JP3106630B2 - Image display device using field emission device - Google Patents
Image display device using field emission deviceInfo
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、外囲器のカソード基板
に電界放出素子 (Field Emission Cathode,FEC)を陰極
として備え、この電界放出素子から取出した電子を外囲
器のアノード基板にあるアノード電極の蛍光体層に射突
させて発光表示を得る画像表示装置（ＦＥＤ）に係わ
り、特に外囲器内の真空度を保持するためのゲッターに
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention provides a field emission device (Field Emission Cathode, FEC) as a cathode on a cathode substrate of an envelope. Electrons extracted from the field emission device are provided on an anode substrate of the envelope. The present invention relates to an image display device (FED) that obtains a luminescent display by projecting light onto a phosphor layer of an anode electrode, and particularly to a getter for maintaining a degree of vacuum in an envelope.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は、電界放出素子を用いた従来の画
像表示装置１００の一例を示す断面図である。この画像
表示装置１００の外囲器１０１は、対面するカソード基
板１０２とアノード基板１０３をスペーサ１０４を介し
て封着した構造となっている。カソード基板１０２の内
面には電界放出素子が設けられ、これに対面するように
アノード基板１０３の内面には蛍光体層を備えた表示部
としてのアノード電極が設けられている。上記の構造に
おいて、電界放出素子とアノード電極を可能な限り接近
させるため、スペーサ１０４の厚さは一般に５００μｍ
以下に設定されることが多い。ところが、従来のゲッタ
ー１０５は、図中に示すように環状の開口した金属容器
内にゲッター材料を充填したもので、その厚さは数ｍｍ
程度になっている。このため、従来はゲッター１０５を
外囲器１０１内に配設することができず、図４に示すよ
うに外囲器１０１のカソード基板１０２の裏面に箱形の
ゲッター室１０６を設けて外囲器１０１内と排気孔１０
７で導通させ、このゲッター室１０６内にゲッター１０
５を設けていた。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a sectional view showing an example of a conventional image display device 100 using a field emission device. The envelope 101 of the image display device 100 has a structure in which a cathode substrate 102 and an anode substrate 103 facing each other are sealed via a spacer 104. A field emission element is provided on the inner surface of the cathode substrate 102, and an anode electrode as a display unit having a phosphor layer is provided on the inner surface of the anode substrate 103 so as to face the element. In the above structure, the thickness of the spacer 104 is generally 500 μm in order to make the field emission element and the anode electrode as close as possible.
It is often set as follows. However, the conventional getter 105 is one in which a getter material is filled in an annularly opened metal container as shown in the figure, and the thickness thereof is several mm.
It is about. For this reason, conventionally, the getter 105 cannot be disposed in the envelope 101, and a box-shaped getter chamber 106 is provided on the back surface of the cathode substrate 102 of the envelope 101 as shown in FIG. Vessel 101 and exhaust hole 10
7, and the getter 10 is placed in the getter chamber 106.
5 were provided.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】電界放出素子を用いた
従来の画像表示装置には次のような問題があった。 （１）電界放出素子を用いた画像表示装置は外囲器がき
わめて薄いという特長を有している。ところが、前述し
たように外囲器１０１にゲッター室１０６を取付ける
と、装置全体としての厚さが大きくなってしまい、薄形
であるという前記画像表示装置の特長のひとつが損われ
てしまうという問題があった。A conventional image display device using a field emission device has the following problems. (1) An image display device using a field emission element has a feature that an envelope is extremely thin. However, when the getter chamber 106 is attached to the envelope 101 as described above, the thickness of the entire device becomes large, and one of the features of the image display device that it is thin is impaired. was there.
【０００４】（２）ゲッター室１０６内にゲッター１０
５を設ける構造にすると、ゲッター室１０６を作る製造
工程が増えてコスト上昇を招く。(2) The getter 10 is placed in the getter chamber 106.
When the structure is provided with 5, the number of manufacturing steps for forming the getter chamber 106 is increased, and the cost is increased.
【０００５】（３）外囲器１０１に取付けたゲッター室
１０６内にゲッター１０５を設け、ゲッター室１０６と
外囲器１０１を小さい排気孔１０７で連通させる構造に
すると、外囲器１０１内に発生したガスはこの小さな排
気孔１０７からゲッター室１０６内に入ってゲッター膜
１０８に吸着されなければならず、外囲器内面にゲッタ
ー膜を直接形成した場合に比べてゲッター効率が低下す
る。(3) If the getter 105 is provided in the getter chamber 106 attached to the envelope 101 and the getter chamber 106 and the envelope 101 are communicated with each other through a small exhaust hole 107, the inside of the envelope 101 is generated. The obtained gas must enter the getter chamber 106 through the small exhaust hole 107 and be adsorbed by the getter film 108, and the getter efficiency is reduced as compared with the case where the getter film is formed directly on the inner surface of the envelope.
【０００６】本発明は、外囲器内にゲッターを設けるこ
とによってゲッター室を不要とし、これによって電界放
出素子を用いた画像表示装置の薄形であるという特長を
生かすことを目的としている。An object of the present invention is to eliminate the need for a getter chamber by providing a getter in an envelope, thereby taking advantage of the feature that an image display device using a field emission device is thin.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る電界放出素
子を用いた画像表示装置は、カソード基板とアノード基
板がスペーサ部材を介して封着された外囲器と、前記カ
ソード基板の内面に形成された電界放出素子と、前記ア
ノード基板の内面に形成された蛍光体層を有するアノー
ド電極とを備えた画像表示装置において、金属芯線と、
前記金属芯線の表面の一部に形成された絶縁層と、前記
絶縁層間において前記金属芯線を被覆するゲッター材料
からなるワイヤーゲッターを、前記外囲器内の周縁部に
張設したことを特徴としている。According to the present invention, there is provided an image display apparatus using a field emission device according to the present invention, comprising: an envelope in which a cathode substrate and an anode substrate are sealed via a spacer member; and an inner surface of the cathode substrate. In the image display device including the formed field emission device and the anode electrode having the phosphor layer formed on the inner surface of the anode substrate, a metal core wire,
An insulating layer formed on a part of the surface of the metal core wire, and a wire getter made of a getter material covering the metal core wire between the insulating layers, is stretched on a peripheral portion in the envelope. I have.
【０００８】本発明によれば、前記画像表示装置におい
て、前記スペース部材の厚さを５００μｍ以下にするこ
とができる。According to the present invention, in the image display device, the thickness of the space member can be set to 500 μm or less.
【０００９】また本発明によれば、前記画像表示装置の
ワイヤーゲッターを、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐ，Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ−Ｔｉ，Ｚｒ−
Ｎｉ等の物質群から選択した１以上の物質で構成した蒸
発形のゲッターとしてもよい。Further, according to the present invention, the wire getter of the image display device is provided with Ti, V, Zr, Nb, Mo, T
a, Th, Ce, P, Zr-Al, Ag-Ti, Zr-
An evaporable getter composed of one or more substances selected from a substance group such as Ni may be used.
【００１０】さらに本発明によれば、前記画像表示装置
におけるワイヤーゲッターの絶縁層の外径を、ゲッター
材料の外径より大きくすることができる。さらにまた、
本発明によれば、前記画像表示装置において、前記電界
放出素子の外囲器の排気孔が蓋部材によって封止される
構造とすることができる。 Further, according to the present invention, the outer diameter of the insulating layer of the wire getter in the image display device can be made larger than the outer diameter of the getter material. Furthermore,
According to the present invention, in the image display device, the electric field
The exhaust hole of the envelope of the discharge element is sealed by the lid member
It can be structured.
【００１１】[0011]
【作用】ゲッターがワイヤー状なのでゲッター室が不要
になり、外囲器内の５００μｍ以下の狭い空間にゲッタ
ーを設けることができる。Since the getter has a wire shape, a getter chamber is not required, and the getter can be provided in a narrow space of 500 μm or less in the envelope.
【００１２】[0012]
【実施例】第１実施例の画像表示装置１（以下、ＦＥＤ
１とも呼ぶ。）を図１〜図３によって説明する。図１に
示すように、このＦＥＤ１は、絶縁性及び透光性のある
アノード基板２と、絶縁性のカソード基板３とが、絶縁
性のスペーサ部材４を介して一体に封着された外囲器５
を有している。アノード基板２とカソード基板３の厚さ
は各々１〜５ｍｍ程度の厚さである。両基板２，３の間
隔は５００μｍ以下とすることができ、本実施例では２
００μｍに設定されている。前記カソード基板３の隅部
には排気孔６が形成されており、前記外囲器５内はこの
排気孔６から排気される。排気後、排気孔６は蓋部材７
によって封止され、前記外囲器５内は高真空状態に保た
れる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An image display device 1 (hereinafter referred to as an FED) of a first embodiment.
Also called 1. ) Will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the FED 1 has an outer periphery in which an insulating and translucent anode substrate 2 and an insulating cathode substrate 3 are integrally sealed via an insulating spacer member 4. Vessel 5
have. The thickness of each of the anode substrate 2 and the cathode substrate 3 is about 1 to 5 mm. The distance between the substrates 2 and 3 can be set to 500 μm or less.
It is set to 00 μm. An exhaust hole 6 is formed at a corner of the cathode substrate 3, and the inside of the envelope 5 is exhausted from the exhaust hole 6. After exhaust, the exhaust hole 6 is
And the inside of the envelope 5 is kept in a high vacuum state.
【００１３】図２に示すように、外囲器５内のカソード
基板３上には電界放出素子８が形成されている。電界放
出素子８は、カソード基板３の内面に形成されたカソー
ド電極９と、カソード電極９上に形成された絶縁層１０
と、絶縁層１０上に形成されたゲート電極１１と、ゲー
ト電極１１及び絶縁層１０に形成されたホール内でカソ
ード電極９上に設けられたコーン形状のエミッタ１２と
を有している。As shown in FIG. 2, a field emission device 8 is formed on the cathode substrate 3 in the envelope 5. The field emission device 8 includes a cathode electrode 9 formed on the inner surface of the cathode substrate 3 and an insulating layer 10 formed on the cathode electrode 9.
And a gate electrode 11 formed on the insulating layer 10, and a cone-shaped emitter 12 provided on the cathode electrode 9 in a hole formed in the gate electrode 11 and the insulating layer 10.
【００１４】図２に示すように、外囲器５内のアノード
基板２上にはアノード電極１３が形成されている。アノ
ード電極１３は、アノード基板２上に設けられた透光性
の陽極導体１４と該陽極導体１４上に設けられた蛍光体
層１５から成る。従って、前記電界放出素子８から放出
された電子がアノード電極１３の蛍光体層１５に射突し
てこれを発光させると、その発光は陽極導体１４と透光
性のアノード基板２を介して観察される。As shown in FIG. 2, an anode electrode 13 is formed on the anode substrate 2 in the envelope 5. The anode electrode 13 includes a light-transmissive anode conductor 14 provided on the anode substrate 2 and a phosphor layer 15 provided on the anode conductor 14. Accordingly, when the electrons emitted from the field emission element 8 strike the phosphor layer 15 of the anode electrode 13 and emit light, the emission is observed through the anode conductor 14 and the translucent anode substrate 2. Is done.
【００１５】図１及び図２に示すように、前記外囲器５
内の四辺には、外囲器５の内面に沿って合計４本のワイ
ヤーゲッター２０がそれぞれ設けられている。各ワイヤ
ーゲッター２０は、両端にリード電極が溶接されてお
り、所定の張力が加えられた状態で各リード電極を外囲
器５の封着部に固定されて張設されている。As shown in FIG. 1 and FIG.
A total of four wire getters 20 are provided on the four sides along the inner surface of the envelope 5. Each wire getter 20 has a lead electrode welded to both ends, and each lead electrode is fixed to the sealing portion of the envelope 5 and stretched in a state where a predetermined tension is applied.
【００１６】図３に示すように、このワイヤーゲッター
２０は、金属芯線としてのＷ芯線２１と、Ｗ芯線２１に
巻装されたＷ細線２２に被着している絶縁層２３と、絶
縁層２３の間でＷ芯線２１に被着しているゲッター材料
２４を有している。As shown in FIG. 3, the wire getter 20 includes a W core wire 21 as a metal core wire, an insulating layer 23 attached to a W fine wire 22 wound around the W core wire 21, and an insulating layer 23. And the getter material 24 adhered to the W core wire 21 between them.
【００１７】次に、このワイヤーゲッター２０の製法と
各部の材質・寸法等について説明する。Ｗ芯線２１は外
径２５μｍのワイヤーであり、その表面にアクリルコー
トを施しておく。その上に外径１０μｍのワイヤーであ
るＷ細線２２を１ｍｍのピッチで巻装する。Next, the method of manufacturing the wire getter 20 and the materials and dimensions of each part will be described. The W core wire 21 is a wire having an outer diameter of 25 μm, and its surface is coated with an acrylic coat. A W thin wire 22 having a diameter of 10 μm is wound thereon at a pitch of 1 mm.
【００１８】次に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末を分散させた電解液
中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液と該Ｗ細線２２の
間に電圧を印加する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は電気泳動の原理
に従ってＷ細線２２の表面に電着する。Ｗ芯線２１の表
面にはアクリルコートがあるのでＡｌ2 Ｏ3 粉末は電着
しない。Next, the W core wire 21 is immersed in an electrolyte in which Al 2 O 3 powder is dispersed, and a voltage is applied between the electrolyte and the W fine wire 22. The Al 2 O 3 powder is electrodeposited on the surface of the W wire 22 according to the principle of electrophoresis. Since there is an acrylic coat on the surface of the W core wire 21, the Al 2 O 3 powder is not electrodeposited.
【００１９】次に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末がＷ細線２２に電着
した後、このＷ芯線２１をＨ2 炉中において１７００°
の温度で加熱する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は焼結して約４０μ
ｍ厚の絶縁層２３となる。前記アクリルコートは分解蒸
発する。Next, after the Al 2 O 3 powder was electrodeposited on the W fine wire 22, the W core wire 21 was placed at 1700 ° C. in an H 2 furnace.
Heat at a temperature of Al 2 O 3 powder is sintered to about 40μ
The insulating layer 23 has a thickness of m. The acrylic coat decomposes and evaporates.
【００２０】次に、ゲッター材料２４の粉末を分散させ
た電解液中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液とＷ芯線
２１の間に電圧を加える。ゲッター材料２４は露出して
いるＷ芯線２１の表面に電着する。Ｗ細線２２の表面に
は絶縁層２３があるのでゲッター材料２４は電着しな
い。本実施例のゲッター材料２４はＢａ−Ａｌであり、
９００〜１０００℃で焼成した後の厚さは３０μｍであ
る。Next, the W core 21 is immersed in an electrolyte in which the powder of the getter material 24 is dispersed, and a voltage is applied between the electrolyte and the W core 21. The getter material 24 is electrodeposited on the exposed surface of the W core wire 21. The getter material 24 is not electrodeposited because the insulating layer 23 is on the surface of the W fine wire 22. The getter material 24 of the present embodiment is Ba-Al,
The thickness after firing at 900 to 1000 ° C. is 30 μm.
【００２１】本実施例によれば、ワイヤーゲッター２０
全体の外径は１２５μｍとなり、絶縁層２３がゲッター
材料２４よりも２０μｍ外方に突出した形状となる。そ
して、このワイヤーゲッター２０を前述したように前記
外囲器５の内部に設置し、真空中で通電して９００〜１
０００℃の温度に加熱する。これによって前記ゲッター
材料２４が蒸発し、外囲器５の内面にゲッター膜２５が
形成される。According to this embodiment, the wire getter 20
The entire outer diameter is 125 μm, and the insulating layer 23 has a shape protruding outward by 20 μm from the getter material 24. Then, this wire getter 20 is installed inside the envelope 5 as described above,
Heat to a temperature of 000 ° C. As a result, the getter material 24 evaporates, and a getter film 25 is formed on the inner surface of the envelope 5.
【００２２】本実施例によれば、絶縁層２３がゲッター
材料２４よりも突出しているので、ワイヤーゲッター２
０の絶縁層２３が外囲器５の内面に接触しても、Ｗ芯線
２１からの熱が外囲器５に容易に伝わることはない。従
って、前記Ｗ芯線２１の温度が下がることはなく、また
外囲器５のカソード基板３やアノード基板２が熱で割れ
てしまうこともない。さらに、ワイヤーゲッター２０が
ゲッター膜２５を介して外囲器５内面の電極類に導通し
てしまうこともなく、また電気的短絡によって外囲器５
及び外囲器５内面の電極類に機械的破損を与えることも
ない。According to this embodiment, since the insulating layer 23 protrudes beyond the getter material 24, the wire getter 2
Even if the 0 insulating layer 23 contacts the inner surface of the envelope 5, heat from the W core wire 21 is not easily transmitted to the envelope 5. Therefore, the temperature of the W core wire 21 does not decrease, and the cathode substrate 3 and the anode substrate 2 of the envelope 5 do not break due to heat. Further, the wire getter 20 does not conduct to the electrodes on the inner surface of the envelope 5 through the getter film 25, and the outer getter 20 is electrically short-circuited.
Also, the electrodes on the inner surface of the envelope 5 are not mechanically damaged.
【００２３】以上説明した一実施例では、ゲッター材料
としてＢａ−Ａｌを用いたが、Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｃｅ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｈ等の金属や、これら金属を含む金
属間化合物等を用いてもよい。また、Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ
−Ｔｉ，Ｚｒ−Ｎｉ等の合金を用いることもできる。さ
らに、これら各物質から２種以上を任意に選んで組合せ
て用いることもできる。また、その厚さは、前記絶縁層
よりも小さければ具体的にはどのような寸法でもよい。In the embodiment described above, Ba—Al is used as the getter material, but Ni, W, Ti, V, Z
r, Ba, Al, Ag, Mg, Ca, Mn, Ce, N
Metals such as b, Mo, Ta, and Th, and intermetallic compounds containing these metals may be used. In addition, Zr-Al, Ag
An alloy such as -Ti, Zr-Ni or the like can also be used. Further, two or more of these substances may be arbitrarily selected and used in combination. The thickness may be any dimension as long as it is smaller than the insulating layer.
【００２４】また、金属芯線及び金属細線としては、前
述のようなＷのほか、Ｒｅ３％含有Ｗ，Ｎｉ，Ｔａ等を
用いることができる。そして、ワイヤーゲッター全体と
しての線径は、外囲器５を構成する両基板２，３の間隔
よりも小さくなるのであれば、実施例のものに限定され
ずどの程度の大きさでもよい。As the metal core wire and the fine metal wire, in addition to W as described above, W, Ni, Ta or the like containing Re3% can be used. The wire diameter of the wire getter as a whole is not limited to that of the embodiment as long as it is smaller than the distance between the substrates 2 and 3 constituting the envelope 5, and may be any size.
【００２５】また、絶縁層は絶縁性のある突起物として
機能すればよく、その材質は前述したＡｌ2 Ｏ3 のほか
例えばＣａＯ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ等のセラミックも使用
できる。また、その厚さは、前記ゲッター材料よりも大
きければ具体的にはどのような寸法でもよい。The insulating layer only has to function as an insulating protrusion. The material of the insulating layer is not limited to the above-described Al 2 O 3 , but may be a ceramic such as CaO, SiO 2 or MgO. Further, the thickness may be any dimension as long as it is larger than the getter material.
【００２６】さらに、一実施例では電着法によって絶縁
層２３の突起を形成したが、他の方法を用いてもよい。
例えば、環状の絶縁層を金属芯線に所定間隔で取付けて
もよいし、溶融させたセラミックを金属芯線に溶射して
突状の絶縁層を形成してもよい。又は、ペースト状の絶
縁物質を金属芯線に印刷等の手法で付着させ、これを焼
成して絶縁層を形成することもできる。さらに、溶剤に
絶縁物質を溶かしたものをスプレー等で金属芯線に吹き
つけ、絶縁層を形成することもできる。Furthermore, in one embodiment, the projections of the insulating layer 23 are formed by electrodeposition, but other methods may be used.
For example, an annular insulating layer may be attached to a metal core wire at a predetermined interval, or molten ceramic may be sprayed on the metal core wire to form a protruding insulating layer. Alternatively, a paste-like insulating substance may be attached to a metal core wire by printing or the like, and the resultant may be baked to form an insulating layer. Furthermore, an insulating layer can be formed by spraying a solution obtained by dissolving an insulating substance in a solvent onto a metal core wire by spraying or the like.
【００２７】前述した一実施例ではゲッター材料２４が
蒸発形であったが、これを非蒸発形としてもよい。一例
として、ジルコニウムとアルミニウムの金属間化合物
（Ｚｒ−Ａｌ）を非蒸発形のゲッター材料としてＷ芯線
２１に被着させてもよい。絶縁層２３等の構成は第１実
施例と同じでよい。このような非蒸発形のワイヤーゲッ
ッターを用いたＦＥＤでは、初めにワイヤーゲッターを
９００℃に加熱して活性化させ、点灯時には４００℃以
下に加熱することによってガス吸着を行なわせる。な
お、条件によっては電圧を加えずに常温で使用すること
もできる。In the above-described embodiment, the getter material 24 is of the evaporating type, but it may be of the non-evaporating type. As an example, an intermetallic compound of zirconium and aluminum (Zr-Al) may be applied to the W core wire 21 as a non-evaporable getter material. The configuration of the insulating layer 23 and the like may be the same as in the first embodiment. In an FED using such a non-evaporable wire getter, the wire getter is first heated to 900 ° C. to activate it, and then heated to 400 ° C. or less to perform gas adsorption. Depending on the conditions, it can be used at room temperature without applying a voltage.
【００２８】[0028]
（１）ゲッターをワイヤー状に形成したので５００μｍ
以下の狭い空間に配設でき、従来必要とされていたゲッ
ター室が不要になり、従来よりも薄いＦＥＤが実現でき
る。(1) Since the getter was formed in a wire shape, 500 μm
It can be arranged in the following narrow space, and the getter chamber which has been required conventionally becomes unnecessary, and a thinner FED than before can be realized.
【００２９】（２）ゲッター室が省略できるので、製造
工程が簡略化されてコストが低減する。(2) Since the getter chamber can be omitted, the manufacturing process is simplified and the cost is reduced.
【００３０】（３）ゲッター材料は金属芯線の周囲に被
着されているので、アノード基板、カソード基板及びス
ペーサ部材の各内面にそれぞれゲッター膜を形成でき
る。従って従来よりもゲッター膜の面積が広がり、ゲッ
ター効率を向上させることができる。(3) Since the getter material is applied around the metal core wire, a getter film can be formed on each of the inner surfaces of the anode substrate, the cathode substrate and the spacer member. Therefore, the area of the getter film is wider than before, and the getter efficiency can be improved.
【図１】一実施例の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment.
【図２】一実施例の部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of one embodiment.
【図３】一実施例におけるワイヤーゲッターの断面図で
ある。FIG. 3 is a cross-sectional view of a wire getter according to one embodiment.
【図４】従来の画像表示装置の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional image display device.
１ 画像表示装置 ２ アノード基板 ３ カソード基板 ４ スペーサ部材 ５ 外囲器 ８ 電界放出素子 １３ アノード電極 １５ 蛍光体層 ２０ ワイヤーゲッター ２１ 金属芯線としてのＷ芯線 ２３ 絶縁層 ２４ ゲッター材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image display apparatus 2 Anode substrate 3 Cathode substrate 4 Spacer member 5 Enclosure 8 Field emission element 13 Anode electrode 15 Phosphor layer 20 Wire getter 21 W core wire as metal core wire 23 Insulating layer 24 Getter material
フロントページの続き (72)発明者 新山 剛宏 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−142473（ＪＰ，Ａ) 特公 昭36−18625（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 29/94 H01J 31/12 H01J 7/18 Continuation of the front page (72) Inventor Takehiro Niiyama 629 Oshiba, Mobara-shi, Chiba Futaba Electronics Industry Co., Ltd. (56) References JP-A-52-142473 (JP, A) B1) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 29/94 H01J 31/12 H01J 7/18
Claims (5)
部材を介して封着された外囲器と、前記カソード基板の
内面に形成された電界放出素子と、前記アノード基板の
内面に形成された蛍光体層を有するアノード電極とを備
えた画像表示装置において、金属芯線と、前記金属芯線
の表面の一部に形成された絶縁層と、前記絶縁層間にお
いて前記金属芯線を被覆するゲッター材料からなるワイ
ヤーゲッターを、前記外囲器内の周縁部に張設したこと
を特徴とする電界放出素子を用いた画像表示装置。1. An envelope in which a cathode substrate and an anode substrate are sealed via a spacer member, a field emission device formed on an inner surface of the cathode substrate, and a phosphor formed on an inner surface of the anode substrate. An image display device comprising an anode electrode having a layer, a wire getter comprising a metal core, an insulating layer formed on a part of the surface of the metal core, and a getter material covering the metal core between the insulating layers. An image display device using a field emission device, wherein the image display device is stretched around a peripheral portion in the envelope.
下である請求項１記載の電界放出素子を用いた画像表示
装置。2. The image display device using the field emission device according to claim 1, wherein the thickness of the spacer member is 500 μm or less.
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐ等からなる金属
群又は／およびＺｒ−Ａｌ，Ａｇ−Ｔｉ，Ｚｒ−Ｎｉ等
からなる合金群から選択された少なくとも一種以上の金
属又は／および合金からなるゲッター材料で構成された
蒸発形のワイヤーゲッターである請求項１記載の電界放
出素子を用いた画像表示装置。3. The method according to claim 2, wherein the wire getter is Ti, V, Z.
at least one or more metals and / or alloys selected from a metal group consisting of r, Nb, Mo, Ta, Th, Ce, P and / or an alloy group consisting of Zr-Al, Ag-Ti, Zr-Ni, etc. 2. An image display device using a field emission device according to claim 1, wherein the image display device is an evaporative wire getter made of a getter material comprising:
の外径よりも大きい請求項１記載の電界放出素子を用い
た画像表示装置。4. The image display device using the field emission device according to claim 1, wherein an outer diameter of the insulating layer is larger than an outer diameter of the getter material.
止されている請求項１記載の電界放出素子を用いた画像
表示装置。 5. The exhaust port of the envelope is sealed by a lid member.
An image using the field emission device according to claim 1 which is stopped.
Display device.
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