JP3109253B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
微細なコンタクト・ホール加工等において高選択性、高
速性、低ダメージ性、低汚染性を達成可能なシリコン化
合物層のドライエッチング方法に関する。
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
微細なコンタクト・ホール加工等において高選択性、高
速性、低ダメージ性、低汚染性を達成可能なシリコン化
合物層のドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩにみられるように半導体
装置の高集積化および高性能化が進展するに伴い、酸化
シリコン（ＳｉＯ2 ）に代表されるシリコン化合物層の
ドライエッチングについても技術的要求がますます厳し
くなっている。まず、高集積化によりデバイス・チップ
の面積が拡大しウェハが大口径化していること、形成す
べきパターンが高度に微細化されウェハ面内の均一処理
が要求されていること、またＡＳＩＣに代表されるよう
に多品種少量生産が要求されていること等の背景から、
ドライエッチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉
式に移行しつつある。この際、従来と同等の生産性を維
持するためには、ウェハ１枚当たりのエッチング速度を
大幅に向上させなければならない。
装置の高集積化および高性能化が進展するに伴い、酸化
シリコン（ＳｉＯ2 ）に代表されるシリコン化合物層の
ドライエッチングについても技術的要求がますます厳し
くなっている。まず、高集積化によりデバイス・チップ
の面積が拡大しウェハが大口径化していること、形成す
べきパターンが高度に微細化されウェハ面内の均一処理
が要求されていること、またＡＳＩＣに代表されるよう
に多品種少量生産が要求されていること等の背景から、
ドライエッチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉
式に移行しつつある。この際、従来と同等の生産性を維
持するためには、ウェハ１枚当たりのエッチング速度を
大幅に向上させなければならない。
【０００３】また、デバイスの高速化や微細化を図るた
めに不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の
材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地
選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求さ
れる。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合等に、シリコン基板や多結晶
シリコン層を下地として行われるＳｉＯ2 層間絶縁膜の
エッチングがその例である。
めに不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の
材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地
選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求さ
れる。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合等に、シリコン基板や多結晶
シリコン層を下地として行われるＳｉＯ2 層間絶縁膜の
エッチングがその例である。
【０００４】従来からＳｉＯ2 系材料層のエッチング
は、強固なＳｉ−Ｏ結合を切断するために、イオン性を
高めたモードで行われている。典型的なエッチング・ガ
スは、ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等であり、これらから生成する
ＣＦx + の入射イオン・エネルギーを使用している。し
かし、高速エッチングを行うためにはこの入射イオン・
エネルギーを高めることが必要であり、エッチング反応
が物理的なスパッタ反応に近くなるため、高速性と選択
性とが常に背反していた。
は、強固なＳｉ−Ｏ結合を切断するために、イオン性を
高めたモードで行われている。典型的なエッチング・ガ
スは、ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等であり、これらから生成する
ＣＦx + の入射イオン・エネルギーを使用している。し
かし、高速エッチングを行うためにはこの入射イオン・
エネルギーを高めることが必要であり、エッチング反応
が物理的なスパッタ反応に近くなるため、高速性と選択
性とが常に背反していた。
【０００５】そこで通常は、エッチング・ガスにＨ2 や
堆積性の炭化水素系ガス等を添加してエッチング反応系
の見掛け上のＣ／Ｆ比（炭素原子数とフッ素原子数の
比）を増大させ、エッチング反応と競合して起こる炭素
系ポリマーの堆積を促進することにより高選択性を達成
している。
堆積性の炭化水素系ガス等を添加してエッチング反応系
の見掛け上のＣ／Ｆ比（炭素原子数とフッ素原子数の
比）を増大させ、エッチング反応と競合して起こる炭素
系ポリマーの堆積を促進することにより高選択性を達成
している。
【０００６】これら従来のエッチング・ガスに代わり、
本願出願人は先に特開平３−２７６６２６号公報におい
て、炭素数２以上の飽和ないし不飽和の高次鎖状フルオ
ロカーボン系ガスを使用するシリコン化合物層のドライ
エッチング方法を提案している。これは、Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ10，Ｃ4 Ｆ8 等のフルオロカーボン系ガ
スを使用することにより１分子から大量のＣＦx + を効
率良く生成させ、エッチングの高速化を図ったものであ
る。ただし、高次鎖状フルオロカーボン系ガスを単独で
使用するのみではＦ* の生成量も多くなり、対レジスト
選択比および対シリコン下地選択比を十分に大きくとる
ことができない。たとえばＣ3 Ｆ8 をエッチング・ガス
としてシリコン基板上のＳｉＯ2 層をエッチングした場
合、高速性は達成されるものの、対レジスト選択比が
１．３程度と低く、エッチング耐性が不足する他、パタ
ーン・エッジの後退により寸法変換差が発生してしま
う。また、対シリコン選択比も４．２程度であるので、
オーバーエッチング耐性にも問題が残る。
本願出願人は先に特開平３−２７６６２６号公報におい
て、炭素数２以上の飽和ないし不飽和の高次鎖状フルオ
ロカーボン系ガスを使用するシリコン化合物層のドライ
エッチング方法を提案している。これは、Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ10，Ｃ4 Ｆ8 等のフルオロカーボン系ガ
スを使用することにより１分子から大量のＣＦx + を効
率良く生成させ、エッチングの高速化を図ったものであ
る。ただし、高次鎖状フルオロカーボン系ガスを単独で
使用するのみではＦ* の生成量も多くなり、対レジスト
選択比および対シリコン下地選択比を十分に大きくとる
ことができない。たとえばＣ3 Ｆ8 をエッチング・ガス
としてシリコン基板上のＳｉＯ2 層をエッチングした場
合、高速性は達成されるものの、対レジスト選択比が
１．３程度と低く、エッチング耐性が不足する他、パタ
ーン・エッジの後退により寸法変換差が発生してしま
う。また、対シリコン選択比も４．２程度であるので、
オーバーエッチング耐性にも問題が残る。
【０００７】そこで、これらの問題を解決するために上
記の先行技術では高次鎖状フルオロカーボン系ガス単独
によるエッチングは下地が露出する直前で停止し、シリ
コン化合物層の残余部をエッチングする際には炭素系ポ
リマーの堆積を促進するために上記化合物にさらにエチ
レン（Ｃ2 Ｈ4 ）等の炭化水素系ガスを添加するとい
う、２段階エッチングも行われている。これは、エッチ
ング反応系内にＣ原子を補給すると共に、プラズマ中に
生成するＨ* で過剰のＦ* を消費してＨＦに変化させ、
見掛け上のＣ／Ｆ比を高めることを目的としているので
ある。
記の先行技術では高次鎖状フルオロカーボン系ガス単独
によるエッチングは下地が露出する直前で停止し、シリ
コン化合物層の残余部をエッチングする際には炭素系ポ
リマーの堆積を促進するために上記化合物にさらにエチ
レン（Ｃ2 Ｈ4 ）等の炭化水素系ガスを添加するとい
う、２段階エッチングも行われている。これは、エッチ
ング反応系内にＣ原子を補給すると共に、プラズマ中に
生成するＨ* で過剰のＦ* を消費してＨＦに変化させ、
見掛け上のＣ／Ｆ比を高めることを目的としているので
ある。
【０００８】しかしながら、半導体装置のデザイン・ル
ールが高度に微細化されている現状では、既にエッチン
グ・マスクとの寸法変換差がほとんど許容できなくなり
つつあり、上述のような２段階エッチングを行うにして
も、１段目のエッチングにおける選択比をさらに向上さ
せることが必要となる。また、今後より一層微細化が進
行するに伴い、炭素系ポリマーによるパーティクル汚染
の影響が深刻化することも考えられるので、２段目のエ
ッチングにおける炭化水素系ガス等の堆積性ガスの使用
量もできるだけ低減させたいところである。
ールが高度に微細化されている現状では、既にエッチン
グ・マスクとの寸法変換差がほとんど許容できなくなり
つつあり、上述のような２段階エッチングを行うにして
も、１段目のエッチングにおける選択比をさらに向上さ
せることが必要となる。また、今後より一層微細化が進
行するに伴い、炭素系ポリマーによるパーティクル汚染
の影響が深刻化することも考えられるので、２段目のエ
ッチングにおける炭化水素系ガス等の堆積性ガスの使用
量もできるだけ低減させたいところである。
【０００９】かかる観点から、本発明者は先に特願平２
−２９５２２５号明細書において、被処理基板の温度を
５０℃以下に制御した状態で、分子内に少なくとも１個
の不飽和結合を有する鎖状不飽和フルオロカーボン化合
物を用いてシリコン化合物層をエッチングする技術を提
案している。上記鎖状不飽和フルオロカーボン化合物と
は、たとえばオクタフルオロブテン（Ｃ4 Ｆ8 ）やヘキ
サフルオロプロペン（Ｃ3 Ｆ6 ）等である。これらのガ
スは、放電解離により理論上は１分子から２個以上のＣ
Ｆx + を生成するので、ＳｉＯ2 を高速にエッチングす
ることができる。また、分子内に不飽和結合を有するこ
とから解離により高活性なラジカルを生成させ易く、炭
素系ポリマーの重合が促進される。しかも、被処理基板
の温度が５０℃以下に制御されていることにより、上記
炭素系ポリマーの堆積が促進される。
−２９５２２５号明細書において、被処理基板の温度を
５０℃以下に制御した状態で、分子内に少なくとも１個
の不飽和結合を有する鎖状不飽和フルオロカーボン化合
物を用いてシリコン化合物層をエッチングする技術を提
案している。上記鎖状不飽和フルオロカーボン化合物と
は、たとえばオクタフルオロブテン（Ｃ4 Ｆ8 ）やヘキ
サフルオロプロペン（Ｃ3 Ｆ6 ）等である。これらのガ
スは、放電解離により理論上は１分子から２個以上のＣ
Ｆx + を生成するので、ＳｉＯ2 を高速にエッチングす
ることができる。また、分子内に不飽和結合を有するこ
とから解離により高活性なラジカルを生成させ易く、炭
素系ポリマーの重合が促進される。しかも、被処理基板
の温度が５０℃以下に制御されていることにより、上記
炭素系ポリマーの堆積が促進される。
【００１０】この技術により、堆積性ガスを用いること
なく対レジスト選択性および対シリコン下地選択性を大
幅に向上させることができ、パーティクル汚染も低減す
ることができた。
なく対レジスト選択性および対シリコン下地選択性を大
幅に向上させることができ、パーティクル汚染も低減す
ることができた。
【００１１】さらに、本発明者は先に特願平３−４０９
６６号明細書において、分子構造の少なくとも一部に環
状部を有する飽和ないし不飽和フルオロカーボン化合物
を含むエッチング・ガスを用いる技術を提案している。
環状フルオロカーボン化合物は少なくとも炭素数が３以
上であり、しかも炭素数の等しい鎖状フルオロカーボン
化合物と比べてＣ／Ｆ比が高いので、大量のＣＦx + に
よる高速エッチングと、効率良いポリマー生成による高
選択エッチングが可能となる。
６６号明細書において、分子構造の少なくとも一部に環
状部を有する飽和ないし不飽和フルオロカーボン化合物
を含むエッチング・ガスを用いる技術を提案している。
環状フルオロカーボン化合物は少なくとも炭素数が３以
上であり、しかも炭素数の等しい鎖状フルオロカーボン
化合物と比べてＣ／Ｆ比が高いので、大量のＣＦx + に
よる高速エッチングと、効率良いポリマー生成による高
選択エッチングが可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このように、上述の鎖
状不飽和フルオロカーボン化合物、あるいは環状フルオ
ロカーボン化合物は、シリコン化合物層の高選択エッチ
ングを単独組成のエッチング・ガスで行うことを可能と
した。しかしながら、将来のＵＬＳＩデバイスの作成に
も対応できるプロセスを提供するためには、さらにレジ
スト選択性を向上させる必要がある。これは、かかる高
集積化デバイスにおいては、エッチングすべきシリコン
化合物層の表面段差が増大するので長時間のオーバーエ
ッチングが不可欠となるが、このときのレジストの後退
を防止しないと寸法変換差が発生するからである。
状不飽和フルオロカーボン化合物、あるいは環状フルオ
ロカーボン化合物は、シリコン化合物層の高選択エッチ
ングを単独組成のエッチング・ガスで行うことを可能と
した。しかしながら、将来のＵＬＳＩデバイスの作成に
も対応できるプロセスを提供するためには、さらにレジ
スト選択性を向上させる必要がある。これは、かかる高
集積化デバイスにおいては、エッチングすべきシリコン
化合物層の表面段差が増大するので長時間のオーバーエ
ッチングが不可欠となるが、このときのレジストの後退
を防止しないと寸法変換差が発生するからである。
【００１３】さらに別の課題として、パーティクル汚染
を一層低減させることが必要である。鎖状不飽和フルオ
ロカーボン化合物、環状フルオロカーボン化合物等を用
いる技術は、選択比確保のメカニズムがエッチング反応
と競合的に進行する炭素系ポリマーの堆積によって達成
される点では従来と何ら変わりがない。したがって、ウ
ェハ処理枚数を重ねればやはりエッチング・チャンバ内
に炭素系ポリマーが蓄積され、パーティクル・レベルが
悪化してしまうのである。したがって、パーティクル汚
染が低減できたとしても、エッチング・チャンバをクリ
ーニングするためのメンテナンス頻度が減少するといっ
た程度の改善にとどまっているのが現状である。
を一層低減させることが必要である。鎖状不飽和フルオ
ロカーボン化合物、環状フルオロカーボン化合物等を用
いる技術は、選択比確保のメカニズムがエッチング反応
と競合的に進行する炭素系ポリマーの堆積によって達成
される点では従来と何ら変わりがない。したがって、ウ
ェハ処理枚数を重ねればやはりエッチング・チャンバ内
に炭素系ポリマーが蓄積され、パーティクル・レベルが
悪化してしまうのである。したがって、パーティクル汚
染が低減できたとしても、エッチング・チャンバをクリ
ーニングするためのメンテナンス頻度が減少するといっ
た程度の改善にとどまっているのが現状である。
【００１４】そこで本発明は、従来にも増して徹底した
高選択性と低汚染性を達成することが可能であり、かつ
高速性，低ダメージ性にも優れるシリコン化合物層のド
ライエッチング方法を提供することを目的とする。
高選択性と低汚染性を達成することが可能であり、かつ
高速性，低ダメージ性にも優れるシリコン化合物層のド
ライエッチング方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、フルオロカーボン側鎖を有するメルカプタン、
フルオロカーボン側鎖を有するチオエーテル、フルオロ
カーボン側鎖を有するジスルフィドから選ばれる少なく
とも１種類の化合物を含むエッチング・ガスを用いてシ
リコン化合物層をエッチングすることを特徴とする。
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、フルオロカーボン側鎖を有するメルカプタン、
フルオロカーボン側鎖を有するチオエーテル、フルオロ
カーボン側鎖を有するジスルフィドから選ばれる少なく
とも１種類の化合物を含むエッチング・ガスを用いてシ
リコン化合物層をエッチングすることを特徴とする。
【００１６】本発明はまた、前記エッチング・ガスが、
一酸化炭素、分子内にカルボニル基，チオニル基，スル
フリル基，ニトリル基，ニトロシル基の少なくとも１種
類の官能基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物、
硫化カルボニルから選ばれる少なくとも１種類の化合物
を含むことを特徴とする。
一酸化炭素、分子内にカルボニル基，チオニル基，スル
フリル基，ニトリル基，ニトロシル基の少なくとも１種
類の官能基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物、
硫化カルボニルから選ばれる少なくとも１種類の化合物
を含むことを特徴とする。
【００１７】本発明はさらに、前記エッチング・ガス
が、Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 、Ｓ2Ｆ10から選ばれる
少なくとも１種類のフッ化イオウを含み、エッチング反
応系に堆積可能なＳを供給しながらエッチングを行うこ
とを特徴とする。
が、Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 、Ｓ2Ｆ10から選ばれる
少なくとも１種類のフッ化イオウを含み、エッチング反
応系に堆積可能なＳを供給しながらエッチングを行うこ
とを特徴とする。
【００１８】ここで、上記フルオロカーボン側鎖は一般
式−Ｃx Ｆy で表される。ただし、ｘ，ｙはいずれも自
然数であり、ｙ≦２ｘ＋１の条件を満たす。つまり、そ
の炭素骨格は低次または高次の別、直鎖状または分枝状
の別、鎖状または環状の別、飽和または不飽和の別をい
ずれも問わない。たとえば、ｙ＝２ｘ＋１の場合は、上
記フルオロカーボン側鎖は直鎖状または分枝状のパーフ
ルオロアルキル基に相当する。また、ｙ＜２ｘ＋１の場
合は鎖状不飽和も構造上可能となり、特にｘ≧３の場合
には環状飽和や環状不飽和も可能となる。
式−Ｃx Ｆy で表される。ただし、ｘ，ｙはいずれも自
然数であり、ｙ≦２ｘ＋１の条件を満たす。つまり、そ
の炭素骨格は低次または高次の別、直鎖状または分枝状
の別、鎖状または環状の別、飽和または不飽和の別をい
ずれも問わない。たとえば、ｙ＝２ｘ＋１の場合は、上
記フルオロカーボン側鎖は直鎖状または分枝状のパーフ
ルオロアルキル基に相当する。また、ｙ＜２ｘ＋１の場
合は鎖状不飽和も構造上可能となり、特にｘ≧３の場合
には環状飽和や環状不飽和も可能となる。
【００１９】炭素数ｘの上限は特に制限されるものでは
ないが、そのままあるいは気化させた状態で容易にエッ
チング反応系へ導入することができ、しかも分子内のＣ
／Ｓ比（Ｃ原子数とＳ原子数の比）やＣ／Ｏ比（Ｃ原子
数とＯ原子数の比）が大きくなり過ぎない範囲で適宜選
択すれば良い。このことは、後述するように、炭素系ポ
リマーの過剰な堆積をＯ* による燃焼とＳによる堆積物
の一部代替により防止するという本発明の意図を徹底さ
せる上で重要である。
ないが、そのままあるいは気化させた状態で容易にエッ
チング反応系へ導入することができ、しかも分子内のＣ
／Ｓ比（Ｃ原子数とＳ原子数の比）やＣ／Ｏ比（Ｃ原子
数とＯ原子数の比）が大きくなり過ぎない範囲で適宜選
択すれば良い。このことは、後述するように、炭素系ポ
リマーの過剰な堆積をＯ* による燃焼とＳによる堆積物
の一部代替により防止するという本発明の意図を徹底さ
せる上で重要である。
【００２０】上記ハロゲン化合物のうち分子内にカルボ
ニル基を１個有するものとしては、ＣＯＦ2 （フッ化カ
ルボニル）、ＣＯＣｌ2 （塩化カルボニル、別名ホスゲ
ン），ＣＯＢｒ2 （臭化カルボニル；液体），ＣＯＣｌ
Ｆ（塩化フッ化カルボニル），ＣＯＢｒＦ（臭化フッ化
カルボニル），ＣＯＩＦ（ヨウ化フッ化カルボニル；液
体）等がある。また、分子内にカルボニル基を２個有す
るものとしては、Ｃ2Ｆ2 Ｏ2 （フッ化オキサリル；液
体），Ｃ2 Ｃｌ2 Ｏ2 （塩化オキサリル；液体），Ｃ2
Ｂｒ2 Ｏ2 （臭化オキサリル；液体）等がある。
ニル基を１個有するものとしては、ＣＯＦ2 （フッ化カ
ルボニル）、ＣＯＣｌ2 （塩化カルボニル、別名ホスゲ
ン），ＣＯＢｒ2 （臭化カルボニル；液体），ＣＯＣｌ
Ｆ（塩化フッ化カルボニル），ＣＯＢｒＦ（臭化フッ化
カルボニル），ＣＯＩＦ（ヨウ化フッ化カルボニル；液
体）等がある。また、分子内にカルボニル基を２個有す
るものとしては、Ｃ2Ｆ2 Ｏ2 （フッ化オキサリル；液
体），Ｃ2 Ｃｌ2 Ｏ2 （塩化オキサリル；液体），Ｃ2
Ｂｒ2 Ｏ2 （臭化オキサリル；液体）等がある。
【００２１】分子内にチオニル基を有するハロゲン化合
物としては、ＳＯＦ2 （フッ化チオニル），ＳＯＦ
4 （四フッ化チオニル），ＳＯＣｌ2 （塩化チオニル；
液体），ＳＯＢｒ2 （臭化チオニル；液体），ＳＯＣｌ
Ｂｒ（塩化臭化チオニル；液体）等がある。分子内にス
ルフリル基を有するハロゲン化合物としては、ＳＯ2 Ｆ
2 （フッ化スルフリル），ＳＯ2 Ｃｌ2 （塩化スルフリ
ル；液体），ＳＯ2 ＣｌＦ（塩化フッ化スルフリル），
ＳＯ2 ＢｒＦ（臭化フッ化スルフリル；液体）等があ
る。
物としては、ＳＯＦ2 （フッ化チオニル），ＳＯＦ
4 （四フッ化チオニル），ＳＯＣｌ2 （塩化チオニル；
液体），ＳＯＢｒ2 （臭化チオニル；液体），ＳＯＣｌ
Ｂｒ（塩化臭化チオニル；液体）等がある。分子内にス
ルフリル基を有するハロゲン化合物としては、ＳＯ2 Ｆ
2 （フッ化スルフリル），ＳＯ2 Ｃｌ2 （塩化スルフリ
ル；液体），ＳＯ2 ＣｌＦ（塩化フッ化スルフリル），
ＳＯ2 ＢｒＦ（臭化フッ化スルフリル；液体）等があ
る。
【００２２】分子内にニトロシル基を有するハロゲン化
合物としては、ＮＯＦ（フッ化ニトロシル），ＮＯＣｌ
（塩化ニトロシル），ＮＯＣｌ2 （二塩化ニトロシ
ル），ＮＯＣｌ3 （三塩化ニトロシル），ＮＯＢｒ（臭
化ニトロシル；液体）等がある。さらに、分子内にニト
リル基を有するハロゲン化合物としては、ＮＯ2 Ｆ（フ
ッ化ニトリル），ＮＯ2 Ｃｌ（塩化ニトリル），ＮＯ2
Ｂｒ（臭化ニトリル）等がある。
合物としては、ＮＯＦ（フッ化ニトロシル），ＮＯＣｌ
（塩化ニトロシル），ＮＯＣｌ2 （二塩化ニトロシ
ル），ＮＯＣｌ3 （三塩化ニトロシル），ＮＯＢｒ（臭
化ニトロシル；液体）等がある。さらに、分子内にニト
リル基を有するハロゲン化合物としては、ＮＯ2 Ｆ（フ
ッ化ニトリル），ＮＯ2 Ｃｌ（塩化ニトリル），ＮＯ2
Ｂｒ（臭化ニトリル）等がある。
【００２３】なお、上記日本語名の後に「液体」と記載
した化合物は常温で液体物質なので、Ｈｅ等の不活性ガ
スよるバブリングを行って気化させた後、エッチング・
チャンバ内へ導入すれば良い。「液体」の記載の無いも
のは、すべて気体である。
した化合物は常温で液体物質なので、Ｈｅ等の不活性ガ
スよるバブリングを行って気化させた後、エッチング・
チャンバ内へ導入すれば良い。「液体」の記載の無いも
のは、すべて気体である。
【００２４】
【作用】本発明者は、低汚染化を図りながらウェハの表
面保護効果を向上させるために、表面保護を炭素系ポリ
マーのみに依存するのではなく、その一部を汚染源とな
る虞れのない他の物質で代替することを考え、イオウ
（Ｓ）に着目した。Ｓは昇華性物質であるため、ウェハ
がおおよそ室温以下に冷却されていれば容易にその表面
に堆積する。このとき、ＳｉＯx 系材料層のようにスパ
ッタによりＯ原子を放出する材料層の上では、ＳＯx の
形で除去されるので堆積せず、主として側壁保護、露出
したシリコン系下地の表面保護、レジスト・マスクの表
面保護等に寄与するのである。しかもこのＳは、エッチ
ング終了後に通常のＯ2 プラズマ・アッシングによりレ
ジスト・マスクを除去する際に、同時に燃焼除去するこ
とができる。あるいは、ウェハをおおよそ９０℃以上に
加熱するだけでも昇華除去することができる。いずれに
しても、Ｓはパーティクル汚染源となる虞れがない。
面保護効果を向上させるために、表面保護を炭素系ポリ
マーのみに依存するのではなく、その一部を汚染源とな
る虞れのない他の物質で代替することを考え、イオウ
（Ｓ）に着目した。Ｓは昇華性物質であるため、ウェハ
がおおよそ室温以下に冷却されていれば容易にその表面
に堆積する。このとき、ＳｉＯx 系材料層のようにスパ
ッタによりＯ原子を放出する材料層の上では、ＳＯx の
形で除去されるので堆積せず、主として側壁保護、露出
したシリコン系下地の表面保護、レジスト・マスクの表
面保護等に寄与するのである。しかもこのＳは、エッチ
ング終了後に通常のＯ2 プラズマ・アッシングによりレ
ジスト・マスクを除去する際に、同時に燃焼除去するこ
とができる。あるいは、ウェハをおおよそ９０℃以上に
加熱するだけでも昇華除去することができる。いずれに
しても、Ｓはパーティクル汚染源となる虞れがない。
【００２５】本発明において、エッチング・ガスの主成
分として用いられる化合物、すなわち、フルオロカーボ
ン側鎖をそれぞれ有するメルカプタン、チオエーテル、
ジスルフィドは、このＳ原子と従来からのシリコン系化
合物層のエッチング種であるＣＦx + との双方を単一の
化合物から供給することを目的として選択されたもので
ある。ここで、Ｓ原子は−ＳＨ基（メルカプト基）、−
Ｓ−結合（スルフィド結合）、−Ｓ−Ｓ−結合（ジスル
フィド結合）のいずれかが放電解離することにより生成
する。Ｓの堆積により高選択加工に必要な炭素系ポリマ
ーの堆積量を相対的に減少させることができる。
分として用いられる化合物、すなわち、フルオロカーボ
ン側鎖をそれぞれ有するメルカプタン、チオエーテル、
ジスルフィドは、このＳ原子と従来からのシリコン系化
合物層のエッチング種であるＣＦx + との双方を単一の
化合物から供給することを目的として選択されたもので
ある。ここで、Ｓ原子は−ＳＨ基（メルカプト基）、−
Ｓ−結合（スルフィド結合）、−Ｓ−Ｓ−結合（ジスル
フィド結合）のいずれかが放電解離することにより生成
する。Ｓの堆積により高選択加工に必要な炭素系ポリマ
ーの堆積量を相対的に減少させることができる。
【００２６】一方のＣＦx + は、フルオロカーボン側鎖
が放電解離することにより生成する。このフルオロカー
ボン側鎖の炭素数ｘが２以上であれば、本発明者が先に
提案している高次フルオロカーボン化合物と同様に高速
エッチングが可能となり、さらに不飽和結合または環状
骨格を有していれば、効率良い炭素系ポリマーの重合が
進行する。
が放電解離することにより生成する。このフルオロカー
ボン側鎖の炭素数ｘが２以上であれば、本発明者が先に
提案している高次フルオロカーボン化合物と同様に高速
エッチングが可能となり、さらに不飽和結合または環状
骨格を有していれば、効率良い炭素系ポリマーの重合が
進行する。
【００２７】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに還元作用によるＳｉＯx 系材料層から
のＯ原子の引き抜き、炭素系ポリマーの膜質の強化、イ
オウの堆積の増強等を通じて一層の高速化、高選択化、
低ダメージ化、低汚染化等を図る方法も提案する。これ
らを実現するひとつの方法として、まず一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、分子内にカルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ），チオニル基
（＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（＞ＳＯ2 ），ニトロシル
基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ2 ）のいずれかの
官能基とハロゲン原子とを含むハロゲン化合物、または
硫化カルボニル（ＣＯＳ；分子構造はＳ＝Ｃ＝Ｏ）をエ
ッチング・ガスに添加する。
ているが、さらに還元作用によるＳｉＯx 系材料層から
のＯ原子の引き抜き、炭素系ポリマーの膜質の強化、イ
オウの堆積の増強等を通じて一層の高速化、高選択化、
低ダメージ化、低汚染化等を図る方法も提案する。これ
らを実現するひとつの方法として、まず一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、分子内にカルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ），チオニル基
（＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（＞ＳＯ2 ），ニトロシル
基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ2 ）のいずれかの
官能基とハロゲン原子とを含むハロゲン化合物、または
硫化カルボニル（ＣＯＳ；分子構造はＳ＝Ｃ＝Ｏ）をエ
ッチング・ガスに添加する。
【００２８】上記の各化合物においては、Ｃ原子とＯ原
子との間の結合、Ｓ原子とＯ原子との間の結合、Ｎ原子
とＯ原子との間の結合にそれぞれ電気双極子が存在し、
高い重合促進活性を有している。したがって、かかる官
能基もしくはこれに由来する原子団がプラズマ中に存在
することにより、炭素系ポリマーの重合度が上昇し、イ
オン入射やラジカルの攻撃に対する耐性を高めることが
できる。さらに、炭素系ポリマーに上述の官能基が導入
されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン原子）の繰り
返し構造からなる従来の炭素系ポリマーよりも化学的，
物理的安定性が増すことが、近年の研究により明らかと
なっている。これは、上述のような官能基の導入により
炭素系ポリマーの極性が増大し、エッチング中は負に帯
電しているウェハに対してその静電吸着力が高まるため
であると解釈されている。したがって、レジスト材料や
Ｓｉ系材料に対して高選択性を達成するために必要な炭
素系ポリマーの堆積量はごく僅かで済み、従来技術に比
べてより徹底した低汚染化を図ることができるのであ
る。
子との間の結合、Ｓ原子とＯ原子との間の結合、Ｎ原子
とＯ原子との間の結合にそれぞれ電気双極子が存在し、
高い重合促進活性を有している。したがって、かかる官
能基もしくはこれに由来する原子団がプラズマ中に存在
することにより、炭素系ポリマーの重合度が上昇し、イ
オン入射やラジカルの攻撃に対する耐性を高めることが
できる。さらに、炭素系ポリマーに上述の官能基が導入
されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン原子）の繰り
返し構造からなる従来の炭素系ポリマーよりも化学的，
物理的安定性が増すことが、近年の研究により明らかと
なっている。これは、上述のような官能基の導入により
炭素系ポリマーの極性が増大し、エッチング中は負に帯
電しているウェハに対してその静電吸着力が高まるため
であると解釈されている。したがって、レジスト材料や
Ｓｉ系材料に対して高選択性を達成するために必要な炭
素系ポリマーの堆積量はごく僅かで済み、従来技術に比
べてより徹底した低汚染化を図ることができるのであ
る。
【００２９】また上記の官能基は、エッチングの高速化
にも寄与している。すなわち、上記の官能基から生成可
能なＣＯ* ，ＳＯ* ，ＳＯ2 * ，ＮＯ* 等のラジカルは
強い還元作用を有しており、ＳｉＯ2 中のＯ原子を引き
抜くことができる。これは、２原子分子の生成熱から算
出された原子間結合エネルギーがＣ−Ｏ結合では２５７
ｋｃａｌ／ｍｏｌ，Ｓ−Ｏ結合では１２５ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ，Ｎ−Ｏ結合では１５１ｃａｌ／ｍｏｌであって、
結晶中におけるＳｉ−Ｏ結合の１１１ｋｃａｌ／ｍｏｌ
と比べていずれも大きいことからも理解される。Ｏ原子
が引き抜かれた後のＳｉ原子は、上記ハロゲン化合物か
ら解離生成したハロゲン・ラジカルと結合することによ
り、ハロゲン化物の形で速やかに除去される。つまり本
発明では、Ｓｉ−Ｏ結合の切断を、ＣＦx + イオンによ
る従来の物理的なスパッタ作用のみならず、化学的な作
用も利用して行うことができるようになる。しかも、本
発明で使用するＣＯ、ハロゲン化合物、あるいはＣＯＳ
は、レジスト材料や下地のＳｉ系材料には何ら作用を及
ぼさず、これらの材料のエッチング速度は低速に維持さ
れる。
にも寄与している。すなわち、上記の官能基から生成可
能なＣＯ* ，ＳＯ* ，ＳＯ2 * ，ＮＯ* 等のラジカルは
強い還元作用を有しており、ＳｉＯ2 中のＯ原子を引き
抜くことができる。これは、２原子分子の生成熱から算
出された原子間結合エネルギーがＣ−Ｏ結合では２５７
ｋｃａｌ／ｍｏｌ，Ｓ−Ｏ結合では１２５ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ，Ｎ−Ｏ結合では１５１ｃａｌ／ｍｏｌであって、
結晶中におけるＳｉ−Ｏ結合の１１１ｋｃａｌ／ｍｏｌ
と比べていずれも大きいことからも理解される。Ｏ原子
が引き抜かれた後のＳｉ原子は、上記ハロゲン化合物か
ら解離生成したハロゲン・ラジカルと結合することによ
り、ハロゲン化物の形で速やかに除去される。つまり本
発明では、Ｓｉ−Ｏ結合の切断を、ＣＦx + イオンによ
る従来の物理的なスパッタ作用のみならず、化学的な作
用も利用して行うことができるようになる。しかも、本
発明で使用するＣＯ、ハロゲン化合物、あるいはＣＯＳ
は、レジスト材料や下地のＳｉ系材料には何ら作用を及
ぼさず、これらの材料のエッチング速度は低速に維持さ
れる。
【００３０】また、特にＣＯＳを使用した場合には、Ｓ
を堆積させることも可能である。
を堆積させることも可能である。
【００３１】さらに、Ｓの堆積を増強したい場合には、
Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ 10から選ばれる少な
くとも１種類のフッ化イオウをエッチング・ガスに添加
する。ここで使用されるフッ化イオウは、本願出願人が
先に特開平４−８４４２７号公報において、ＳｉＯ2 系
材料層のエッチング用に提案した化合物である。フッ化
イオウから生成する主エッチング種は、ＳＦx + とＦ*
である。また上記フッ化イオウは、従来からエッチング
・ガスとして実用化されているＳＦ6 に比べてＳ／Ｆ比
（１分子中のＳ原子数とＦ原子数の比）が大きく、放電
解離条件下でプラズマ中に遊離のＳ（イオウ）を放出す
ることができる。
Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ 10から選ばれる少な
くとも１種類のフッ化イオウをエッチング・ガスに添加
する。ここで使用されるフッ化イオウは、本願出願人が
先に特開平４−８４４２７号公報において、ＳｉＯ2 系
材料層のエッチング用に提案した化合物である。フッ化
イオウから生成する主エッチング種は、ＳＦx + とＦ*
である。また上記フッ化イオウは、従来からエッチング
・ガスとして実用化されているＳＦ6 に比べてＳ／Ｆ比
（１分子中のＳ原子数とＦ原子数の比）が大きく、放電
解離条件下でプラズマ中に遊離のＳ（イオウ）を放出す
ることができる。
【００３２】このフッ化イオウをニトロシル基もしくは
ニトリル基を有するハロゲン化合物と併用した場合に
は、放出されたＳ原子がさらに該ハロゲン化合物から放
出されたＮ原子と反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を主
体とする窒化イオウ系化合物が生成し、この窒化イオウ
系化合物によりＳよりもさらに強力な側壁保護作用やＳ
ｉ系下地の保護作用を発揮させることができる。しか
も、窒化イオウ系化合物はエッチング終了後に通常のＯ
2 プラズマ・アッシングによりレジスト・マスクを除去
する際に、同時に燃焼除去することができる。あるい
は、ウェハをおおよそ１３０℃以上に加熱するだけでも
昇華もしくは分解させることができる。いずれにして
も、窒化イオウ系化合物はＳと同様、パーティクル汚染
源となる虞れがない。
ニトリル基を有するハロゲン化合物と併用した場合に
は、放出されたＳ原子がさらに該ハロゲン化合物から放
出されたＮ原子と反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を主
体とする窒化イオウ系化合物が生成し、この窒化イオウ
系化合物によりＳよりもさらに強力な側壁保護作用やＳ
ｉ系下地の保護作用を発揮させることができる。しか
も、窒化イオウ系化合物はエッチング終了後に通常のＯ
2 プラズマ・アッシングによりレジスト・マスクを除去
する際に、同時に燃焼除去することができる。あるい
は、ウェハをおおよそ１３０℃以上に加熱するだけでも
昇華もしくは分解させることができる。いずれにして
も、窒化イオウ系化合物はＳと同様、パーティクル汚染
源となる虞れがない。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００３４】実施例１ 本実施例は、本発明をコンタクト・ホール加工に適用
し、Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 〔ビス（トリフルオロメチル）ジスル
フィド；Ｆ3 Ｃ−Ｓ−Ｓ−ＣＦ3 〕を用いてＳｉＯ2 層
間絶縁膜をエッチングした例である。このプロセスを、
図１を参照しながら説明する。
し、Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 〔ビス（トリフルオロメチル）ジスル
フィド；Ｆ3 Ｃ−Ｓ−Ｓ−ＣＦ3 〕を用いてＳｉＯ2 層
間絶縁膜をエッチングした例である。このプロセスを、
図１を参照しながら説明する。
【００３５】本実施例においてサンプルとして使用した
ウェハは、図１（ａ）に示されるように、予め下層配線
としての不純物拡散領域２が形成された単結晶Ｓｉ基板
１上にＳｉＯ2 層間絶縁膜３が形成され、さらにこの上
に所定の形状にパターニングされたレジスト・マスク４
が形成されてなるものである。上記レジスト・マスク４
には、開口径約０．３５μｍの開口部４ａが形成されて
いる。
ウェハは、図１（ａ）に示されるように、予め下層配線
としての不純物拡散領域２が形成された単結晶Ｓｉ基板
１上にＳｉＯ2 層間絶縁膜３が形成され、さらにこの上
に所定の形状にパターニングされたレジスト・マスク４
が形成されてなるものである。上記レジスト・マスク４
には、開口径約０．３５μｍの開口部４ａが形成されて
いる。
【００３６】上記ウェハを、マグネトロンＲＩＥ（反応
性イオン・エッチング）装置のウェハ載置電極上にセッ
トした。ここで、上記ウェハ載置電極は冷却配管を内蔵
しており、装置外部に接続されるチラー等の冷却設備か
ら該冷却配管に冷媒を供給して循環させることにより、
エッチング中のウェハ温度を室温以下に制御することが
可能となされている。一例として、下記の条件でＳｉＯ
2 層間絶縁膜３のエッチングを行った。
性イオン・エッチング）装置のウェハ載置電極上にセッ
トした。ここで、上記ウェハ載置電極は冷却配管を内蔵
しており、装置外部に接続されるチラー等の冷却設備か
ら該冷却配管に冷媒を供給して循環させることにより、
エッチング中のウェハ温度を室温以下に制御することが
可能となされている。一例として、下記の条件でＳｉＯ
2 層間絶縁膜３のエッチングを行った。
【００３７】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ５０ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 ２．０Ｗ／ｃｍ2 （１３．
５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 −３０℃（エタノール系冷
媒使用）
５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 −３０℃（エタノール系冷
媒使用）
【００３８】このエッチング過程では、Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 か
ら解離生成するＣＦx + およびＦ*により、約８５０ｎ
ｍ／分のエッチング速度で高速にエッチングが進行し、
図１（ｂ）に示されるように、異方性形状を有するコン
タクト・ホール５が形成された。このとき、Ｃ2 Ｆ6 Ｓ
2 からは炭素系ポリマーの原料となる活性フラグメント
やＳが放出される。これらは、ＳｉＯ2 層間絶縁膜３の
露出面上ではここからスパッタ・アウトされるＯ原子の
作用で燃焼されるために堆積せず、レジスト・マスク４
や単結晶Ｓｉ基板１の露出面上には堆積して表面保護効
果を発揮した。また、上記の条件ではウェハが低温冷却
されていることにより、本来ラジカル・モードでエッチ
ングが進行するレジスト材料や単結晶Ｓｉのエッチング
速度も低下している。これらの理由により、本実施例で
は対レジスト選択比が約６、対Ｓｉ選択比が約２５とい
ずれも高い値が達成され、オーバーエッチング後でもレ
ジスト・マスク４の後退や浅い接合の破壊等は認められ
なかった。
ら解離生成するＣＦx + およびＦ*により、約８５０ｎ
ｍ／分のエッチング速度で高速にエッチングが進行し、
図１（ｂ）に示されるように、異方性形状を有するコン
タクト・ホール５が形成された。このとき、Ｃ2 Ｆ6 Ｓ
2 からは炭素系ポリマーの原料となる活性フラグメント
やＳが放出される。これらは、ＳｉＯ2 層間絶縁膜３の
露出面上ではここからスパッタ・アウトされるＯ原子の
作用で燃焼されるために堆積せず、レジスト・マスク４
や単結晶Ｓｉ基板１の露出面上には堆積して表面保護効
果を発揮した。また、上記の条件ではウェハが低温冷却
されていることにより、本来ラジカル・モードでエッチ
ングが進行するレジスト材料や単結晶Ｓｉのエッチング
速度も低下している。これらの理由により、本実施例で
は対レジスト選択比が約６、対Ｓｉ選択比が約２５とい
ずれも高い値が達成され、オーバーエッチング後でもレ
ジスト・マスク４の後退や浅い接合の破壊等は認められ
なかった。
【００３９】また、上記炭素系ポリマーやＳはイオンの
垂直入射が起こりにくいパターン側壁面上に堆積して側
壁保護膜（図示せず。）を形成した。上記コンタクト・
ホール５の異方性形状は、この側壁保護膜の寄与により
達成されたものである。
垂直入射が起こりにくいパターン側壁面上に堆積して側
壁保護膜（図示せず。）を形成した。上記コンタクト・
ホール５の異方性形状は、この側壁保護膜の寄与により
達成されたものである。
【００４０】なお、本実施例のプロセスではＳの堆積が
期待できる分だけ高選択・異方性加工に必要な炭素系ポ
リマーの堆積量を低減することができるので、従来プロ
セスに比べてパーティクル・レベルが大幅に改善され
た。したがって、エッチング・チャンバのクリーニング
等を行うためのメンテナンスの頻度を低減でき、生産性
を向上させることができた。
期待できる分だけ高選択・異方性加工に必要な炭素系ポ
リマーの堆積量を低減することができるので、従来プロ
セスに比べてパーティクル・レベルが大幅に改善され
た。したがって、エッチング・チャンバのクリーニング
等を行うためのメンテナンスの頻度を低減でき、生産性
を向上させることができた。
【００４１】実施例２ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／ＣＯ混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に示し
たウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例と
して下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチングし
た。
Ｓ2 ／ＣＯ混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に示し
たウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例と
して下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチングし
た。
【００４２】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３５ＳＣＣＭ ＣＯ流量 １５ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．５Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
【００４３】このエッチング過程では、ＣＯ* によるＳ
ｉＯ2 層間絶縁膜３の表面からのＯ原子引き抜き反応
が、ＣＦx + による物理的なエッチング反応の進行を化
学的にアシストする。したがって、実施例１よりもイオ
ン入射エネルギーを低下させた条件であるにも係わら
ず、高速異方性エッチングを行うことができた。しか
も、この低エネルギー化によりレジスト・マスク４や単
結晶Ｓｉ基板１に対する選択比が向上するため、ウェハ
の冷却温度を実施例１よりも室温域に近づけることがで
きた。
ｉＯ2 層間絶縁膜３の表面からのＯ原子引き抜き反応
が、ＣＦx + による物理的なエッチング反応の進行を化
学的にアシストする。したがって、実施例１よりもイオ
ン入射エネルギーを低下させた条件であるにも係わら
ず、高速異方性エッチングを行うことができた。しか
も、この低エネルギー化によりレジスト・マスク４や単
結晶Ｓｉ基板１に対する選択比が向上するため、ウェハ
の冷却温度を実施例１よりも室温域に近づけることがで
きた。
【００４４】実施例３ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／ＣＯＦ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
Ｓ2 ／ＣＯＦ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
【００４５】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３５ＳＣＣＭ ＣＯＦ2 流量 １５ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．５Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
【００４６】このエッチング過程では、ＣＯＦ2 の放電
解離生成物の一部がカルボニル基やＣ−Ｏ結合等の形で
炭素系ポリマーに導入されることにより炭素系ポリマー
の膜質が強化され、少ない堆積量でも入射イオンのスパ
ッタリング作用に対して優れた耐性を発揮した。また、
ＣＯＦ2 から解離生成するＣＯ* によるＯ原子引き抜き
反応がＣＦx + によるＳｉＯ2 のエッチングを促進し
た。この結果、実施例１よりも入射イオン・エネルギー
が低く、またウェハ温度が高いにも係わらず、高速、高
選択エッチングを行うことができた。さらに、炭素系ポ
リマーの堆積量が一層低減できることにより、パーティ
クル汚染も大幅に抑制することができた。
解離生成物の一部がカルボニル基やＣ−Ｏ結合等の形で
炭素系ポリマーに導入されることにより炭素系ポリマー
の膜質が強化され、少ない堆積量でも入射イオンのスパ
ッタリング作用に対して優れた耐性を発揮した。また、
ＣＯＦ2 から解離生成するＣＯ* によるＯ原子引き抜き
反応がＣＦx + によるＳｉＯ2 のエッチングを促進し
た。この結果、実施例１よりも入射イオン・エネルギー
が低く、またウェハ温度が高いにも係わらず、高速、高
選択エッチングを行うことができた。さらに、炭素系ポ
リマーの堆積量が一層低減できることにより、パーティ
クル汚染も大幅に抑制することができた。
【００４７】実施例４ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／ＳＯＦ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
Ｓ2 ／ＳＯＦ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
【００４８】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３５ＳＣＣＭ ＳＯＦ2 流量 １５ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．４Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
【００４９】このエッチング過程では、ＳＯＦ2 の放電
解離生成物の一部がチオニル基やＳ−Ｏ結合等の形で炭
素系ポリマーに導入されることにより炭素系ポリマーの
膜質が強化され、少ない堆積量でも入射イオンのスパッ
タリング作用に対して優れた耐性を発揮した。また、Ｓ
ＯＦ2 から解離生成するＳＯ* によるＯ原子引き抜き反
応がＣＦx + によるＳｉＯ2 のエッチングを促進した。
この結果、実施例１よりも入射イオン・エネルギーが低
く、またウェハ温度が高いにも係わらず、高速、高選択
エッチングを行うことができた。
解離生成物の一部がチオニル基やＳ−Ｏ結合等の形で炭
素系ポリマーに導入されることにより炭素系ポリマーの
膜質が強化され、少ない堆積量でも入射イオンのスパッ
タリング作用に対して優れた耐性を発揮した。また、Ｓ
ＯＦ2 から解離生成するＳＯ* によるＯ原子引き抜き反
応がＣＦx + によるＳｉＯ2 のエッチングを促進した。
この結果、実施例１よりも入射イオン・エネルギーが低
く、またウェハ温度が高いにも係わらず、高速、高選択
エッチングを行うことができた。
【００５０】実施例５ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／ＣＯＳ混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に示
したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例
として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチング
した。
Ｓ2 ／ＣＯＳ混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に示
したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例
として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチング
した。
【００５１】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３０ＳＣＣＭ ＣＯＳ流量 ２０ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．２Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ０℃（エタノール系
冷媒使用）
【００５２】このエッチング過程では、ＣＯ* によるＯ
原子引き抜き反応、カルボニル基やＣ−Ｏ結合等の導入
による炭素系ポリマーの膜質強化に加え、ＣＯＳから解
離生成するＳもウェハの表面保護に寄与するという効果
が得られた。これにより、入射イオン・エネルギーを一
層低下させることができた。また、ウェハの表面保護に
おける炭素系ポリマーの寄与が相対的に低下することに
より、一層の低汚染化を図ることができた。
原子引き抜き反応、カルボニル基やＣ−Ｏ結合等の導入
による炭素系ポリマーの膜質強化に加え、ＣＯＳから解
離生成するＳもウェハの表面保護に寄与するという効果
が得られた。これにより、入射イオン・エネルギーを一
層低下させることができた。また、ウェハの表面保護に
おける炭素系ポリマーの寄与が相対的に低下することに
より、一層の低汚染化を図ることができた。
【００５３】実施例６ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／Ｓ2 Ｆ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
Ｓ2 ／Ｓ2 Ｆ2 混合ガスを用いて行った。図１（ａ）に
示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一
例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３をエッチン
グした。
【００５４】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３０ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ２０ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．２Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 １０℃（水冷）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 １０℃（水冷）
【００５５】このプロセスでは、Ｓ2 Ｆ2 から生成する
ＳＦx + がエッチング種として使用できる他、同じくＳ
2 Ｆ2 から効率良く生成するＳをウェハ上に堆積させ、
表面保護に利用できる点が大きな特色である。つまり、
Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 から生成する炭素系ポリマーとＳに加え
て、Ｓ2 Ｆ2 からもＳを供給して表面保護効果を増強す
ることができる。これにより、実施例５よりもウェハ温
度を高めたにもかかわらず、良好な高選択、異方性エッ
チングを行うことができた。
ＳＦx + がエッチング種として使用できる他、同じくＳ
2 Ｆ2 から効率良く生成するＳをウェハ上に堆積させ、
表面保護に利用できる点が大きな特色である。つまり、
Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 から生成する炭素系ポリマーとＳに加え
て、Ｓ2 Ｆ2 からもＳを供給して表面保護効果を増強す
ることができる。これにより、実施例５よりもウェハ温
度を高めたにもかかわらず、良好な高選択、異方性エッ
チングを行うことができた。
【００５６】なお、ウェハ上に堆積したＳは、エッチン
グ終了後にレジスト・マスク４を通常のＯ2 プラズマ・
アッシング等の工程で除去する際に、昇華するか、もし
くは炭素系ポリマーと共に燃焼されるため、ウェハ上に
何らパーティクル汚染を残すことはなかった。
グ終了後にレジスト・マスク４を通常のＯ2 プラズマ・
アッシング等の工程で除去する際に、昇華するか、もし
くは炭素系ポリマーと共に燃焼されるため、ウェハ上に
何らパーティクル汚染を残すことはなかった。
【００５７】実施例７ 本実施例では、同じコンタクト・ホール加工をＣ2 Ｆ6
Ｓ2 ／Ｓ2 Ｆ2 ／ＮＯＦ混合ガスを用いて行った。図１
（ａ）に示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセッ
トし、一例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３を
エッチングした。
Ｓ2 ／Ｓ2 Ｆ2 ／ＮＯＦ混合ガスを用いて行った。図１
（ａ）に示したウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセッ
トし、一例として下記の条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜３を
エッチングした。
【００５８】 Ｃ2 Ｆ6 Ｓ2 流量 ３０ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 １０ＳＣＣＭ ＮＯＦ流量 １０ＳＣＣＭ ガス圧 ２．０Ｐａ ＲＦパワー密度 １．２Ｗ／ｃｍ2 （１
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ２０℃（水冷）
３．５６ＭＨｚ） 磁場強度 １．５０×１０-2Ｔ（＝１５０Ｇ） ウェハ温度 ２０℃（水冷）
【００５９】このプロセスでは、ＮＯ* によるＯ原子引
き抜き、ニトロシル基やＮ−Ｏ結合の導入による炭素系
ポリマーの強化等に加え、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳ原子
とＮＯＦから生成するＮ原子が結合して、ポリマー状の
ポリチアジル（ＳＮ）x を主体とする種々の窒化イオウ
系化合物が生成し、これらがウェハの表面保護に寄与す
る点が大きな特色である。これにより、実施例６よりも
ウェハ温度をさらに高めて室温域でエッチングを行って
いるにもかかわらず、高い選択性、異方性が達成でき
た。
き抜き、ニトロシル基やＮ−Ｏ結合の導入による炭素系
ポリマーの強化等に加え、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳ原子
とＮＯＦから生成するＮ原子が結合して、ポリマー状の
ポリチアジル（ＳＮ）x を主体とする種々の窒化イオウ
系化合物が生成し、これらがウェハの表面保護に寄与す
る点が大きな特色である。これにより、実施例６よりも
ウェハ温度をさらに高めて室温域でエッチングを行って
いるにもかかわらず、高い選択性、異方性が達成でき
た。
【００６０】なお、ウェハ上に堆積した窒化イオウ系化
合物は、エッチング終了後にレジスト・マスク４を通常
のＯ2 プラズマ・アッシング等の工程で除去する際に、
昇華するか、もしくは炭素系ポリマーと共に燃焼される
ため、ウェハ上に何らパーティクル汚染を残すことはな
かった。
合物は、エッチング終了後にレジスト・マスク４を通常
のＯ2 プラズマ・アッシング等の工程で除去する際に、
昇華するか、もしくは炭素系ポリマーと共に燃焼される
ため、ウェハ上に何らパーティクル汚染を残すことはな
かった。
【００６１】以上、本発明を７例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば、上述の各実施例で用いた化合
物以外であっても、本発明で限定される化合物を使用す
れば基本的には同様の効果が得られる。その際、エッチ
ング・ガスの主成分をなすメルカプタン、チオエーテ
ル、ジスルフィドと、各種ハロゲン化合物および／また
は各種フッ化イオウとは、任意に組み合わせることがで
きる。
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば、上述の各実施例で用いた化合
物以外であっても、本発明で限定される化合物を使用す
れば基本的には同様の効果が得られる。その際、エッチ
ング・ガスの主成分をなすメルカプタン、チオエーテ
ル、ジスルフィドと、各種ハロゲン化合物および／また
は各種フッ化イオウとは、任意に組み合わせることがで
きる。
【００６２】シリコン化合物層は、上述のＳｉＯ2 層間
絶縁膜の他、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，Ａ
ｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ等のＳｉＯ2 シリコン系材料、あ
るいはＳｉＮx からなるものであっても良い。エッチン
グ・サンプルとして用いたウェハの構成も上述の構成に
限られるものではなく、たとえばＳｉＯ2 層間絶縁膜の
下地は単結晶Ｓｉ基板以外にも、多結晶シリコン層、ポ
リサイド膜、あるいはＡｌ−１％Ｓｉ層等の金属材料層
等である場合が考えられる。
絶縁膜の他、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，Ａ
ｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ等のＳｉＯ2 シリコン系材料、あ
るいはＳｉＮx からなるものであっても良い。エッチン
グ・サンプルとして用いたウェハの構成も上述の構成に
限られるものではなく、たとえばＳｉＯ2 層間絶縁膜の
下地は単結晶Ｓｉ基板以外にも、多結晶シリコン層、ポ
リサイド膜、あるいはＡｌ−１％Ｓｉ層等の金属材料層
等である場合が考えられる。
【００６３】エッチング・ガスには、スパッタリング効
果、希釈効果、冷却効果等を得る目的でＨｅ，Ａｒ等の
希ガスが適宜添加されていても構わない。その他、使用
するエッチング装置、エッチング条件等が適宜変更可能
であることは言うまでもない。
果、希釈効果、冷却効果等を得る目的でＨｅ，Ａｒ等の
希ガスが適宜添加されていても構わない。その他、使用
するエッチング装置、エッチング条件等が適宜変更可能
であることは言うまでもない。
【００６４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明ではエッチング・ガスの主成分として分子内にＳ原子
とフルオロカーボン側鎖とを有する化合物を用いること
により、炭素系ポリマーと共にＳを堆積させることが可
能となる。これにより、基本的には単独組成のエッチン
グ・ガスにより、シリコン化合物層の高速、高選択、低
汚染、低ダメージ・エッチングを行うことができる。さ
らに添加ガスを使用することにより、炭素系ポリマーの
強化、Ｏ原子引き抜き反応、Ｓ堆積の増強等を通じて一
層の高速化、低汚染化、低ダメージ化を図ることも可能
である。特に低汚染化が徹底されることにより、半導体
装置の歩留りや信頼性が大幅に向上する他、メンテナン
ス等の所要時間も短縮され、生産性・経済性も改善され
る。
明ではエッチング・ガスの主成分として分子内にＳ原子
とフルオロカーボン側鎖とを有する化合物を用いること
により、炭素系ポリマーと共にＳを堆積させることが可
能となる。これにより、基本的には単独組成のエッチン
グ・ガスにより、シリコン化合物層の高速、高選択、低
汚染、低ダメージ・エッチングを行うことができる。さ
らに添加ガスを使用することにより、炭素系ポリマーの
強化、Ｏ原子引き抜き反応、Ｓ堆積の増強等を通じて一
層の高速化、低汚染化、低ダメージ化を図ることも可能
である。特に低汚染化が徹底されることにより、半導体
装置の歩留りや信頼性が大幅に向上する他、メンテナン
ス等の所要時間も短縮され、生産性・経済性も改善され
る。
【００６５】本発明は微細なデザイン・ルールにもとづ
いて設計され、高集積度、高性能、高信頼性を要求され
る半導体装置の製造に極めて有効である。
いて設計され、高集積度、高性能、高信頼性を要求され
る半導体装置の製造に極めて有効である。
【図１】本発明をコンタクト・ホール加工に適用したプ
ロセス例をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、（ａ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜上にレジスト・マスク
が形成された状態、（ｂ）はコンタクト・ホールが形成
された状態をそれぞれ表す。
ロセス例をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、（ａ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜上にレジスト・マスク
が形成された状態、（ｂ）はコンタクト・ホールが形成
された状態をそれぞれ表す。
１ ・・・単結晶シリコン基板 ２ ・・・不純物拡散領域 ３ ・・・ＳｉＯ2 層間絶縁膜 ４ ・・・レジスト・マスク ５ ・・・コンタクト・ホール
Claims (3)
- 【請求項１】 フルオロカーボン側鎖を有するメルカプ
タン、フルオロカーボン側鎖を有するチオエーテル、フ
ルオロカーボン側鎖を有するジスルフィドから選ばれる
少なくとも１種類の化合物を含むエッチング・ガスを用
いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とす
るドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング・ガスが、一酸化炭素、
分子内にカルボニル基，チオニル基，スルフリル基，ニ
トリル基，ニトロシル基の少なくとも１種類の官能基と
ハロゲン原子とを有するハロゲン化合物、硫化カルボニ
ルから選ばれる少なくとも１種類の化合物を含むことを
特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチング・ガスが、Ｓ2 Ｆ2 、Ｓ
Ｆ2 、ＳＦ4 、Ｓ2 Ｆ 10から選ばれる少なくとも１種類
のフッ化イオウを含み、エッチング反応系に堆積可能な
Ｓを供給しながらエッチングを行うことを特徴とする請
求項１または請求項２記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04170980A JP3109253B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ドライエッチング方法 |
| US08/078,928 US5376234A (en) | 1992-06-29 | 1993-06-21 | Dry etching method |
| KR1019930011646A KR100255403B1 (ko) | 1992-06-29 | 1993-06-25 | 드라이에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04170980A JP3109253B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613351A JPH0613351A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3109253B2 true JP3109253B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15914907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04170980A Expired - Lifetime JP3109253B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ドライエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376234A (ja) |
| JP (1) | JP3109253B2 (ja) |
| KR (1) | KR100255403B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200139699A (ko) | 2018-03-30 | 2020-12-14 | 칸토 덴카 코교 가부시키가이샤 | 함불소 술파이드 화합물의 제조 방법 |
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| JP2904723B2 (ja) * | 1995-04-21 | 1999-06-14 | セントラル硝子株式会社 | クリーニングガス |
| US5865900A (en) * | 1996-10-04 | 1999-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etch method for removing metal-fluoropolymer residues |
| US5882535A (en) * | 1997-02-04 | 1999-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a hole in a semiconductor device |
| WO1999008805A1 (en) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
| US6120697A (en) | 1997-12-31 | 2000-09-19 | Alliedsignal Inc | Method of etching using hydrofluorocarbon compounds |
| US6635185B2 (en) | 1997-12-31 | 2003-10-21 | Alliedsignal Inc. | Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds |
| US6403488B1 (en) * | 1998-03-19 | 2002-06-11 | Cypress Semiconductor Corp. | Selective SAC etch process |
| US6372634B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Plasma etch chemistry and method of improving etch control |
| KR20010061793A (ko) * | 1999-12-29 | 2001-07-07 | 박종섭 | 반도체 소자의 폴리머 제거방법 |
| JP3878972B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2007-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 反応器の内部をクリーニングするため、ならびにケイ素含有化合物の膜をエッチングするためのガス組成物 |
| US6886573B2 (en) * | 2002-09-06 | 2005-05-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Plasma cleaning gas with lower global warming potential than SF6 |
| US7670956B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-02 | Fei Company | Beam-induced etching |
| US7435681B2 (en) * | 2006-05-09 | 2008-10-14 | Macronix International Co., Ltd. | Methods of etching stacks having metal layers and hard mask layers |
| RU2476959C2 (ru) * | 2008-01-23 | 2013-02-27 | Солвей Флуор Гмбх | Способ изготовления солнечных элементов |
| US8394722B2 (en) * | 2008-11-03 | 2013-03-12 | Lam Research Corporation | Bi-layer, tri-layer mask CD control |
| WO2014094103A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Seastar Chemicals Inc. | Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers |
| TWI612182B (zh) * | 2013-09-09 | 2018-01-21 | 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法 |
| KR102504833B1 (ko) * | 2017-11-16 | 2023-03-02 | 삼성전자 주식회사 | 식각 가스 혼합물과 이를 이용한 패턴 형성 방법과 집적회로 소자의 제조 방법 |
| US10510883B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices |
| US10529581B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-01-07 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | SiN selective etch to SiO2 with non-plasma dry process for 3D NAND device applications |
| TW202024047A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-01 | 日商關東電化工業股份有限公司 | 含有含硫氟碳化合物之乾蝕刻氣體組成物及使用其之乾蝕刻方法 |
| TWI808274B (zh) | 2018-10-26 | 2023-07-11 | 日商關東電化工業股份有限公司 | 含有具有不飽和鍵之含硫氟碳化合物的乾式蝕刻氣體組成物及使用其之乾式蝕刻方法 |
| JP2021106212A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
| US20230290643A1 (en) * | 2020-07-09 | 2023-09-14 | Showa Denko K,K, | Etching method and semiconductor element manufacturing method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2874263B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1999-03-24 | ソニー株式会社 | シリコン化合物系からなる被エッチング膜のエッチング方法 |
| JP3006048B2 (ja) * | 1990-07-27 | 2000-02-07 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JPH04170026A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JP3038950B2 (ja) * | 1991-02-12 | 2000-05-08 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP04170980A patent/JP3109253B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-21 US US08/078,928 patent/US5376234A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-25 KR KR1019930011646A patent/KR100255403B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613351A (ja) | 1994-01-21 |
| KR100255403B1 (ko) | 2000-06-01 |
| KR940001299A (ko) | 1994-01-11 |
| US5376234A (en) | 1994-12-27 |
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