JP3104727B2 - Aperture manufacturing method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の微
細なパターンを形成するために用いられるいわゆる一括
露光方式の荷電ビーム露光装置におけるアパーチャの製
造方法に関わり、特に高密度な繰り返しパターン作製に
おける描画速度の向上を図るためビーム形成手段の改良
を図った荷電ビーム露光装置のアパーチャの製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an aperture in a so-called batch exposure type charged beam exposure apparatus used for forming a fine pattern of a semiconductor integrated circuit or the like .
More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing an aperture of a charged beam exposure apparatus in which a beam forming means is improved in order to improve a writing speed in forming a high-density repetitive pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路のパターンは、年々微細
化の傾向にあり、複雑化してきている。このようなパタ
ーンを荷電ビーム露光装置で描画、形成するために、繰
り返し使用される図形および図形群などを一回のショッ
トで描画する方法、いわゆる一括露光法、ブロック露光
法、あるいはキャラクタプロジェクション法等と呼ばれ
る方式が提案されている。2. Description of the Related Art Patterns of semiconductor integrated circuits tend to be miniaturized year by year and are becoming more complicated. In order to draw and form such a pattern using a charged beam exposure apparatus, a method of drawing a figure and a group of figures that are used repeatedly in a single shot, a so-called batch exposure method, a block exposure method, or a character projection method Has been proposed.
【０００３】この方式においては、荷電ビーム露光装置
におけるアパーチャに、従来ポイントビーム方式であれ
ば丸い孔、可変成形ビーム方式であれば矩形の孔を形成
していたものに変え、繰り返し使われる図形や図形群を
作り込むことにより一回のショットで描画してしまうと
いう考え方で、スループットの飛躍的向上が見込まれ
る。In this method, the aperture in the charged beam exposure apparatus is changed to one having a round hole in the case of the conventional point beam method, and a rectangular hole in the case of the variable shaped beam method. With the idea that drawing is performed in one shot by creating a group of figures, a dramatic improvement in throughput is expected.
【０００４】ところで、この方式に使用されるアパーチ
ャは従来は例えば図４に示すように、支持基板に厚いＳ
ｉウエハ１を用いて裏から加熱したＫＯＨエッチング液
４で方位面に従った化学エッチングを行ない、その出来
た下部Ｓｉ板１２の上面に研磨等によって薄膜化したＳ
ｉウエハ（上部Ｓｉ板）１１をＳｉ酸化膜１０を介して
貼り合わせたものや、図５に示すように厚いＳｉウエハ
１を用いて上記と同様に裏から方位面に従った化学エッ
チングを行ない、途中でそのエッチングを止め、上面を
薄膜化したものを使用し、その薄膜化した部分あるいは
上記図４の上部Ｓｉ板１１の部分に電子線レジスト６で
形成したレジストパターン７を用いてパターニングを行
ない、繰り返し使用される図形ならびに図形群を作り込
むことによって構成されていた。なお、図４及び５中、
符号２はマスキングパターン、符号３はエッチング槽を
示している。[0004] By the way, the aperture used in this method has conventionally been, for example, as shown in FIG.
Using the i-wafer 1, chemical etching was performed according to the azimuthal plane with the KOH etching solution 4 heated from the back, and the upper surface of the resulting lower Si plate 12 was thinned by polishing or the like.
Using an i-wafer (upper Si plate) 11 bonded via an Si oxide film 10 or a thick Si wafer 1 as shown in FIG. The etching is stopped on the way and the upper surface is made thinner, and patterning is performed using the resist pattern 7 formed by the electron beam resist 6 on the thinned portion or the upper Si plate 11 shown in FIG. It was constructed by performing and repeatedly using figures and groups of figures. 4 and 5,
Reference numeral 2 denotes a masking pattern, and reference numeral 3 denotes an etching tank.
【０００５】しかしながら、図４の方式では、下部Ｓｉ
板１２と上部Ｓｉ板１１との貼り合わせ時に加熱を行な
うことや、下部Ｓｉ板１２と上部Ｓｉ板１１の間に酸化
シリコン１０を介すことなどから応力が発生し、パター
ンが歪む、また、この貼り合わせ工程は、上部Ｓｉ板１
１と下部Ｓｉ板１２を摂氏９００〜１０００度程度で加
熱して張り合わせるわけであるが、加熱昇温時や冷却時
の温度制御に注意を要するなどの問題があった。また、
図４、図５の方式の両方ともパターンを作製する上面が
薄膜化しているため、取り扱いに注意を要し、特にパタ
ーン作製時に上面の薄膜部が破れやすいなどの問題があ
った。However, in the method shown in FIG.
Stress is generated due to heating at the time of bonding the plate 12 and the upper Si plate 11 and the interposition of the silicon oxide 10 between the lower Si plate 12 and the upper Si plate 11, and the pattern is distorted. This bonding step is performed by the upper Si plate 1
1 and the lower Si plate 12 are bonded by heating at about 900 to 1000 degrees Celsius, but there is a problem that attention must be paid to temperature control during heating and cooling. Also,
In both of the methods shown in FIGS. 4 and 5, since the upper surface on which a pattern is formed is made thinner, care must be taken in handling, and there is a problem that the thin film portion on the upper surface is apt to be broken particularly when the pattern is formed.
【０００６】このパターンの歪みは、パターンの変形、
すなわち意図したものと異なったパターンがアパーチャ
上に形成され、転写パターンとして形成されてしまうこ
とや、パターンの位置ずれ、すなわちアパーチャ上の意
図した位置とは異なった位置にパターンが形成され、転
写パターンとして形成されてしまうことなどが挙げら
れ、そのずれの程度は十分の一μｍ〜数μｍに及んでし
まう。この状態で半導体ウエハ上にパターンの転写が行
なわれれば、作製されたものは集積回路として重大な不
良品となるうえに作動しないのは明白である。The distortion of the pattern is caused by the deformation of the pattern,
That is, a pattern different from the intended one is formed on the aperture and formed as a transfer pattern, or a pattern misalignment, that is, a pattern is formed at a position different from the intended position on the aperture, and the transfer pattern is formed. Is formed, and the degree of the deviation is as large as one tenth of μm to several μm. If a pattern is transferred onto a semiconductor wafer in this state, it is obvious that the manufactured product becomes a serious defective product as an integrated circuit and does not operate.
【０００７】また、アパーチャを荷電ビーム露光装置に
組み込んで露光を行なう際、このアパーチャによって遮
蔽された、すなわちパターンの無い部分は、荷電粒子ビ
ームが照射される。そのため、アパーチャの材質が電気
伝導度が良くない物質の場合、チャージアップが発生す
る可能性がある。チャージアップが発生すれば、アパー
チャにより形成されたビームは変形し、また意図する位
置からのずれを生じ、ひどい場合には全くパターンが描
画されない状態に至るという問題があった。When an exposure is performed by incorporating an aperture into a charged beam exposure apparatus, a portion blocked by the aperture, that is, a portion having no pattern is irradiated with a charged particle beam. Therefore, when the material of the aperture is a substance having poor electric conductivity, charge-up may occur. When the charge-up occurs, the beam formed by the aperture is deformed and deviates from an intended position. In a severe case, there is a problem that a pattern is not drawn at all.
【０００８】特に、図４の貼り合わせ方式の場合、Ｓｉ
酸化膜１０を介するためチャージアップは避けられない
問題である。そのため従来は上部あるいは下部に更に導
電性膜を形成するなどの方法をとっていたが、膜が多層
構造になるため、工程が複雑になるという問題点が発生
し、加えて熱膨張率が各層によって違うため、上述のご
とく、応力がかかり、パターンが歪むなどの問題があっ
た。Particularly, in the case of the bonding method shown in FIG.
Charge-up is an unavoidable problem due to the oxide film 10. For this reason, conventionally, a method of forming a further conductive film on the upper or lower part has been adopted, but since the film has a multilayer structure, there is a problem that the process becomes complicated, and in addition, the coefficient of thermal expansion is reduced for each layer. As described above, there is a problem that stress is applied and the pattern is distorted.
【０００９】また、このアパーチャの作製工程において
は、図４の貼り合わせ方式、図５のメンブレン方式いず
れの場合においても、上面にエッチングを行なって薄膜
化する際にどの時点でエッチングを停止させるかによっ
て上面の膜厚が異なるため、非常に精密なエッチングの
制御が必要になるという問題があった。In the process of manufacturing the aperture, in any of the bonding method shown in FIG. 4 and the membrane method shown in FIG. Therefore, there is a problem that very precise control of the etching is required because the thickness of the upper surface is different depending on the type.
【００１０】さらに、上面を薄膜化してからパターニン
グを行なう場合、その厚さは数十μｍと薄いため、レジ
スト塗布の際のレジストの重みや滴下時の衝撃、ウエッ
トエッチングの際のエッチング液の重みや衝撃、工程中
のハンドリングの際の振動及び衝撃などで簡単に破れて
しまうという問題があった。Further, when patterning is performed after the upper surface is thinned, the thickness is as thin as several tens of μm, so that the weight of the resist at the time of applying the resist, the impact at the time of dropping, and the weight of the etching solution at the time of wet etching. There is a problem that the film is easily torn by shock, shock, vibration and shock during handling during the process.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明におい
ては、従来いわゆる一括露光法と呼ばれる荷電ビームの
露光方式に用いられてきた荷電ビーム露光装置用のアパ
ーチャの問題点、すなわち、作製時に応力が発生し、作
り込まれるパターンが歪むことや、上面が薄膜であるた
めに取り扱いに注意を要し、パターン作製時に上面の薄
膜部が破れやすいこと、荷電粒子ビーム照射時にチャー
ジアップが生じる可能性があること、また上面薄膜部の
作製時に精密な制御が必要であること等の問題点を解決
し、作製が容易で精度の高い荷電ビーム露光装置用のア
パーチャの製造方法を提供することを目的としている。Therefore, in the present invention, the problem of the aperture for the charged beam exposure apparatus which has been conventionally used in the so-called batch exposure method of the charged beam exposure method, that is, the stress at the time of fabrication is reduced. The generated and distorted patterns may be distorted, and the top surface is a thin film, requiring careful handling.The thin film on the top surface may be easily broken during pattern fabrication, and charge-up may occur during charged particle beam irradiation. lying, also solves the problems such that it is necessary to precisely control during the production of the top film unit, high is easy to produce accurate charged beam exposure apparatus for a
It is intended to provide a method for manufacturing a aperture .
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のアパーチャは、荷電ビームを用いた露光方
法に用いられるアパーチャにおいて、開口部を有する第
１の膜領域と、該第１の膜領域を支持し且つ該第１の膜
領域よりも厚い第２の膜領域とを有し、該第１の膜領域
を形成する主たる材料と該第２の膜領域を形成する主た
る材料とが異なる材料からなることを特徴ととしてい
る。In order to achieve the above object, an aperture according to the present invention is an aperture used for an exposure method using a charged beam, wherein the first film region having an opening and the first film region are provided. A second film region that supports the film region and is thicker than the first film region, wherein the main material forming the first film region and the main material forming the second film region are It is characterized by being made of different materials.
【００１３】また、本発明のアパーチャは、前記第１の
膜領域と前記第２の膜領域にそれぞれ使用される材料の
熱による線膨張率の差が２７３Ｋから３７３Ｋの温度範
囲において５×１０-6Ｋ-1以下であることを特徴として
いる。The aperture according to the present invention has a difference in linear expansion coefficient due to heat of a material used for each of the first film region and the second film region in a temperature range of 273 K to 373 K, which is 5 × 10 −. 6 K -1 or less.
【００１４】また、本発明のアパーチャは、前記第１の
膜領域は前記第２の膜領域のエッチング時にエッチング
がなされない材料であることを特徴としている。The aperture of the present invention is characterized in that the first film region is made of a material that is not etched when the second film region is etched.
【００１５】また、本発明のアパーチャは、前記第２の
膜領域は導電性を有することを特徴としている。The aperture of the present invention is characterized in that the second film region has conductivity.
【００１６】また、本発明のアパーチャは、前記第１の
膜領域はＰｔまたはＰｄもしくはその合金であることを
特徴としている。The aperture of the present invention is characterized in that the first film region is made of Pt or Pd or an alloy thereof.
【００１７】また、本発明のアパーチャは、前記第２の
膜領域は単結晶Ｓｉであることを特徴としている。Further, the aperture according to the present invention is characterized in that the second film region is made of single-crystal Si.
【００１８】本発明の荷電ビームを用いた露光方式に用
いられるアパーチャの製造方法は、荷電ビームを用いた
露光方式に用いられるアパーチャの製造方法において、
前記アパーチャは開口部を有する第１の膜領域と、該第
１の膜領域を支持し且つ該第１の膜領域よりも厚い第２
の膜領域とを有し、該第１の膜領域を形成する主たる材
料と該第２の膜領域を形成する主たる材料とが異なる材
料からなり、レジストパターンを第２の膜領域上に形成
し、次にその上に前記第２の膜領域よりも薄い第１の膜
領域を形成し、その後前記第２の膜領域をエッチングし
てなることを特徴とする。The method of manufacturing an aperture used in the exposure method using a charged beam according to the present invention uses a charged beam.
In a method of manufacturing an aperture used for an exposure method,
The aperture includes a first film region having an opening,
A second membrane region supporting the first membrane region and being thicker than the first membrane region;
Main material for forming the first film region
Different from the main material forming the second film region
Forming a resist pattern on the second film area
And then a first film thinner than the second film region
Forming a region, and then etching said second film region
It is characterized by becoming .
【００１９】また、本発明のアパーチャの製造方法は、
前記第１の膜領域下のレジストパターンは前記第２の膜
領域のエッチング時に同時に溶解することを特徴として
いる。Further, the method for manufacturing an aperture according to the present invention comprises:
The resist pattern under the first film region is dissolved simultaneously with the etching of the second film region.
【００２０】[0020]
【作用】本発明によれば、第２の膜領域として導電性の
ある支持基板例えばＳｉ単結晶を使用し、パターンを形
成する上面の第１の膜領域として支持基板である第２の
膜領域例えばＳｉと熱膨張率がほぼ等しく、導電性が高
く、特に支持基板である第２の膜領域をバックエッチン
グする際のエッチング液に化学的に侵されない物質例え
ばＰｔ、Ｐｄのような物質を使用する。そして、パター
ン形成領域の作製用のレジストに第２の膜領域のエッチ
ング液に対して溶解性のあるものを使用することによ
り、第２の膜領域のバックエッチング工程の際に、上面
のレジストパターンの剥離を同時に行なうことが出来、
工程の簡略化が可能となる。According to the present invention, a conductive support substrate, for example, a Si single crystal is used as the second film region, and the second film region which is the support substrate is used as the first film region on the upper surface on which a pattern is formed. For example, a material such as Pt or Pd, which has substantially the same coefficient of thermal expansion as Si, has high conductivity, and is not chemically attacked by an etchant when back-etching the second film region which is a supporting substrate, is used. I do. By using a resist that is soluble in the etching solution for the second film region as a resist for forming the pattern formation region, the resist pattern on the upper surface can be used in the back etching step for the second film region. Can be performed simultaneously,
The process can be simplified.
【００２１】また、熱による貼り合わせを行なう工程が
無く、加えてパターンを形成する第１の膜領域は、支持
基板である第２の膜領域例えばＳｉと熱膨張率がほぼ等
しいため、荷電粒子ビームの照射による熱が原因で発生
する応力、それによるパターンの歪みを防止することが
可能になる。Further, since there is no step of bonding by heat, and the first film region for forming a pattern has a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the second film region, eg, Si, which is a supporting substrate, the charged particles It is possible to prevent stress generated due to heat due to the irradiation of the beam and pattern distortion due to the stress.
【００２２】また、本発明によれば、絶縁物を含まない
構成であるため、荷電粒子ビームの照射によるチャージ
アップの発生を防止することを可能にしている。Further, according to the present invention, since the structure does not include an insulator, it is possible to prevent occurrence of charge-up due to irradiation of a charged particle beam.
【００２３】また、上面の第１の膜領域は、工程上一番
最後に薄膜化されるため破れる危険性を激減させること
が可能になる。Further, since the first film region on the upper surface is thinned last in the process, the risk of breakage can be drastically reduced.
【００２４】[0024]
【実施例】図１は、本発明のアパーチャの製造方法の一
実施例を工程順に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a method of manufacturing an aperture according to the present invention in the order of steps.
【００２５】まず図１(ａ)に示すように、厚さ５００μ
ｍのＳｉ単結晶の基板１を用意した。この基板の面方位
は（１００）であった。First, as shown in FIG.
An m single crystal Si substrate 1 was prepared. The plane orientation of this substrate was (100).
【００２６】次に基板１の裏面側から加熱したＫＯＨ溶
液のエッチング液４でエッチングを行った。この際、図
１（ｂ）に示す様に、あらかじめ開口部以外の部分をマ
スキングパターン２を形成しておく。この開口部の大き
さは任意であるが、面積をあまり大きくすると、完成時
に破れやすくなるため、５００μｍ角程度が好ましい。
この際、基板１の面方位が（１００）であるため、図１
（ｃ）に示すように、基板１に対して厚さ方向にはエッ
チングがすすんでいくが、横方向にはあまりすすんでい
かないいわゆる異方性エッチングを行うこととなる。エ
ッチングは、開口部分の板厚が１００μｍ程度、すなわ
ちこの後の工程で容易には破れない程度の厚さで止め
る。その後、純水で洗浄を行った。なお、後の工程で必
要になるため、開口部以外のマスキングパターン２は、
この段階では剥離しない。これで、図１（ｄ）に示すよ
うなアパーチャのブランク５が出来上がる。Next, etching was performed from the back side of the substrate 1 with an etching solution 4 of a heated KOH solution. At this time, as shown in FIG. 1B, a masking pattern 2 is formed in advance on portions other than the openings. The size of the opening is arbitrary, but if the area is too large, the opening is likely to be broken at the time of completion. Therefore, the opening is preferably about 500 μm square.
At this time, since the plane orientation of the substrate 1 is (100), FIG.
As shown in (c), the so-called anisotropic etching is performed on the substrate 1 in the thickness direction but not so much in the lateral direction. The etching is stopped at a thickness of about 100 μm at the opening, that is, a thickness that is not easily broken in the subsequent steps. Thereafter, cleaning was performed with pure water. Note that the masking pattern 2 other than the opening is required in a later step.
At this stage, it does not peel. Thus, an aperture blank 5 as shown in FIG. 1D is completed.
【００２７】次に上述したブランク５の開口部と反対の
面に図１（ｅ）に示すように電子線レジスト６（例えば
東ソー（株）製ＣＭＳーＥＸ（Ｒ））を全面塗布した。
この時のレジスト膜厚は、２０μｍ以下、好ましくは、
５〜１５μｍである。この膜厚が、完成時の電子線を遮
蔽するパターンを形成した金属膜すなわち第１の膜領域
の厚さとなる。Next, as shown in FIG. 1E, an electron beam resist 6 (for example, CMS-EX (R) manufactured by Tosoh Corporation) was applied to the entire surface of the blank 5 opposite to the opening.
At this time, the resist film thickness is 20 μm or less, preferably
5 to 15 μm. This film thickness becomes the thickness of the metal film on which the pattern for shielding the electron beam is formed at the time of completion, that is, the first film region.
【００２８】次いで所定のプリベーク処理後、従来から
使われている電子線描画装置（例えば日立製作所製ＨＬ
−７００）でパターンの描画を行い、所定の現像、ポス
トベーク処理を行った。これで、図１（ｆ）に示す様
に、アパーチャのブランク５の上面にレジストパターン
７が出来上がる。Next, after a predetermined pre-bake treatment, a conventionally used electron beam lithography apparatus (for example, HL manufactured by Hitachi, Ltd.)
(-700), a pattern was drawn, and predetermined development and post-baking were performed. Thus, a resist pattern 7 is formed on the upper surface of the aperture blank 5 as shown in FIG.
【００２９】次に上述したレジストパターン７上に、図
１（ｇ）のように金属膜８を真空蒸着法によりを製膜し
た。金属膜８は支持基板１であるＳｉと熱膨張率がなる
べく近い値で、かつ、Ｓｉのエッチング液におかされな
いものが望ましく、本実施例では例えばＰｔを使用する
こととする。この際の金属膜８の厚さはレジストパター
ン７の厚さ程度、すなわちレジストパターン７の開口部
が金属膜８で埋まる程度である。この金属膜８の製膜は
スパッタリング法、イオンプレーティング法などの従来
知られている方法を使用しても勿論かまわない。Next, as shown in FIG. 1 (g), a metal film 8 was formed on the above-described resist pattern 7 by a vacuum evaporation method. It is desirable that the metal film 8 has a coefficient of thermal expansion as close as possible to that of Si as the support substrate 1 and is not exposed to the Si etchant. In this embodiment, Pt is used, for example. At this time, the thickness of the metal film 8 is about the thickness of the resist pattern 7, that is, the opening of the resist pattern 7 is filled with the metal film 8. The metal film 8 may be formed by a conventionally known method such as a sputtering method or an ion plating method.
【００３０】次に、上述の金属膜８を製膜したブランク
５を図１（ｈ）に示す様に、支持基板Ｓｉのエッチング
液４である加熱したＫＯＨ溶液に浸漬した。このとき、
エッチング液４は基板１の上面および下面から浸透して
いく。Next, as shown in FIG. 1 (h), the blank 5 on which the above-mentioned metal film 8 was formed was immersed in a heated KOH solution which is an etching solution 4 for the support substrate Si. At this time,
The etching solution 4 permeates from the upper surface and the lower surface of the substrate 1.
【００３１】上面に関してはレジストパターン７上にも
金属膜８が製膜されているが、レジストパターン７と金
属膜８で埋まった開口部との境界部は金属膜８が付着し
ていないかごく薄い膜になっており、その部分よりエッ
チング液４が浸透する。エッチング液４は、強アルカリ
性であるためレジストパターン７すなわち電子線レジス
ト６を溶解する。そのため、レジストパターン７および
その上の金属膜８は剥離し、さらにその下のＳｉを溶解
する。しかし、金属膜８すなわちＰｔは、エッチング液
４に対し不溶であるため、レジストパターン７上以外の
金属膜８は残存する。On the upper surface, a metal film 8 is also formed on the resist pattern 7, but the boundary between the resist pattern 7 and the opening buried with the metal film 8 has no metal film 8 attached. It is a thin film, and the etchant 4 penetrates from the thin film. Since the etching solution 4 is strongly alkaline, it dissolves the resist pattern 7, that is, the electron beam resist 6. Therefore, the resist pattern 7 and the metal film 8 thereover are peeled off, and the underlying Si is dissolved. However, since the metal film 8, that is, Pt, is insoluble in the etching solution 4, the metal film 8 other than on the resist pattern 7 remains.
【００３２】一方、下面に関しては、前述のブランク５
の作製工程におけるバックエッチングの続きすなわち異
方性エッチングが行われ、最終的にはマスキングパター
ン２の部分のみＳｉが残り、ブランク５の開口部は上面
から製膜をした金属膜８のみが残る。On the other hand, regarding the lower surface, the blank 5
Of the back etching in the manufacturing process, that is, anisotropic etching is performed. Finally, only the portion of the masking pattern 2 remains, and only the metal film 8 formed from the upper surface of the opening of the blank 5 remains.
【００３３】この後、有機溶剤でマスキングパターン２
の剥離を行い、純水で洗浄、乾燥して図１（ｉ）に示す
ように本発明のアパーチャ９が出来上がる。After that, a masking pattern 2 is formed with an organic solvent.
Is peeled off, washed with pure water, and dried to complete the aperture 9 of the present invention as shown in FIG.
【００３４】本実施例によれば、従来行なわれていた貼
り合わせ工程がないため、基板に高熱をかける必要がな
いことから応力は発生せず、パターンの歪みやずれは無
かった。パターン作製時には、従来この工程の前に行な
っていた薄膜化の工程が本実施例では最後になるため、
作製途中での基板の破れは発生しない。また、上記電子
線レジストがＳｉのエッチング液であるＫＯＨ液に溶解
するため、支持基板Ｓｉのバックエッチング工程の際に
レジスト剥離も同時に出来るので、工程が簡略化され
た。加えて、ブランク作製工程ではエッチングの精密な
制御が必要なくなるため、従来よりも工程が単純になっ
た。According to this embodiment, since there is no bonding step conventionally performed, there is no need to apply high heat to the substrate, so that no stress is generated, and there is no pattern distortion or displacement. At the time of pattern production, the thinning step conventionally performed before this step is the last in this embodiment,
No breakage of the substrate occurs during fabrication. Further, since the electron beam resist is dissolved in the KOH solution which is an etchant for Si, the resist can be peeled off at the same time as the back etching process of the support substrate Si, so that the process is simplified. In addition, precise control of etching is not required in the blank manufacturing process, so that the process is simpler than in the past.
【００３５】また本実施例で作製したアパーチャを荷電
粒子ビーム露光装置に装着して描画を行なったところ、
長時間描画を行なっても、従来発生していたチャージア
ップは発生せず、応力によるパターンの歪みやずれも確
認されなかった。When the aperture manufactured in this embodiment was mounted on a charged particle beam exposure apparatus to perform drawing,
Even when writing was performed for a long time, the charge-up that occurred conventionally did not occur, and no pattern distortion or displacement due to stress was observed.
【００３６】図２は、本発明の別の一実施例を工程順に
示す断面図である。図１と同等の箇所には同一符号を付
して重複説明を適宜省略する。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the present invention in the order of steps. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be appropriately omitted.
【００３７】まず図２（ａ）に示すように、厚さ５００
μｍのＳｉ単結晶の基板１を用意した。この基板の面方
位は（１００）であった。First, as shown in FIG.
