JP3148798B2 - 荷電粒子線露光用マスク製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光用マスク製造方法Info
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Description
路の製造工程等において、いわゆる部分一括方式の電子
ビーム露光のマスクとして用いられる荷電粒子線露光用
マスクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法に関
する。
年ますます加速されるばかりであり、これにともなっ
て、微細パターン露光のさらなる微細化が急務となって
いる。
トリソグラフィー法が主流であるが、このフォトリソグ
ラフィー法は、光の波長による原理的な限界がある。こ
のため、近年、光に比較して原理的に高分解能を有する
X線、あるいは、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒
子線を用いた方法の実用化が種々検討されている。
露光については、従来からいわゆる一筆書きの描画によ
る露光方法が実用化されているが、この方法は、露光に
著しい時間を要する(スループットが低いという場合が
ある)ことから、大量の製品を迅速に製造するために迅
速な露光が要請される工程には用いることはできない。
このため、最近、例えば、露光パターン中に繰り返して
表れる種々の要素的パターンを、マスクを用いた転写方
式で露光できるようにし、これら種々の要素的パターン
転写を組み合わせることによって所望のパターンの露光
を迅速に行なえるようにした、いわゆる部分一括露光
(ブロック露光又はセルプロジェクション露光という場
合もある)方法が提案されている。この方法に用いられ
るマスクは、通常、多数の互いに異なる要素的パターン
が1枚のマスクに形成されているものであり、このマス
クを用いた露光は、1つの要素的パターンの転写が終了
すると、電子ビームを偏向させるかもしくはマスクを移
動させるかもしくはその双方を行なう等によって次の要
素的パターン転写を行なうようにしている。
括露光方法等のような荷電粒子線露光に用いられる荷電
粒子線露光用マスクは、一般に、支持枠部に支持された
薄膜部に荷電粒子線を通過させる貫通パターンが形成さ
れたものである。すなわち、荷電粒子線を良好に通過さ
せるような物質はないことから、荷電粒子線を通過させ
る部分にはいかなる物質も存在させることができないの
で、この部分は貫通されていなければならない。また、
この貫通パターンを厚い板等に形成すると、通過する電
子ビームが貫通パターンの側壁の影響を受けて正確な転
写が行われなくなるので、貫通パターンは薄膜に形成さ
れなければならない。また、薄膜を平面精度を保って支
持するためには所定強度を有する支持枠部が必要とな
る。
例えば、SOI(Silicon on Insulater)基板に放電加
工による貫通パターンを形成する方法や、感光ガラスを
用いる方法等の報告例がある。しかし、これらの方法
は、露光における耐久性や加工精度等を考慮すると十分
でない。このため、最近、基板表面に薄膜を張り付けて
おき、基板裏面から支持枠部と張り付け形成した薄膜と
が残るように基板を湿式エッチングすることによって支
持枠部と薄膜部とを形成するようにし、一方、この薄膜
部に形成する貫通パターンは、上記薄膜部形成の湿式エ
ッチングの前又は後にドライエッチングによって形成す
るようにした方法が注目されてきている。この方法のう
ち、貫通パターンを薄膜部形成の後に形成する方法の具
体的手順は次の通りである。
のSi基板表面に厚さ1μm程度のSiO2 層を挾んで
薄いSi板を貼りあわせ、この薄いSi板を研摩して厚
さ20μm程度の薄膜状にしてSOI基板を作製する。
次に、このSOI基板全面にSiを対象とする湿式エッ
チングに耐性のあるSi3 N4 等のシリコン窒化膜を形
成する。次に、基板裏面のシリコン窒化膜にドライエッ
チングよって支持枠部となる部分を残して薄膜部となる
部分を除去するパターンニングを施す。次に、このパタ
ーンニングされたシリコン窒化膜をマスクにして、湿式
エッチングにより基板のうちの支持枠部となる部分を残
し、薄膜部となる領域を基板裏面から浸蝕して取り除
