JP3129170B2 - Method of manufacturing rectangular thin film chip resistor - Google Patents
Method of manufacturing rectangular thin film chip resistorInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に電子回路
に用いられる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a rectangular thin film chip resistor generally used for an electronic circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器のダウンサイジング化に
伴い、その回路基板の実装密度を高めるため、搭載され
る電子部品に対する小形化および面実装化への要求が高
まっている。角形チップ抵抗器に対しても、小形化、高
精度化(抵抗値許容差、抵抗温度特性)、高電力化への
要求が高まっており、その流れの一つとして、高電力タ
イプかつ高精度な角形薄膜チップ抵抗器への要求が高ま
っている。2. Description of the Related Art In recent years, with the downsizing of electronic devices, there has been an increasing demand for smaller and surface-mounted electronic components in order to increase the mounting density of circuit boards. The demand for smaller, higher precision (resistance tolerance, resistance temperature characteristics) and higher power is also increasing for square chip resistors. One of the trends is the high power type and high precision. There is a growing demand for thin rectangular chip resistors.
【0003】従来例による角形薄膜チップ抵抗器の構造
を図3の断面図、およびその製造方法を図4の工程図に
示す。FIG. 3 is a sectional view showing the structure of a conventional rectangular thin film chip resistor, and FIG.
【0004】図3により製品の構造を説明する。方形の
96%アルミナ基板11の表面上に形成したAuによる
一対の薄膜上面電極層12と、裏面上に形成したAuに
よる一対の薄膜裏面電極層13と、この一対の薄膜上面
電極層12を覆い、かつ薄膜上面電極層12間に形成し
たNi−Cr合金による薄膜抵抗体層14と、この薄膜
抵抗体層14を完全に覆うエポキシ系樹脂保護膜層15
と、一対の薄膜上面電極層12上に露出した薄膜抵抗体
層14を覆いかつ前記樹脂保護膜層15の両端の一部に
重なるように形成した一対の導体樹脂上面電極層16
と、前記導体樹脂上面電極層16と薄膜裏面電極層13
を接続するように96%アルミナ基板11の両端部にそ
れぞれ形成した一対の薄膜端面電極層17と、露出した
電極部に形成したニッケルおよびはんだによる電極めっ
き層18とから構成される。The structure of a product will be described with reference to FIG. A pair of Au thin film upper electrode layers 12 formed on the surface of a square 96% alumina substrate 11, a pair of Au thin film rear electrode layers 13 formed on the back surface, and the pair of thin film upper electrode layers 12 are covered. And a thin-film resistor layer 14 of Ni-Cr alloy formed between the thin-film upper electrode layers 12, and an epoxy-based resin protective film layer 15 completely covering the thin-film resistor layer 14.
And a pair of conductive resin upper electrode layers 16 formed so as to cover the thin film resistor layers 14 exposed on the pair of thin film upper electrode layers 12 and partially overlap both ends of the resin protective film layer 15.
And the conductive resin upper electrode layer 16 and the thin film rear electrode layer 13
And a pair of thin-film end face electrode layers 17 formed on both ends of the 96% alumina substrate 11 respectively, and an electrode plating layer 18 of nickel and solder formed on exposed electrode portions.
【0005】以下に、図4により従来の角形薄膜チップ
抵抗器の製造工程を説明する。まず、96%アルミナか
らなる絶縁基板11を受け入れる。次に、96%アルミ
ナ基板11の表面および裏面にAuを主成分とする金属
有機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷・乾燥し
た後、金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛ば
し、金属成分だけをアルミナ基板11上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、薄膜上面電
極層12および薄膜裏面電極層13を形成する工程を行
う。A process for manufacturing a conventional rectangular thin-film chip resistor will be described below with reference to FIG. First, the insulating substrate 11 made of 96% alumina is received. Next, after an electrode paste composed of a metal organic material containing Au as a main component is screen-printed and dried on the front and back surfaces of the 96% alumina substrate 11, only the organic components of the metal organic material electrode paste are blown off, and only the metal components are removed from the alumina substrate. In order to bake on the thin film 11, a process of firing by a belt-type continuous firing furnace to form a thin film upper electrode layer 12 and a thin film rear electrode layer 13 is performed.
