JP3098635B2 - 形状検査方法と形状検査装置 - Google Patents
形状検査方法と形状検査装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、形状検査方法と形状検
査装置に関し、さらに詳細には導電体で形成された被検
査導体の形状の良否を、理想的な形状の基準導体との間
の静電容量を求めることで判定する形状検査方法と形状
検査装置に関する。
査装置に関し、さらに詳細には導電体で形成された被検
査導体の形状の良否を、理想的な形状の基準導体との間
の静電容量を求めることで判定する形状検査方法と形状
検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばリードフレームの形状検査
には、計算機の画像処理の技術を採用した形状検査装置
が用いられている。形状検査装置は、リードフレームの
画像を構成する画素毎の電圧データを作成するＣＣＤカ
メラと、該電圧データを予め定められた電圧値で閾値処
理して得られたデジタルデータとしての検査パターンを
記憶するためのＲＡＭと、理想のリードフレームの画像
である基準パターンが記憶されたＲＯＭと、ＣＰＵとで
構成されている。この構成により、ＣＰＵがＣＣＤカメ
ラを制御して電圧データを作成させると共に、電圧デー
タを閾値処理して検査パターンとしてＲＡＭ上に記憶さ
せ、基準パターンを一旦ＲＯＭからＲＡＭ上に転送した
後、ＲＡＭ内に設けられた仮想平面上で検査パターンと
基準パターンを重ね合わせ、両パターンが一致した場合
には良品と判定するものである。
には、計算機の画像処理の技術を採用した形状検査装置
が用いられている。形状検査装置は、リードフレームの
画像を構成する画素毎の電圧データを作成するＣＣＤカ
メラと、該電圧データを予め定められた電圧値で閾値処
理して得られたデジタルデータとしての検査パターンを
記憶するためのＲＡＭと、理想のリードフレームの画像
である基準パターンが記憶されたＲＯＭと、ＣＰＵとで
構成されている。この構成により、ＣＰＵがＣＣＤカメ
ラを制御して電圧データを作成させると共に、電圧デー
タを閾値処理して検査パターンとしてＲＡＭ上に記憶さ
せ、基準パターンを一旦ＲＯＭからＲＡＭ上に転送した
後、ＲＡＭ内に設けられた仮想平面上で検査パターンと
基準パターンを重ね合わせ、両パターンが一致した場合
には良品と判定するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た計算機の画像処理の技術を採用した形状検査装置は、
ＣＰＵが画像を構成する多数の画素毎の電圧データを閾
値処理したり、またＲＡＭ内の仮想平面上で、多数の画
素を移動させて検査パターンを移動させたり、また基準
パターンとの一致を判定する場合には画素毎に判定を行
う必要があり、良否判定に時間がかかる。さらに、平面
形状の良否判定のみで、高さ方向の形状の良否判定がで
きないという課題が有る。従って、本発明は上記課題を
解決すべくなされ、その目的とするところは、導電体で
形成された被検査導体の平面形状および高さ方向の形状
の良否を短時間で判定できる形状検査方法と形状検査装
置を提供することにある。
た計算機の画像処理の技術を採用した形状検査装置は、
ＣＰＵが画像を構成する多数の画素毎の電圧データを閾
値処理したり、またＲＡＭ内の仮想平面上で、多数の画
素を移動させて検査パターンを移動させたり、また基準
パターンとの一致を判定する場合には画素毎に判定を行
う必要があり、良否判定に時間がかかる。さらに、平面
形状の良否判定のみで、高さ方向の形状の良否判定がで
きないという課題が有る。従って、本発明は上記課題を
解決すべくなされ、その目的とするところは、導電体で
形成された被検査導体の平面形状および高さ方向の形状
の良否を短時間で判定できる形状検査方法と形状検査装
置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、請求項１記載の
形状検査方法は、導電体で形成された被検査導体と、導
電体で形成されると共に、理想的な被検査導体の形状で
ある基準形状に形成された基準導体とを所定距離離間す
ると共に、対向して配置し、前記被検査導体と前記基準
導体との間に所定の交流電圧を印加して、被検査導体と
基準導体との間の静電容量値を測定し、該静電容量値
を、被検査導体を基準導体と同形状にして予め測定した
基準静電容量値または基準静電容量範囲と比較し、この
比較結果を基に被検査導体の形状の良否を判定すること
を特徴とする。また、前記基準導体は、複数の基準導体
構成部に分割され、該基準導体構成部毎に、被検査導体
との間の静電容量値を測定し、該静電容量値を、予め基
準導体構成部毎に設定されている基準静電容量値または
基準静電容量範囲と比較し、この比較結果を基に各基準
導体構成部に対応する被検査導体の部分の形状の良否を
判定するようにしても良い。
するため次の構成を備える。すなわち、請求項１記載の
形状検査方法は、導電体で形成された被検査導体と、導
電体で形成されると共に、理想的な被検査導体の形状で
ある基準形状に形成された基準導体とを所定距離離間す
ると共に、対向して配置し、前記被検査導体と前記基準
導体との間に所定の交流電圧を印加して、被検査導体と
基準導体との間の静電容量値を測定し、該静電容量値
を、被検査導体を基準導体と同形状にして予め測定した
基準静電容量値または基準静電容量範囲と比較し、この
比較結果を基に被検査導体の形状の良否を判定すること
を特徴とする。また、前記基準導体は、複数の基準導体
構成部に分割され、該基準導体構成部毎に、被検査導体
との間の静電容量値を測定し、該静電容量値を、予め基
準導体構成部毎に設定されている基準静電容量値または
基準静電容量範囲と比較し、この比較結果を基に各基準
導体構成部に対応する被検査導体の部分の形状の良否を
判定するようにしても良い。
【０００５】また、請求項３記載の形状検査装置は、導
電体で形成された被検査導体と、導電体で形成されると
共に、理想的な被検査導体の形状である基準形状に形成
された基準導体とを所定距離離間すると共に、対向して
配置する配置手段と、前記被検査導体と前記基準導体と
の間に所定の交流電圧を印加する電圧印加手段と、前記
被検査導体と前記基準導体との間の静電容量値を測定す
る静電容量測定手段と、前記基準導体と同形状の被検査
導体と、前記基準導体とを前記所定距離離間すると共
に、対向して配置し、前記所定の交流電圧を被検査導体
と基準導体との間に印加した際の両者間の基準静電容量
値または基準静電容量範囲を予め記憶する記憶手段と、
前記静電容量測定手段により測定された静電容量値を、
前記記憶手段に記憶された基準静電容量値または基準静
電容量範囲と比較する比較手段と、該比較手段により比
較された比較結果を基に被検査導体の形状の良否を判定
する判定手段とを具備することを特徴とする。また、前
記基準導体は、複数の基準導体構成部に分割され、前記
静電容量測定手段は、基準導体構成部毎に、被検査導体
との間の静電容量値を測定し、前記比較手段は、静電容
量値を、記憶手段により記憶された基準導体構成部毎の
基準静電容量値または基準静電容量範囲と比較し、前記
判定手段は、比較手段の比較結果を基に各基準導体構成
部に対応する被検査導体の部分の形状の良否を判定する
ものであるようにしても良い。
電体で形成された被検査導体と、導電体で形成されると
共に、理想的な被検査導体の形状である基準形状に形成
された基準導体とを所定距離離間すると共に、対向して
配置する配置手段と、前記被検査導体と前記基準導体と
の間に所定の交流電圧を印加する電圧印加手段と、前記
被検査導体と前記基準導体との間の静電容量値を測定す
る静電容量測定手段と、前記基準導体と同形状の被検査
導体と、前記基準導体とを前記所定距離離間すると共
に、対向して配置し、前記所定の交流電圧を被検査導体
と基準導体との間に印加した際の両者間の基準静電容量
値または基準静電容量範囲を予め記憶する記憶手段と、
前記静電容量測定手段により測定された静電容量値を、
前記記憶手段に記憶された基準静電容量値または基準静
電容量範囲と比較する比較手段と、該比較手段により比
較された比較結果を基に被検査導体の形状の良否を判定
する判定手段とを具備することを特徴とする。また、前
記基準導体は、複数の基準導体構成部に分割され、前記
静電容量測定手段は、基準導体構成部毎に、被検査導体
との間の静電容量値を測定し、前記比較手段は、静電容
量値を、記憶手段により記憶された基準導体構成部毎の
基準静電容量値または基準静電容量範囲と比較し、前記
判定手段は、比較手段の比較結果を基に各基準導体構成
部に対応する被検査導体の部分の形状の良否を判定する
ものであるようにしても良い。
【０００６】
【作用】基準導体と所定距離離間すると共に、対向して
配置された被検査導体の一部に平面形状の異状や、高さ
方向の異状があると、基準導体と被検査導体との間の静
電容量値が変化するため、予め測定された基準静電容量
値と比較することで被検査導体の形状の良否が判定でき
る。また、基準導体を、複数の基準導体構成部に分割
し、各基準導体構成部毎に、被検査導体との間の静電容
量値を測定し、当該静電容量値を、予め基準導体構成部
毎に設定されている基準静電容量値または基準静電容量
範囲と比較し、この比較結果を基に当該基準導体構成部
に対応する被検査導体の部分の形状の良否を判定でき
る。
配置された被検査導体の一部に平面形状の異状や、高さ
方向の異状があると、基準導体と被検査導体との間の静
電容量値が変化するため、予め測定された基準静電容量
値と比較することで被検査導体の形状の良否が判定でき
る。また、基準導体を、複数の基準導体構成部に分割
し、各基準導体構成部毎に、被検査導体との間の静電容
量値を測定し、当該静電容量値を、予め基準導体構成部
毎に設定されている基準静電容量値または基準静電容量
範囲と比較し、この比較結果を基に当該基準導体構成部
に対応する被検査導体の部分の形状の良否を判定でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて説明する。まず、図１および図２と共に本実施例
の装置の構成について説明する。なお、本実施例の形状
検査装置は、被検査物の一例であるリードフレームの形
状を検査する装置である。１０は形状検査装置であり、
導電体としての金属で形成された被検査導体としてのリ
ードフレーム１２の形状を検査するためのものであり、
この形状検査装置１０は、リードフレーム１２を、導電
体としての金属で形成されると共に、理想的なリードフ
レーム１２の形状である基準形状に形成された基準導体
１４に対して所定距離離間すると共に、対向して配置す
る配置手段１６と、リードフレーム１２と基準導体１４
との間に所定の交流電圧を印加する電圧印加手段として
の交流電源１８と、リードフレーム１２と基準導体１４
との間の静電容量値を測定する静電容量測定手段を構成
するアナログスイッチ２０、ピークホールド回路２２、
Ａ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換器２４、およびＣ
ＰＵ２６と、測定した静電容量値を記憶する記憶手段と
してのＲＡＭ２８と、ＣＰＵ２６のオペレーティングシ
ステム、制御プログラム、制御データ、および各基準導
体構成部と良品のリードフレーム１２との間の基準静電
容量値と良否判定のための基準静電容量範囲を含む基準
データ等が記憶されたＲＯＭ３０と、判定結果を表示す
るためにＣＰＵ２６に接続されたディスプレイ装置３２
とから構成されている。また、ＣＰＵ２６は測定された
静電容量値を、基準静電容量値と比較するための比較手
段と、比較された比較結果を基にリードフレーム１２の
形状の良否を判定する判定手段とを兼ねている。ここ
で、基準静電容量値または基準静電容量範囲は、まず、
被検査導体を、理想的な形状に、つまり理想的な被検査
導体の形状である基準導体と同じ形状に形成し、基準導
体に対して所定距離離間し、かつ対向して配置する。そ
して、この被検査導体と基準導体間に所定の交流電圧を
印加して、両者間の静電容量値を求めることによって予
め測定しておく。なお、配置手段１６は、ローラ３４で
リードフレーム１２を矢印Ａ方向へ所定の長さ搬送した
後、ガイド機構（不図示）によりリードフレーム１２の
ガイド孔３６を利用して基準導体１４上に厳密な位置合
わせを行うものである。
づいて説明する。まず、図１および図２と共に本実施例
の装置の構成について説明する。なお、本実施例の形状
検査装置は、被検査物の一例であるリードフレームの形
状を検査する装置である。１０は形状検査装置であり、
導電体としての金属で形成された被検査導体としてのリ
ードフレーム１２の形状を検査するためのものであり、
この形状検査装置１０は、リードフレーム１２を、導電
体としての金属で形成されると共に、理想的なリードフ
レーム１２の形状である基準形状に形成された基準導体
１４に対して所定距離離間すると共に、対向して配置す
る配置手段１６と、リードフレーム１２と基準導体１４
との間に所定の交流電圧を印加する電圧印加手段として
の交流電源１８と、リードフレーム１２と基準導体１４
との間の静電容量値を測定する静電容量測定手段を構成
するアナログスイッチ２０、ピークホールド回路２２、
Ａ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換器２４、およびＣ
ＰＵ２６と、測定した静電容量値を記憶する記憶手段と
してのＲＡＭ２８と、ＣＰＵ２６のオペレーティングシ
ステム、制御プログラム、制御データ、および各基準導
体構成部と良品のリードフレーム１２との間の基準静電
容量値と良否判定のための基準静電容量範囲を含む基準
データ等が記憶されたＲＯＭ３０と、判定結果を表示す
るためにＣＰＵ２６に接続されたディスプレイ装置３２
とから構成されている。また、ＣＰＵ２６は測定された
静電容量値を、基準静電容量値と比較するための比較手
段と、比較された比較結果を基にリードフレーム１２の
形状の良否を判定する判定手段とを兼ねている。ここ
で、基準静電容量値または基準静電容量範囲は、まず、
被検査導体を、理想的な形状に、つまり理想的な被検査
導体の形状である基準導体と同じ形状に形成し、基準導
体に対して所定距離離間し、かつ対向して配置する。そ
して、この被検査導体と基準導体間に所定の交流電圧を
印加して、両者間の静電容量値を求めることによって予
め測定しておく。なお、配置手段１６は、ローラ３４で
リードフレーム１２を矢印Ａ方向へ所定の長さ搬送した
後、ガイド機構（不図示）によりリードフレーム１２の
ガイド孔３６を利用して基準導体１４上に厳密な位置合
わせを行うものである。
【０００８】また、基準導体１４は、リードフレーム１
２の各ピン３８（本実施例では２０ピン）と、４分割さ
れた集積回路のチップを載せるためのステージ４０とで
２４個の基準導体構成部に分割されている。この各基準
導体構成部には、それぞれグランドとの間に抵抗４２
（抵抗値：一定）が接続され、各抵抗４２とグランド間
に発生する抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４（Ｖ１〜Ｖ２０は基
準導体１４の各ピン３８に対応し、Ｖ２１〜Ｖ２４は４
分割されたステージ４０に対応する）がバッファ４２を
通してアナログスイッチ２０に入力されている。なお、
この基準導体１４は、例えばＰＥＴフィルムなどの一定
の厚みを有する絶縁体４３を介してリードフレーム１２
の下方に固定して配置されており、静電容量値を測定す
る際には、配置手段１６により搬送されたリードフレー
ム１２が所定距離離間し、対向して配置されるようにな
っている。これにより、各基準導体構成部とリードフレ
ーム１２との間に形成されたコンデンサＣ１〜Ｃ２４の
静電容量値が増加／減少は、抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４増
加／減少となって現れる。従って、リードフレーム１２
に平面方向の異状が有った場合には、基準導体構成部と
の間の対向面積が減少するため、静電容量が減少し、ま
た高さ方向の異状が有った場合には、基準導体構成部と
の間の距離が開くため、静電容量が減少することで、抵
抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４の値を検査することでリードフレ
ーム１２の異状が判定できる。
２の各ピン３８（本実施例では２０ピン）と、４分割さ
れた集積回路のチップを載せるためのステージ４０とで
２４個の基準導体構成部に分割されている。この各基準
導体構成部には、それぞれグランドとの間に抵抗４２
（抵抗値：一定）が接続され、各抵抗４２とグランド間
に発生する抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４（Ｖ１〜Ｖ２０は基
準導体１４の各ピン３８に対応し、Ｖ２１〜Ｖ２４は４
分割されたステージ４０に対応する）がバッファ４２を
通してアナログスイッチ２０に入力されている。なお、
この基準導体１４は、例えばＰＥＴフィルムなどの一定
の厚みを有する絶縁体４３を介してリードフレーム１２
の下方に固定して配置されており、静電容量値を測定す
る際には、配置手段１６により搬送されたリードフレー
ム１２が所定距離離間し、対向して配置されるようにな
っている。これにより、各基準導体構成部とリードフレ
ーム１２との間に形成されたコンデンサＣ１〜Ｃ２４の
静電容量値が増加／減少は、抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４増
加／減少となって現れる。従って、リードフレーム１２
に平面方向の異状が有った場合には、基準導体構成部と
の間の対向面積が減少するため、静電容量が減少し、ま
た高さ方向の異状が有った場合には、基準導体構成部と
の間の距離が開くため、静電容量が減少することで、抵
抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４の値を検査することでリードフレ
ーム１２の異状が判定できる。
【０００９】次に、上記の構成を有する形状検査装置の
動作について図３および図４を用いて説明する。なお、
検査しようとするリードフレーム１２の一単位の１１ピ
ンのみに異状があるとする。電源が投入され、ＣＰＵ２
６が起動すると、ＣＰＵ２６はＲＯＭ３０から制御プロ
グラム等を読出し、ＲＡＭ２８の内容をクリアする（ス
テップ１００）。次に、配置手段１６を制御し、検査し
ようとするリードフレーム１２の一単位を基準導体１４
上に位置決めして配置する（ステップ１０２）。続い
て、交流電源１８からリードフレーム１２に交流電圧を
印加し（ステップ１０４）、バッファ４２を経由してア
ナログスイッチ２０に入力される各基準導体構成部の抵
抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４を、順次アナログスイッチ２０を
切り換えることでピークホールド回路２２に送り込み、
所定期間内の抵抗間電圧のピーク値を検出する。さら
に、このピーク値は例えば１２ビットのＡ／Ｄ変換器２
４により、ディジタルデータに変換され、Ｉ／Ｏインタ
ーフェース４４を経由してＣＰＵ２６内に取り込まれ
（ステップ１０６）、ＣＰＵ２６はこのディジタルデー
タを静電容量値としてＲＡＭ２８内に記憶していく（ス
テップ１０８）。この際に、ＣＰＵ２６は取り込んだデ
ィジタルデータを基に、静電容量値を求め、この静電容
量値をＲＡＭ２８内に記憶しても良いが、上述したよう
に抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４は、静電容量値に対応して変
化するため、ディジタルデータを静電容量値として扱う
ことで十分である。
動作について図３および図４を用いて説明する。なお、
検査しようとするリードフレーム１２の一単位の１１ピ
ンのみに異状があるとする。電源が投入され、ＣＰＵ２
６が起動すると、ＣＰＵ２６はＲＯＭ３０から制御プロ
グラム等を読出し、ＲＡＭ２８の内容をクリアする（ス
テップ１００）。次に、配置手段１６を制御し、検査し
ようとするリードフレーム１２の一単位を基準導体１４
上に位置決めして配置する（ステップ１０２）。続い
て、交流電源１８からリードフレーム１２に交流電圧を
印加し（ステップ１０４）、バッファ４２を経由してア
ナログスイッチ２０に入力される各基準導体構成部の抵
抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４を、順次アナログスイッチ２０を
切り換えることでピークホールド回路２２に送り込み、
所定期間内の抵抗間電圧のピーク値を検出する。さら
に、このピーク値は例えば１２ビットのＡ／Ｄ変換器２
４により、ディジタルデータに変換され、Ｉ／Ｏインタ
ーフェース４４を経由してＣＰＵ２６内に取り込まれ
（ステップ１０６）、ＣＰＵ２６はこのディジタルデー
タを静電容量値としてＲＡＭ２８内に記憶していく（ス
テップ１０８）。この際に、ＣＰＵ２６は取り込んだデ
ィジタルデータを基に、静電容量値を求め、この静電容
量値をＲＡＭ２８内に記憶しても良いが、上述したよう
に抵抗間電圧Ｖ１〜Ｖ２４は、静電容量値に対応して変
化するため、ディジタルデータを静電容量値として扱う
ことで十分である。
【００１０】ＣＰＵ２６は、切換信号を出力してアナロ
グスイッチ２０を切り換え、全ての基準導体構成部とリ
ードフレーム１２との間の静電容量値を記憶した後、Ｒ
ＡＭ２８内に記憶した静電容量値とＲＯＭ３０内に記憶
されている基準静電容量値および基準静電容量範囲とを
比較し（ステップ１１０）、測定した静電容量値が基準
静電容量値に対して基準静電容量範囲内に在る場合に
は、リードフレーム１２の基準導体構成部に対応する箇
所に異状は無いと判断し、静電容量値が基準静電容量値
と比較して異常に小さくなり、基準静電容量範囲内から
外れる場合には異状有りと判断し、対応する基準導体構
成部をディスプレイ装置３２に表示する（ステップ１１
２）。本実施例ではリードフレーム１２の１１ピンに異
状（ピンの曲がりによる高さ方向の異状）があるため、
例としてこの１１ピンのピン番を表示する。実際に、測
定した静電容量値をグラフ化し（図４（ｂ））、基準静
電容量値のグラフ（図４（ａ））と比較すると、測定し
た１１ピンの静電容量値が基準静電容量値から大きく下
回っているのが分かる（矢印Ｂ）。全ての基準導体構成
部の比較が完了したら、リードフレーム１２の次の一単
位の検査を行うため、再度ステップ１０２に戻る。この
ようにして、上述したステップを繰り返すことで連続し
てリードフレーム１２の形状の異状（反り、錆や汚れ等
による表面の凹凸）の検査が行える。
グスイッチ２０を切り換え、全ての基準導体構成部とリ
ードフレーム１２との間の静電容量値を記憶した後、Ｒ
ＡＭ２８内に記憶した静電容量値とＲＯＭ３０内に記憶
されている基準静電容量値および基準静電容量範囲とを
比較し（ステップ１１０）、測定した静電容量値が基準
静電容量値に対して基準静電容量範囲内に在る場合に
は、リードフレーム１２の基準導体構成部に対応する箇
所に異状は無いと判断し、静電容量値が基準静電容量値
と比較して異常に小さくなり、基準静電容量範囲内から
外れる場合には異状有りと判断し、対応する基準導体構
成部をディスプレイ装置３２に表示する（ステップ１１
２）。本実施例ではリードフレーム１２の１１ピンに異
状（ピンの曲がりによる高さ方向の異状）があるため、
例としてこの１１ピンのピン番を表示する。実際に、測
定した静電容量値をグラフ化し（図４（ｂ））、基準静
電容量値のグラフ（図４（ａ））と比較すると、測定し
た１１ピンの静電容量値が基準静電容量値から大きく下
回っているのが分かる（矢印Ｂ）。全ての基準導体構成
部の比較が完了したら、リードフレーム１２の次の一単
位の検査を行うため、再度ステップ１０２に戻る。この
ようにして、上述したステップを繰り返すことで連続し
てリードフレーム１２の形状の異状（反り、錆や汚れ等
による表面の凹凸）の検査が行える。
【００１１】また、上述した形状検査装置１０を複数使
用し、図５に示すように各基準導体１４を、リードフレ
ーム１２の移動方向Ａに対して直角な方向Ｃへ一定の間
隔ｄ毎に配置しておく（図５では基準導体１４が２個の
場合を示す）。この構造を採用すると、リードフレーム
１２が搬送時に、方向Ｃへズレた場合であっても、一定
の間隔ｄ毎に配置された基準導体１４のいずれかに一致
するため、搬送速度に対して十分速い速度で各基準導体
構成部とリードフレーム１２との間の静電容量値を測定
することで、リードフレーム１２をガイド機構を用いて
厳密に位置決めすることなく、搬送しながら各リードフ
レーム１２の一単位の形状の異状を検査することができ
る。また、検査精度が若干低下するが、基準導体１４を
各基準導体構成部に分割せず、理想のリードフレーム１
２の一単位と同じ形状とし、アナログスイッチ２０を省
いて形状検査装置を構成しても良い。ただし、この場合
には処理するデータ量が減少するため、さらに高速な検
査が可能となる。また、基準静電容量値は予めＲＯＭ３
０内に記憶させておく代わりに、図３の準備（ステップ
１００）の時に、理想の形状を有するリードフレームか
ら基準静電容量値を求め、ＲＡＭ２８内に記憶させるよ
うにしても良い。また、上記形状検査装置を使用する
と、平面形状を有する導体と基準導体との間の静電容量
値から、導体の共振周波数や、導体と基準導体との傾斜
の程度および導体の回転の程度を計測することも可能と
なる。
用し、図５に示すように各基準導体１４を、リードフレ
ーム１２の移動方向Ａに対して直角な方向Ｃへ一定の間
隔ｄ毎に配置しておく（図５では基準導体１４が２個の
場合を示す）。この構造を採用すると、リードフレーム
１２が搬送時に、方向Ｃへズレた場合であっても、一定
の間隔ｄ毎に配置された基準導体１４のいずれかに一致
するため、搬送速度に対して十分速い速度で各基準導体
構成部とリードフレーム１２との間の静電容量値を測定
することで、リードフレーム１２をガイド機構を用いて
厳密に位置決めすることなく、搬送しながら各リードフ
レーム１２の一単位の形状の異状を検査することができ
る。また、検査精度が若干低下するが、基準導体１４を
各基準導体構成部に分割せず、理想のリードフレーム１
２の一単位と同じ形状とし、アナログスイッチ２０を省
いて形状検査装置を構成しても良い。ただし、この場合
には処理するデータ量が減少するため、さらに高速な検
査が可能となる。また、基準静電容量値は予めＲＯＭ３
０内に記憶させておく代わりに、図３の準備（ステップ
１００）の時に、理想の形状を有するリードフレームか
ら基準静電容量値を求め、ＲＡＭ２８内に記憶させるよ
うにしても良い。また、上記形状検査装置を使用する
と、平面形状を有する導体と基準導体との間の静電容量
値から、導体の共振周波数や、導体と基準導体との傾斜
の程度および導体の回転の程度を計測することも可能と
なる。
【００１２】以上、本発明の好適な実施例について種々
述べてきたが、本発明は上述する実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
述べてきたが、本発明は上述する実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係る形状検査方法と形状検査装
置を用いると、基準導体と所定距離離間すると共に、対
向して配置された被検査導体との間の静電容量値によ
り、被検査導体の形状の良否が判定できるため、被検査
導体の平面形状だけでなく高さ方向の形状の良否をも検
査することができる。さらに、基準導体を、複数の基準
導体構成部に分割し、各基準導体構成部毎に、被検査導
体との間の静電容量値を測定し、当該静電容量値を、予
め基準導体構成部毎に設定されている基準静電容量値、
または基準静電容量範囲と比較し、この比較結果を基に
当該基準導体構成部に対応する被検査導体の部分の形状
の良否を判定することで、より高精度の検査が可能とな
る。また、従来のように画像処理によるパターンマッチ
ングを行う必要がなく、膨大な画素データの処理が不要
となるので高速な検査が可能となるという著効を奏す
る。
置を用いると、基準導体と所定距離離間すると共に、対
向して配置された被検査導体との間の静電容量値によ
り、被検査導体の形状の良否が判定できるため、被検査
導体の平面形状だけでなく高さ方向の形状の良否をも検
査することができる。さらに、基準導体を、複数の基準
導体構成部に分割し、各基準導体構成部毎に、被検査導
体との間の静電容量値を測定し、当該静電容量値を、予
め基準導体構成部毎に設定されている基準静電容量値、
または基準静電容量範囲と比較し、この比較結果を基に
当該基準導体構成部に対応する被検査導体の部分の形状
の良否を判定することで、より高精度の検査が可能とな
る。また、従来のように画像処理によるパターンマッチ
ングを行う必要がなく、膨大な画素データの処理が不要
となるので高速な検査が可能となるという著効を奏す
る。
【図１】本発明に係る形状検査装置の実施例を示したブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】図１の形状検査装置の基準導体と、リードフレ
ームの一単位の関係を示す拡大図である。
ームの一単位の関係を示す拡大図である。
【図３】実施例の装置の動作を示したフローチャートで
ある。
ある。
【図４】（ａ）は、図１の形状検査装置に記憶されてい
る基準静電容量値データを示したグラフであり、（ｂ）
は、図１の形状検査装置で測定した静電容量値データを
示したグラフであり、縦軸はＣＰＵが取り込んだ抵抗間
電圧のディジタルデータ（１２ビット）の大きさを示
し、横軸は、基準導体構成部を示す。
る基準静電容量値データを示したグラフであり、（ｂ）
は、図１の形状検査装置で測定した静電容量値データを
示したグラフであり、縦軸はＣＰＵが取り込んだ抵抗間
電圧のディジタルデータ（１２ビット）の大きさを示
し、横軸は、基準導体構成部を示す。
【図５】本発明に係る形状検査装置の他の実施例の基準
導体と、リードフレームの一単位の関係を示す拡大図で
ある。
導体と、リードフレームの一単位の関係を示す拡大図で
ある。
１０ 形状検査装置 １２ リードフレーム １４ 基準導体 １６ 配置手段 １８ 交流電源 ２０ アナログスイッチ ２２ ピークホールド回路 ２４ Ａ／Ｄ変換器 ２６ ＣＰＵ ２８ ＲＡＭ ３０ ＲＯＭ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 7/00 - 7/34 102 H01L 21/64 - 21/66
Claims (4)
- 【請求項１】 導電体で形成された被検査導体と、導電
体で形成されると共に、理想的な被検査導体の形状であ
る基準形状に形成された基準導体とを所定距離離間する
と共に、対向して配置し、 前記被検査導体と前記基準導体との間に所定の交流電圧
を印加して、被検査導体 と基準導体との間の静電容量値を測定し、該 静電容量値を、被検査導体を基準導体と同形状にして
予め測定した基準静電容量値または基準静電容量範囲と
比較し、 この比較結果を基に被検査導体の形状の良否を判定する
ことを特徴とする形状検査方法。 - 【請求項２】 前記基準導体は、複数の基準導体構成部
に分割され、該 基準導体構成部毎に、被検査導体との間の静電容量値
を測定し、該 静電容量値を、予め基準導体構成部毎に設定されてい
る基準静電容量値または基準静電容量範囲と比較し、 この比較結果を基に各基準導体構成部に対応する被検査
導体の部分の形状の良否を判定することを特徴とする請
求項１記載の形状検査方法。 - 【請求項３】 導電体で形成された被検査導体と、導電
体で形成されると共に、理想的な被検査導体の形状であ
る基準形状に形成された基準導体とを所定距離離間する
と共に、対向して配置する配置手段と、 前記被検査導体と前記基準導体との間に所定の交流電圧
を印加する電圧印加手段と、 前記被検査導体と前記基準導体との間の静電容量値を測
定する静電容量測定手段と、前記基準導体と同形状の 被検査導体と、前記基準導体と
を前記所定距離離間すると共に、対向して配置し、前記
所定の交流電圧を被検査導体と基準導体との間に印加し
た際の両者間の基準静電容量値または基準静電容量範囲
を予め記憶する記憶手段と、 前記静電容量測定手段により測定された静電容量値を、
前記記憶手段に記憶された基準静電容量値または基準静
電容量範囲と比較する比較手段と、 該比較手段により比較された比較結果を基に被検査導体
の形状の良否を判定する判定手段とを具備することを特
徴とする形状検査装置。 - 【請求項４】 前記基準導体は、複数の基準導体構成部
に分割され、 前記静電容量測定手段は、基準導体構成部毎に、被検査
導体との間の静電容量値を測定し、 前記比較手段は、静電容量値を、記憶手段により記憶さ
れた基準導体構成部毎の基準静電容量値または基準静電
容量範囲と比較し、 前記判定手段は、比較手段の比較結果を基に各基準導体
構成部に対応する被検査導体の部分の形状の良否を判定
するものであることを特徴とする請求項３記載の形状検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04285369A JP3098635B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 形状検査方法と形状検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04285369A JP3098635B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 形状検査方法と形状検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109413A JPH06109413A (ja) | 1994-04-19 |
| JP3098635B2 true JP3098635B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17690659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04285369A Expired - Fee Related JP3098635B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 形状検査方法と形状検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098635B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002310124A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-03 | Atrua Technologies, Inc. | Surface capacitance sensor system using buried stimulus electrode |
| JP2004264272A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Oht Inc | 導電体検査装置及び導電体検査方法 |
| JP2004264273A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Oht Inc | 導***置検査装置及び導***置検査方法 |
| JP2006064551A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Oht Inc | 検査装置及び検査方法並びに検査装置用センサ |
| JP2006297717A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂製薄膜の検査方法および検査装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP04285369A patent/JP3098635B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06109413A (ja) | 1994-04-19 |
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