JP3117434B2 - 金属を付着する方法 - Google Patents
金属を付着する方法Info
- Publication number
- JP3117434B2 JP3117434B2 JP11078100A JP7810099A JP3117434B2 JP 3117434 B2 JP3117434 B2 JP 3117434B2 JP 11078100 A JP11078100 A JP 11078100A JP 7810099 A JP7810099 A JP 7810099A JP 3117434 B2 JP3117434 B2 JP 3117434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- nickel
- source
- chamber
- inert material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 131
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 131
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000000571 coke Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- KFCRRIUGUWKAMC-UHFFFAOYSA-N 136788-70-0 Chemical compound C1C(C2)CC(C3)CC4CC32CC1C4 KFCRRIUGUWKAMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009043 WC-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- UKFWSNCTAHXBQN-UHFFFAOYSA-N ammonium iodide Chemical compound [NH4+].[I-] UKFWSNCTAHXBQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical group 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000015149 toffees Nutrition 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/14—Deposition of only one other metal element
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関
し、このＣＶＤでは、ニッケルまたはニッケル合金（Ｎ
ｉ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｃｏのような）が、ニッケルまたはニ
ッケル合金を受容することのできる金属面に付着され、
これは、受容金属面と接触する少なくとも１種の不活性
分離材と共に、ヨウ化物ソース、好ましくはヨウ化アン
モニウムまたはヨウ化銅のようなヨウ化物塩を用いて行
われる。この発明は、基本的に、モリブデン（Ｍｏ）ま
たはタングステン（Ｗ）のような高融点金属上に、ニッ
ケル（Ｎｉ）のＣＶＤを可能にする。この場合、ニッケ
ル・ソースは、少なくとも１種の不活性材を用いて、メ
ッキされる高融点金属の表面から物理的に分離されてい
る。この不活性材は、ニッケルまたはニッケル合金より
なる少なくとも１つの層で被覆されることが必要な高融
点金属の表面と浮き接触している。
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関
し、このＣＶＤでは、ニッケルまたはニッケル合金（Ｎ
ｉ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ｃｏのような）が、ニッケルまたはニ
ッケル合金を受容することのできる金属面に付着され、
これは、受容金属面と接触する少なくとも１種の不活性
分離材と共に、ヨウ化物ソース、好ましくはヨウ化アン
モニウムまたはヨウ化銅のようなヨウ化物塩を用いて行
われる。この発明は、基本的に、モリブデン（Ｍｏ）ま
たはタングステン（Ｗ）のような高融点金属上に、ニッ
ケル（Ｎｉ）のＣＶＤを可能にする。この場合、ニッケ
ル・ソースは、少なくとも１種の不活性材を用いて、メ
ッキされる高融点金属の表面から物理的に分離されてい
る。この不活性材は、ニッケルまたはニッケル合金より
なる少なくとも１つの層で被覆されることが必要な高融
点金属の表面と浮き接触している。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス産業では、既存の高融
点金属の表面を、ろう付け可能またはハンダ付け可能な
面で、被覆すなわちコーティングすることがしばしば望
まれている。このような方法に対する応用例は、例えば
Ｉ／Ｏパッド，ワイヤボンディング・パッド，Ｃ４（Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃ
ｏｎｎｅｃｔｉｏｎ），シールドバンドを含んでいる
が、これらに限られるものではない。
点金属の表面を、ろう付け可能またはハンダ付け可能な
面で、被覆すなわちコーティングすることがしばしば望
まれている。このような方法に対する応用例は、例えば
Ｉ／Ｏパッド，ワイヤボンディング・パッド，Ｃ４（Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃ
ｏｎｎｅｃｔｉｏｎ），シールドバンドを含んでいる
が、これらに限られるものではない。
【０００３】既存の高融点金属の表面を、ろう付け可能
またはハンダ付け可能な面で、被覆すなわちコーティン
グするために、産業上多くの方法が利用され実施されて
いる。マイクロエレクトロニク・パッケージングの分野
において、高融点金属の表面を処理するために最も一般
的に用いられている方法は、室温または室温に近い水溶
液槽で、純粋またはほぼ純粋のＮｉ（ニッケル）膜を電
解メッキまたは無電解メッキする方法である。
またはハンダ付け可能な面で、被覆すなわちコーティン
グするために、産業上多くの方法が利用され実施されて
いる。マイクロエレクトロニク・パッケージングの分野
において、高融点金属の表面を処理するために最も一般
的に用いられている方法は、室温または室温に近い水溶
液槽で、純粋またはほぼ純粋のＮｉ（ニッケル）膜を電
解メッキまたは無電解メッキする方法である。
【０００４】ニッケルは、一般に、高融点金属をメッキ
するために特に選ばれた金属である。というのは、ニッ
ケルはあらゆる高融点金属と良好に接合させることがで
きるからである。さらにＮｉは、ろう付けまたはハンダ
付けのような接合処理に、良好な濡れ特性を持ってお
り、およびＮｉは優れた腐食特性を有している。
するために特に選ばれた金属である。というのは、ニッ
ケルはあらゆる高融点金属と良好に接合させることがで
きるからである。さらにＮｉは、ろう付けまたはハンダ
付けのような接合処理に、良好な濡れ特性を持ってお
り、およびＮｉは優れた腐食特性を有している。
【０００５】最近、モリブデンまたはタングステン上に
ニッケルをメッキするために、いくつかの高温ドライの
ハロゲン化物移行処理が開示され、その後、産業界で用
いられてきた。
ニッケルをメッキするために、いくつかの高温ドライの
ハロゲン化物移行処理が開示され、その後、産業界で用
いられてきた。
【０００６】米国特許第４，５９０，０９５号（Ｐａｒ
ｋ）明細書に開示された１つの方法は、パック拡散浸透
の手法を用いている。パック拡散浸透の基本部材は、粉
末金属ソースと、活性剤と、メッキされる対象物とであ
る。基本的に、これら部材は、チャンバ内に配置され、
メッキ対象物は、粉末金属ソースと、活性剤と、アルミ
ナのような不活性セラミック粉末との混合物内に埋め込
まれ、高温に加熱されて、蒸発移行が行われる。このプ
ロセスは、ガス種の物質移行を可能にする。このＰａｒ
ｋの方法は、金属ソースとして純粋のニッケル粉末が用
いられ、用いられた活性剤は、ヨウ化アンモニウムであ
った。
ｋ）明細書に開示された１つの方法は、パック拡散浸透
の手法を用いている。パック拡散浸透の基本部材は、粉
末金属ソースと、活性剤と、メッキされる対象物とであ
る。基本的に、これら部材は、チャンバ内に配置され、
メッキ対象物は、粉末金属ソースと、活性剤と、アルミ
ナのような不活性セラミック粉末との混合物内に埋め込
まれ、高温に加熱されて、蒸発移行が行われる。このプ
ロセスは、ガス種の物質移行を可能にする。このＰａｒ
ｋの方法は、金属ソースとして純粋のニッケル粉末が用
いられ、用いられた活性剤は、ヨウ化アンモニウムであ
った。
【０００７】ヨウ化物移行プロセスのためのパック拡散
浸透手法から進歩した技術が、米国特許第４，６６４，
９４２号（Ｐａｒｋ）明細書に開示されている。このケ
ースにおいても、ヨウ化アンモニウムおよび純粋のニッ
ケルは、ハロゲン化物移行プロセスについて、依然とし
て重要な部材である。しかし、このケースでは、ニッケ
ル粉末よりもむしろニッケル・スクリーンが、金属ソー
スとして用いられている。高融点金属の露出面を含むメ
ッキ対象物は、積み重ねられて配置され、ニッケル・ス
クリーンは、反応容器すなわちワークボート内で、セパ
レータとして働く。このプロセスのためのヨウ化アンモ
ニウムは、ワークボート内の単独のるつぼに保持され
る。部材は、再び高温に加熱されて、蒸発移行が行われ
る。オープンなニッケル・スクリーンは、ガス種の物質
移行を許容し、ニッケル・ソースとして働く。
浸透手法から進歩した技術が、米国特許第４，６６４，
９４２号（Ｐａｒｋ）明細書に開示されている。このケ
ースにおいても、ヨウ化アンモニウムおよび純粋のニッ
ケルは、ハロゲン化物移行プロセスについて、依然とし
て重要な部材である。しかし、このケースでは、ニッケ
ル粉末よりもむしろニッケル・スクリーンが、金属ソー
スとして用いられている。高融点金属の露出面を含むメ
ッキ対象物は、積み重ねられて配置され、ニッケル・ス
クリーンは、反応容器すなわちワークボート内で、セパ
レータとして働く。このプロセスのためのヨウ化アンモ
ニウムは、ワークボート内の単独のるつぼに保持され
る。部材は、再び高温に加熱されて、蒸発移行が行われ
る。オープンなニッケル・スクリーンは、ガス種の物質
移行を許容し、ニッケル・ソースとして働く。
【０００８】特に最近、他の改良が、米国特許出願第０
８／６６８，２９５号（Ｒｅｄｄｙ等）“ＣＶＤ ＯＦ
ＭＥＴＡＬＳ ＣＡＰＡＢＬＥ ＯＦ ＲＥＣＥＩＶ
ＩＮＧ ＮＩＣＫＥＬ ＯＲ ＡＬＬＯＹＳ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ ＵＳＩＮＧ ＩＯＤＩＤＥ”に提案されてい
る。この米国特許は、現在、本出願人に譲渡されてお
り、その内容は本出願の内容として引用される。この米
国特許では、種々の効果を与える好適なヨウ化物活性剤
として、ＣｕＩが開示されている。
８／６６８，２９５号（Ｒｅｄｄｙ等）“ＣＶＤ ＯＦ
ＭＥＴＡＬＳ ＣＡＰＡＢＬＥ ＯＦ ＲＥＣＥＩＶ
ＩＮＧ ＮＩＣＫＥＬ ＯＲ ＡＬＬＯＹＳ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ ＵＳＩＮＧ ＩＯＤＩＤＥ”に提案されてい
る。この米国特許は、現在、本出願人に譲渡されてお
り、その内容は本出願の内容として引用される。この米
国特許では、種々の効果を与える好適なヨウ化物活性剤
として、ＣｕＩが開示されている。
【０００９】一般に、ハロゲン化物移行金属付着プロセ
スについては、固体金属ソース材料と、メッキすべき金
属の領域とを、互いに物理的に近接するように保持する
ことが非常に望まれる。この近接状態は、プロセス中に
金属付着に適切な速度を維持するために必要である。
スについては、固体金属ソース材料と、メッキすべき金
属の領域とを、互いに物理的に近接するように保持する
ことが非常に望まれる。この近接状態は、プロセス中に
金属付着に適切な速度を維持するために必要である。
【００１０】既知のハロゲン化物移行プロセスの各々に
おいて、金属ソースの材料，粉末またはスクリーンは、
メッキされる高融点金属の表面に、物理的に近接して保
持されているが、さらに、各アセンブリの特定の幾何学
的構造の故に、金属ソース材料を、少なくともいくつか
の箇所に設け、また、メッキされる金属面と物理的に直
接接触させることができる。既知のプロセスのうちのい
ずれかを用いる付着プロセスの際に、ソース金属とター
ゲット領域とを互いに接触させると、ソース金属とター
ゲット領域、すなわちソースとシンクとが互いに溶着し
て、接合を形成することが発見されている。付着プロセ
スが完了した後に、ニッケル・メッキされた部品および
他のアセンブリ材料が分離されると、付着ニッケル膜内
に欠陥が容易に観察される。この欠陥は、タフィーパー
ティ（ｔａｆｆｙ ｐｕｌｌ）の金属、または一片の金
属くず、または付着ニッケル膜の欠損などの形態をと
る。この状態は、通常、部品またはワークピースを不良
にする。
おいて、金属ソースの材料，粉末またはスクリーンは、
メッキされる高融点金属の表面に、物理的に近接して保
持されているが、さらに、各アセンブリの特定の幾何学
的構造の故に、金属ソース材料を、少なくともいくつか
の箇所に設け、また、メッキされる金属面と物理的に直
接接触させることができる。既知のプロセスのうちのい
ずれかを用いる付着プロセスの際に、ソース金属とター
ゲット領域とを互いに接触させると、ソース金属とター
ゲット領域、すなわちソースとシンクとが互いに溶着し
て、接合を形成することが発見されている。付着プロセ
スが完了した後に、ニッケル・メッキされた部品および
他のアセンブリ材料が分離されると、付着ニッケル膜内
に欠陥が容易に観察される。この欠陥は、タフィーパー
ティ（ｔａｆｆｙ ｐｕｌｌ）の金属、または一片の金
属くず、または付着ニッケル膜の欠損などの形態をと
る。この状態は、通常、部品またはワークピースを不良
にする。
【００１１】この発明は、ニッケル金属が高融点金属面
上に無電解付着されるハロゲン化物移行プロセスにおい
て、ワークボートを構成する新しい方法を教示する。こ
の発明の方法によれば、金属ソースとメッキされる高融
点金属面とは、物理的に近接して保持され、急速な付着
速度を実現するが、少なくとも１種の不活性分離材が、
受容金属面と接触して、ソース金属と受容金属面とが、
互いに物理的に完全に分離して保持される。この発明に
よれば、ソースとシンクとが接触し溶着して接合を形成
する機会は存在しない。したがって、金属ソースと高融
点金属とが接触するときに発生する不良欠陥（従来技術
で生じる）を、完全に避けることができる。
上に無電解付着されるハロゲン化物移行プロセスにおい
て、ワークボートを構成する新しい方法を教示する。こ
の発明の方法によれば、金属ソースとメッキされる高融
点金属面とは、物理的に近接して保持され、急速な付着
速度を実現するが、少なくとも１種の不活性分離材が、
受容金属面と接触して、ソース金属と受容金属面とが、
互いに物理的に完全に分離して保持される。この発明に
よれば、ソースとシンクとが接触し溶着して接合を形成
する機会は存在しない。したがって、金属ソースと高融
点金属とが接触するときに発生する不良欠陥（従来技術
で生じる）を、完全に避けることができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
の目的は、ニッケル・ソースを物理的に分離するため
に、受容金属面と接触する少なくとも１種の不活性分離
材を用い、活性剤としてヨウ化物、好ましくはヨウ化塩
を用いて、ニッケルまたはニッケル合金を、高融点金属
の表面に付着する方法を提供することにある。
の目的は、ニッケル・ソースを物理的に分離するため
に、受容金属面と接触する少なくとも１種の不活性分離
材を用い、活性剤としてヨウ化物、好ましくはヨウ化塩
を用いて、ニッケルまたはニッケル合金を、高融点金属
の表面に付着する方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、ヨウ化物を
用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスを使用し、およびニッケル・
ソースを物理的に分離するために、受容金属面と接触す
る少なくとも１種の不活性分離材を用いて、ニッケルま
たはニッケル合金を、高融点金属の表面に付着する新規
な方法である。
用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスを使用し、およびニッケル・
ソースを物理的に分離するために、受容金属面と接触す
る少なくとも１種の不活性分離材を用いて、ニッケルま
たはニッケル合金を、高融点金属の表面に付着する新規
な方法である。
【００１４】したがって一態様では、この発明は、少な
くとも１種のソース金属を、基板に接合された少なくと
も１種の受容金属の上に付着する方法において、（ａ）
前記受容金属を含む前記基板を、少なくとも１種のソー
ス金属を含むチャンバ内に配置するステップを含み、少
なくとも１種の不活性材の少なくとも一部が、前記少な
くとも１種の受容金属の少なくとも一部に、浮き接触し
ており、（ｂ）前記チャンバおよびその内容物を、非酸
化雰囲気中で、最大約２００分の間、約７００℃〜約１
０００℃の温度に加熱するステップと、（ｃ）前記チャ
ンバおよびその内容物を冷却し、前記受容金属へ、前記
ソース金属よりなる少なくとも１つの層を付着させるス
テップと、（ｄ）前記受容金属へ付着された前記ソース
金属よりなる層を含む前記基板を、前記チャンバから取
り出すステップと、を含んでいる。
くとも１種のソース金属を、基板に接合された少なくと
も１種の受容金属の上に付着する方法において、（ａ）
前記受容金属を含む前記基板を、少なくとも１種のソー
ス金属を含むチャンバ内に配置するステップを含み、少
なくとも１種の不活性材の少なくとも一部が、前記少な
くとも１種の受容金属の少なくとも一部に、浮き接触し
ており、（ｂ）前記チャンバおよびその内容物を、非酸
化雰囲気中で、最大約２００分の間、約７００℃〜約１
０００℃の温度に加熱するステップと、（ｃ）前記チャ
ンバおよびその内容物を冷却し、前記受容金属へ、前記
ソース金属よりなる少なくとも１つの層を付着させるス
テップと、（ｄ）前記受容金属へ付着された前記ソース
金属よりなる層を含む前記基板を、前記チャンバから取
り出すステップと、を含んでいる。
【００１５】他の態様では、この発明は、ニッケルまた
はニッケル合金を、基板に接合された少なくとも１種の
受容金属の上に付着する方法において、（ａ）前記受容
金属を含む前記基板を、少なくとも１種の単独のニッケ
ルまたはニッケル合金と、少なくとも１種のヨウ化物ソ
ースの単独部分とを含むチャンバ内に配置するステップ
を含み、少なくとも１種の不活性材の少なくとも一部
が、前記少なくとも１種の受容金属の少なくとも一部
に、浮き接触しており、（ｂ）前記チャンバおよびその
内容物を、非酸化雰囲気中で、最大約２００分の間、約
７００℃〜約１０００℃の温度に加熱するステップと、
（ｃ）前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ニッケルまたはニッケル合金よりなる少
なくとも１つの層を付着させるステップと、（ｄ）前記
受容金属へ付着された前記ニッケルまたはニッケル合金
よりなる層を含んでいる。
はニッケル合金を、基板に接合された少なくとも１種の
受容金属の上に付着する方法において、（ａ）前記受容
金属を含む前記基板を、少なくとも１種の単独のニッケ
ルまたはニッケル合金と、少なくとも１種のヨウ化物ソ
ースの単独部分とを含むチャンバ内に配置するステップ
を含み、少なくとも１種の不活性材の少なくとも一部
が、前記少なくとも１種の受容金属の少なくとも一部
に、浮き接触しており、（ｂ）前記チャンバおよびその
内容物を、非酸化雰囲気中で、最大約２００分の間、約
７００℃〜約１０００℃の温度に加熱するステップと、
（ｃ）前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ニッケルまたはニッケル合金よりなる少
なくとも１つの層を付着させるステップと、（ｄ）前記
受容金属へ付着された前記ニッケルまたはニッケル合金
よりなる層を含んでいる。
【００１６】さらに他の態様では、この発明は、接合さ
れた少なくとも１種の受容金属を有する少なくとも１種
の基板と、前記少なくとも１種の受容金属から、少なく
とも１種のソース金属を物理的に分離する少なくとも１
種の不活性材とを含む容器を備えている。
れた少なくとも１種の受容金属を有する少なくとも１種
の基板と、前記少なくとも１種の受容金属から、少なく
とも１種のソース金属を物理的に分離する少なくとも１
種の不活性材とを含む容器を備えている。
【００１７】
【発明の実施の形態】この発明は、金属ソースと金属付
着の領域との間の物理的分離を与える高温ハロゲン化物
移行反応プロセスを開示するが、同時に金属ソースと金
属付着の領域とを非常に近接して保持して、移行プロセ
スの効率的で一様でタイムリーな進行を可能にする。
着の領域との間の物理的分離を与える高温ハロゲン化物
移行反応プロセスを開示するが、同時に金属ソースと金
属付着の領域とを非常に近接して保持して、移行プロセ
スの効率的で一様でタイムリーな進行を可能にする。
【００１８】この発明では、移行され付着される金属
は、ニッケルまたはニッケル合金であり、ニッケルでメ
ッキされるターゲット領域は、タングステンまたはモリ
ブデンのような高融点金属であり、用いられるハロゲン
化物キャリアガスは、ヨウ化物である。しかし、この発
明の本来の目的は、同様の構造の他のハロゲン化物移行
プロセスに、直接に適用できる。
は、ニッケルまたはニッケル合金であり、ニッケルでメ
ッキされるターゲット領域は、タングステンまたはモリ
ブデンのような高融点金属であり、用いられるハロゲン
化物キャリアガスは、ヨウ化物である。しかし、この発
明の本来の目的は、同様の構造の他のハロゲン化物移行
プロセスに、直接に適用できる。
【００１９】１つの解決方法は、ソース金属とターゲッ
ト付着とが、物理的に直接に接触できないが、ソースと
シンクとが物理的に近接し、ソースとシンクとの間のガ
ス移行が、あまり阻止されない反応構造を与えることで
ある。
ト付着とが、物理的に直接に接触できないが、ソースと
シンクとが物理的に近接し、ソースとシンクとの間のガ
ス移行が、あまり阻止されない反応構造を与えることで
ある。
【００２０】ハロゲン化物移行プロセスにおいて、ソー
ス金属と高融点金属との間の物理的分離は、この発明に
よれば、なくとも１種の不活性分離材で、高融点金属タ
ーゲットからソース・ニッケルを分離することによって
行われる。不活性分離材は、分離材を経るガスの通過が
あまり阻止されないように構成することが必要である。
ガス種は、メッキを行うためには、ソース金属と付着面
との間の移動が許されなければならない。さらに、不活
性材は、ヨウ化物の雰囲気に対しては無反応であること
が必要であり、好ましくは、アルミナ，炭素（黒鉛），
シリカ，ジルコニア，これらの混合物である。
ス金属と高融点金属との間の物理的分離は、この発明に
よれば、なくとも１種の不活性分離材で、高融点金属タ
ーゲットからソース・ニッケルを分離することによって
行われる。不活性分離材は、分離材を経るガスの通過が
あまり阻止されないように構成することが必要である。
ガス種は、メッキを行うためには、ソース金属と付着面
との間の移動が許されなければならない。さらに、不活
性材は、ヨウ化物の雰囲気に対しては無反応であること
が必要であり、好ましくは、アルミナ，炭素（黒鉛），
シリカ，ジルコニア，これらの混合物である。
【００２１】分離材の形態は、２つのタイプ、すなわち
再使用可能か使い捨て可能かのいずれかとすることがで
きる。再使用可能な分離材の例は、薄い多孔質タイル，
繊維状布，セラミック分離材，またはセラミック被覆の
金属メッシュ・スクリーンを含むが、これに限定されな
い。使い捨て可能な分離材の例は、犠牲紙，密でないセ
ラミック粒子，または不活性ファイバを含むが、これら
に限定されない。これらの分離材は、付着の前に、ニッ
