JP3117434B2 - 金属を付着する方法 - Google Patents
金属を付着する方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、CVD(Che
mical Vapor Deposition)に関
し、このCVDでは、ニッケルまたはニッケル合金(N
i/Cu,Ni/Coのような)が、ニッケルまたはニ
ッケル合金を受容することのできる金属面に付着され、
これは、受容金属面と接触する少なくとも1種の不活性
分離材と共に、ヨウ化物ソース、好ましくはヨウ化アン
モニウムまたはヨウ化銅のようなヨウ化物塩を用いて行
われる。この発明は、基本的に、モリブデン(Mo)ま
たはタングステン(W)のような高融点金属上に、ニッ
ケル(Ni)のCVDを可能にする。この場合、ニッケ
ル・ソースは、少なくとも1種の不活性材を用いて、メ
ッキされる高融点金属の表面から物理的に分離されてい
る。この不活性材は、ニッケルまたはニッケル合金より
なる少なくとも1つの層で被覆されることが必要な高融
点金属の表面と浮き接触している。
mical Vapor Deposition)に関
し、このCVDでは、ニッケルまたはニッケル合金(N
i/Cu,Ni/Coのような)が、ニッケルまたはニ
ッケル合金を受容することのできる金属面に付着され、
これは、受容金属面と接触する少なくとも1種の不活性
分離材と共に、ヨウ化物ソース、好ましくはヨウ化アン
モニウムまたはヨウ化銅のようなヨウ化物塩を用いて行
われる。この発明は、基本的に、モリブデン(Mo)ま
たはタングステン(W)のような高融点金属上に、ニッ
ケル(Ni)のCVDを可能にする。この場合、ニッケ
ル・ソースは、少なくとも1種の不活性材を用いて、メ
ッキされる高融点金属の表面から物理的に分離されてい
る。この不活性材は、ニッケルまたはニッケル合金より
なる少なくとも1つの層で被覆されることが必要な高融
点金属の表面と浮き接触している。
【0002】
【従来の技術】エレクトロニクス産業では、既存の高融
点金属の表面を、ろう付け可能またはハンダ付け可能な
面で、被覆すなわちコーティングすることがしばしば望
まれている。このような方法に対する応用例は、例えば
I/Oパッド,ワイヤボンディング・パッド,C4(C
ontrolled Collapse Chip C
onnection),シールドバンドを含んでいる
が、これらに限られるものではない。
点金属の表面を、ろう付け可能またはハンダ付け可能な
面で、被覆すなわちコーティングすることがしばしば望
まれている。このような方法に対する応用例は、例えば
I/Oパッド,ワイヤボンディング・パッド,C4(C
ontrolled Collapse Chip C
onnection),シールドバンドを含んでいる
が、これらに限られるものではない。
【0003】既存の高融点金属の表面を、ろう付け可能
またはハンダ付け可能な面で、被覆すなわちコーティン
グするために、産業上多くの方法が利用され実施されて
いる。マイクロエレクトロニク・パッケージングの分野
において、高融点金属の表面を処理するために最も一般
的に用いられている方法は、室温または室温に近い水溶
液槽で、純粋またはほぼ純粋のNi(ニッケル)膜を電
解メッキまたは無電解メッキする方法である。
またはハンダ付け可能な面で、被覆すなわちコーティン
グするために、産業上多くの方法が利用され実施されて
いる。マイクロエレクトロニク・パッケージングの分野
において、高融点金属の表面を処理するために最も一般
的に用いられている方法は、室温または室温に近い水溶
液槽で、純粋またはほぼ純粋のNi(ニッケル)膜を電
解メッキまたは無電解メッキする方法である。
【0004】ニッケルは、一般に、高融点金属をメッキ
するために特に選ばれた金属である。というのは、ニッ
ケルはあらゆる高融点金属と良好に接合させることがで
きるからである。さらにNiは、ろう付けまたはハンダ
付けのような接合処理に、良好な濡れ特性を持ってお
り、およびNiは優れた腐食特性を有している。
するために特に選ばれた金属である。というのは、ニッ
ケルはあらゆる高融点金属と良好に接合させることがで
きるからである。さらにNiは、ろう付けまたはハンダ
付けのような接合処理に、良好な濡れ特性を持ってお
り、およびNiは優れた腐食特性を有している。
【0005】最近、モリブデンまたはタングステン上に
ニッケルをメッキするために、いくつかの高温ドライの
ハロゲン化物移行処理が開示され、その後、産業界で用
いられてきた。
ニッケルをメッキするために、いくつかの高温ドライの
ハロゲン化物移行処理が開示され、その後、産業界で用
いられてきた。
【0006】米国特許第4,590,095号(Par
k)明細書に開示された1つの方法は、パック拡散浸透
の手法を用いている。パック拡散浸透の基本部材は、粉
末金属ソースと、活性剤と、メッキされる対象物とであ
る。基本的に、これら部材は、チャンバ内に配置され、
メッキ対象物は、粉末金属ソースと、活性剤と、アルミ
ナのような不活性セラミック粉末との混合物内に埋め込
まれ、高温に加熱されて、蒸発移行が行われる。このプ
ロセスは、ガス種の物質移行を可能にする。このPar
kの方法は、金属ソースとして純粋のニッケル粉末が用
いられ、用いられた活性剤は、ヨウ化アンモニウムであ
った。
k)明細書に開示された1つの方法は、パック拡散浸透
の手法を用いている。パック拡散浸透の基本部材は、粉
末金属ソースと、活性剤と、メッキされる対象物とであ
る。基本的に、これら部材は、チャンバ内に配置され、
メッキ対象物は、粉末金属ソースと、活性剤と、アルミ
ナのような不活性セラミック粉末との混合物内に埋め込
まれ、高温に加熱されて、蒸発移行が行われる。このプ
ロセスは、ガス種の物質移行を可能にする。このPar
kの方法は、金属ソースとして純粋のニッケル粉末が用
いられ、用いられた活性剤は、ヨウ化アンモニウムであ
った。
【0007】ヨウ化物移行プロセスのためのパック拡散
浸透手法から進歩した技術が、米国特許第4,664,
942号(Park)明細書に開示されている。このケ
ースにおいても、ヨウ化アンモニウムおよび純粋のニッ
ケルは、ハロゲン化物移行プロセスについて、依然とし
て重要な部材である。しかし、このケースでは、ニッケ
ル粉末よりもむしろニッケル・スクリーンが、金属ソー
スとして用いられている。高融点金属の露出面を含むメ
ッキ対象物は、積み重ねられて配置され、ニッケル・ス
クリーンは、反応容器すなわちワークボート内で、セパ
レータとして働く。このプロセスのためのヨウ化アンモ
ニウムは、ワークボート内の単独のるつぼに保持され
る。部材は、再び高温に加熱されて、蒸発移行が行われ
る。オープンなニッケル・スクリーンは、ガス種の物質
移行を許容し、ニッケル・ソースとして働く。
浸透手法から進歩した技術が、米国特許第4,664,
942号(Park)明細書に開示されている。このケ
ースにおいても、ヨウ化アンモニウムおよび純粋のニッ
ケルは、ハロゲン化物移行プロセスについて、依然とし
て重要な部材である。しかし、このケースでは、ニッケ
ル粉末よりもむしろニッケル・スクリーンが、金属ソー
スとして用いられている。高融点金属の露出面を含むメ
ッキ対象物は、積み重ねられて配置され、ニッケル・ス
クリーンは、反応容器すなわちワークボート内で、セパ
レータとして働く。このプロセスのためのヨウ化アンモ
ニウムは、ワークボート内の単独のるつぼに保持され
る。部材は、再び高温に加熱されて、蒸発移行が行われ
る。オープンなニッケル・スクリーンは、ガス種の物質
移行を許容し、ニッケル・ソースとして働く。
【0008】特に最近、他の改良が、米国特許出願第0
8/668,295号(Reddy等)“CVD OF
METALS CAPABLE OF RECEIV
ING NICKEL OR ALLOYS THER
EOF USING IODIDE”に提案されてい
る。この米国特許は、現在、本出願人に譲渡されてお
り、その内容は本出願の内容として引用される。この米
国特許では、種々の効果を与える好適なヨウ化物活性剤
として、CuIが開示されている。
8/668,295号(Reddy等)“CVD OF
METALS CAPABLE OF RECEIV
ING NICKEL OR ALLOYS THER
EOF USING IODIDE”に提案されてい
る。この米国特許は、現在、本出願人に譲渡されてお
り、その内容は本出願の内容として引用される。この米
国特許では、種々の効果を与える好適なヨウ化物活性剤
として、CuIが開示されている。
【0009】一般に、ハロゲン化物移行金属付着プロセ
スについては、固体金属ソース材料と、メッキすべき金
属の領域とを、互いに物理的に近接するように保持する
ことが非常に望まれる。この近接状態は、プロセス中に
金属付着に適切な速度を維持するために必要である。
スについては、固体金属ソース材料と、メッキすべき金
属の領域とを、互いに物理的に近接するように保持する
ことが非常に望まれる。この近接状態は、プロセス中に
金属付着に適切な速度を維持するために必要である。
【0010】既知のハロゲン化物移行プロセスの各々に
おいて、金属ソースの材料,粉末またはスクリーンは、
メッキされる高融点金属の表面に、物理的に近接して保
持されているが、さらに、各アセンブリの特定の幾何学
的構造の故に、金属ソース材料を、少なくともいくつか
の箇所に設け、また、メッキされる金属面と物理的に直
接接触させることができる。既知のプロセスのうちのい
ずれかを用いる付着プロセスの際に、ソース金属とター
ゲット領域とを互いに接触させると、ソース金属とター
ゲット領域、すなわちソースとシンクとが互いに溶着し
て、接合を形成することが発見されている。付着プロセ
スが完了した後に、ニッケル・メッキされた部品および
他のアセンブリ材料が分離されると、付着ニッケル膜内
に欠陥が容易に観察される。この欠陥は、タフィーパー
ティ(taffy pull)の金属、または一片の金
属くず、または付着ニッケル膜の欠損などの形態をと
る。この状態は、通常、部品またはワークピースを不良
にする。
おいて、金属ソースの材料,粉末またはスクリーンは、
メッキされる高融点金属の表面に、物理的に近接して保
持されているが、さらに、各アセンブリの特定の幾何学
的構造の故に、金属ソース材料を、少なくともいくつか
の箇所に設け、また、メッキされる金属面と物理的に直
接接触させることができる。既知のプロセスのうちのい
ずれかを用いる付着プロセスの際に、ソース金属とター
ゲット領域とを互いに接触させると、ソース金属とター
ゲット領域、すなわちソースとシンクとが互いに溶着し
て、接合を形成することが発見されている。付着プロセ
スが完了した後に、ニッケル・メッキされた部品および
他のアセンブリ材料が分離されると、付着ニッケル膜内
に欠陥が容易に観察される。この欠陥は、タフィーパー
ティ(taffy pull)の金属、または一片の金
属くず、または付着ニッケル膜の欠損などの形態をと
る。この状態は、通常、部品またはワークピースを不良
にする。
【0011】この発明は、ニッケル金属が高融点金属面
上に無電解付着されるハロゲン化物移行プロセスにおい
て、ワークボートを構成する新しい方法を教示する。こ
の発明の方法によれば、金属ソースとメッキされる高融
点金属面とは、物理的に近接して保持され、急速な付着
速度を実現するが、少なくとも1種の不活性分離材が、
受容金属面と接触して、ソース金属と受容金属面とが、
互いに物理的に完全に分離して保持される。この発明に
よれば、ソースとシンクとが接触し溶着して接合を形成
する機会は存在しない。したがって、金属ソースと高融
点金属とが接触するときに発生する不良欠陥(従来技術
で生じる)を、完全に避けることができる。
上に無電解付着されるハロゲン化物移行プロセスにおい
て、ワークボートを構成する新しい方法を教示する。こ
の発明の方法によれば、金属ソースとメッキされる高融
点金属面とは、物理的に近接して保持され、急速な付着
速度を実現するが、少なくとも1種の不活性分離材が、
受容金属面と接触して、ソース金属と受容金属面とが、
互いに物理的に完全に分離して保持される。この発明に
よれば、ソースとシンクとが接触し溶着して接合を形成
する機会は存在しない。したがって、金属ソースと高融
点金属とが接触するときに発生する不良欠陥(従来技術
で生じる)を、完全に避けることができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
の目的は、ニッケル・ソースを物理的に分離するため
に、受容金属面と接触する少なくとも1種の不活性分離
材を用い、活性剤としてヨウ化物、好ましくはヨウ化塩
を用いて、ニッケルまたはニッケル合金を、高融点金属
の表面に付着する方法を提供することにある。
の目的は、ニッケル・ソースを物理的に分離するため
に、受容金属面と接触する少なくとも1種の不活性分離
材を用い、活性剤としてヨウ化物、好ましくはヨウ化塩
を用いて、ニッケルまたはニッケル合金を、高融点金属
の表面に付着する方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、ヨウ化物を
用いたCVD(Chemical Vapor Dep
osition)プロセスを使用し、およびニッケル・
ソースを物理的に分離するために、受容金属面と接触す
る少なくとも1種の不活性分離材を用いて、ニッケルま
たはニッケル合金を、高融点金属の表面に付着する新規
な方法である。
用いたCVD(Chemical Vapor Dep
osition)プロセスを使用し、およびニッケル・
ソースを物理的に分離するために、受容金属面と接触す
る少なくとも1種の不活性分離材を用いて、ニッケルま
たはニッケル合金を、高融点金属の表面に付着する新規
な方法である。
【0014】したがって一態様では、この発明は、少な
くとも1種のソース金属を、基板に接合された少なくと
も1種の受容金属の上に付着する方法において、(a)
前記受容金属を含む前記基板を、少なくとも1種のソー
ス金属を含むチャンバ内に配置するステップを含み、少
なくとも1種の不活性材の少なくとも一部が、前記少な
くとも1種の受容金属の少なくとも一部に、浮き接触し
ており、(b)前記チャンバおよびその内容物を、非酸
化雰囲気中で、最大約200分の間、約700℃〜約1
000℃の温度に加熱するステップと、(c)前記チャ
ンバおよびその内容物を冷却し、前記受容金属へ、前記
ソース金属よりなる少なくとも1つの層を付着させるス
テップと、(d)前記受容金属へ付着された前記ソース
金属よりなる層を含む前記基板を、前記チャンバから取
り出すステップと、を含んでいる。
くとも1種のソース金属を、基板に接合された少なくと
も1種の受容金属の上に付着する方法において、(a)
前記受容金属を含む前記基板を、少なくとも1種のソー
ス金属を含むチャンバ内に配置するステップを含み、少
なくとも1種の不活性材の少なくとも一部が、前記少な
くとも1種の受容金属の少なくとも一部に、浮き接触し
ており、(b)前記チャンバおよびその内容物を、非酸
化雰囲気中で、最大約200分の間、約700℃〜約1
000℃の温度に加熱するステップと、(c)前記チャ
ンバおよびその内容物を冷却し、前記受容金属へ、前記
ソース金属よりなる少なくとも1つの層を付着させるス
テップと、(d)前記受容金属へ付着された前記ソース
金属よりなる層を含む前記基板を、前記チャンバから取
り出すステップと、を含んでいる。
【0015】他の態様では、この発明は、ニッケルまた
はニッケル合金を、基板に接合された少なくとも1種の
受容金属の上に付着する方法において、(a)前記受容
金属を含む前記基板を、少なくとも1種の単独のニッケ
ルまたはニッケル合金と、少なくとも1種のヨウ化物ソ
ースの単独部分とを含むチャンバ内に配置するステップ
を含み、少なくとも1種の不活性材の少なくとも一部
が、前記少なくとも1種の受容金属の少なくとも一部
に、浮き接触しており、(b)前記チャンバおよびその
内容物を、非酸化雰囲気中で、最大約200分の間、約
700℃〜約1000℃の温度に加熱するステップと、
(c)前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ニッケルまたはニッケル合金よりなる少
なくとも1つの層を付着させるステップと、(d)前記
受容金属へ付着された前記ニッケルまたはニッケル合金
よりなる層を含んでいる。
はニッケル合金を、基板に接合された少なくとも1種の
受容金属の上に付着する方法において、(a)前記受容
金属を含む前記基板を、少なくとも1種の単独のニッケ
ルまたはニッケル合金と、少なくとも1種のヨウ化物ソ
ースの単独部分とを含むチャンバ内に配置するステップ
を含み、少なくとも1種の不活性材の少なくとも一部
が、前記少なくとも1種の受容金属の少なくとも一部
に、浮き接触しており、(b)前記チャンバおよびその
内容物を、非酸化雰囲気中で、最大約200分の間、約
700℃〜約1000℃の温度に加熱するステップと、
(c)前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ニッケルまたはニッケル合金よりなる少
なくとも1つの層を付着させるステップと、(d)前記
受容金属へ付着された前記ニッケルまたはニッケル合金
よりなる層を含んでいる。
【0016】さらに他の態様では、この発明は、接合さ
れた少なくとも1種の受容金属を有する少なくとも1種
の基板と、前記少なくとも1種の受容金属から、少なく
とも1種のソース金属を物理的に分離する少なくとも1
種の不活性材とを含む容器を備えている。
れた少なくとも1種の受容金属を有する少なくとも1種
の基板と、前記少なくとも1種の受容金属から、少なく
とも1種のソース金属を物理的に分離する少なくとも1
種の不活性材とを含む容器を備えている。
【0017】
【発明の実施の形態】この発明は、金属ソースと金属付
着の領域との間の物理的分離を与える高温ハロゲン化物
移行反応プロセスを開示するが、同時に金属ソースと金
属付着の領域とを非常に近接して保持して、移行プロセ
スの効率的で一様でタイムリーな進行を可能にする。
着の領域との間の物理的分離を与える高温ハロゲン化物
移行反応プロセスを開示するが、同時に金属ソースと金
属付着の領域とを非常に近接して保持して、移行プロセ
スの効率的で一様でタイムリーな進行を可能にする。
【0018】この発明では、移行され付着される金属
は、ニッケルまたはニッケル合金であり、ニッケルでメ
ッキされるターゲット領域は、タングステンまたはモリ
ブデンのような高融点金属であり、用いられるハロゲン
化物キャリアガスは、ヨウ化物である。しかし、この発
明の本来の目的は、同様の構造の他のハロゲン化物移行
プロセスに、直接に適用できる。
は、ニッケルまたはニッケル合金であり、ニッケルでメ
ッキされるターゲット領域は、タングステンまたはモリ
ブデンのような高融点金属であり、用いられるハロゲン
化物キャリアガスは、ヨウ化物である。しかし、この発
明の本来の目的は、同様の構造の他のハロゲン化物移行
プロセスに、直接に適用できる。
【0019】1つの解決方法は、ソース金属とターゲッ
ト付着とが、物理的に直接に接触できないが、ソースと
シンクとが物理的に近接し、ソースとシンクとの間のガ
ス移行が、あまり阻止されない反応構造を与えることで
ある。
ト付着とが、物理的に直接に接触できないが、ソースと
シンクとが物理的に近接し、ソースとシンクとの間のガ
ス移行が、あまり阻止されない反応構造を与えることで
ある。
【0020】ハロゲン化物移行プロセスにおいて、ソー
ス金属と高融点金属との間の物理的分離は、この発明に
よれば、なくとも1種の不活性分離材で、高融点金属タ
ーゲットからソース・ニッケルを分離することによって
行われる。不活性分離材は、分離材を経るガスの通過が
あまり阻止されないように構成することが必要である。
ガス種は、メッキを行うためには、ソース金属と付着面
との間の移動が許されなければならない。さらに、不活
性材は、ヨウ化物の雰囲気に対しては無反応であること
が必要であり、好ましくは、アルミナ,炭素(黒鉛),
シリカ,ジルコニア,これらの混合物である。
ス金属と高融点金属との間の物理的分離は、この発明に
よれば、なくとも1種の不活性分離材で、高融点金属タ
ーゲットからソース・ニッケルを分離することによって
行われる。不活性分離材は、分離材を経るガスの通過が
あまり阻止されないように構成することが必要である。
ガス種は、メッキを行うためには、ソース金属と付着面
との間の移動が許されなければならない。さらに、不活
性材は、ヨウ化物の雰囲気に対しては無反応であること
が必要であり、好ましくは、アルミナ,炭素(黒鉛),
シリカ,ジルコニア,これらの混合物である。
【0021】分離材の形態は、2つのタイプ、すなわち
再使用可能か使い捨て可能かのいずれかとすることがで
きる。再使用可能な分離材の例は、薄い多孔質タイル,
繊維状布,セラミック分離材,またはセラミック被覆の
金属メッシュ・スクリーンを含むが、これに限定されな
い。使い捨て可能な分離材の例は、犠牲紙,密でないセ
ラミック粒子,または不活性ファイバを含むが、これら
に限定されない。これらの分離材は、付着の前に、ニッ
ケル・ソースと高融点金属との間の界面に、容易に散布
され、付着反応が終了したときに除去される。除去は、
分離材を簡単に除去し、あるいは圧縮ガスで吹き飛ば
し、またはスプレーで洗浄する等によって、適宜に行わ
れる。
再使用可能か使い捨て可能かのいずれかとすることがで
きる。再使用可能な分離材の例は、薄い多孔質タイル,
繊維状布,セラミック分離材,またはセラミック被覆の
金属メッシュ・スクリーンを含むが、これに限定されな
い。使い捨て可能な分離材の例は、犠牲紙,密でないセ
ラミック粒子,または不活性ファイバを含むが、これら
に限定されない。これらの分離材は、付着の前に、ニッ
ケル・ソースと高融点金属との間の界面に、容易に散布
され、付着反応が終了したときに除去される。除去は、
分離材を簡単に除去し、あるいは圧縮ガスで吹き飛ば
し、またはスプレーで洗浄する等によって、適宜に行わ
れる。
【0022】不活性分離材と共に用いられる金属ソース
材料は、例えば金属箔,金属粉末,金属プレート,金属
スクリーンを含む(しかし、これらに限定されるもので
はない)いくつかの形態のうちのいずれかとすることが
できる。しかし、好ましい形態は、通常は、単純な非多
孔質の固体金属箔である。非多孔質の固体金属箔は、幾
何学的観点から最も便利であり、分離材によって全体的
に支持され、ソース金属とメッキ面との間に最も均一な
距離を与え、最も簡単に扱うことができ、最も安価であ
り最も容易に得られる。
材料は、例えば金属箔,金属粉末,金属プレート,金属
スクリーンを含む(しかし、これらに限定されるもので
はない)いくつかの形態のうちのいずれかとすることが
できる。しかし、好ましい形態は、通常は、単純な非多
孔質の固体金属箔である。非多孔質の固体金属箔は、幾
何学的観点から最も便利であり、分離材によって全体的
に支持され、ソース金属とメッキ面との間に最も均一な
距離を与え、最も簡単に扱うことができ、最も安価であ
り最も容易に得られる。
【0023】まず、金属箔または金属プレートのような
非多孔質の金属ソースを用いるときには、ガス種は金属
バリアを通過できないので、付着反応効率は良くないこ
とが推定できる。しかし、このことは、例えばヨウ化物
によるニッケル移行におけるように、ハロゲン化物移行
プロセスに対しては、事実ではない。付着プロセスは、
キャリアガス(好適な実施例ではヨウ化物である)の反
応によって作用する。ヨウ化物ガス種は、固体金属ソー
スと反応し、ガス状金属ハロゲン化物を形成する。金属
ハロゲン化物は、メッキすべき金属面に移行し、金属陽
イオンが還元されて付着される。解放されたガス状ヨウ
化物はソース金属に戻り、プロセスを繰り返す。
非多孔質の金属ソースを用いるときには、ガス種は金属
バリアを通過できないので、付着反応効率は良くないこ
とが推定できる。しかし、このことは、例えばヨウ化物
によるニッケル移行におけるように、ハロゲン化物移行
プロセスに対しては、事実ではない。付着プロセスは、
キャリアガス(好適な実施例ではヨウ化物である)の反
応によって作用する。ヨウ化物ガス種は、固体金属ソー
スと反応し、ガス状金属ハロゲン化物を形成する。金属
ハロゲン化物は、メッキすべき金属面に移行し、金属陽
イオンが還元されて付着される。解放されたガス状ヨウ
化物はソース金属に戻り、プロセスを繰り返す。
【0024】したがって、ニッケル箔バリアによって形
成されたギャップに沿って、初期の加熱時に、ヨウ化物
キャリアガスが最初にアセンブリに拡散すると、付着プ
ロセスの間に、このような比較的長い距離にわたって拡
散する必要はない。というのは、キャリア種は、アセン
ブリ内の同一箇所でまたは同一箇所の付近で、何度も何
度も局部的に用いられるからである。
成されたギャップに沿って、初期の加熱時に、ヨウ化物
キャリアガスが最初にアセンブリに拡散すると、付着プ
ロセスの間に、このような比較的長い距離にわたって拡
散する必要はない。というのは、キャリア種は、アセン
ブリ内の同一箇所でまたは同一箇所の付近で、何度も何
度も局部的に用いられるからである。
【0025】このプロセスにおいて、重要な臨界距離
は、前述したソース金属とメッキすべき領域との間の距
離である。この距離は、平坦な非多孔質金属箔および不
活性分離材(付着を生じさせるガス状種の通過をあまり
阻止しない)を用いて、小さく且つ均一に最善に保持さ
れる。
は、前述したソース金属とメッキすべき領域との間の距
離である。この距離は、平坦な非多孔質金属箔および不
活性分離材(付着を生じさせるガス状種の通過をあまり
阻止しない)を用いて、小さく且つ均一に最善に保持さ
れる。
【0026】不活性分離材が、メッキすべき金属面と直
接に接触し得るすべての箇所では、金属付着が阻止また
は部分的に阻止され、かなりの量の金属が分離材の下で
付着せず、金属付着の少ないまたは金属付着のない潜在
的な領域を残し、付着金属の被覆が全体に不均一となる
ことが、本発明の前述した説明によって推定される。ハ
ロゲン化物移行プロセスに対しては、このことは真実で
はない。むしろ、ほとんど予測できないことであるが、
ガス状キャリア種は、不活性分離材の下側、すなわち分
離材とメッキされる高融点金属の表面との間に、金属原
子を移行し付着させた。このメッキは、メッキすべき全
表面上に金属が付着される程度に行われ、厚さが均一で
あることがわかった。さらに、驚くべきことに、メッキ
プロセス中に不活性分離材がどこにあったかの物理的な
痕跡が、クリーニング・プロセス後の表面に残されなか
った。
接に接触し得るすべての箇所では、金属付着が阻止また
は部分的に阻止され、かなりの量の金属が分離材の下で
付着せず、金属付着の少ないまたは金属付着のない潜在
的な領域を残し、付着金属の被覆が全体に不均一となる
ことが、本発明の前述した説明によって推定される。ハ
ロゲン化物移行プロセスに対しては、このことは真実で
はない。むしろ、ほとんど予測できないことであるが、
ガス状キャリア種は、不活性分離材の下側、すなわち分
離材とメッキされる高融点金属の表面との間に、金属原
子を移行し付着させた。このメッキは、メッキすべき全
表面上に金属が付着される程度に行われ、厚さが均一で
あることがわかった。さらに、驚くべきことに、メッキ
プロセス中に不活性分離材がどこにあったかの物理的な
痕跡が、クリーニング・プロセス後の表面に残されなか
った。
【0027】プロセス中の金属原子の不所望な付着によ
って、不活性分離材が実際に浮き上がり、不活性分離材
が、金属ソースとメッキされる面との間の分離材とし
て、それらの目的を果たすことを可能にするが、付着す
る金属膜の厚さまたは品質を低下させないことが、推測
される。ワークボート内のアセンブリ全体の幾何学的構
造によって示される軽い負荷の下に分離材があるときに
も、この状態が存在することが発見された。
って、不活性分離材が実際に浮き上がり、不活性分離材
が、金属ソースとメッキされる面との間の分離材とし
て、それらの目的を果たすことを可能にするが、付着す
る金属膜の厚さまたは品質を低下させないことが、推測
される。ワークボート内のアセンブリ全体の幾何学的構
造によって示される軽い負荷の下に分離材があるときに
も、この状態が存在することが発見された。
【0028】種々の不活性分離材を用いて、いくつかの
テストを行った。各ケースにおいて、モリブデンおよび
タングステンの高融点金属面上に、ニッケルおよびニッ
ケル合金の均一および良好な品質の付着が得られた。さ
らに各ケースにおいて、各部材が互いに物理的に近接し
ている場合でも、不活性分離材によって、ソースとシン
クとが、互いに完全に分離されて保持された。
テストを行った。各ケースにおいて、モリブデンおよび
タングステンの高融点金属面上に、ニッケルおよびニッ
ケル合金の均一および良好な品質の付着が得られた。さ
らに各ケースにおいて、各部材が互いに物理的に近接し
ている場合でも、不活性分離材によって、ソースとシン
クとが、互いに完全に分離されて保持された。
【0029】図1は、本発明の好適な構造の断面図であ
り、この構造によれば、基板10は、例えばタングステ
ン,モリブデンなどの少なくとも1種の高融点金属12
を有し、この高融点金属は、少なくとも1層のニッケル
またはニッケル合金14の少なくとも1つの層を有して
いる。
り、この構造によれば、基板10は、例えばタングステ
ン,モリブデンなどの少なくとも1種の高融点金属12
を有し、この高融点金属は、少なくとも1層のニッケル
またはニッケル合金14の少なくとも1つの層を有して
いる。
【0030】図2および図3は、ハロゲン化物移行プロ
セスに用いられる反応容器の代表的な構造を示す。この
プロセスでは、金属ソースと、高融点金属パッドのよう
なメッキすべき領域とが、分離されて保持される。
セスに用いられる反応容器の代表的な構造を示す。この
プロセスでは、金属ソースと、高融点金属パッドのよう
なメッキすべき領域とが、分離されて保持される。
【0031】図2は、多孔質タイル23のような再使用
可能な分離材23の一例を示し、図3は、不活性セラミ
ック粒子33のような使い捨て可能な分離材33の一例
を示す。
可能な分離材23の一例を示し、図3は、不活性セラミ
ック粒子33のような使い捨て可能な分離材33の一例
を示す。
【0032】図2は、本発明の好適な装置を示してお
り、この装置では、ボートすなわち容器25は、ボック
スすなわちチャンバ28と、少なくとも1つの受け入れ
可能なパネル29とからなる。ボックス28は、特定の
形状,寸法,構造を有さないセラミック容器26のよう
な少なくとも1つのるつぼ26を有している。このるつ
ぼには、ヨウ化物27、好ましくは固体CuI塩27、
または固体ヨウ化アンモニウム塩27が入れられてい
る。また、少なくとも1つの付着金属ソース20、好ま
しくは固体非多孔質ニッケル箔20が設けられている。
付着金属ソース20は、ニッケルまたはニッケル合金よ
りなる群から選ぶことができる。
り、この装置では、ボートすなわち容器25は、ボック
スすなわちチャンバ28と、少なくとも1つの受け入れ
可能なパネル29とからなる。ボックス28は、特定の
形状,寸法,構造を有さないセラミック容器26のよう
な少なくとも1つのるつぼ26を有している。このるつ
ぼには、ヨウ化物27、好ましくは固体CuI塩27、
または固体ヨウ化アンモニウム塩27が入れられてい
る。また、少なくとも1つの付着金属ソース20、好ま
しくは固体非多孔質ニッケル箔20が設けられている。
付着金属ソース20は、ニッケルまたはニッケル合金よ
りなる群から選ぶことができる。
【0033】少なくとも1種のヨウ化物ソースを、例え
ばAgI,CoI2 ,CuI,FeI2 ,MnI2 ,N
H4 I,PbI2 ,VI2 よりなる群から選ぶのが好適
である。
ばAgI,CoI2 ,CuI,FeI2 ,MnI2 ,N
H4 I,PbI2 ,VI2 よりなる群から選ぶのが好適
である。
【0034】少なくとも1種の不活性材23は、好まし
くは、例えば繊維状布,多孔質セラミック・タイル,コ
ークス炭素紙,セラミック被覆された金属スクリーン,
離散粒子,離散ファイバ,繊維状材料,スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれる。
くは、例えば繊維状布,多孔質セラミック・タイル,コ
ークス炭素紙,セラミック被覆された金属スクリーン,
離散粒子,離散ファイバ,繊維状材料,スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれる。
【0035】セラミック基板すなわちボディ10は、第
1の面16上に、例えばI/Oパッド,またはワイヤボ
ンディング・パッド,またはシールバンド,またはライ
ンのような少なくとも1種の受容金属すなわち高融点金
属フィーチャ12、および/または、セラミック基板す
なわちボディ10の第2の面19上に、例えばI/Oパ
ッド,またはワイヤボンディング・パッド,またはシー
ルバンド,またはラインのような少なくとも1種の受容
金属すなわち高融点金属フィーチャ12を有している。
1の面16上に、例えばI/Oパッド,またはワイヤボ
ンディング・パッド,またはシールバンド,またはライ
ンのような少なくとも1種の受容金属すなわち高融点金
属フィーチャ12、および/または、セラミック基板す
なわちボディ10の第2の面19上に、例えばI/Oパ
ッド,またはワイヤボンディング・パッド,またはシー
ルバンド,またはラインのような少なくとも1種の受容
金属すなわち高融点金属フィーチャ12を有している。
【0036】付着金属ソース20は、基本的には、プロ
セスの遂行を助けるのに十分な1つの非多孔質ニッケル
箔20とすることができる。1つの付着金属ソース20
より多くの金属ソースを設けることもできる。例えば、
第1すなわち上側の付着金属ソース20と、第2の面1
9と対向する、第2すなわち下側の付着金属ソース20
とである。単なる説明のためには、付着金属ソース20
を、ニッケル箔20と称することができる。
セスの遂行を助けるのに十分な1つの非多孔質ニッケル
箔20とすることができる。1つの付着金属ソース20
より多くの金属ソースを設けることもできる。例えば、
第1すなわち上側の付着金属ソース20と、第2の面1
9と対向する、第2すなわち下側の付着金属ソース20
とである。単なる説明のためには、付着金属ソース20
を、ニッケル箔20と称することができる。
【0037】付着金属ソース20の材料は、例えば純粋
Ni,Ni/コバルト合金,Ni/銅合金よりなる群か
ら選ぶことができる。付着金属ソース20の粉末は、粉
末よりなるいかなる形状,寸法,構造とすることができ
るが、好適な実施例では、単純な固体非多孔質ニッケル
箔である。
Ni,Ni/コバルト合金,Ni/銅合金よりなる群か
ら選ぶことができる。付着金属ソース20の粉末は、粉
末よりなるいかなる形状,寸法,構造とすることができ
るが、好適な実施例では、単純な固体非多孔質ニッケル
箔である。
【0038】本発明を実施するために、いくつかのケー
スでは、付着金属ソース20を、容器28の内壁または
内張りとすることができる。単独の金属ソース構造20
は、例えばニッケル・メッシュ・スクリーン,固体ニッ
ケル・シートまたは箔,チャンバ内のニッケル内張り,
ニッケル粉末,ニッケル合金メッシュ・スクリーン,固
体ニッケル合金シートまたは箔,チャンバ内のニッケル
合金内張り,ニッケル合金粉末よりなる群から選ぶこと
ができる。
スでは、付着金属ソース20を、容器28の内壁または
内張りとすることができる。単独の金属ソース構造20
は、例えばニッケル・メッシュ・スクリーン,固体ニッ
ケル・シートまたは箔,チャンバ内のニッケル内張り,
ニッケル粉末,ニッケル合金メッシュ・スクリーン,固
体ニッケル合金シートまたは箔,チャンバ内のニッケル
合金内張り,ニッケル合金粉末よりなる群から選ぶこと
ができる。
【0039】好適な高融点金属12は、モリブデン,タ
ングステン,これらの合金または化合物,他の材料との
混合物(例えばWC−Co)からなる群から選ばれる。
ングステン,これらの合金または化合物,他の材料との
混合物(例えばWC−Co)からなる群から選ばれる。
【0040】ニッケルメッキを行うのに用いられる特定
のハロゲン化物移行プロセスは、現在用いられているい
くつかのプロセスのいずれかとすることができる。しか
し一般に、反応アセンブリの部材,金属ソース,活性
剤,メッキすべき面は、反応容器すなわちワークボート
内に組入れられ、金属ソースをかなりの速度で気相移行
するのに十分に高い温度に加熱される。活性剤としてC
uIを、タングステンまたはモリブデンのような高融点
金属面上に付着すべき金属ソースとしてニッケル金属を
用いる場合には、1つの好適な加熱プロファイルは、室
温から約700℃〜約1000℃に反応容器の内容物を
加熱し、続いて、このピーク温度に、約1分〜約200
分の間、付着プロセスを保持することである。
のハロゲン化物移行プロセスは、現在用いられているい
くつかのプロセスのいずれかとすることができる。しか
し一般に、反応アセンブリの部材,金属ソース,活性
剤,メッキすべき面は、反応容器すなわちワークボート
内に組入れられ、金属ソースをかなりの速度で気相移行
するのに十分に高い温度に加熱される。活性剤としてC
uIを、タングステンまたはモリブデンのような高融点
金属面上に付着すべき金属ソースとしてニッケル金属を
用いる場合には、1つの好適な加熱プロファイルは、室
温から約700℃〜約1000℃に反応容器の内容物を
加熱し、続いて、このピーク温度に、約1分〜約200
分の間、付着プロセスを保持することである。
【0041】不活性分離材と共に、化学気相付着プロセ
スを用いると、Niおよび/またはNi合金の膜を、高
融点金属12の表面上に欠陥なしに形成することができ
る。ニッケル層14の厚さを、約0.01ミクロンか
ら、約10〜15ミクロンを越える層厚さにできること
がわかった。
スを用いると、Niおよび/またはNi合金の膜を、高
融点金属12の表面上に欠陥なしに形成することができ
る。ニッケル層14の厚さを、約0.01ミクロンか
ら、約10〜15ミクロンを越える層厚さにできること
がわかった。
【0042】図3は、この発明の他の実施例を示す。高
融点金属フィーチャ12を被覆するプロセスは、以下の
点を除いて、図2に関して既に説明したプロセスと同じ
である。すなわち、不活性粒子33は、高融点金属すな
わち受容金属12の露出面上に散布でき、不活性粒子3
3上に少なくとも1つのニッケルまたはニッケル合金が
配置される。不活性粒子33は、基本的に、高融点金属
12の金属受容面と、ソース材料30との間の物理的接
触を阻止する。
融点金属フィーチャ12を被覆するプロセスは、以下の
点を除いて、図2に関して既に説明したプロセスと同じ
である。すなわち、不活性粒子33は、高融点金属すな
わち受容金属12の露出面上に散布でき、不活性粒子3
3上に少なくとも1つのニッケルまたはニッケル合金が
配置される。不活性粒子33は、基本的に、高融点金属
12の金属受容面と、ソース材料30との間の物理的接
触を阻止する。
【0043】不活性粒子33を、次のような多くの方法
によって、高融点金属12の表面上に設けることができ
る。例えば、高融点金属12の表面上に粒子33を散布
する、あるいはエーロゾルを用いて、粒子を高融点金属
12の表面上にスプレーするなどである。粒子サイズま
たは粒子分布は、ソース材料20および/または30
と、高融点金属12の表面との間に物理的接触がない限
りは、この発明を実施するには重要でないことに留意す
べきである。しかし、半導体マイクロエレクトロニク応
用例の大半については、不活性粒子33は、約75ミク
ロン〜約100ミクロンの平均粒子サイズを有するのが
好ましい。
によって、高融点金属12の表面上に設けることができ
る。例えば、高融点金属12の表面上に粒子33を散布
する、あるいはエーロゾルを用いて、粒子を高融点金属
12の表面上にスプレーするなどである。粒子サイズま
たは粒子分布は、ソース材料20および/または30
と、高融点金属12の表面との間に物理的接触がない限
りは、この発明を実施するには重要でないことに留意す
べきである。しかし、半導体マイクロエレクトロニク応
用例の大半については、不活性粒子33は、約75ミク
ロン〜約100ミクロンの平均粒子サイズを有するのが
好ましい。
【0044】一般的に言えば、この発明は、ニッケル・
ソースのようなソースと、メッキすべき金属面との間
に、どのようにして設けるかおよび/または構成するか
とは無関係に、不活性材を存在させることを開示してい
る。
ソースのようなソースと、メッキすべき金属面との間
に、どのようにして設けるかおよび/または構成するか
とは無関係に、不活性材を存在させることを開示してい
る。
【0045】この発明の方法は、従来の方法に対して利
点を与える。最も重要なことは、この発明は、ハロゲン
化物移行付着プロセスで、金属ソースと金属面との間の
物理的接触に関係した欠陥が全くない均一な金属膜を付
着する方法を与えることである。
点を与える。最も重要なことは、この発明は、ハロゲン
化物移行付着プロセスで、金属ソースと金属面との間の
物理的接触に関係した欠陥が全くない均一な金属膜を付
着する方法を与えることである。
【0046】さらに、このプロセスは、コスト効果的な
方法を与える。というのは、金属ソース材料として、非
多孔質固体金属箔を用いることは、従来の方法では可能
でなかったからである。対照的に、単純な金属箔は、こ
の発明における金属ソースについて好適な形態であり、
重要な技術的およびコスト的な利点を与える。
方法を与える。というのは、金属ソース材料として、非
多孔質固体金属箔を用いることは、従来の方法では可能
でなかったからである。対照的に、単純な金属箔は、こ
の発明における金属ソースについて好適な形態であり、
重要な技術的およびコスト的な利点を与える。
【0047】この発明を、特定の好適な実施例に基づい
て説明したが、前述したことから当業者であれば、多く
の変形,変更が可能なことは明らかである。したがっ
て、請求項は、この発明の範囲と趣旨内にあるこのよう
な変形,変更を含むことを意図している。
て説明したが、前述したことから当業者であれば、多く
の変形,変更が可能なことは明らかである。したがっ
て、請求項は、この発明の範囲と趣旨内にあるこのよう
な変形,変更を含むことを意図している。
【0048】
【図1】この発明の好適な構造の断面図である。
【図2】この発明の装置の断面図である。
【図3】この発明の他の装置の断面図である。
10 基板 12 高融点金属 14 ニッケルまたはニッケル合金 20,30 付着金属ソース 23 再使用可能な分離材 26 るつぼ 27 ヨウ化物 28 容器 29 パネル 33 使い捨て可能な分離材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・ジョセフ・ギャラント アメリカ合衆国 12533 ニューヨーク 州 ホープウェル ジャンクション ピ ーターズ ロード 4 (72)発明者 ケヴィン・マイケル・プリティマン アメリカ合衆国 12531 ニューヨーク 州 ホルムズ ルート 292 アールア ール 2 ボックス 320(番地なし) (72)発明者 スリニヴァーサ・エスエヌ・レディ アメリカ合衆国 12540 ニューヨーク 州 ラグランジェヴィル ボウ レーン 17 (56)参考文献 特開 昭49−95567(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/22 - 21/228 H01L 21/31
Claims (21)
- 【請求項1】少なくとも1種のソース金属を、基板に接
合された少なくとも1種の受容金属の上に付着する方法
において、 (a)前記受容金属を含む前記基板をチャンバ内に配置
するステップと、 (b)前記受容金属の少なくとも一部に少なくとも一部
が接触した状態で少なくとも1種の不活性材を前記チャ
ンバ内に配置するステップと、 (c)前記チャンバ内で前記受容金属から前記不活性材
によって隔てられた近傍に前記ソース金属を配置するス
テップと、 (d)前記チャンバおよびその内容物を、非酸化雰囲気
中で、最大200分の間、700℃〜1000℃の温度
に加熱するステップと、 (e)前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ソース金属よりなる少なくとも1つの層
を付着させるステップと、 (f)前記受容金属へ付着された前記ソース金属よりな
る層を含む前記基板を、前記チャンバから取り出すステ
ップと、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項2】前記基板に接合された前記受容金属は、モ
リブデン,タングステン,これらの合金または化合物ま
たは混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請
求項1記載の方法。 - 【請求項3】前記少なくとも1種のソース金属は、ニッ
ケルまたはニッケル合金であることを特徴とする請求項
1記載の方法。 - 【請求項4】前記ニッケル合金は、ニッケル−銅および
ニッケル−コバルトよりなる群から選ばれることを特徴
とする請求項3記載の方法。 - 【請求項5】前記少なくとも1種のソース金属は、ニッ
ケル・メッシュ・スクリーン,固体ニッケル・シート,
固体ニッケル箔,前記チャンバ内のニッケル内張り,ニ
ッケル粉末,ニッケル合金メッシュ・スクリーン,固体
ニッケル合金シート,固体ニッケル合金箔,前記チャン
バ内のニッケル合金内張り、ニッケル合金粉末よりなる
群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項6】前記チャンバは、前記チャンバ内の内容物
を保護するために少なくとも1つのパネルを有すること
を特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項7】前記非酸化雰囲気は、アルゴン,水素,窒
素,アルゴンと水素,アルゴンと窒素,水素と窒素から
なる群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項8】前記基板は、セラミック,ガラスセラミッ
ク,多層セラミックからなる群から選ばれることを特徴
とする請求項1記載の方法。 - 【請求項9】前記受容金属上の前記ソース金属よりなる
層の厚さは、0.01ミクロン〜15ミクロンであり、
好ましくは3ミクロン〜10ミクロンであることを特徴
とする請求項1記載の方法。 - 【請求項10】前記チャンバは、少なくとも1種のヨウ
化物ソースを含むことを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項11】前記少なくとも1種のヨウ化物ソース
は、AgI,CoI2,CuI,FeI2,MnI2,
NH4I,PbI2,VI2よりなる群から選ばれるこ
とを特徴とする請求項10記載の方法。 - 【請求項12】前記少なくとも1種のヨウ化物ソース
が、少なくとも1つのるつぼ内に入れられていることを
特徴とする請求項10記載の方法。 - 【請求項13】前記少なくとも1種のヨウ化物ソース、
および前記少なくとも1種のソース金属が、少なくとも
1つのるつぼ内に入れられていることを特徴とする請求
項10記載の方法。 - 【請求項14】前記セラミック基板と、前記少なくとも
1種の受容金属の露出面とは、前記ステップ(a)の前
に、クリーニングされることを特徴とする請求項1記載
の方法。 - 【請求項15】前記チャンバとその内容物の前記加熱
は、炉内で行われることを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項16】前記少なくとも1種の不活性材の少なく
とも1つは、多孔質であることを特徴とする請求項1記
載の方法。 - 【請求項17】前記少なくとも1種の不活性材の少なく
とも1つは、多孔質であり、50%〜99%の多孔率を
有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項18】前記少なくとも1種の不活性材の少なく
とも1つは、分離材であることを特徴とする請求項1記
載の方法。 - 【請求項19】前記少なくとも1種の不活性材の少なく
とも1つは、繊維状布,多孔質セラミック・タイル,コ
ークス炭素紙,セラミック被覆された金属スクリーン,
離散粒子,離散ファイバ,繊維状材料,スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項
1記載の方法。 - 【請求項20】前記不活性材は、75ミクロン〜100
ミクロンの平均粒子サイズを有することを特徴とする請
求項1記載の方法。 - 【請求項21】前記不活性材は、前記少なくとも1種の
受容金属を、前記少なくとも1種のソース金属から物理
的に分離することを特徴とする請求項1記載の方法。
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---|---|---|---|
US09/050,491 US6569496B1 (en) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using inert contact |
US09/050491 | 1998-03-30 |
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---|---|
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JP3117434B2 true JP3117434B2 (ja) | 2000-12-11 |
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---|---|---|---|
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JP5039251B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2012-10-03 | 出光興産株式会社 | 冷凍機用潤滑油組成物及びそれを用いた冷凍機用作動流体組成物 |
EP2314665A3 (en) * | 2000-07-26 | 2011-05-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricating oil for refrigerator and refrigerator fluid composition for refrigerator using the same |
US6806172B1 (en) * | 2001-04-05 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Physical vapor deposition of nickel |
US7504331B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-03-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of fabricating self-assembled electrical interconnections |
US7525194B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-04-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | System including self-assembled interconnections |
US7662708B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-02-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Self-assembled interconnection particles |
US9139903B2 (en) | 2010-05-17 | 2015-09-22 | Aeromet Technologies, Inc. | Chemical vapor deposition of metal layers for improved brazing |
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US4590095A (en) | 1985-06-03 | 1986-05-20 | General Electric Company | Nickel coating diffusion bonded to metallized ceramic body and coating method |
US4708917A (en) | 1985-12-23 | 1987-11-24 | International Fuel Cells Corporation | Molten carbonate cathodes and method of fabricating |
US4664942A (en) | 1986-02-05 | 1987-05-12 | General Electric Company | Nickel diffusion bonded to metallized ceramic body and method |
US5262466A (en) * | 1988-04-18 | 1993-11-16 | Alloy Surfaces Co. Inc. | Aqueous masking solution for metal treatment |
US5028385A (en) | 1989-04-10 | 1991-07-02 | Baldi Alfonso L | Treatment of metals for coating or activation |
US5312582A (en) | 1993-02-04 | 1994-05-17 | Institute Of Gas Technology | Porous structures from solid solutions of reduced oxides |
US5592686A (en) | 1995-07-25 | 1997-01-07 | Third; Christine E. | Porous metal structures and processes for their production |
US5869134A (en) * | 1996-06-21 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using iodide |
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- 1998-03-30 US US09/050,491 patent/US6569496B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-23 JP JP11078100A patent/JP3117434B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-21 US US09/489,976 patent/US6224682B1/en not_active Expired - Fee Related
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