2 (ja) | フォトレジスト表面の溶解速度の測定方法 | |
| JP3070226B2 (ja) | 循環恒温式ウエットエッチング装置 | |
| JP2511454B2 (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPS5922330A (ja) | 終点検知方法 | |
| JPS59163541A (ja) | フラツクス濃度測定方法 | |
| JPH05183193A (ja) | 光半導体装置用基板へのレンズ加工方法 | |
| JPH01175741A (ja) | エッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |