JP3109508B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JP3109508B2 JP3109508B2 JP11080506A JP8050699A JP3109508B2 JP 3109508 B2 JP3109508 B2 JP 3109508B2 JP 11080506 A JP11080506 A JP 11080506A JP 8050699 A JP8050699 A JP 8050699A JP 3109508 B2 JP3109508 B2 JP 3109508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- thin film
- holder device
- held
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 118
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 10
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 96
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- -1 specifically Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフォトマス
クや液晶基板などの平面的なパターン構造を有する基板
の欠陥を修正する時に用いる薄膜形成装置及び薄膜形成
方法に関する。
クや液晶基板などの平面的なパターン構造を有する基板
の欠陥を修正する時に用いる薄膜形成装置及び薄膜形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術、及び発明が解決しようとする課題】基板
の局所的な箇所に特定のガスを導入し、そのガスに対し
てレーザを照射して分解させることにより、基板の局所
的な箇所に薄膜を形成するレーザＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）技術が提案（米国特許第４８０１３
５２号）されている。
の局所的な箇所に特定のガスを導入し、そのガスに対し
てレーザを照射して分解させることにより、基板の局所
的な箇所に薄膜を形成するレーザＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）技術が提案（米国特許第４８０１３
５２号）されている。
【０００３】すなわち、図４に示す如く、基板５１に対
向してガスウィンドウ５２が配置されている。尚、基板
５１の上面とガスウィンドウ５２の下面との間には僅か
な隙間（例えば、０．５ｍｍ）があるようガスウィンド
ウ５２は配置されている。このガスウィンドウ５２は、
ガス滞留室５３と、ガス導入部５４と、ガス排気部５５
と、レーザ窓５６とを備えている。ガス滞留室５３は、
ＣＶＤ原料（有機金属化合物などのガス）が溜められる
ものである。ガス導入部５４は、ガス滞留室５３にＣＶ
Ｄ原料を導入する為のものである。ガス排気部５５は、
ガス滞留室５３の周囲に形成されたリング状の溝５５ａ
及びこの溝５５ａに孔５５ｂを介してつながる排気部５
５ｃとからなり、ガス滞留室５３から排出されるガスを
排気する為のものである。レーザ窓５６は、ガス滞留室
５３に溜められたＣＶＤ原料にレーザを照射してＣＶＤ
原料を分解させる為のものである。
向してガスウィンドウ５２が配置されている。尚、基板
５１の上面とガスウィンドウ５２の下面との間には僅か
な隙間（例えば、０．５ｍｍ）があるようガスウィンド
ウ５２は配置されている。このガスウィンドウ５２は、
ガス滞留室５３と、ガス導入部５４と、ガス排気部５５
と、レーザ窓５６とを備えている。ガス滞留室５３は、
ＣＶＤ原料（有機金属化合物などのガス）が溜められる
ものである。ガス導入部５４は、ガス滞留室５３にＣＶ
Ｄ原料を導入する為のものである。ガス排気部５５は、
ガス滞留室５３の周囲に形成されたリング状の溝５５ａ
及びこの溝５５ａに孔５５ｂを介してつながる排気部５
５ｃとからなり、ガス滞留室５３から排出されるガスを
排気する為のものである。レーザ窓５６は、ガス滞留室
５３に溜められたＣＶＤ原料にレーザを照射してＣＶＤ
原料を分解させる為のものである。
【０００４】基板５１はホルダ５７によって保持されて
いる。すなわち、ホルダ５７の段部５７ａに基板５１の
端部を掛止することにより、基板５１は保持される。５
８は、ＣＶＤにより形成された膜の品質をチェックする
為の透過照明源である。５９はレーザ集光用のレンズで
ある。図４中、矢印でＣＶＤ原料などのガスの流れを示
している。
いる。すなわち、ホルダ５７の段部５７ａに基板５１の
端部を掛止することにより、基板５１は保持される。５
８は、ＣＶＤにより形成された膜の品質をチェックする
為の透過照明源である。５９はレーザ集光用のレンズで
ある。図４中、矢印でＣＶＤ原料などのガスの流れを示
している。
【０００５】ところで、上記装置のガス滞留室５３を基
板５１の端部近傍に位置させ、基板５１の端部近傍に薄
膜を形成した場合、次のような問題のあることが判っ
た。基板５１の上面とホルダ５７の上面との間には段差
がある。この為、ガス滞留室５３を基板５１の端部近傍
に位置させ、そして溝５５ａを介して排気部５５ｃから
吸気し、ガス滞留室５３から排出されるガスを排気しよ
うとした場合、前記段差部分で気流が乱れ、矢印ａで示
すように空気がガス滞留室５３内に流れ込むこともあ
る。このような場合、ＣＶＤで形成される薄膜の質は低
下する。
板５１の端部近傍に位置させ、基板５１の端部近傍に薄
膜を形成した場合、次のような問題のあることが判っ
た。基板５１の上面とホルダ５７の上面との間には段差
がある。この為、ガス滞留室５３を基板５１の端部近傍
に位置させ、そして溝５５ａを介して排気部５５ｃから
吸気し、ガス滞留室５３から排出されるガスを排気しよ
うとした場合、前記段差部分で気流が乱れ、矢印ａで示
すように空気がガス滞留室５３内に流れ込むこともあ
る。このような場合、ＣＶＤで形成される薄膜の質は低
下する。
【０００６】又、ＣＶＤ原料などのガスが溝５５ａを介
して排気部５５ｃから完全には排気されないこともあ
る。すなわち、ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れる恐
れもある。従って、本発明が解決しようとする第１の課
題は、高品質な薄膜が形成される技術を提供することで
ある。
して排気部５５ｃから完全には排気されないこともあ
る。すなわち、ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れる恐
れもある。従って、本発明が解決しようとする第１の課
題は、高品質な薄膜が形成される技術を提供することで
ある。
【０００７】本発明が解決しようとする第２の課題は、
ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れ難い技術を提供する
ことである。本発明が解決しようとする第３の課題は、
高品質な薄膜が形成され、かつ、ＣＶＤ原料などのガス
が周囲に漏れ難い技術を低廉なコストで提供することで
ある。
ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れ難い技術を提供する
ことである。本発明が解決しようとする第３の課題は、
高品質な薄膜が形成され、かつ、ＣＶＤ原料などのガス
が周囲に漏れ難い技術を低廉なコストで提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記第１〜第３の課題
は、基板と、この基板を保持する基板ホルダ装置と、こ
の基板ホルダ装置によって保持された基板の表面にガス
雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解により前記基板
上に薄膜を形成する為の装置とを具備した薄膜形成装置
において、前記保持される基板の周囲に沿って基板ホル
ダ装置には溝が設けられてなり、 前記溝を介して雰囲気
ガスを排気できるよう構成すると共に、前記基板ホルダ
装置によって保持された基板の上面と前記基板ホルダ装
置の上面とがほぼ同一平面上にあるよう構成したことを
特徴とする薄膜形成装置によって解決される。又、基板
と、この基板を保持する基板ホルダ装置と、この基板ホ
ルダ装置によって保持された基板の表面にガス雰囲気を
付与し、この雰囲気ガスの分解により前記基板上に薄膜
を形成する為の装置とを具備した薄膜形成装置におい
て、 前記保持される基板と基板ホルダ装置との境界部に
シートが設けられてなり、前記基板ホルダ装置によって
保持された基板の上面と前記基板ホルダ装置の上面とが
ほぼ同一平面上にあるよう構成したことを特徴とする薄
膜形成装置によって解決される。
は、基板と、この基板を保持する基板ホルダ装置と、こ
の基板ホルダ装置によって保持された基板の表面にガス
雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解により前記基板
上に薄膜を形成する為の装置とを具備した薄膜形成装置
において、前記保持される基板の周囲に沿って基板ホル
ダ装置には溝が設けられてなり、 前記溝を介して雰囲気
ガスを排気できるよう構成すると共に、前記基板ホルダ
装置によって保持された基板の上面と前記基板ホルダ装
置の上面とがほぼ同一平面上にあるよう構成したことを
特徴とする薄膜形成装置によって解決される。又、基板
と、この基板を保持する基板ホルダ装置と、この基板ホ
ルダ装置によって保持された基板の表面にガス雰囲気を
付与し、この雰囲気ガスの分解により前記基板上に薄膜
を形成する為の装置とを具備した薄膜形成装置におい
て、 前記保持される基板と基板ホルダ装置との境界部に
シートが設けられてなり、前記基板ホルダ装置によって
保持された基板の上面と前記基板ホルダ装置の上面とが
ほぼ同一平面上にあるよう構成したことを特徴とする薄
膜形成装置によって解決される。
【０００９】特に、前記薄膜形成装置において、基板ホ
ルダ装置はカバー体を具備してなり、前記基板ホルダ装
置によって保持された基板の周囲に前記カバー体が配置
され、このカバー体の上面と前記基板の上面とがほぼ同
一平面上にあるよう構成したことを特徴とする薄膜形成
装置によって解決される。
ルダ装置はカバー体を具備してなり、前記基板ホルダ装
置によって保持された基板の周囲に前記カバー体が配置
され、このカバー体の上面と前記基板の上面とがほぼ同
一平面上にあるよう構成したことを特徴とする薄膜形成
装置によって解決される。
【００１０】上記装置により基板の端部近傍の上面に薄
膜を形成しようとした場合、前記のような問題は起きな
い。すなわち、基板の上面とホルダ装置の上面との間に
は段差が実質上ない。この為、図４において矢印ａで示
したような空気の流れ込みが起きない。従って、ＣＶＤ
で形成される薄膜の質が低下しない。又、ＣＶＤ原料な
どのガスが周囲に漏れる恐れも無い。更には、基板ホル
ダ装置の上面（カバー体の上面）と基板の上面とが同一
平面上にあるようにするだけであるから、極めて簡単な
構成であり、大幅なコストアップをもたらすものでは無
い。すなわち、低廉なコストで実施できる。
膜を形成しようとした場合、前記のような問題は起きな
い。すなわち、基板の上面とホルダ装置の上面との間に
は段差が実質上ない。この為、図４において矢印ａで示
したような空気の流れ込みが起きない。従って、ＣＶＤ
で形成される薄膜の質が低下しない。又、ＣＶＤ原料な
どのガスが周囲に漏れる恐れも無い。更には、基板ホル
ダ装置の上面（カバー体の上面）と基板の上面とが同一
平面上にあるようにするだけであるから、極めて簡単な
構成であり、大幅なコストアップをもたらすものでは無
い。すなわち、低廉なコストで実施できる。
【００１１】上記装置において、保持される基板の周囲
に沿って基板ホルダ装置には溝が設けられていて、この
溝を介して雰囲気ガスを排気できるよう構成しているこ
とが好ましい。すなわち、このような構成とすることに
よって、ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れる恐れが一
層なくなる。又、保持される基板と基板ホルダ装置との
境界部にシートが設けられているのが好ましい。すなわ
ち、このような構成とすることによって、ＣＶＤ原料な
どのガスが周囲に漏れる恐れが一層なくなる。
に沿って基板ホルダ装置には溝が設けられていて、この
溝を介して雰囲気ガスを排気できるよう構成しているこ
とが好ましい。すなわち、このような構成とすることに
よって、ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れる恐れが一
層なくなる。又、保持される基板と基板ホルダ装置との
境界部にシートが設けられているのが好ましい。すなわ
ち、このような構成とすることによって、ＣＶＤ原料な
どのガスが周囲に漏れる恐れが一層なくなる。
【００１２】基板ホルダ装置によって保持された基板の
表面にガス雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解によ
り前記基板上に薄膜を形成する為の装置（ガスウィンド
ウ）は、ガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入
手段で導入されたガスを滞留させる滞留室と、前記滞留
室から排出されたガスを排気するガス排気手段と、前記
滞留室に滞留するガスをレーザ照射により分解させるレ
ーザ照射手段とを具備する。
表面にガス雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解によ
り前記基板上に薄膜を形成する為の装置（ガスウィンド
ウ）は、ガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入
手段で導入されたガスを滞留させる滞留室と、前記滞留
室から排出されたガスを排気するガス排気手段と、前記
滞留室に滞留するガスをレーザ照射により分解させるレ
ーザ照射手段とを具備する。
【００１３】又、前記第１〜第３の課題は、上記薄膜形
成装置の基板ホルダ装置によって保持された基板表面に
ガスを導入し、この導入ガスの分解により基板上に薄膜
を形成する薄膜形成方法において、前記基板表面に導入
されたガスが外気で攪乱されないようにすることを特徴
とする薄膜形方法によって解決される。
成装置の基板ホルダ装置によって保持された基板表面に
ガスを導入し、この導入ガスの分解により基板上に薄膜
を形成する薄膜形成方法において、前記基板表面に導入
されたガスが外気で攪乱されないようにすることを特徴
とする薄膜形方法によって解決される。
【００１４】特に、上記薄膜形成装置の基板ホルダ装置
によって保持された基板表面にガスを導入し、この導入
ガスにレーザを照射し、このレーザ照射による導入ガス
の分解により基板上に薄膜を形成すると共に、分解副生
成物を吸引排気する薄膜形成方法において、前記基板表
面に導入されたガスが外気で攪乱されないようにするこ
とを特徴とする薄膜形方法によって解決される。
によって保持された基板表面にガスを導入し、この導入
ガスにレーザを照射し、このレーザ照射による導入ガス
の分解により基板上に薄膜を形成すると共に、分解副生
成物を吸引排気する薄膜形成方法において、前記基板表
面に導入されたガスが外気で攪乱されないようにするこ
とを特徴とする薄膜形方法によって解決される。
【００１５】基板表面に導入されたガスが外気で攪乱さ
れないようにする手段としては、基板の上面が基板ホル
ダ装置の上面とほぼ同一平面上にあるよう前記基板を配
置する手段が採用される。
れないようにする手段としては、基板の上面が基板ホル
ダ装置の上面とほぼ同一平面上にあるよう前記基板を配
置する手段が採用される。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明になる薄膜形成装置
の第１実施形態を示す概略断面図である。図１中、１は
基板である。２はガスウィンドウである。そして、基板
１の上面とガスウィンドウ２の下面との間には僅かな隙
間（０．５ｍｍ）があるようガスウィンドウ２は配置さ
れている。
の第１実施形態を示す概略断面図である。図１中、１は
基板である。２はガスウィンドウである。そして、基板
１の上面とガスウィンドウ２の下面との間には僅かな隙
間（０．５ｍｍ）があるようガスウィンドウ２は配置さ
れている。
【００１７】ガスウィンドウ２は、ガス滞留室３と、ガ
ス導入部４と、ガス排気部５（溝５ａ及びこの溝５ａに
孔５ｂを介してつながる排気部５ｃ）と、レーザ窓６と
を備えている。ガス滞留室３は、ＣＶＤ原料（有機金属
化合物などのガス）が溜められるものである。ガス導入
部４は、ガス滞留室３にＣＶＤ原料を導入する為のもの
である。ガス排気部５は、ガス滞留室３から排出される
ガスを排気する為のものである。レーザ窓６は、ガス滞
留室３に溜められたＣＶＤ原料にレーザを照射してＣＶ
Ｄ原料を分解させる為のものである。
ス導入部４と、ガス排気部５（溝５ａ及びこの溝５ａに
孔５ｂを介してつながる排気部５ｃ）と、レーザ窓６と
を備えている。ガス滞留室３は、ＣＶＤ原料（有機金属
化合物などのガス）が溜められるものである。ガス導入
部４は、ガス滞留室３にＣＶＤ原料を導入する為のもの
である。ガス排気部５は、ガス滞留室３から排出される
ガスを排気する為のものである。レーザ窓６は、ガス滞
留室３に溜められたＣＶＤ原料にレーザを照射してＣＶ
Ｄ原料を分解させる為のものである。
【００１８】基板１はホルダ７によって保持されてい
る。すなわち、ホルダ７の段部７ａに基板１の端部を掛
止することにより、基板１は保持される。８は、ＣＶＤ
により形成された膜の品質をチェックする為の透過照明
源である。９はレーザ集光用のレンズである。この図１
に示す装置と図４に示す装置との大きな相違点は、カバ
ー１０の有無である。すなわち、図１に示す本発明の装
置は、基板１の周囲のホルダ７上面を覆うようにカバー
１０が設けられた点に特徴を持つ。これによって、基板
１の上面とホルダ７上のカバー１０上面とが同一平面に
あるようになる。
る。すなわち、ホルダ７の段部７ａに基板１の端部を掛
止することにより、基板１は保持される。８は、ＣＶＤ
により形成された膜の品質をチェックする為の透過照明
源である。９はレーザ集光用のレンズである。この図１
に示す装置と図４に示す装置との大きな相違点は、カバ
ー１０の有無である。すなわち、図１に示す本発明の装
置は、基板１の周囲のホルダ７上面を覆うようにカバー
１０が設けられた点に特徴を持つ。これによって、基板
１の上面とホルダ７上のカバー１０上面とが同一平面に
あるようになる。
【００１９】尚、基板１に対向するカバー１０の端部１
０ａはテーパー状に形成されている。これによって、カ
バー１０を開閉する時、カバー１０が基板１端に接触し
難いものとなる。そして、このような条件下で図４で述
べた場合と同様にしてＣＶＤにより基板１の端部近傍に
薄膜を形成した場合、図４において矢印ａで示したよう
な空気の流れ込みが起きない。つまり、薄膜形成時に、
ガス滞留室３の部分に外気（酸素、具体的には空気）が
流れ込まず、ガス滞留室３に導入されたＣＶＤ用のガス
が外気で攪乱されない。従って、ＣＶＤで形成される薄
膜の質は高品質であった。
０ａはテーパー状に形成されている。これによって、カ
バー１０を開閉する時、カバー１０が基板１端に接触し
難いものとなる。そして、このような条件下で図４で述
べた場合と同様にしてＣＶＤにより基板１の端部近傍に
薄膜を形成した場合、図４において矢印ａで示したよう
な空気の流れ込みが起きない。つまり、薄膜形成時に、
ガス滞留室３の部分に外気（酸素、具体的には空気）が
流れ込まず、ガス滞留室３に導入されたＣＶＤ用のガス
が外気で攪乱されない。従って、ＣＶＤで形成される薄
膜の質は高品質であった。
【００２０】又、ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れ出
ることもなかった。しかも、このような特長を奏させる
為の手段はカバー１０を設けたのみであるから、極めて
簡単な構成であり、低廉なコストで実施できる。因み
に、ガス滞留室でのＣｒ（ＣＯ）6 （ＣＶＤ原料）が
０．３Ｔｏｒｒとなるようキャリアガス（流量２００ｓ
ｃｃｍのＡｒ）により導入し、又、ガス排気部での排気
流量を６００ｓｃｃｍとし、そしてレーザを照射してＣ
ＶＤを行い、Ｃｒ薄膜を基板の端部近傍に形成した。
ることもなかった。しかも、このような特長を奏させる
為の手段はカバー１０を設けたのみであるから、極めて
簡単な構成であり、低廉なコストで実施できる。因み
に、ガス滞留室でのＣｒ（ＣＯ）6 （ＣＶＤ原料）が
０．３Ｔｏｒｒとなるようキャリアガス（流量２００ｓ
ｃｃｍのＡｒ）により導入し、又、ガス排気部での排気
流量を６００ｓｃｃｍとし、そしてレーザを照射してＣ
ＶＤを行い、Ｃｒ薄膜を基板の端部近傍に形成した。
【００２１】その結果、カバー１０を持たない図４の装
置が用いられた場合には、基板５１の端部から１０ｍｍ
内側の位置では遮光性の無い透明膜が形成されていた。
このことは、ガス滞留室５３に酸素（空気）が流れ込ん
でいることを示している。すなわち、ガス滞留室５３に
酸素が流れ込んでいることから、ＣＶＤにより形成され
た膜は、金属クロムではなく、酸化クロムとなり、この
為、透明膜となったのである。又、ガスウィンドウ５２
周囲のガスを捕集してＣｒ濃度を分析した処、Ｃｒの濃
度が１ｐｐｍ（ガス濃度に換算）を越えていた。このこ
とは、Ｃｒ（ＣＯ）6 が周囲に漏れ出ていることを示唆
している。
置が用いられた場合には、基板５１の端部から１０ｍｍ
内側の位置では遮光性の無い透明膜が形成されていた。
このことは、ガス滞留室５３に酸素（空気）が流れ込ん
でいることを示している。すなわち、ガス滞留室５３に
酸素が流れ込んでいることから、ＣＶＤにより形成され
た膜は、金属クロムではなく、酸化クロムとなり、この
為、透明膜となったのである。又、ガスウィンドウ５２
周囲のガスを捕集してＣｒ濃度を分析した処、Ｃｒの濃
度が１ｐｐｍ（ガス濃度に換算）を越えていた。このこ
とは、Ｃｒ（ＣＯ）6 が周囲に漏れ出ていることを示唆
している。
【００２２】これに対して、カバー１０を持つ図１の装
置が用いられた場合には、基板１の端部の位置でも、目
的通りの遮光性のＣｒ膜が形成されていた。このこと
は、ガス滞留室３に酸素（空気）が流れ込んでいないこ
とを示している。すなわち、ガス滞留室３に空気が流れ
込んでおらず、ＣＶＤにより形成された膜は金属クロム
であった。又、ガスウィンドウ２周囲のガスを捕集して
Ｃｒ濃度を分析した処、Ｃｒの濃度は０．０５ｐｐｍ以
下（測定限界以下）であった。このことは、Ｃｒ（Ｃ
Ｏ）6 が周囲に漏れ出ていないことを示唆している。
置が用いられた場合には、基板１の端部の位置でも、目
的通りの遮光性のＣｒ膜が形成されていた。このこと
は、ガス滞留室３に酸素（空気）が流れ込んでいないこ
とを示している。すなわち、ガス滞留室３に空気が流れ
込んでおらず、ＣＶＤにより形成された膜は金属クロム
であった。又、ガスウィンドウ２周囲のガスを捕集して
Ｃｒ濃度を分析した処、Ｃｒの濃度は０．０５ｐｐｍ以
下（測定限界以下）であった。このことは、Ｃｒ（Ｃ
Ｏ）6 が周囲に漏れ出ていないことを示唆している。
【００２３】上記の実施形態では、カバー１０により図
４の場合に認められた段差を無くしたものである。しか
し、ホルダ７の段部７ａの深さを基板１の厚さに相当す
るものとしておけば、カバー１０がなくても、図４の場
合に認められた段差を無くすことが出来る。但し、この
場合、基板１をホルダ７から取り出し難い。図２及び図
３は、本発明になる薄膜形成装置の第２実施形態を示す
概略断面図及び概略斜視図である。
４の場合に認められた段差を無くしたものである。しか
し、ホルダ７の段部７ａの深さを基板１の厚さに相当す
るものとしておけば、カバー１０がなくても、図４の場
合に認められた段差を無くすことが出来る。但し、この
場合、基板１をホルダ７から取り出し難い。図２及び図
３は、本発明になる薄膜形成装置の第２実施形態を示す
概略断面図及び概略斜視図である。
【００２４】本実施形態にあっては、保持される基板１
の周囲（４辺）に沿ってホルダ７には溝１１が設けられ
ると共に、この溝１１につながる排気口１２が設けられ
たものである。又、カバー１０は、蝶番１３により回動
開閉タイプのものになっている。その他の構成は、第１
実施形態のものと同じであるから、同一部分には同一符
号を付し、詳細な説明は省略する。
の周囲（４辺）に沿ってホルダ７には溝１１が設けられ
ると共に、この溝１１につながる排気口１２が設けられ
たものである。又、カバー１０は、蝶番１３により回動
開閉タイプのものになっている。その他の構成は、第１
実施形態のものと同じであるから、同一部分には同一符
号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２５】そして、本実施形態の装置では、ホルダ７
に溝１１及び排気口１２を設けたものであるから、ＣＶ
Ｄ原料ガスの周囲への漏れを一層少なく出来た。又、基
板１とカバー１０との間の間隙が多少大きくなっても、
ＣＶＤ原料ガスの周囲への漏れは少なく、かつ、形成さ
れる膜の品質劣化も少ないものであった。例えば、第１
実施形態の装置では、基板１とカバー１０との間の間隙
を０．１ｍｍに設計したが、本実施形態の装置では、基
板１とカバー１０との間の間隙を０．３ｍｍに設計して
も差し支えなかった。このことは、それだけカバー１０
の取付精度に高精度を要求されず、組立が容易になる。
かつ、基板１とカバー１０との間の間隙を大きくしてい
れば、カバー１０の開閉に際して基板１が傷付く恐れも
少ない。
に溝１１及び排気口１２を設けたものであるから、ＣＶ
Ｄ原料ガスの周囲への漏れを一層少なく出来た。又、基
板１とカバー１０との間の間隙が多少大きくなっても、
ＣＶＤ原料ガスの周囲への漏れは少なく、かつ、形成さ
れる膜の品質劣化も少ないものであった。例えば、第１
実施形態の装置では、基板１とカバー１０との間の間隙
を０．１ｍｍに設計したが、本実施形態の装置では、基
板１とカバー１０との間の間隙を０．３ｍｍに設計して
も差し支えなかった。このことは、それだけカバー１０
の取付精度に高精度を要求されず、組立が容易になる。
かつ、基板１とカバー１０との間の間隙を大きくしてい
れば、カバー１０の開閉に際して基板１が傷付く恐れも
少ない。
【００２６】又、シート（例えば、厚さが３０μｍのテ
フロン製のシート）１４が、カバー１０の開口部に沿っ
て設けられている（図３中、一点鎖線で示す）。すなわ
ち、ホルダ７に配置された基板１に対してカバー１０を
閉めると、シート１４の端部が基板１の端部に沿って位
置する結果、基板１とカバー１０との間の間隙が多少大
きくなっても、ＣＶＤ原料ガスの周囲への漏れは少な
く、かつ、形成される膜の品質劣化も少ないものであっ
た。例えば、基板１とカバー１０との間の間隙を０．５
ｍｍに設計しても差し支えなかった。
フロン製のシート）１４が、カバー１０の開口部に沿っ
て設けられている（図３中、一点鎖線で示す）。すなわ
ち、ホルダ７に配置された基板１に対してカバー１０を
閉めると、シート１４の端部が基板１の端部に沿って位
置する結果、基板１とカバー１０との間の間隙が多少大
きくなっても、ＣＶＤ原料ガスの周囲への漏れは少な
く、かつ、形成される膜の品質劣化も少ないものであっ
た。例えば、基板１とカバー１０との間の間隙を０．５
ｍｍに設計しても差し支えなかった。
【００２７】
【発明の効果】 高品質な薄膜が形成できる。 ＣＶＤ原料などのガスが周囲に漏れ難い。 簡単に実施でき、コストは低廉である。
【図１】本発明になる薄膜形成装置の第１実施形態を示
す概略断面図
す概略断面図
【図２】本発明になる薄膜形成装置の第２実施形態を示
す概略断面図
す概略断面図
【図３】本発明になる薄膜形成装置の第２実施形態を示
す概略斜視図
す概略斜視図
【図４】従来の薄膜形成装置の概略断面図
１ 基板 ２ ガスウィンドウ ３ ガス滞留室 ４ ガス導入部 ５ ガス排気部 ６ レーザ窓 ７ ホルダ １０ カバー １１ 溝 １２ 排気口 １４ シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−236451（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−3884（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−161802（ＪＰ，Ａ) 特表 平１−502149（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/26 - 21/268 H01L 21/31
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、この基板を保持する基板ホルダ
装置と、この基板ホルダ装置によって保持された基板の
表面にガス雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解によ
り前記基板上に薄膜を形成する為の装置とを具備した薄
膜形成装置において、前記保持される基板の周囲に沿って基板ホルダ装置には
溝が設けられてなり、 前記溝を介して雰囲気ガスを排気できるよう構成すると
共に、 前記基板ホルダ装置によって保持された基板の上面と前
記基板ホルダ装置の上面とがほぼ同一平面上にあるよう
構成したことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 基板と、この基板を保持する基板ホルダ
装置と、この基板ホルダ装置によって保持された基板の
表面にガス雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解によ
り前記基板上に薄膜を形成する為の装置とを具備した薄
膜形成装置において、 前記保持される基板と基板ホルダ装置との境界部にシー
トが設けられてなり、 前記基板ホルダ装置によって保持された基板の上面と前
記基板ホルダ装置の上面とがほぼ同一平面上にあるよう
構成 したことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 基板ホルダ装置はカバー体を具備してな
り、前記基板ホルダ装置によって保持された基板の周囲
に前記カバー体が配置され、このカバー体の上面と前記
基板の上面とがほぼ同一平面上にあるよう構成したこと
を特徴とする請求項１又は請求項２の薄膜形成装置。 - 【請求項４】 保持される基板と基板ホルダ装置との境
界部にシートが設けられてなることを特徴とする請求項
１の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 基板ホルダ装置によって保持された基板
の表面にガス雰囲気を付与し、この雰囲気ガスの分解に
より前記基板上に薄膜を形成する為の装置は、ガスを導
入するガス導入手段と、前記ガス導入手段で導入された
ガスを滞留させる滞留室と、前記滞留室から排出された
ガスを排気するガス排気手段と、前記滞留室に滞留する
ガスをレーザ照射により分解させるレーザ照射手段とを
具備することを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
の薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080506A JP3109508B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜形成装置 |
| US09/533,244 US6336975B1 (en) | 1999-03-24 | 2000-03-22 | Thin film forming equipment and method |
| TW089105219A TW452874B (en) | 1999-03-24 | 2000-03-22 | Formation device of thin film and formation of thin film |
| KR10-2000-0014845A KR100381940B1 (ko) | 1999-03-24 | 2000-03-23 | 박막형성 장치 및 방법 |
| US09/989,162 US6733848B2 (en) | 1999-03-24 | 2001-11-21 | Thin film forming equipment and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080506A JP3109508B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273641A JP2000273641A (ja) | 2000-10-03 |
| JP3109508B2 true JP3109508B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=13720211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080506A Expired - Fee Related JP3109508B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜形成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6336975B1 (ja) |
| JP (1) | JP3109508B2 (ja) |
| KR (1) | KR100381940B1 (ja) |
| TW (1) | TW452874B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101071136B1 (ko) * | 2004-08-27 | 2011-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 |
| KR101069195B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2011-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치의 제조를 위한 대기개방형 박막처리장치 및이를 이용한 박막처리방법 |
| KR20060077363A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 대기개방형 박막처리장치 및 이를 이용한 평판표시장치용기판의 박막처리방법 |
| US20090110848A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Los Alamos National Security, Llc | Method and apparatus for high-pressure atomic-beam laser induced deposition/etching |
| US8038954B2 (en) * | 2008-02-14 | 2011-10-18 | Basf Corporation | CSF with low platinum/palladium ratios |
| KR101431816B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2014-09-23 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 연장 속눈썹 부착 기구용 그립 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801352A (en) | 1986-12-30 | 1989-01-31 | Image Micro Systems, Inc. | Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation |
| US5246526A (en) * | 1989-06-29 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment apparatus |
| EP0634786B1 (en) | 1993-07-15 | 1997-03-05 | Applied Materials, Inc. | Improved susceptor |
| US5556476A (en) | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
| US5777847A (en) * | 1995-09-27 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Multichip module having a cover wtih support pillar |
| US5846332A (en) * | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
| US5960555A (en) | 1996-07-24 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11080506A patent/JP3109508B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-22 TW TW089105219A patent/TW452874B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-22 US US09/533,244 patent/US6336975B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-23 KR KR10-2000-0014845A patent/KR100381940B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-21 US US09/989,162 patent/US6733848B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW452874B (en) | 2001-09-01 |
| US6733848B2 (en) | 2004-05-11 |
| US6336975B1 (en) | 2002-01-08 |
| JP2000273641A (ja) | 2000-10-03 |
| KR100381940B1 (ko) | 2003-04-26 |
| KR20000076940A (ko) | 2000-12-26 |
| US20020076509A1 (en) | 2002-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3109508B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2953426B2 (ja) | Ｌｓｉ製造用プロセス装置 | |
| JP2014123673A (ja) | 基板位置検出装置及びこれを用いた基板処理装置、成膜装置 | |
| US6443302B2 (en) | Pellicle and storage case therefor having chemical traps | |
| JP2005539351A (ja) | 放射窓及びその製造方法 | |
| JPS59222922A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2012132064A (ja) | 反応性スパッタリング装置 | |
| US6333130B1 (en) | Method and apparatus for correcting defects in photomask | |
| JP2007332433A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP2642907B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH06953B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3036687B2 (ja) | レーザｃｖｄ装置 | |
| JPH09263944A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS6041970Y2 (ja) | 紫外線洗浄装置の開閉扉 | |
| JPH0752612Y2 (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP2000001217A (ja) | Ｕｖ洗浄装置における搬送用ローラ | |
| JPH0743267A (ja) | 水分測定操作装置のシール装置 | |
| JPH0660138U (ja) | プラズマｃｖｄ装置における観察窓 | |
| JP3668776B2 (ja) | Ｘ線顕微鏡 | |
| JPH07199450A (ja) | 小型の金属薄膜形成装置 | |
| JP3343271B2 (ja) | 水分測定装置における試料容器 | |
| JPH0610673Y2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0426206B2 (ja) | ||
| JPS63122999A (ja) | 軟ｘ線取出し窓 | |
| JPH06168897A (ja) | 光励起化学蒸着式薄膜形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070914 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070914 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 13 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |