JP3106291U - Optical system in laser exposure system for liquid crystal substrates - Google Patents
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Abstract
【課題】
大きな露光用基板を取扱い、多数の露光用光学系を配置した露光装置であっても、露光用光学系の配置の如何に拘らず、露光効果を一様にすることができる液晶用基板のレーザー露光装置における光学系を提供する。
【解決手段】
上面板Aにレーザー1、ビームスプリッター21〜28、全反射ミラー311〜323、AOM41〜49、光軸高さ変更用ジンバルミラー51〜59、エキスパンダーユニット61〜69、スキャナー71〜79及びf・θレンズを以って9組の露光用光学系を設ける。前記各露光用光学系のAOM41〜49とレーザー1間にレーザービーム径が前記AOMのアパーチャより小さくなるようにする縮小光学系81〜83を設ける。
【選択図】図2【Task】
Even a lithography system that handles a large lithography substrate and has a large number of lithography optics, it is possible to achieve a uniform exposure effect regardless of the configuration of the lithography optics. An optical system in an exposure apparatus is provided.
[Solution]
Laser 1, beam splitters 21 to 28, total reflection mirrors 31 to 323, AOMs 41 to 49, gimbal mirrors 51 to 59 for changing the optical axis height, expander units 61 to 69, scanners 71 to 79, f · θ Nine sets of exposure optical systems are provided with lenses. Reduction optical systems 81 to 83 are provided between the lasers 1 and the AOMs 41 to 49 of the respective exposure optical systems so that the laser beam diameter is smaller than the aperture of the AOM.
[Selection] Figure 2
Description
本考案は、液晶用基板のレーザー露光装置における光学系に関するものである。 The present invention relates to an optical system in a laser exposure apparatus for a liquid crystal substrate.
図1は従来の液晶用基板のレーザー露光装置の器枠の上面板A上に設けた露光用光学系の配置を示すもので、1はレーザー、21〜23はビームスプリッター、31〜33は全反射ミラー、41〜44はAOM、51〜54は光軸高さ変更用ジンバルミラー、61〜64はエキスパンダーユニット、71〜74はガルバノミラーのスキャナーである。
FIG. 1 shows the arrangement of an exposure optical system provided on an upper plate A of a frame of a conventional laser exposure apparatus for a liquid crystal substrate, wherein 1 is a laser, 21 to 23 are beam splitters, and 31 to 33 are all. The reflecting
しかして、レーザー1から出射したレーザービームの一部は、ビームスプリッター21、全反射ミラー31、ビームスプリッター22、AOM41、光軸高さ変更用ジンバルミラー51及びエキスパンダーユニット61を介してガルバノミラーのスキャナー71に入射する。
A part of the laser beam emitted from the
同様に、レーザービームの一部はビームスプリッター21、全反射ミラー32、AOM42、光軸高さ変更用ジンバルミラー52及びエキスパンダーユニット62を介してスキャナー72に入射する。また、レーザービームの一部はビームスプリッター21,23、AOM43、光軸高さ変更用ジンバルミラー53及びエキスパンダーユニット63を介してスキャナー73に入射し、更に、レーザービームの一部は、ビームスプリッター21,23、全反射ミラー33、AOM44、光軸高さ変更用ジンバルミラー54及びエキスパンダーユニット64を介してスキャナー74に入射する。
Similarly, a part of the laser beam enters the
そして、各スキャナー71〜74に入射したレーザービームは、それぞれガルバノミラー及び上面板Aの下面に設けたf・θレンズ(図示せず)を介して、レーザービームを器枠の下面板上に配置した液晶用基板(図示せず)上のレジストに投射して露光させる。
The laser beams incident on each of the
近時、液晶用基板の大型化に伴い、液晶用基板のレーザー露光装置における露光用光学系部分の寸法も大きくなって来た。そして、それと共に、スキャナーの数の増加や各スキャナーが担当する面積の拡大化が行われてきた。 Recently, as the size of the liquid crystal substrate has increased, the size of the exposure optical system in the laser exposure apparatus for the liquid crystal substrate has also increased. At the same time, the number of scanners has been increased, and the area of each scanner has been increased.
しかし露光用光学系部分の寸法拡大に伴い、レーザー1から各AOMまでのレーザービームが通る光路長が長くなり、光路長が長くなるほどレーザービームの広がりによりビーム径が大きくなり過ぎ、AOMに入射する際、AOMのアパーチャ径より大きくなり、回折光が生じたりレーザービームを全て取り込むことが出来ないスキャナーが出てきて、露光用光学系毎に露光形状の異常等の露光効果にバラツキが生じるという問題が生じてきた。
そこで、本考案は、大きな露光用基板を取扱い、多数の露光用光学系を配置した露光装置であっても、露光用光学系の配置の如何に拘らず、露光効果を一様にすることができる液晶用基板のレーザー露光装置における光学系を提供しようとするのである。 Therefore, the present invention can handle a large exposure substrate, and even in an exposure apparatus in which a large number of exposure optical systems are arranged, it is possible to make the exposure effect uniform regardless of the arrangement of the exposure optical systems. It is intended to provide an optical system in a laser exposure apparatus for a liquid crystal substrate that can be used.
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、レーザー、ビームスプリッター、全反射ミラー、AOM、光軸高さ変更用ジンバルミラー、エキスパンダーユニット、スキャナー及びf・θレンズから成る露光用光学系を複数備えた液晶用基板のレーザー露光装置において、各露光用光学系の前記レーザーとAOM間にレーザービーム径がAOMのアパーチャより小さくなるようにする縮小光学系を設けたものである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has an exposure optics comprising a laser, a beam splitter, a total reflection mirror, an AOM, a gimbal mirror for changing an optical axis height, an expander unit, a scanner, and an f / θ lens. In a liquid crystal substrate laser exposure apparatus having a plurality of systems, a reduction optical system is provided between the laser and the AOM of each exposure optical system so that a laser beam diameter is smaller than an aperture of the AOM.
本考案はレーザーとAOM間に縮小光学系を設けてレーザービーム径がAOMのアパーチャより小さくなるようにしたので、AOMにはレーザービームを全て取り込まれるため、露光用光学系毎の露光効果のバラツキを解消することができる。 In the present invention, since a reduction optical system is provided between the laser and the AOM so that the laser beam diameter is smaller than the aperture of the AOM, the laser beam is completely taken into the AOM, so that the exposure effect of each exposure optical system varies. Can be eliminated.
図2は大版の液晶用基板の9ヶ所に文字・記号等を記録するためのレーザー露光装置に適用した場合の本考案の実施例を示すもので、1はレーザー、21〜28はビームスプリッター、311〜323は全反射ミラー、41〜49はAOM、51〜59は光軸高さ変更用ジンバルミラー、61〜69はエキスパンダーユニット、71〜79はスキャナー、81〜83は縮小光学系である。 FIG. 2 shows an embodiment of the present invention in which the present invention is applied to a laser exposure apparatus for recording characters and symbols at nine locations on a large-size liquid crystal substrate, where 1 is a laser and 21 to 28 are beam splitters. , 31-323 are total reflection mirrors, 41-49 are AOMs, 51-59 are gimbal mirrors for changing the optical axis height, 61-69 are expander units, 71-79 are scanners, and 81-83 are reduction optical systems. .
しかして、レーザー1から出射したレーザービームの一部は、ビームスプリッター21、縮小光学系81、全反射ミラー311及び312、ビームスプリッター22、AOM41、光軸高さ変更用ジンバルミラー51及びエキスパンダーユニット61を介してスキャナー71に入射し、またビームスプリッター22を透過したレーザービームの一部は、ビームスプリッター23、AOM42、光軸高さ変更用ジンバルミラー52及びエキスパンダーユニット62を介してスキャナー72に入射し、またビームスプリッター23を透過したレーザービームは、全反射ミラー313、AOM43、光軸高さ変更用ジンバルミラー53、エキスパンダーユニット63及び全反射ミラー314を介してスキャナー73に入射する。
Thus, a part of the laser beam emitted from the
また、ビームスプリッター21を透過したレーザービームの一部は、ビームスプリッター24、縮小光学系82、全反射ミラー315、ビームスプリッター25、AOM44、光軸高さ変更用ジンバルミラー54、エキスパンダーユニット64及び全反射ミラー316を介してスキャナー74に入射し、ビームスプリッター25を透過したレーザービームの一部は、ビームスプリッター26、AOM45、光軸高さ変更用ジンバルミラー55、エキスパンダーユニット65及び全反射ミラー317を介してスキャナー75に入射し、ビームスプリッター26を透過したレーザービームの一部は、全反射ミラー318、AOM46、光軸高さ変更用ジンバルミラー56、エキスパンダーユニット66及び全反射ミラー319を介してスキャナー76に入射する。
A part of the laser beam transmitted through the
更に、ビームスプリッター24を透過したレーザービームは、全反射ミラー320、縮小光学系83、ビームスプリッター27、AOM47、光軸高さ変更用ジンバルミラー57、エキスパンダーユニット67及び全反射ミラー321を介してスキャナー77に入射し、ビームスプリッター27を透過したレーザービームの一部は、ビームスプリッター28、AOM48、光軸高さ変更用ジンバルミラー58、エキスパンダーユニット68及び全反射ミラー322を介してスキャナー78に入射し、ビームスプリッター28を透過したレーザービームは、全反射ミラー323、AOM49、光軸高さ変更用ジンバルミラー59、エキスパンダーユニット69を介してスキャナー79に入射する。
Further, the laser beam transmitted through the
そして、各スキャナー71〜79に入射した各レーザービームは、それぞれガルバノミラー(図示せず)及び上面板Aの下面に設けたf・θレンズ(図示せず)を介してレーザービームを器枠の下面板上に配置した液晶用基板(図示せず)上のレジストに投射して露光させる。
Each of the laser beams incident on each of the
以上のようにレーザー1と各AOM44〜49間に縮小光学系81〜83を設けて、AOMの手前で広がったレーザービームのビーム径を絞り、レーザービームを全てAOMに取り込むように構成したので、各露光用光学系の露光効果のバラツキを少なくすることができ、大版液晶基板用レーザー露光装置の実現が可能となる。
As described above, since the reduction
1 レーザー
21〜28 ビームスプリッター
31〜33,311〜323 全反射ミラー
41〜49 AOM
51〜59 光軸高さ変更用ジンバルミラー
61〜69 エキスパンダーユニット
71〜79 スキャナー
1 laser 21-28 beam splitter 31-33,311-323 total reflection mirror 41-49 AOM
51-59 Gimbal mirror for changing optical axis height 61-69 Expander unit 71-79 Scanner
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