【0006】次に、絶縁基板11の表面上全体にNi−
Cr等の薄膜抵抗体層14を形成するスパッタ工程を行
い、前記薄膜抵抗体層を所定の抵抗体パターン14aに
形成するフォトリソプロセス工程(レジスト塗布・乾
燥、露光、現像、エッチング、レジスト剥離)を行い、
抵抗体パターン14aを安定な膜にするために、350
〜400℃雰囲気での熱処理工程を行う。[0006] Next, Ni-
A photolithography process (resist coating / drying, exposure, development, etching, resist stripping) for performing a sputtering process for forming a thin film resistor layer 14 of Cr or the like and forming the thin film resistor layer in a predetermined resistor pattern 14a is performed. Do
In order to make the resistor pattern 14a a stable film, 350
A heat treatment process is performed in an atmosphere of about 400 ° C.
【0007】その後、抵抗体パターンの抵抗値を所定の
値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値
修正工程を行う。After that, a resistance value correcting step is performed by laser trimming to correct the resistance value of the resistor pattern to a predetermined value.
【0008】次に、抵抗値修正済み抵抗体パターン14
bを保護するために、熱硬化性の樹脂による樹脂保護膜
層15の形成工程を行う。次に、薄膜上面電極層12上
の樹脂保護膜層15に覆われていない抵抗値修正済み抵
抗体パターン14bを覆い、かつ樹脂保護膜層15の両
端の一部に重なるように、熱硬化性の導電樹脂による導
体樹脂上面電極層16の形成工程を行う。Next, the resistance value-corrected resistor pattern 14
In order to protect b, a step of forming a resin protective film layer 15 using a thermosetting resin is performed. Next, a thermosetting resin is applied so as to cover the resistance-corrected resistor pattern 14b which is not covered with the resin protective film layer 15 on the thin film upper electrode layer 12 and to partially overlap both ends of the resin protective film layer 15. The step of forming the conductive resin upper electrode layer 16 with the conductive resin is performed.
【0009】次に、絶縁基板11の端面にスパッタを用
い、薄膜端面電極層17を形成する端面電極形成工程を
行う。最後に、はんだ付け時の信頼性の確保のため露出
した電極部に電極めっき層18を形成する電極めっき工
程を行い、角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。Next, an end face electrode forming step of forming a thin film end face electrode layer 17 is performed by using sputtering on the end face of the insulating substrate 11. Finally, an electrode plating step of forming an electrode plating layer 18 on the exposed electrode portion to ensure reliability at the time of soldering was performed to form a rectangular thin film chip resistor.
【0010】また、電極材料にCuを使用し、スパッタ
リングにより金属薄膜層を形成した後、フォトリソプロ
セスによりパターン形成して、上記従来例と同様に角形
薄膜チップ抵抗器を形成する方法もあるが、非常に工程
が煩雑になり、かつコスト高であった。There is also a method of forming a metal thin film layer by sputtering using Cu as an electrode material, forming a metal thin film layer by sputtering, and then forming a pattern by a photolithography process to form a rectangular thin film chip resistor in the same manner as in the above conventional example. The process became very complicated and the cost was high.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜チップ抵抗器の製造方法では、下記のような課題が
あった。However, the conventional method of manufacturing a thin-film chip resistor has the following problems.
【0012】(1)上面電極層を金属薄膜により形成し
ており、抵抗値修正の際に抵抗値測定用のトリミングプ
ローブを上面電極層に接触させても、絶縁基板の表面粗
さの影響を受け接触が正確に取れずに接触抵抗が発生す
ることが避けられない。したがって、高精度品である抵
抗値許容差±0.1%を必要とする100Ω以下の抵抗
値の場合に、その影響が顕著に現れ、所望の抵抗値が得
られず、抵抗値歩留が悪かった。(1) The upper electrode layer is formed of a metal thin film, and even if a trimming probe for measuring the resistance value is brought into contact with the upper electrode layer when correcting the resistance value, the influence of the surface roughness of the insulating substrate is not affected. It is unavoidable that contact resistance is generated due to insufficient receiving contact. Therefore, in the case of a resistance value of 100Ω or less, which requires a resistance tolerance of ± 0.1%, which is a high-precision product, the effect is remarkable, a desired resistance value cannot be obtained, and the resistance value yield is reduced. It was bad.
【0013】(2)薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パター
ンに形成するための工法として、フォトリソプロセスを
用いているために、工程が煩雑になり工数を悪化させる
ためにコスト高となるばかりでなく、工程日数がかかる
ために各工程でロスタイムが生じていた。(2) Since a photolithography process is used as a method for forming a thin film resistor layer into a desired resistor pattern, the process becomes complicated and the number of steps is deteriorated, resulting in an increase in cost. In this case, the number of process days required took a long time in each process.
【0014】(3)上記のような従来の製造方法を用い
て、大形の絶縁基板に複数の抵抗体素子を形成した後
に、個片に分離して角形薄膜チップ抵抗器を形成した場
合、高電力タイプのように個片のチップサイズが大きく
なると、1枚の絶縁基板からの取り数が少なくなる(製
造設備を共有化しているために絶縁基板の大きさを一定
にすることが一般的である)ため、チップサイズが大形
化するに伴い、製造原価が大幅に悪化することになって
いた。(3) When a plurality of resistor elements are formed on a large-sized insulating substrate by using the conventional manufacturing method as described above, and then separated into individual pieces to form a rectangular thin-film chip resistor, When the chip size of an individual chip increases as in the case of a high power type, the number of pieces to be taken from one insulating substrate decreases (it is common to keep the size of the insulating substrate constant because the manufacturing equipment is shared). Therefore, as the chip size becomes larger, the manufacturing cost is greatly reduced.
【0015】本発明は上記課題を解決するために、低抵
抗を有し、かつ抵抗値精度の良い角形薄膜チップ抵抗器
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a rectangular thin-film chip resistor having low resistance and high resistance value accuracy in order to solve the above-mentioned problems.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、方形の
絶縁基板の主面上の側部に一対の金属薄膜上面電極層を
形成する工程と、この一対の金属薄膜上面電極層と少な
くとも一部が重なるように前記絶縁基板の主面上に金属
薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記一対の金属薄膜上
面電極層の上面および/または金属薄膜抵抗体層を介し
て前記一対の金属薄膜上面電極層の上面に導体樹脂上面
電極層を形成した後前記金属薄膜抵抗体層の抵抗値を修
正する工程とを備えたものである。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a rectangular thin-film chip resistor according to the present invention comprises the steps of:
A pair of metal thin film upper electrode layers is formed on the side of the main surface of the insulating substrate.
Forming, and forming the pair of metal thin film upper electrode layers
Metal on the main surface of the insulating substrate so that at least a part
Forming a thin film resistor layer; and forming the thin film resistor layer on the pair of metal thin films.
Via the upper surface of the planar electrode layer and / or the metal thin film resistor layer
The conductive resin upper surface on the upper surface of the pair of metal thin film upper electrode layers.
After forming the electrode layer, the resistance value of the metal thin film resistor layer is corrected.
And a correcting step.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明は
方形の絶縁基板の主面上の側部に一対の金属薄膜上面電
極層を形成する工程と、この一対の金属薄膜上面電極層
と少なくとも一部が重なるように前記絶縁基板の主面上
に金属薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記一対の金属
薄膜上面電極層の上面および/または金属薄膜抵抗体層
を介して前記一対の金属薄膜上面電極層の上面に導体樹
脂上面電極層を形成した後前記金属薄膜抵抗体層の抵抗
値を修正する工程と、少なくとも前記金属薄膜抵抗体層
を覆うように樹脂保護膜層を形成する工程とを備えたも
のである。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention described in claim 1 of the present invention
A pair of metal thin film top electrodes are placed on the side of the main surface of a rectangular insulating substrate.
Forming a pole layer, and a pair of metal thin film top electrode layers
And at least partially overlap the main surface of the insulating substrate
Forming a metal thin-film resistor layer on the
Upper surface of thin film upper electrode layer and / or metal thin film resistor layer
A conductive tree on the upper surface of the pair of metal thin film upper electrode layers through
After forming the top electrode layer, the resistance of the metal thin film resistor layer
Modifying the value, at least the metal thin film resistor layer
Forming a resin protective film layer so as to cover the
It is.
【0018】以上の請求項にすることにより、以下の作
用を有するものである。The above-described claims have the following functions.
【0019】(1)抵抗値修正前に上面電極層を厚膜の
導体樹脂により形成することにより、抵抗値修正の際に
抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触
させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を
正確に取れることから、接触抵抗の影響を避けることが
できる。(1) By forming the upper electrode layer with a thick conductive resin before correcting the resistance value, even if the trimming probe for measuring the resistance value is brought into contact with the upper electrode layer during the correction of the resistance value, the insulation is maintained. Since the contact can be accurately obtained without being affected by the surface roughness of the substrate, the influence of the contact resistance can be avoided.
【0020】(2)薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パター
ンに形成するための工法として、工程が煩雑なフォトリ
ソプロセスを用いず、マスクを使用して簡略な工法を使
用するために、特に高電力タイプのような個片のチップ
サイズが大きくなる場合でも、安価な製品を製造するこ
とができる。(2) As a method for forming a thin film resistor layer into a desired resistor pattern, a simple method using a mask is used instead of a photolithography process, which is a complicated process. Even when the chip size of the individual pieces becomes large, such as the power type, an inexpensive product can be manufactured.
【0021】以下、本発明の一実施の形態における角形
薄膜チップ抵抗器およびその製造方法について、図面を
用いて説明する。Hereinafter, a rectangular thin film chip resistor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0022】図1は本発明の一実施の形態における角形
薄膜チップ抵抗器の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a rectangular thin film chip resistor according to an embodiment of the present invention.
【0023】図1において、2は方形の96%アルミナ
基板1の主面上の側部に形成したAuによる一対の薄膜
上面電極層である。3は96%アルミナ基板1の裏面上
に形成したAg系により設けられた一対の厚膜裏面電極
層である。4は一対の薄膜上面電極層2の一部と重なる
とともに、薄膜上面電極層2間に設けられたNi−Cr
合金による薄膜抵抗体層である。5は一対の薄膜上面電
極層2上の薄膜抵抗体層4を覆うように設けられた一対
の導体樹脂上面電極層である。6は少なくとも薄膜抵抗
体層4を覆いかつ導体樹脂上面電極層5の一部に重なる
ように設けられたエポキシ系の樹脂保護膜層である。7
は導体樹脂上面電極層5と厚膜裏面電極層3を接続する
ように96%アルミナ基板1の両端部にそれぞれ設けら
れた一対の薄膜端面電極層である。8は薄膜端面電極層
7を覆うように設けられたニッケルおよびはんだによる
電極めっき層である。In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a pair of thin film upper electrode layers made of Au and formed on the side of the main surface of a square 96% alumina substrate 1. Reference numeral 3 denotes a pair of thick-film back-surface electrode layers provided on the back surface of the 96% alumina substrate 1 and provided by Ag. Reference numeral 4 denotes a Ni—Cr layer which overlaps a part of the pair of thin film upper electrode layers 2 and is provided between the thin film upper electrode layers 2.
This is a thin film resistor layer made of an alloy. Reference numeral 5 denotes a pair of conductive resin upper electrode layers provided so as to cover the thin film resistor layers 4 on the pair of thin film upper electrode layers 2. Reference numeral 6 denotes an epoxy-based resin protective film layer provided so as to cover at least the thin-film resistor layer 4 and partially overlap the conductive resin upper electrode layer 5. 7
Are a pair of thin-film end surface electrode layers provided on both ends of the 96% alumina substrate 1 so as to connect the conductive resin upper surface electrode layer 5 and the thick film rear surface electrode layer 3, respectively. Reference numeral 8 denotes an electrode plating layer made of nickel and solder provided so as to cover the thin-film end face electrode layer 7.
【0024】以上のように構成された角形薄膜チップ抵
抗器について、以下にその製造方法について説明する。
図2は、本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ
抵抗器の製造方法を示す工程図である。A method of manufacturing the rectangular thin-film chip resistor having the above-described configuration will be described below.
FIG. 2 is a process chart showing a method of manufacturing a rectangular thin film chip resistor according to one embodiment of the present invention.
【0025】まず、耐熱性および絶縁性に優れた96%
アルミナ基板1を準備する工程Aを行う。このアルミナ
基板1には、後の分割工程で個片に分離するための分割
溝が縦方向および横方向に一定の間隔で形成されてお
り、1枚のアルミナ基板1から同時に複数の角形薄膜チ
ップ抵抗器が形成できるようにしている。First, 96% excellent in heat resistance and insulation properties
Step A of preparing the alumina substrate 1 is performed. On the alumina substrate 1, division grooves for separating into individual pieces in a later division step are formed at regular intervals in a vertical direction and a horizontal direction, and a plurality of rectangular thin film chips are simultaneously formed from one alumina substrate 1. A resistor can be formed.
【0026】次に、96%アルミナ基板1の裏面にAg
を主成分とする厚膜電極ペーストをスクリーン印刷・乾
燥した後、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度
で、ピーク時間6分、IN−OUT時間45分のプロフ
ァイルによって焼成し、厚膜裏面電極層3を形成する。Next, on the back surface of the 96% alumina substrate 1, Ag
Is screen-printed and dried in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of 850 ° C. with a profile of a peak time of 6 minutes and an IN-OUT time of 45 minutes to form a thick film back electrode. The layer 3 is formed.
【0027】次に、96%アルミナ基板1の主面上の側
部にAuを主成分とする金属有機物からなる電極ペース
トをスクリーン印刷・乾燥した後、有機成分を飛ばし、
金属成分だけを96%アルミナ基板1上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、
ピーク時間6分、IN−OUT時間45分のプロファイ
ルによって焼成し、薄膜上面電極層2を形成する工程B
を行う。Next, the side on the main surface of the 96% alumina substrate 1
After the electrode paste consisting of metal-organic material mainly composed of Au was screen printed and dried on a part, skipping an organic component,
In order to bake only the metal component on the 96% alumina substrate 1, at a temperature of 850 ° C. by a belt type continuous firing furnace,
Step B of baking with a profile of a peak time of 6 minutes and an IN-OUT time of 45 minutes to form a thin film upper electrode layer 2
I do.
【0028】次に、96%アルミナ基板1上にNi−C
rの薄膜抵抗体層4を形成するスパッタ工程Cを行う。
この際に、アルミナ基板1の分割溝で区画された素子ご
とに呼応して一定の間隔で縦方向および横方向に所定の
抵抗体パターン4aを配置したメタルマスクをアルミナ
基板に位置決め固定する。位置決めは、先に形成した薄
膜上面電極層2間に抵抗体パターン4aを配置する。そ
の後、金属薄膜材料Ni−Crをスパッタリングし、そ
の後マスク除去して所定の抵抗体パターン4aを有する
薄膜抵抗体層4を形成する。この際、抵抗体パターン4
a以外はマスクにより隠されているため、分割溝へは金
属薄膜材料の侵入はない。Next, Ni-C is placed on the 96% alumina substrate 1.
A sputtering process C for forming a thin film resistor layer 4 of r is performed.
At this time, a metal mask in which predetermined resistor patterns 4a are arranged in a vertical direction and a horizontal direction at a constant interval in accordance with each element divided by the dividing groove of the alumina substrate 1 is positioned and fixed to the alumina substrate. For positioning, a resistor pattern 4a is arranged between the thin film upper electrode layers 2 formed earlier. Thereafter, a metal thin film material Ni-Cr is sputtered, and then the mask is removed to form a thin film resistor layer 4 having a predetermined resistor pattern 4a. At this time, the resistor pattern 4
Since the portions other than a are hidden by the mask, there is no penetration of the metal thin film material into the division grooves.
【0029】従来であれば、分割溝を含めてアルミナ基
板全体に金属薄膜材料をスパッタした後に、フォトリソ
プロセス(レジスト塗布・乾燥、露光、現像、エッチン
グ、レジスト剥離)を行っていたため、分割溝内に侵入
した薄膜金属材料を除去することが非常に難しかった。
また、フォトリソプロセスがないため、裏面電極材料と
してAg系の厚膜電極ペーストを使用することができ、
従来よりも電極強度を向上させることができる(エッチ
ング工程があると、エッチング液により厚膜材料中のガ
ラス成分が侵されてしまうために使用できない。)。Conventionally, the photolithography process (resist coating / drying, exposure, development, etching, resist stripping) has been performed after sputtering the metal thin film material on the entire alumina substrate including the dividing grooves. It is very difficult to remove the thin film metal material that has entered the metal.
Also, since there is no photolithography process, an Ag-based thick film electrode paste can be used as the back electrode material,
The electrode strength can be improved as compared with the related art. (If there is an etching step, it cannot be used because the glass component in the thick film material is attacked by the etchant.)
【0030】次に、抵抗体パターン4aを安定な膜にす
るために、350〜400℃の温度雰囲気での熱処理工
程Dを行う。Next, in order to make the resistor pattern 4a a stable film, a heat treatment step D in a temperature atmosphere of 350 to 400 ° C. is performed.
【0031】次に、薄膜上面電極層2の上層部分の抵抗
体パターン4aおよび薄膜上面電極層2を覆うように、
銀を導電金属材料として含有する導電樹脂ペーストをス
クリーン印刷し、200℃・30分のプロフィールにて
熱硬化して導体樹脂上面電極層5を形成する工程Eを行
う。これは次の抵抗値修正時の接触を安定化する働きを
持つ。Next, the resistor pattern 4a and the thin film upper electrode layer 2 in the upper layer portion of the thin film upper electrode layer 2 are covered with
A step E of forming a conductive resin upper electrode layer 5 by screen-printing a conductive resin paste containing silver as a conductive metal material and heat-curing with a profile of 200 ° C. for 30 minutes is performed. This has the function of stabilizing the contact at the time of the next resistance value correction.
【0032】また、抵抗体パターンをスパッタする前に
導体樹脂上面電極層を形成すると、抵抗体パターン形成
時のアルミナ基板とマスクの間に隙間が生じ、薄膜金属
材料が不必要な箇所へ侵入する原因となったり、あるい
は厚膜導体樹脂材料のためにスパッタ時のステップカバ
レージを阻害して不連続な薄膜抵抗体層となる危険性が
あるために、導体樹脂上面電極層は、抵抗体パターン形
成後に行わねばならない。If the conductive resin upper electrode layer is formed before the resistor pattern is sputtered, a gap is formed between the alumina substrate and the mask when the resistor pattern is formed, and the thin film metal material enters unnecessary portions. The upper electrode layer of the conductive resin is used to form a resistor pattern because it may cause a discontinuous thin-film resistor layer due to the step coverage during sputtering due to the cause or the thick film conductive resin material. Must be done later.
【0033】その後、抵抗体パターン4aの抵抗値を所
定の値に修正するためにレーザートリミングにより、抵
抗値修正工程Fを行う。導体樹脂上面電極層5を厚膜の
導体樹脂により形成していることにより、抵抗値測定用
のトリミングプローブを上面電極層に接触させても、絶
縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を正確に取れる
ことから、接触抵抗の影響を避けることができ、抵抗値
精度を向上することができる。Thereafter, a resistance value correcting step F is performed by laser trimming to correct the resistance value of the resistor pattern 4a to a predetermined value. Since the conductive resin upper electrode layer 5 is formed of a thicker conductive resin, even if the trimming probe for measuring the resistance value is brought into contact with the upper electrode layer, the contact is made without being affected by the surface roughness of the insulating substrate. , The influence of contact resistance can be avoided, and the resistance value accuracy can be improved.
【0034】次に、抵抗値修正済み抵抗体パターン4b
を保護するために、抵抗体パターン4bと導体樹脂上面
電極層5の抵抗体パターン4bの境界部分を覆うよう
に、エポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、20
0℃・30分のプロフィールにて熱硬化して樹脂保護膜
層6を形成する工程Gを行う。Next, the resistance-corrected resistor pattern 4b
Epoxy resin paste is screen-printed so as to cover the boundary between the resistor pattern 4b and the resistor pattern 4b of the conductive resin upper surface electrode layer 5,
Step G of forming a resin protective film layer 6 by thermosetting with a profile of 0 ° C. for 30 minutes is performed.
【0035】次に、端面電極層を形成させるための短冊
状基板へ分割を行う。Next, the substrate is divided into strip-shaped substrates for forming an end face electrode layer.
【0036】次に、96%アルミナ基板1の端面にスパ
ッタによりNi−Cr系の薄膜端面電極層7を形成する
端面電極形成工程Hを行う。Next, an end face electrode forming step H of forming a Ni—Cr thin film end face electrode layer 7 on the end face of the 96% alumina substrate 1 by sputtering is performed.
【0037】最後に、個片状に分割した後に、露出して
いる導体樹脂上面電極層5を厚膜裏面電極層3と薄膜端
面電極層7のはんだ付け時の電極食われの防止およびは
んだ付け時の信頼性の確保のため、電気めっきによって
NiおよびSn−Pbのめっき層8を形成する電極めっ
き工程Iを行う。Finally, after dividing into individual pieces, the exposed conductive resin upper electrode layer 5 is protected from electrode erosion and soldering when the thick film rear electrode layer 3 and the thin film end electrode layer 7 are soldered. In order to ensure reliability at the time, an electrode plating step I of forming a plating layer 8 of Ni and Sn—Pb by electroplating is performed.
【0038】以上の工程により、本発明の実施例による
角形薄膜チップ抵抗器を試作した。Through the above steps, a rectangular thin-film chip resistor according to the embodiment of the present invention was experimentally manufactured.
【0039】この本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造
方法で、6432タイプ(6.4*3.2mm;定格電
力1W)で10Ω品を製造したところ、抵抗値精度±
0.1%での抵抗値歩留が、従来の製造方法よりも約2
倍向上させることができ、かつ製造工程として簡単であ
るため製造原価を従来比で65%まで低減できた。When a 1032.OMEGA. Product of a 6432 type (6.4 * 3.2 mm; rated power of 1 W) was manufactured by the method of manufacturing a square thin film chip resistor of the present invention, the resistance value accuracy ±
The resistance value yield at 0.1% is about 2 times that of the conventional manufacturing method.
The manufacturing cost was reduced to 65% of the conventional cost because the manufacturing process was simple and the manufacturing process was simple.
【0040】なお、導体樹脂電極層を銀系の樹脂材料に
より形成したが、これは導電金属材料を規定するもので
はなく、銅、金等の電極材料として使用できる。Although the conductive resin electrode layer is formed of a silver-based resin material, this does not define a conductive metal material and can be used as an electrode material such as copper or gold.
【0041】また、本実施の形態では裏面電極層をAg
系の厚膜電極ペーストにより形成したが、Auを成分と
する金属有機物からなる電極ペーストを使用してもかま
わない。In this embodiment, the back electrode layer is made of Ag.
Although the electrode paste is formed of a system thick film electrode paste, an electrode paste made of a metal organic material containing Au as a component may be used.
【0042】また、本実施の形態では薄膜抵抗体層の
み、メタルマスクを使用して簡略な工法で形成したが、
薄膜上面電極層も同様の工法により形成可能である。In this embodiment, only the thin film resistor layer is formed by a simple method using a metal mask.
The thin film upper electrode layer can also be formed by a similar method.
【0043】[0043]
【発明の効果】以上のように本発明は、抵抗値精度に優
れた低抵抗値を有する角形薄膜チップ抵抗器の製造方法
を提供できるとともに、以下の効果を有する。As described above, the present invention can provide a method of manufacturing a rectangular thin-film chip resistor having excellent resistance value accuracy and a low resistance value, and has the following effects.
【0044】(1)抵抗値修正前に上面電極層を厚膜の
導体樹脂により形成することにより、抵抗値修正の際に
抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触
させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を
正確に取れることから、接触抵抗の影響を避けることが
できる。(1) By forming the upper electrode layer with a thick conductive resin before correcting the resistance value, even if the trimming probe for measuring the resistance value is brought into contact with the upper electrode layer at the time of correcting the resistance value, it is insulated. Since the contact can be accurately obtained without being affected by the surface roughness of the substrate, the influence of the contact resistance can be avoided.
【0045】(2)薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パター
ンに形成するための工法として、工程の複雑なフォトリ
ソプロセスを用いず、マスクを使用して簡略な工法を使
用するために、特に高電力タイプのような個片のチップ
サイズが大きい場合でも、安価な製品を製造することが
できる。(2) As a method for forming a thin-film resistor layer into a desired resistor pattern, a simple method using a mask is used without using a photolithography process having complicated steps. Even when the chip size of each piece is large, such as a power type, an inexpensive product can be manufactured.
【0046】(3)従来のフォトリソプロセスにより薄
膜抵抗体層を形成する場合に生じていた、分割溝へ薄膜
金属材料の侵入がないため、従来必要とされた薄膜金属
材料を除去する工程が不必要となり、原価低減できる。(3) Since there is no intrusion of the thin film metal material into the dividing grooves, which has occurred when the thin film resistor layer is formed by the conventional photolithography process, the step of removing the conventionally required thin film metal material is not possible. It becomes necessary and cost can be reduced.
【0047】(4)フォトリソプロセスが不必要なた
め、裏面電極材料としてAg系の厚膜ペースト材料を使
用することができ、よって電極強度を向上できるだけで
なく、材料コストの低減も可能となる。(4) Since a photolithography process is unnecessary, an Ag-based thick film paste material can be used as the back electrode material, so that not only the electrode strength can be improved but also the material cost can be reduced.
【図1】本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ
抵抗器の断面図FIG. 1 is a sectional view of a rectangular thin film chip resistor according to an embodiment of the present invention.
【図2】同工程図[Fig. 2]
【図3】従来の角形薄膜チップ抵抗器の断面図FIG. 3 is a sectional view of a conventional rectangular thin film chip resistor.
【図4】同工程図[Fig. 4]
1 96%アルミナ基板 2 薄膜上面電極層 3 厚膜裏面電極層 4 薄膜抵抗体層 5 導体樹脂上面電極層 6 樹脂保護膜層 7 薄膜端面電極層 8 電極めっき層 1 96% alumina substrate 2 Thin film top electrode layer 3 Thick film back electrode layer 4 Thin film resistor layer 5 Conductive resin top electrode layer 6 Resin protection film layer 7 Thin film end face electrode layer 8 Electrode plating layer
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−202501(JP,A) 特開 昭63−14402(JP,A) 特開 平6−45118(JP,A) 特開 平1−120802(JP,A) 特開 平1−109702(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01C 17/00 - 17/30 Continuation of the front page (56) References JP-A-58-202501 (JP, A) JP-A-63-14402 (JP, A) JP-A-6-45118 (JP, A) JP-A-1-120802 (JP) , A) JP-A-1-109702 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01C 17/00-17/30
Claims (1)
金属薄膜上面電極層を形成する工程と、この一対の金属Forming a metal thin film upper electrode layer, and forming the pair of metals;
薄膜上面電極層と少なくとも一部が重なるように前記絶The insulating layer is formed so as to at least partially overlap the thin film upper electrode layer.
縁基板の主面上に金属薄膜抵抗体層を形成する工程と、Forming a metal thin film resistor layer on the main surface of the edge substrate;
前記一対の金属薄膜上面電極層の上面および/または金Upper surfaces of the pair of metal thin film upper electrode layers and / or gold
属薄膜抵抗体層を介して前記一対の金属薄膜上面電極層A pair of metal thin film upper electrode layers via a metal thin film resistor layer
の上面に導体樹脂上面電極層を形成した後前記金属薄膜After forming the conductive resin upper electrode layer on the upper surface of the metal thin film
抵抗体層の抵抗値を修正する工程と、少なくとも前記金Modifying the resistance value of the resistor layer;
属薄膜抵抗体層を覆うように樹脂保護膜層を形成する工Forming a resin protective film layer to cover the metal thin film resistor layer
程とを備えた角形薄膜チップ抵抗器の製造方法。And a method for manufacturing a rectangular thin film chip resistor.
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-
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- 1995-11-10 JP JP07292365A patent/JP3129170B2/en not_active Expired - Lifetime
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