ケル・ソースと高融点金属との間の界面に、容易に散布
され、付着反応が終了したときに除去される。除去は、
分離材を簡単に除去し、あるいは圧縮ガスで吹き飛ば
し、またはスプレーで洗浄する等によって、適宜に行わ
れる。
再使用可能か使い捨て可能かのいずれかとすることがで
きる。再使用可能な分離材の例は、薄い多孔質タイル，
繊維状布，セラミック分離材，またはセラミック被覆の
金属メッシュ・スクリーンを含むが、これに限定されな
い。使い捨て可能な分離材の例は、犠牲紙，密でないセ
ラミック粒子，または不活性ファイバを含むが、これら
に限定されない。これらの分離材は、付着の前に、ニッ
ケル・ソースと高融点金属との間の界面に、容易に散布
され、付着反応が終了したときに除去される。除去は、
分離材を簡単に除去し、あるいは圧縮ガスで吹き飛ば
し、またはスプレーで洗浄する等によって、適宜に行わ
れる。
【００２２】不活性分離材と共に用いられる金属ソース
材料は、例えば金属箔，金属粉末，金属プレート，金属
スクリーンを含む（しかし、これらに限定されるもので
はない）いくつかの形態のうちのいずれかとすることが
できる。しかし、好ましい形態は、通常は、単純な非多
孔質の固体金属箔である。非多孔質の固体金属箔は、幾
何学的観点から最も便利であり、分離材によって全体的
に支持され、ソース金属とメッキ面との間に最も均一な
距離を与え、最も簡単に扱うことができ、最も安価であ
り最も容易に得られる。
材料は、例えば金属箔，金属粉末，金属プレート，金属
スクリーンを含む（しかし、これらに限定されるもので
はない）いくつかの形態のうちのいずれかとすることが
できる。しかし、好ましい形態は、通常は、単純な非多
孔質の固体金属箔である。非多孔質の固体金属箔は、幾
何学的観点から最も便利であり、分離材によって全体的
に支持され、ソース金属とメッキ面との間に最も均一な
距離を与え、最も簡単に扱うことができ、最も安価であ
り最も容易に得られる。
【００２３】まず、金属箔または金属プレートのような
非多孔質の金属ソースを用いるときには、ガス種は金属
バリアを通過できないので、付着反応効率は良くないこ
とが推定できる。しかし、このことは、例えばヨウ化物
によるニッケル移行におけるように、ハロゲン化物移行
プロセスに対しては、事実ではない。付着プロセスは、
キャリアガス（好適な実施例ではヨウ化物である）の反
応によって作用する。ヨウ化物ガス種は、固体金属ソー
スと反応し、ガス状金属ハロゲン化物を形成する。金属
ハロゲン化物は、メッキすべき金属面に移行し、金属陽
イオンが還元されて付着される。解放されたガス状ヨウ
化物はソース金属に戻り、プロセスを繰り返す。
非多孔質の金属ソースを用いるときには、ガス種は金属
バリアを通過できないので、付着反応効率は良くないこ
とが推定できる。しかし、このことは、例えばヨウ化物
によるニッケル移行におけるように、ハロゲン化物移行
プロセスに対しては、事実ではない。付着プロセスは、
キャリアガス（好適な実施例ではヨウ化物である）の反
応によって作用する。ヨウ化物ガス種は、固体金属ソー
スと反応し、ガス状金属ハロゲン化物を形成する。金属
ハロゲン化物は、メッキすべき金属面に移行し、金属陽
イオンが還元されて付着される。解放されたガス状ヨウ
化物はソース金属に戻り、プロセスを繰り返す。
【００２４】したがって、ニッケル箔バリアによって形
成されたギャップに沿って、初期の加熱時に、ヨウ化物
キャリアガスが最初にアセンブリに拡散すると、付着プ
ロセスの間に、このような比較的長い距離にわたって拡
散する必要はない。というのは、キャリア種は、アセン
ブリ内の同一箇所でまたは同一箇所の付近で、何度も何
度も局部的に用いられるからである。
成されたギャップに沿って、初期の加熱時に、ヨウ化物
キャリアガスが最初にアセンブリに拡散すると、付着プ
ロセスの間に、このような比較的長い距離にわたって拡
散する必要はない。というのは、キャリア種は、アセン
ブリ内の同一箇所でまたは同一箇所の付近で、何度も何
度も局部的に用いられるからである。
【００２５】このプロセスにおいて、重要な臨界距離
は、前述したソース金属とメッキすべき領域との間の距
離である。この距離は、平坦な非多孔質金属箔および不
活性分離材（付着を生じさせるガス状種の通過をあまり
阻止しない）を用いて、小さく且つ均一に最善に保持さ
れる。
は、前述したソース金属とメッキすべき領域との間の距
離である。この距離は、平坦な非多孔質金属箔および不
活性分離材（付着を生じさせるガス状種の通過をあまり
阻止しない）を用いて、小さく且つ均一に最善に保持さ
れる。
【００２６】不活性分離材が、メッキすべき金属面と直
接に接触し得るすべての箇所では、金属付着が阻止また
は部分的に阻止され、かなりの量の金属が分離材の下で
付着せず、金属付着の少ないまたは金属付着のない潜在
的な領域を残し、付着金属の被覆が全体に不均一となる
ことが、本発明の前述した説明によって推定される。ハ
ロゲン化物移行プロセスに対しては、このことは真実で
はない。むしろ、ほとんど予測できないことであるが、
ガス状キャリア種は、不活性分離材の下側、すなわち分
離材とメッキされる高融点金属の表面との間に、金属原
子を移行し付着させた。このメッキは、メッキすべき全
表面上に金属が付着される程度に行われ、厚さが均一で
あることがわかった。さらに、驚くべきことに、メッキ
プロセス中に不活性分離材がどこにあったかの物理的な
痕跡が、クリーニング・プロセス後の表面に残されなか
った。
接に接触し得るすべての箇所では、金属付着が阻止また
は部分的に阻止され、かなりの量の金属が分離材の下で
付着せず、金属付着の少ないまたは金属付着のない潜在
的な領域を残し、付着金属の被覆が全体に不均一となる
ことが、本発明の前述した説明によって推定される。ハ
ロゲン化物移行プロセスに対しては、このことは真実で
はない。むしろ、ほとんど予測できないことであるが、
ガス状キャリア種は、不活性分離材の下側、すなわち分
離材とメッキされる高融点金属の表面との間に、金属原
子を移行し付着させた。このメッキは、メッキすべき全
表面上に金属が付着される程度に行われ、厚さが均一で
あることがわかった。さらに、驚くべきことに、メッキ
プロセス中に不活性分離材がどこにあったかの物理的な
痕跡が、クリーニング・プロセス後の表面に残されなか
った。
【００２７】プロセス中の金属原子の不所望な付着によ
って、不活性分離材が実際に浮き上がり、不活性分離材
が、金属ソースとメッキされる面との間の分離材とし
て、それらの目的を果たすことを可能にするが、付着す
る金属膜の厚さまたは品質を低下させないことが、推測
される。ワークボート内のアセンブリ全体の幾何学的構
造によって示される軽い負荷の下に分離材があるときに
も、この状態が存在することが発見された。
って、不活性分離材が実際に浮き上がり、不活性分離材
が、金属ソースとメッキされる面との間の分離材とし
て、それらの目的を果たすことを可能にするが、付着す
る金属膜の厚さまたは品質を低下させないことが、推測
される。ワークボート内のアセンブリ全体の幾何学的構
造によって示される軽い負荷の下に分離材があるときに
も、この状態が存在することが発見された。
【００２８】種々の不活性分離材を用いて、いくつかの
テストを行った。各ケースにおいて、モリブデンおよび
タングステンの高融点金属面上に、ニッケルおよびニッ
ケル合金の均一および良好な品質の付着が得られた。さ
らに各ケースにおいて、各部材が互いに物理的に近接し
ている場合でも、不活性分離材によって、ソースとシン
クとが、互いに完全に分離されて保持された。
テストを行った。各ケースにおいて、モリブデンおよび
タングステンの高融点金属面上に、ニッケルおよびニッ
ケル合金の均一および良好な品質の付着が得られた。さ
らに各ケースにおいて、各部材が互いに物理的に近接し
ている場合でも、不活性分離材によって、ソースとシン
クとが、互いに完全に分離されて保持された。
【００２９】図１は、本発明の好適な構造の断面図であ
り、この構造によれば、基板１０は、例えばタングステ
ン，モリブデンなどの少なくとも１種の高融点金属１２
を有し、この高融点金属は、少なくとも１層のニッケル
またはニッケル合金１４の少なくとも１つの層を有して
いる。
り、この構造によれば、基板１０は、例えばタングステ
ン，モリブデンなどの少なくとも１種の高融点金属１２
を有し、この高融点金属は、少なくとも１層のニッケル
またはニッケル合金１４の少なくとも１つの層を有して
いる。
【００３０】図２および図３は、ハロゲン化物移行プロ
セスに用いられる反応容器の代表的な構造を示す。この
プロセスでは、金属ソースと、高融点金属パッドのよう
なメッキすべき領域とが、分離されて保持される。
セスに用いられる反応容器の代表的な構造を示す。この
プロセスでは、金属ソースと、高融点金属パッドのよう
なメッキすべき領域とが、分離されて保持される。
【００３１】図２は、多孔質タイル２３のような再使用
可能な分離材２３の一例を示し、図３は、不活性セラミ
ック粒子３３のような使い捨て可能な分離材３３の一例
を示す。
可能な分離材２３の一例を示し、図３は、不活性セラミ
ック粒子３３のような使い捨て可能な分離材３３の一例
を示す。
【００３２】図２は、本発明の好適な装置を示してお
り、この装置では、ボートすなわち容器２５は、ボック
スすなわちチャンバ２８と、少なくとも１つの受け入れ
可能なパネル２９とからなる。ボックス２８は、特定の
形状，寸法，構造を有さないセラミック容器２６のよう
な少なくとも１つのるつぼ２６を有している。このるつ
ぼには、ヨウ化物２７、好ましくは固体ＣｕＩ塩２７、
または固体ヨウ化アンモニウム塩２７が入れられてい
る。また、少なくとも１つの付着金属ソース２０、好ま
しくは固体非多孔質ニッケル箔２０が設けられている。
付着金属ソース２０は、ニッケルまたはニッケル合金よ
りなる群から選ぶことができる。
り、この装置では、ボートすなわち容器２５は、ボック
スすなわちチャンバ２８と、少なくとも１つの受け入れ
可能なパネル２９とからなる。ボックス２８は、特定の
形状，寸法，構造を有さないセラミック容器２６のよう
な少なくとも１つのるつぼ２６を有している。このるつ
ぼには、ヨウ化物２７、好ましくは固体ＣｕＩ塩２７、
または固体ヨウ化アンモニウム塩２７が入れられてい
る。また、少なくとも１つの付着金属ソース２０、好ま
しくは固体非多孔質ニッケル箔２０が設けられている。
付着金属ソース２０は、ニッケルまたはニッケル合金よ
りなる群から選ぶことができる。
【００３３】少なくとも１種のヨウ化物ソースを、例え
ばＡｇＩ，ＣｏＩ2 ，ＣｕＩ，ＦｅＩ2 ，ＭｎＩ2 ，Ｎ
Ｈ4 Ｉ，ＰｂＩ2 ，ＶＩ2 よりなる群から選ぶのが好適
である。
ばＡｇＩ，ＣｏＩ2 ，ＣｕＩ，ＦｅＩ2 ，ＭｎＩ2 ，Ｎ
Ｈ4 Ｉ，ＰｂＩ2 ，ＶＩ2 よりなる群から選ぶのが好適
である。
【００３４】少なくとも１種の不活性材２３は、好まし
くは、例えば繊維状布，多孔質セラミック・タイル，コ
ークス炭素紙，セラミック被覆された金属スクリーン，
離散粒子，離散ファイバ，繊維状材料，スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれる。
くは、例えば繊維状布，多孔質セラミック・タイル，コ
ークス炭素紙，セラミック被覆された金属スクリーン，
離散粒子，離散ファイバ，繊維状材料，スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれる。
【００３５】セラミック基板すなわちボディ１０は、第
１の面１６上に、例えばＩ／Ｏパッド，またはワイヤボ
ンディング・パッド，またはシールバンド，またはライ
ンのような少なくとも１種の受容金属すなわち高融点金
属フィーチャ１２、および／または、セラミック基板す
なわちボディ１０の第２の面１９上に、例えばＩ／Ｏパ
ッド，またはワイヤボンディング・パッド，またはシー
ルバンド，またはラインのような少なくとも１種の受容
金属すなわち高融点金属フィーチャ１２を有している。
１の面１６上に、例えばＩ／Ｏパッド，またはワイヤボ
ンディング・パッド，またはシールバンド，またはライ
ンのような少なくとも１種の受容金属すなわち高融点金
属フィーチャ１２、および／または、セラミック基板す
なわちボディ１０の第２の面１９上に、例えばＩ／Ｏパ
ッド，またはワイヤボンディング・パッド，またはシー
ルバンド，またはラインのような少なくとも１種の受容
金属すなわち高融点金属フィーチャ１２を有している。
【００３６】付着金属ソース２０は、基本的には、プロ
セスの遂行を助けるのに十分な１つの非多孔質ニッケル
箔２０とすることができる。１つの付着金属ソース２０
より多くの金属ソースを設けることもできる。例えば、
第１すなわち上側の付着金属ソース２０と、第２の面１
９と対向する、第２すなわち下側の付着金属ソース２０
とである。単なる説明のためには、付着金属ソース２０
を、ニッケル箔２０と称することができる。
セスの遂行を助けるのに十分な１つの非多孔質ニッケル
箔２０とすることができる。１つの付着金属ソース２０
より多くの金属ソースを設けることもできる。例えば、
第１すなわち上側の付着金属ソース２０と、第２の面１
９と対向する、第２すなわち下側の付着金属ソース２０
とである。単なる説明のためには、付着金属ソース２０
を、ニッケル箔２０と称することができる。
【００３７】付着金属ソース２０の材料は、例えば純粋
Ｎｉ，Ｎｉ／コバルト合金，Ｎｉ／銅合金よりなる群か
ら選ぶことができる。付着金属ソース２０の粉末は、粉
末よりなるいかなる形状，寸法，構造とすることができ
るが、好適な実施例では、単純な固体非多孔質ニッケル
箔である。
Ｎｉ，Ｎｉ／コバルト合金，Ｎｉ／銅合金よりなる群か
ら選ぶことができる。付着金属ソース２０の粉末は、粉
末よりなるいかなる形状，寸法，構造とすることができ
るが、好適な実施例では、単純な固体非多孔質ニッケル
箔である。
【００３８】本発明を実施するために、いくつかのケー
スでは、付着金属ソース２０を、容器２８の内壁または
内張りとすることができる。単独の金属ソース構造２０
は、例えばニッケル・メッシュ・スクリーン，固体ニッ
ケル・シートまたは箔，チャンバ内のニッケル内張り，
ニッケル粉末，ニッケル合金メッシュ・スクリーン，固
体ニッケル合金シートまたは箔，チャンバ内のニッケル
合金内張り，ニッケル合金粉末よりなる群から選ぶこと
ができる。
スでは、付着金属ソース２０を、容器２８の内壁または
内張りとすることができる。単独の金属ソース構造２０
は、例えばニッケル・メッシュ・スクリーン，固体ニッ
ケル・シートまたは箔，チャンバ内のニッケル内張り，
ニッケル粉末，ニッケル合金メッシュ・スクリーン，固
体ニッケル合金シートまたは箔，チャンバ内のニッケル
合金内張り，ニッケル合金粉末よりなる群から選ぶこと
ができる。
【００３９】好適な高融点金属１２は、モリブデン，タ
ングステン，これらの合金または化合物，他の材料との
混合物（例えばＷＣ−Ｃｏ）からなる群から選ばれる。
ングステン，これらの合金または化合物，他の材料との
混合物（例えばＷＣ−Ｃｏ）からなる群から選ばれる。
【００４０】ニッケルメッキを行うのに用いられる特定
のハロゲン化物移行プロセスは、現在用いられているい
くつかのプロセスのいずれかとすることができる。しか
し一般に、反応アセンブリの部材，金属ソース，活性
剤，メッキすべき面は、反応容器すなわちワークボート
内に組入れられ、金属ソースをかなりの速度で気相移行
するのに十分に高い温度に加熱される。活性剤としてＣ
ｕＩを、タングステンまたはモリブデンのような高融点
金属面上に付着すべき金属ソースとしてニッケル金属を
用いる場合には、１つの好適な加熱プロファイルは、室
温から約７００℃〜約１０００℃に反応容器の内容物を
加熱し、続いて、このピーク温度に、約１分〜約２００
分の間、付着プロセスを保持することである。
のハロゲン化物移行プロセスは、現在用いられているい
くつかのプロセスのいずれかとすることができる。しか
し一般に、反応アセンブリの部材，金属ソース，活性
剤，メッキすべき面は、反応容器すなわちワークボート
内に組入れられ、金属ソースをかなりの速度で気相移行
するのに十分に高い温度に加熱される。活性剤としてＣ
ｕＩを、タングステンまたはモリブデンのような高融点
金属面上に付着すべき金属ソースとしてニッケル金属を
