JP3150222B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3150222B2 JP3150222B2 JP06676293A JP6676293A JP3150222B2 JP 3150222 B2 JP3150222 B2 JP 3150222B2 JP 06676293 A JP06676293 A JP 06676293A JP 6676293 A JP6676293 A JP 6676293A JP 3150222 B2 JP3150222 B2 JP 3150222B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ウェットエッチング
によりICやLSIを製造する半導体製造装置に関する
ものである。
によりICやLSIを製造する半導体製造装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の構成について図
5を参照しながら説明する。図5は、従来の半導体製造
装置を示す図である。
5を参照しながら説明する。図5は、従来の半導体製造
装置を示す図である。
【0003】図5において、1はBHF液、HF液等の
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。
【0004】次に、従来の半導体製造装置の動作につい
て図5を参照しながら説明する。まず、エッチングしよ
うとするシリコンウエハ8をバスケット7に入れ、エッ
チングを行う内槽5に浸す。そして、薬液1中に所定時
間浸した後、図には示していない水洗槽にバスケット7
を入れて、薬液1の除去を行った後、乾燥を行ってエッ
チングは完了する。このような手順で被エッチング膜の
パターン形成をウェットエッチングで行っている。
て図5を参照しながら説明する。まず、エッチングしよ
うとするシリコンウエハ8をバスケット7に入れ、エッ
チングを行う内槽5に浸す。そして、薬液1中に所定時
間浸した後、図には示していない水洗槽にバスケット7
を入れて、薬液1の除去を行った後、乾燥を行ってエッ
チングは完了する。このような手順で被エッチング膜の
パターン形成をウェットエッチングで行っている。
【0005】ところが、エッチング槽の内槽5にはシリ
コンウエハ8から持ち込まれた異物やエッチングによっ
て発生した反応生成物等の異物が多数蓄積される。この
ため、エッチング槽の内槽5は、オーバーフローするよ
うに形成されているので、異物もオーバーフローされて
外槽6に移動する。そして、オーバーフローした薬液1
はポンプ3により配管2を通り、ポンプ3とフィルター
4を通過して、内槽5に戻るようになっている。この時
に、異物はフィルター4に除去されて、内槽5には異物
のない薬液1が供給されるようになっている。そして、
この循環をくり返し行うことによりエッチング槽の異物
は減少するようになっている。
コンウエハ8から持ち込まれた異物やエッチングによっ
て発生した反応生成物等の異物が多数蓄積される。この
ため、エッチング槽の内槽5は、オーバーフローするよ
うに形成されているので、異物もオーバーフローされて
外槽6に移動する。そして、オーバーフローした薬液1
はポンプ3により配管2を通り、ポンプ3とフィルター
4を通過して、内槽5に戻るようになっている。この時
に、異物はフィルター4に除去されて、内槽5には異物
のない薬液1が供給されるようになっている。そして、
この循環をくり返し行うことによりエッチング槽の異物
は減少するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体製造装置は、薬液1をフィルター4を通して循環
させ異物を減少させるようになっているが、この薬液1
の異物数に関して常時インラインで管理することができ
ないという問題点があった。
半導体製造装置は、薬液1をフィルター4を通して循環
させ異物を減少させるようになっているが、この薬液1
の異物数に関して常時インラインで管理することができ
ないという問題点があった。
【0007】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、インラインで薬液の異物を管理す
ることができ、フィルターの管理もすることができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、インラインで薬液の異物を管理す
ることができ、フィルターの管理もすることができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 薬液の異物数を測定する計数手段。 〔2〕 前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演
算手段。 〔3〕 前記演算により求めた異物回復特性があらかじ
め求めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力す
る警報手段。
造装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 薬液の異物数を測定する計数手段。 〔2〕 前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演
算手段。 〔3〕 前記演算により求めた異物回復特性があらかじ
め求めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力す
る警報手段。
【0009】
【作用】この発明に係る半導体製造装置においては、計
数手段によって、薬液の異物数が測定される。また、演
算手段によって、前記異物数に基づいて異物回復特性が
求められる。そして、警報手段によって、前記演算によ
り求めた異物回復特性があらかじめ求めた基準特性より
悪いときはその旨の警報が出力される。
数手段によって、薬液の異物数が測定される。また、演
算手段によって、前記異物数に基づいて異物回復特性が
求められる。そして、警報手段によって、前記演算によ
り求めた異物回復特性があらかじめ求めた基準特性より
悪いときはその旨の警報が出力される。
【0010】
【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1の構成
について図1及び図2を参照しながら説明する。図1
は、この発明の実施例1を示す図である。また、図2
は、この発明の実施例1の制御装置を示すブロック図で
ある。
について図1及び図2を参照しながら説明する。図1
は、この発明の実施例1を示す図である。また、図2
は、この発明の実施例1の制御装置を示すブロック図で
ある。
【0011】図1において、1はBHF液、HF液等の
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。
【0012】また、図1において、9はレーザ等の光学
手段により異物の反射光に基づいて異物数を求める液中
ダストカウンター、10は液中ダストカウンター9に接
続された制御装置、11は制御装置10に接続された警
報器である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
手段により異物の反射光に基づいて異物数を求める液中
ダストカウンター、10は液中ダストカウンター9に接
続された制御装置、11は制御装置10に接続された警
報器である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
【0013】図2において、制御装置10は、ROM、
CPU、RAMなどから構成されている。
CPU、RAMなどから構成されている。
【0014】ところで、この発明の計数手段は、この実
施例1では液中ダストカウンター9に相当し、この発明
の演算手段は、この実施例1では制御装置10に相当
し、この発明の警報手段は、この実施例1では警報器1
1に相当する。
施例1では液中ダストカウンター9に相当し、この発明
の演算手段は、この実施例1では制御装置10に相当
し、この発明の警報手段は、この実施例1では警報器1
1に相当する。
【0015】この発明の実施例1の動作について図3及
び図4を参照しながら説明する。図3は、この発明の実
施例1の動作を示すフローチャートである。また、図4
は、この発明の実施例1の異物の回復特性を示す図であ
る。
び図4を参照しながら説明する。図3は、この発明の実
施例1の動作を示すフローチャートである。また、図4
は、この発明の実施例1の異物の回復特性を示す図であ
る。
【0016】エッチングに使用されてフィルター4に送
られる薬液1は、バイパスの配管2を通して液中ダスト
カウンター9に送り込まれ常時異物を測定することがで
きる。この時、エッチングを行うと異物数は図4に示す
ようにシリコンウエハ8を引き上げると、急増し、時間
の経過とともに減少するという回復特性を示す。この異
物数の回復特性はそれぞれの薬液1に特有のものである
ため、あらかじめ薬液1の良好状態の異物数回復特性許
容角度θ0を設定しておき、回復特性角度が許容角度よ
りも大きくなった時(異物数回復特性アラーム角度θ
a)に、この異物回復特性を用いてアラームが鳴るよう
になっている。
られる薬液1は、バイパスの配管2を通して液中ダスト
カウンター9に送り込まれ常時異物を測定することがで
きる。この時、エッチングを行うと異物数は図4に示す
ようにシリコンウエハ8を引き上げると、急増し、時間
の経過とともに減少するという回復特性を示す。この異
物数の回復特性はそれぞれの薬液1に特有のものである
ため、あらかじめ薬液1の良好状態の異物数回復特性許
容角度θ0を設定しておき、回復特性角度が許容角度よ
りも大きくなった時(異物数回復特性アラーム角度θ
a)に、この異物回復特性を用いてアラームが鳴るよう
になっている。
【0017】薬液1の異物を制御する制御装置10は、
前述したようにプログラムされたマイクロコンピュータ
ーで構成することができる。すなわち、この制御装置1
0は、図2に示すように、CPUと、プログラムが格納
されたROMと、制御用データが格納されたRAMとを
備え、液中ダストカウンター9のデータが入力されると
CPUで演算処理し、制御出力信号を警報器11に送
る。
前述したようにプログラムされたマイクロコンピュータ
ーで構成することができる。すなわち、この制御装置1
0は、図2に示すように、CPUと、プログラムが格納
されたROMと、制御用データが格納されたRAMとを
備え、液中ダストカウンター9のデータが入力されると
CPUで演算処理し、制御出力信号を警報器11に送
る。
【0018】上記RAMに格納される制御用データは、
異物数回復特性許容角度θ0である。この実施例1によ
る異物の制御に際し、液中ダストカウンター9からの出
力値の演算結果が異物数回復特性許容角度θ0より大き
くなるとアラームを発する。
異物数回復特性許容角度θ0である。この実施例1によ
る異物の制御に際し、液中ダストカウンター9からの出
力値の演算結果が異物数回復特性許容角度θ0より大き
くなるとアラームを発する。
【0019】次に、図3に示すフローチャートに従って
制御装置10の動作について説明する。まず、ステップ
30において、RAMに異物数回復特性許容角度θ0な
どを記憶して初期設定を行う。
制御装置10の動作について説明する。まず、ステップ
30において、RAMに異物数回復特性許容角度θ0な
どを記憶して初期設定を行う。
【0020】ステップ31において、液中ダストカウン
ター9のデータから一次回帰直線logN=a(t−t
o)+bを求める。ここで、Nは液中ダストカウンター
9が計数した異物数、tは時間、toは異物最大値(N
MAX)の時間である。なお、b=logNMAXである。
ター9のデータから一次回帰直線logN=a(t−t
o)+bを求める。ここで、Nは液中ダストカウンター
9が計数した異物数、tは時間、toは異物最大値(N
MAX)の時間である。なお、b=logNMAXである。
【0021】ステップ32において、θ=tan-1aを
求める。
求める。
【0022】ステップ33において、前のステップ32
で求めたθと初期設定値の異物数回復特性許容角度θ0
を比較し、θ≧θ0であれば、ステップ34においてア
ラームを発し、それ以外はステップ31に戻りステップ
31からステップ33までの処理を繰り返す。
で求めたθと初期設定値の異物数回復特性許容角度θ0
を比較し、θ≧θ0であれば、ステップ34においてア
ラームを発し、それ以外はステップ31に戻りステップ
31からステップ33までの処理を繰り返す。
【0023】以上ように、インラインで異物管理が行え
るようになり、高歩留、高信頼性の半導体装置の製造を
行うことができる。また、この装置はフィルター4の管
理にも用いることができる。
るようになり、高歩留、高信頼性の半導体装置の製造を
行うことができる。また、この装置はフィルター4の管
理にも用いることができる。
【0024】この発明の実施例1は、前述したように、
液中ダストカウンター9を併設し、常時薬液1の異物数
を測定できるようにし、インラインで異物管理やフィル
ター4の管理を行えることを特徴とする。図4に示すよ
うなエッチング時の異物回復特性を利用してインライン
で異物管理を行えるようにしたものである。
液中ダストカウンター9を併設し、常時薬液1の異物数
を測定できるようにし、インラインで異物管理やフィル
ター4の管理を行えることを特徴とする。図4に示すよ
うなエッチング時の異物回復特性を利用してインライン
で異物管理を行えるようにしたものである。
【0025】すなわち、この発明の実施例1によれば、
液中ダストカウンター9によってエッチング中に常時、
異物測定が行えるようになり、エッチング液の異物管理
をインラインで行い、高品質及び高信頼性のウェットエ
ッチング装置を得るものである。
液中ダストカウンター9によってエッチング中に常時、
異物測定が行えるようになり、エッチング液の異物管理
をインラインで行い、高品質及び高信頼性のウェットエ
ッチング装置を得るものである。
【0026】
【発明の効果】この発明に係る半導体製造装置は、以上
説明したとおり、薬液の異物数を測定する計数手段と、
前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段
と、前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求
めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警
報手段とを備えたので、常時薬液の異物管理ができ、ま
たフィルターの管理も行えるという効果を奏する。
説明したとおり、薬液の異物数を測定する計数手段と、
前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段
と、前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求
めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警
報手段とを備えたので、常時薬液の異物管理ができ、ま
たフィルターの管理も行えるという効果を奏する。
【図1】この発明の実施例1を示す図である。
【図2】この発明の実施例1の制御装置を示すブロック
図である。
図である。
【図3】この発明の実施例1の動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図4】この発明の実施例1の異物数回復特性を示す図
である。
である。
【図5】従来の半導体製造装置を示す図である。
1 薬液 2 配管 3 ポンプ 4 フィルター 5 エッチング槽の内槽 6 エッチング槽の外槽 7 ウエハバスケット 8 シリコンウエハ 9 液中ダストカウンター 10 制御装置 11 警報器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−209531(JP,A) 特開 昭63−137430(JP,A) 特開 昭62−259442(JP,A) 特開 昭62−190440(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/306,21/308,21/304 C23F 1/08 G01N 15/10
Claims (1)
- 【請求項1】 薬液の異物数を測定する計数手段、前記
異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段、及び
前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求めた
基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警報手
段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06676293A JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06676293A JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06283498A JPH06283498A (ja) | 1994-10-07 |
JP3150222B2 true JP3150222B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13325220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06676293A Expired - Fee Related JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3150222B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3569662B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2004-09-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | 多結晶シリコンの評価方法 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP06676293A patent/JP3150222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06283498A (ja) | 1994-10-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |