JP3145978B2 - Ion implanter - Google Patents
Ion implanterInfo
- Publication number
- JP3145978B2 JP3145978B2 JP20909798A JP20909798A JP3145978B2 JP 3145978 B2 JP3145978 B2 JP 3145978B2 JP 20909798 A JP20909798 A JP 20909798A JP 20909798 A JP20909798 A JP 20909798A JP 3145978 B2 JP3145978 B2 JP 3145978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dust
- passing
- sensor
- vacuum chamber
- axis sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において、半導体ウエハに不純物を注入するための
イオン注入装置に関し、特に高真空装置であるイオン注
入装置の真空チャンバー内で発生するゴミの発塵源を特
定する手段を備えたイオン注入装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus for implanting impurities into a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a method for removing dust generated in a vacuum chamber of an ion implantation apparatus which is a high vacuum apparatus. The present invention relates to an ion implantation apparatus provided with means for specifying a dust generation source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、半導体ウエハ
を設置した真空チャンバー内を高真空に排気し、燐や砒
素等の不純物を半導体ウエハに注入させるために、イオ
ン源で発生させた燐や砒素等の不純物のイオンビームを
真空チャンバー内で半導体ウエハに照射し、イオン注入
を行っている。2. Description of the Related Art In a conventional ion implantation apparatus, a vacuum chamber in which a semiconductor wafer is installed is evacuated to a high vacuum, and impurities such as phosphorus and arsenic are implanted into the semiconductor wafer. A semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of an impurity such as arsenic in a vacuum chamber to perform ion implantation.
【０００３】このイオン化された不純物のイオンビーム
は、電気的に加速されてエネルギーを与えられ、半導体
ウエハに注入される。その際、ステンレス製の真空チャ
ンバー内壁との間で発生する放電あるいは真空チャンバ
ー内壁への帯電等により、真空チャンバー内壁に燐や砒
素等の不純物が異物（ゴミ）として付着する。このゴミ
は帯電しているため、真空チャンバー内壁から剥がれて
発塵すると高速で半導体ウエハに飛来し、半導体ウエハ
表面に付着するという現象が発生する。The ion beam of the ionized impurities is electrically accelerated to give energy, and is injected into a semiconductor wafer. At this time, impurities such as phosphorus and arsenic adhere to the inner wall of the vacuum chamber as foreign matter (dust) due to discharge generated between the inner wall of the vacuum chamber made of stainless steel and charging of the inner wall of the vacuum chamber. Since this dust is charged, if it is peeled off from the inner wall of the vacuum chamber and generates dust, it will fly at high speed to the semiconductor wafer and adhere to the surface of the semiconductor wafer.
【０００４】この状態について図６を用いて説明する。
図６は従来のイオン注入装置の一部分を示す概略図であ
る。図６においては、半導体ウエハ1をイオン注入装置
の真空チャンバー2内にセットし、 この半導体ウエハ1
に不純物イオンのイオンビーム3を照射した状態を示し
ている。この時、真空チャンバー内壁4のどこかに異物
が生成して発塵源5が生ずると、この発塵源５から異物
がはがれ、ゴミ通過線７で示すように半導体ウエハ1に
向かって飛来し、半導体ウエハ１上にゴミ６となって付
着する。This state will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is a schematic view showing a part of a conventional ion implantation apparatus. In FIG. 6, a semiconductor wafer 1 is set in a vacuum chamber 2 of an ion implantation apparatus.
Shows a state where the ion beam 3 of impurity ions is irradiated. At this time, when foreign matter is generated somewhere on the inner wall 4 of the vacuum chamber and a dust source 5 is generated, the foreign matter is peeled off from the dust source 5 and flies toward the semiconductor wafer 1 as indicated by a dust passing line 7. Is attached as dust 6 on the semiconductor wafer 1.
【０００５】このように、ゴミ６が半導体ウエハ１の表
面上に付着すると、イオンビーム３がゴミ６に遮られて
ゴミ６の下のウエハ領域に燐や砒素等の不純物イオンが
注入されないという不具合が発生したり、あるいは、イ
オン注入後の配線形成工程において、フォトレジストに
対する露光が不完全となるため、ゴミ６の上に配線が重
なって形成されることによって配線が断線したり接触し
たりし、半導体ウエハの製造歩留まりを著しく悪化させ
る原因となっている。As described above, when the dust 6 adheres to the surface of the semiconductor wafer 1, the ion beam 3 is blocked by the dust 6 and impurity ions such as phosphorus and arsenic are not implanted into a wafer region under the dust 6. Is generated, or the photoresist is incompletely exposed in the wiring forming process after ion implantation, so that the wiring may be disconnected or contacted due to the overlapping formation of the wiring on the dust 6. This is a cause of significantly deteriorating the production yield of semiconductor wafers.
【０００６】上記したようなゴミ発生問題を解決する手
段として、特開平５−２０６２３６号公報にあるよう
に、真空装置内にレーザービームを照射し、このレーザ
ービーム内を通過するゴミからの散乱光の強度差に基づ
いて、ゴミの速度と大きさを求める手段が提案されてい
る。As means for solving the problem of dust generation as described above, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-206236, a vacuum device is irradiated with a laser beam and scattered light from the dust passing through the laser beam. Means for obtaining the speed and size of the dust based on the difference in the intensity of the dust have been proposed.
【０００７】しかし、この例では、ゴミの速度を推定す
ることによってゴミの大きさを検知するのみであって、
ゴミが真空チャンバー内のどの方角から飛来してどの方
向に向かうのかといったゴミの移動する方向がわからな
いため、発塵源の個所を特定することは困難である。However, in this example, only the size of the dust is detected by estimating the speed of the dust.
It is difficult to identify the location of the dust source because the direction in which the dust moves, such as from which direction the dust comes in and in which direction in the vacuum chamber, is unknown.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このように、真空チャ
ンバー内における発塵源の個所が特定できないと、イオ
ン注入装置は高真空装置であるため、発塵源の調査のた
びに大気解放と真空引きとを繰り返さなければならず、
多大な時間と労力を費やすことになる。また、突発的に
発塵が発生したような場合には、できるだけ早く発塵源
を特定して除去することが必要となるが、従来方法では
対処できていない。As described above, if the location of the dust source in the vacuum chamber cannot be specified, the ion implantation apparatus is a high vacuum device. I have to repeat the pull and
A lot of time and effort will be spent. Further, when dust is generated suddenly, it is necessary to identify and remove the dust source as soon as possible, but this cannot be dealt with by the conventional method.
【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、イオン注入装置の真空チャンバー内でゴミ
の飛来方向を検出することによって、ゴミ発塵源を特定
することのできる手段を備えたイオン注入装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and has a means capable of identifying a dust generation source by detecting a direction of arrival of dust in a vacuum chamber of an ion implantation apparatus. It is an object of the present invention to provide an ion implantation apparatus.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、真空チャンバ
ー内に不純物イオンビームを発生させ、半導体ウエハに
イオン注入を行うイオン注入装置において、前記真空チ
ャンバー内壁に付着しここを発塵源とするゴミが剥離し
て半導体ウエハ上に飛来する途中のゴミ通過位置を検出
するゴミ通過センサーと、このゴミ通過センサーからの
信号により検出されたゴミの通過位置に基づいてゴミの
飛来する方向を演算し、真空チャンバー内壁上に発生し
た発塵源の位置を特定する演算装置と、この演算装置に
より特定された発塵源の位置をモニター上に表示する表
示装置とを有することを特徴としている。According to the present invention, there is provided an ion implantation apparatus for generating an impurity ion beam in a vacuum chamber and implanting ions into a semiconductor wafer. The ion implantation apparatus adheres to an inner wall of the vacuum chamber and uses this as a dust source. A dust passing sensor that detects a dust passing position on the way while the dust is peeling off and flying onto the semiconductor wafer, and calculates a direction in which the dust comes in based on the dust passing position detected by a signal from the dust passing sensor. And a calculation device for specifying the position of the dust source generated on the inner wall of the vacuum chamber, and a display device for displaying the position of the dust source specified by the calculation device on a monitor.
【００１１】また、前記ゴミ通過センサーは、通過する
ゴミに向けてレーザー光を照射させるレーザー発生器
と、このレーザー光が通過するゴミに当たり反射した散
乱光を受光するＣＣＤ受光素子とを備えていることを特
徴としている。The dust passing sensor includes a laser generator for irradiating the passing dust with a laser beam, and a CCD light receiving element for receiving scattered light reflected by the passing dust. It is characterized by:
【００１２】また、前記ゴミ通過センサーは、間隔を置
いて真空チャンバー内の２個所に設置され、それぞれの
ゴミ通過センサーで検出されたゴミ通過位置の２点を通
るゴミ通過線の方向を特定することを特徴としている。The dust passing sensors are installed at two places in the vacuum chamber at intervals, and specify the direction of a dust passing line passing through two dust passing positions detected by the respective dust passing sensors. It is characterized by:
【００１３】また、前記ゴミ通過センサーにより特定さ
れた前記ゴミ通過線を延長して真空チャンバー内壁との
交点位置を演算し、この交点位置を発塵源と特定するこ
とを特徴としている。Further, the present invention is characterized in that the position of the intersection with the inner wall of the vacuum chamber is calculated by extending the dust passage line specified by the dust passage sensor, and this intersection position is specified as a dust source.
【００１４】また、あらかじめ真空チャンバー内壁に座
標系を設定して演算装置に入力させ、前記発塵源の位置
を真空チャンバー内壁の座標系上で特定することを特徴
としている。Further, the present invention is characterized in that a coordinate system is set in advance on the inner wall of the vacuum chamber and input to an arithmetic unit, and the position of the dust source is specified on the coordinate system of the inner wall of the vacuum chamber.
【００１５】また、真空チャンバー内壁の複数箇所を前
記座標系とともに表示し、特定された前記発塵源の位置
をモニター上で確認することを特徴としている。A plurality of locations on the inner wall of the vacuum chamber are displayed together with the coordinate system, and the specified position of the dust source is confirmed on a monitor.
【００１６】さらに、前記ゴミ通過センサーは、正方形
あるいは長方形の枠状に形成され、直交する２辺はそれ
ぞれＸ軸センサーおよびＹ軸センサーを構成し、このゴ
ミ通過センサーの枠内を通過するゴミの位置を、Ｘ軸セ
ンサーおよびＹ軸センサーの座標系を用いて特定するこ
とを特徴としている。Further, the dust passing sensor is formed in a square or rectangular frame shape, and two orthogonal sides constitute an X-axis sensor and a Y-axis sensor, respectively, for dust passing through the frame of the dust passing sensor. The position is specified using the coordinate system of the X-axis sensor and the Y-axis sensor.
【００１７】また、前記Ｘ軸センサーおよびＹ軸センサ
ーは、それぞれレーザー発生器とＣＣＤ受光素子とから
なるセグメントを複数個、直線状に配列して構成されて
いることを特徴としている。Further, the X-axis sensor and the Y-axis sensor are characterized in that a plurality of segments each comprising a laser generator and a CCD light receiving element are arranged linearly.
【００１８】また、前記Ｘ軸センサーおよびＹ軸センサ
ーは、それぞれ１個のセグメントを１目盛りとし、この
目盛りを複数個備えたＸ軸センサーおよびＹ軸センサー
で座標系を構成していることを特徴としている。The X-axis sensor and the Y-axis sensor each have one segment as one scale, and a coordinate system is constituted by the X-axis sensor and the Y-axis sensor provided with a plurality of the scales. And
【００１９】また、前記ゴミ通過センサーを通過するゴ
ミからの散乱光の強度をＣＣＤ受光素子で検出する際、
Ｘ軸センサーおよびＹ軸センサー上で最も強く検出され
たセグメント部分の座標位置をゴミ通過位置とすること
を特徴としている。When the intensity of scattered light from dust passing through the dust passing sensor is detected by a CCD light receiving element,
The coordinate position of the segment detected most strongly on the X-axis sensor and the Y-axis sensor is set as the dust passing position.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】次に、本発明のイオン注入装置に
おける実施の形態について、図面を用いて説明する。図
１は本発明の実施の形態であるイオン注入装置の一部分
を示す概略図である。図１に示すように、半導体ウエハ
１をセットし内部が高真空に維持された真空チャンバー
２を備え、半導体ウエハ１に向けて燐あるいは砒素等の
不純物のイオンビーム３を照射してイオン注入を実施す
る。Next, an embodiment of an ion implantation apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a part of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer 1 is set and a vacuum chamber 2 in which the inside is maintained at a high vacuum is provided. The semiconductor wafer 1 is irradiated with an ion beam 3 of an impurity such as phosphorus or arsenic to perform ion implantation. carry out.
【００２１】この時、従来技術のところで説明したのと
同じ理由で真空チャンバー内壁４に異物が付着し始め、
この異物がゴミの発塵源５となってゴミの剥離が発生す
る。剥離したゴミは、ゴミ通過線７で示すように半導体
ウエハ１に向けて飛来し、半導体ウエハ1上にゴミ６と
なって付着する。At this time, foreign substances start to adhere to the inner wall 4 of the vacuum chamber for the same reason as described in the prior art.
The foreign matter serves as a dust generation source 5 to cause separation of the dust. The separated dust flies toward the semiconductor wafer 1 as indicated by a dust passing line 7 and adheres to the semiconductor wafer 1 as dust 6.
【００２２】ここで、本実施の形態では、上述したゴミ
の発塵源５を特定するために、発塵源５から半導体ウエ
ハ1に向けて飛来する途中のゴミの通過位置を検出する
手段を設けている。このゴミが飛来する途中のゴミ通過
線７は、厳密には直線に近い曲線と考えられるが、ここ
では一直線上を走るものと仮定して進める。Here, in the present embodiment, in order to identify the dust generation source 5 described above, a means for detecting the passage position of the dust that is flying from the dust generation source 5 toward the semiconductor wafer 1 is provided. Provided. Strictly speaking, the dust passing line 7 on the way of dust is considered to be a curve close to a straight line, but here, it is assumed that the dust runs along a straight line.
【００２３】このゴミの通過位置を検出する手段とし
て、真空チャンバー２内にゴミ通過センサーを設置す
る。このゴミ通過センサーは、２個所に設けたゴミ通過
センサーＡ８およびゴミ通過センサーＢ９とから構成さ
れ、両者は所定の間隔を置いて設置されている。なお、
ゴミ通過センサーＡ８およびＢ９は、構造的にはまった
く同じ物である。そして、これら2個所のゴミ通過セン
サーＡ８およびＢ９からの信号に基づいて、ゴミの発塵
源5の位置を計算するための演算装置１０と、真空チャ
ンバー２内の発塵源５の位置を示す表示装置１１とを備
えている。As a means for detecting the passing position of the dust, a dust passing sensor is installed in the vacuum chamber 2. The dust passing sensor is composed of two dust passing sensors A8 and B9 provided at two locations, both of which are installed at a predetermined interval. In addition,
The dust passing sensors A8 and B9 are structurally identical. Then, based on the signals from the two dust passing sensors A8 and B9, the arithmetic unit 10 for calculating the position of the dust generating source 5 and the position of the dust generating source 5 in the vacuum chamber 2 are shown. The display device 11 is provided.
【００２４】次に、図２、図３、図４を参照して、ゴミ
通過センサーの構造および作用について説明する。図２
（ａ）はゴミ通過センサーの正面図であって、図１にお
いてイオンビーム３の照射方向から見た状態を示してい
る。また、図２（ｂ）はその側面図である。したがっ
て、図１のゴミ通過センサーは側面図を示している。ま
た、図３はゴミ通過センサーの側面の部分拡大図、図４
は図３のＡ−Ａ断面図である。Next, the structure and operation of the dust passage sensor will be described with reference to FIGS. 2, 3 and 4. FIG. FIG.
(A) is a front view of the dust passage sensor, showing a state viewed from the irradiation direction of the ion beam 3 in FIG. 1. FIG. 2B is a side view thereof. Therefore, the dust passing sensor of FIG. 1 shows a side view. FIG. 3 is a partially enlarged view of a side surface of the dust passage sensor, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3.
【００２５】図２において、ゴミ通過センサーＡ８およ
びＢ９は、一辺の長さが１５〜２０ｃｍの枠状の正方形
あるいは長方形に形成され、対向する２辺同士はそれぞ
れＸ軸センサー１２およびＹ軸センサー１３を形成して
いる。なお、この枠形状は、真空チャンバーの内部形状
に沿った形状とすることが好ましい。In FIG. 2, the dust passing sensors A8 and B9 are formed in a frame-like square or rectangle having a side length of 15 to 20 cm, and the two opposing sides are X-axis sensor 12 and Y-axis sensor 13 respectively. Is formed. It is preferable that the shape of the frame conforms to the internal shape of the vacuum chamber.