く。これによって、支持枠部に上記貼りあわせた薄膜が
支持されたものを得る。次に、上記シリコン窒化膜をあ
る種の湿式エッチングもしくはドライエッチングによっ
て除去する。そして、上記薄膜部にドライエッチングに
よって貫通パターンを形成する。なお、この貫通パター
ン形成のために用いるマスクとなる膜は、上記シリコン
窒化膜を形成する前に予め形成しておいてもよいし、ま
た、支持枠部と薄膜部とを形成した後に形成してもよい
(詳しくは、例えば、特開平6ー130655号公報参
照)。
の荷電粒子線露光用マスク製造方法においては、薄膜部
を形成する工程におけるエッチングの際に、この薄膜形
成領域のみをエッチングさせるために用いるマスクと、
該エッチングによって除去する部位を除く他の部分を該
エッチンングによる損傷から保護するために形成される
保護膜とを、ともにSi3 N4 膜で構成している。これ
は、薄膜形成のための湿式エッチングに対して十分な耐
性を有すると同時に、正確なパターン形成が可能で、し
かも、CVD法(化学気相成長法)等によって基板全面
に比較的容易に形成することができるという条件を満た
す薄膜としては、上記Si3 N4 膜をはじめとする無機
系の膜に限られるものと考えられていたためである。
その形成の際に基板の温度を300℃以上に加熱する必
要があるとともに、用済み後にこれを除去するには、1
50℃以上に加熱した熱燐酸を用いなければならない
等、その取り扱いが必ずしも容易でない。しかも、基板
を300℃以上という高温に加熱する際に他の部分に熱
ストレスをはじめとする悪影響を与えるおそれが高い。
また、用済み後にこれを除去する際には、150℃に加
熱された熱燐酸によってその前に形成した薄膜部を損傷
してしまうおそれもある。それゆえ、このようなおそれ
を防止するために、処理条件を厳密に制御したり、さら
には他の工程を追加したりする必要が生じ、どうしても
工程が複雑・高度なものになって製造コストを引き上げ
ると同時に、歩留まり向上にも限界が生ずる。
ものであり、比較的単純な製造工程で欠陥のない荷電粒
子線露光用マスクを歩留まりよく低コストで製造するこ
とができる荷電粒子線露光用マスク製造方法を提供する
ことを目的としている。
めに、本発明にかかる荷電粒子線露光用マスク製造方法
は、 (構成1) 支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子線
を通過させる貫通パターンを有する荷電粒子線露光用マ
スクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法であっ
て、素材基板における支持枠部形成領域を除いた薄膜部
形成領域の一方の面側から他方の面側に向けてウエット
エッチングを施して他方の面側に薄膜部を形成する処理
を含む薄膜部形成工程と、前記薄膜部形成領域に貫通パ
ターンとなるパターンをエッチングを含むパターン形成
方法で形成する貫通パターン形成工程とを備えた荷電粒
子線露光用マスク製造方法において、前記薄膜部形成工
程におけるウエットエッチングの際に用いるマスクを構
成する膜材料として、チタン、クロム、タングステン、
ジルコニウム又はニッケルのいずれか1又は2以上を主
たる成分として含む材料を用いるとともに、前記マスク
は、前記素材基板の他方の面及び基板側面を除いて、前
記素材基板の前記一方の面に形成し、前記素材基板の他
方の面及び素材基板側面には、前記マスクを構成する膜
材料と異なる材料からなる保護膜を形成して、前記ウエ
ットエッチングを行うことを特徴とする構成、及び、 (構成2) 支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子線
を通過させる貫通パターンを有する荷電粒子線露光用マ
スクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法であっ
て、素材基板における支持枠部形成領域を除いた薄膜部
形成領域の一方の面側から他方の面側に向けてウエット
エッチングを施して他方の面側に薄膜部を形成する処理
を含む薄膜部形成工程と、前記薄膜部形成領域に貫通パ
ターンとなるパターンをエッチングを含むパターン形成
方法で形成する貫通パターン形成工程とを備えた荷電粒
子線露光用マスク製造方法において、 前記薄膜部形成工
程におけるウエットエッチングの際に用いるマスクを構
成する膜材料として、チタン、クロム、タングステン、
ジルコニウム又はニッケルの いずれか1又は2以上を主
たる成分として含む材料を用いるとともに、前記マスク
は、前記素材基板の他方の面及び基板側面を除いて、前
記素材基板の前記一方の面側に形成し、前記素材基板の
他方の面及び素材基板側面には、前記マスクを構成する
膜材料と異なる材料である樹脂材料からなる保護膜を形
成して、前記ウエットエッチングを行うことを特徴とす
る構成とし、構成1又は2の態様として、 (構成3) 前記ウエットエッチングの際に用いるマス
クを構成する膜を、室温スパッタ法で形成することを特
徴とする構成とし、構成2又は3の態様として、前記樹
脂材料からなる保護膜は、スピンコート法で形成するこ
とを特徴とする構成とし、構成2乃至4のいずれかの態
様として、 (構成5) 前記樹脂材料からなる保護膜は、前記マス
クを構成する膜を形成した後に形成することを特徴とす
る構成とした。
ウエットエッチングの際に用いるマスクを構成する膜材
料として、チタン、クロム、タングステン、ジルコニウ
ム又はニッケルのいずれか1又は2以上を主たる成分と
して含む材料を用いるようにしたことにより、このマス
ク形成の際の処理条件を他の部位を損傷もしくは劣化さ
せるおそれのない低温等の条件のもとで行なうことが容
易に可能となり、また、用済み後に除去する際にも他の
部位を損傷もしくは劣化させるおそれのない条件のもと
で行なうことが容易に可能となった。
歩留まりで安定してしかも低コストで製造することが可
能になる。
線露光用マスク製造方法の工程説明図である。以下、図
1を参照にしながら実施例1の荷電粒子線露光用マスク
製造方法を説明する。なお、上述のように、この種の荷
電粒子線露光用マスクは、仮に支持枠部に支持された薄
膜部に要素的パターンが形成されたマスクを単位マスク
とすると、実際には、互いに異なる要素的パターンを有
する単位マスクが大きなSi基板に多数形成されたもの
を1枚のマスクとして用いるのが一般的であるが、説明
を簡単にするために以下の各実施例においては、単位マ
スクのみを取り上げて説明する。また、実施例1は、支
持枠部と薄膜部とが基板の一部を除去することにより形
成されたものであって共に上記基板の一部からなる一体
のもので構成した荷電粒子線露光用マスクを製造する例
である。
なる基板1aの両面に、後述するドライエッチングのマ
スクとして用いる厚さ2μmのSiO2 膜4a,4bを
スパッタリング法によってそれぞれ形成する(図1(A)
参照)。なお、ここで、裏面にもSiO2 膜4bを形成
するのは、片面だけに形成すると基板1aに反りが生ず
る場合もあるので、これを防止するためである。
にフォトレジストを形成し、後述する貫通パターン31
(図1(G) 参照)を形成するためのパターン露光・現像
してレジストパターン(図示せず)を形成し、次に、こ
のレジストパターンをマスクにしてSiO2 膜4aをド
ライエッチングして、貫通パターン31を形成するため
のマスクとなるパターン41が形成されたパターン付S
iO2 膜4を得る(図1(B) 参照)。
クにして平行平板IRE法によるドライエッチングによ
り、Si基板1aに、後で貫通パターン31となる凹状
パターン31aを形成して(この加工をトレンチ加工と
いう場合がある)凹状パターン付基板1bを得る(図1
(C) 参照)。
板裏面のSiO2 膜4bを緩衝弗酸によって除去し、次
に、上記凹状パターン付基板1bの裏面に、室温スパッ
タ法によって膜厚3000オングストロームの金属チタ
ン膜5aを形成する(図1(D) 参照)。後述するよう
に、この金属チタン膜5aは基板1bを裏面からエッチ
ングして薄膜部3(図1(G) 参照)を形成する際のマス
クを形成するための膜である。
ジストを形成し、薄膜部3を形成するためのパターン露
光・現像してレジストパターン(図示せず)を形成し、
次に、このレジストパターンをマスクにして金属チタン
膜5aを2%の希弗硝酸水溶液でエッチングし、薄膜部
3を形成するためのマスクとなるパターン51が形成さ
れたパターン付金属チタン膜5を得る。次に、凹状パタ
ーン付基板1bの表面及び凹状パターン31aの内部並
びに基板1bの側面にフッ素樹脂をスピンコート法で塗
布し、150℃で硬化させてフッ素樹脂保護膜6を形成
する(図1(E)参照)。このフッ素樹脂保護膜6は、薄
膜部3を形成する際のエッチング工程で使用するエッチ
ング液から基板1bを保護するためのものである。
フッ素樹脂保護膜6が形成された凹状パターン付基板1
bに、上記パターン付金属チタン膜5をマスクにして、
100℃に加熱されたKOH水溶液を用いてエッチング
を施す。このエッチングは、凹状パターン付基板1bの
裏面における金属チタン膜が除去されて形成されている
パターン51内の領域が、上記凹状パターン31aの底
面部に貫通するようになるまで行なう(図1(F) 参
照)。
6を除去し、また、パターン付金属チタン膜5を希弗硝
酸水溶液で除去することにより、図1(G) に示されるよ
うな、支持枠部2に支持された薄膜部3に貫通パターン
31が形成された荷電粒子線露光用マスク1を得る。
応じて、上記持枠部2及び薄膜部3の表面に膜厚2μm
程度のTa等の重金属からなる導電膜5を形成するよう
にしてもよい。これによれば、荷電粒子によってマスク
表面が帯電されることを軽減することができる。
の製造方法によれば、薄膜部3を形成するエッチングの
際のマスクを構成する材料としてチタンを用いたことか
ら、マスク形成の際の処理条件を低温等の他の部位を損
傷もしくは劣化させるおそれのない条件のもとで行なう
ことが容易に可能となり、また、用済み後に除去する際
にも他の部位を損傷もしくは劣化させるおそれのない条
件のもとで行なうことが容易に可能となった。
に他の部分を保護するための保護膜としてフッ素樹脂保
護膜6を用いている。それゆえ、まず、これらの膜形成
や使用後の除去の工程を比較的低温で行なうことができ
る。したがって、これらの工程で他の部分に熱ストレス
や損傷を与えるおそれを著しく小さくできる。また、保
護膜をフッ素樹脂で構成したことにより、凹状パターン
31bの内部まで完全に保護膜を形成することが容易に
可能であるのでエッチング液の浸蝕に対する保護を完全
に行なうことが可能であるとともに、その除去は、有機
溶剤で簡単にしかも完全に行なうことができる。
持枠部2と薄膜部3とがSi基板1aの一部を除去する
ことにより形成されたものであって共にSi基板1aの
一部からなる一体のものになるようにしていることか
ら、基板上に貼付け形成した薄膜で薄膜部を構成するよ
うにしたものに比較すると、製造中あるいは使用中にこ
の貼付け形成した薄膜の膜剥がれのおそれ等は全くな
く、また、皺発生等のおそれも著しく小さくできる。し
かも、SOI基板等を作製する必要がないので、その製
造工程を著しく単純化できる等の優れた利点もある。
マスクの製造方法によれば、その製造工程数自体が少な
いこと、比較的高コストの薄膜形成工程やドライエッチ
ング工程を少なくし、低コストの湿式エッチング工程や
樹脂コーティング工程を採用していること、各工程が安
定して欠陥の生じにくい確実なものであるとともに、低
い処理温度で行なうことができる等の理由で他の部分に
熱ストレスや損傷を与えるおそれが小さいこと等から、
単純な構成で耐久性に富む荷電粒子線露光用マスクを高
歩留まりで安定してしかも低コストで製造することを可
能にしている。
かる荷電粒子線露光用マスク製造方法の工程説明図であ
る。以下、図2を参照にしながら実施例2の荷電粒子線
露光用マスク製造方法を説明する。なお、この実施例2
は、基板表面に薄膜を張り付けておき、基板裏面から支
持枠部と張り付け形成した薄膜とが残るように基板を湿
式エッチングすることによって支持枠部と薄膜部とを形
成するようにした例であるが、基本的構成は上述の実施
例1と共通するので、基本的に同じ機能を果たす部分に
は同一の符号を付して説明する。
のSi基板1aの表面に厚さ1μm程度の第1のSiO
2 膜7aを熱酸化法で形成し、次に、この第1のSiO
2 膜7aを挾んで薄い(厚さ30μm程度)Si板を貼
りあわせ、この薄いSi板を研摩して厚さ20μm程度
の薄膜状のSi膜8aにして、Si基板1aの上にSi
O2 膜7aを挾んでSi膜8aが貼りあわされた、いわ
ゆるSOI基板を作製する。次に、このSOI基板のS
i膜8aの上に、後述するドライエッチングのマスクと
して用いる厚さ2μmの第2のSiO2 膜4aをCVD
法によって形成する(図2(A) 参照)。
パッタ法によって膜厚3000オングストロームの金属
クロム膜を形成し(図示せず)、この金属クロム膜上に
フォトレジストを形成し、薄膜部3(図2(G) 参照)を
形成するためのパターンの露光・現像を行なってレジス
トパターン(図示せず)を形成し、次に、このレジスト
パターンをマスクにして上記金属クロム膜を2%の硝酸
第2セリウム・アンモニウム/過塩素酸水溶液でエッチ
ングし、薄膜部3を形成するためのマスクとなるパター
ン51が形成されたパターン付金属クロム膜5を得る
(図2(B) 参照)。
プロピレン系樹脂を印刷法で塗布し、150℃で硬化さ
せて膜厚約300μmのエチレンープロピレン系樹脂保
護膜6を形成する(図2(C) 参照)。なお、このエチレ
ンープロピレン系樹脂保護膜6は、薄膜部3を形成する
際のエッチング工程で使用するエッチング液から基板1
a並びにその上に形成された薄膜類を保護するためのも
のである。
エチレンープロピレン系樹脂保護膜6が形成された基板
1aに、上記パターン付金属クロム膜5をマスクにし
て、IPA(2ープロパノール)が10%添加されたK
OH水溶液を70℃に加熱したエッチング液を用いてエ
ッチングを施す。このエッチングは、パターン51内の
領域が、基板1aの表面に形成された第1のSiO2 膜
7aの裏面に貫通するようになるまで行なう(図2(D)
参照)。
レン系樹脂保護膜6を除去し、また、パターン付金属ク
ロム膜5を硝酸第2セリウム。アンモニウムー過塩素酸
水溶液を用いて除去し、これによって露出された第2の
SiO2 膜4a上にフォトレジストを形成し(図示せ
ず)、貫通パターン31を形成するためのパターンの露
光・現像を行なってレジストパターン(図示せず)を形
成し、次に、このレジストパターンをマスクにして上記
第2のSiO2 膜4aをドライエッチングして、貫通パ
ターン31を形成するためのマスクとなるパターン41
が形成されたパターン付SiO2 膜4を得る(図2(E)
参照)。
クにしてSi膜8aをマグネトロンRIE法によるドラ
イエッチングして貫通パターン31を形成するためのマ
スクとなるパターン81が形成されたパターン付きSi
膜8を得る(図2(F) 参照)。
1のSiO2 膜7aのうちの外部に露出している部分を
緩衝フッ酸で除去し、支持枠部2に支持された薄膜部3
に貫通パターン31が形成された荷電粒子線露光用マス
ク1を得る(図2(G) 参照)。
によって薄膜部を形成するようにしていることから、実
施例1に比較すると若干工程数が増える等の不利はある
が、実施例1の場合のように、樹脂保護膜を凹状パター
ン内まで形成させる必要がないので、その形成が容易で
あるという利点を有する。
かる荷電粒子線露光用マスク製造方法の工程説明図であ
る。以下、図3を参照にしながら実施例3の荷電粒子線
露光用マスク製造方法を説明する。なお、この実施例3
は、樹脂保護膜を形成する前に貫通パターン形成用のパ
ターン形成を行なう点で実施例2とその工程の順序が異
なるほかの基本構成は実施例2と同じであるので、同一
の機能を果たす部分には同一の符号を付して説明する。
のSi基板1aの表面に厚さ1μm程度の第1のSiO
2 膜7aを減圧CVD法で形成し、次に、この第1のS
iO2 膜7aを挾んで薄い(厚さ30μm程度)Si板
を貼りあわせ、この薄いSi板を研摩して厚さ10μm
程度の薄膜状のSi膜8aにして、Si基板1aの上に
SiO2 膜7aを挾んでSi膜8aが貼りあわされた、
いわゆるSOI基板を作製する。次に、このSOI基板
のSi膜8aの上に、後述するドライエッチングのマス
クとして用いる厚さ2μmの第2のSiO2 膜4aを熱
酸化法によって形成する(図3(A) 参照)。
パッタ法によって膜厚3000オングストロームのタン
グステン膜を形成し(図示せず)、このタングステン膜
上にフォトレジストを形成し、薄膜部3(図2(G) 参
照)を形成するためのパターンの露光・現像を行なって
レジストパターン(図示せず)を形成し、次に、このレ
ジストパターンをマスクにして上記タングステン膜を、
苛性ソーダ/赤血塩[(K3Fe(CN6)]混合水溶
液でエッチングし、薄膜部3を形成するためのマスクと
なるパターン51が形成されたパターン付タングステン
膜5を得る(図3(B) 参照)。
ジストを形成し(図示せず)、貫通パターン31を形成
するためのパターンの露光・現像を行なってレジストパ
ターン(図示せず)を形成し、次に、このレジストパタ
ーンをマスクにして上記第2のSiO2 膜4aをドライ
エッチングして、貫通パターン31を形成するためのマ
スクとなるパターン41が形成されたパターン付SiO
2 膜4を得る(図2(C) 参照)。
クにしてSi膜8aをECRーRIE法によるドライエ
ッチングして貫通パターン31を形成するためのマスク
となるパターン81が形成されたパターン付Si膜8を
得る(図2(D) 参照)。
SiO2 膜4が形成された基板1aの表面及びパターン
41,81の内部並びに基板1aの側面にシリコン樹脂
をディップ法で塗布し、100℃で硬化させて膜厚約2
00μmのシリコン樹脂保護膜6を形成する(図2(E)
参照)。なお、このシリコン樹脂保護膜6は、薄膜部3
を形成する際のエッチング工程で使用するエッチング液
から基板1a並びにその上に形成された薄膜類を保護す
るためのものである。
びシリコン樹脂保護膜6が形成された基板1aに、上記
パターン付タングステン膜5をマスクにして、NaOH
水溶液を90℃に加熱したエッチング液を用いてエッチ
ングを施す。このエッチングは、パターン51内の領域
が、基板1aの表面に形成された第1のSiO2 膜7a
の裏面に貫通するようになるまで行なう(図2(F) 参
照)。
膜6を除去し、また、パターン付タングステン膜5を上
記苛性ソーダ/赤血塩混合水溶液のエッチングを用いて
除去し、次に、上記パターン付SiO2 膜4及び第1の
SiO2 膜7aのうちの外部に露出している部分を緩衝
フッ酸で除去し、支持枠部2に支持された薄膜部3に貫
通パターン31が形成された荷電粒子線露光用マスク1
を得る(図2(G) 参照)。
ためのパターン形成を、薄膜部形成の前に行なうように
しているので、上記パターン形成によって先に形成した
薄膜部に悪影響を与えるおそれを軽減することができる
という利点を有する。
裏面からエッチングして薄膜部を形成する際のマスクを
形成するための膜材料として、金属チタン、クロム及び
タングステンを用いた例を掲げたが、この膜を構成する
材料としては、これらのほかに、これらを含む化合部、
あるいは、ジルコニウム又はニッケルのいずれか1又は
2以上を主たる成分として含む材料を用いてもよい。ま
た、このマスク用の膜を形成する方法としては、CVD
メッキ法を用いることもできる。
程で使用するエッチング液から基板等を保護するための
保護膜の材料として、フッ素樹脂、エチレンープロピレ
ン系樹脂及びシリコン樹脂を用いた例を掲げたが、この
膜を構成する材料としては、他のフッ素系樹脂、エチレ
ン系樹脂、プロピレン系樹脂、他のシリコン系樹脂、ブ
タジエン系樹脂又はスチレン系樹脂のいずれか1又は2
以上を含む他の樹脂材料であってもよいし、あるいは、
Si3 O4 等の無機材料や他の金属材料であってもよ
い。
荷電粒子線露光用マスク製造方法によれば、薄膜部形成
工程におけるウエットエッチングの際に用いるマスクを
構成する膜材料として、チタン、クロム、タングステ
ン、ジルコニウム又はニッケルのいずれか1又は2以上
を主たる成分として含む材料を用いるようにしたことに
より、このマスク形成の際の処理条件を他の部位を損傷
もしくは劣化させるおそれのない低温等の条件のもとで
行なうことが容易に可能となり、また、用済み後に除去
する際にも他の部位を損傷もしくは劣化させるおそれの
ない条件のもとで行なうことが容易に可能となった。
スク製造方法の工程説明図である。
スク製造方法の工程説明図である。
スク製造方法の工程説明図である。
部、31…貫通パターン。
Claims (5)
- 【請求項1】 支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子
線を通過させる貫通パターンを有する荷電粒子線露光用
マスクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法であ
って、素材基板における支持枠部形成領域を除いた薄膜
部形成領域の一方の面側から他方の面側に向けてウエッ
トエッチングを施して他方の面側に薄膜部を形成する処
理を含む薄膜部形成工程と、前記薄膜部形成領域に貫通
パターンとなるパターンをエッチングを含むパターン形
成方法で形成する貫通パターン形成工程とを備えた荷電
粒子線露光用マスク製造方法において、前記薄膜部形成工程におけるウエットエッチングの際に
用いるマスクを構成する膜材料として、チタン、クロ
ム、タングステン、ジルコニウム又はニッケルのいずれ
か1又は2以上を主たる成分として含む材料を用いると
ともに、 前記マスクは、前記素材基板の他方の面及び基板側面を
除いて、前記素材基板の前記一方の面に形成し、 前記素材基板の他方の面及び素材基板側面には、前記マ
スクを構成する膜材料と異なる材料からなる保護膜を形
成して、前記ウエットエッチングを行うことを特徴とす
る 荷電粒子線露光用マスク製造方法。 - 【請求項2】 支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子
線を通過させる貫通パターンを有する荷電粒子線露光用
マスクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法であ
って、素材基板における支持枠部形成領域を除いた薄膜
部形成領域の一方の面側から他方の面側に向けてウエッ
トエッチングを施して他方の面側に薄膜部を形成する処
理を含む薄膜部形成工程と、前記薄膜部形成領域に貫通
パターンとなるパターンをエッチングを含むパターン形
成方法で形成する貫通パターン形成工程とを備えた荷電
粒子線露光用マスク製造方法において、 前記薄膜部形成工程におけるウエットエッチングの際に
用いるマスクを構成する膜材料として、チタン、クロ
ム、タングステン、ジルコニウム又はニッケルのいずれ
か1又は2以上を主たる成分として含む材料を用いると
ともに、 前記マスクは、前記素材基板の他方の面及び基板側面を
除いて、前記素材基板の前記一方の面側に形成し、 前記素材基板の他方の面及び素材基板側面には、前記マ
スクを構成する膜材料 と異なる材料である樹脂材料から
なる保護膜を形成して、前記ウエットエッチングを行う
ことを特徴とする 荷電粒子線露光用マスク製造方法。 - 【請求項3】 前記ウエットエッチングの際に用いるマ
スクを構成する膜を、室温スパッタ法で形成することを
特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線露光用マ
スク製造方法。 - 【請求項4】 前記樹脂材料からなる保護膜は、スピン
コート法で形成することを特徴とする請求項2又は3に
記載の荷電粒子線露光用マスク製造方法。 - 【請求項5】 前記樹脂材料からなる保護膜は、前記マ
スクを構成する膜を形成した後に形成することを特徴と
する請求項2乃至4のいずれかに記載の荷電粒子線露光
用マスク製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26663294A JP3148798B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 荷電粒子線露光用マスク製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP26663294A JP3148798B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 荷電粒子線露光用マスク製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH08130175A JPH08130175A (ja) | 1996-05-21 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP3148798B2 (ja) |
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US10488749B2 (en) * | 2017-03-28 | 2019-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26663294A patent/JP3148798B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH08130175A (ja) | 1996-05-21 |
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