JP3125666U - 側面出光型発光コンポーネント - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子101と静電放電保護素子102が溶接される基板120が異なる平面にあり、2つの平面の間の分離面は2つ以上の屈折を有する。本体パッケージ130のベース160は型抜きし易い斜面とフィレット164を備える。パッケージシェル140の出光口142は1個または複数のフィレットを備え、両端の側壁は傾斜角を有する。
【選択図】 図7a
Description
図12a〜12cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図12aは超薄型発光コンポーネント111の斜視図である。本実施形態は、最大の出光面が得られるように、矩形の出光面を採用している。図12bは出光面の正面から見た超薄型発光コンポーネント111である。出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜はやや小さく、約2〜5度前後である。図12cは電極溶接面の正面から見た超薄型発光コンポーネント111である。型抜き斜面がベースの両側にあり、その形状は、両辺が直線を成し一辺が弧線である。ベースの両側にフィレットがある。
図13a〜13cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図13aは超薄型発光コンポーネント112の斜視図である。図13bは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネントであり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。本実施形態では、シェルの両端の側壁は比較的大きな傾斜角を有し、約5〜10度前後である。本実施形態では、傾斜角がやや大きく、比較的よく光場分布する。しかし、傾斜角が大きいと基板の面積が小さくなり、ワイヤボンド固定接合面積も小さくなり、ワイヤボンディングがより難しくなる。図13cは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。型抜き斜面がベースの両側にあり、その形状は、両辺が直線を成し一辺が弧線である。ベースの両側にフィレットがある。
図14a〜14cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図14aは超薄型出光コンポーネント113の斜視図である。図14bは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネント113であり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。電極と向き合う一端のシェルの側壁も傾斜角を有する。図14cは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。型抜き斜面がベースの両側にあり、その形状は、両辺が直線を成し一辺が弧線である。ベースの両側にフィレットがある。
図15a〜15cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図15aは超薄型出光コンポーネント114の斜視図である。図15bは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネント114であり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。電極と向き合う一端のシェルの側壁も傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや大きく、光場分布が比較的よい。しかし、傾斜角が大きいと基板の面積が小さくなり、ワイヤボンド固定接合面積も小さくなり、ワイヤボンディングがより難しくなる。図15cは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。型抜き斜面がベースの両側にあり、その形状は、両辺が直線を成し一辺が弧線である。ベースの両側にフィレットがある。
図16a〜16cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図16aは超薄型出光コンポーネント115の斜視図である。図16bは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネント115であり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。本実施形態では、出光面は2つのフィレットを備える。図16cは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。型抜き斜面は三角形の斜面であり、ベースの両側ではなく、ベースおよびシェルに近い場所にある。ベースの両側にフィレットがある。
図17a〜17cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図17aは超薄型出光コンポーネント116の斜視図である。図17bは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネントであり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者の位置は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。出光面は2つのフィレットを備える。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。図17cは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。型抜き斜面は三角形の斜面であり、ベースの両側ではなく、ベースおよびシェルに近い場所にある。ベースの両側にフィレットがある。
図18a〜18gは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図18aは超薄型出光コンポーネント117を出光面の正面から見た図である。2つの電極の近隣の端部は平行四辺形を呈している。図18bは電極溶接面の正面から見た超薄型出光コンポーネント117であり、上部に台形の突起を有し、下部に台形の凹部を有する。型抜き斜面は台形斜面であり、ベースおよびシェルに近い場所にある。図18cはシェルの正面から見た超薄型出光コンポーネントであり、シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。図18dは超薄型出光コンポーネントの断面図である。出光の反射面の角度および電極が分かる。図18eは超薄型出光コンポーネントの別の側面図であり、電極が左下側にあり、上側の出光面上の左右に2つの凸部がある。図18fは超薄型出光コンポーネントの断面図である。図18gは超薄型出光コンポーネントが電極溶接面の背面と向き合っている正面図である。
図19a〜19dは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図19aは超薄型出光コンポーネント118の側面図である。図19bは図19aの向き合う正面から見た超薄型出光コンポーネントであり、発光素子と静電放電保護素子の位置が異なり、発光素子が出光面にやや近いことが分かる。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。図19cは超薄型出光コンポーネントの側部である。図19dは超薄型出光コンポーネントを製造する際の一部サボートおよび超薄型出光コンポーネントの設置状況である。
図20a〜20cは本考案を利用した一実施形態を示す。そのうち、図20aは超薄型出光コンポーネント119の側面図である。図20bは図20aの向き合う正面から見た図であり、上側中央にアーチ形の突起がある。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。図20cは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。出光窓の両側は丸角である。図20dは図20cと向き合う正面図である。図20eは超薄型出光コンポーネントの側部である。
図21a〜21eは本考案を利用した一実施形態例を示す。そのうち、図21aは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネント11aであり、図21bは電極溶接面から正面を見た超薄型出光コンポーネント11aであり、出光面から発光素子および静電放電保護素子の位置が分かる。両者は異なる高さにあり、発光素子が出光面にやや近い。出光面は2つのフィレットを備える。シェルの両端の側壁は傾斜角を有する。本実施形態では、傾斜角がやや小さく、約2〜5度前後である。図21cは出光面の正面から見た超薄型出光コンポーネントである。図21dは超薄型出光コンポーネントの側部である。図21eは超薄型出光コンポーネントを製造する際の一部サボートおよび超薄型出光コンポーネントの設置状況である。
2 ツェナーダイオード
10 側面出光コンポーネント
20−1、20−2 基板ベース
40 シェル
50 支持部
70 電極
101 発光ダイオード(発光素子)
102 ツェナーダイオード(静電保護素子)
110〜119、11a 側面出光型発光コンポーネント
120 基板
120−1 第1部分
120−2 第2部分
130 本体
140 シェル
142 出光面
144 屈折面
150 両側の支持部
160 ベース
162 型抜き斜面
164 フィレット
170−1、170−2 電極
180 エポキシ樹脂
182 拡散子
184 蛍光粉
200 光ガイドプレート
Claims (10)
- 発光素子と、
第1部分および第2部分を備え、前記第1部分と前記第2部分が電気的に分離され、前記第1部分の面積が前記第2部分の面積より大きく、前記第1部分と前記第2部分が異なる平面にあり、前記発光素子が基板の前記第1部分上にあり、前記第2部分が静電保護素子を設置するのに使用される、導体基板と、
前記導体基板上にあり、開口を有し、前記発光素子および前記静電保護素子が前記開口内にあるようになっており、前記発光素子が前記開口から発射する光線の方向が第1方向であるシェル、および前記シェルの両側にあり、本体を支持する両側の支持部、および前記導体基板の下にあるベースを有する本体と、
前記発光素子および前記静電保護素子と電気的に接続された、2つの電極とを含む側面出光型発光コンポーネントであって、前記導体基板から前記本体の2つの支持部が延び、かつ第2方向に曲がり、前記第2方向は前記第1方向と垂直であり、前記2つの電極を1つの回路板に溶接するもので、前記開口と前記回路板はほぼ垂直であり、前記第1方向は前記回路板とほぼ平行であることを特徴とする側面出光型発光コンポーネント。 - 前記シェルが直方体であることを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記2つの電極が前記2つの支持部の同じ側から延びていることを特徴とする請求項2に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記導体基板の前記第1部分が前記第2部分より前記出光面に近いことを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記導体基板の前記第1部分と前記第2部分の分離面が少なくとも2回屈折面を含み、前記屈折面は屈折平面または屈折斜面または屈折曲面であることを特徴とする請求項4に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記発光素子と前記静電保護素子が電気的に逆並列に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記出光口が少なくとも1つのフィレットを備え、かつ前記出光口の両端に傾斜した側壁を有し、傾斜の角度が約2〜15度であることを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記ベースがフィレットを備えることを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 前記ベースが少なくとも1つの三角形の斜面を有することを特徴とする請求項1に記載の側面出光型発光コンポーネント。
- 第1部分および第2部分を備え、前記第1部分と前記第2部分が電気的に分離され、前記第1部分の面積が前記第2部分の面積より大きく、前記第1部分と前記第2部分が異なる平面にある導体基板と、
前記導体基板の前記第1部分上にある発光素子と、
前記導体基板の前記第2部分上にある静電保護素子と、
前記導体基板上にあり、開口を有し、前記発光素子と前記静電保護素子が前記開口内にあるようになっており、前記発光素子が前記開口から発射する光線の方向が第1方向であるシェル、および前記シェルの両側にあり、本体を支持する両側の支持部、および前記導体基板の下にあるベースを有する本体と、
前記発光素子および前記静電保護素子と電気的に接続された、第1電極および第2電極とを含む側面出光型発光素子であって、前記導体基板から前記本体の2つの支持部が延び、かつ第2方向に曲がり、前記第2方向は前記第1方向と垂直であり、そのため、前記第1電極および第2電極を1つの回路板に溶接することができ、前記開口と前記回路板はほぼ垂直であり、前記第1方向は前記回路板とほぼ平行であることを特徴とする側面出光型発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260222A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Rohm Co Ltd | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 |
JP2014170968A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-09-18 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
US10008650B2 (en) | 2007-03-30 | 2018-06-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
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US10008650B2 (en) | 2007-03-30 | 2018-06-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US10312425B2 (en) | 2007-03-30 | 2019-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US11088307B2 (en) | 2007-03-30 | 2021-08-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US11784295B2 (en) | 2007-03-30 | 2023-10-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2009260222A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Rohm Co Ltd | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 |
JP2014170968A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-09-18 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
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