JP3098825B2 - ジヒドロフラノン誘導体の製造方法 - Google Patents
ジヒドロフラノン誘導体の製造方法Info
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- JP3098825B2 JP3098825B2 JP03299039A JP29903991A JP3098825B2 JP 3098825 B2 JP3098825 B2 JP 3098825B2 JP 03299039 A JP03299039 A JP 03299039A JP 29903991 A JP29903991 A JP 29903991A JP 3098825 B2 JP3098825 B2 JP 3098825B2
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、緑内障治療薬ピロカル
ピン及びその類縁化合物を合成する際の中間体として有
用な一般式 (II) :
ピン及びその類縁化合物を合成する際の中間体として有
用な一般式 (II) :
【０００２】
【化３】
【０００３】〔式中、 R1 は低級アルキル基を表し、 R
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表し、 R1 及び R2 はラクトン環
上でシス配置をもつ。〕で示されるジヒドロフラノン誘
導体の工業的に有利な製法を提供するものである。本発
明によれば、式 (II) の目的化合物は、一般式 (Ｉ) :
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表し、 R1 及び R2 はラクトン環
上でシス配置をもつ。〕で示されるジヒドロフラノン誘
導体の工業的に有利な製法を提供するものである。本発
明によれば、式 (II) の目的化合物は、一般式 (Ｉ) :
【０００４】
【化４】
【０００５】〔式中、 R1 は低級アルキル基を表し、 R
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表す。〕で示されるフラノン誘導
体をルテニウム触媒の存在下に水素添加させることによ
り高収率、高純度で製造される。
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表す。〕で示されるフラノン誘導
体をルテニウム触媒の存在下に水素添加させることによ
り高収率、高純度で製造される。
【０００６】
【従来の技術】本発明において、出発原料として利用す
るフラノン誘導体(Ｉ) 及び目的とするジヒドロフラノ
ン誘導体 (II) の中で R1 がエチル基、 R3 がメチル基
の化合物はテトラヘドロン(Tetrahedron) 第28巻、第96
7頁 (1972年) に記載されている。
るフラノン誘導体(Ｉ) 及び目的とするジヒドロフラノ
ン誘導体 (II) の中で R1 がエチル基、 R3 がメチル基
の化合物はテトラヘドロン(Tetrahedron) 第28巻、第96
7頁 (1972年) に記載されている。
【０００７】この文献には、フラノン誘導体 (Ｉ) をエ
タノール溶媒中５％ロジウム炭素の存在下、水素添加さ
せてジヒドロフラノン誘導体(II) を製造する方法も記
載されている。しかしながら、この方法は高価なロジウ
ム触媒を多量に用い、しかも反応に72時間もの長時間を
必要とすることから工業的生産方法としては問題があっ
た。
タノール溶媒中５％ロジウム炭素の存在下、水素添加さ
せてジヒドロフラノン誘導体(II) を製造する方法も記
載されている。しかしながら、この方法は高価なロジウ
ム触媒を多量に用い、しかも反応に72時間もの長時間を
必要とすることから工業的生産方法としては問題があっ
た。
【０００８】また、特開平3-161481号公報には、 R1 及
び R3 がエチル基のフラノン誘導体(Ｉ) をロジウム又
はパラジウム触媒の存在下、高圧水素雰囲気下で水素添
加し、短時間で目的とするジヒドロフラノン誘導体を製
造する方法が記載されている。しかし、この方法でも依
然として高価なロジウム又はパラジウム触媒を用いると
いう問題点があった。更に、 R1 と R2 がラクトン環上
トランスになる副生物が生成する問題点もあった。
び R3 がエチル基のフラノン誘導体(Ｉ) をロジウム又
はパラジウム触媒の存在下、高圧水素雰囲気下で水素添
加し、短時間で目的とするジヒドロフラノン誘導体を製
造する方法が記載されている。しかし、この方法でも依
然として高価なロジウム又はパラジウム触媒を用いると
いう問題点があった。更に、 R1 と R2 がラクトン環上
トランスになる副生物が生成する問題点もあった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述のフラ
ノン誘導体 (Ｉ) を水素添加する反応において、安価
で、トランス異性体の副生が少ない触媒を用いることに
より、工業的に有利な方法を確立することを目的とする
ものである。
ノン誘導体 (Ｉ) を水素添加する反応において、安価
で、トランス異性体の副生が少ない触媒を用いることに
より、工業的に有利な方法を確立することを目的とする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の触
媒について長期に亘り研究を重ねた結果、安価なルテニ
ウム触媒でフラノン誘導体の水素添加反応が行なえ、し
かも、副生する異性体の量が非常に少ないことを見い出
し、本発明を完成するに到った。即ち、本発明は、一般
式 (Ｉ) :
媒について長期に亘り研究を重ねた結果、安価なルテニ
ウム触媒でフラノン誘導体の水素添加反応が行なえ、し
かも、副生する異性体の量が非常に少ないことを見い出
し、本発明を完成するに到った。即ち、本発明は、一般
式 (Ｉ) :
【００１１】
【化５】
【００１２】〔式中、 R1 は低級アルキル基を表し、 R
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表す。〕で示されるフラノン誘導
体をルテニウム触媒の存在下に水素添加させることを特
徴とする一般式 (II) :
2 は式： -CH2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表
す。) で示される基を表す。〕で示されるフラノン誘導
体をルテニウム触媒の存在下に水素添加させることを特
徴とする一般式 (II) :
【００１３】
【化６】
【００１４】(式中、 R1 及び R2 は前記と同義であ
り、ラクトン環上でシス配置をもつ。)で示されるジヒ
ドロフラノン誘導体の製造方法に関するものである。前
記式 (Ｉ) 及び (II) において、 R1 又は R3 で表され
る低級アルキル基とは、炭素数１〜10のアルキル基をい
い、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、 ter
t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基が挙げられる。
り、ラクトン環上でシス配置をもつ。)で示されるジヒ
ドロフラノン誘導体の製造方法に関するものである。前
記式 (Ｉ) 及び (II) において、 R1 又は R3 で表され
る低級アルキル基とは、炭素数１〜10のアルキル基をい
い、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、 ter
t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基が挙げられる。
【００１５】本発明を実施するにあたり、出発原料とし
て利用するフラノン誘導体 (Ｉ) は公知物質であり、前
述の文献 (Tetrahedron 第28巻、第967頁 (1972年)) に
記載の方法により製造することができる。本発明に用い
るルテニウム触媒としては、ルテニウムブラック、酸化
ルテニウム、各種担体 (例えば炭素、アルミナ、シリカ
ゲル、シリカ−アルミナ、ケイソウ土、硫酸バリウム、
炭酸カルシウムなど) に担持したルテニウム、好ましく
は炭素又はアルミナに担持したルテニウムを例示するこ
とができる。
て利用するフラノン誘導体 (Ｉ) は公知物質であり、前
述の文献 (Tetrahedron 第28巻、第967頁 (1972年)) に
記載の方法により製造することができる。本発明に用い
るルテニウム触媒としては、ルテニウムブラック、酸化
ルテニウム、各種担体 (例えば炭素、アルミナ、シリカ
ゲル、シリカ−アルミナ、ケイソウ土、硫酸バリウム、
炭酸カルシウムなど) に担持したルテニウム、好ましく
は炭素又はアルミナに担持したルテニウムを例示するこ
とができる。
【００１６】本発明における水素添加反応は無溶媒下で
も、あるいは溶媒中でも行うことができる。溶媒を使用
する場合には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノ
ール、イソプロパノールなどの低級アルコール類；ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの
エーテル類；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの低級脂肪
酸類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；及び
水を単独又は混合して用いることができ、好ましくはメ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパ
ノールなどの低級アルコール類及び水を単独又は任意の
割合に混合して用いる。
も、あるいは溶媒中でも行うことができる。溶媒を使用
する場合には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノ
ール、イソプロパノールなどの低級アルコール類；ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの
エーテル類；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの低級脂肪
酸類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；及び
水を単独又は混合して用いることができ、好ましくはメ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパ
ノールなどの低級アルコール類及び水を単独又は任意の
割合に混合して用いる。
【００１７】本発明における水素添加反応を行うにあた
り、出発原料のフラノン誘導体 (Ｉ) に対し、触媒は金
属ルテニウムとして通常0.0001〜0.９重量倍、好ましく
は0.0005〜0.１重量倍、溶媒は通常０ (無溶媒) 〜 100
重量倍、好ましくは０〜30重量倍使用する。温度は通常
０〜100℃、好ましくは10〜50℃で、水素分圧は通常0.
１〜200気圧、好ましくは１〜60気圧で反応を行う。
り、出発原料のフラノン誘導体 (Ｉ) に対し、触媒は金
属ルテニウムとして通常0.0001〜0.９重量倍、好ましく
は0.0005〜0.１重量倍、溶媒は通常０ (無溶媒) 〜 100
重量倍、好ましくは０〜30重量倍使用する。温度は通常
０〜100℃、好ましくは10〜50℃で、水素分圧は通常0.
１〜200気圧、好ましくは１〜60気圧で反応を行う。
【００１８】反応終了後、反応混合物を常法に従い処理
することにより、目的とするジヒドロフラノン誘導体
(II) を得ることができる。
することにより、目的とするジヒドロフラノン誘導体
(II) を得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限
定されるものではない。
詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００２０】
【実施例１】４−カルボエトキシメチル−３−エチル−
２ (５Ｈ)−フラノン4.00ｇ、５％ルテニウム炭素（エ
ヌ・イー ケムキャット（株）製） 0.4ｇ、50％含水エ
タノール20mlをステンレス製オートクレーブに入れ、水
素圧50kg／cm2 で水素添加反応を行った。６時間攪拌
後、触媒をろ過した。ろ液からエタノールを留去し、ト
ルエン20mlで２回抽出した。抽出液を濃縮すると、還元
生成物4.00ｇ (収率99％) が得られた。得られた生成物
をガスクロマトグラフィー (以下「ＧＣ」という) で分
析したところ、副生したトランス異性体の含有量は0.８
％であった。 ＧＣ分析条件 カ ラ ム：５％シリコンＯＶ−17 (Chromosorb W AW-
DMCS. 60／80mesh) 、ＩＤ ５mmφ×１ｍ カラム温度：初期温度 100℃ (２分保持) 、最終温度 1
60℃ (20分保持) 、昇温速度 ５℃／分 キャリアーガス：Ｎ2 , 50ml／分
２ (５Ｈ)−フラノン4.00ｇ、５％ルテニウム炭素（エ
ヌ・イー ケムキャット（株）製） 0.4ｇ、50％含水エ
タノール20mlをステンレス製オートクレーブに入れ、水
素圧50kg／cm2 で水素添加反応を行った。６時間攪拌
後、触媒をろ過した。ろ液からエタノールを留去し、ト
ルエン20mlで２回抽出した。抽出液を濃縮すると、還元
生成物4.00ｇ (収率99％) が得られた。得られた生成物
をガスクロマトグラフィー (以下「ＧＣ」という) で分
析したところ、副生したトランス異性体の含有量は0.８
％であった。 ＧＣ分析条件 カ ラ ム：５％シリコンＯＶ−17 (Chromosorb W AW-
DMCS. 60／80mesh) 、ＩＤ ５mmφ×１ｍ カラム温度：初期温度 100℃ (２分保持) 、最終温度 1
60℃ (20分保持) 、昇温速度 ５℃／分 キャリアーガス：Ｎ2 , 50ml／分
【００２１】
【実施例２】溶媒として50％含水メタノールを用い、23
時間攪拌を行った以外は実施例１と同様に実験を行い還
元生成物3.95ｇ (収率97％) を得た。 トランス異性体含有量 0.7％ (ＧＣ)
時間攪拌を行った以外は実施例１と同様に実験を行い還
元生成物3.95ｇ (収率97％) を得た。 トランス異性体含有量 0.7％ (ＧＣ)
【００２２】
【実施例３】水素圧９kg／cm2 で９時間攪拌を行った以
外は実施例１と同様に実験を行い還元生成物3.88ｇ (収
率96％) を得た。 トランス異性体含有量 0.7％ (ＧＣ)
外は実施例１と同様に実験を行い還元生成物3.88ｇ (収
率96％) を得た。 トランス異性体含有量 0.7％ (ＧＣ)
【００２３】
【実施例４】無溶媒で10時間攪拌を行った以外は実施例
１と同様に実験を行い還元生成物3.96ｇ (収率98％) を
得た。 トランス異性体含有量 0.6％ (ＧＣ) 〔比較例１〕４−カルボエトキシメチル−３−エチル−
２ (５Ｈ)−フラノン 60.0g、５％ロジウム炭素（エヌ
イー ケムキャット（株）製） 3.0ｇ、エタノール 24
0mlをステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧50kg
／cm2 で水素添加反応を行った。５時間攪拌後、触媒を
ろ過し、ろ液を濃縮すると還元生成物59.4ｇ (収率98
％) が得られた。
１と同様に実験を行い還元生成物3.96ｇ (収率98％) を
得た。 トランス異性体含有量 0.6％ (ＧＣ) 〔比較例１〕４−カルボエトキシメチル−３−エチル−
２ (５Ｈ)−フラノン 60.0g、５％ロジウム炭素（エヌ
イー ケムキャット（株）製） 3.0ｇ、エタノール 24
0mlをステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧50kg
／cm2 で水素添加反応を行った。５時間攪拌後、触媒を
ろ過し、ろ液を濃縮すると還元生成物59.4ｇ (収率98
％) が得られた。
【００２４】トランス異性体含有量 4.4％ (ＧＣ) 〔比較例２〕触媒として５％パラジウム炭素（エヌ イ
ー ケムキャット（株）製）を用い、比較例１と同様に
反応を行ったところ、トランス異性体の含有量は20％で
あった。
ー ケムキャット（株）製）を用い、比較例１と同様に
反応を行ったところ、トランス異性体の含有量は20％で
あった。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ジヒドロフラノン誘導
体 (II) を安価に、しかも高純度で製造することができ
る。
体 (II) を安価に、しかも高純度で製造することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−161481（ＪＰ，Ａ) Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，28，ｐ. 967−972（1972) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 307/33 B01J 23/46 301 C07B 61/00 300 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＳＲＥＡＣＴ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 (Ｉ) : 【化１】 〔式中、 R1 は低級アルキル基を表し、 R2 は式： -CH
2COOR3 (式中、 R3 は低級アルキル基を表す。) で示さ
れる基を表す。〕で示されるフラノン誘導体をルテニウ
ム触媒の存在下に水素添加させることを特徴とする一般
式 (II) : 【化２】 (式中、 R1 及び R2 は前記と同義であり、ラクトン環
上でシス配置をもつ。)で示されるジヒドロフラノン誘
導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03299039A JP3098825B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ジヒドロフラノン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03299039A JP3098825B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ジヒドロフラノン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05140140A JPH05140140A (ja) | 1993-06-08 |
| JP3098825B2 true JP3098825B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17867426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03299039A Expired - Fee Related JP3098825B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ジヒドロフラノン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098825B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100832565B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-05-26 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 항균성 퓨라논 유도체 및 이를 이용한 생물막의 형성 방지방법 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP03299039A patent/JP3098825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２８，ｐ．９６７−９７２（１９７２） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05140140A (ja) | 1993-06-08 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070811 Year of fee payment: 7 |
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