JP3139263B2 - Method for forming protective film of semiconductor device - Google Patents
Method for forming protective film of semiconductor deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を汚染等から
保護する保護膜、特に炭化シリコンを含む半導体装置の
保護膜の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protective film for protecting a semiconductor device from contamination and the like, and more particularly to a method for forming a protective film for a semiconductor device containing silicon carbide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置を雰囲気中の水分やア
ルカリ金属イオン等の汚染或いは外部から加えられる応
力から守る目的で、半導体基板にアルミニウム膜などの
金属による電極膜や配線膜の形成後その上に成膜される
最終的な保護膜としては、プラズマＣＶＤや減圧ＣＶＤ
などのＣＶＤ法による酸化シリコン膜や窒化シリコン膜
あるいはそれらの積層構造が一般的である。そのような
最終保護膜の良否は半導体装置の長期信頼性に大きく影
響を及ぼすため、下記の点に留意する必要がある。2. Description of the Related Art Conventionally, in order to protect a semiconductor device from contamination by moisture or alkali metal ions in the atmosphere or stress applied from the outside, an electrode film or a wiring film made of a metal such as an aluminum film is formed on a semiconductor substrate. Plasma CVD or low pressure CVD is used as the final protective film
In general, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated structure thereof by a CVD method is used. Since the quality of such a final protective film greatly affects the long-term reliability of the semiconductor device, it is necessary to pay attention to the following points.
【０００３】１、膜質（緻密性、安定性、機械的強度な
ど）の確保。 ２、配線ステップカバレージのよいこと。 ３、低温で形成できること（一般に配線材料はアルミニ
ウムなどに代表されるような低融点金属であるため、約
４００℃以下の低温形成が要求される）。 上に挙げたような従来のＣＶＤ法については現状で上記
１〜３項をほぼ満足した条件が確立されている。[0003] 1. Ensuring film quality (density, stability, mechanical strength, etc.). 2. Good wiring step coverage. 3. It can be formed at a low temperature (generally, since the wiring material is a low melting point metal such as aluminum, a low temperature formation of about 400 ° C. or less is required). At present, conditions that substantially satisfy the above-mentioned items 1 to 3 have been established for the conventional CVD methods as described above.
【０００４】しかるに、従来のＣＶＤ法は生産技術的に
みると、次のような短所も持っている。すなわち、 ４、シランなどの着火性ガスや、フォスフィン、ジボラ
ンなどの有毒ガスを使用するため、安全対策が不可欠で
ある。 ５、パーティクル発生により歩留りが低下し易い。However, the conventional CVD method has the following disadvantages in terms of production technology. That is, 4, safety measures are indispensable because ignitable gas such as silane and toxic gas such as phosphine and diborane are used. 5. The yield is likely to decrease due to the generation of particles.
【０００５】６、成膜に時間がかかり生産性が低い。 といったＣＶＤ法そのものが抱える問題点が有る。特に
６項については図３に示すようなトレンチの埋め込みに
ついては課題が大きい。また場合によっては、上記２項
のステップカバレージが不十分であるという問題を再び
引き起こすこともある。図３に基づいてトレンチの埋め
込み工程を説明する。シリコンのサブストレート２に酸
化膜３を介してシリコン層４が積層されたいわゆるＳＯ
Ｉ基板１を用い、そののシリコン層４に通常のフォトエ
ツチング技術を用いてトレンチ５を形成する［図３
（ａ）］。続いて、トレンチの内面および上面に酸化膜
６を被着する［同図（ｂ）］。次に、減圧ＣＶＤにより
多結晶シリコン７をトレンチの内部に充填する。このと
き酸化膜６上にも多結晶シリコン７が堆積する［同図
（ｃ）］。プラズマエッチングにより酸化膜６上の多結
晶シリコン７をエッチングする［同図（ｄ）］。素子分
離のためのトレンチの充填は以上のような工程でなされ
る。この後、図には示していないがシリコン層４上の酸
化膜６を一部除去して、露出したシリコン層４の表面層
に素子を形成するのである。従来技術では、図３に示す
ような工程に従って多結晶シリコンをＣＶＤ法で充填す
るのが一般的であるが、トレンチを平坦に埋め込むには
かなりの堆積時間を必要とし問題となっている。溝幅が
広くしかも深い場合には一層深刻である。[0005] 6. Film formation takes time and productivity is low. There is a problem that the CVD method itself has. In particular, regarding item 6, there is a large problem in filling the trench as shown in FIG. Further, in some cases, the problem of insufficient step coverage in the above two items may be caused again. The step of filling the trench will be described with reference to FIG. A so-called SO in which a silicon layer 4 is laminated on a silicon substrate 2 via an oxide film 3
Using an I-substrate 1, a trench 5 is formed in the silicon layer 4 of the I-substrate 1 by using ordinary photo-etching technology [FIG.
(A)]. Subsequently, an oxide film 6 is deposited on the inner and upper surfaces of the trench [FIG. Next, the inside of the trench is filled with polycrystalline silicon 7 by low pressure CVD. At this time, polycrystalline silicon 7 is also deposited on oxide film 6 [FIG. The polycrystalline silicon 7 on the oxide film 6 is etched by plasma etching [FIG. The filling of the trench for element isolation is performed in the above steps. Thereafter, although not shown, the oxide film 6 on the silicon layer 4 is partially removed, and an element is formed on the exposed surface layer of the silicon layer 4. In the prior art, polycrystalline silicon is generally filled by a CVD method according to the process shown in FIG. This is more serious when the groove width is wide and deep.
【０００６】上記の４〜６項の問題を解決する方法とし
ては、フォトレジストに代表されるような回転塗布法に
よる半導体基板への表面保護膜の形成法がある。従来、
このような塗布法による表面保護膜の例としては、ポリ
イミドやスピンオンガラスが知られている。スピンオン
ガラスとは水ガラスを回転塗布、焼成し酸化シリコン膜
とする方法である。As a method for solving the above problems 4 to 6, there is a method of forming a surface protective film on a semiconductor substrate by a spin coating method typified by a photoresist. Conventionally,
Polyimide and spin-on glass are known as examples of the surface protective film formed by such a coating method. Spin-on glass is a method of spin-coating and firing water glass to form a silicon oxide film.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、塗布法によっ
て形成したこれらポリイミドやスピンオンガラスの膜
は、ＣＶＤ法による窒化シリコンや酸化シリコンとは逆
に上記１項の膜質の点で難があり、従来技術で述べたよ
うなＣＶＤ法を主流とする方法に変わってきたというそ
もそもの過去の経緯がある。例えばポリイミドは密着性
や膜の硬さに難点があり、剥離等の問題を起こしやす
い。またスピンオンガラスは耐湿性、耐イオン透過性が
不十分である。これらの従来の塗布法の欠点の多くは、
用いられた材料にある。However, these polyimide and spin-on-glass films formed by the coating method are disadvantageous in terms of the film quality of item 1 above, contrary to silicon nitride and silicon oxide formed by the CVD method. There is a history of the past that the CVD method has been changed to the mainstream as described in the art. For example, polyimide has difficulty in adhesion and film hardness, and easily causes problems such as peeling. Further, spin-on glass has insufficient moisture resistance and ion permeability. Many of the disadvantages of these conventional coating methods are:
The material used.