用いる場合には、１つの好適な加熱プロファイルは、室
温から約７００℃〜約１０００℃に反応容器の内容物を
加熱し、続いて、このピーク温度に、約１分〜約２００
分の間、付着プロセスを保持することである。
【００４１】不活性分離材と共に、化学気相付着プロセ
スを用いると、Ｎｉおよび／またはＮｉ合金の膜を、高
融点金属１２の表面上に欠陥なしに形成することができ
る。ニッケル層１４の厚さを、約０．０１ミクロンか
ら、約１０〜１５ミクロンを越える層厚さにできること
がわかった。
スを用いると、Ｎｉおよび／またはＮｉ合金の膜を、高
融点金属１２の表面上に欠陥なしに形成することができ
る。ニッケル層１４の厚さを、約０．０１ミクロンか
ら、約１０〜１５ミクロンを越える層厚さにできること
がわかった。
【００４２】図３は、この発明の他の実施例を示す。高
融点金属フィーチャ１２を被覆するプロセスは、以下の
点を除いて、図２に関して既に説明したプロセスと同じ
である。すなわち、不活性粒子３３は、高融点金属すな
わち受容金属１２の露出面上に散布でき、不活性粒子３
３上に少なくとも１つのニッケルまたはニッケル合金が
配置される。不活性粒子３３は、基本的に、高融点金属
１２の金属受容面と、ソース材料３０との間の物理的接
触を阻止する。
融点金属フィーチャ１２を被覆するプロセスは、以下の
点を除いて、図２に関して既に説明したプロセスと同じ
である。すなわち、不活性粒子３３は、高融点金属すな
わち受容金属１２の露出面上に散布でき、不活性粒子３
３上に少なくとも１つのニッケルまたはニッケル合金が
配置される。不活性粒子３３は、基本的に、高融点金属
１２の金属受容面と、ソース材料３０との間の物理的接
触を阻止する。
【００４３】不活性粒子３３を、次のような多くの方法
によって、高融点金属１２の表面上に設けることができ
る。例えば、高融点金属１２の表面上に粒子３３を散布
する、あるいはエーロゾルを用いて、粒子を高融点金属
１２の表面上にスプレーするなどである。粒子サイズま
たは粒子分布は、ソース材料２０および／または３０
と、高融点金属１２の表面との間に物理的接触がない限
りは、この発明を実施するには重要でないことに留意す
べきである。しかし、半導体マイクロエレクトロニク応
用例の大半については、不活性粒子３３は、約７５ミク
ロン〜約１００ミクロンの平均粒子サイズを有するのが
好ましい。
によって、高融点金属１２の表面上に設けることができ
る。例えば、高融点金属１２の表面上に粒子３３を散布
する、あるいはエーロゾルを用いて、粒子を高融点金属
１２の表面上にスプレーするなどである。粒子サイズま
たは粒子分布は、ソース材料２０および／または３０
と、高融点金属１２の表面との間に物理的接触がない限
りは、この発明を実施するには重要でないことに留意す
べきである。しかし、半導体マイクロエレクトロニク応
用例の大半については、不活性粒子３３は、約７５ミク
ロン〜約１００ミクロンの平均粒子サイズを有するのが
好ましい。
【００４４】一般的に言えば、この発明は、ニッケル・
ソースのようなソースと、メッキすべき金属面との間
に、どのようにして設けるかおよび／または構成するか
とは無関係に、不活性材を存在させることを開示してい
る。
ソースのようなソースと、メッキすべき金属面との間
に、どのようにして設けるかおよび／または構成するか
とは無関係に、不活性材を存在させることを開示してい
る。
【００４５】この発明の方法は、従来の方法に対して利
点を与える。最も重要なことは、この発明は、ハロゲン
化物移行付着プロセスで、金属ソースと金属面との間の
物理的接触に関係した欠陥が全くない均一な金属膜を付
着する方法を与えることである。
点を与える。最も重要なことは、この発明は、ハロゲン
化物移行付着プロセスで、金属ソースと金属面との間の
物理的接触に関係した欠陥が全くない均一な金属膜を付
着する方法を与えることである。
【００４６】さらに、このプロセスは、コスト効果的な
方法を与える。というのは、金属ソース材料として、非
多孔質固体金属箔を用いることは、従来の方法では可能
でなかったからである。対照的に、単純な金属箔は、こ
の発明における金属ソースについて好適な形態であり、
重要な技術的およびコスト的な利点を与える。
方法を与える。というのは、金属ソース材料として、非
多孔質固体金属箔を用いることは、従来の方法では可能
でなかったからである。対照的に、単純な金属箔は、こ
の発明における金属ソースについて好適な形態であり、
重要な技術的およびコスト的な利点を与える。
【００４７】この発明を、特定の好適な実施例に基づい
て説明したが、前述したことから当業者であれば、多く
の変形，変更が可能なことは明らかである。したがっ
て、請求項は、この発明の範囲と趣旨内にあるこのよう
な変形，変更を含むことを意図している。
て説明したが、前述したことから当業者であれば、多く
の変形，変更が可能なことは明らかである。したがっ
て、請求項は、この発明の範囲と趣旨内にあるこのよう
な変形，変更を含むことを意図している。
【００４８】
【図１】この発明の好適な構造の断面図である。
【図２】この発明の装置の断面図である。
【図３】この発明の他の装置の断面図である。
１０ 基板 １２ 高融点金属 １４ ニッケルまたはニッケル合金 ２０，３０ 付着金属ソース ２３ 再使用可能な分離材 ２６ るつぼ ２７ ヨウ化物 ２８ 容器 ２９ パネル ３３ 使い捨て可能な分離材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・ジョセフ・ギャラント アメリカ合衆国 12533 ニューヨーク 州 ホープウェル ジャンクション ピ ーターズ ロード ４ (72)発明者 ケヴィン・マイケル・プリティマン アメリカ合衆国 12531 ニューヨーク 州 ホルムズ ルート 292 アールア ール ２ ボックス 320（番地なし) (72)発明者 スリニヴァーサ・エスエヌ・レディ アメリカ合衆国 12540 ニューヨーク 州 ラグランジェヴィル ボウ レーン 17 (56)参考文献 特開 昭49−95567（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/22 - 21/228 H01L 21/31
Claims (21)
- 【請求項１】少なくとも１種のソース金属を、基板に接
合された少なくとも１種の受容金属の上に付着する方法
において、 （ａ）前記受容金属を含む前記基板をチャンバ内に配置
するステップと、 （ｂ）前記受容金属の少なくとも一部に少なくとも一部
が接触した状態で少なくとも１種の不活性材を前記チャ
ンバ内に配置するステップと、 （ｃ）前記チャンバ内で前記受容金属から前記不活性材
によって隔てられた近傍に前記ソース金属を配置するス
テップと、 （ｄ）前記チャンバおよびその内容物を、非酸化雰囲気
中で、最大２００分の間、７００℃〜１０００℃の温度
に加熱するステップと、 （ｅ）前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受
容金属へ、前記ソース金属よりなる少なくとも１つの層
を付着させるステップと、 （ｆ）前記受容金属へ付着された前記ソース金属よりな
る層を含む前記基板を、前記チャンバから取り出すステ
ップと、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】前記基板に接合された前記受容金属は、モ
リブデン，タングステン，これらの合金または化合物ま
たは混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記少なくとも１種のソース金属は、ニッ
ケルまたはニッケル合金であることを特徴とする請求項
１記載の方法。 - 【請求項４】前記ニッケル合金は、ニッケル−銅および
ニッケル−コバルトよりなる群から選ばれることを特徴
とする請求項３記載の方法。 - 【請求項５】前記少なくとも１種のソース金属は、ニッ
ケル・メッシュ・スクリーン，固体ニッケル・シート，
固体ニッケル箔，前記チャンバ内のニッケル内張り，ニ
ッケル粉末，ニッケル合金メッシュ・スクリーン，固体
ニッケル合金シート，固体ニッケル合金箔，前記チャン
バ内のニッケル合金内張り、ニッケル合金粉末よりなる
群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】前記チャンバは、前記チャンバ内の内容物
を保護するために少なくとも１つのパネルを有すること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】前記非酸化雰囲気は、アルゴン，水素，窒
素，アルゴンと水素，アルゴンと窒素，水素と窒素から
なる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項８】前記基板は、セラミック，ガラスセラミッ
ク，多層セラミックからなる群から選ばれることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項９】前記受容金属上の前記ソース金属よりなる
層の厚さは、０．０１ミクロン〜１５ミクロンであり、
好ましくは３ミクロン〜１０ミクロンであることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】前記チャンバは、少なくとも１種のヨウ
化物ソースを含むことを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１１】前記少なくとも１種のヨウ化物ソース
は、ＡｇＩ，ＣｏＩ２，ＣｕＩ，ＦｅＩ２，ＭｎＩ２，
ＮＨ４Ｉ，ＰｂＩ２，ＶＩ２よりなる群から選ばれるこ
とを特徴とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】前記少なくとも１種のヨウ化物ソース
が、少なくとも１つのるつぼ内に入れられていることを
特徴とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１３】前記少なくとも１種のヨウ化物ソース、
および前記少なくとも１種のソース金属が、少なくとも
１つのるつぼ内に入れられていることを特徴とする請求
項１０記載の方法。 - 【請求項１４】前記セラミック基板と、前記少なくとも
１種の受容金属の露出面とは、前記ステップ（ａ）の前
に、クリーニングされることを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項１５】前記チャンバとその内容物の前記加熱
は、炉内で行われることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１６】前記少なくとも１種の不活性材の少なく
とも１つは、多孔質であることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項１７】前記少なくとも１種の不活性材の少なく
とも１つは、多孔質であり、５０％〜９９％の多孔率を
有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１８】前記少なくとも１種の不活性材の少なく
とも１つは、分離材であることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項１９】前記少なくとも１種の不活性材の少なく
とも１つは、繊維状布，多孔質セラミック・タイル，コ
ークス炭素紙，セラミック被覆された金属スクリーン，
離散粒子，離散ファイバ，繊維状材料，スクリーン・メ
ッシュよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項
１記載の方法。 - 【請求項２０】前記不活性材は、７５ミクロン〜１００
ミクロンの平均粒子サイズを有することを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項２１】前記不活性材は、前記少なくとも１種の
受容金属を、前記少なくとも１種のソース金属から物理
的に分離することを特徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/050,491 US6569496B1 (en) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using inert contact |
| US09/050491 | 1998-03-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001782A JP2000001782A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3117434B2 true JP3117434B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=21965545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078100A Expired - Fee Related JP3117434B2 (ja) | 1998-03-30 | 1999-03-23 | 金属を付着する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6569496B1 (ja) |
| JP (1) | JP3117434B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5006487B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2012-08-22 | 出光興産株式会社 | 冷凍機用潤滑油組成物及びそれを用いた冷凍機用作動流体組成物 |
| JP5039251B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2012-10-03 | 出光興産株式会社 | 冷凍機用潤滑油組成物及びそれを用いた冷凍機用作動流体組成物 |
| EP2314665A3 (en) * | 2000-07-26 | 2011-05-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricating oil for refrigerator and refrigerator fluid composition for refrigerator using the same |
| US6806172B1 (en) * | 2001-04-05 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Physical vapor deposition of nickel |
| US7504331B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-03-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of fabricating self-assembled electrical interconnections |
| US7525194B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-04-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | System including self-assembled interconnections |
| US7662708B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-02-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Self-assembled interconnection particles |
| US9139903B2 (en) | 2010-05-17 | 2015-09-22 | Aeromet Technologies, Inc. | Chemical vapor deposition of metal layers for improved brazing |
| US11309251B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-04-19 | AdTech Ceramics Company | Selective metallization of integrated circuit packages |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2167773A (en) | 1984-11-29 | 1986-06-04 | Secr Defence | Improvements in or relating to coating processes |
| US4590095A (en) | 1985-06-03 | 1986-05-20 | General Electric Company | Nickel coating diffusion bonded to metallized ceramic body and coating method |
| US4708917A (en) | 1985-12-23 | 1987-11-24 | International Fuel Cells Corporation | Molten carbonate cathodes and method of fabricating |
| US4664942A (en) | 1986-02-05 | 1987-05-12 | General Electric Company | Nickel diffusion bonded to metallized ceramic body and method |
| US5262466A (en) * | 1988-04-18 | 1993-11-16 | Alloy Surfaces Co. Inc. | Aqueous masking solution for metal treatment |
| US5028385A (en) | 1989-04-10 | 1991-07-02 | Baldi Alfonso L | Treatment of metals for coating or activation |
| US5312582A (en) | 1993-02-04 | 1994-05-17 | Institute Of Gas Technology | Porous structures from solid solutions of reduced oxides |
| US5592686A (en) | 1995-07-25 | 1997-01-07 | Third; Christine E. | Porous metal structures and processes for their production |
| US5869134A (en) * | 1996-06-21 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using iodide |
-
1998
- 1998-03-30 US US09/050,491 patent/US6569496B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-23 JP JP11078100A patent/JP3117434B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-21 US US09/489,976 patent/US6224682B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6569496B1 (en) | 2003-05-27 |
| US6224682B1 (en) | 2001-05-01 |
| JP2000001782A (ja) | 2000-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4741973A (en) | Silicon carbide abrasive particles having multilayered coating | |
| US4459328A (en) | Articles coated with wear-resistant titanium compounds | |
| RU2469126C2 (ru) | Способ нанесения покрытия на поверхность субстрата и продукт с покрытием | |
| KR100202249B1 (ko) | 세라믹스 접합체 및 세라믹스의 접합 방법 | |
| JP3117434B2 (ja) | 金属を付着する方法 | |
| US4411960A (en) | Articles coated with wear-resistant titanium compounds | |
| US4590095A (en) | Nickel coating diffusion bonded to metallized ceramic body and coating method | |
| JP2008540823A (ja) | スパッタターゲット及びｘ線アノードを製造又は再処理するための被覆方法 | |
| US20040079033A1 (en) | Abrasive article and manufacturing method thereof | |
| JPS5818961B2 (ja) | セラミツク基板上に耐火性冶金属を形成する方法 | |
| CN104722752B (zh) | 浆料和涂敷方法 | |
| Shen et al. | Interfacial characteristics of titanium coated micro-powder diamond abrasive tools fabricated by electroforming-brazing composite process | |
| US5869134A (en) | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using iodide | |
| US4664942A (en) | Nickel diffusion bonded to metallized ceramic body and method | |
| JP5691901B2 (ja) | パワーモジュールの製造方法 | |
| JPH02208274A (ja) | セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品 | |
| US6319554B1 (en) | Method and apparatus for surface metallization | |
| EP0068276B1 (en) | Method for producing metal layers on substrates by electroless plating techniques | |
| JP3121587B2 (ja) | 金属を付着させる装置 | |
| US5750202A (en) | Preparation of gold-coated molybdenum articles and articles prepared thereby | |
| US4380479A (en) | Foils of brittle alloys | |
| US10576587B2 (en) | Brazing concept | |
| SU536905A1 (ru) | Способ пайки материалов | |
| JP2003020297A (ja) | ダイヤモンド粒子の表面処理法 | |
| JPH11310884A (ja) | 反応防止用下敷き及びその製造方法並びに金属溶融・蒸発装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |