JP3138706U - 高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド及び光減衰が発生せず、かつ、COB及びダイモールド方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる発光ダイオードチップの封止構造を提供する。
【解決手段】本考案に係る高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットとを含む。前記パッケージコロイドユニットは、それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有し、前記各パッケージコロイドの上面および前面に、それぞれコロイド弧面とコロイド光射出面を有する。
【選択図】図4F
【解決手段】本考案に係る高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットとを含む。前記パッケージコロイドユニットは、それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有し、前記各パッケージコロイドの上面および前面に、それぞれコロイド弧面とコロイド光射出面を有する。
【選択図】図4F
Description
本考案は、発光ダイオードチップの封止構造に係り、特に、高効率横型発光効果(high-efficiency lateral light-emitting effect)を有する発光ダイオードチップの封止構造に関する。
図1は、従来の発光ダイオードの第1の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第1の封止方法は、先ず、複数のパッケージした発光ダイオードを用意する工程(S800)と、正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を用意する工程(S802)と、最後に、パッケージされた各発光ダイオードをその帯形の基板本体上に順次に設け、かつパッケージされた各発光ダイオードの正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程(S804)とを含むことが分かる。
図2は、従来の発光ダイオードの第2の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第2の封止方法は、先ず、正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を用意する工程(S900)と、複数の発光ダイオードチップをその帯形の基板本体上に順次に設け、かつ、発光ダイオードチップ毎の正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程(S902)と、最後に、帯形のパッケージコロイドでその帯形の基板本体およびこれらの発光ダイオードチップ上を覆い、帯形発光領域のあるライトバーを形成する工程(S904)とを含むことが分かる。
しかしながら、上記従来の発光ダイオードの第1の封止方法については、パッケージされた各発光ダイオードを発光ダイオードパッケージ全体から切断し、それから、表面封止技術(SMT)でパッケージした発光ダイオードをその帯形の基板本体上に設けなければならないため、製造プロセス時間を有効に短縮させることは出来ず、また、発光の際に、これらのパッケージした発光ダイオードの間にダークバンド現象が存在し、使用者の視線には好ましくない効果が発生してしまう。
また、上記従来の発光ダイオードの第2の封止方法については、完成したライトバーが帯形発光領域を有するため、第2の封止方法はダークバンドの問題が発生しない。しかしながら、この帯形のパッケージコロイドが励起された領域が不均一であるため、ライトバーの光の効率は悪くなる(すなわち、発光ダイオードチップに近いパッケージコロイド領域は、比較的に強い励起光源が発生し、発光ダイオードチップに遠ざかるパッケージコロイド領域は、比較的に弱い励起光源が発生する)。
図3は、従来の発光ダイオードが横型発光に適用される状態を示す図である。図から分かるように、従来の発光ダイオードチップDが横型発光に適用されると(例えば、ノートパソコンスクリーンに用いる導光板Mの横型光源)、ノートパソコンスクリーンの導光板Mは非常に薄いため、該発光ダイオードチップDのベースS1の長さl1は、対応的に短縮しなければならない。言い換えれば、該ベースS1の長さl1が短すぎるため、従来の発光ダイオードチップDは効率的な散熱効果を得られず、発光ダイオードチップDが過熱状態となり焼損されてしまう虞がある。
以上のように、従来の発光ダイオードの封止方法およびその封止構造は、不便や欠点が明らかに存在し、改善が期待されていることが分かる。
尚、従来の発光ダイオードの封止構造については、特許文献1に開示されている。
実用新案登録第3132316号公報
尚、従来の発光ダイオードの封止構造については、特許文献1に開示されている。
本考案が解決しようとする技術問題は、高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を提供することにある。
具体的には、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark band)及び光減衰(decay)が発生せず、かつ、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる発光ダイオードチップの封止構造を提供することである。
また、本考案の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などにより適用でき、いずれも本考案が適応する範囲および製品である。
具体的には、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark band)及び光減衰(decay)が発生せず、かつ、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる発光ダイオードチップの封止構造を提供することである。
また、本考案の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などにより適用でき、いずれも本考案が適応する範囲および製品である。
また、本考案に係るパッケージコロイドは、特殊な金型のダイモールド過程によって、本考案の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できるため、本考案では散熱不足となることがない。言い換えれば、本考案は横型投光の機能を発生することだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも適用することができる。
前記技術課題を解決するため、本考案による一つの方案は、先ず、基板ユニットと、発光ユニットとパッケージコロイドユニットとを備え、高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップパッケージ構造を提供する。
前記基板ユニットは、基板本体と、それぞれ前記基板本体に形成された正極導電トレース及び負極導電トレースとを備える。前記発光ユニットは、前記基板本体に設置された発光ダイオードチップを複数有する。前記各発光ダイオードチップは、それぞれ前記基板ユニットの正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続される正極端と負極端を備える。前記パッケージコロイドユニットは、それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有し、前記各パッケージコロイドの上面および前面に、それぞれコロイド弧面とコロイド光射出面を有する。
また、本考案の発光ダイオードチップパッケージ構造は、更に以下の2つの実施態様を含む。
一、前記基板本体を覆い、前記コロイド光射出面だけを露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム層から構成されたフレームユニットを備える。
二、それぞれ前記コロイド光射出面だけを露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム本体を複数有するフレームユニットを備え、前記フレーム本体は互いに隔離するように前記基板本体に設けられる。
そのため、本考案の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark)及び光減衰(decay)は発生しない。本考案は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本考案の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できる。そのため、本考案は横型発光の機能を発生するだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも適用できる。
本考案が所定の目的を達成するために採用する技術、手段及びその効果をさらに詳細的で具体的に説明するために、以下に本考案に関わる詳しい説明及び添付図面を参照することにより、深く且つ具体的な理解を得られるが、それらの添付図面が参考及び説明のみに使われ、本考案の主張範囲を狭義的に局限するものではないことは言うまでもないことである。
発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark band)及び光減衰(decay)が発生せず、かつ、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる発光ダイオードチップの封止構造を得ることができる。
図4、図4a〜4fおよび図4A〜4Fを参照する。図4は、本考案に係る封止方法の第1の実施例を示すフローチャートであり、図4a〜4fは、それぞれ本考案に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図であり、図4A〜4Fは、それぞれ本考案に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。図4のフローチャートから分かるように、本考案に係る第1の実施例は、以下のステップを含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法を提供した。
先ずは、図4aおよび図4Aに示すように、基板本体10と、該基板本体10にそれぞれ形成された複数の正極導電トレース11および複数の負極導電トレース12を有する基板ユニット1を提供する(S100)。
前記基板本体10は、金属層10Aと、前記金属層10Aに成形されたベークライト層10Bとを備える(図4a及び図4Aに示す)。また、異なる設計要求に応じて、該基板ユニット1は、プリント回路基板(PCB)や、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板を用いることができる。また、該正、負極導電トレース11、12は、Al回路またはAg回路を採用でき、且つ、該正、負極導電トレース11、12のレイアウトは、異なる要求に応じて多少変えることができる。
次に、図4bおよび図4Bに示すように、該基板本体10上にマトリクス方式により複数の発光ダイオードチップ20をそれぞれ設置し、複数列の縦方向発光ダイオードチップ列2を形成する。各発光ダイオードチップ20は、基板ユニットの正、負極導電トレース11、12にそれぞれ電気的に接続された正極端201及び負極端202を有する(S102)。
また、本考案に係る第1の実施例においては、発光ダイオードチップ20毎の正極端201及び負極端202は、2つの対応しているワイヤWを介してワイヤボンディングの方式で該基板ユニット1の正、負極導電トレース11、12に電気的に接続される。また、縦方向発光ダイオードチップ列2は、直線状の配列方式で該基板ユニット1の基板本体10に設けられ、かつ、各発光ダイオードチップ20は、青色発光ダイオードチップであれば良い。
もちろん、上記のこれらの発光ダイオードチップ20の電気接続方式は、それに限らず、例えば、図5に示すように(本考案の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である)、各発光ダイオードチップ20’の正、負極端201’、202’は、複数の対応する半田ボールBを介してフリップチップの方式で、該基板ユニット1’の正、負極導電トレース11’、12’に電気的に接続されてもよい。また、異なる設計要求に応じて、これらの発光ダイオードチップ(図示せず)の正、負極端は、直列接続や、並列接続または直列/並列の方式で該基板ユニット(図示せず)の正、負極導電トレースに電気的に接続することができる。
その後、図4c、図4C及び図6に示すように、第1のモールドユニットM1を介して複数の帯形のパッケージコロイド3で縦方向発光ダイオードチップ列2上を縦方向に覆う。ここで、帯形のパッケージコロイド3の上面は、これらの発光ダイオードチップ20に対応する複数のコロイド弧面300を有し、かつ、帯形のパッケージコロイド3は、これらの対応コロイド弧面300の先端に設けられた複数のコロイド前端面301を有する(S104)。
前記第1のモールドユニットM1は、第1のアッパモールドM11および該基板本体10を載置する第1のローモールドM12からなり、該第1のアッパモールドM11は、縦方向発光ダイオードチップ列2に対応する複数の第1のチャンネルM110を備える。そのうち、第1のチャンネルM110は、複数の凹溝Gを有し、凹溝G毎の上面及び前面は、図6に示すようにコロイド弧面300に対応するモールド弧面G100及び該コロイド前端面301に対応するモールド前端面G101をそれぞれ有する。
また、これらの第1のチャンネルM110のサイズは、帯形のパッケージコロイド3のサイズと同じである。さらに、帯形の各パッケージコロイド3は、異なる使用要件に応じて、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂、或いは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂を選択できる。
続いて、図4d及び図4Dに示すように、2つずつの縦方向発光ダイオードチップ20の間に沿って、帯形のパッケージコロイド3を横方向に切断し、発光ダイオードチップ20毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド30を形成する。ここで、パッケージコロイド30毎の上面はコロイド弧面300が形成され、かつ、各パッケージコロイド30は、このコロイド弧面300の先端に形成されたコロイド光射出面302を有する(S106)。
そして、図4eおよび図4Eに示すように、第2のモールドユニットM2を介してフレームユニット4でこの基板本体10及びこれらのパッケージコロイド30上を覆うとともにこれらのパッケージコロイド30の間に充填させる(S108)。
そのうち、該第2のモールドユニットM2は、第2のアッパモールドM21および該基板本体10を載置する第2のローモールドM22からなり、該第2のアッパモールドM21は、フレームユニット4に対応する1つの第2のチャンネルM210を備え、また、該第2のチャンネルM210の高さは、これらのパッケージコロイド30の高さと同じであり、該第2のチャンネルM210の幅は、該フレームユニット4の幅と同じである。
そのうち、該第2のモールドユニットM2は、第2のアッパモールドM21および該基板本体10を載置する第2のローモールドM22からなり、該第2のアッパモールドM21は、フレームユニット4に対応する1つの第2のチャンネルM210を備え、また、該第2のチャンネルM210の高さは、これらのパッケージコロイド30の高さと同じであり、該第2のチャンネルM210の幅は、該フレームユニット4の幅と同じである。
最後に、図4e、図4f、図4Fに示すように、縦方向に並ぶ発光ダイオードチップ20の間におけるフレームユニット4および基板本体10を横方向に切断し、複数のライトバーL1を形成する。
このフレームユニット4は、各ライトバーL1上の全てのパッケージコロイド30のコロイド光射出面302のみを露出させる複数のフレーム層40になるように切断される(S110)。そのうち、これらのフレーム層40は、光透過しないフレーム層、例えば、白色フレーム層である。
このフレームユニット4は、各ライトバーL1上の全てのパッケージコロイド30のコロイド光射出面302のみを露出させる複数のフレーム層40になるように切断される(S110)。そのうち、これらのフレーム層40は、光透過しないフレーム層、例えば、白色フレーム層である。
続いて図7、図7a〜7bおよび図7A〜7Bを参照する。図7は、本考案に係る封止方法の第2の実施例を示すフローチャートであり、図7a〜7bは、それぞれ本考案に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図7A〜7Bは、それぞれ本考案に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
図7のフローチャートから分かるように、第2の実施例のステップS200〜S206は、それぞれ第1の実施例のステップS100〜S106と同じである。すなわち、ステップS200は、第1の実施例の図4aおよび図4Aに示される説明に該当し、ステップS202は、第1の実施例の図4bおよび図4Bに示される説明に該当し、ステップS204は、第1の実施例の図4cおよび図4Cに示される説明に該当し、ステップS206は、第1の実施例の図4dおよび図4Dに示される説明に該当する。
図7のフローチャートから分かるように、第2の実施例のステップS200〜S206は、それぞれ第1の実施例のステップS100〜S106と同じである。すなわち、ステップS200は、第1の実施例の図4aおよび図4Aに示される説明に該当し、ステップS202は、第1の実施例の図4bおよび図4Bに示される説明に該当し、ステップS204は、第1の実施例の図4cおよび図4Cに示される説明に該当し、ステップS206は、第1の実施例の図4dおよび図4Dに示される説明に該当する。
また、ステップS206の後、本考案の第2の実施例は、さらに、以下のステップを含み、先ず、図7aおよび図7Aに示すように、第3のモールドユニットM3を介して複数の帯形のフレーム層4'をこの基板本体10及びこれらのパッケージコロイド30上に覆うとともにパッケージコロイド30毎の間に縦方向に充填させる(S208)。
そのうち、該第3のモールドユニットM3は、第3のアッパモールドM31および該基板本体10を載置する第3のローモールドM32からなり、該第3のアッパモールドM31は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列2に対応する複数の第3のチャンネルM310を備え、また、該第3のチャンネルM310の高さは、これらのパッケージコロイド30の高さと同じであり、該第3のチャンネルM310の幅は、該パッケージコロイド30毎の幅より大きい。
最後に、図7a、図7bおよび図7Bを参照すると、2つずつの縦方向発光ダイオードチップ20の間に沿って、帯形のフレーム層4’および基板本体10を横方向に切断し、複数のライトバーL2を形成する。そして、これらの帯形のフレーム層4’は、パッケージコロイド30毎のコロイド光射出面302のみを露出させる複数のフレーム本体40’になるように切断される(S210)。これらのフレーム本体40’は、光透過しないフレーム本体、例えば、白色フレーム本体である。
次に図8aおよび図8Aを参照する。図8aは、本考案に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図8Aは、本考案に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
第3の実施例における第1および第2実施例との違いは、第1の実施例のステップS106および第2の実施例のステップS206が、第3の実施例においてともに「2つずつの横方向発光ダイオードチップ20の間に沿って、帯形のパッケージコロイド3’を縦方向に切断し」のように変えられる点である。
第3の実施例における第1および第2実施例との違いは、第1の実施例のステップS106および第2の実施例のステップS206が、第3の実施例においてともに「2つずつの横方向発光ダイオードチップ20の間に沿って、帯形のパッケージコロイド3’を縦方向に切断し」のように変えられる点である。
さらに、該第4のモールドユニットM4は、第4のアッパモールドM41および該基板本体10を載置する第4のローモールドM42からなる。また、該第4のモールドユニットM4の第1のモールドユニットM1との最も大きな違いは、各第1のチャンネルM410の上面及び前面がモールド弧面300’及びモールド光射出面302’をそれぞれ有する点である。そのため、複数の帯形のパッケージコロイド3’は横方向発光ダイオードチップ2にそれぞれ横方向にカバーされる。
図9は、本考案係る発光ダイオードチップの封止構造が横型発光に適用されることを示す図である。図から分かるように、本考案係る発光ダイオードチップDが横型発光に適用されると(例えば、ノートパソコンスクリーンに用いる導光板Mの横型光源)、該発光ダイオードチップDのベースS2の長さl2は、散熱の要求に応じて長くすることができる(従来のように導光板Mの厚さに限られることはない)。言い換えれば、該ベースS2の長さl2が散熱の要求に応じて長くすることができるため、本考案の発光ダイオードチップDは効率的な散熱効果を得られ、発光ダイオードチップDの過熱による焼損を回避することができる。
以上のように、本考案の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド及び光減衰の場合は発生されず、かつ本考案は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本考案の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できるため、本考案は横型投光の機能を発生することだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも適用することができる。
しかしながら、前記の説明は、単に本考案の好ましい具体的な実施例の詳細説明及び図面に過ぎず、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではなく、本考案の主張する範囲は、下記の実用新案登録請求の範囲に基づくべき、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本考案の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施のことが本考案の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
D 発光ダイオード
M 導光板
S1 ベース
l1 長さ
1 基板ユニット
10 基板本体
10A 金属層
10B ベークライト層
11 正極導電トレース
12 負極導電トレース
1’ 基板ユニット
11’ 正極導電トレース
12’ 負極導電トレース
2 縦方向発光ダイオードチップ列
20 発光ダイオードチップ
201 正極端
202 負極端
20’ 発光ダイオードチップ
201’ 正極端
202’ 負極端
3 帯形パッケージコロイド
30 パッケージコロイド
300 コロイド弧面
301 コロイド前端面
302 コロイド光射出面
3’ 帯形パッケージコロイド
300’ モールド弧面
302’ モールド光射出面
4 フレームユニット
40 フレーム層
4’ 帯形フレーム層
40’ フレーム本体
W ワイヤ
B 半田ボール
M1 第1のモールドユニット
M11 第1のアッパモールド
M12 第1のローモールド
M110 第1のチャンネル
G 凹溝
G100 モールド弧面
G101 モールド前端面
M2 第2のモールドユニット
M21 第2のアッパモールド
M22 第2のローモールド
M210 第2のチャンネル
M3 第3のモールドユニット
M31 第3のアッパモールド
M32 第3のローモールド
M310 第3のチャンネル
M4 第4のモールドユニット
M41 第4のアッパモールド
M42 第4のローモールド
M410 第4のチャンネル
L1 ライトバー
L2 ライトバー
D 発光ダイオード
M 導光板
S21 ベース
l2 長さ
M 導光板
S1 ベース
l1 長さ
1 基板ユニット
10 基板本体
10A 金属層
10B ベークライト層
11 正極導電トレース
12 負極導電トレース
1’ 基板ユニット
11’ 正極導電トレース
12’ 負極導電トレース
2 縦方向発光ダイオードチップ列
20 発光ダイオードチップ
201 正極端
202 負極端
20’ 発光ダイオードチップ
201’ 正極端
202’ 負極端
3 帯形パッケージコロイド
30 パッケージコロイド
300 コロイド弧面
301 コロイド前端面
302 コロイド光射出面
3’ 帯形パッケージコロイド
300’ モールド弧面
302’ モールド光射出面
4 フレームユニット
40 フレーム層
4’ 帯形フレーム層
40’ フレーム本体
W ワイヤ
B 半田ボール
M1 第1のモールドユニット
M11 第1のアッパモールド
M12 第1のローモールド
M110 第1のチャンネル
G 凹溝
G100 モールド弧面
G101 モールド前端面
M2 第2のモールドユニット
M21 第2のアッパモールド
M22 第2のローモールド
M210 第2のチャンネル
M3 第3のモールドユニット
M31 第3のアッパモールド
M32 第3のローモールド
M310 第3のチャンネル
M4 第4のモールドユニット
M41 第4のアッパモールド
M42 第4のローモールド
M410 第4のチャンネル
L1 ライトバー
L2 ライトバー
D 発光ダイオード
M 導光板
S21 ベース
l2 長さ
Claims (18)
- 基板ユニットと、
前記基板ユニットに電気接続するように設置された発光ダイオードチップを複数有する発光ユニットと、
それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有し、前記各パッケージコロイドの上面および前面に、それぞれコロイド弧面とコロイド光射出面を有するパッケージコロイドユニットとを備える高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。 - 前記基板ユニットは、プリント回路基板(PCB)、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記基板ユニットは、基板本体と、それぞれ前記基板本体に形成された正極導電トレース及び負極導電トレースとを備えることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記基板本体は、金属層と、前記金属層に成形されたベークライト層とを備えることを特徴とする請求項3記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記正極導電トレース及び負極導電トレースはAl回路あるいはAg回路であることを特徴とする請求項3記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記各発光ダイオードチップは、それぞれ前記基板ユニットの正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続される正極端と負極端を備えることを特徴とする請求項3記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記各発光ダイオードチップの前記正極端、負極端は、二つの対応するワイヤでワイヤボンディング接続することにより、前記正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続されることを特徴とする請求項6記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記各発光ダイオードチップの前記正極端、負極端は、複数の対応する半田ボールでフリップチップ接続することにより、前記正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続されることを特徴とする請求項6記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記発光ダイオードチップは、前記基板ユニットに一直線になるように配列されることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記発光ダイオードチップは、前記基板ユニットに複数本の直線になるように配列されることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記各パッケージコロイドは、シリコンと蛍光パウダとをミックスして構成された蛍光性コロイドであることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記各パッケージコロイドは、エポキシ樹脂と蛍光パウダとをミックスして構成された蛍光性コロイドであることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- さらに、前記基板ユニットを覆い、前記コロイド光射出面だけを露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム層から構成されたフレームユニットを備えることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記フレーム層は光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項13記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項14記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- さらに、それぞれ前記コロイド光射出面だけを露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム本体を複数有するフレームユニットを備え、前記フレーム本体は互いに隔離するように前記基板ユニットに設けられることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項16記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
- 前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項17記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW096214387U TWM329243U (en) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | LED chip package structure with a high-efficiency light-emitting effect |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3138706U true JP3138706U (ja) | 2008-01-17 |
Family
ID=38859998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007008351U Expired - Fee Related JP3138706U (ja) | 2007-08-29 | 2007-10-30 | 高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3138706U (ja) |
DE (1) | DE202007014910U1 (ja) |
TW (1) | TWM329243U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101826516B (zh) * | 2009-03-02 | 2012-06-13 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 侧面出光型发光组件封装结构及其制造方法 |
CN103531698A (zh) * | 2012-07-06 | 2014-01-22 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 侧光式发光二极管的制作方法 |
CN103531698B (zh) * | 2012-07-06 | 2016-11-30 | 泰州市智谷软件园有限公司 | 侧光式发光二极管的制作方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008011862A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Miniaturgehäuse, Trägeranordnung mit mindestens einem Miniaturgehäuse, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Trägeranordnung |
-
2007
- 2007-08-29 TW TW096214387U patent/TWM329243U/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-25 DE DE202007014910U patent/DE202007014910U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2007-10-30 JP JP2007008351U patent/JP3138706U/ja not_active Expired - Fee Related
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CN101826516B (zh) * | 2009-03-02 | 2012-06-13 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 侧面出光型发光组件封装结构及其制造方法 |
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CN103531698B (zh) * | 2012-07-06 | 2016-11-30 | 泰州市智谷软件园有限公司 | 侧光式发光二极管的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE202007014910U1 (de) | 2007-12-27 |
TWM329243U (en) | 2008-03-21 |
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