【０００８】すなわち本発明の目的は、半導体基板へ回
転塗布法で被着できる、膜質の優れた表面保護膜の形成
方法を見いだし、もって優れた信頼性特性を有する半導
体装置の保護膜の形成方法を提供することにある。That is, an object of the present invention is to find a method of forming a surface protective film having excellent film quality, which can be applied to a semiconductor substrate by a spin coating method, and thus a method of forming a protective film of a semiconductor device having excellent reliability characteristics. Is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明者は新たな材料の発掘に努めた。炭化シリ
コン膜は半導体装置の保護膜として用いた例は無いが、
硬さが高く、熱伝導係数が大きく、しかも熱膨張係数も
シリコンのそれに近く保護膜として適した物性を有して
いる。そこで、炭化シリコンを主成分とする膜を半導体
装置の保護膜として選んだ。炭化シリコンはまた、原料
となる炭素原子を含む液状の有機シリコン化合物が比較
的容易に入手できるという利点もある。In order to solve the above-mentioned problems, the inventor of the present application has worked to find a new material. Although there is no example of using a silicon carbide film as a protective film of a semiconductor device,
It has a high hardness, a large thermal conductivity coefficient, and a thermal expansion coefficient close to that of silicon and has physical properties suitable for a protective film. Therefore, a film containing silicon carbide as a main component was selected as a protective film for a semiconductor device. Silicon carbide also has the advantage that a liquid organic silicon compound containing carbon atoms as a raw material can be obtained relatively easily.
【００１０】保護膜の形成方法としては、半導体装置上
に、ポリシラン重合体を溶解した液体を塗布し、４００
℃以上５００℃以下の温度で、酸素（以下Ｏ 2 と記す）
と窒素（以下Ｎ 2 と記す）の混合ガス雰囲気中で焼成す
るものとする。ポリシラン重合体はメチル基を有するも
の、例えば、ポリジメチルシリレンが適当である。半導
体装置にポリジメチルシリレンを溶解した液体を塗布
し、４００℃以上５００℃以下の温度で焼成し、炭化シ
リコンを主成分とする膜としてもよい。 このとき、焼成
はＯ 2 含む雰囲気中で行う。 [0010] As a method for forming the protective film, on the semiconductor device is coated with a liquid prepared by dissolving a polysilane polymer, 400
Oxygen (hereinafter referred to as O 2 ) at a temperature of not less than 500 ° C. and not more than 500 ° C.
It should be fired in a mixed gas atmosphere of nitrogen and nitrogen (hereinafter referred to as N 2 ) . The polysilane polymer having a methyl group, for example, polydimethylsilylene is suitable. Semiconduct
Apply liquid dissolving polydimethylsilylene to body device
And calcined at a temperature of 400 ° C or more and 500 ° C or less,
It may be a film containing silicon as a main component. At this time, firing
Is performed in an atmosphere containing O 2 .
【００１１】[0011]
【作用】ポリジメチルシリレンのような、ポリシラン重
合体を溶解した液体を半導体装置に塗布、焼成すること
により、化合物中の炭素原子とシリコン原子が反応し
て、半導体装置表面に炭化シリコン膜を含んだ膜が形成
される。特に焼成雰囲気にＯ2 を加えることにより、ポ
リシラン重合体のメチル基が酸化され、より一層の重合
反応が促進されて、焼成温度を従来炭化シリコンを得る
のに必要であった１０００℃より大幅に低減でき、半導
体の保護膜形成温度として実用可能な約４００℃で形成
できるようになる。By coating and baking a liquid in which a polysilane polymer is dissolved, such as polydimethylsilylene, on a semiconductor device, carbon atoms and silicon atoms in the compound react to form a silicon carbide film on the surface of the semiconductor device. A salient film is formed. In particular, by adding O 2 to the sintering atmosphere, the methyl group of the polysilane polymer is oxidized and the polymerization reaction is further promoted, and the sintering temperature is greatly increased from 1000 ° C. which was conventionally required to obtain silicon carbide. It can be formed at a temperature of about 400 ° C. which can be reduced and can be practically used as a semiconductor protective film forming temperature.
【００１２】また焼成時のＯ2 とＮ2 との混合ガス雰囲
気のＯ2 とＮ2 との混合比を変え、また焼成温度を調節
することによって、炭化シリコンを含む膜の組成が変え
られ、適当な膜質の保護膜を得ることが出来る。The composition of the film containing silicon carbide can be changed by changing the mixing ratio of O 2 and N 2 in the mixed gas atmosphere of O 2 and N 2 at the time of firing, and adjusting the firing temperature. A protective film having appropriate film quality can be obtained.
【００１３】[0013]
【実施例】以下に実施例について述べる。先ず環状ポリ
シランの合成から始める。ジメチルジクロロシランは金
属リチウム片の存在するテトラハイドロフラン（ＴＨ
Ｆ）溶媒中で、下記化学反応式（１）に従ってドデカメ
チルシクロヘキサシランとなる。Embodiments will be described below. First, start with the synthesis of the cyclic polysilane. Dimethyldichlorosilane is a tetrahydrofuran (TH
F) In a solvent, it becomes dodecamethylcyclohexasilane according to the following chemical reaction formula (1).
【００１４】[0014]
【化１】 Embedded image
【００１５】得られたドデカメチルシクロヘキサシラン
をアルゴン（以下Ａｒと記す）ガス封入の高圧釜中で４
８時間４００℃に加熱すると、下記化学反応式（２）に
示す開環反応とそれに続く重合反応を起こし、ポリシラ
ン重合体［イ］、［ロ］が生成する。The obtained dodecamethylcyclohexasilane was placed in an autoclave containing argon (hereinafter referred to as Ar) gas.
When heated at 400 ° C. for 8 hours, a ring-opening reaction and a subsequent polymerization reaction represented by the following chemical reaction formula (2) occur, and polysilane polymers [A] and [B] are produced.
【００１６】[0016]
【化２】 Embedded image
【００１７】生成したポリシラン重合体［イ］をジエチ
ルエーテルに溶かすと、［イ］の低分子重合体成分（ｎ
が極端に小さい成分）はジエチルエーテルと一緒に蒸発
し、高分子重合体成分だけが残る。この残存物をノルマ
ルヘキサンとアセトンとの混合溶液に溶かすと、高分子
重合体成分はノルマルヘキサンに、低分子重合体成分は
アセトンに溶解分離するため、ノルマルヘキサンに溶解
したもののみ取り出せば、分子量の揃った高分子重合体
成分［ロ］が得られる。When the resulting polysilane polymer [i] is dissolved in diethyl ether, the low molecular weight polymer component [n] (n)
Is extremely small) and evaporates together with diethyl ether, leaving only the high molecular weight polymer component. When this residue is dissolved in a mixed solution of normal hexane and acetone, the high molecular weight polymer component is dissolved and separated in normal hexane, and the low molecular weight polymer component is dissolved in acetone. And a high-molecular-weight polymer component [b] is obtained.
【００１８】合成された高分子重合体成分［ロ］は上記
ポリシラン重合体［イ］でｎ＝２５が大部分の高分子重
合体成分がノルマルヘキサンに溶けたものであった。以
上の高分子重合体成分の調製方法は矢島らの報告による
合成法を採用した( 矢島ら:Chem.Lett.,(1975)931)。こ
のノルマルヘキサンに溶解した高分子重合体成分［ロ］
を半導体装置上に滴下し、５００ｒｐｍで回転塗布し
て、半導体装置上に均一の厚さの高分子重合体成分
［ロ］層を形成した。その後、このウェファを１００℃
のクリーンオーブン中で１時間程ベークし、乾燥した。
この過程で溶剤であるノルマルヘキサンは蒸発し高分子
重合体層が形成される。The synthesized polymer component [b] was the above polysilane polymer [a] where n = 25 and most of the polymer components were dissolved in normal hexane. The above polymer was prepared by a synthesis method reported by Yajima et al. (Yajima et al .: Chem. Lett., (1975) 931). High molecular weight polymer component dissolved in normal hexane [b]
Was dropped on a semiconductor device and spin-coated at 500 rpm to form a high-molecular-weight polymer component layer having a uniform thickness on the semiconductor device. Then, the wafer is heated to 100 ° C.
Was baked in a clean oven for about 1 hour and dried.
In this process, normal hexane as a solvent evaporates to form a high-molecular polymer layer.
【００１９】その後、この半導体装置を４００℃、Ｏ2
10％のＮ2 とＯ 2との混合雰囲気の電気炉で３時間焼成
することにより、炭化シリコンと窒化シリコンとからな
るアモルファス薄膜（膜厚約１μｍ）が得られた。得ら
れた膜について、耐湿性および耐イオン透過性の試験を
おこなったところ極めて優れた耐湿性、耐イオン透過性
を示した。Thereafter, the semiconductor device is heated at 400 ° C. and O 2
By baking for 3 hours in an electric furnace in a mixed atmosphere of 10% N 2 and O 2 , an amorphous thin film (thickness: about 1 μm) composed of silicon carbide and silicon nitride was obtained. The obtained membrane was tested for moisture resistance and ion permeation resistance, and showed extremely excellent moisture resistance and ion permeation resistance.
【００２０】従来真空中や不活性ガス雰囲気などで炭化
シリコンの合成が試みられたが、低温（４００℃以下）
においてはパウダー状になるため、４００℃以上での焼
成が必要であり、また、アモルファスや多結晶の薄膜と
するためにはより高温（１０００℃以上）の焼成が必要
で、半導体装置の最終保護膜としては温度が高すぎて適
用することはできなかった。すなわち、この半導体基板
への保護膜の形成のための焼成は、半導体基板上に設け
られているアルミニウム配線膜の融解や酸化防止の観点
から、その温度の上限が定められる。つまり、アルミニ
ウムの融点（６６０℃）以下であることが絶対に必要で
あり、酸化防止の観点からは５００℃以下でなければな
らないことがわかった。酸化性雰囲気での焼成を実施す
ることにより、高分子重合体のメチル基を酸化し、より
一層の重合反応を促進することができ、所期の目的に合
致した表面保護膜形成が可能となった。Conventionally, synthesis of silicon carbide has been attempted in a vacuum or in an inert gas atmosphere.
Requires a baking at a temperature of 400 ° C. or higher, and a higher temperature (1000 ° C. or higher) is required to form an amorphous or polycrystalline thin film. The temperature was too high for the film and could not be applied. That is, the upper limit of the temperature for baking for forming the protective film on the semiconductor substrate is determined from the viewpoint of preventing melting and oxidation of the aluminum wiring film provided on the semiconductor substrate. That is, it is absolutely necessary that the melting point of aluminum is lower than the melting point (660 ° C.), and from the viewpoint of preventing oxidation, it must be lower than 500 ° C. By firing in an oxidizing atmosphere, the methyl group of the polymer can be oxidized to further promote the polymerization reaction, and a surface protective film that meets the intended purpose can be formed. Was.
【００２１】図１はＯ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）が０．３の条
件で行ったステツプカバレージ試験の結果を示す断面図
である。保護膜１０が、シリコン基板８の角度が１００
度、高さが３μｍのステップ９を被覆していることがわ
かる。図２は、種々のＮ2 とＯ 2とのガスの流量の割合
〔Ｏ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）〕で焼成した場合の、生成した
アモルファス薄膜を分析した結果で、薄膜中に含まれる
炭素原子Ｃ、酸素原子Ｏおよび窒素原子Ｎの原子数をシ
リコン原子Ｓｉを１として表したものである。Ｏ 2／
（Ｎ2 ＋Ｏ 2）が０．１未満の場合はパウダー状とな
り、本発明の目的とする薄膜は得られなかったが、０．
１以上では良好な薄膜が得られた。FIG. 1 is a sectional view showing the results of a step coverage test performed under the condition that O 2 / (N 2 + O 2 ) is 0.3. If the protective film 10 has an angle of 100
It can be seen that the coating covers step 9 having a height of 3 μm. FIG. 2 shows the results of analysis of the formed amorphous thin film when firing at various gas flow rates of N 2 and O 2 [O 2 / (N 2 + O 2 )], which are included in the thin film. The number of carbon atoms C, oxygen atoms O, and nitrogen atoms N is represented by one silicon atom Si. O 2 /
When (N 2 + O 2 ) is less than 0.1, the film becomes powdery and the thin film intended for the present invention was not obtained.
When it was 1 or more, a good thin film was obtained.
【００２２】Ｏ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）が０．１〜０．２の
範囲では太い実線で示した炭素と点線で示した窒素が多
いことから、炭化シリコンと窒化シリコンを主として含
んだ混合膜が得られたことがわかる。この範囲の膜は特
に優れた耐イオン透過性を示した。またＯ 2／（Ｎ2 ＋
Ｏ 2）が０．６以上では、細い実線で示した酸素がもっ
とも多く太い実線で示した炭素が含まれ、点線の窒素は
非常に少ないことから、酸化シリコンと炭化シリコンを
含んだ膜が得られたことがわかる。この範囲で得られた
膜は密着性が良かった。When O 2 / (N 2 + O 2 ) is in the range of 0.1 to 0.2, there is a large amount of carbon shown by a thick solid line and a large amount of nitrogen shown by a dotted line, so that a mixture mainly containing silicon carbide and silicon nitride is used. It can be seen that a film was obtained. Membranes in this range exhibited particularly good resistance to ion permeation. O 2 / (N 2 +
When O 2 ) is 0.6 or more, the film containing silicon oxide and silicon carbide is obtained because the oxygen shown by the thin solid line is the largest and the carbon shown by the thick solid line is contained, and the nitrogen shown by the dotted line is very small. You can see that it was done. The film obtained in this range had good adhesion.
【００２３】その中間のＯ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）が０．３
〜０．５の範囲では点線で示した窒素がやや少ないもの
の、炭素、酸素、窒素が全て含まれていて、炭化シリコ
ン、窒化シリコンと酸化シリコンとの混合膜が得られた
ことがわかる。Ｏ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）が０．１以上の条
件下で成膜した薄膜は全て図２に示すステップ９を充分
に被覆していた。The intermediate O 2 / (N 2 + O 2 ) is 0.3
In the range of 0.5 to 0.5, although the amount of nitrogen shown by the dotted line is slightly small, it is understood that carbon, oxygen and nitrogen are all contained, and a mixed film of silicon carbide, silicon nitride and silicon oxide was obtained. All the thin films formed under the condition that O 2 / (N 2 + O 2 ) was 0.1 or more sufficiently covered Step 9 shown in FIG.
【００２４】さらに、図３に示したトレンチの埋め込み
工程で多結晶シリコンのかわりに上記実施例の炭化シリ
コン、窒化シリコン、酸化シリコンからなる薄膜を用い
たところ、溝幅１０μｍ、深さ３０μｍのトレンチも塗
布と焼成で埋め込むことが可能であった。また、下記の
化学反応式（３）に従い、環状でないポリジメチルシリ
レンをＡｒ中４５０℃に加熱して得られた高分子重合体
［ハ］を溶剤に溶かしたものを半導体基板に塗布、焼成
しても同様の炭化シリコンを含んだ膜質のよい保護膜が
得られた。Further, when the thin film made of silicon carbide, silicon nitride, and silicon oxide of the above embodiment was used in place of the polycrystalline silicon in the trench filling step shown in FIG. It was also possible to embed them by coating and baking. Further, according to the following chemical reaction formula (3), a polymer obtained by heating non-cyclic polydimethylsilylene at 450 ° C. in Ar [c] in a solvent is applied to a semiconductor substrate and baked. Thus, a similar high-quality protective film containing silicon carbide was obtained.
【００２５】[0025]
【化３】 Embedded image
【００２６】[0026]
【発明の効果】ポリシラン重合体を溶剤に溶かしたもの
を半導体基板に塗布し、焼成することにより、前述の１
ないし６の項目を満足する炭化シリコンを含む保護膜が
得られる。本発明によれば、従来のＣＶＤ法による前述
の欠点が解消されるとともに、従来のＣＶＤ法に比べて
量産性に優れ、工程の単純化が図れることから低コスト
化ができる。さらに、実施例で説明したように、焼成時
のガス流量比Ｏ 2／（Ｎ2＋Ｏ 2）を変えるだけで各種
組成の膜が任意に得られるため、用途に応じた最適な膜
を選定できるという利点もある。According to the present invention, a solution obtained by dissolving a polysilane polymer in a solvent is applied to a semiconductor substrate and baked.
A protective film containing silicon carbide that satisfies items 6 to 6 can be obtained. According to the present invention, the above-mentioned drawbacks caused by the conventional CVD method are solved, and the mass production is superior to the conventional CVD method, and the cost can be reduced because the process can be simplified. Further, as described in the examples, films of various compositions can be arbitrarily obtained only by changing the gas flow ratio O 2 / (N 2 + O 2 ) at the time of firing, so that an optimum film according to the application can be selected. There is also an advantage.
【図１】本発明の形成方法による保護膜の例のステップ
カバレージの評価の結果を表す断面図FIG. 1 is a cross-sectional view showing a result of evaluating step coverage of an example of a protective film according to a forming method of the present invention.
【図２】本発明の形成方法の実施時の焼成中のガス流量
比Ｏ 2／（Ｎ2 ＋Ｏ 2）と成膜した膜の組成の関係を示
す図FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a gas flow ratio O 2 / (N 2 + O 2 ) during firing and a composition of a formed film when a forming method of the present invention is performed.
【図３】従来のＳＯＩ基板を用いた誘電体分離のための
トレンチ埋め込み工程を（ａ）から（ｄ）の順に示す断
面図FIG. 3 is a cross-sectional view showing a trench filling step for dielectric isolation using a conventional SOI substrate in the order of (a) to (d).
１ ＳＯＩ基板 ２ サブストレート ３ 酸化膜 ４ シリコン層 ５ トレンチ ６ 酸化膜 ７ 多結晶シリコン ８ シリコン基板 ９ ステップ １０ 保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SOI substrate 2 Substrate 3 Oxide film 4 Silicon layer 5 Trench 6 Oxide film 7 Polycrystalline silicon 8 Silicon substrate 9 Step 10 Protective film
Claims (5)
液体を塗布し、４００℃以上５００℃以下の温度で窒素
と酸素との混合ガス雰囲気中で焼成し、炭化シリコンを
主成分とする膜とすることを特徴とする半導体装置の保
護膜の形成方法。1. A method in which a liquid in which a polysilane polymer is dissolved is applied to a semiconductor device, and nitrogen is applied at a temperature of 400.degree.
A method for forming a protective film for a semiconductor device , comprising firing in a mixed gas atmosphere of oxygen and oxygen to form a film containing silicon carbide as a main component.
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の保護膜の形
成方法。2. The method according to claim 1, wherein the polysilane polymer has a methyl group.
した液体を塗布し、４００℃以上５００℃以下の温度で
焼成し、炭化シリコンを主成分とする膜とすることを特
徴とする半導体装置の保護膜の形成方法。 3. A polydimethylsilylene is dissolved in a semiconductor device.
And apply it at a temperature of 400 ° C or more and 500 ° C or less.
It is characterized by firing to form a film containing silicon carbide as the main component.
A method for forming a protective film of a semiconductor device.
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置の保護膜の形
成方法。4. The method according to claim 3 , wherein the baking is performed in an atmosphere containing oxygen.
量比を０．１以上とした混合ガスの雰囲気中で焼成が行
われることを特徴とする請求項１または２のいずれかに
記載の半導体装置の保護膜の形成方法。 5. A flow of oxygen gas in a mixed gas of nitrogen and oxygen.
Firing is performed in an atmosphere of a mixed gas with a quantitative ratio of 0.1 or more.
3. The method according to claim 1, wherein
A method for forming a protective film for a semiconductor device according to the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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