A substrate 1 of μm Si single crystal was prepared. The plane orientation of this substrate was (100).
【００３８】次に基板１の裏面側からエッチング液４で
エッチングを行なった。この際、図２（ｂ）に示す様
に、あらかじめマスキングパターン２を形成しておく。
この際基板１の面方位が、（１００）であるため、いわ
ゆる異方性エッチングを行うこととなる。エッチング
は、開口部分の板厚が１００μｍ程度、すなわちこの後
の工程で容易には破れない程度の厚さで止める。その
後、純水で洗浄を行なった後、有機溶剤でマスキングパ
ターン２を剥離した。これで、図２（ｃ）の如く本発明
のアパーチャのブランク５が出来上がる。Next, etching was performed from the back side of the substrate 1 with the etching solution 4. At this time, as shown in FIG. 2B, a masking pattern 2 is formed in advance.
At this time, since the plane orientation of the substrate 1 is (100), so-called anisotropic etching is performed. The etching is stopped at a thickness of about 100 μm at the opening, that is, a thickness that is not easily broken in the subsequent steps. Then, after washing with pure water, the masking pattern 2 was peeled off with an organic solvent. This completes the aperture blank 5 of the present invention as shown in FIG.
【００３９】次に上述したブランク５の開口部と反対の
面に図２（ｄ）のように前述の電子線レジスト６を全面
塗布した。この時のレジスト膜厚は、２０μｍ以下、好
ましくは、５〜１５μｍである。Next, the entire surface of the blank 5 opposite to the opening was coated with the electron beam resist 6 as shown in FIG. 2D. At this time, the resist film thickness is 20 μm or less, preferably 5 to 15 μm.
【００４０】次いで、図２（ｅ）の如く前述のレジスト
６を塗布した面と反対の面、すなわちブランク５の裏面
に同じく電子線レジスト６を塗布した。この時のレジス
ト膜厚は、２０μｍ以下、好ましくは、５〜１５μｍで
ある。すなわち上面のレジストの膜厚と同じ膜厚にす
る。このように、初めにエッチングを行なったブランク
５の開口部にも電子線レジスト６を塗布するが、これ
は、この次の工程すなわち金属膜８の製膜の際のマスキ
ング層として使用する。Next, as shown in FIG. 2E, an electron beam resist 6 was applied to the surface opposite to the surface to which the above-described resist 6 was applied, that is, the back surface of the blank 5. At this time, the resist film thickness is 20 μm or less, preferably 5 to 15 μm. That is, the thickness is made the same as the thickness of the resist on the upper surface. As described above, the electron beam resist 6 is applied also to the opening of the blank 5 which has been etched first, and this is used as a masking layer in the next step, that is, when the metal film 8 is formed.
【００４１】次いで、所定のプリベーク処理後、前述の
電子線描画装置でパターンの描画を行い、所定の現像、
ポストベーク処理を行ない、図２（ｆ）に示すように本
発明のアパーチャのブランク５の上面にレジストパター
ン７が出来上がる。Next, after a predetermined pre-baking process, a pattern is drawn by the above-mentioned electron beam drawing apparatus, and a predetermined development and
Post-baking is performed to form a resist pattern 7 on the upper surface of the blank 5 of the aperture according to the present invention, as shown in FIG.
【００４２】次に上述したレジストパターン７を設けた
基板上に図２（ｇ）の如く金属膜８を製膜する。金属膜
８としては前述のように支持基板であるＳｉと熱膨張率
がなるべく近い値で、かつ、Ｓｉのエッチング液におか
されないものが望ましく本実施例では前述と同様Ｐｔを
使用することとする。Next, a metal film 8 is formed on the substrate provided with the resist pattern 7 as shown in FIG. As described above, the metal film 8 preferably has a coefficient of thermal expansion as close as possible to that of Si as the supporting substrate and is not exposed to the etching solution of Si. In this embodiment, Pt is used as described above. .
【００４３】この金属膜８の製膜は、従来から使われて
いるメッキ装置を使用し、塩化白金浴すなわち第１浴に
おいて塩化白金酸４ｇ／ｌ、リン酸アンモニウム２０ｇ
／ｌ、リン酸ナトリウム１００ｇ／ｌの混合溶液中で、
温度８０℃、電流密度１００Ａ／ｍ2、電圧３．５Ｖ、
第２浴において、塩化白金酸ナトリウム１５ｇ／ｌ、水
酸化ナトリウム２０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム５ｇ／
ｌ、クエン酸９０ｇ／ｌの混合溶液中で、温度８０℃、
電流密度１５Ａ／ｍ2、電圧４．５Ｖ、第３浴におい
て、水酸化ナトリウム２０ｇ／ｌ、塩化第二白金酸４ｇ
／ｌ、第二リン酸ナトリウム５ｇ／ｌ、重炭酸ナトリウ
ム８ｇ／ｌ、硝酸カリウム８ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜１５
ｇ／ｌの混合溶液中で温度８０℃、電流密度５０Ａ／ｍ
2、電圧４．５Ｖの条件で、いずれも陽極をＰｔとして
Ｐｔの電解メッキを行なった。この際のメッキ厚さは前
述の如くレジストパターン７の厚さ程度、すなわちレジ
ストパターン７の開口部がＰｔで埋まる程度である。こ
の際、基板表面のレジストパターン７および裏面のマス
キングパターン６上には金属膜８は付着しない。The metal film 8 is formed by using a plating apparatus which is conventionally used, in a platinum chloride bath, ie, the first bath, 4 g / l of chloroplatinic acid and 20 g of ammonium phosphate.
/ L, 100 g / l sodium phosphate in a mixed solution,
Temperature 80 ° C., current density 100 A / m 2 , voltage 3.5 V,
In the second bath, sodium chloroplatinate 15 g / l, sodium hydroxide 20 g / l, ammonium chloride 5 g / l
1, in a mixed solution of citric acid 90 g / l, at a temperature of 80 ° C,
In a third bath having a current density of 15 A / m 2 and a voltage of 4.5 V, sodium hydroxide 20 g / l and chloroplatinic acid 4 g
/ G, sodium diphosphate 5 g / l, sodium bicarbonate 8 g / l, potassium nitrate 8 g / l, boric acid 10-15
g / l mixed solution at a temperature of 80 ° C. and a current density of 50 A / m
2. Electrolytic plating of Pt was performed under the conditions of a voltage of 4.5 V and Pt as the anode in each case. The plating thickness at this time is about the thickness of the resist pattern 7 as described above, that is, the opening of the resist pattern 7 is filled with Pt. At this time, the metal film 8 does not adhere to the resist pattern 7 on the substrate surface and the masking pattern 6 on the back surface.
