JP3147412B2 - 入射テーパ光導波路およびそれを用いた波長変換素子 - Google Patents
入射テーパ光導波路およびそれを用いた波長変換素子Info
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Description
用した、光情報処理、光応用計測制御分野に使用される
光導波路とレーザおよびファイバとの高効率結合を可能
にする入射テーパ光導波路、およびそれを用いた波長変
換素子に関するものである。
路を形成し、TE/TMモードスプリッタや波長変換素子な
どが作製されていた。上記光導波路は基板との屈折率差
(Δne>0.1)が大きくシングルモードのみ伝搬させよ
うとすると厚みが0.4〜0.6μmと非常に薄くなってい
た。そのため上記光導波路への結合効率を向上させるた
め光入射部をテーパにすることが考えられる。
ば光導波路の入射部をテーパ状に広げたものがある。図
10はこの従来の入射テーパ光導波路の基本的構成を示
すものであり、21は誘電体基板、22は光導波路、2
3はテーパ光導波路、24は入射部である。
光導波路においては、入射部の形状及び面積を変えて、
光導波路に励起するコヒーレント光の波面分布と光導波
路を伝搬する導波モード分布を整合させ光導波路とコヒ
ーレント光との高い結合効率を得る入射テーパ光導波路
である。
として(アプライドオプティクス(Applied Optics)19
79年3月号 18巻のP900〜902)の シ゛ェイ シー キャンヘ゛ル ( J.
C.Campbell )氏によると図10に示されるように基板2
1を除々に硝酸銀の溶液24中に浸していくことにより
拡散深さを変化させて入射テーパ光導波路を形成すると
いうものである。LiNbO3基板21に光導波路を形成する
場合、溶液25として安息香酸を用い200℃程度の温度
でテーパ状光導波路が作製される。図11で36はヒー
タ、27はビーカである。
な構成では、入射テーパ光導波路の入射部24を光導波
路に対して充分広げることが難しい。また入射部では幅
方向と深さ方向が広がっているが光導波路をテーパ状に
細くする部分で、光の導波する部分が急に狭くなってい
るので、ここに光が集中すると光導波路内の電界密度が
急激に増加し光損傷を起こす。テーパ部では幅、深さ共
に広がっているためマルチモード光導波路になっている
が、光損傷によって発生した屈折率変化によって、マル
チモードのそれぞれの導波モード間で結合が起こりシン
グルモードの光導波路とテーパ部とが結合する部分で結
合ロスが発生する。
作製方法では、高温で熱処理するため蒸気により液に浸
されていない部分の温度が低下し再現性よく設計通りの
入射部が形成できないという問題もあった。
効率をもち、かつ光損傷にも強い入射テーパ光導波路を
提供することを目的とする。また、上記の光導波路を用
いて波長変換素子を形成し、高い変換効率の波長変換素
子を提供することを目的とする。
するため、本発明では基板上に形成した深さd1の光導
波路と前記光導波路の端部に形成した基板水平方向にテ
ーパ状に広がった深さd2(d2>d1)の入射部と、
前記光導波路と前記入射部の間に形成した深さがd2か
らd1にテーパ状に変化している深さテーパ部を備えた
入射テーパ光導波路とするものである。
に形成した深さd1のイオン交換光導波路と前記イオン
交換光導波路の端部に形成した基板水平方向にテーパ状
に広がった深さd2(d2>d1)の入射部と、前記光
導波路と前記入射部の間に形成した深さがd2からd1
にテーパ状に変化している深さテーパ部を備えた波長変
換素子とするものである。
深さをd2としたときに導波光強度Pに対してP/(d
2×W2)≦300KW/cm2とするものである。
た深さd1の光導波路と前記光導波路の端部に形成した
基板水平方向にテーパ状に広がった深さd2(d2>d
1)の入射部と前記光導波路と前記入射部の間に形成し
た深さがd2からd1にテーパ状に変化している深さテ
ーパ部を備えた構成により、すなわち、入射部における
光損傷の発生を回避するため光導波路幅テーパ部におい
ては光導波路深さを深くし光導波路内の電界密度を下
げ、幅方向のテーパ部が終了し光導波路がシングルモー
ドになった後、光導波路を深さ方向にテーパ状に細くし
た。これによって伝搬ロスの少なく、かつ高い結合効率
をもち、かつ光損傷に強い入射テーパ光導波路を構成す
ることができる。また、上記の光導波路を用いて波長変
換素子を形成することにより波長変換素子の結合効率を
向上し、高い変換効率の波長変換素子の作製が可能にな
る。
光導波路の構成を示すものである。図1において1は屈
折率2.1の+Z板(Z軸と垂直に切り出された基板の+側)
のLiNbO3からなる基板、2は燐酸中でのプロトン交換処
理により形成された屈折率2.3深さ1.5μmの幅方向にテ
ーパ状に広がった幅テーパ部、3は燐酸中でのプロトン
交換処理により形成された深さ0.4μmの光導波路、4
は燐酸中でのプロトン交換処理により形成された深さ1.
5μmから0.4μmにテーパ状に深さが変化している深さ
テーパ部、5は光学研磨により端面に形成した入射部で
ある。
板1上に、深さd2の入射部5と、深さd2の幅テーパ入
射部2と、深さd1の光導波路3を構成したなかで特
に、深さがd2で一定の幅テーパ入射部と、光導波路3
の幅テーパ入射部2との結合部分に深さがd2からd1へ
変化する深さテーパ部4を設けたことである。
定にすることと、光導波路3中に深さテーパ部4を設け
ることが重要である理由について図面を用いて説明す
る。
化しているテーパ部2aをもつ従来の光導波路で、
(B)は幅方向のテーパ部2と深さ方向のテーパ部4と
に分かれている本実施例の光導波路である。
スは光損傷による屈折率変化によって発生する。すなわ
ち、これはテーパ部2aの光導波路幅が光導波路7aに
対して広がっているためにマルチモード光導波路になっ
ており、光損傷によって発生した屈折率変化によって導
波している光のモードが基本モードから他のマルチモー
ドに移っていくことによる。ところが、導波部分7aの
光導波路幅は基本モードのみ伝搬するシングルモード光
導波路であるために、テーパ部2aで発生したマルチモ
ードとシングルモード光導波路との間でモード間のミス
マッチが発生し、ロスの原因となる。これを導波モード
を用いて説明する。
た基本モードである。ところがテーパ部2aになると
幅、深さともに減少するため、光のパワー密度が増加す
る。これによって、光損傷が発生すると屈折率分布が
(b)に示すように変化し、導波モードが基本モードか
らマルチモードに移行していく。
行が大きくなる。ところが光導波路部2aにおいては
(d)に示すように基本モードしか伝搬しないシングル
モード光導波路であるから(c)(d)間のモードのミ
スマッチが発生し、この部分で大きな結合ロスが発生す
る。
におけるパワー密度の集中を低減させ、光損傷の防止を
行なう必要がある。そこで本発明では幅テーパと深さテ
ーパを分離し、深さテーパ部を光導波路に設定すること
により幅テーパ部の断面積を増加させ、幅テーパ部での
光のパワー密度を低減させた。これによって光損傷の防
止が可能になった。これを図2(B)を用いて説明す
る。
ドで励起された導波モードは幅テーパ部2が幅方向にし
か狭くなっておらずの断面積が従来に比べて大きいた
め、光のパワー密度の増加は少なく光損傷は発生しな
い。そこで光は基本モードのまま(f)(g)へ伝搬し
ていく。
ングルモードであるから光損傷が発生してもマルチモー
ドは発生しない。そこで深さテーパ4を介して光導波路
7と結合すると、低ロスのテーパ光導波路が形成でき
る。
射テーパ光導波路について、以下その製造方法を説明す
る。これは本願の発明者によって開示し、公開になって
いる特開平2-236505に記載されている方法を利用して製
造した。図3をもちいて説明する。
1 に入射部形成用のTa2O5保護マスク32を電子ビ
ーム蒸着により300A形成した。次に保護マスク32
上に通常のフォトリソグラフィにより厚み0.5μmの
フォトレジストをパターン化したあと、CF4によりT
a2O5保護マスク32をエッチングした。次にフォトレ
ジストを除去した。次に第2の保護マスクとして厚さ1
mm、両端面を光学研磨してあるLiNbO3マスク基板
33をTa2O5マスク32上に圧着し治具で固定した。
(b)ピロ燐酸中で230℃、270分間プロトン交換
を行い屈折率2.3、深さ1.5μmの入射部35を形
成する。このとき入射部35の導波路の深さはピロリン
酸でのプロトン交換時間によってある決まった値(ここ
では1.5μm)になるがピロリン酸はマスク基板33
で覆われた部分にも侵入していくため、マスク基板直下
に深さ方向にテーパ形状をもつ導波路が形成されている
ことになる。(c)はマスク基板33を除去した後、基
板31を燐酸中で230℃の温度で5分間プロトン交換
を行い、屈折率2.3、深さ0.4μmの高屈折率をも
つ導波路36を形成する。このとき導波路36の入射部
35との結合部分は(b)の工程である程度の深さ
(1.5μm以下)の導波路が形成されているので、プ
ロトン交換で導波路を形成時に自然に深さ方向にテーパ
をもったものとなる。(d)はTaマスク32を除去し
た後、光導波路に垂直な面を光学研磨する。
テーパをもつ入射部をマスクにより作製することにより
設計が容易になり、また幅方向のテーパと深さ方向のテ
ーパを分離して作製するため、従来の部分プロトン交換
による作製方法に比べ作製許容度が増加し作製歩留りが
10%から50%に増加した。
長0.8μmの半導体レーザの光を励起して、光導波路の
伝搬ロスを測定した。測定方法は開口数0.3のコリメー
タレンズとλ/2板、及び開口数0.6の集光レンズから
なる集光光学系により半導体レーザの光を集光し、最小
集光スポット径5X1μmでテーパ光導波路に集光した。
この光導波路上に蛍光体を塗布し光導波路表面からの散
乱光をストリークカメラで観測して、光導波路からの散
乱光の強度により光導波路の伝搬モード並びに光導波路
伝搬ロスを測定した。
導波する光の強度が10mW以上では光損傷による入射
テーパ部の結合ロスが発生したが、今回作製した入射テ
ーパ光導波路部においては導波光強度30mWでも光損
傷による結合ロスは確認されなかった。
した結果を図4に示す。図4は横軸が導波路伝搬成分方
向を示し、縦軸がロスを示す。(a)はテーパ光導波路
出有り、(b)は直線光導波路である。
dB、さらに導波ロスが0.9dB存在し、ロスの総和
は3.2dBである。これに対してテーパ光導波路は結
合ロスは1.0dB、テーパ部のロスが0.3dB、導
波ロスが0.9dB存在するためロスの総和は2.2d
Bとなる。
のロスが3.2dBから2.2dBに1dB低減できる
ことがわかった。
設計及び作製が容易で、結合効率が高く、かつ光損傷に
強い入射テーパ光導波路を構成することができた。
を用いたが、他にMgOをドーピングしたLiNbO3、LiTa
O3、KNbO3、KTPなどの強誘電体、SiO2などの誘電体、MNA
などの有機物、またはZnSなどの化合物半導体など光導
波路を形成できる基板であれば用いることができる。
で説明した導波路を非線形光学結晶にもつ光波長変換素
子である。それを図5に示す。
子の構成を示すものである。第1の実施例で説明したも
のと同じものには同一番号を付してある。図5において
1は屈折率2.1の+Z板(Z軸と垂直に切り出された基板の
+側)のLiNbO3からなる基板、2は燐酸中でのプロトン
交換処理により形成された屈折率2.3深さ1.5μmの幅方
向にテーパ状に広がった幅テーパ部、7は燐酸中でのプ
ロトン交換処理により形成された深さ0.4μmの光導波
路、4は燐酸中でのプロトン交換処理により形成された
深さ1.5μmから0.4μmにテーパ状に深さが変化してい
る深さテーパ部、5は光学研磨により端面に形成した入
射部、9は半導体レーザ、10は半導体レーザ9の光を
5の入射部に入射するための集光光学系である。
長変換素子について、以下その動作を説明する。
交換で形成した入射部5、幅テーパ部2、深さテーパ部
4、光導波路7を有する波長変換素子を第1の実施例で
説明した方法で形成し、この入射部5に波長0.8μm、
発光面積5X1μmの半導体レーザ9の光を入射させた。
半導体レーザ9と光導波路7の結合効率を測定したとこ
ろ結合効率は50%であった。これは従来のテーパ光導
波路と半導体レーザの集光光学系を通した結合効率30
%に対し、1.6倍の値である。さらに、非線形光学効
果により波長0.4μmの第2高調波P2がチェレンコフ放
射によりプロトン交換導波路の斜め下方に発生し、半導
体レーザの出力40mWに対し0.2mWの第2高調波成分出力
P2を得ることができた。これは従来の値(半導体レー
ザ出力40mWに対する第2高調波成分0.1mW)の2倍であ
る。また6X2X2mmのLiNbO3基板と長さ200μmの半導体レ
ーザ及び10X5X5の集光光学系を一体モジュール化するこ
とにより、20X6X6の小型の波長変換素子を形成すること
ができた。以上のように本実施例によれば、小型で高出
力の波長変換素子を形成することができた。
なる基板として、LiNbO3を用いたが他にMgOをドーピン
グしたLiNbO3、LiTaO3,KNbO3,KTPなどの強誘電体、MNAな
どの有機物、またはZnSなどの化合物半導体などの非線
形光学定数の大きな基板であれば用いることができる。
る波長変換素子の構成を示すものである。入射部の深さ
をd2、幅をW2、入射光のパワ−をP1としてこれらの
関係について検討してみた。
長変換素子について、作製した波長変換素子に半導体レ
ーザ9の光を入射して非線形光学効果であるSHG( Se
comdHarmonic Gemeration )出力P2の時間変化を観測し
た。図7は入射光パワーP1とSHG出力P2の時間変化
を測定したグラフである。導波光のパワーが17mW以
下の時は第2高調波であるSHG出力P2の時間変化は
見られないが20mW以上になると5〜10分後にSH
G出力P2の変化が現れているのがわかる。
交換光導波路内で導波光による光損傷が発生し入射部と
導波部の間のテーパ状の結合部において結合ロスが発生
したためと考えられる。そこで導波光の状態をCCDカ
メラで観察したのが図8である。(a)は0分後、
(b)は10分後のCCDカメラの受光面を示す。同図
中の斜線は導波光を表わしており、10分後にテーパ部
でロスが増加し、導波光がテーパから先に導波していな
いのがわかる。この結果より、光損傷による結合ロスの
発生によりSHG出力が変動したのが確認できた。
めた。
波路幅W2を4μmにし導波部の幅W1、深さd1をそ
れぞれ2μm、0.4μmとた。入射部の深さd2を
0.4、1、1.5μmとし、それぞれの深さで光損傷
の発生する導波光強度(以下Pthとする)を測定し
た。光導波路深さとPthの関係を測定したのが図9で
ある。図9に同時に光導波路内の導波光強度の最大値を
示してある。、光導波路内の導波光強度の最大値とPt
hが反比例しており、光導波路サイズ(W2×d2)の
値が増加するに従いPthが増加、導波光強度の最大値
が減少するのがわかる。図9よりPth/(d2×W
2)の値を求めると光導波路の深さに関係なく300K
W/cm2となった。この結果より、入射部のサイズ
(W2×d2)をPth/(W2×d2)≦300KW
/cm2となるように設計すれば光損傷による出力変動
を抑制し、低ロスで安定かつ半導体レーザとの高効率結
合による高出力の波長変換素子が形成できることが確認
できた。以上のように本実施例によれば、入射部の形状
を限定することにより、安定で高出力の波長変換素子が
形成できる。
伝搬ロスの少なく、かつ高い結合効率をもち、かつ光損
傷にも強い入射テーパ光導波路を構成することができ、
その実用効果は大きい。
ード光導波路に半導体レーザの光を高い効率で結合させ
ることが可能になる。これによって光導波路を伝搬する
光のパワー密度を高めることが可能となり非線系光学効
果による波長変換効率を非常に高めることができた。
が導波光強度Pに対しP/(d2×W2)≦300KW
/cm2となるように設計した波長変換素子により、入
射部で発生する光損傷による結合ロスの増加を抑制する
ことが可能になり、安定で高出力の波長変換素子が形成
でき、その実用効果は大きい。
構成斜視図
と屈折率変化を示す図 (B)本発明の入射テーパ光導波路の導波モードと屈折
率変化を示す図
製造工程断面図
を示す図
視図
視図
間変化を示す図
す図 (b)本発明の波長変換素子の導波の状態を示す図
傷の関係を示す図
構成図
Claims (6)
- 【請求項1】基板と、 前記基板 に形成した深さd1の導波部と、 前記導波部の端部に形成した基板水平方向にテーパ状に
広がった深さd2(d2>d1)の幅テーパ部と、前記導波部の 深さがd2からd1にテーパ状に変化して
いる深さテーパ部とを備え、前記幅テーパ部は前記深さテーパ部より前記導波路端部
に近い位置に存在し、 前記深さテーパ部が存在する部分の前記導波部の幅は、
導波光が幅方向にシングルモードとなるように設定され
ている 入射テーパ光導波路。 - 【請求項2】基板にLiNbO3またはLiTaO3基板を用いたこ
とを特徴とする請求項1記載の入射テーパ光導波路。 - 【請求項3】入射光を基本モードのまま入射部から導波
路に伝搬することを特徴とする請求項1記載の入射テー
パ光導波路。 - 【請求項4】非線形光学結晶基板と、前記基板 に形成した深さd1の導波部と、 前記導波部の端部に形成した基板水平方向にテーパ状に
広がった深さd2(d2>d1)の幅テーパ部と、前記導波部の 深さがd2からd1にテーパ状に変化して
いる深さテーパ部とを備え、前記幅テーパ部は前記深さテーパ部より前記導波路端部
に近い位置に存在し、 前記深さテーパ部が存在する部分の前記導波部の幅は、
導波光が幅方向にシングルモードとなるように設定され
ている 波長変換素子。 - 【請求項5】LiNbO3またはLiTaO3基板と、 前記基板に形成した深さd1のプロトン交換光導波路
と、 前記プロトン交換光導波路の端部に形成した基板水平方
向にテーパ状に広がった深さd2(d2>d1)、幅W
2の入射部と、 前記光導波路には前記入射部との結合部分に深さがd2
からd1にテーパ状に変化している深さテーパ部を備
え、 前記入射部の深さd2と幅W2の関係が導波光強度Pに
対しP/(d2×W2)≦300KW/cm2となるこ
とを特徴とする光波長変換素子。 - 【請求項6】入射光を基本モードのまま入射部から導波
路に伝搬させ、チェレンコフ放射によってSHG光を出
射することを特徴とする請求項4または5記載の波長変
換素子。
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1991
- 1991-07-19 JP JP17932191A patent/JP3147412B2/ja not_active Expired - Lifetime
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