JP3149911B2 - プリアンプ回路 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスインピー
ダンス型のプリアンプ回路に関し、特にその高周波特性
を改善するための技術に関する。
ダンス型のプリアンプ回路に関し、特にその高周波特性
を改善するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信は、非常に広い帯域をも
ち、この広い帯域を十分に利用することができれば大容
量の転送が可能となる。そのため、光ファイバ通信等に
用いられる受信器、送信器等の機器には、広帯域性が要
求されている。そのため、光通信用の受信器のプリアン
プ回路にはトランスインピーダンス型のプリアンプ回路
が用いられている。
ち、この広い帯域を十分に利用することができれば大容
量の転送が可能となる。そのため、光ファイバ通信等に
用いられる受信器、送信器等の機器には、広帯域性が要
求されている。そのため、光通信用の受信器のプリアン
プ回路にはトランスインピーダンス型のプリアンプ回路
が用いられている。
【０００３】従来、この種のトランスインピーダンス型
のプリアンプは、例えば、特開平５−１１０３４６号公
報や、「１９９５年１０月，アイ・イー・イー・イー・
ジャーナル・オブ・ソリッドステート・サーキット，第
３０巻，１０号，ｐｐ１０５１−１０５４（ＩＥＥＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ ＣＩ
ＲＣＵＩＴＳ，ＶＯＬ３０，ＮＯ．１０，ＯＣＴＯＢＥ
Ｒ，１９９５，ｐｐ１０５１−１０５４）」等に示され
ているように、トランスインピーダンス利得における広
帯域化、および、高いダイナミックレンジを得ることを
目的として用いられている。
のプリアンプは、例えば、特開平５−１１０３４６号公
報や、「１９９５年１０月，アイ・イー・イー・イー・
ジャーナル・オブ・ソリッドステート・サーキット，第
３０巻，１０号，ｐｐ１０５１−１０５４（ＩＥＥＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ ＣＩ
ＲＣＵＩＴＳ，ＶＯＬ３０，ＮＯ．１０，ＯＣＴＯＢＥ
Ｒ，１９９５，ｐｐ１０５１−１０５４）」等に示され
ているように、トランスインピーダンス利得における広
帯域化、および、高いダイナミックレンジを得ることを
目的として用いられている。
【０００４】図６は、従来のトランスインピーダンス型
のプリアンプ回路の一例を示す回路図である。
のプリアンプ回路の一例を示す回路図である。
【０００５】図６を参照すると、この従来のプリアンプ
回路５９は、エミッタ接地されたトランジスタ１と抵抗
６からなる電流−電圧変換増幅部と、トランジスタ２と
ダイオード３１と抵抗７からなるエミッタフォロワ・バ
ッファ段２０と、トランジスタ３と抵抗８からなる２段
目のエミッタフォロワ・バッファ段と、ダイオード３１
を介したトランジスタ２のエミッタとトランジスタ１の
ベースを接続する帰還抵抗５と、エミッタ接地されたト
ランジスタ４と抵抗１０と抵抗９からなる電圧増幅部と
から構成される。
回路５９は、エミッタ接地されたトランジスタ１と抵抗
６からなる電流−電圧変換増幅部と、トランジスタ２と
ダイオード３１と抵抗７からなるエミッタフォロワ・バ
ッファ段２０と、トランジスタ３と抵抗８からなる２段
目のエミッタフォロワ・バッファ段と、ダイオード３１
を介したトランジスタ２のエミッタとトランジスタ１の
ベースを接続する帰還抵抗５と、エミッタ接地されたト
ランジスタ４と抵抗１０と抵抗９からなる電圧増幅部と
から構成される。
【０００６】エミッタフォロワ・バッファ段２０のダイ
オード３１は、トランジスタ２の動作点を調整するため
のものであり、動作上必ずしも必要なものではない。
オード３１は、トランジスタ２の動作点を調整するため
のものであり、動作上必ずしも必要なものではない。
【０００７】また、光検出器１８は、受信した光信号を
電気信号に変換して出力する。
電気信号に変換して出力する。
【０００８】この従来のプリアンプ回路５９は、光検出
器１８から出力された電気信号をインピーダンス変換す
るとともに一定の電圧に増幅して出力するものである。
器１８から出力された電気信号をインピーダンス変換す
るとともに一定の電圧に増幅して出力するものである。
【０００９】また、プリアンプ回路５９は集積回路によ
り構成されていて、外部との接続はボンディング・ワイ
ヤを介して行われている。そのため、エミッタフォロワ
・バッファ段２０には、プリアンプ回路５９の外部に設
けられた電源２７からボンディング・ワイヤ１３、およ
びリード線２８を介して直流バイアス電圧が印加されて
いる。そして、そのボンディング・ワイヤ１３、リード
線２８の間にはエミッタフォロワ・バッファ段２０を構
成するトランジスタ２のコレクタを交流的に接地するた
めのバイパスコンデンサ１７が設けられている。
り構成されていて、外部との接続はボンディング・ワイ
ヤを介して行われている。そのため、エミッタフォロワ
・バッファ段２０には、プリアンプ回路５９の外部に設
けられた電源２７からボンディング・ワイヤ１３、およ
びリード線２８を介して直流バイアス電圧が印加されて
いる。そして、そのボンディング・ワイヤ１３、リード
線２８の間にはエミッタフォロワ・バッファ段２０を構
成するトランジスタ２のコレクタを交流的に接地するた
めのバイパスコンデンサ１７が設けられている。
【００１０】また、トランジスタ１と抵抗６からなる電
流−電圧変換増幅部にも同様にして電源２６からリード
線３０、ボンディング・ワイヤ１２を介して直流バイア
ス電圧が印加されていて、リード線３０、ボンディング
・ワイヤ１２の間にはバイパスコンデンサ１６が設けら
れている。
流−電圧変換増幅部にも同様にして電源２６からリード
線３０、ボンディング・ワイヤ１２を介して直流バイア
ス電圧が印加されていて、リード線３０、ボンディング
・ワイヤ１２の間にはバイパスコンデンサ１６が設けら
れている。
【００１１】さらに、光検出器１８からの入力信号もボ
ンディング・ワイヤ１１を介してトランジスタ１のベー
スに入力され、トランジスタ４により増幅された信号も
ボンディング・ワイヤ１４を介して出力される。また、
光検出器１８もボンディング・ワイヤ１５を介してグラ
ンドに接続されている。
ンディング・ワイヤ１１を介してトランジスタ１のベー
スに入力され、トランジスタ４により増幅された信号も
ボンディング・ワイヤ１４を介して出力される。また、
光検出器１８もボンディング・ワイヤ１５を介してグラ
ンドに接続されている。
【００１２】次に、この従来のプリアンプ回路５９の動
作について説明する。
作について説明する。
【００１３】先ず、光検出器１８において受信された光
信号は電気信号に変換された後、トランジスタ１のベー
スに入力されることにより電流−電圧変換増幅される。
その後、エミッタフォロワ・バッファ段２０とトランジ
スタ３と抵抗８からなるエミッタフォロワ・バッファ段
によりインピーダンス変換された後に、トランジスタ４
により電圧増幅が行われ、トランジスタ４のコレクタか
ら出力される。
信号は電気信号に変換された後、トランジスタ１のベー
スに入力されることにより電流−電圧変換増幅される。
その後、エミッタフォロワ・バッファ段２０とトランジ
スタ３と抵抗８からなるエミッタフォロワ・バッファ段
によりインピーダンス変換された後に、トランジスタ４
により電圧増幅が行われ、トランジスタ４のコレクタか
ら出力される。
【００１４】この、従来のプリアンプ回路５９では、エ
ミッタフォロワ・バッファ段２０を形成するトランジス
タ２の抵抗７の端子間電圧を、帰還抵抗５を介して、初
段のトランジスタ１のベースに並列入力帰還を行うこと
により、プリアンプ回路５９の入力インピーダンスを小
さくし、トランスインピーダンス利得特性の広帯域化を
図っている。
ミッタフォロワ・バッファ段２０を形成するトランジス
タ２の抵抗７の端子間電圧を、帰還抵抗５を介して、初
段のトランジスタ１のベースに並列入力帰還を行うこと
により、プリアンプ回路５９の入力インピーダンスを小
さくし、トランスインピーダンス利得特性の広帯域化を
図っている。
【００１５】しかし、扱う信号が高周波域になると、ボ
ンデイング・ワイヤ１３のインダクタンス、およびトラ
ンジスタ２のベース・コレクタ間の寄生容量の影響が無
視できなくなり、ボンデイング・ワイヤ１３に加わる端
子間電圧が、トランジスタ２のベース・コレクタ間の寄
生容量を介して、並列入力帰還されてしまう。そのた
め、従来のプリアンプ回路５９においては、エミッタフ
ォロワ・バッファ段２０を構成するトランジスタ２のコ
レクタとバイパスコンデンサ１７を結ぶボンディング・
ワイヤ１３の高周波域のインダクタンスのため、トラン
スインピーダンス利得特性において、ピーキングと帯域
の劣化が生じてしまう。
ンデイング・ワイヤ１３のインダクタンス、およびトラ
ンジスタ２のベース・コレクタ間の寄生容量の影響が無
視できなくなり、ボンデイング・ワイヤ１３に加わる端
子間電圧が、トランジスタ２のベース・コレクタ間の寄
生容量を介して、並列入力帰還されてしまう。そのた
め、従来のプリアンプ回路５９においては、エミッタフ
ォロワ・バッファ段２０を構成するトランジスタ２のコ
レクタとバイパスコンデンサ１７を結ぶボンディング・
ワイヤ１３の高周波域のインダクタンスのため、トラン
スインピーダンス利得特性において、ピーキングと帯域
の劣化が生じてしまう。
【００１６】図７は、図６に示したプリアンプ回路５９
において、ボンディング・ワイヤ１３のインダクタンス
の値をパラメータとして、トランスインピーダンス利得
特性を数値シミュレーションした結果である。
において、ボンディング・ワイヤ１３のインダクタンス
の値をパラメータとして、トランスインピーダンス利得
特性を数値シミュレーションした結果である。
【００１７】図７より、ボンディング・ワイヤ１３の高
周波域でのインダクタンスの増加に伴い、トランスイン
ピーダンス利得特性において、ピーキングと帯域の劣化
が生じていることがわかる。
周波域でのインダクタンスの増加に伴い、トランスイン
ピーダンス利得特性において、ピーキングと帯域の劣化
が生じていることがわかる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のプリアンプ
回路では、エミッタフォロワ・バッファ段を構成するト
ランジスタのコレクタとそのコレクタを交流的に接地す
るためのバイパスコンデンサを接続するボンディング・
ワイヤのインダクタンスの影響により、トランスインピ
ーダンス利得特性において、ピーキングと帯域の劣化が
生じてしまうという問題点があった。
回路では、エミッタフォロワ・バッファ段を構成するト
ランジスタのコレクタとそのコレクタを交流的に接地す
るためのバイパスコンデンサを接続するボンディング・
ワイヤのインダクタンスの影響により、トランスインピ
ーダンス利得特性において、ピーキングと帯域の劣化が
生じてしまうという問題点があった。
【００１９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、ピーキングを抑圧して、高周波域に渡って、平
坦かつ広帯域なトランスインピーダンス利得特性を有す
るプリアンプ回路を提供することを目的とする。
であり、ピーキングを抑圧して、高周波域に渡って、平
坦かつ広帯域なトランスインピーダンス利得特性を有す
るプリアンプ回路を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプリアンプ回路は、増幅回路と、前記増幅
回路の出力インピーダンスのインピーダンス変換をおこ
なうエミッタフォロワ・バッファ回路と、前記エミッタ
フォロワ・バッフア回路を構成するトランジスタのエミ
ッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第１の帰還抵抗とを
有するプリアンプ回路において、前記エミッタフォロワ
・バッファ回路を構成する前記トランジスタのベース・
コレクタ間を接続する第２の帰還抵抗を有することを特
徴とする。
め、本発明のプリアンプ回路は、増幅回路と、前記増幅
回路の出力インピーダンスのインピーダンス変換をおこ
なうエミッタフォロワ・バッファ回路と、前記エミッタ
フォロワ・バッフア回路を構成するトランジスタのエミ
ッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第１の帰還抵抗とを
有するプリアンプ回路において、前記エミッタフォロワ
・バッファ回路を構成する前記トランジスタのベース・
コレクタ間を接続する第２の帰還抵抗を有することを特
徴とする。
【００２１】本発明は、エミッタフォロワ・バッファ回
路を構成するトランジスタのベース・コレクタ間に第２
の帰還抵抗を接続したことにより、高周波域におけるボ
ンディング・ワイヤのインダクタンスの影響を低減する
ようにしたものである。
路を構成するトランジスタのベース・コレクタ間に第２
の帰還抵抗を接続したことにより、高周波域におけるボ
ンディング・ワイヤのインダクタンスの影響を低減する
ようにしたものである。
【００２２】したがって、トランスインピーダンス利得
特性のピーキングを抑圧することができるとともにピー
キングのボンディング・ワイヤのインダクタンスの値に
対する依存性を弱くすることができる。
特性のピーキングを抑圧することができるとともにピー
キングのボンディング・ワイヤのインダクタンスの値に
対する依存性を弱くすることができる。
【００２３】本発明の実施態様によれば、前記エミッタ
フォロワ・バッファ回路を構成する前記トランジスタの
コレクタとグランドとの間を直列に接続する抵抗とコン
デンサを有する。
フォロワ・バッファ回路を構成する前記トランジスタの
コレクタとグランドとの間を直列に接続する抵抗とコン
デンサを有する。
【００２４】本発明は、エミッタフォロワ・バッファ回
路を構成するトランジスタのコレクタとグランドとの間
に抵抗とコンデンサを直列に接続したことにより、高周
波域におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの
影響を低減するようにしたものである。したがって、ボ
ンディングのインダクタンスによって引き起こされる帯
域縮小の効果を弱めることができる。
路を構成するトランジスタのコレクタとグランドとの間
に抵抗とコンデンサを直列に接続したことにより、高周
波域におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの
影響を低減するようにしたものである。したがって、ボ
ンディングのインダクタンスによって引き起こされる帯
域縮小の効果を弱めることができる。
【００２５】また、本発明のプリアンプ回路は、増幅回
路と、前記増幅回路の出力インピーダンスのインピーダ
ンス変換をおこなうエミッタフォロワ・バッファ回路
と、前記エミッタフォロワ・バッフア回路を構成するト
ランジスタのエミッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第
１の帰還抵抗と、前記エミッタフォロワ・バッファ回路
を構成するトランジスタのコレクタを交流的に接地する
ためのバイパスコンデンサを有するプリアンプ回路にお
いて、前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成する
前記トランジスタのコレクタと前記バイパスコンデンサ
との間を並列に接続する抵抗とコンデンサを有すること
を特徴とする。
路と、前記増幅回路の出力インピーダンスのインピーダ
ンス変換をおこなうエミッタフォロワ・バッファ回路
と、前記エミッタフォロワ・バッフア回路を構成するト
ランジスタのエミッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第
１の帰還抵抗と、前記エミッタフォロワ・バッファ回路
を構成するトランジスタのコレクタを交流的に接地する
ためのバイパスコンデンサを有するプリアンプ回路にお
いて、前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成する
前記トランジスタのコレクタと前記バイパスコンデンサ
との間を並列に接続する抵抗とコンデンサを有すること
を特徴とする。
【００２６】本発明は、エミッタフォロワ・バッファ回
路を構成するトランジスタのコレクタとそのコレクタを
交流的に接地するためのバイパスコンデンサとの間に抵
抗とコンデンサを並列に接続することにより、高周波域
におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの影響
を低減するようにしたものである。
路を構成するトランジスタのコレクタとそのコレクタを
交流的に接地するためのバイパスコンデンサとの間に抵
抗とコンデンサを並列に接続することにより、高周波域
におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの影響
を低減するようにしたものである。
【００２７】したがって、トランスインピーダンス利得
特性のピーキングを抑圧することができるとともにピー
キングのボンディング・ワイヤのインダクタンスの値に
対する依存性を弱くすることができる。
特性のピーキングを抑圧することができるとともにピー
キングのボンディング・ワイヤのインダクタンスの値に
対する依存性を弱くすることができる。
【００２８】本発明の実施態様によれば、前記エミッタ
フォロワ・バッファ回路を構成する前記トランジスタの
コレクタとグランドとの間を直列に接続する抵抗とコン
デンサを有する。
フォロワ・バッファ回路を構成する前記トランジスタの
コレクタとグランドとの間を直列に接続する抵抗とコン
デンサを有する。
【００２９】本発明は、エミッタフォロワ・バッファ回
路を構成するトランジスタのコレクタとグランドとの間
に抵抗とコンデンサを直列に接続したことにより、高周
波域におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの
影響を低減するようにしたものである。
路を構成するトランジスタのコレクタとグランドとの間
に抵抗とコンデンサを直列に接続したことにより、高周
波域におけるボンディング・ワイヤのインダクタンスの
影響を低減するようにしたものである。
【００３０】したがって、ボンディングのインダクタン
スによって引き起こされる帯域縮小の効果を弱めること
ができる。
スによって引き起こされる帯域縮小の効果を弱めること
ができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。図６中と同
番号は同じ構成要素を示す。
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。図６中と同
番号は同じ構成要素を示す。
【００３３】本実施形態のプリアンプ回路１９は、図６
の従来のプリアンプ回路に対して、トランジスタ２のコ
レクタ・ベース間を接続する帰還抵抗２１を設けたもの
である。
の従来のプリアンプ回路に対して、トランジスタ２のコ
レクタ・ベース間を接続する帰還抵抗２１を設けたもの
である。
【００３４】本実施形態のプリアンプ回路１９では、エ
ミッタフォロワ・バッファ段２０を構成するトランジス
タ２のコレクタに直流バイアス電圧を印加する際、コレ
クタを交流的に接地するためにバイパスコンデンサ１７
を用いているが、バイパスコンデンサ１７とトランジス
タ２のコレクタを接続するボンディング・ワイヤ１３の
インダクタンスの影響を低減するため、トランジスタ２
のコレクタ・ベース間を第２の帰還抵抗２１で接続す
る。
ミッタフォロワ・バッファ段２０を構成するトランジス
タ２のコレクタに直流バイアス電圧を印加する際、コレ
クタを交流的に接地するためにバイパスコンデンサ１７
を用いているが、バイパスコンデンサ１７とトランジス
タ２のコレクタを接続するボンディング・ワイヤ１３の
インダクタンスの影響を低減するため、トランジスタ２
のコレクタ・ベース間を第２の帰還抵抗２１で接続す
る。
【００３５】次に、本実施形態のプリアンプ回路１９の
効果について説明する。
効果について説明する。
【００３６】図２は、図１に示したプリアンプ回路１９
において、ボンディング・ワイヤ１３のインダクタンス
の値をパラメータとして、トランスインピーダンス利得
特性を数値シミュレーションした結果である。
において、ボンディング・ワイヤ１３のインダクタンス
の値をパラメータとして、トランスインピーダンス利得
特性を数値シミュレーションした結果である。
【００３７】この図２と、図６の従来のプリアンプ回路
５９のトランスインピーダンス利得特性を数値シミュレ
ーションした結果である図７とを比較すると、本実施形
態のプリアンプ回路１９では、ピーキングを抑圧するこ
とができ、また、ピーキングのボンディング・ワイヤ１
３のインダクタンスの値に対する依存性が弱くなってい
ることがわかる。
５９のトランスインピーダンス利得特性を数値シミュレ
ーションした結果である図７とを比較すると、本実施形
態のプリアンプ回路１９では、ピーキングを抑圧するこ
とができ、また、ピーキングのボンディング・ワイヤ１
３のインダクタンスの値に対する依存性が弱くなってい
ることがわかる。
【００３８】本実施形態のプリアンプ回路では、この結
果として、高周波域にわたって、平坦なトランスインピ
ーダンス利得特性を得ることができるので、出力波形の
ジッタ、リンギングや回路の発振を抑えることができ、
良好な光信号の検出および受信ができる。
果として、高周波域にわたって、平坦なトランスインピ
ーダンス利得特性を得ることができるので、出力波形の
ジッタ、リンギングや回路の発振を抑えることができ、
良好な光信号の検出および受信ができる。
【００３９】（第２の実施形態）図３は本発明の第２の
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
【００４０】図３を参照すると、本実施形態のプリアン
プ回路２９は、図１の第１の実施形態のプリアンプ回路
で示した回路構成に対して、トランジスタ２のコレクタ
とグランド間を抵抗２２とコンデンサ２３で直列に接続
したバイパス回路を設けたものである。
プ回路２９は、図１の第１の実施形態のプリアンプ回路
で示した回路構成に対して、トランジスタ２のコレクタ
とグランド間を抵抗２２とコンデンサ２３で直列に接続
したバイパス回路を設けたものである。
【００４１】本実施形態の効果は、上記第１の実施形態
の効果に加えて、ボンディング・ワイヤによる高周波域
でのインダクタンスによって引き起こされる帯域縮小の
効果を弱めるものである。
の効果に加えて、ボンディング・ワイヤによる高周波域
でのインダクタンスによって引き起こされる帯域縮小の
効果を弱めるものである。
【００４２】（第３の実施形態）図４は本発明の第３の
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
【００４３】図４を参照すると、本実施形態のプリアン
プ回路３９は、図６の従来のプリアンプ回路５９に対し
て、トランジスタ２のコレクタとボンディング・ワイヤ
１３との間を並列に接続する抵抗２４とコンデンサ２５
を設けたものである。
プ回路３９は、図６の従来のプリアンプ回路５９に対し
て、トランジスタ２のコレクタとボンディング・ワイヤ
１３との間を並列に接続する抵抗２４とコンデンサ２５
を設けたものである。
【００４４】本実施形態のプリアンプ回路３９では、エ
ミッタフォロワ・バッファ段２０を構成するトランジス
タ２のコレクタに直流バイアス電圧を印加する際、コレ
クタを交流的に接地するためにバイパスコンデンサ１７
を用いているが、バイパスコンデンサ１７とトランジス
タ２のコレクタを接続するボンディング・ワイヤ１３に
よる高周波域でのインダクタンスの影響を低減するた
め、トランジスタ２のコレクタとボンディング・ワイヤ
１３との間を抵抗２４とコンデンサ２５により並列接続
する。
ミッタフォロワ・バッファ段２０を構成するトランジス
タ２のコレクタに直流バイアス電圧を印加する際、コレ
クタを交流的に接地するためにバイパスコンデンサ１７
を用いているが、バイパスコンデンサ１７とトランジス
タ２のコレクタを接続するボンディング・ワイヤ１３に
よる高周波域でのインダクタンスの影響を低減するた
め、トランジスタ２のコレクタとボンディング・ワイヤ
１３との間を抵抗２４とコンデンサ２５により並列接続
する。
【００４５】本実施形態のプリアンプ回路３９の効果
は、第１の実施形態と同様に、トランスインピーダンス
利得特性における、ピーキングを抑圧することができ、
また、ピーキングのボンディング・ワイヤ１３による高
周波域でのインダクタンスの値に対する依存性を弱くす
るものである。
は、第１の実施形態と同様に、トランスインピーダンス
利得特性における、ピーキングを抑圧することができ、
また、ピーキングのボンディング・ワイヤ１３による高
周波域でのインダクタンスの値に対する依存性を弱くす
るものである。
【００４６】（第４の実施形態）図５は本発明の第４の
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
実施形態のプリアンプ回路の回路図である。
【００４７】図５を参照すると、本実施形態のプリアン
プ回路４９は、図４の第３の実施形態のプリアンプ回路
で示した回路構成に対して、トランジスタ２のコレクタ
とグランド間を抵抗２２とコンデンサ２３で直列に接続
したバイパス回路を設けたものである。
プ回路４９は、図４の第３の実施形態のプリアンプ回路
で示した回路構成に対して、トランジスタ２のコレクタ
とグランド間を抵抗２２とコンデンサ２３で直列に接続
したバイパス回路を設けたものである。
【００４８】本実施形態の効果は、上記第３の実施形態
の効果に加えて、ボンディング・ワイヤ１３による高周
波域でのインダクタンスによって引き起こされる帯域縮
小の効果を弱めるものである。
の効果に加えて、ボンディング・ワイヤ１３による高周
波域でのインダクタンスによって引き起こされる帯域縮
小の効果を弱めるものである。
【００４９】上記第１〜第４の実施形態においては、初
段、および、最終段の増幅部はトランジスタ１つで構成
したが、この構成に限られるものではなく、差動型やカ
スコード型等を組み合わせて、複数のトランジスタによ
り構成してもよい。
段、および、最終段の増幅部はトランジスタ１つで構成
したが、この構成に限られるものではなく、差動型やカ
スコード型等を組み合わせて、複数のトランジスタによ
り構成してもよい。
【００５０】また、上記第１〜第４の実施形態における
回路構成は、入力側の増幅部１段、エミッタフォロワ・
バッファ２段、出力側の増幅部１段であったが、入力側
増幅段は２段以上でもよく、エミッタフォロワ・バッフ
ァ段は１段以上あればよく、出力側の増幅部は１段以上
でもよいし場合によっては無くてもよい。
回路構成は、入力側の増幅部１段、エミッタフォロワ・
バッファ２段、出力側の増幅部１段であったが、入力側
増幅段は２段以上でもよく、エミッタフォロワ・バッフ
ァ段は１段以上あればよく、出力側の増幅部は１段以上
でもよいし場合によっては無くてもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、トラン
スインピーダンス利得特性におけるピーキングを抑圧す
ることができ、エミッタフォロワ・バッファ回路のトラ
ンジスタのコレクタとバイパスコンデンサを接続するボ
ンディング・ワイヤのインダクタンス値に対するピーキ
ングの依存性を弱くするという効果を有する。
スインピーダンス利得特性におけるピーキングを抑圧す
ることができ、エミッタフォロワ・バッファ回路のトラ
ンジスタのコレクタとバイパスコンデンサを接続するボ
ンディング・ワイヤのインダクタンス値に対するピーキ
ングの依存性を弱くするという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施形態のプリアンプ回路の回
路図である。
路図である。
【図２】図１のプリアンプ回路１９のトランスインピー
ダンス特性を、インダクタンス１３をパラメータとして
示した図である。
ダンス特性を、インダクタンス１３をパラメータとして
示した図である。
【図３】本発明の第２の実施形態のプリアンプ回路の回
路図である。
路図である。
【図４】本発明の第３の実施形態のプリアンプ回路の回
路図である。
路図である。
【図５】本発明の第４の実施形態のプリアンプ回路の回
路図である。
路図である。
【図６】従来のプリアンプ回路の回路図である。
【図７】図６の従来のプリアンプ回路５９のトランスイ
ンピーダンス特性を、インダクタンス１３をパラメータ
として示した図である。
ンピーダンス特性を、インダクタンス１３をパラメータ
として示した図である。
１〜４ トランジスタ ５ 帰還抵抗 ６〜１０ 抵抗 １１〜１５ ボンディング・ワイヤ １６、１７ バイパスコンデンサ １８ 光検出器 １９ プリアンプ回路 ２０ エミッタフォロワ・バッファ段 ２１ 帰還抵抗 ２２ 抵抗 ２３ コンデンサ ２４ 抵抗 ２５ コンデンサ ２６、２７ 電源 ２８ リード線 ２９ プリアンプ回路 ３０ リード線 ３１ ダイオード ３９ プリアンプ回路 ４９ プリアンプ回路 ５９ プリアンプ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 1/00 - 3/72 H04B 10/06
Claims (4)
- 【請求項１】 受信した光信号を電気信号に変換する光
検出器からの前記電気信号を増幅する増幅回路と、前記
増幅回路の出力インピーダンスのインピーダンス変換を
おこなうエミッタフォロワ・バッファ回路と、前記エミ
ッタフォロワ・バッフア回路を構成するトランジスタの
エミッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第１の帰還抵抗
とを備え、前記エミッタフォロワ・バッファ回路のコレ
クタと、前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成す
るトランジスタのコレクタを交流的に接地するためのバ
イパスコンデンサとの間がボンディング・ワイヤにより
接続されているプリアンプ回路において、 前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成する前記ト
ランジスタのベース・コレクタ間を接続する第２の帰還
抵抗を有することを特徴とするプリアンプ回路。 - 【請求項２】 前記エミッタフォロワ・バッファ回路を
構成する前記トランジスタのコレクタとグランドとの間
を直列に接続する抵抗とコンデンサを有する請求項１記
載のプリアンプ回路。 - 【請求項３】 受信した光信号を電気信号に変換する光
検出器からの前記電気信号を増幅する増幅回路と、前記
増幅回路の出力インピーダンスのインピーダンス変換を
おこなうエミッタフォロワ・バッファ回路と、前記エミ
ッタフォロワ・バッフア回路を構成するトランジスタの
エミッタと前記増幅回路の入力部を結ぶ第１の帰還抵抗
とを備え、前記エミッタフォロワ・バッファ回路のコレ
クタと、前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成す
るトランジスタのコレクタを交流的に接地するためのバ
イパスコンデンサとの間がボンディング・ワイヤにより
接続されているプリアンプ回路において、 前記エミッタフォロワ・バッファ回路を構成する前記ト
ランジスタのコレクタと前記ボンディンディングワイヤ
との間に接続された、抵抗とコンデンサからなる並列回
路を有することを特徴とするプリアンプ回路。 - 【請求項４】 前記エミッタフォロワ・バッファ回路を
構成する前記トランジスタのコレクタとグランドとの間
を直列に接続する抵抗とコンデンサを有する請求項３記
載のプリアンプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16112997A JP3149911B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | プリアンプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16112997A JP3149911B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | プリアンプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118517A JPH118517A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3149911B2 true JP3149911B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=15729160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16112997A Expired - Fee Related JP3149911B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | プリアンプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149911B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3937426B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-06-27 | 日本電気株式会社 | プリアンプ回路 |
| JP5418162B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-02-19 | 住友電気工業株式会社 | トランスインピーダンスアンプ |
| JP5133392B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2013-01-30 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器及び差動増幅器 |
| JP2017175465A (ja) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | キヤノン株式会社 | 電流電圧変換器、光電変換装置およびカメラ |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16112997A patent/JP3149911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH118517A (ja) | 1999-01-12 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |