JP3133602B2 - Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 42
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光マスク構造体
及びその製造方法、更には該Ｘ線マスク構造体を用いた
Ｘ線露光方法及びＸ線露光装置と該Ｘ線マスク構造体を
用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの
製造方法に関する。
及びその製造方法、更には該Ｘ線マスク構造体を用いた
Ｘ線露光方法及びＸ線露光装置と該Ｘ線マスク構造体を
用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度高速化に
伴い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造
方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、焼き付け装置として露光波長にＸ線領域（２〜２０
Ａ）の光を利用したステッパが開発されつつある。
伴い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造
方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、焼き付け装置として露光波長にＸ線領域（２〜２０
Ａ）の光を利用したステッパが開発されつつある。
【０００３】このＸ線露光装置に用いるＸ線マスク構造
体は通常図１０に示したような構成をしている。Ｘ線吸
収体３と吸収体３を支持する支持膜２、支持膜２を保持
する保持枠１、保持枠１を補強する補強体４からなる
が、通常保持枠と補強体の接合には有機系の接着剤５が
主に使用されていた。
体は通常図１０に示したような構成をしている。Ｘ線吸
収体３と吸収体３を支持する支持膜２、支持膜２を保持
する保持枠１、保持枠１を補強する補強体４からなる
が、通常保持枠と補強体の接合には有機系の接着剤５が
主に使用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高密度半導体集積回路
の焼き付け装置であるＸ線露光装置に用いるＸ線マスク
には、微細な線幅を持つＸ線吸収体とその位置精度が要
求される。保持枠と補強体の接合に有機系の接着剤を用
いた場合その経時変化及び、温湿度変化による変化によ
って保持枠にかかる力が変化し、最終的には吸収体にも
影響を及ぼすのでＸ線吸収体の高度な位置精度の確保が
難しい。
の焼き付け装置であるＸ線露光装置に用いるＸ線マスク
には、微細な線幅を持つＸ線吸収体とその位置精度が要
求される。保持枠と補強体の接合に有機系の接着剤を用
いた場合その経時変化及び、温湿度変化による変化によ
って保持枠にかかる力が変化し、最終的には吸収体にも
影響を及ぼすのでＸ線吸収体の高度な位置精度の確保が
難しい。
【０００５】また、有機系の接着剤を用いない接合方法
として、特公平４−６６０９６では補強体にパイレック
スガラスを用いた陽極接合法による接合が提案されてい
るが、ガラス類はヤング率が低く露光装置内での搬送及
びチャッキング時など外力が加わった場合に生じる歪が
大きくなり、位置精度に影響を与えた。
として、特公平４−６６０９６では補強体にパイレック
スガラスを用いた陽極接合法による接合が提案されてい
るが、ガラス類はヤング率が低く露光装置内での搬送及
びチャッキング時など外力が加わった場合に生じる歪が
大きくなり、位置精度に影響を与えた。
【０００６】更には、特開平２−１６２７１４及び、特
開平５−４１３４７には補強体にＳｉを用いた直接接合
による接合が提案されているが、Ｓｉは単結晶であるた
め機械的な加工が難しく、搬送及びチャッキングに必要
な加工が難しかった。
開平５−４１３４７には補強体にＳｉを用いた直接接合
による接合が提案されているが、Ｓｉは単結晶であるた
め機械的な加工が難しく、搬送及びチャッキングに必要
な加工が難しかった。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】上記の問題点は下記の
本発明によって解決される。
本発明によって解決される。
【０００８】即ち、本発明はＸ線吸収体と該吸収体を支
持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を
補強する補強体からなるＸ線マスク構造体において、前
記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化
膜を介して前記保持枠と接合することを特徴とするＸ線
マスク製造方法及び、Ｘ線マスク構造体である。ヤング
率が高く、機械的加工が可能なセラミックスを補強体に
用い、有機系の接着剤を用いることなく、セラミックス
の酸化膜を介して保持枠と接合することによって、搬送
及びチャッキング時など外力が加わった場合歪を生じる
ことなく、Ｘ線吸収体の高度な位置精度を確保すること
ができた。
持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を
補強する補強体からなるＸ線マスク構造体において、前
記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化
膜を介して前記保持枠と接合することを特徴とするＸ線
マスク製造方法及び、Ｘ線マスク構造体である。ヤング
率が高く、機械的加工が可能なセラミックスを補強体に
用い、有機系の接着剤を用いることなく、セラミックス
の酸化膜を介して保持枠と接合することによって、搬送
及びチャッキング時など外力が加わった場合歪を生じる
ことなく、Ｘ線吸収体の高度な位置精度を確保すること
ができた。
【０００９】
【００１０】更には、本発明のＸ線マスク構造体を用い
たＸ線露光により被転写体にＸ線吸収体パターンを転写
することを特徴とするＸ線露光方法及び、Ｘ線露光装置
により、高精度な焼き付けが可能となった。また、本発
明のＸ線マスク構造体を用いたＸ線露光により加工基板
上にＸ線吸収体パターンを転写し、これを加工、形成す
ることにより、高性能半導体デバイスの作製が可能とな
った。
たＸ線露光により被転写体にＸ線吸収体パターンを転写
することを特徴とするＸ線露光方法及び、Ｘ線露光装置
により、高精度な焼き付けが可能となった。また、本発
明のＸ線マスク構造体を用いたＸ線露光により加工基板
上にＸ線吸収体パターンを転写し、これを加工、形成す
ることにより、高性能半導体デバイスの作製が可能とな
った。
【００１１】
【好ましい実施形態】次に、好ましい実施形態を挙げて
本発明を詳細に説明する。まず、Ｘ線支持膜はＸ線を充
分に透過し、かつセルフスタンドする必要があるので、
０．１〜１０μｍの範囲内の厚さとされることが好まし
く、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣ
Ｎ、ＢＮ、ＡｌＮ等の無機膜、ポリイミド等の耐放射線
有機膜、これらの単独または複合膜などの公知の材料か
ら構成される。次に、Ｘ線吸収体としては、Ｘ線を充分
に吸収し、かつ被加工性が良いことが必要となるが、
０．１〜１．０μｍの範囲内の厚さとされることが好ま
しく、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ等の重金属、さら
にはこれらの化合物にて構成される。また、Ｘ線支持膜
を保持するための保持枠は、シリコンウェハー等によっ
て構成され、さらに、Ｘ線吸収体の保護膜、導電膜、ア
ライメント光の反射防止膜等を付設したものであっても
良い。
本発明を詳細に説明する。まず、Ｘ線支持膜はＸ線を充
分に透過し、かつセルフスタンドする必要があるので、
０．１〜１０μｍの範囲内の厚さとされることが好まし
く、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣ
Ｎ、ＢＮ、ＡｌＮ等の無機膜、ポリイミド等の耐放射線
有機膜、これらの単独または複合膜などの公知の材料か
ら構成される。次に、Ｘ線吸収体としては、Ｘ線を充分
に吸収し、かつ被加工性が良いことが必要となるが、
０．１〜１．０μｍの範囲内の厚さとされることが好ま
しく、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ等の重金属、さら
にはこれらの化合物にて構成される。また、Ｘ線支持膜
を保持するための保持枠は、シリコンウェハー等によっ
て構成され、さらに、Ｘ線吸収体の保護膜、導電膜、ア
ライメント光の反射防止膜等を付設したものであっても
良い。
【００１２】保持枠には、保持枠を補強する補強体が付
設されており、補強体はセラミックスからなり、中でも
ヤング率１００ＧＰａ以上、好ましくは１５０ＧＰａ以
上、さらに好ましくは２５０ＧＰａ以上でありかつ、線
膨張率が好ましくは１×１０ -5Ｋ-1以下、より好ましく
は１×１０-6Ｋ-1以下のセラミックスものが使用でき、
また実用的には搬送及びキャッチングに必要な加工が容
易なものが好ましい。具体的には表１に挙げる物性値を
持つ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｚ
ｒＯ2 ＳｉＣ−ＺｒＢ2、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ、Ａｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 、ＡｌＮ−ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＢＮ、サ
イアロン、又はコージュライトのいずれかのセラミック
スからなる。特にＡｌＮ−ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＢＮ、Ｓ
ｉＣは機械的加工が容易であり好ましい。
設されており、補強体はセラミックスからなり、中でも
ヤング率１００ＧＰａ以上、好ましくは１５０ＧＰａ以
上、さらに好ましくは２５０ＧＰａ以上でありかつ、線
膨張率が好ましくは１×１０ -5Ｋ-1以下、より好ましく
は１×１０-6Ｋ-1以下のセラミックスものが使用でき、
また実用的には搬送及びキャッチングに必要な加工が容
易なものが好ましい。具体的には表１に挙げる物性値を
持つ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｚ
ｒＯ2 ＳｉＣ−ＺｒＢ2、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ、Ａｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 、ＡｌＮ−ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＢＮ、サ
イアロン、又はコージュライトのいずれかのセラミック
スからなる。特にＡｌＮ−ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＢＮ、Ｓ
ｉＣは機械的加工が容易であり好ましい。
【００１３】これらの補強体は、搬送またはチャッキン
グに要する加工がなされ、同時に接合に関わる面も研磨
される。面は良いにこしたことはないが、平面度１μｍ
以下に研磨される。また、これらのセラミックスは、空
気叉は酸素雰囲気中で８００〜１５００℃、好ましくは
１０００〜１２００℃の高温で１〜数時間処理されるこ
とで表面に酸化物を形成する。さらに、この補強体と保
持枠を重ね合わせ、３００〜１０００℃の処理を１〜数
時間行うことにより接合した。この時、保持枠と補強体
を重ね合わせた時に加圧しても構わない。０．５〜１
０．０Ｋｇ／ｃｍ 2 、好ましくは１．０〜５．０Ｋｇ／
ｃｍ2 加圧する。この際、保持枠には支持膜は形成され
ていてもいなくても構わない。また、保持枠はＸ線を透
過するよう、窓が形成された後でも前でも構わない。保
持枠の窓形成時の保護膜として補強体を用いても構わな
い。また、保持枠に補強体を接合前に支持膜を形成する
場合で支持膜をＣＶＤなどで形成すると、保持枠の裏面
（補強体との接合面）にも支持膜が形成されるが、接合
に影響がない限りその支持膜は剥離しても残存させても
良い。又、この支持膜の主たる成分が補強体同じ材料を
用いることにより、より強固な接合を得ることができ
る。具体的にはＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ2
Ｏ3 などのいずれかのセラミックスからなるものが好ま
しく使用される。
グに要する加工がなされ、同時に接合に関わる面も研磨
される。面は良いにこしたことはないが、平面度１μｍ
以下に研磨される。また、これらのセラミックスは、空
気叉は酸素雰囲気中で８００〜１５００℃、好ましくは
１０００〜１２００℃の高温で１〜数時間処理されるこ
とで表面に酸化物を形成する。さらに、この補強体と保
持枠を重ね合わせ、３００〜１０００℃の処理を１〜数
時間行うことにより接合した。この時、保持枠と補強体
を重ね合わせた時に加圧しても構わない。０．５〜１
０．０Ｋｇ／ｃｍ 2 、好ましくは１．０〜５．０Ｋｇ／
ｃｍ2 加圧する。この際、保持枠には支持膜は形成され
ていてもいなくても構わない。また、保持枠はＸ線を透
過するよう、窓が形成された後でも前でも構わない。保
持枠の窓形成時の保護膜として補強体を用いても構わな
い。また、保持枠に補強体を接合前に支持膜を形成する
場合で支持膜をＣＶＤなどで形成すると、保持枠の裏面
（補強体との接合面）にも支持膜が形成されるが、接合
に影響がない限りその支持膜は剥離しても残存させても
良い。又、この支持膜の主たる成分が補強体同じ材料を
用いることにより、より強固な接合を得ることができ
る。具体的にはＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ2
Ｏ3 などのいずれかのセラミックスからなるものが好ま
しく使用される。
【００１４】更に、本発明のＸ線露光方法及びＸ線露光
装置は、上記したような本発明のＸ線マスクを介して、
被転写体にＸ線露光を行うことでＸ線吸収体パターンを
被転写体に転写することを特徴とするものであり、本発
明の半導体デバイス及ぶ半導体デバイスの製造方法は、
上記したＸ線マスク構造体を介して、加工基板にＸ線露
光を行うことで、Ｘ線吸収体パターンを加工基板上に転
写し、これを加工、形成することで作製されるデバイス
である。
装置は、上記したような本発明のＸ線マスクを介して、
被転写体にＸ線露光を行うことでＸ線吸収体パターンを
被転写体に転写することを特徴とするものであり、本発
明の半導体デバイス及ぶ半導体デバイスの製造方法は、
上記したＸ線マスク構造体を介して、加工基板にＸ線露
光を行うことで、Ｘ線吸収体パターンを加工基板上に転
写し、これを加工、形成することで作製されるデバイス
である。
【００１５】本発明のＸ線露光方法及びＸ線露光装置
は、上記した本発明のＸ線マスク構造体を用いること以
外は、従来公知の方法でよい。また、本発明の半導体デ
バイス及び半導体デバイスの製造方法においては、上記
本発明のデバイスはＸ線マスク構造体を用いること以外
は、従来公知の方法で作製される。
は、上記した本発明のＸ線マスク構造体を用いること以
外は、従来公知の方法でよい。また、本発明の半導体デ
バイス及び半導体デバイスの製造方法においては、上記
本発明のデバイスはＸ線マスク構造体を用いること以外
は、従来公知の方法で作製される。
【００１６】
【表１】 表１ 材 料 ヤング率 (GPa) 線膨張係数 (K-1) パイレックス＊ ６２ ２．８×１０-6 Ｓｉ｛１１１｝＊ １７０ ２．６×１０-6 Ｓｉ｛１００｝＊ １５０ ２．６×１０-6 アルミナ(Al2O3) ３７０ ７．０×１０-6 ジルコニア(ZrO2) １５０ １０．０×１０-6 コージュライト(2MgO-2Al2O3-5SiO2) １１０ ３×１０-6 サイアロン(Si-Al-O-N) ２７０ ３×１０-6 炭化珪素(SiC) ４００ ４×１０-6 窒化アルミニウム(AlN) ２８０ ４×１０-6 窒化珪素(Si3N4) １７０〜３００ ３×１０-6 窒化ホウ素(BN) ７００ ４×１０-6 SiC-ZrB2 ３６０ ５．３×１０-6 Al2O3-TiC ３９０〜４１０ ７．８×１０-6 Al2O3-TiO2 ２２０ ８．０×１０-6 AlN-BN １６０ ４．４×１０-6 Si3N4-BN １３０〜１６０ ２．５×１０-6 ＊従来の材料 次に、図面を使用しながら、実施例を挙げて本発明を更
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
【００１７】
実施例１ 図１（ａ）〜（ｈ）は、本発明のＸ線マスク構造体の製
造過程の断面図である。補強体１４は図１（ａ）（ｇ）
（ｈ）で示したように、ドーナツ状の形態をした枠体で
あり、本実施例では焼結ＳｉＣを用いている。図には丸
状のものを示したが、角状のものでも構わない。中央部
の窓もＸ線を透過する充分な領域を持っていれば、丸状
でも角状でも構わない。また、図には示していないが、
搬送やチャッキングに要する加工がなされている。補強
体１４に空気雰囲気中で１２００℃で５時間熱処理を行
い表面に酸化膜１５であるＳｉＣ酸化物を形成し、図１
（ｂ）とした、表面の数μｍは主にＳｉＯ2 である。Ｓ
ＩＭＳとＥＳＣＡを用いた組成分析結果を図２及び、図
３に示す。
造過程の断面図である。補強体１４は図１（ａ）（ｇ）
（ｈ）で示したように、ドーナツ状の形態をした枠体で
あり、本実施例では焼結ＳｉＣを用いている。図には丸
状のものを示したが、角状のものでも構わない。中央部
の窓もＸ線を透過する充分な領域を持っていれば、丸状
でも角状でも構わない。また、図には示していないが、
搬送やチャッキングに要する加工がなされている。補強
体１４に空気雰囲気中で１２００℃で５時間熱処理を行
い表面に酸化膜１５であるＳｉＣ酸化物を形成し、図１
（ｂ）とした、表面の数μｍは主にＳｉＯ2 である。Ｓ
ＩＭＳとＥＳＣＡを用いた組成分析結果を図２及び、図
３に示す。
【００１８】最終的に保持枠となるＳｉ基板１１を酸化
膜１５が形成された補強体１４を重ね合わせ１．０Ｋｇ
／ｃｍ2 に加圧し、５００℃に３時間熱処理を行い図１
（ｃ）とした。接合部は全面でも構わないが、補強体表
面のある部分、図１（ｇ）の１７ａ，１７ｂ，１７ｃや
図１（ｈ）の１７に示すように点や線による接合でも良
い。全面の接合に比べ、若干接合強度は弱くなるが、表
面粗さの加工精度が向上するので結果的にはほぼ変わら
ない。また、接着による歪は小さくできる。そのＳｉ基
板１１にＳｉＮ２．０μｍをＣＶＤにて成膜し、図１
（ｄ）とし、補強体１４を保護膜とし、Ｓｉ基板１１を
Ｘ線透過領域１６のみＫＯＨにてバックエッチングし、
図１（ｅ）とした。続いてスパッタリング装置にてＸ線
吸収体１３となるＷ０．８μｍを成膜し、ＥＢ描画装置
にて所望のパターンを形成し、ＳＦ6 ガスを用いたエッ
チングを行い、Ｘ線吸収体パターン１３を形成し、図１
（ｆ）とした。Ｓｉ基板１１のバックエッチングはＷの
成膜後でもパターン形成後でも構わない。また、ＷはＣ
ＶＤで作製したものや、ＷＮx などの化合物もよく用い
られる。
膜１５が形成された補強体１４を重ね合わせ１．０Ｋｇ
／ｃｍ2 に加圧し、５００℃に３時間熱処理を行い図１
（ｃ）とした。接合部は全面でも構わないが、補強体表
面のある部分、図１（ｇ）の１７ａ，１７ｂ，１７ｃや
図１（ｈ）の１７に示すように点や線による接合でも良
い。全面の接合に比べ、若干接合強度は弱くなるが、表
面粗さの加工精度が向上するので結果的にはほぼ変わら
ない。また、接着による歪は小さくできる。そのＳｉ基
板１１にＳｉＮ２．０μｍをＣＶＤにて成膜し、図１
（ｄ）とし、補強体１４を保護膜とし、Ｓｉ基板１１を
Ｘ線透過領域１６のみＫＯＨにてバックエッチングし、
図１（ｅ）とした。続いてスパッタリング装置にてＸ線
吸収体１３となるＷ０．８μｍを成膜し、ＥＢ描画装置
にて所望のパターンを形成し、ＳＦ6 ガスを用いたエッ
チングを行い、Ｘ線吸収体パターン１３を形成し、図１
（ｆ）とした。Ｓｉ基板１１のバックエッチングはＷの
成膜後でもパターン形成後でも構わない。また、ＷはＣ
ＶＤで作製したものや、ＷＮx などの化合物もよく用い
られる。
【００１９】上記のような補強体を用い接合を行うこと
により、チャッキング中や搬送中に歪を生じることな
く、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持っ
たＸ線マスクを作製することができた。
により、チャッキング中や搬送中に歪を生じることな
く、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持っ
たＸ線マスクを作製することができた。
【００２０】実施例２ 図４（ａ）〜（ｆ）は、本発明のＸ線マスク構造体の第
２の製造過程の断面図である。補強体２４は図４（ａ）
で示したように、中央部の窓を持つ枠体であり、本実施
例では焼結ＳｉＣを用いている。また、図には示してい
ないが、搬送やチャッキングに要する加工がなされてい
る。補強体２４に空気雰囲気中で１２００℃で５時間熱
処理を行い表面に酸化膜２５であるＳｉＣ酸化物を形成
し、図４（ｂ）とした。
２の製造過程の断面図である。補強体２４は図４（ａ）
で示したように、中央部の窓を持つ枠体であり、本実施
例では焼結ＳｉＣを用いている。また、図には示してい
ないが、搬送やチャッキングに要する加工がなされてい
る。補強体２４に空気雰囲気中で１２００℃で５時間熱
処理を行い表面に酸化膜２５であるＳｉＣ酸化物を形成
し、図４（ｂ）とした。
【００２１】最終的に保持枠２１となるＳｉ基板上に、
図中２２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＣ２．０μｍをＣＶＤにて成膜した。同時にＳｉ基板
２１の裏面にもＳｉＣが成膜され図４（ｃ）となった。
裏面のＳｉＣを保護膜として、Ｓｉ基板２１をＸ線透過
領域のみＫＯＨにてバックエッチングし、図４（ｄ）と
した。また、支持膜２１として、ＳｉＮなど補強体２４
と異なる材料を用いた場合、裏面のみにＳｉＣを成膜し
てもよい。Ｓｉ基板２１と酸化膜２５が形成された補強
体２４を重ね合わせ、３００℃で５時間特に圧力をかけ
ないで熱処理を行い図４（ｅ）とした。接合はＳｉＣの
間にＳｉＣx Ｏy が形成されたものとなり、より強固な
接合ができる。
図中２２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＣ２．０μｍをＣＶＤにて成膜した。同時にＳｉ基板
２１の裏面にもＳｉＣが成膜され図４（ｃ）となった。
裏面のＳｉＣを保護膜として、Ｓｉ基板２１をＸ線透過
領域のみＫＯＨにてバックエッチングし、図４（ｄ）と
した。また、支持膜２１として、ＳｉＮなど補強体２４
と異なる材料を用いた場合、裏面のみにＳｉＣを成膜し
てもよい。Ｓｉ基板２１と酸化膜２５が形成された補強
体２４を重ね合わせ、３００℃で５時間特に圧力をかけ
ないで熱処理を行い図４（ｅ）とした。接合はＳｉＣの
間にＳｉＣx Ｏy が形成されたものとなり、より強固な
接合ができる。
【００２２】めっき電極形成後、ＥＢレジストを用い、
ＥＢ描画装置にて所望のパターンを形成し、Ａｕめっき
を行い、レジストや電極を剥離し、ＡｕによるＸ線吸収
体２３を形成し、図４（ｆ）とした。
ＥＢ描画装置にて所望のパターンを形成し、Ａｕめっき
を行い、レジストや電極を剥離し、ＡｕによるＸ線吸収
体２３を形成し、図４（ｆ）とした。
【００２３】上記のような補強体を用い接合を行うこと
により、より強固な接合を行うことができ、チャッキン
グ中や搬送中に歪を生じることなく、経時的にも温湿度
にも安定な高度な位置精度を持ったＸ線マスクを作製す
ることができた。
により、より強固な接合を行うことができ、チャッキン
グ中や搬送中に歪を生じることなく、経時的にも温湿度
にも安定な高度な位置精度を持ったＸ線マスクを作製す
ることができた。
【００２４】実施例３ 図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明のＸ線マスク構造体の第
３の製造過程の断面図である。補強体３４は図５（ａ）
で示したように、中央部の窓を持つ枠体であり、本実施
例では線膨張率がＳｉに近いリバーセラム（商品名 Ｓ
ｉ3 Ｎ4 −ＢＮ系セラミックス 川鉄製）を用いた。図
には示していないが、搬送やチャッキングに要する加工
がなされている。補強体３４に酸素雰囲気中で１０００
℃で８時間熱処理を行い表面に酸化膜３５を形成し、図
５（ｂ）とした。
３の製造過程の断面図である。補強体３４は図５（ａ）
で示したように、中央部の窓を持つ枠体であり、本実施
例では線膨張率がＳｉに近いリバーセラム（商品名 Ｓ
ｉ3 Ｎ4 −ＢＮ系セラミックス 川鉄製）を用いた。図
には示していないが、搬送やチャッキングに要する加工
がなされている。補強体３４に酸素雰囲気中で１０００
℃で８時間熱処理を行い表面に酸化膜３５を形成し、図
５（ｂ）とした。
【００２５】最終的に保持枠３１となるＳｉ基板上に、
図中３２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＮをＣＶＤにて２．０μｍ成膜し、図５（ｃ）とし
た。この時、スパッタなどで支持膜を形成した場合、Ｓ
ｉ基板３１の片面のみに支持膜３２が形成されることと
なる。続いてスパッタ装置にてＸ線吸収体となるＴａ３
３’を０．８μｍ成膜し、Ｓｉ基板をＸ線透過領域のみ
ＫＯＨにてバックエッチングし、図５（ｄ）とした。Ｓ
ｉ基板のバックエッチングはＴａ３３’の成膜前でも、
また、図５（ｅ）の補強体３４との接合後でも、図５
（ｆ）のＸ線吸収体３３を形成後でも構わない。また、
図５（ｄ）の時点でバックエッチする場合、バックエッ
チの保護膜として支持膜と同時に形成されたＳｉＮを用
いてもよいし、別にＳｉＯ2 や有機系の膜を形成しても
良い。その際、保護膜が支持枠と補強体の接合強度を弱
める材料の場合は剥離される。上記のようなＣＶＤによ
るＳｉＮとリバーセラムを用いた場合、主たる材料が同
じなので、接合はより強固となる。図５（ｅ）または
（ｆ）の時点でバックエッチングする場合は、Ｓｉ基板
３１と補強体３４が直接接合され、補強体３４をバック
エッチングの保護膜としても良い。
図中３２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＮをＣＶＤにて２．０μｍ成膜し、図５（ｃ）とし
た。この時、スパッタなどで支持膜を形成した場合、Ｓ
ｉ基板３１の片面のみに支持膜３２が形成されることと
なる。続いてスパッタ装置にてＸ線吸収体となるＴａ３
３’を０．８μｍ成膜し、Ｓｉ基板をＸ線透過領域のみ
ＫＯＨにてバックエッチングし、図５（ｄ）とした。Ｓ
ｉ基板のバックエッチングはＴａ３３’の成膜前でも、
また、図５（ｅ）の補強体３４との接合後でも、図５
（ｆ）のＸ線吸収体３３を形成後でも構わない。また、
図５（ｄ）の時点でバックエッチする場合、バックエッ
チの保護膜として支持膜と同時に形成されたＳｉＮを用
いてもよいし、別にＳｉＯ2 や有機系の膜を形成しても
良い。その際、保護膜が支持枠と補強体の接合強度を弱
める材料の場合は剥離される。上記のようなＣＶＤによ
るＳｉＮとリバーセラムを用いた場合、主たる材料が同
じなので、接合はより強固となる。図５（ｅ）または
（ｆ）の時点でバックエッチングする場合は、Ｓｉ基板
３１と補強体３４が直接接合され、補強体３４をバック
エッチングの保護膜としても良い。
【００２６】Ｓｉ基板３１と酸化膜３５が形成された補
強体３４を重ね合わせ５．０Ｋｇ／ｃｍ2 に加圧し、４
００℃に８時間熱処理を行い図５（ｅ）とした。Ｘ線吸
収体形成前に接合を行う場合あまり大きな影響はない
が、Ｓｉ基板３１と補強体３４との線膨張率が近い方
が、接合時に生じる歪は小さくなる。
強体３４を重ね合わせ５．０Ｋｇ／ｃｍ2 に加圧し、４
００℃に８時間熱処理を行い図５（ｅ）とした。Ｘ線吸
収体形成前に接合を行う場合あまり大きな影響はない
が、Ｓｉ基板３１と補強体３４との線膨張率が近い方
が、接合時に生じる歪は小さくなる。
【００２７】その後ＥＢ描画にて所望のパターンを形成
し、ＣＢｒＦ3 ガスを用いてＴａ３３’をエッチング
し、Ｘ線吸収体３３とし、図５（ｆ）とした。今回は接
合後にＴａのパターニングを行ったが、接合前でも良
い。その場合は、Ｔａのアニールを接合温度以上で行
い、接合により吸収体の応力変化が生じないようにし、
位置精度を確保する。
し、ＣＢｒＦ3 ガスを用いてＴａ３３’をエッチング
し、Ｘ線吸収体３３とし、図５（ｆ）とした。今回は接
合後にＴａのパターニングを行ったが、接合前でも良
い。その場合は、Ｔａのアニールを接合温度以上で行
い、接合により吸収体の応力変化が生じないようにし、
位置精度を確保する。
【００２８】上記のような補強体を用い接合を行うこと
により、チャッキング中や搬送中に歪を生じることな
く、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持っ
たＸ線マスクを作製することができた。
により、チャッキング中や搬送中に歪を生じることな
く、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持っ
たＸ線マスクを作製することができた。
【００２９】実施例４ 図６（ａ）〜（ｇ）は、本発明のＸ線マスク構造体の第
４の製造過程の断面図である。
４の製造過程の断面図である。
【００３０】補強体４４は図６（ａ）で示したように、
中央部の窓を持つ枠体であり、本実施例では線膨張率が
Ｓｉに近いサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）を用い
た。その表面にＣＶＤでＳｉＣ膜４５を成膜し、図６
（ｂ）とした。図には示していないが、搬送やチャッキ
ングに要する加工がなされている。ＳｉＣ膜４５が形成
された補強体４４に酸素雰囲気中で１２００℃で３時間
熱処理を行い表面に酸化膜４５’となるＳｉＣ酸化物を
形成し、図６（ｃ）とした。
中央部の窓を持つ枠体であり、本実施例では線膨張率が
Ｓｉに近いサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）を用い
た。その表面にＣＶＤでＳｉＣ膜４５を成膜し、図６
（ｂ）とした。図には示していないが、搬送やチャッキ
ングに要する加工がなされている。ＳｉＣ膜４５が形成
された補強体４４に酸素雰囲気中で１２００℃で３時間
熱処理を行い表面に酸化膜４５’となるＳｉＣ酸化物を
形成し、図６（ｃ）とした。
【００３１】最終的に保持枠４１となるＳｉ基板上に、
図中４２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＣをＣＶＤにて２．０μｍ成膜し、図６（ｄ）とし
た。スパッタなどで支持膜を形成した場合は、裏面には
形成されない。Ｓｉ基板４１とＳｉＣ膜４５とその酸化
膜４５’が形成された補強体４４を重ね合わせ２．０Ｋ
ｇ／ｃｍ2 に加圧し、８００℃に２時間熱処理を行い図
６（ｅ）とした。Ｘ線吸収体形成前に接合を行う場合あ
まり大きな影響はないが、Ｓｉ基板４１と補強体４４と
の線膨張率が近い方が、接合時に生じる歪は小さくな
る。支持膜４２をＣＶＤで形成した場合は、接合がＳｉ
Ｃの間にＳｉＣx Ｏy が形成されたものとなり、より強
固な接合ができる。
図中４２であるＸ線透過膜となる支持膜として用いるＳ
ｉＣをＣＶＤにて２．０μｍ成膜し、図６（ｄ）とし
た。スパッタなどで支持膜を形成した場合は、裏面には
形成されない。Ｓｉ基板４１とＳｉＣ膜４５とその酸化
膜４５’が形成された補強体４４を重ね合わせ２．０Ｋ
ｇ／ｃｍ2 に加圧し、８００℃に２時間熱処理を行い図
６（ｅ）とした。Ｘ線吸収体形成前に接合を行う場合あ
まり大きな影響はないが、Ｓｉ基板４１と補強体４４と
の線膨張率が近い方が、接合時に生じる歪は小さくな
る。支持膜４２をＣＶＤで形成した場合は、接合がＳｉ
Ｃの間にＳｉＣx Ｏy が形成されたものとなり、より強
固な接合ができる。
【００３２】Ｓｉ基板４１をＸ線透過領域のみＫＯＨに
てバックエッチングし、図６（ｆ）とした。メッキ電極
形成後、ＥＢレジストを用い、ＥＢ描画装置にて所望の
パターンを形成し、Ａｕメッキを行い、レジストや電極
を剥離し、ＡｕによるＸ線吸収体４３を形成し、図６
（ｇ）とした。
てバックエッチングし、図６（ｆ）とした。メッキ電極
形成後、ＥＢレジストを用い、ＥＢ描画装置にて所望の
パターンを形成し、Ａｕメッキを行い、レジストや電極
を剥離し、ＡｕによるＸ線吸収体４３を形成し、図６
（ｇ）とした。
【００３３】上記のような補強体を用い接合を行うこと
により、より強固な接合を行うことができ、チャッキン
グ中や搬送中に歪を生じることなく、経時的にも温湿度
にも安定な高度な位置精度を持ったＸ線マスクを作製す
ることができた。
により、より強固な接合を行うことができ、チャッキン
グ中や搬送中に歪を生じることなく、経時的にも温湿度
にも安定な高度な位置精度を持ったＸ線マスクを作製す
ることができた。
【００３４】実施例５ 次に上記説明したマスクを用いた微小デバイス（半導体
装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用の
Ｘ線露光装置の実施例を説明する。図７は本実施例のＸ
線露光装置の構成を示す図である。図中、ＳＲ放射源Ａ
から放射されたシートビーム形状のシンクロトロン放射
光Ｂを、凸面ミラーＣによって放射光軌道面に対して垂
直な方向に拡大する。凸面ミラーＣで反射拡大した放射
光は、シャッタＤによって照射領域内での露光量が均一
となるように調整し、シャッタＤを経た放射光はＸ線マ
スクＥに導かれる。Ｘ線マスクＥは上記説明したいずれ
か実施例１〜４で説明した方法によって製造されたもの
である。Ｘ線マスクＥに形成されている露光パターン
を、ステップ＆リピート方式やスキャニング方式などに
よってウェハＦ上に露光転写する。
装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用の
Ｘ線露光装置の実施例を説明する。図７は本実施例のＸ
線露光装置の構成を示す図である。図中、ＳＲ放射源Ａ
から放射されたシートビーム形状のシンクロトロン放射
光Ｂを、凸面ミラーＣによって放射光軌道面に対して垂
直な方向に拡大する。凸面ミラーＣで反射拡大した放射
光は、シャッタＤによって照射領域内での露光量が均一
となるように調整し、シャッタＤを経た放射光はＸ線マ
スクＥに導かれる。Ｘ線マスクＥは上記説明したいずれ
か実施例１〜４で説明した方法によって製造されたもの
である。Ｘ線マスクＥに形成されている露光パターン
を、ステップ＆リピート方式やスキャニング方式などに
よってウェハＦ上に露光転写する。
【００３５】実施例６ 次に、上記説明したＸ線マスク構造体を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図８は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液
晶パネルやＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したＸ線マスク
構造体を実施例１〜４の方法を用いて製造する。一方、
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したＸ線マスク構造体とウェ
ハを用いて、Ｘ線リソグラフィ技術によってウェハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４によって製造されたウェハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）
ではステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。図９は上記ウェハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウェハにイオンを打込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウェハに 光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光方法によっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステ
ップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上
に多重に回路パターンが形成される。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図８は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液
晶パネルやＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したＸ線マスク
構造体を実施例１〜４の方法を用いて製造する。一方、
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したＸ線マスク構造体とウェ
ハを用いて、Ｘ線リソグラフィ技術によってウェハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４によって製造されたウェハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）
ではステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。図９は上記ウェハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウェハにイオンを打込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウェハに 光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光方法によっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステ
ップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上
に多重に回路パターンが形成される。
【００３６】本発明の製造方法を用いれば、従来は製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造すること
ができる。更に、これらのＸ線マスク構造体を用いてＸ
線露光により作成されたデバイスは、デバイス設計図に
対して忠実なパターンが作成可能であるため、Ｘ線リソ
グラフィーの特徴を生かした高集積化ができると共に、
良好なデバイス特性を有する。
が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造すること
ができる。更に、これらのＸ線マスク構造体を用いてＸ
線露光により作成されたデバイスは、デバイス設計図に
対して忠実なパターンが作成可能であるため、Ｘ線リソ
グラフィーの特徴を生かした高集積化ができると共に、
良好なデバイス特性を有する。
【００３７】
【発明の効果】以上の様に、Ｘ線吸収体と該吸収体を支
持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を
補強する補強体からなるＸ線マスク構造体において、前
記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化
膜を介して前記保持枠と接合することにより、露光装置
内において、チャッキング及び、搬送時に外力が加わっ
た場合に歪を生じることなく、経時的にも温湿度にも安
定な高度な位置精度を持ったＸ線マスク構造体及びその
製造方法を提供することができた。
持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を
補強する補強体からなるＸ線マスク構造体において、前
記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化
膜を介して前記保持枠と接合することにより、露光装置
内において、チャッキング及び、搬送時に外力が加わっ
た場合に歪を生じることなく、経時的にも温湿度にも安
定な高度な位置精度を持ったＸ線マスク構造体及びその
製造方法を提供することができた。
【００３８】更に、本発明のＸ線マスク構造体を用いる
Ｘ線露光方法及びＸ線露光装置により被転写体にＸ線吸
収体パターンを転写することによって、高精度Ｘ線露光
方法及びＸ線露光装置を提供することができた。また、
本発明のＸ線マスク構造体によって加工基板上にＸ線吸
収体パターンを転写し、加工、形成して作製することに
より、高性能半導体デバイス及び半導体デバイスの製造
方法を提供することができた。
Ｘ線露光方法及びＸ線露光装置により被転写体にＸ線吸
収体パターンを転写することによって、高精度Ｘ線露光
方法及びＸ線露光装置を提供することができた。また、
本発明のＸ線マスク構造体によって加工基板上にＸ線吸
収体パターンを転写し、加工、形成して作製することに
より、高性能半導体デバイス及び半導体デバイスの製造
方法を提供することができた。
【図１】本発明Ｘ線マスク構造体の製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明Ｘ線マスク構造体の補強体のＳＩＭＳに
よる分析結果である。
よる分析結果である。
【図３】本発明Ｘ線マスク構造体の補強体のＥＳＣＡに
よる分析結果である。
よる分析結果である。
【図４】本発明Ｘ線マスク構造体の別の態様の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明Ｘ線マスク構造体の別の態様の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明Ｘ線マスク構造体の別の態様の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明Ｘ線マスク構造体を用いるＸ線露光装置
の概略図である。
の概略図である。
【図８】本発明Ｘ線マスク構造体を用いるＸ線露光装置
で作製する半導体デバイスの製造フローである。
で作製する半導体デバイスの製造フローである。
【図９】本発明Ｘ線マスク構造体を用いるＸ線露光装置
で作製する半導体デバイスの製造フローの中のウェハー
プロセスの詳細なフローである。
で作製する半導体デバイスの製造フローの中のウェハー
プロセスの詳細なフローである。
【図１０】従来のＸ線マスク構造体の断面図である。
１，１１，２１，３１，４１ 保持枠 ２，１２，２２，３２，４２ 支持膜（Ｘ線透過膜） ３，１３，２３，３３，４３ Ｘ線吸収体 ４，１４，２４，３４，４４ 補強体 ５ 接着剤 １５，２５，３５，４５’ 酸化膜 ４５ ＳｉＣ膜 １６ Ｘ線透過領域 １７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 接合部 Ａ ＳＲ放射源 Ｂ シンクロトロン放射光 Ｃ 凸面ミラー Ｄ シャッター Ｅ Ｘ線マスク Ｆ ウェハー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｘ線吸収体と該吸収体を支持する支持
膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を補強する補
強体からなるＸ線マスク構造体の製造方法において、前
記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化
膜を介して前記保持枠と接合することを特徴とするＸ線
マスク製造方法。 - 【請求項２】 Ｘ線吸収体と該吸収体を支持する支持
膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を補強する補
強体からなるＸ線マスク構造体において、前記補強体が
セラミックスからなり、セラミックスの酸化膜を介して
前記保持枠と接合していることを特徴とするＸ線マスク
構造体。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体にお
いて、前記補強体のヤング率が１００ＧＰａ以上、線膨
張率が１×１０-5Ｋ-1以下のセラミックスであるＸ線マ
スク構造体。 - 【請求項４】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体にお
いて、前記補強体がＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 ＳｉＣ−ＺｒＢ2、Ａｌ2Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 、ＡｌＮ−ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4
−ＢＮ、サイアロン、又はコージュライトのいずれかの
セラミックスであるＸ線マスク構造体。 - 【請求項５】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体を用
い、Ｘ線露光により被転写体にＸ線吸収体パターンを転
写することを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項６】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体を用
い、Ｘ線露光により被転写体にＸ線吸収体パターンを転
写することを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項７】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体を用
い、Ｘ線露光により加工基板上にＸ線吸収体パターンを
転写し、これを加工、形成して作製されたことを特徴と
する半導体デバイス。 - 【請求項８】 請求項２に記載のＸ線マスク構造体を用
い、Ｘ線露光により加工基板上にＸ線吸収体パターンを
転写し、これを加工、形成して作製することを特徴とす
る半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4621994A JP3133602B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
| US08/404,959 US5589304A (en) | 1994-03-16 | 1995-03-16 | Photomask comprising a holding frame and reinforcing member with a ceramic oxide bond |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4621994A JP3133602B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254552A JPH07254552A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3133602B2 true JP3133602B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=12741004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4621994A Expired - Fee Related JP3133602B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5589304A (ja) |
| JP (1) | JP3133602B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992616A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-04-04 | Canon Inc | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
| JPH0992602A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Canon Inc | マスク構造体及びその製造方法 |
| JP2001244177A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 |
| JP2001277251A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-09 | Bridgestone Corp | 成形金型用薄膜及び金型 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG43949A1 (en) * | 1987-09-30 | 1997-11-14 | Canon Kk | X-ray mask support and process for preparation thereof |
| JP2655543B2 (ja) * | 1988-12-16 | 1997-09-24 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 |
| JPH0466096A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | San Ei Chem Ind Ltd | 水易溶性フラボノール配糖体の製造法 |
| JP2634714B2 (ja) * | 1991-08-05 | 1997-07-30 | 信越化学工業株式会社 | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP4621994A patent/JP3133602B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-16 US US08/404,959 patent/US5589304A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07254552A (ja) | 1995-10-03 |
| US5589304A (en) | 1996-12-31 |
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