【００２６】このＸ軸センサー１２およびＹ軸センサー
１３は、図２（ｂ）に示すように、それぞれ複数個のセ
グメント１６から構成され、各セグメント１６を貼り合
わせ等により接続させて一体化し、棒状に配列したもの
である。各セグメント１６は、図３に示すようにレーザ
ー発生器１４とＣＣＤ受光素子１５とから構成され、レ
ーザー発生器１４は半導体レーザーを用いる。The X-axis sensor 12 and the Y-axis sensor 13 are each composed of a plurality of segments 16 as shown in FIG. 2 (b). It is arranged in. As shown in FIG. 3, each segment 16 includes a laser generator 14 and a CCD light receiving element 15, and the laser generator 14 uses a semiconductor laser.
【００２７】ここで、各セグメント１６を一目盛りと考
えれば、Ｘ軸センサー１２、Ｙ軸センサー１３とも複数
目盛りを有する座標軸となり、このゴミ通過センサーＡ
８およびＢ９をイオン注入装置の真空チャンバー２内に
設置することによって、真空チャンバー２内にＸ−Ｙ座
標系が構成されたことになる。この座標軸を用いて、発
塵源を特定する方法を次に説明する。Here, when each segment 16 is considered as one scale, both the X-axis sensor 12 and the Y-axis sensor 13 become coordinate axes having a plurality of scales.
By installing 8 and B9 in the vacuum chamber 2 of the ion implantation apparatus, an XY coordinate system is formed in the vacuum chamber 2. Next, a method for specifying a dust source using the coordinate axes will be described.
【００２８】まず、図１に示すように、真空チャンバー
２内にゴミ通過センサーＡ８およびＢ９を所定の間隔を
置いて設置する。次いで、図５の説明図に示すように、
平行するＸ軸センサー１２同士およびＹ軸センサー１３
同士の間で、各セグメント１６から対向するセグメント
１６に向けてレーザー光１７を照射する。ここで、ゴミ
通過センサーＡ８およびＢ９の枠内をゴミが通過する
と、図４に示すようにレーザー発生器１４から照射され
たレーザー光１７がゴミ６に当たり、反射して散乱光１
８が発生する。この散乱光１８の強度をＣＣＤ受光素子
１５で検出し、Ｘ軸センサー１２およびＹ軸センサー１
３上のどのセグメントのＣＣＤ受光素子１５がもっとも
大きく反応したかによって、Ｘ−Ｙ座標が特定できる。First, as shown in FIG. 1, dust passing sensors A8 and B9 are installed in the vacuum chamber 2 at predetermined intervals. Next, as shown in the explanatory diagram of FIG.
Parallel X-axis sensors 12 and Y-axis sensor 13
A laser beam 17 is emitted from each segment 16 toward the opposing segment 16. Here, when dust passes through the frames of the dust passing sensors A8 and B9, the laser light 17 emitted from the laser generator 14 hits the dust 6 as shown in FIG.
8 occurs. The intensity of the scattered light 18 is detected by the CCD light receiving element 15 and the X-axis sensor 12 and the Y-axis sensor 1 are detected.
The XY coordinates can be specified depending on which segment of the CCD light receiving element 15 on 3 has responded the most.
【００２９】すなわち、図２（ａ）に示すように、この
場合、散乱光がＸ軸センサー１２に最も強く反応したの
はセグメント１６ｘであり、また、Ｙ軸センサー１３に
最も強く反応したのはセグメント１６ｙであるとすれ
ば、ゴミ通過位置１９は、図の右下を原点とした場合、
座標系（１６ｘ、１６ｙ）であることがわかる。That is, as shown in FIG. 2A, in this case, the segment 16x reacts most strongly to the X-axis sensor 12 in the scattered light, and the scattered light reacts most strongly to the Y-axis sensor 13 in this case. If it is the segment 16y, the dust passing position 19 is, when the origin is at the lower right of the figure,
It can be seen that the coordinate system is (16x, 16y).
【００３０】ここで、ゴミ通過センサーＡ８とＢ９が所
定の間隔を置いて２個所に設置されていることから、そ
れぞれのゴミ通過センサーＡ８およびＢ９におけるゴミ
通過位置１９を座標系で求めることができる。２点のゴ
ミ通過位置１９が求まれば、この２点を通るゴミ通過線
７である直線を特定することができる。Here, since the dust passing sensors A8 and B9 are installed at two places at a predetermined interval, the dust passing position 19 of each of the dust passing sensors A8 and B9 can be obtained in a coordinate system. . If two dust passing positions 19 are obtained, a straight line that is the dust passing line 7 passing through these two points can be specified.
【００３１】また、演算装置１０には、あらかじめ真空
チャンバー内壁４の座標系を入力しておくことによっ
て、ゴミ通過センサーＡ８およびＢ９のゴミ通過位置に
よって特定されたゴミ通過線７の延長が真空チャンバー
内壁４と交わる位置が求まり、この位置がゴミの発塵源
５であり、この発塵源５の位置を真空チャンバー内壁４
の座標系上で即座に特定することができる。Further, by inputting the coordinate system of the vacuum chamber inner wall 4 into the arithmetic unit 10 in advance, the extension of the dust passing line 7 specified by the dust passing position of the dust passing sensors A8 and B9 can be performed in the vacuum chamber. A position that intersects with the inner wall 4 is determined, and this position is a dust generation source 5.
Can be immediately specified on the coordinate system of.
【００３２】真空チャンバー内壁４の発塵源５が特定さ
れたら、表示装置１１に発塵源５の位置の表示が行われ
る。この表示は、例えばモニター上に真空チャンバー内
部の断面図あるいは正面図を座標系とともに表示し、こ
の座標系上に発塵源５の位置を表示することによって、
真空チャンバー内壁４に付着したの発塵源５の位置を直
ちに確認することができる。When the dust source 5 on the inner wall 4 of the vacuum chamber is specified, the position of the dust source 5 is displayed on the display device 11. This display is performed, for example, by displaying a sectional view or a front view of the inside of the vacuum chamber together with a coordinate system on a monitor, and displaying the position of the dust source 5 on the coordinate system.
The position of the dust source 5 attached to the inner wall 4 of the vacuum chamber can be immediately confirmed.
【００３３】以上、本発明を実施の形態について説明し
てきたが、本発明はイオン注入装置に限定することな
く、半導体装置の製造装置などにおいて発塵が問題とな
る真空チャンバーを備えた装置であれば、いずれにも適
用することができる。Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to an ion implantation apparatus, but may be any apparatus provided with a vacuum chamber in which dust generation is a problem in a semiconductor device manufacturing apparatus or the like. It can be applied to any of them.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、真空チャン
バー内に設置した２個所のゴミ通過センサーを通過する
ゴミの位置の座標系と、あらかじめ演算装置に入力して
あるチャンバー内壁の座標系とからゴミの飛来方向を演
算し、ゴミの発塵源を特定して表示するようにしたの
で、発塵源の調査のたびに大気解放と真空引きを繰り返
さなくてすみ、時間と労力の低減につながるとともに、
発塵源をすばやく除去することができる。According to the ion implantation apparatus of the present invention, the coordinate system of the position of the dust passing through the two dust passing sensors installed in the vacuum chamber and the coordinate system of the inner wall of the chamber previously input to the arithmetic unit are provided. Calculates the direction of dust emission from the computer and identifies and displays the dust emission source, eliminating the need to repeat the release to the atmosphere and evacuation every time a dust emission source is investigated, reducing time and labor. While being connected,
The dust source can be quickly removed.
【図１】本発明のイオン注入装置の一部分を示す概略図
である。FIG. 1 is a schematic view showing a part of an ion implantation apparatus of the present invention.
【図２】本発明に用いるゴミ通過センサーを示す図で、
図（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。FIG. 2 is a diagram showing a dust passing sensor used in the present invention;
Figure (a) is a front view, and Figure (b) is a side view.
【図３】本発明に用いるゴミ通過センサーを側面から見
た部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of a dust passage sensor used in the present invention as viewed from a side.
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;
【図５】本発明に用いるゴミ通過センサーの作用を説明
する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating the operation of a dust passage sensor used in the present invention.
【図６】従来のイオン注入装置の一部分を示す概略図で
ある。FIG. 6 is a schematic view showing a part of a conventional ion implantation apparatus.
１ 半導体ウエハ ２ 真空チャンバー ３ イオンビーム ４ 真空チャンバー内壁 ５ 発塵源 ６ ゴミ ７ ゴミ通過線 ８ ゴミ通過センサーＡ ９ ゴミ通過センサーＢ １０ 演算装置 １１ 表示装置 １２ Ｘ軸センサー １３ Ｙ軸センサー １４ レーザー発生器 １５ ＣＣＤ受光素子 １６ セグメント １７ レーザー光 １８ 散乱光 １９ ゴミ通過位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 Vacuum chamber 3 Ion beam 4 Vacuum chamber inner wall 5 Dust source 6 Dust 7 Dust passing line 8 Dust passing sensor A 9 Dust passing sensor B 10 Computing device 11 Display device 12 X-axis sensor 13 Y-axis sensor 14 Laser generation 15 CCD light receiving element 16 segment 17 laser light 18 scattered light 19 dust passing position
Claims (10)
を発生させ、半導体ウエハにイオン注入を行うイオン注
入装置において、前記真空チャンバー内壁に付着しここ
を発塵源とするゴミが剥離して半導体ウエハ上に飛来す
る途中のゴミ通過位置を検出するゴミ通過センサーと、
このゴミ通過センサーからの信号により検出されたゴミ
の通過位置に基づいてゴミの飛来する方向を演算し、真
空チャンバー内壁上に発生した発塵源の位置を特定する
演算装置と、この演算装置により特定された発塵源の位
置をモニター上に表示する表示装置とを有することを特
徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus for generating an impurity ion beam in a vacuum chamber and implanting ions into a semiconductor wafer, wherein dust adhering to the inner wall of the vacuum chamber and using the dust as a source of dust is peeled off on the semiconductor wafer. A dust passing sensor that detects the dust passing position on the way to
A computing device that calculates the direction in which the dust comes in based on the passing position of the dust detected by the signal from the dust passing sensor and specifies the position of the dust source generated on the inner wall of the vacuum chamber. A display device for displaying the specified position of the dust source on a monitor.
に向けてレーザー光を照射させるレーザー発生器と、こ
のレーザー光が通過するゴミに当たり反射した散乱光を
受光するＣＣＤ受光素子とを備えていることを特徴とす
る請求項１記載のイオン注入装置。2. The dust passing sensor includes a laser generator for irradiating a laser beam to dust passing therethrough, and a CCD light receiving element for receiving scattered light reflected by the laser beam hitting the dust passing therethrough. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein:
真空チャンバー内の２個所に設置され、それぞれのゴミ
通過センサーで検出されたゴミ通過位置の２点を通るゴ
ミ通過線の方向を特定することを特徴とする請求項１記
載のイオン注入装置。3. The dust passing sensor is installed at two locations in the vacuum chamber at intervals, and specifies the direction of a dust passing line passing through two dust passing positions detected by the respective dust passing sensors. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein:
前記ゴミ通過線を延長して真空チャンバー内壁との交点
位置を演算し、この交点位置を発塵源と特定することを
特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。4. The method according to claim 1, wherein the position of the intersection with the inner wall of the vacuum chamber is calculated by extending the dust passage line specified by the dust passage sensor, and the position of the intersection is specified as a dust source. An ion implanter according to any one of the preceding claims.
を設定して演算装置に入力させ、前記発塵源の位置を真
空チャンバー内壁の座標系上で特定することを特徴とす
る請求項１記載のイオン注入装置。5. The ion according to claim 1, wherein a coordinate system is set in advance on the inner wall of the vacuum chamber and input to an arithmetic unit, and the position of the dust source is specified on the coordinate system of the inner wall of the vacuum chamber. Infusion device.
標系とともに表示し、特定された前記発塵源の位置をモ
ニター上で確認することを特徴とする請求項１記載のイ
オン注入装置。6. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein a plurality of locations on the inner wall of the vacuum chamber are displayed together with the coordinate system, and the specified position of the dust source is confirmed on a monitor.
は長方形の枠状に形成され、直交する２辺はそれぞれＸ
軸センサーおよびＹ軸センサーを構成し、このゴミ通過
センサーの枠内を通過するゴミの位置を、Ｘ軸センサー
およびＹ軸センサーの座標系を用いて特定することを特
徴とする請求項１記載のイオン注入装置。7. The dust passage sensor is formed in a square or rectangular frame shape, and two orthogonal sides are each X.
