JP3109419B2 - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの加工方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ウェーハの加工方法として、ウェ
ーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、ウェー
ハの厚さバラツキをなくすためのラッピング工程、破砕
層および汚染した部分（砥粒が食い込んだ部分）をなく
すためのエッチング工程、ウェーハの外周面取り部およ
び主面の研磨工程を順次に行うものが知られている。ま
た、１９９４年２月２８日に日刊工業新聞社から発行さ
れた「半導体材料基礎工学」に記載の方法のように、前
記方法において、ラッピング工程と面取り工程とを逆に
したものも知られている。しかし、後者の方法では、ラ
ッピング時のウェーハの外周は角のままとなっているた
め、ラッピング時にウェーハ外周の欠けが生じ、またさ
らにＳｉ屑によりウェーハの主面が傷付いてしまう危険
性があった。そのため、現在では、前者の方法のよう
に、面取り工程の後にラッピング工程を行うのが主流に
なっている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of processing a wafer, a chamfering step for preventing chipping of an outer periphery of a wafer, a lapping step for eliminating a variation in thickness of a wafer, a crushed layer and a contaminated portion (abrasion grains And a polishing step of sequentially removing an outer portion of the wafer and a polishing process of a main surface of the wafer. In addition, as in the method described in “Basic Engineering for Semiconductor Materials” published by Nikkan Kogyo Shimbun on February 28, 1994, in the above method, the lapping step and the chamfering step are reversed. I have. However, in the latter method, since the outer periphery of the wafer during lapping remains at a corner, there is a risk that the outer periphery of the wafer will be chipped during lapping and that the main surface of the wafer will be damaged by Si debris. Was. For this reason, at present, the lapping process is mainly performed after the chamfering process as in the former method.
【０００３】なお、前者の方法の変形として、前記面取
り工程において、粒度の大きな砥石（例えば８００番）
で研削をしてウェーハの外周を丸めて面取りした直後
に、粒度の小さな砥石（例えば１５００番）でもってそ
の外周面取り部を研削するものもあり、この方法では、
後のエッチング工程で外周面取り部の平滑度が多少劣化
はするものの、粒度の大きな砥石だけの場合に比べて、
エッチング工程後の平滑度が高いため、後に行われる外
周面取り部の研磨工程での作業が容易となる。As a modification of the former method, in the chamfering step, a grindstone having a large grain size (for example, No. 800) is used.
Immediately after grinding and rounding the outer periphery of the wafer and chamfering, there is also one in which the outer peripheral chamfered portion is ground with a grindstone having a small grain size (for example, No. 1500).
Although the smoothness of the outer peripheral chamfered part is slightly degraded in the later etching step, compared to the case of only a grindstone with a large grain size,
Since the smoothness after the etching step is high, the work in the polishing step of the outer peripheral chamfered portion performed later becomes easy.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、面取り
工程の後にラッピング工程を行うものでは、ラッピング
時に外周面取り部の平面形状および断面形状の崩れが生
じ、その後にこの形状崩れを直す機会がないため、形状
崩れ状態のままでウェーハが半導体デバイスの製造工程
に送られ、フォトリソグラフィ工程においてウェーハに
塗布したレジストの切れが悪くなったりすることもあ
り、今後益々進むであろう半導体デバイスの高集積化に
対応できないという問題があった。However, in the case where the lapping step is performed after the chamfering step, the planar shape and the cross-sectional shape of the outer peripheral chamfered portion are lost at the time of lapping, and there is no opportunity to correct the shape collapse after that. The wafer is sent to the semiconductor device manufacturing process with the shape collapsed, and the resist applied to the wafer in the photolithography process may be poorly cut. There was a problem that it could not be handled.
【０００５】また一方において、ラッピング工程の直後
に行われるエッチング工程では、従来、フッ酸、硝酸お
よび酢酸の混合液にウェーハを浸す、いわゆる酸エッチ
ングが行われていたが、この酸エッチングでは、ラッピ
ング後のウェーハの平坦度保持が困難である上、使用後
のエッチング液の廃液処理にコストがかかることから、
最近では、酸エッチングに代わり、水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムの液にウェーハを浸す、いわゆる
アルカリエッチングが主流になってきている。しかし、
このアルカリエッチングは異方性エッチングであり、等
方性エッチングである酸エッチングとは異なるため、ウ
ェーハの裏面や面取り部が特に荒れ易く、ウェーハの平
滑度が劣化し、その後に裏面や面取り部の処理が必要と
なり、特に後者の面取り部の処理では、面の粗さを所定
の粗さ以下にして目標の平滑度とするための研磨時間が
酸エッチングに比べて数倍大きくなってしまうという問
題があった。また、アルカリエッチングの場合、ウェー
ハの裏面の平滑度を向上するため、面研磨工程におい
て、ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定
盤に張られたバフによってウェーハの表裏面を同時に研
磨することも行われているが、このようにしてウェーハ
の表裏面を研磨すると、キャリアの内壁によってウェー
ハの面取り部が削られ、面取り部の断面形状の崩れが発
生し、後のデバイス製造におけるフォトリソグラフィ工
程でのレジストの切れが悪くなったりし、高集積化の阻
害原因となっていた。On the other hand, in the etching step performed immediately after the lapping step, so-called acid etching, in which a wafer is immersed in a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid and acetic acid, has conventionally been performed. Since it is difficult to maintain the flatness of the wafer afterwards, and because it is costly to process the waste liquid of the etching solution after use,
In recent years, so-called alkaline etching, in which a wafer is immersed in a solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide, instead of acid etching, has become mainstream. But,
Since this alkali etching is anisotropic etching and is different from acid etching which is isotropic etching, the back surface and the chamfered portion of the wafer are particularly easily roughened, and the smoothness of the wafer is deteriorated. In particular, in the case of the chamfered part, the polishing time for reducing the surface roughness to a predetermined roughness or less and achieving the target smoothness is several times longer than the acid etching. was there. In addition, in the case of alkali etching, in order to improve the smoothness of the back surface of the wafer, in the surface polishing step, the wafer is set on a carrier, and the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished by a buff stretched on a platen arranged vertically. However, when the front and back surfaces of the wafer are polished in this manner, the chamfered portion of the wafer is shaved by the inner wall of the carrier, and the cross-sectional shape of the chamfered portion is distorted. This has led to poor cutting of the resist in the lithography process, which has been a cause of hindering high integration.
【０００６】本発明は、かかる点に鑑みなされたもので
あり、半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、
面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェー
ハの加工方法を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and can cope with high integration of a semiconductor device.
An object of the present invention is to provide a method for processing a semiconductor wafer, which can quickly polish a chamfered portion.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の加工方法
は、インゴットをスライスして得られたウェーハの外周
を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを
行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外
周面取り部を所定量研削して形状の適正化と平滑度の回
復あるいは向上を図り、次いで、前記外周面取り部の全
体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、そ
の後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏
面の研磨を行うようにしたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing method, wherein an outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, lapping of the wafer is performed, and then etching is performed. Grind the outer chamfer of the wafer by a predetermined amount to optimize the shape and improve the smoothness.
In order to restore or improve , then, the entire outer peripheral chamfered portion is subjected to soft grinding by applying a predetermined load to the grindstone, and thereafter, the entire outer peripheral chamfered portion of the wafer and the front and back surfaces are polished. It is characterized by the following.
【０００８】請求項２記載の加工方法は、インゴットを
スライスして得られたウェーハの外周を研削によって面
取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチン
グを行い、前記ウェーハの表裏面を同時に研磨した後、
前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削して形状の適
正化と平滑度の回復あるいは向上を図り、次いで、前記
外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する
軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部
の全体および表面の研磨を行うようにしたものである。According to a second aspect of the present invention, the outer periphery of the wafer obtained by slicing the ingot is chamfered by grinding, the wafer is wrapped, etched, and the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished. rear,
The outer peripheral chamfered part of the wafer is ground by a predetermined amount and
In order to recover or improve the smoothness and the smoothness , then, the entire outer peripheral chamfer is subjected to soft grinding by applying a predetermined load to a grindstone, and thereafter, the entire outer peripheral chamfer and the surface of the wafer are polished. Is performed.
【０００９】請求項３記載の加工方法は、請求項１また
は請求項２記載の加工方法において、前記エッチングを
アルカリエッチングとしたものである。According to a third aspect of the present invention, in the processing method of the first or second aspect, the etching is performed by alkali etching.
【００１０】上記した手段によれば、半導体デバイスの
製造工程に送られる前に、ラッピング工程およびエッチ
ング工程等で生じた面取り部の平面形状および断面形状
の崩れを直すことができる。したがって、半導体デバイ
スの製造工程のレジストの切れが悪くなったりする心配
がなくなる。また、アルカリエッチングによってウェー
ハの外周面取り部の平滑度が損なわれた場合であって
も、エッチング工程の後に行われる研削および軟研削に
よって外周面取り部の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。[0010] According to the above-described means, it is possible to correct the collapse of the planar shape and the cross-sectional shape of the chamfered portion caused by the lapping step, the etching step, and the like before being sent to the semiconductor device manufacturing process. Therefore, there is no need to worry about the resist being cut off during the manufacturing process of the semiconductor device. Further, even when the smoothness of the outer chamfered portion of the wafer is impaired by the alkali etching, the smoothness of the outer chamfered portion can be recovered or improved by grinding and soft grinding performed after the etching step. Therefore, the polishing time of the chamfered portion performed later can be shortened.
【００１１】[0011]
Ａ．実施例のウェーハの加工方法は、図１に示すよう
に、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、両
面研磨工程、面取り部研削工程、面取り部軟研削・研磨
工程および表面研磨工程を順次に行うものである。A. As shown in FIG. 1, the wafer processing method of the embodiment sequentially performs a chamfering step, a lapping step, an etching step, a double-side polishing step, a chamfering section grinding step, a chamfering section soft grinding / polishing step, and a surface polishing step. It is.
【００１２】（１）面取り工程 インゴットを内周刃あるいはワイヤソーでスライスして
得られたウェーハの外周を砥石によって丸く削り取って
面取り部を形成する。ウェーハの外周が角のままだと工
程途中で欠けたりＳｉ屑が発生し、集積回路の不良の原
因となるからである。この面取りに使用される砥石の粒
度は特に制限はされないが３００〜８００番程度であ
る。なお、「外周」とは、特に断らない限り、図３に示
すノッチＮ付きのウェーハＷにあってはノッチＮを含む
全周を、図９に示すオリエンテーションフラット（以下
「オリフラ」という）Ｏ付きのウェーハＷにあってはオ
リフラＯを含む全周を指す。(1) Chamfering Step The outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot with an inner peripheral blade or a wire saw is rounded off with a grindstone to form a chamfered portion. This is because if the outer periphery of the wafer remains square, chipping or Si debris is generated during the process, which causes a failure of the integrated circuit. The grain size of the grindstone used for this chamfering is not particularly limited, but is about 300 to 800. Unless otherwise specified, the “outer periphery” refers to the entire periphery including the notch N in the wafer W having the notch N shown in FIG. 3 with an orientation flat (hereinafter, referred to as “orientation flat”) O shown in FIG. Indicates the entire circumference including the orientation flat O.
【００１３】（２）ラッピング工程 面取り工程の終了したウェーハに圧力を加え、シリカ
（ＳｉＯ2 ）、ジルコニア（ＺｒＯ2 ）やアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）等の砥粒と脂肪酸塩等を添加物として加えたス
ラリーを用い、ウェーハの片面あるいは両面をラップす
る。内周刃あるいはワイヤソーでのインゴットの切断に
よって、ウェーハの厚さと平行度が決まるが、必ずばら
つきがあるので、それを補正するためである。(2) Lapping Step A pressure is applied to the wafer after the chamfering step, and silica (SiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ) and alumina (A
One side or both sides of the wafer are wrapped using a slurry containing abrasive grains such as l 2 O 3 ) and fatty acid salts as additives. The thickness of the wafer and the parallelism are determined by cutting the ingot with the inner peripheral blade or the wire saw. However, since there is always a variation, it is to correct it.
【００１４】（３）エッチング工程 水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの液にウェー
ハを浸すことによりウェーハの表面のエッチングを行
う。ラッピング工程等を経て得られたウェーハの表面に
は、破砕層（砕けて荒れた部分）や汚染した部分（砥粒
が食い込んだ部分）が存在するので、これらを除去する
ためである。(3) Etching Step The wafer surface is etched by immersing the wafer in a solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide. The surface of the wafer obtained through the lapping step and the like has a crushed layer (a crushed and roughened portion) and a contaminated portion (a portion in which abrasive grains have been cut).
【００１５】（４）両面研磨工程 ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定盤に
張られたバフによって研磨液を供給しつつウェーハの表
裏面を同時に研磨する。この両面研磨を行うのは、ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上させたり、裏面の平滑度を向
上させてＳｉ屑の発生を防止したりするためである。(4) Double-side polishing step The wafer is set on a carrier, and the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished while supplying a polishing liquid by a buff stretched over a platen arranged vertically. This double-side polishing is performed to greatly improve the flatness of the wafer or to improve the smoothness of the back surface to prevent generation of Si dust.
【００１６】（５）面取り部研削工程 再びウェーハの外周面取り部を研削液を供給しつつ砥石
によって丸く削り取る。ラッピング工程およびエッチン
グ工程によって面取り部の平面形状および断面形状が崩
れたり、面取り部の平滑度が損なわれるので、面取り部
の形状を適正化すると共に、外周面取り部の平滑度を回
復あるいは向上させるためである。この研削工程で使用
される砥石の粒度は特に制限はされないが１０００〜３
０００番程度である。なお、この場合、ノッチＮの面取
り部の研削は特に行わなくても良い。ノッチＮは小さ
く、変形も少ないからである。勿論、ノッチＮの面取り
部の研削を行っても良いが、その場合には、研削の時間
がそれだけ長くかかることになる。(5) Chamfering part grinding step The outer peripheral chamfering part of the wafer is again rounded off with a grindstone while supplying a grinding liquid. Since the planar shape and the cross-sectional shape of the chamfered portion are destroyed by the lapping process and the etching process, and the smoothness of the chamfered portion is impaired, to optimize the shape of the chamfered portion and recover or improve the smoothness of the outer peripheral chamfered portion. It is. The particle size of the grindstone used in this grinding step is not particularly limited, but may be 1000-3.
The number is about 000. In this case, the chamfered portion of the notch N need not be particularly ground. This is because the notch N is small and the deformation is small. Of course, the chamfered portion of the notch N may be ground, but in that case, the grinding time is longer.
【００１７】（６）面取り部軟研削・研磨工程 ウェーハのノッチを研削液を供給しつつ砥石に所定荷重
を加えて軟研削する。エッチング工程によってノッチ面
取り部の平滑度が損なわれるので、ノッチ面取り部の平
滑度をある程度高めるためである。また、同様に、ウェ
ーハの外周面取り部を研削液を供給しつつ砥石に所定荷
重を加えて軟研削する。前記面取り部研削工程で形状が
適正化された外周面取り部の平滑度を向上させるためで
ある。いずれの場合も砥石の粒度は特に制限はされない
が２０００〜５０００番程度である。また、この場合の
砥石の結合剤としては、特に制限はされないが、窯業原
料系のビドリファイト等の結合剤や、メタル結合剤が使
用される。その後、ウェーハの面取り部を研磨液を供給
しつつバフ等によって研磨する。前工程の研削や軟研削
で生じた加工歪を除去したり、表面平滑度を上げて工程
途中のＳｉ屑やＳｉ微粉の発生を防止するためである。(6) Chamfering portion soft grinding / polishing step A notch of a wafer is softly ground by applying a predetermined load to a grindstone while supplying a grinding liquid. This is because the smoothness of the notch chamfer is increased to some extent because the etching process impairs the smoothness of the notch chamfer. Similarly, a predetermined load is applied to the grindstone while supplying the grinding liquid to the chamfered portion of the outer periphery of the wafer to perform soft grinding. This is for improving the smoothness of the outer peripheral chamfer whose shape has been optimized in the chamfering part grinding step. In any case, the grain size of the grindstone is not particularly limited, but is about 2000 to 5000. In this case, the binder of the grindstone is not particularly limited, but a binder such as viridite of a ceramic raw material or a metal binder is used. Thereafter, the chamfered portion of the wafer is polished by a buff or the like while supplying a polishing liquid. This is for the purpose of removing the processing distortion generated by the grinding or the soft grinding in the previous process, or increasing the surface smoothness to prevent the generation of Si dust and Si fines during the process.
【００１８】（７）表面研磨工程 ウェーハの表面を研磨液を供給しつつバフによって研磨
する。(7) Surface Polishing Step The surface of the wafer is polished by a buff while supplying a polishing liquid.
【００１９】Ｂ．面取り部の加工装置 図２には面取り部の加工装置の一例が示されている。こ
の加工装置１は面取り部研削装置２、面取り部軟研削装
置３および面取り部研磨装置５とを備え、ノッチＮが形
成されたウェーハＷ（図３）やオリエンテーションフラ
ット（以下「オリフラ」という）Ｏが形成されたウェー
ハＷ（図１０）の面取り部の研削と、軟研削と、研磨と
を連続的に行えるようになっている。B. FIG. 2 shows an example of a chamfer processing apparatus. This processing apparatus 1 includes a chamfered portion grinding device 2, a chamfered portion soft grinding device 3, and a chamfered portion polishing device 5, and a wafer W having a notch N formed thereon (FIG. 3) and an orientation flat (hereinafter, referred to as “orifla”) O The grinding, the soft grinding, and the polishing of the chamfered portion of the wafer W (FIG. 10) on which is formed can be continuously performed.
【００２０】このうち面取り部研削装置２は、ウェーハ
Ｗを収納したカセット４を取り付けるためのカセット取
付け部（イ）と、カセット４から取り出されたウェーハ
Ｗのセンタリングやオリフラ／ノッチ位置出しを行う位
置決め部（ロ）と、ウェーハＷの外周（ノッチＮを除
く）を研削するための外周研削部（ハ）とを有し、面取
り部軟研削装置３は、ウェーハＷのノッチＮを軟研削す
るためのノッチ軟研削部（ニ）と、ウェーハＷの外周
（ノッチＮを除く）を軟研削するための外周軟研削部
（ホ）とを有し、面取り部研磨装置５は、ウェーハＷの
ノッチＮを研磨するためのノッチ研磨部（ヘ）と、ウェ
ーハＷの外周（ノッチＮを除く）を研磨するための外周
研磨部（ト）と、ウェーハＷの洗浄部（チ）と、ウェー
ハＷを収納するためのカセット４を取り付けるためのカ
セット取付け部（リ）とを有している。そして、この加
工装置１においては、カセット取付け部（イ）にローダ
２０が、位置決め部（ロ）には図示しない位置決め装置
が、外周研削部（ハ）には外周研削装置２１が、ノッチ
軟研削部（ニ）にはノッチ軟研削装置３０が、外周軟研
削部（ホ）には外周軟研削装置３１が、ノッチ研磨部
（ヘ）にはノッチ研磨装置５０が、外周研磨部（ト）に
は外周研磨装置５１が、洗浄部（チ）には図示しない洗
浄装置が、カセット取付け部（リ）にはアンローダ５２
がそれぞれ設けられている。また、この加工装置１にお
いては、ローダ２０によって位置決め部（ロ）に送ら
れ、ここでセンタリング等されたウェーハＷを、外周研
削部（ハ）、ノッチ軟研削部（ニ）、外周軟研削部
（ホ）、ノッチ研磨部（ヘ）、外周研磨部（ト）および
洗浄部（チ）に搬送するための搬送装置４０（図５参
照）が設けられている。The chamfered portion grinding apparatus 2 includes a cassette mounting portion (a) for mounting the cassette 4 containing the wafer W, and a positioning for centering the wafer W taken out of the cassette 4 and positioning the orientation flat / notch. Portion (b), and an outer peripheral grinding portion (c) for grinding the outer periphery (excluding the notch N) of the wafer W, and the chamfered portion soft grinding device 3 softly grinds the notch N of the wafer W. And a peripheral soft grinding portion (E) for soft grinding the outer periphery (except for the notch N) of the wafer W. Notch polishing section (f) for polishing the wafer, outer periphery polishing section (g) for polishing the outer periphery of the wafer W (excluding the notch N), cleaning section (h) for the wafer W, and accommodating the wafer W Mosquito to do It has a cassette mounting portion for mounting the Tsu bets 4 and (i). In the processing apparatus 1, the loader 20 is mounted on the cassette mounting portion (a), a positioning device (not shown) is positioned on the positioning portion (b), the outer circumference grinding device 21 is mounted on the outer circumference grinding portion (c), and the notch soft grinding is performed. The part (d) is provided with the notch soft grinding device 30, the outer peripheral soft grinding part (e) is provided with the outer peripheral soft grinder 31, the notch polisher (f) is provided with the notch polisher 50, and the outer peripheral polisher (g). Denotes an outer peripheral polishing device 51, a cleaning device (not shown) in the cleaning portion (h), and an unloader 52 in the cassette mounting portion (i).
Are provided respectively. Further, in the processing apparatus 1, the wafer W sent to the positioning section (b) by the loader 20 and subjected to centering or the like here is transferred to the outer peripheral grinding section (c), the notch soft grinding section (d), and the outer peripheral soft grinding section. (E), a transport device 40 (see FIG. 5) for transporting to the notch polishing section (f), the outer peripheral polishing section (g), and the cleaning section (h).
【００２１】ローダ２０は、図４に示すように、多数の
ウェーハＷを積層状態に保持可能なカセット４を昇降さ
せる昇降装置（図示せず）と、このカセット４からウェ
ーハＷを１枚ずつ取り出すベルトコンベア２０ａとを備
え、カセット４の下側に保持されているウェーハＷから
順にベルトコンベア２０ａによって１枚ずつウェーハＷ
を取り出し、位置決め部（ロ）に送れるようになってい
る。As shown in FIG. 4, the loader 20 raises and lowers a cassette 4 capable of holding a large number of wafers W in a stacked state, and unloads the wafers W one by one from the cassette 4. A belt conveyor 20a, and the wafers W held one by one by the belt conveyor 20a in order from the wafers W held below the cassette 4.
Can be taken out and sent to the positioning section (b).
【００２２】搬送装置４０は、図５に示すように、アー
ム４０ａを備えており、このアーム４０ａは位置決め部
（ロ）、外周研削部（ハ）、ノッチ軟研削部（ニ）、外
周軟研削部（ホ）、ノッチ研磨部（ヘ）、外周研磨部
（ト）および洗浄部（チ）の配列方向に往復移動可能と
なっている。また、アーム４０ａの先端部下側には吸着
盤４０ｂが設けられている。この吸着盤４０ｂは、図示
しない空気管（図示せず）を通じて、同じく図示しない
吸引ポンプに連結されている。また、吸着盤４０ｂはモ
ータ４０ｃによって回転できるようになっている。As shown in FIG. 5, the transfer device 40 includes an arm 40a. The arm 40a includes a positioning portion (b), an outer peripheral grinding portion (c), a notch soft grinding portion (d), and an outer peripheral soft grinding portion. The part (e), the notch polishing part (f), the outer peripheral polishing part (g), and the cleaning part (h) can reciprocate in the arrangement direction. A suction disk 40b is provided below the tip of the arm 40a. The suction disk 40b is connected to a suction pump (not shown) through an air pipe (not shown) (not shown). The suction disk 40b can be rotated by a motor 40c.
【００２３】外周研削装置２１は、図６に示すように、
円筒状の砥石２１ａを２つ備えている。各砥石２１ａの
外周には、ウェーハＷの外周を受容する溝（総形溝）２
１ｂが設けられている。各砥石２１ａはモータ２１ｃに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研削
装置２１は、両砥石２１ａの溝２１ｂの内面をウェーハ
Ｗの外周に所定量押し当て、両砥石２１ａを高速で回転
させる一方で、ウェーハＷを低速で回転させることによ
って、ウェーハＷの外周を所定量研削するようになって
いる。なお、両砥石２１ａは互いに接近離反できるよう
にされており、ウェーハＷを挟み込むことができるよう
になっている。また、この外周研削装置２１によってオ
リフラＯも研削するようになっている。As shown in FIG. 6, the outer peripheral grinding device 21
Two cylindrical grinding wheels 21a are provided. A groove (form groove) 2 for receiving the outer periphery of the wafer W is provided on the outer periphery of each grindstone 21a.
1b is provided. Each grindstone 21a is driven to rotate by a motor 21c. The outer peripheral grinding device 21 presses the inner surfaces of the grooves 21b of the two grindstones 21a against the outer periphery of the wafer W by a predetermined amount, and rotates both the grindstones 21a at a high speed, while rotating the wafer W at a low speed, thereby forming the wafer W The outer circumference is ground by a predetermined amount. The two grindstones 21a can approach and separate from each other, and can sandwich the wafer W. The outer peripheral grinding device 21 also grinds the orientation flat O.
【００２４】ノッチ軟研削装置３０は、図２に示すよう
に、円板状の砥石３０ａを備えており、この砥石３０ａ
は一対のアーム３０ｂ，３０ｂにて支持されている。そ
して、このノッチ軟研削装置３０は、砥石３０ａの外周
をウェーハＷのノッチＮに所定荷重で押し当て、砥石３
０ａを図示しないモータによって高速で回転させる一方
で、ウェーハＷを小角度往復回転させることによって、
ウェーハＷのノッチＮを軟研削するようになっている。
この軟研削を行うため、砥石３０ａはウェーハＷに対し
て接近離反できるようにされている。As shown in FIG. 2, the notch soft grinding device 30 includes a disc-shaped grindstone 30a.
Are supported by a pair of arms 30b, 30b. Then, the notch soft grinding device 30 presses the outer periphery of the grindstone 30a against the notch N of the wafer W with a predetermined load, and
0a is rotated at a high speed by a motor (not shown), while the wafer W is reciprocated by a small angle,
The notch N of the wafer W is soft-ground.
In order to perform this soft grinding, the grindstone 30a can be moved toward and away from the wafer W.
【００２５】外周軟研削装置３１は、図７に示すよう
に、円筒状の砥石３１ａを２つ備えている。各砥石３１
ａの外周には、ウェーハＷの外周を受容する溝（総形
溝）３１ｂが設けられている。各砥石３１ａはモータ３
１ｃによって回転駆動されるようになっている。この外
周軟研削装置３１は、両砥石３１ａの溝３１ｂの内面を
ウェーハＷの外周に所定荷重で押し当て、両砥石３１ａ
を高速で回転させる一方で、ウェーハＷを低速で回転さ
せることによって、ウェーハＷの外周を軟研削するよう
になっている。なお、両砥石３１ａは互いに接近離反で
きるようにされており、ウェーハＷを挟み込むことがで
きるようになっている。また、この外周軟研削装置３１
によってオリフラＯも軟研削するようになっている。As shown in FIG. 7, the outer peripheral soft grinding device 31 includes two cylindrical grindstones 31a. Each whetstone 31
On the outer periphery of a, a groove (form groove) 31b for receiving the outer periphery of the wafer W is provided. Each grinding wheel 31a has a motor 3
1c is driven to rotate. The outer peripheral soft grinding device 31 presses the inner surface of the groove 31b of both whetstones 31a against the outer periphery of the wafer W with a predetermined load, and
By rotating the wafer W at a low speed while rotating the wafer at a high speed, the outer periphery of the wafer W is soft-ground. The two whetstones 31a can approach and separate from each other, and can hold the wafer W therebetween. In addition, the outer peripheral soft grinding device 31
Thus, the orientation flat O is also soft-ground.
【００２６】ノッチ研磨装置５０は、図２に示すよう
に、円板状の発泡樹脂製のバフ５０ａを備えており、こ
のバフ５０ａは一対のアーム５０ｂ，５０ｂにて支持さ
れている。そして、このノッチ研磨装置５０は、バフ５
０ａの外周をウェーハＷのノッチＮに所定荷重で押し当
て、バフ５０ａを図示しないモータによって高速で回転
させる一方で、ウェーハＷを小角度往復回転させること
によって、ウェーハＷのノッチＮを研磨するようになっ
ている。As shown in FIG. 2, the notch polishing apparatus 50 includes a disk-shaped buff 50a made of foamed resin, and the buff 50a is supported by a pair of arms 50b, 50b. Then, the notch polishing device 50 includes the buff 5
0a is pressed against the notch N of the wafer W with a predetermined load, and the buff 50a is rotated at a high speed by a motor (not shown), while the notch N of the wafer W is polished by reciprocating the wafer W by a small angle. It has become.
【００２７】外周研磨装置５１は、図８に示すように、
円筒状のバフ５１ａを２つ備えている。各バフ５１ａの
外周には、ウェーハＷの外周を受容する溝（総形溝）５
１ｂが設けられている。各バフ５１ａはモータ５１ｃに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研磨
装置５１は、両バフ５１ａの溝５１ｂの内面をウェーハ
Ｗの外周に所定荷重で押し当て、両バフ５１ａを高速で
回転させる一方で、ウェーハＷを低速で回転させること
によって、ウェーハＷの外周を研磨するようになってい
る。なお、両バフ５１ａは互いに接近離反できるように
されており、ウェーハＷを挟み込むことができるように
なっている。また、この外周研磨装置５１によってオリ
フラＯも研磨するようになっている。As shown in FIG. 8, the outer peripheral polishing device 51
It has two cylindrical buffs 51a. Grooves (form grooves) 5 for receiving the outer periphery of the wafer W are provided on the outer periphery of each buff 51a.
1b is provided. Each buff 51a is driven to rotate by a motor 51c. The outer peripheral polishing apparatus 51 presses the inner surfaces of the grooves 51b of both the buffs 51a against the outer periphery of the wafer W with a predetermined load, and rotates both the buffs 51a at a high speed, while rotating the wafer W at a low speed. Is polished. Note that the two buffs 51a are configured to be able to approach and separate from each other so that the wafer W can be sandwiched therebetween. Further, the outer peripheral polishing device 51 also polish the orientation flat O.
【００２８】アンローダ５２は、図９に示すように、多
数のウェーハＷを積層状態に保持可能なカセット４を昇
降させる昇降装置（図示せず）と、このカセット４にウ
ェーハＷを１枚ずつ収納するベルトコンベア５２ａとを
備え、カセット４の上側から順にウェーハＷをベルトコ
ンベア５２ａによって１枚ずつウェーハＷを収納するこ
とができるようになっている。As shown in FIG. 9, the unloader 52 raises and lowers a cassette 4 capable of holding a large number of wafers W in a stacked state, and stores the wafers W one by one in the cassette 4. A belt conveyer 52a is provided so that the wafers W can be stored one by one by the belt conveyer 52a in order from the upper side of the cassette 4.
【００２９】なお、面取り部の研磨が終了した後、洗浄
部（チ）に到達したウェーハＷは再度位置決めされるこ
とはない。After the polishing of the chamfered portion is completed, the wafer W which has reached the cleaning portion (h) is not positioned again.
【００３０】以上に説明したウェーハの加工方法によれ
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程等で生じた面取り部の平
面形状および断面形状の崩れを直すことができる。した
がって、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが
悪くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッ
チングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場
合であっても、エッチング工程の後に行われる研削およ
び軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させ
ることができる。したがって、後に行われる面取り部の
研磨時間が短くて済むことになる。According to the above-described wafer processing method, it is possible to correct the collapse of the planar shape and the cross-sectional shape of the chamfered portion caused by the lapping process, the etching process, and the like before the wafer is sent to the semiconductor device manufacturing process. . Therefore, there is no need to worry about the resist being cut off during the manufacturing process of the semiconductor device. Further, even when the smoothness of the outer periphery of the wafer is impaired by the alkali etching, the smoothness of the outer periphery can be recovered or improved by grinding and soft grinding performed after the etching step. Therefore, the polishing time of the chamfered portion performed later can be shortened.
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明の実
施例について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の変形が可能である。Although the embodiments of the present invention made by the present inventor have been described above, the present invention is not limited to such embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明の代表的なものの効果を説明すれ
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程で生じた面取り部の平面
形状および断面形状の崩れを直すことができる。したが
って、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが悪
くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッチ
ングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場合
であっても、エッチング工程の後に行われる研削および
軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。The effect of a typical example of the present invention is as follows. Before being sent to a semiconductor device manufacturing process, the planar shape and cross-sectional shape of a chamfered portion caused by a lapping process and an etching process are corrected. Can be. Therefore, there is no need to worry about the resist being cut off during the manufacturing process of the semiconductor device. Further, even when the smoothness of the outer periphery of the wafer is impaired by the alkali etching, the smoothness of the outer periphery can be recovered or improved by grinding and soft grinding performed after the etching step. Therefore, the polishing time of the chamfered portion performed later can be shortened.
【図１】本発明に係る加工方法の工程図である。FIG. 1 is a process chart of a processing method according to the present invention.
【図２】加工装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the processing apparatus.
【図３】ノッチ付きのウェーハの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a notched wafer.
【図４】ローダの側面図である。FIG. 4 is a side view of the loader.
【図５】搬送装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a transfer device.
【図６】外周研削装置の側面図である。FIG. 6 is a side view of the outer peripheral grinding device.
【図７】外周軟研削装置の側面図である。FIG. 7 is a side view of the outer peripheral soft grinding device.
【図８】外周研磨装置の側面図である。FIG. 8 is a side view of the outer peripheral polishing apparatus.
【図９】アンローダの側面図である。FIG. 9 is a side view of the unloader.
【図１０】オリフラ付きのウェーハの平面図である。FIG. 10 is a plan view of a wafer with an orientation flat.
１ 加工装置 ２ 面取り部研削装置 ３ 面取り部軟研削装置 ５ 面取り部研磨装置 Ｗ ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing apparatus 2 Chamfer part grinding device 3 Chamfer part soft grinding device 5 Chamfer part polishing device W Wafer
フロントページの続き (72)発明者 山田 正幸 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (56)参考文献 特開 平６−338484（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−275480（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−13388（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−6881（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−58827（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 1/00 B24B 9/00 601 H01L 21/304 601 Continuation of front page (72) Inventor Masayuki Yamada 150 Odaikura Odakura, Saigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Research Laboratories (56) References JP-A-6-338484 (JP, A) JP-A-Hei 6-275480 (JP, A) JP-A-5-13388 (JP, A) JP-A-5-6881 (JP, A) JP-A-59-58827 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B24B 1/00 B24B 9/00 601 H01L 21/304 601
Claims (3)
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウ
ェーハの外周面取り部を所定量研削して形状の適正化と
平滑度の回復あるいは向上を図り、次いで、形状が適正
化された前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加
えて加工する軟研削を施して平滑度を向上させ、その後
に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏面の
研磨を行うようにしたことを特徴とするウェーハの加工
方法。1. An outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, lapping of the wafer is performed, and then etching is performed. Optimize and restore or improve smoothness, then shape is appropriate
Reduction has been to improve the smoothness of the whole is subjected to soft grinding processing by adding a predetermined load to the grindstone of the peripheral chamfered portion, thereafter, to perform polishing of the whole and the front and back surfaces of the outer peripheral chamfered portion of the wafer A method for processing a wafer, characterized in that:
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、前記ウェーハの
表裏面を同時に研磨した後、前記ウェーハの外周面取り
部を所定量研削して形状の適正化と平滑度の回復あるい
は向上を図り、次いで、形状が適正化された前記外周面
取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削
を施して平滑度を向上させ、その後に、ウェーハの前記
外周面取り部の全体および表面の研磨を行うようにした
ことを特徴とするウェーハの加工方法。2. An outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, lapping of the wafer is performed, etching is performed, and front and rear surfaces of the wafer are simultaneously polished, and then an outer periphery of the wafer is chamfered. A part is ground for a predetermined amount to optimize the shape and recover or improve the smoothness, and then the entire outer peripheral chamfered part whose shape is optimized is subjected to soft grinding by applying a predetermined load to the grindstone. A method for processing a wafer, wherein the smoothness is improved , and thereafter, the entire outer peripheral chamfered portion and the surface of the wafer are polished.
あることを特徴とする請求項１または請求項２記載のウ
ェーハの加工方法。3. The wafer processing method according to claim 1, wherein the etching is an alkali etching.
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