【００４４】次に、図２（ｈ）の如く上述の金属膜８を
製膜した基板をエッチング液４である加熱したＫＯＨ溶
液に浸漬した。この際、エッチング液４は基板の上面お
よび下面から浸透していく。Next, as shown in FIG. 2H, the substrate on which the above-mentioned metal film 8 was formed was immersed in a heated KOH solution as the etching solution 4. At this time, the etching solution 4 permeates from the upper and lower surfaces of the substrate.
【００４５】基板上面に関しては、エッチング液４は、
強アルカリ性であるため電子線レジスト６を溶解する。
そのため、レジストパターン７はエッチング液４に溶解
し、さらにその下のＳｉを溶解する。しかし、金属膜８
すなわちＰｔは、エッチング液４に対し不溶であるた
め、レジストパターン７上以外の金属膜８は残存する。As for the upper surface of the substrate, the etching solution 4
Since it is strongly alkaline, the electron beam resist 6 is dissolved.
Therefore, the resist pattern 7 is dissolved in the etching solution 4 and further dissolves Si thereunder. However, the metal film 8
That is, since Pt is insoluble in the etching solution 4, the metal film 8 other than on the resist pattern 7 remains.
【００４６】一方、下面に関しても、同じ電子線レジス
ト６を使用しているため、エッチング液４に溶解する。
この際、開口部のみではなく、基板全体がエッチングさ
れていくことになるが、開口部と支持部の境界部分は前
述の通り、エッチング速度が極端に遅いため板厚のみ薄
くなり、そのエッチング厚も基板厚の数十分の一〜数百
分の一である。そのためブランクの形状は維持され、厚
みに関しても問題はない。結果的には前述のブランク５
の作製工程におけるバックエッチングの続きが行われ、
最終的にはブランク５作製時のマスキングパターン２を
設けた部分すなわち支持部のみＳｉが残り、開口部は上
面から製膜をした金属膜８のみが残る。この工程で基板
板厚を薄くしたくなければ、ブランク作製時のマスキン
グパターン２を剥離せず、開口部のみ上面レジストと同
じ電子線レジスト６を同じ膜厚だけ塗布すれば良く、エ
ッチング終了後、有機溶剤でマスキングパターン２の剥
離を行えば良い。On the other hand, since the same electron beam resist 6 is used for the lower surface, it is dissolved in the etching solution 4.
At this time, not only the opening but also the entire substrate is etched. However, as described above, the etching rate is extremely low at the boundary between the opening and the support, so that only the plate thickness is reduced, and the etching thickness is reduced. Is also several tenths to several hundredths of the substrate thickness. Therefore, the shape of the blank is maintained, and there is no problem regarding the thickness. As a result, the aforementioned blank 5
Continuation of back etching in the manufacturing process of
Ultimately, Si remains only in the portion where the masking pattern 2 was provided at the time of manufacturing the blank 5, that is, in the support portion, and in the opening portion, only the metal film 8 formed from the upper surface remains. If it is not desired to reduce the thickness of the substrate in this step, the masking pattern 2 at the time of fabricating the blank should not be peeled off, and only the opening should be coated with the same electron beam resist 6 as the upper surface resist to the same thickness. The masking pattern 2 may be removed with an organic solvent.
【００４７】その後、純水で洗浄、乾燥して本発明のア
パーチャ９が図２（ｉ）の如く出来上がる。Thereafter, the aperture 9 is washed with pure water and dried to complete the aperture 9 of the present invention as shown in FIG.
【００４８】本実施例によれば、前述の実施例と同様、
従来行なわれていた貼り合わせ工程がないため、基板に
高熱をかける必要がないことから応力は発生せず、パタ
ーンの歪みやずれは無かった。またパターン作製時に
は、薄膜化の工程が最後になるため、作製途中での基板
の破れは発生せず、また、支持基板Ｓｉのバックエッチ
ングの際にレジストパターン７剥離も同時に出来るた
め、工程が簡略化され、さらに、ブランク作製工程では
エッチングの精密な制御が必要なくなるため、従来より
も工程が単純になった。According to this embodiment, similar to the above-described embodiment,
Since there was no conventional bonding step, there was no need to apply high heat to the substrate, so that no stress was generated and there was no pattern distortion or displacement. Further, at the time of pattern formation, since the thinning step is the last step, the substrate is not broken during the preparation, and the resist pattern 7 can be peeled off at the same time as the back etching of the supporting substrate Si, so that the steps are simplified. In addition, precise control of etching is not required in the blank manufacturing process, so that the process is simpler than in the related art.
【００４９】また本実施例で作製したアパーチャを荷電
粒子ビーム露光装置に装着して描画を行ったところ、長
時間描画を行っても、従来発生していたチャージアップ
は発生せず、応力によるパターンの歪みやずれも確認さ
れなかった。When the aperture manufactured in this embodiment was mounted on a charged particle beam exposure apparatus and writing was performed, even if writing was performed for a long time, the charge-up that had occurred conventionally did not occur, and the pattern due to stress was not generated. No distortion or deviation was observed.
【００５０】図３は、本発明の他の実施例を工程順に示
す断面図である。図１と同等の箇所には同一符号を付し
て重複説明を適宜省略する。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention in the order of steps. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be appropriately omitted.
【００５１】まず図３（ａ）に示すように、厚さ５００
μｍのＳｉ単結晶の基板１を用意した。この基板の面方
位は（１００）であった。First, as shown in FIG.
A substrate 1 of μm Si single crystal was prepared. The plane orientation of this substrate was (100).
【００５２】次に図３（ｂ）に示すように、裏面からエ
ッチング液４でエッチングを行った。この際、図３
（ｂ）に示す様に、あらかじめ開口部以外の部分をマス
キングパターン２を形成しておく。この際、基板の面方
位が、（１００）であるため、いわゆる異方性エッチン
グを行うこととなる。エッチングは、開口部分の板厚が
１００μｍ程度、すなわちこの後の工程で容易に破れな
い程度の厚さで止める。その後、純水で洗浄を行った。
後の工程で必要になるため、マスキングパターン２は、
剥離しない。これで、図３（ｄ）に示すように本発明の
アパーチャのブランク５が出来上がる。Next, as shown in FIG. 3B, etching was performed from the back surface with an etching solution 4. At this time, FIG.
As shown in (b), a masking pattern 2 is formed in advance on portions other than the openings. At this time, since the plane orientation of the substrate is (100), so-called anisotropic etching is performed. The etching is stopped when the thickness of the opening is about 100 μm, that is, the thickness is not easily broken in the subsequent steps. Thereafter, cleaning was performed with pure water.
The masking pattern 2 is required in a later process,
Does not peel. This completes the aperture blank 5 of the present invention, as shown in FIG.
【００５３】次に図３（ｅ）に示すように上述したブラ
ンク５の開口部と反対の面に、従来から行なわれている
スパッタリング法で、酸化シリコン１３すなわちＳｉＯ
2を約１μｍ、ポリシリコン１４を厚さ約１０μｍほど
形成した。Next, as shown in FIG. 3E, a silicon oxide 13 or SiO 2 is formed on the surface of the blank 5 opposite to the opening by the conventional sputtering method.
2 was formed about 1 μm, and the polysilicon 14 was formed about 10 μm thick.
【００５４】次に、図３（ｆ）のように電子線レジスト
６を全面に塗布した。この時の膜厚は、ポリシリコン厚
と該電子線レジスト厚を合わせて２０μｍ以下とした。
好ましくは、５〜１５μｍである。この膜厚が、荷電粒
子ビームを遮蔽するパターン形成領域の厚さとなる。Next, an electron beam resist 6 was applied to the entire surface as shown in FIG. At this time, the total thickness of the polysilicon and the thickness of the electron beam resist was set to 20 μm or less.
Preferably, it is 5 to 15 μm. This film thickness is the thickness of the pattern formation region that blocks the charged particle beam.
【００５５】次いで、所定のプリベーク処理後、電子線
描画装置でパターンの描画を行い、所定の現像、ポスト
ベーク処理を行い、図３（ｇ）に示す様に、本発明のア
パーチャのブランク５の上面にレジストパターン７が出
来上がる。Next, after a predetermined pre-baking process, a pattern is drawn by an electron beam drawing device, a predetermined development and post-baking process are performed, and as shown in FIG. 3 (g), the blank 5 of the aperture of the present invention is formed. The resist pattern 7 is completed on the upper surface.
【００５６】次に上述したレジストパターン７上に、図
３（ｈ）のように金属膜８を製膜した。本実施例では真
空蒸着によりＰｔを蒸着した。Next, a metal film 8 was formed on the resist pattern 7 as shown in FIG. In this embodiment, Pt is deposited by vacuum deposition.
【００５７】この際の金属膜８の厚さは前述の通り、レ
ジストパターン７の厚さ程度、すなわちレジストパター
ン７の開口部が金属膜８で埋まる程度である。この金属
膜８の製膜はスパッタリング法、イオンプレーティング
法などの従来知られている方法を使用してもよい。As described above, the thickness of the metal film 8 at this time is about the thickness of the resist pattern 7, that is, the opening of the resist pattern 7 is filled with the metal film 8. The metal film 8 may be formed by a conventionally known method such as a sputtering method or an ion plating method.
【００５８】次に、上述の金属膜８を製膜した基板を図
３（ｉ）に示す様に、平行平板型のリアクティブエッチ
ング装置１５でエッチングを行う。この際、先ずチャン
バ内にＯ2ガスを導入し、パワー１００Ｗで数分間エッ
チングを行いレジストパターン７を除去する。その後、
従来から行われているようにチャンバ内にＣＣｌ4ガス
を導入し、パワー１００Ｗで残ったＰｔ膜をマスクにし
てポリシリコン１４のエッチングをおこなった。この際
下層のＳｉＯ2の部分に到るまでエッチングを行った
が、上層のＰｔ膜が形成されている部分およびその下の
ポリシリコンはエッチングされなかった。Next, the substrate on which the above-mentioned metal film 8 is formed is etched by a parallel plate type reactive etching apparatus 15 as shown in FIG. At this time, first, O 2 gas is introduced into the chamber, and etching is performed for several minutes at a power of 100 W to remove the resist pattern 7. afterwards,
As in the conventional case, CCl 4 gas was introduced into the chamber, and the polysilicon 14 was etched using the remaining Pt film as a mask at a power of 100 W. At this time, etching was performed until the lower layer of SiO 2 was reached, but the upper layer where the Pt film was formed and the polysilicon below the same were not etched.
【００５９】次に図３（ｊ）に示すように、エッチング
液４を用い、基板の下層からバックエッチングを行っ
た。エッチング液４は基板の下面から浸透していくが、
ＳｉＯ2層の部分でエッチングは停止する。Next, as shown in FIG. 3J, back etching was performed from the lower layer of the substrate using the etching solution 4. The etching solution 4 permeates from the lower surface of the substrate,
Etching stops at the SiO 2 layer.
【００６０】この際、前述のブランク５の作製工程にお
けるバックエッチングの続きすなわち異方性エッチング
が行われ、最終的にはマスキングパターン２の部分のみ
Ｓｉが残り、開口部はＳｉＯ2層のみが、それ以外の部
分は、上面から製膜した金属膜８であるＰｔ層およびに
その下のポリシリコンとＳｉＯ2層のみが残る。At this time, a continuation of the back etching in the manufacturing process of the blank 5 described above, that is, anisotropic etching is performed, and finally Si remains only in the masking pattern 2 and only the SiO 2 layer remains in the opening. In other portions, only the Pt layer which is the metal film 8 formed from the upper surface and only the polysilicon and the SiO 2 layer thereunder remain.
【００６１】この後、再度基板をリアクティブエッチン
グ装置に入れ、従来から行われているように、チャンバ
内にＣＦ4ガスとＨ2ガスを混合して導入し、パワー１０
０Ｗで数分間エッチングを行うことにより、開口部のＳ
ｉＯ2層がエッチングされ、図３（ｋ）に示すように本
発明のアパーチャ９が出来上がる。なおこの際、従来か
ら知られているように、ＣＦ4ガスにＨ2ガスを添加する
とことにより、ＣＦ4ガスの分解により生じたＦラジカ
ルをＨＦの形にトラップし、ＦラジカルによるＳｉのエ
ッチングを防いでいる。After that, the substrate is put into the reactive etching apparatus again, and CF 4 gas and H 2 gas are mixed and introduced into the chamber, and the power
By performing etching at 0 W for several minutes, the S
The iO 2 layer is etched, and the aperture 9 of the present invention is completed as shown in FIG. Note at this time, as is known in the art, by the addition of H 2 gas to CF 4 gas, the F radicals generated by the decomposition of CF 4 gas trapped in the form of HF, the etching of Si by F radicals Is preventing.
【００６２】本実施例で作製したアパーチャについても
荷電粒子ビーム露光装置に装着して描画を行ったとこ
ろ、長時間描画を行っても、従来発生していたチャージ
アップは発生せず、応力によるパターンの歪みやずれも
確認されなかった。The aperture fabricated in this embodiment was also attached to a charged particle beam exposure apparatus to perform writing. Even if writing was performed for a long time, the conventional charge-up did not occur. No distortion or deviation was observed.
【００６３】なお、以上の実施例においてはいずれも、
上記金属膜８としてＰｔを使用しているが、支持基板と
熱膨張率がほぼ等しい、すなわち、両者の熱膨張率の差
が２７３Ｋ〜３７３Ｋの温度範囲において５×１０-6Ｋ
-1以下である材料であれば使用可能である。支持基板が
Ｓｉであれば、上記金属膜８としてＰｔの他に、例えば
Ｐｄを使用することができ、ＰｔとＰｄの合金も使用可
能である。また、例えばＰｔとＰｄの二層構造とするこ
とも可能である。In each of the above embodiments,
Although Pt is used as the metal film 8, the thermal expansion coefficient is almost equal to that of the supporting substrate, that is, the difference in thermal expansion coefficient between the two is 5 × 10 −6 K in a temperature range of 273 K to 373 K.
Any material having a value of -1 or less can be used. If the supporting substrate is Si, for example, Pd can be used as the metal film 8 in addition to Pt, and an alloy of Pt and Pd can also be used. Further, for example, a two-layer structure of Pt and Pd can be used.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る荷電ビーム露光方式に用いられるアパーチャによれ
ば、荷電ビーム露光装置に装着し、露光を行った際に、
支持基板である第２の膜領域と上部の第１の膜領域を形
成する主たる材料が異なり、両者がほぼ同じ熱膨張率を
有することにより、荷電ビーム照射による加熱が原因で
発生する応力差による歪みが発生しないため、良好な転
写パターンがえられるという優れた効果を奏する。ま
た、その際、支持基板が導電性を有することにより、該
アパーチャのチャージアップが発生しないという効果も
奏する。As described above in detail, according to the aperture used in the charged beam exposure system according to the present invention, when the exposure apparatus is mounted on the charged beam exposure apparatus and performs exposure,
The main material forming the second film region as the supporting substrate and the upper first film region are different, and both have substantially the same coefficient of thermal expansion, so that the stress difference caused by the heating due to the irradiation of the charged beam causes Since no distortion occurs, an excellent effect that a good transfer pattern can be obtained is achieved. Further, at this time, since the support substrate has conductivity, there is also an effect that charge-up of the aperture does not occur.
【００６５】また、本発明による荷電ビーム露光方式に
用いられるアパーチャの製造方法によると、上部レジス
トパターン剥離と同時に支持基板のバックエッチング工
程を同時に行うことが出来るため、従来より工程が短縮
され、また、従来のように熱圧着工程がないため加熱に
よる歪みの発生がなく、さらにパターン作製時の薄膜化
の工程が最後に来るため作製途中での基板が破れる不都
合がなく、加えてブランク作製段階でのエッチングの精
密な制御が必要ないため従来よりも工程が単純化される
という効果を奏する。Further, according to the method of manufacturing the aperture used in the charged beam exposure method according to the present invention, the back etching step of the support substrate can be performed simultaneously with the separation of the upper resist pattern, so that the process is shortened compared to the conventional method. Since there is no thermocompression bonding step as in the past, there is no distortion due to heating, and furthermore, there is no inconvenience that the substrate is broken during the production because the thinning process at the time of pattern production comes at the end. Since precise control of the etching is not required, the effect is obtained that the process is simplified as compared with the conventional case.
【図１】 本発明の一実施例を工程順に示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention in the order of steps.
【図２】 本発明の別の実施例を工程順に示す断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention in the order of steps.
【図３】 本発明の他の実施例を工程順に示す断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention in the order of steps.
【図４】 従来のアパーチャの製造方法の一例を工程順
に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a conventional aperture manufacturing method in the order of steps.
【図５】 従来のアパーチャの製造方法の別の例を工程
順に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the conventional aperture manufacturing method in the order of steps.
１ Ｓｉ基板 ２ マスキングパターン ３ エッチング槽 ４ Ｓｉエッチング液 ５ アパーチャのブランク ６ 電子線レジスト ７ レジストパターン ８ 金属膜 ９ 本発明のアパーチャ １０ 酸化シリコン １１ 上部Ｓｉ板 １２ 下部Ｓｉ板 １３ 酸化シリコン １４ ポリシリコン １５ リアクティブエッチング装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Si substrate 2 Masking pattern 3 Etching tank 4 Si etching liquid 5 Aperture blank 6 Electron beam resist 7 Resist pattern 8 Metal film 9 Aperture of the present invention 10 Silicon oxide 11 Upper Si plate 12 Lower Si plate 13 Silicon oxide 14 Polysilicon 15 Reactive etching equipment
Claims (2)
るアパーチャの製造方法において、前記アパーチャは開
口部を有する第１の膜領域と、該第１の膜領域を支持し
且つ該第１の膜領域よりも厚い第２の膜領域とを有し、
該第１の膜領域を形成する主たる材料と該第２の膜領域
を形成する主たる材料とが異なる材料からなり、レジス
トパターンを第２の膜領域上に形成し、次にその上に前
記第２の膜領域よりも薄い第１の膜領域を形成し、その
後前記第２の膜領域をエッチングしてなることを特徴と
するアパーチャの製造方法。 1. An exposure method using a charged beam.
In the method for manufacturing an aperture, the aperture is opened.
A first membrane region having a mouth, and supporting the first membrane region;
And a second film region thicker than the first film region;
Main material for forming the first film region and the second film region
Is made of a material different from the main material that forms the
Pattern is formed on the second film area, and then
Forming a first film region thinner than the second film region;
And thereafter etching the second film region.
Aperture manufacturing method.
は前記第２の膜領域のエッチング時に同時に溶解するこ
とを特徴とする請求項１記載のアパーチャの製造方法。 2. A resist pattern under the first film region.
Dissolves simultaneously when etching the second film region.
2. The method for manufacturing an aperture according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30875093A JP3104727B2 (en) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Aperture manufacturing method |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142372A JPH07142372A (en) | 1995-06-02 |
| JP3104727B2 true JP3104727B2 (en) | 2000-10-30 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014515571A (en) * | 2011-05-17 | 2014-06-30 | ピーティー アイラント エルエルシー | A child-driven system that integrates cellular communications, education, entertainment, alerting and monitoring systems |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP30875093A patent/JP3104727B2/en not_active Expired - Fee Related
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