JP3127098B2 - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ搭載用の
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置に関す
る。
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームを、例えば発光ダ
イオードランプ（ＬＥＤランプ）に使用されるリードフ
レームを用いて説明する。図６にそのリードフレームの
外観図を示す。
イオードランプ（ＬＥＤランプ）に使用されるリードフ
レームを用いて説明する。図６にそのリードフレームの
外観図を示す。
【０００３】従来のリードフレーム１は、チップ搭載用
リード２と結線用リード３とを有し、前記チップ搭載用
リード２の一端側には発光ダイオードチップを搭載する
反射カップ２ａを備えてなる。図６中、４はタイバーで
あり、５は細条である。
リード２と結線用リード３とを有し、前記チップ搭載用
リード２の一端側には発光ダイオードチップを搭載する
反射カップ２ａを備えてなる。図６中、４はタイバーで
あり、５は細条である。
【０００４】リードフレーム１を図７に従って具体的に
説明する。図７は、従来のリードフレームの製造工程図
である。
説明する。図７は、従来のリードフレームの製造工程図
である。
【０００５】前記リードフレーム１は、図７（ａ）に示
すようなリードフレーム素材（例えば、鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等）１ａに、まず図７（ｂ）に示すように
一次メッキ（銅メッキまたはニッケルメッキ）層１ｂが
形成され、さらに図７（ｃ）に示すように二次メッキ
（銀メッキ，金メッキ又はパラジウムメッキ）層１ｃが
形成されてなる。
すようなリードフレーム素材（例えば、鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等）１ａに、まず図７（ｂ）に示すように
一次メッキ（銅メッキまたはニッケルメッキ）層１ｂが
形成され、さらに図７（ｃ）に示すように二次メッキ
（銀メッキ，金メッキ又はパラジウムメッキ）層１ｃが
形成されてなる。
【０００６】該リードフレーム１を用いて発光ダイオー
ドランプ形成する際には、図６に示す前記素子搭載用リ
ード２の反射カップ２ａに発光ダイオードチップが銀ペ
ーストを介して搭載され、該発光ダイオードチップと結
線用リード３の一端側とがボンディングワイヤにて接続
され、前記タイバー４を切断した後に透光性の封止用エ
ポキシ樹脂等の封止樹脂にて前記発光ダイオードチップ
及びリードフレーム１の一部が封止されてなる。前記リ
ードフレーム１の該封止樹脂にて封止されていない部分
には、場合によってその表面に半田メッキ或は錫メッキ
が施される。
ドランプ形成する際には、図６に示す前記素子搭載用リ
ード２の反射カップ２ａに発光ダイオードチップが銀ペ
ーストを介して搭載され、該発光ダイオードチップと結
線用リード３の一端側とがボンディングワイヤにて接続
され、前記タイバー４を切断した後に透光性の封止用エ
ポキシ樹脂等の封止樹脂にて前記発光ダイオードチップ
及びリードフレーム１の一部が封止されてなる。前記リ
ードフレーム１の該封止樹脂にて封止されていない部分
には、場合によってその表面に半田メッキ或は錫メッキ
が施される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記リードフレーム１
は、その表面の二次メッキ層１ｃ、即ち銀，金又はパラ
ジウムの表面がボンディング性に優れていることからダ
イボンドやワイヤーボンドには通常支障なく利用されて
いる。
は、その表面の二次メッキ層１ｃ、即ち銀，金又はパラ
ジウムの表面がボンディング性に優れていることからダ
イボンドやワイヤーボンドには通常支障なく利用されて
いる。
【０００８】しかしながら、これらボンディング性を損
なわないためには、メッキ表面の光沢度に注意を要し、
特にセレンＳｅの共析には注意を払わないと著しいボン
ディング性の低下を招くことになった。
なわないためには、メッキ表面の光沢度に注意を要し、
特にセレンＳｅの共析には注意を払わないと著しいボン
ディング性の低下を招くことになった。
【０００９】また、最適なボンディング性を得るために
は、高価な貴金属（銀、金、パラジウム等）をある一定
厚みメッキしなければならなく、コストアップの要因と
なっていた。
は、高価な貴金属（銀、金、パラジウム等）をある一定
厚みメッキしなければならなく、コストアップの要因と
なっていた。
【００１０】さらに、半導体チップをダイボンドするた
めの銀ペーストの主成分が銀とエポキシ樹脂であり、リ
ードフレーム１との密着性に関与しているのはそのエポ
キシ樹脂であり、リードフレーム１の表面の銀，金，パ
ラジウムのいずれもそのエポキシ樹脂との密着性が良く
なかった。
めの銀ペーストの主成分が銀とエポキシ樹脂であり、リ
ードフレーム１との密着性に関与しているのはそのエポ
キシ樹脂であり、リードフレーム１の表面の銀，金，パ
ラジウムのいずれもそのエポキシ樹脂との密着性が良く
なかった。
【００１１】加えて、リードフレーム１を封止する封止
樹脂についても、封止用エポキシ樹脂によるパッケージ
を行うと、その境目に剥離が生じ、水分の浸透が発生し
たりした。 本発明は、上記課題に鑑み、塗布される接着剤及び又は
被覆される封止樹脂との強固な密着性が得られるリード
フレームおよびこれを用いた半導体装置を提供すること
を目的とするものである。
樹脂についても、封止用エポキシ樹脂によるパッケージ
を行うと、その境目に剥離が生じ、水分の浸透が発生し
たりした。 本発明は、上記課題に鑑み、塗布される接着剤及び又は
被覆される封止樹脂との強固な密着性が得られるリード
フレームおよびこれを用いた半導体装置を提供すること
を目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
リードフレームは、リードフレーム素材と、該リードフ
レーム素材を被覆するメッキ層とを備え、該メッキ層表
面に半導体チップが銀とエポキシ樹脂を主成分とする銀
ペーストを介して搭載されるリードフレームにおいて、
前記メッキ層は前記銀ペーストの主成分のエポキシ樹脂
と同一のエポキシ樹脂からなる微小物体を含有してな
り、該微少物体がメッキ層表面より露出してなることを
特徴とするものである。
リードフレームは、リードフレーム素材と、該リードフ
レーム素材を被覆するメッキ層とを備え、該メッキ層表
面に半導体チップが銀とエポキシ樹脂を主成分とする銀
ペーストを介して搭載されるリードフレームにおいて、
前記メッキ層は前記銀ペーストの主成分のエポキシ樹脂
と同一のエポキシ樹脂からなる微小物体を含有してな
り、該微少物体がメッキ層表面より露出してなることを
特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項２記載のリードフレ
ームは、前記メッキ層が前記微少物体を含有しリードフ
レーム素材を被覆する一次メッキ層と、貴金属よりなり
前記微少物体を外部に露出させた状態で前記一次メッキ
層を被覆する二次メッキ層とからなることを特徴とする
ものである。
ームは、前記メッキ層が前記微少物体を含有しリードフ
レーム素材を被覆する一次メッキ層と、貴金属よりなり
前記微少物体を外部に露出させた状態で前記一次メッキ
層を被覆する二次メッキ層とからなることを特徴とする
ものである。
【００１４】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなることを
特徴とするものである。
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなることを
特徴とするものである。
【００１５】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームは反射カップを備え、該反射
カップ内に異なる発光色の複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなることを特徴とするものである。
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームは反射カップを備え、該反射
カップ内に異なる発光色の複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなることを特徴とするものである。
【００１６】加えて、本発明の請求項５記載の半導体装
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームの一部分が前記微小物体と同
一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されてなる
ことを特徴とするものである。
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームの一部分が前記微小物体と同
一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されてなる
ことを特徴とするものである。
【００１７】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、前記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなることを特徴とす
るものである。
置は、前記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなることを特徴とす
るものである。
【００１８】
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１記載のリ
ードフレームは、その表面、即ちメッキ層表面に露出す
る微小物体とメッキ層表面に塗布される銀ペーストとが
同一のエポキシ樹脂からなることから、互いが強い密着
力で結び付き半導体チップを強固に固定することができ
る。また、本発明の請求項２記載のリードフレームは、
微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる二次メッ
キ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッキ層表面
のボンディング性を向上することができる。
ードフレームは、その表面、即ちメッキ層表面に露出す
る微小物体とメッキ層表面に塗布される銀ペーストとが
同一のエポキシ樹脂からなることから、互いが強い密着
力で結び付き半導体チップを強固に固定することができ
る。また、本発明の請求項２記載のリードフレームは、
微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる二次メッ
キ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッキ層表面
のボンディング性を向上することができる。
【００１９】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。
【００２０】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなる構成なので、複数個の発光チップより出射される
光は反射カップ内のリードフレーム表面で突出する微小
物体によって反射を繰り返し、該反射カップ内での光反
射を拡散することになり、複数個の発光チップの同時発
光時の色混合性を向上することができる。加えて、本発
明の請求項５記載の半導体装置は、上記リードフレーム
の一部分が上記微小物体と同一のエポキシ樹脂からなる
封止樹脂にて封止されてなる構成なので、リードフレー
ムと封止樹脂との間においても強い密着力を得ることが
できる。
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなる構成なので、複数個の発光チップより出射される
光は反射カップ内のリードフレーム表面で突出する微小
物体によって反射を繰り返し、該反射カップ内での光反
射を拡散することになり、複数個の発光チップの同時発
光時の色混合性を向上することができる。加えて、本発
明の請求項５記載の半導体装置は、上記リードフレーム
の一部分が上記微小物体と同一のエポキシ樹脂からなる
封止樹脂にて封止されてなる構成なので、リードフレー
ムと封止樹脂との間においても強い密着力を得ることが
できる。
【００２１】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を得ることができる。
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を得ることができる。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の第一実施例よりなるリードフ
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
る。
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
る。
【００２３】本実施例のリードフレーム１１は、表面に
半導体ベアチップ１２が銀ペースト１３を介して搭載さ
れるものであって、具体的に説明すると鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等のリードフレーム素材１４を前記銀ペー
スト１３の主成分のエポキシ樹脂と同一のエポキシ樹脂
からなる微小エポキシボール１５を含有する一次メッキ
層１６にて被覆し、該一次メッキ層１６が二次メッキ層
１７にて被覆され、前記一次メッキ層１６に含有された
微小エポキシボール１５が前記二次メッキ層１７表面よ
り突出してなるものである。
半導体ベアチップ１２が銀ペースト１３を介して搭載さ
れるものであって、具体的に説明すると鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等のリードフレーム素材１４を前記銀ペー
スト１３の主成分のエポキシ樹脂と同一のエポキシ樹脂
からなる微小エポキシボール１５を含有する一次メッキ
層１６にて被覆し、該一次メッキ層１６が二次メッキ層
１７にて被覆され、前記一次メッキ層１６に含有された
微小エポキシボール１５が前記二次メッキ層１７表面よ
り突出してなるものである。
【００２４】該リードフレーム１１の製造工程を図２に
従って説明する。
従って説明する。
【００２５】まず、図２（ａ）に示すようなリードフレ
ーム素材１４に、図２（ｂ），（ｂ′）に示すように、
銅メッキ液或はニッケルメッキ液の中に大きさがφ０．
３μｍ〜φ１０μｍからなる微少エポキシボール１５を
分散させて激しく撹拌しながら電気メッキを行うことで
リードフレーム素材１４上に微少エポキシボール１５が
共析した一次メッキ層１６を形成する。なお、図２
（ｂ′）は同図（ｂ）のＡ部拡大図である。
ーム素材１４に、図２（ｂ），（ｂ′）に示すように、
銅メッキ液或はニッケルメッキ液の中に大きさがφ０．
３μｍ〜φ１０μｍからなる微少エポキシボール１５を
分散させて激しく撹拌しながら電気メッキを行うことで
リードフレーム素材１４上に微少エポキシボール１５が
共析した一次メッキ層１６を形成する。なお、図２
（ｂ′）は同図（ｂ）のＡ部拡大図である。
【００２６】上記銅メッキ液及びニッケルメッキ液の代
表的なメッキ組成を図３に示す。これらのメッキ液から
なる一次メッキ層１６は内部応力が高いことから前もっ
て下地に分散剤を含まない通常のメッキを施しておく場
合もある。また、リードフレーム素材１４との密着力を
向上させるためにストライク銅メッキ或はストライクニ
ッケルメッキ（活性力を高めるための還元力の高いメッ
キ）を行う場合もある。
表的なメッキ組成を図３に示す。これらのメッキ液から
なる一次メッキ層１６は内部応力が高いことから前もっ
て下地に分散剤を含まない通常のメッキを施しておく場
合もある。また、リードフレーム素材１４との密着力を
向上させるためにストライク銅メッキ或はストライクニ
ッケルメッキ（活性力を高めるための還元力の高いメッ
キ）を行う場合もある。
【００２７】次に、図２（ｃ），（ｃ′）に示すよう
に、さらにその上に銀，金，パラジュウム等の貴金属を
前記微少エポキシボール１５が完全に隠れない程度の厚
みでメッキを施し、二次メッキ層１７を形成する。な
お、図２（ｃ′）は同図（ｃ）のＢ部拡大図である。
に、さらにその上に銀，金，パラジュウム等の貴金属を
前記微少エポキシボール１５が完全に隠れない程度の厚
みでメッキを施し、二次メッキ層１７を形成する。な
お、図２（ｃ′）は同図（ｃ）のＢ部拡大図である。
【００２８】これによって、表面に微少エポキシボール
１５が突出したリードフレーム１１が得られる。
１５が突出したリードフレーム１１が得られる。
【００２９】また、前記一次メッキ層１６の形成後に、
図４に示すように、所定部分の微少エポキシボール１５
のエポキシ樹脂を溶剤によって溶解することによって、
その表面状態が梨地状で表面積を広く形成することがで
きる。具体的には、図４（ａ）に示すように一次メッキ
層１６を形成した後、微少エポキシボール１５を溶解す
る部分について図４（ｂ）に示すようにエポキシボール
溶解液に浸し微少エポキシボール１５を溶解する。これ
により、図４（ｃ）に示すような構造となり、最後に図
４（ｄ）に示すように二次メッキ層１７を施してなる。
図４に示すように、所定部分の微少エポキシボール１５
のエポキシ樹脂を溶剤によって溶解することによって、
その表面状態が梨地状で表面積を広く形成することがで
きる。具体的には、図４（ａ）に示すように一次メッキ
層１６を形成した後、微少エポキシボール１５を溶解す
る部分について図４（ｂ）に示すようにエポキシボール
溶解液に浸し微少エポキシボール１５を溶解する。これ
により、図４（ｃ）に示すような構造となり、最後に図
４（ｄ）に示すように二次メッキ層１７を施してなる。
【００３０】本実施例よりなるリードフレーム１１は、
その半導体ベアチップ１２搭載部分及びワイヤー１８に
よるワイヤーボンディング部分において微少エポキシボ
ール１５を除去しており、これによってその表面形状に
よりワイヤーボンディングのボンディング性を高め、更
に銀ペースト１３とリードフレーム１１との密着力をリ
ードフレーム１１の表面積が大きくなった分だけ向上す
ることができる。
その半導体ベアチップ１２搭載部分及びワイヤー１８に
よるワイヤーボンディング部分において微少エポキシボ
ール１５を除去しており、これによってその表面形状に
よりワイヤーボンディングのボンディング性を高め、更
に銀ペースト１３とリードフレーム１１との密着力をリ
ードフレーム１１の表面積が大きくなった分だけ向上す
ることができる。
【００３１】また、本実施例においては、半導体ベアチ
ップ１２搭載部分の微少エポキシボール１５を除去した
が、除去しない構造であっても、銀ペースト１３と微少
エポキシボール１５とが同一のエポキシ樹脂からなるこ
とから強い密着力を得ることができる。
ップ１２搭載部分の微少エポキシボール１５を除去した
が、除去しない構造であっても、銀ペースト１３と微少
エポキシボール１５とが同一のエポキシ樹脂からなるこ
とから強い密着力を得ることができる。
【００３２】さらに、リードフレーム表面が銀，金、パ
ラジューム等よりなる貴金属の二次メッキ層１７からな
るので、従来同様、ダイボンド，ワイヤーボンドが良好
なボンディング性を得ることができる。しかも、リード
フレーム表面の数パーセント〜数十パーセントが微少エ
ポキシボール１５で覆われていることから、従来よりも
貴金属のメッキ量を低減することができ、コスト低減を
図ることができる。
ラジューム等よりなる貴金属の二次メッキ層１７からな
るので、従来同様、ダイボンド，ワイヤーボンドが良好
なボンディング性を得ることができる。しかも、リード
フレーム表面の数パーセント〜数十パーセントが微少エ
ポキシボール１５で覆われていることから、従来よりも
貴金属のメッキ量を低減することができ、コスト低減を
図ることができる。
【００３３】上記リードフレーム１１を半導体装置に用
いる、即ち、半導体ベアチップ１２及び該半導体ベアチ
ップ１２を搭載したリードフレーム１１の一部を封止用
エポキシ樹脂１９にて封止することにより、リードフレ
ーム１１表面に突出した微少エポキシボール１５と封止
用エポキシ樹脂１９とが同一のエポキシ樹脂からなり、
両者の間で強い密着力を得ることができる。したがっ
て、リードフレーム１１と封止用エポキシ樹脂１９との
間より水分が侵入することを防止でき、半導体装置とし
て信頼性の向上が図れる。
いる、即ち、半導体ベアチップ１２及び該半導体ベアチ
ップ１２を搭載したリードフレーム１１の一部を封止用
エポキシ樹脂１９にて封止することにより、リードフレ
ーム１１表面に突出した微少エポキシボール１５と封止
用エポキシ樹脂１９とが同一のエポキシ樹脂からなり、
両者の間で強い密着力を得ることができる。したがっ
て、リードフレーム１１と封止用エポキシ樹脂１９との
間より水分が侵入することを防止でき、半導体装置とし
て信頼性の向上が図れる。
【００３４】また、前記リードフレーム１１の封止用エ
ポキシ樹脂１９より突出する部分表面に突出する微少エ
ポキシボール１５を除去することにより、その表面が梨
地状で表面積が広くなり、表面実装部品として必要な良
好な半田付け性を備えた半導体装置を得ることができ
る。さらに、腐食電流の集中を防ぐことができ、錆びに
くくなり、屋外等の環境の悪いところでの使用される半
導体装置において好耐食性を持たせることができる。
ポキシ樹脂１９より突出する部分表面に突出する微少エ
ポキシボール１５を除去することにより、その表面が梨
地状で表面積が広くなり、表面実装部品として必要な良
好な半田付け性を備えた半導体装置を得ることができ
る。さらに、腐食電流の集中を防ぐことができ、錆びに
くくなり、屋外等の環境の悪いところでの使用される半
導体装置において好耐食性を持たせることができる。
【００３５】図５（ａ）は、本発明の第二実施例よりな
るリードフレームおよびこれを用いた半導体装置を示す
断面図である。本実施例について、上記実施例と相違す
る点のみ説明する。
るリードフレームおよびこれを用いた半導体装置を示す
断面図である。本実施例について、上記実施例と相違す
る点のみ説明する。
【００３６】本実施例のリードフレーム２１は、チップ
搭載用リード２２と結線用リード２３とからなり、前記
チップ搭載用リード２２の一端側に発光色の異なる複数
個の発光ダイオードチップ２４が搭載される反射カップ
２２ａを備えてなり、該リードフレーム２１は、上記実
施例同様、リードフレーム素材を微小エポキシボール２
５を含有する一次メッキ層にて被覆し、該一次メッキ層
が二次メッキ層にて被覆され、前記一次メッキ層に含有
された微小エポキシボール２５を前記二次メッキ層表面
より突出してなるものである。
搭載用リード２２と結線用リード２３とからなり、前記
チップ搭載用リード２２の一端側に発光色の異なる複数
個の発光ダイオードチップ２４が搭載される反射カップ
２２ａを備えてなり、該リードフレーム２１は、上記実
施例同様、リードフレーム素材を微小エポキシボール２
５を含有する一次メッキ層にて被覆し、該一次メッキ層
が二次メッキ層にて被覆され、前記一次メッキ層に含有
された微小エポキシボール２５を前記二次メッキ層表面
より突出してなるものである。
【００３７】前記発光ダイオードチップ２４としては、
例えばレッド，グリーン，ブルーの３色の発光ダイオー
ドチップを用い、これによってフルカラー表現が可能と
なる。なお、図５においては、２つの発光ダイオードチ
ップをＲ，Ｙにて示している。
例えばレッド，グリーン，ブルーの３色の発光ダイオー
ドチップを用い、これによってフルカラー表現が可能と
なる。なお、図５においては、２つの発光ダイオードチ
ップをＲ，Ｙにて示している。
【００３８】これにより、従来のリードフレーム２１′
を用いた半導体装置では、図５（ｂ）に示すように、発
光ダイオードチップ２４′から出た光束が反射カップ２
２ａ′内面で鏡面反射をしていたのに対し、本実施例の
上記リードフレーム２１を用いた半導体装置では、図５
（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ２４から出
た光束は反射カップ２２ａ内面に突出する微少エポキシ
ボール２５で乱反射し、反射カップ２２ａ内部で発光色
の異なる複数個の発光ダイオードチップ２４が同時発光
した際に複数の発光色の色混合性を向上することができ
る。
を用いた半導体装置では、図５（ｂ）に示すように、発
光ダイオードチップ２４′から出た光束が反射カップ２
２ａ′内面で鏡面反射をしていたのに対し、本実施例の
上記リードフレーム２１を用いた半導体装置では、図５
（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ２４から出
た光束は反射カップ２２ａ内面に突出する微少エポキシ
ボール２５で乱反射し、反射カップ２２ａ内部で発光色
の異なる複数個の発光ダイオードチップ２４が同時発光
した際に複数の発光色の色混合性を向上することができ
る。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載のリードフレームによれば、その表面に露出する微
小物体と該表面に塗布される接着剤である銀ペーストと
が強い密着力で結び付き、半導体チップが強固に固定す
ることが可能なリードフレームを提供することができ
る。
記載のリードフレームによれば、その表面に露出する微
小物体と該表面に塗布される接着剤である銀ペーストと
が強い密着力で結び付き、半導体チップが強固に固定す
ることが可能なリードフレームを提供することができ
る。
【００４０】また、本発明の請求項２記載のリードフレ
ームは、微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる
二次メッキ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッ
キ層表面、即ちリードフレーム表面のボンディング性を
向上することができる。
ームは、微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる
二次メッキ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッ
キ層表面、即ちリードフレーム表面のボンディング性を
向上することができる。
【００４１】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。
【００４２】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、前記反射カップ内面の微少物体がその表面より突出
してなる構成なので、複数個の発光チップより出射され
る光はそれぞれ反射カップ内で突出する微少物体によっ
て光反射を拡散することになり、複数個の発光チップの
同時発光時の色混合性が向上された半導体装置を提供す
ることができる。加えて、本発明の請求項５記載の半導
体装置は、上記リードフレームの一部分が上記微小物体
と同一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されて
なる構成なので、リードフレームと封止樹脂とが強い密
着力で結び付き、リードフレームと封止樹脂との間より
水分が侵入することを防止でき、半導体装置の信頼性の
向上が図れる。
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、前記反射カップ内面の微少物体がその表面より突出
してなる構成なので、複数個の発光チップより出射され
る光はそれぞれ反射カップ内で突出する微少物体によっ
て光反射を拡散することになり、複数個の発光チップの
同時発光時の色混合性が向上された半導体装置を提供す
ることができる。加えて、本発明の請求項５記載の半導
体装置は、上記リードフレームの一部分が上記微小物体
と同一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されて
なる構成なので、リードフレームと封止樹脂とが強い密
着力で結び付き、リードフレームと封止樹脂との間より
水分が侵入することを防止でき、半導体装置の信頼性の
向上が図れる。
【００４３】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を備えた半導体装置が得られる。
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を備えた半導体装置が得られる。
【図１】本発明の第一実施例よりなるリードフレームお
よびこれを用いた半導体装置を示す断面図である。
よびこれを用いた半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示すリードフレームの製造工程図であ
る。
る。
【図３】銅メッキ液及びニッケルメッキ液の代表的なメ
ッキ組成を示す図である。
ッキ組成を示す図である。
【図４】図１に示すリードフレームの製造工程図であ
る。
る。
【図５】（ａ）は本発明の第二実施例よりなるリードフ
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
り、（ｂ）は該実施例に対応する従来例を示す断面図で
ある。
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
り、（ｂ）は該実施例に対応する従来例を示す断面図で
ある。
【図６】従来のリードフレームを示す外観図である。
【図７】図６に示すリードフレームの製造工程図であ
る。
る。
１１，２１ リードフレーム １２ 半導体ベアチップ（半導体チップ） １３ 銀ペースト（接着剤） １４ リードフレーム素材 １５，２５ 微少エポキシボール １６ 一次メッキ層 １７ 二次メッキ層 １９ 封止用エポキシ樹脂 ２２ チップ搭載用リード ２２ａ 反射カップ ２４ 発光ダイオードチップ（半導体チップ）
Claims (6)
- 【請求項１】 リードフレーム素材と、該リードフレー
ム素材を被覆するメッキ層とを備え、該メッキ層表面に
半導体チップが銀とエポキシ樹脂を主成分とする銀ペー
ストを介して搭載されるリードフレームにおいて、 前記メッキ層は前記銀ペーストの主成分のエポキシ樹脂
と同一のエポキシ樹脂からなる微小物体を含有してな
り、該微少物体がメッキ層表面より露出してなることを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記メッキ層は、前記微少物体を含有し
リードフレーム素材を被覆する一次メッキ層と、貴金属
よりなり前記微少物体を外部に露出させた状態で前記一
次メッキ層を被覆する二次メッキ層とからなることを特
徴とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 半導体チップの搭載部表面及び又はワイ
ヤーボンド部表面に露出する微小物体を除去してなるこ
とを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１、２、又は３に記載のリードフ
レームを備えてなる半導体装置であって、前記リードフ
レームは反射カップを備え、該反射カップ内に異なる発
光色の複数個の発光チップが配置され、前記反射カップ
内面の微少物体がその表面より突出してなることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、又は３に記載のリードフ
レームを備えてなる半導体装置であって、前記リードフ
レームの一部分が前記微小物体と同一のエポキシ樹脂か
らなる封止樹脂にて封止されてなることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項６】 前記リードフレームの封止樹脂より突出
する部分表面に露出する微小物体を除去してなることを
特徴とする請求項５記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07133826A JP3127098B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07133826A JP3127098B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330497A JPH08330497A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3127098B2 true JP3127098B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=15113952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07133826A Expired - Fee Related JP3127098B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127098B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101139891B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2012-04-27 | 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 | 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자 |
| JP2008258541A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8610156B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
| KR101064084B1 (ko) | 2010-03-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| JP5995641B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2016-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
| KR101660018B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2016-09-26 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ패키지 |
| CN111312881A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-19 | 盐城东山精密制造有限公司 | 一种一体成型led器件及其制作方法 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP07133826A patent/JP3127098B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08330497A (ja) | 1996-12-13 |
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