2. The system according to claim 1, wherein an axis sensor and a Y axis sensor are configured, and the position of the dust passing through the frame of the dust passage sensor is specified using a coordinate system of the X axis sensor and the Y axis sensor. Ion implanter.
は、それぞれレーザー発生器とＣＣＤ受光素子とからな
るセグメントを複数個、直線状に配列して構成されてい
ることを特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。8. The X-axis sensor and the Y-axis sensor are each formed by linearly arranging a plurality of segments each including a laser generator and a CCD light receiving element. Ion implantation equipment.
は、それぞれ１個のセグメントを１目盛りとし、この目
盛りを複数個備えたＸ軸センサーおよびＹ軸センサーで
座標系を構成していることを特徴とする請求項７記載の
イオン注入装置。9. The X-axis sensor and the Y-axis sensor each have one segment as one scale, and the X-axis sensor and the Y-axis sensor having a plurality of the scales constitute a coordinate system. The ion implantation apparatus according to claim 7, wherein
からの散乱光の強度をＣＣＤ受光素子で検出する際、Ｘ
軸センサーおよびＹ軸センサー上で最も強く検出された
セグメント部分の座標位置をゴミ通過位置とすることを
特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。10. When detecting the intensity of scattered light from dust passing through the dust passing sensor with a CCD light receiving element, X
8. The ion implantation apparatus according to claim 7, wherein the coordinate position of the segment detected most strongly on the axis sensor and the Y-axis sensor is set as the dust passing position.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20909798A JP3145978B2 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20909798A JP3145978B2 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Ion implanter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040670A JP2000040670A (en) | 2000-02-08 |
| JP3145978B2 true JP3145978B2 (en) | 2001-03-12 |
Family
ID=16567248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20909798A Expired - Fee Related JP3145978B2 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145978B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020056019A (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 황인길 | a wafer broken detector of semiconductor manufacturing unit |
| WO2016199916A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 住友重機械工業株式会社 | Ion implanting device |
| JP7478071B2 (en) | 2020-09-25 | 2024-05-02 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | Ion implantation equipment |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP20909798A patent/JP3145978B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000040670A (en) | 2000-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1209737B2 (en) | Method for specimen fabrication | |
| EP0200333A2 (en) | Ion beam processing method and apparatus | |
| EP0362498A1 (en) | Inspection system utilizing retarding field back scattered electron collection | |
| JPH10296028A (en) | Filtration efficiency measuring device for dust-proof fiber member and method for measuring filtration efficiency | |
| JP3145978B2 (en) | Ion implanter | |
| JP2000021347A (en) | Focusing ion beam working method and working device | |
| JPH04116843A (en) | Method and device for observing cut face of sample | |
| JP3041403B2 (en) | Charged beam cross-section processing / observation equipment | |
| JP2857378B2 (en) | Semiconductor device manufacturing process analysis method | |
| JP4230899B2 (en) | Circuit pattern inspection method | |
| JP2004361138A (en) | Fib device for tem sample processing equipped with function for automatically recognizing bending | |
| JPH0467550A (en) | Electron beam device and image extracting method thereof | |
| JP3074375B2 (en) | Focused ion beam processing apparatus and focused ion beam processing method | |
| JPH1174326A (en) | Semiconductor section observing device | |
| US20040031934A1 (en) | System and method for monitoring ion implantation processing | |
| JP2004356297A (en) | Ion implantation device and method for specifying part wherein cause of particle increase occurs | |
| SU1392645A1 (en) | Method of measuring transverse distribution of charges in charged particle beams | |
| JPH06283127A (en) | Back face analyzing/observing device | |
| JP2900380B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2887614B2 (en) | Beam trajectory display device | |
| JPH10142158A (en) | Method and apparatus for inspection of defect in axis-symmetric pattern | |
| JP2008277863A (en) | Inspection apparatus of circuit pattern | |
| JPS6355947A (en) | Method and apparatus for analyzing operation of semiconductor integrated circuit | |
| JP3313136B2 (en) | electronic microscope | |
| JPH0886735A (en) | Method for measuring particulate by attraction |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001205 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |