JP3123423B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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- JP3123423B2 JP3123423B2 JP08031564A JP3156496A JP3123423B2 JP 3123423 B2 JP3123423 B2 JP 3123423B2 JP 08031564 A JP08031564 A JP 08031564A JP 3156496 A JP3156496 A JP 3156496A JP 3123423 B2 JP3123423 B2 JP 3123423B2
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- Japan
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- dielectric plate
- plasma processing
- discharge coil
- wall surface
- processing apparatus
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ドライエッチン
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
装置および方法に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ
処理装置およびプラズマ処理方法に関するものである。
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
装置および方法に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ
処理装置およびプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に伴って、ド
ライエッチング技術においては高アスペクト比の加工を
実現するために、またプラズマＣＶＤ技術においては高
アスペクト比の埋め込みを実現するために、より高真空
でプラズマ処理を行うことが求められている。
ライエッチング技術においては高アスペクト比の加工を
実現するために、またプラズマＣＶＤ技術においては高
アスペクト比の埋め込みを実現するために、より高真空
でプラズマ処理を行うことが求められている。
【０００３】例えば、ドライエッチングの場合において
は、高真空において高密度プラズマを発生させると、被
処理物である基板の表面に形成されるイオンシース中で
イオンが中性ガス粒子等と衝突する確率が小さくなるた
めに、イオンの方向性が被処理物の表面に垂直な方向に
揃うことになる。また、処理ガスの電離度が高いために
基板に到達するイオン入射粒子束の中性ラジカルに対す
る比率が大きくなる。したがって、エッチング異方性が
高められ、高アスペクト比の加工が可能となる。
は、高真空において高密度プラズマを発生させると、被
処理物である基板の表面に形成されるイオンシース中で
イオンが中性ガス粒子等と衝突する確率が小さくなるた
めに、イオンの方向性が被処理物の表面に垂直な方向に
揃うことになる。また、処理ガスの電離度が高いために
基板に到達するイオン入射粒子束の中性ラジカルに対す
る比率が大きくなる。したがって、エッチング異方性が
高められ、高アスペクト比の加工が可能となる。
【０００４】また、プラズマＣＶＤの場合においては、
高真空において高密度プラズマを発生させると、イオン
によるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め
込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込み
が可能となる。
高真空において高密度プラズマを発生させると、イオン
によるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め
込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込み
が可能となる。
【０００５】高真空において高密度プラズマを発生させ
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、平面状
渦形放電コイルに高周波電圧を印加することによって真
空容器内にプラズマを発生させる高周波誘導方式のプラ
ズマ処理装置がある。この方式のプラズマ処理装置は、
真空容器内に高周波磁界を発生させ、その高周波磁界に
よって真空容器内に誘導電界を発生させて電子の加速を
行い、プラズマを発生させるもので、放電コイル電流を
大きくすれば高真空においても高密度プラズマを発生す
ることができ、十分な処理速度を得ることができる。
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、平面状
渦形放電コイルに高周波電圧を印加することによって真
空容器内にプラズマを発生させる高周波誘導方式のプラ
ズマ処理装置がある。この方式のプラズマ処理装置は、
真空容器内に高周波磁界を発生させ、その高周波磁界に
よって真空容器内に誘導電界を発生させて電子の加速を
行い、プラズマを発生させるもので、放電コイル電流を
大きくすれば高真空においても高密度プラズマを発生す
ることができ、十分な処理速度を得ることができる。
【０００６】従来の高周波誘導方式のプラズマ処理装置
の一例を図４に示す。図４は従来のプラズマ処理装置の
断面を示したものである。真空容器１の上壁は石英ガラ
スよりなる誘電板３で構成される。この誘電板３上には
図５の平面図に示す平面状渦形放電コイル９が配されて
いる。この平面状渦形放電コイル９に高周波電圧を印加
するために、平面状渦形放電コイル９の中心、点Ａはコ
イル用高周波電源２に接続されており、また平面状渦形
放電コイル９の他端、点Ｂは接地されている。
の一例を図４に示す。図４は従来のプラズマ処理装置の
断面を示したものである。真空容器１の上壁は石英ガラ
スよりなる誘電板３で構成される。この誘電板３上には
図５の平面図に示す平面状渦形放電コイル９が配されて
いる。この平面状渦形放電コイル９に高周波電圧を印加
するために、平面状渦形放電コイル９の中心、点Ａはコ
イル用高周波電源２に接続されており、また平面状渦形
放電コイル９の他端、点Ｂは接地されている。
【０００７】ガス供給口７より処理ガスを真空容器１内
に導入しながら、ガス排気口８より排気を行い、真空容
器１内を適当な圧力に保つ。このとき平面状渦形放電コ
イル９に高周波電圧を印加すると真空容器１内にプラズ
マが発生し、電極５上に載置されたシリコン基板６に対
してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行
うことができる。このとき電極用高周波電源１０を用い
て電極５にも高周波電圧を印加することにより、シリコ
ン基板６に到達するイオンエネルギーを制御することが
できる。
に導入しながら、ガス排気口８より排気を行い、真空容
器１内を適当な圧力に保つ。このとき平面状渦形放電コ
イル９に高周波電圧を印加すると真空容器１内にプラズ
マが発生し、電極５上に載置されたシリコン基板６に対
してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行
うことができる。このとき電極用高周波電源１０を用い
て電極５にも高周波電圧を印加することにより、シリコ
ン基板６に到達するイオンエネルギーを制御することが
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示した従来のプラズマ処理方法では、誘電板の内壁面の
うち、中心付近がスパッタリングされ、誘電板３を構成
する物質が基板６上に降り落ちたり、基板６の表面に不
純物として取り込まれてしまうという問題点や、誘電板
３の寿命が短いという問題点があった。これは誘電板３
の上に配される平面状渦形放電コイル９に印加される高
周波電圧の振幅が平面状渦形放電コイル９の中心点Ａに
近いほど大きく、誘電板３の内壁面のうち、中心付近が
大きく負に帯電するためである。
示した従来のプラズマ処理方法では、誘電板の内壁面の
うち、中心付近がスパッタリングされ、誘電板３を構成
する物質が基板６上に降り落ちたり、基板６の表面に不
純物として取り込まれてしまうという問題点や、誘電板
３の寿命が短いという問題点があった。これは誘電板３
の上に配される平面状渦形放電コイル９に印加される高
周波電圧の振幅が平面状渦形放電コイル９の中心点Ａに
近いほど大きく、誘電板３の内壁面のうち、中心付近が
大きく負に帯電するためである。
【０００９】この問題を回避する方法として、図６に示
すように誘電板３の中心付近を厚くして、平面状渦形放
電コイル９と誘電板３の内壁面との距離が、平面状渦形
放電コイル９の中心付近で大きくなるようにすることに
より、誘電板３の内壁面のうち、特に中心付近で発生す
る負の帯電を緩和することが考えられた。しかし、この
ような構成では誘電板３の内壁面に角部が存在してい
る。誘電板３に付着する処理ガスによる堆積物は、その
膜厚が一定以上になると剥がれ落ち、基板６を汚染して
しまうが、角部では平面部よりも膜厚が小さい段階で、
堆積物が剥がれ落ちてしまう。従って、角部が存在する
誘電板３にあっては、堆積物を取り除くメンテナンスを
行う頻度が高くなるという問題点がある。また、誘電板
３の内壁面の形状が複雑であるため、メンテナンス作業
の効率が悪いという問題点もある。
すように誘電板３の中心付近を厚くして、平面状渦形放
電コイル９と誘電板３の内壁面との距離が、平面状渦形
放電コイル９の中心付近で大きくなるようにすることに
より、誘電板３の内壁面のうち、特に中心付近で発生す
る負の帯電を緩和することが考えられた。しかし、この
ような構成では誘電板３の内壁面に角部が存在してい
る。誘電板３に付着する処理ガスによる堆積物は、その
膜厚が一定以上になると剥がれ落ち、基板６を汚染して
しまうが、角部では平面部よりも膜厚が小さい段階で、
堆積物が剥がれ落ちてしまう。従って、角部が存在する
誘電板３にあっては、堆積物を取り除くメンテナンスを
行う頻度が高くなるという問題点がある。また、誘電板
３の内壁面の形状が複雑であるため、メンテナンス作業
の効率が悪いという問題点もある。
【００１０】本発明は上記従来の問題点に鑑み、誘電板
３の内壁面のうち、中心付近で特に発生するスパッタリ
ングを抑制するとともに、メンテナンス頻度が低く、メ
ンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理装置および
方法を提供することを目的としている。
３の内壁面のうち、中心付近で特に発生するスパッタリ
ングを抑制するとともに、メンテナンス頻度が低く、メ
ンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理装置および
方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、プラズマ処理装置において、真空容器
の上壁を構成する誘電板の内壁面および外壁面を平面と
し、誘電板の外側に設けられる渦形放電コイルは、中心
に近いほど誘電板の内壁面との距離が大きい構造（以
下、ドーム状渦形放電コイル）とする。これにより、誘
電板の内壁面のうち、中心付近が特にスパッタリングさ
れることを防ぐことができる。
めに本発明では、プラズマ処理装置において、真空容器
の上壁を構成する誘電板の内壁面および外壁面を平面と
し、誘電板の外側に設けられる渦形放電コイルは、中心
に近いほど誘電板の内壁面との距離が大きい構造（以
下、ドーム状渦形放電コイル）とする。これにより、誘
電板の内壁面のうち、中心付近が特にスパッタリングさ
れることを防ぐことができる。
【００１２】また、誘電板の内壁面が平面であることか
ら、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度
が低く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ
処理装置および方法を提供することが可能となる。
ら、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度
が低く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ
処理装置および方法を提供することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の
外側に設けたドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電
コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源
よりなるプラズマ処理装置である。なお、前記誘電板の
内壁面および外壁面は平面である。
は、上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の
外側に設けたドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電
コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源
よりなるプラズマ処理装置である。なお、前記誘電板の
内壁面および外壁面は平面である。
【００１４】本発明によれば、誘電板の内壁面のうち、
特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことが
できる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、
誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低
く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理
装置を提供することが可能となる。
特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことが
できる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、
誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低
く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理
装置を提供することが可能となる。
【００１５】本発明の請求項２に記載の発明は、上壁は
誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設け
たドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中
心に高周波電圧を印加するための高周波電源とを用いて
行うプラズマ処理方法であり、前記誘電板の内壁面およ
び外壁面は平面となっている。
誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設け
たドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中
心に高周波電圧を印加するための高周波電源とを用いて
行うプラズマ処理方法であり、前記誘電板の内壁面およ
び外壁面は平面となっている。
【００１６】本発明によれば、誘電板の内壁面のうち、
特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことが
できる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、
誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低
く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理
が可能となる。
特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことが
できる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、
誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低
く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理
が可能となる。
【００１７】本発明の請求項３に記載の発明は、渦形放
電コイルの一部または全部を多重の渦形放電コイルで構
成するプラズマ処理装置である。
電コイルの一部または全部を多重の渦形放電コイルで構
成するプラズマ処理装置である。
【００１８】本発明によれば渦形放電コイルのインダク
タンスが極めて小さくなるため、高周波電源と渦形放電
コイルのマッチング特性が優れたプラズマ処理装置を提
供することができる。
タンスが極めて小さくなるため、高周波電源と渦形放電
コイルのマッチング特性が優れたプラズマ処理装置を提
供することができる。
【００１９】以下、本発明の一実施形態について図１お
よび図２を用いて説明する。図１に本発明の実施の形態
であるプラズマ処理装置の断面図を示す。真空容器１の
上壁は石英ガラスよりなる誘電板３で構成される。この
誘電板３の外壁面上に沿ってドーム状渦形放電コイル４
が配されている。このドーム状渦形放電コイル４は図２
に示すように多重すなわち４つのドーム状渦形放電コイ
ルによって構成されている。これら４つのドーム状渦形
放電コイル４に高周波電圧を印加するために、それぞれ
のドーム状渦形放電コイル４の中心、点Ａはコイル用高
周波電源２に接続されており、またドーム状渦形放電コ
イル４のそれぞれの他端、点Ｂ１ないしＢ４は接地され
ている。
よび図２を用いて説明する。図１に本発明の実施の形態
であるプラズマ処理装置の断面図を示す。真空容器１の
上壁は石英ガラスよりなる誘電板３で構成される。この
誘電板３の外壁面上に沿ってドーム状渦形放電コイル４
が配されている。このドーム状渦形放電コイル４は図２
に示すように多重すなわち４つのドーム状渦形放電コイ
ルによって構成されている。これら４つのドーム状渦形
放電コイル４に高周波電圧を印加するために、それぞれ
のドーム状渦形放電コイル４の中心、点Ａはコイル用高
周波電源２に接続されており、またドーム状渦形放電コ
イル４のそれぞれの他端、点Ｂ１ないしＢ４は接地され
ている。
【００２０】図１においてガス供給口７よりＣ4Ｆ8とＨ
2の混合ガスを真空容器１内に導入しながら、ガス排気
口８より排気を行い、真空容器１内の圧力を１０ｍＴｏ
ｒｒに保つ。このときコイル用高周波電源２によりドー
ム状渦形放電コイル４に１０００Ｗの高周波電圧を印加
することにより真空容器１内にプラズマを発生させ、電
極５上に載置されたシリコン基板６に対してエッチング
を行うことができる。このとき電極用高周波電源１０を
用いて電極５にも３００Ｗの高周波電圧を印加すること
により、シリコン基板６に到達するイオンエネルギーを
制御することができる。Ｃ4Ｆ8とＨ2の流量はそれぞれ
５０ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍである。
2の混合ガスを真空容器１内に導入しながら、ガス排気
口８より排気を行い、真空容器１内の圧力を１０ｍＴｏ
ｒｒに保つ。このときコイル用高周波電源２によりドー
ム状渦形放電コイル４に１０００Ｗの高周波電圧を印加
することにより真空容器１内にプラズマを発生させ、電
極５上に載置されたシリコン基板６に対してエッチング
を行うことができる。このとき電極用高周波電源１０を
用いて電極５にも３００Ｗの高周波電圧を印加すること
により、シリコン基板６に到達するイオンエネルギーを
制御することができる。Ｃ4Ｆ8とＨ2の流量はそれぞれ
５０ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍである。
【００２１】この条件下で５００ｎｍ厚のシリコン酸化
膜付きのシリコン基板６を、１枚当たり約１分３０秒の
時間をかけて１００枚連続でエッチングした。比較のた
めに図４および図６に示した従来のプラズマ処理装置を
用いて実験を行った。この結果、図４に示した従来のプ
ラズマ処理装置では誘電板３の内壁面の中心付近がスパ
ッタリングされ、また図６に示した従来のプラズマ処理
装置においては、誘電板３の内壁面に付着する堆積物で
あるフッ化炭素系ポリマーがシリコン基板６の上に落下
して付着したのに対して、本発明のプラズマ処理装置に
おいては誘電板３のスパッタリングや、シリコン基板６
への堆積物の落下は認められなかった。
膜付きのシリコン基板６を、１枚当たり約１分３０秒の
時間をかけて１００枚連続でエッチングした。比較のた
めに図４および図６に示した従来のプラズマ処理装置を
用いて実験を行った。この結果、図４に示した従来のプ
ラズマ処理装置では誘電板３の内壁面の中心付近がスパ
ッタリングされ、また図６に示した従来のプラズマ処理
装置においては、誘電板３の内壁面に付着する堆積物で
あるフッ化炭素系ポリマーがシリコン基板６の上に落下
して付着したのに対して、本発明のプラズマ処理装置に
おいては誘電板３のスパッタリングや、シリコン基板６
への堆積物の落下は認められなかった。
【００２２】本実施の形態では、ドーム状渦形放電コイ
ル４として、多重のドーム状渦形放電コイル４を用いた
が、図３（ａ）または（ｂ）に示すような一部多重のド
ーム状渦形放電コイル、あるいは多重ではない単一のド
ーム状渦形放電コイル、すなわち図５に示した平面状渦
形放電コイル９をドーム状にしたものを用いてもよい。
ル４として、多重のドーム状渦形放電コイル４を用いた
が、図３（ａ）または（ｂ）に示すような一部多重のド
ーム状渦形放電コイル、あるいは多重ではない単一のド
ーム状渦形放電コイル、すなわち図５に示した平面状渦
形放電コイル９をドーム状にしたものを用いてもよい。
【００２３】また、本実施の形態では、ドーム状渦形放
電コイル４を、外壁がドーム形状である誘電板３で支え
る方法を示したが、誘電板３の内壁面が平面でかつ渦形
放電コイルがドーム状であれば、本発明の効果は得られ
る。従って、例えば誘電板３は内壁面および外壁面がと
もに平面で、ドーム状渦形放電コイル４が上方から吊り
下げられる構成でもよい。
電コイル４を、外壁がドーム形状である誘電板３で支え
る方法を示したが、誘電板３の内壁面が平面でかつ渦形
放電コイルがドーム状であれば、本発明の効果は得られ
る。従って、例えば誘電板３は内壁面および外壁面がと
もに平面で、ドーム状渦形放電コイル４が上方から吊り
下げられる構成でもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明では、プラズマ処理
装置において、真空容器の上壁を構成する誘電板の内壁
面を平面とし、誘電板の外側に設ける渦形放電コイルの
形状をドーム状とすることにより、誘電板の内壁面のう
ち、中心部分が特にスパッタリングされることを防ぐこ
とができる。
装置において、真空容器の上壁を構成する誘電板の内壁
面を平面とし、誘電板の外側に設ける渦形放電コイルの
形状をドーム状とすることにより、誘電板の内壁面のう
ち、中心部分が特にスパッタリングされることを防ぐこ
とができる。
【００２５】また、誘電板の内壁面に角部が存在しない
ために、付着した堆積物が剥がれにくく、誘電板の堆積
物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低いという効果
を有する。さらに誘電板の内壁面が平面であることか
ら、メンテナンス作業の効率が優れているという効果も
併せもつ。
ために、付着した堆積物が剥がれにくく、誘電板の堆積
物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低いという効果
を有する。さらに誘電板の内壁面が平面であることか
ら、メンテナンス作業の効率が優れているという効果も
併せもつ。
【図１】本発明の実施の形態で用いたプラズマ処理装置
の断面図
の断面図
【図２】本発明の実施の形態で用いた多重のドーム状渦
形放電コイルの平面図
形放電コイルの平面図
【図３】一部多重のドーム状渦形放電コイルの平面図
【図４】従来のプラズマ処理装置の断面図
【図５】平面状の渦形放電コイルの平面図
【図６】従来のプラズマ処理装置の断面図
１ 真空容器 ２ コイル用高周波電源 ３ 誘電板 ４ ドーム状渦形放電コイル ５ 電極 ６ シリコン基板 ７ ガス供給口 ８ ガス排気口 ９ 平面状渦形放電コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−279984（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267903（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−130491（ＪＰ，Ａ) 登録実用新案3017021（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/205 H05H 1/46
Claims (3)
- 【請求項１】 上壁を誘電板で構成した真空容器と、こ
の誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放
電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電
源よりなるプラズマ処理装置であって、前記誘電板の内
壁面および外壁面は平面で、かつ前記渦形放電コイル
は、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が
大きくなるように構成したプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 上壁を誘電板で構成した真空容器と、こ
の誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放
電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電
源とを用いてプラズマ処理をするプラズマ処理方法にお
いて、前記誘電板の内壁面および外壁面を平面として、
かつ前記渦形放電コイルが、その中心に近いほど前記誘
電板の内壁面との距離が大きくなるように構成してプラ
ズマ処理を行なうプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 渦形放電コイルの一部または全部が多重
の渦形であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08031564A JP3123423B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08031564A JP3123423B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232282A JPH09232282A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3123423B2 true JP3123423B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=12334685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08031564A Expired - Lifetime JP3123423B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123423B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100964398B1 (ko) | 2003-01-03 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유도결합형 안테나 및 이를 채용한 플라즈마 처리장치 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP08031564A patent/JP3123423B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09232282A (ja) | 1997-09-05 |
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