JP3092961B2 - 酸化物超電導線材の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導線材の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、酸化物超電導線材の
製造方法に関するもので、特に、テープ状基材上に酸化
物超電導層が形成されてなる酸化物超電導線材の製造方
法に関するものである。
製造方法に関するもので、特に、テープ状基材上に酸化
物超電導層が形成されてなる酸化物超電導線材の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テープ状基材上に酸化物超電導層を形成
してなる酸化物超電導線材を製造しようとするとき、超
電導層の形成には、たとえば気相法が用いられる。
してなる酸化物超電導線材を製造しようとするとき、超
電導層の形成には、たとえば気相法が用いられる。
【０００３】このような気相法を用いて製造される酸化
物超電導線材においては、通常、テープ状基材上に、基
材と超電導層との拡散を防ぐバッファ層、超電導層、超
電導状態の熱じょう乱によるクエンチを防ぐ安定化層が
それぞれ形成される。
物超電導線材においては、通常、テープ状基材上に、基
材と超電導層との拡散を防ぐバッファ層、超電導層、超
電導状態の熱じょう乱によるクエンチを防ぐ安定化層が
それぞれ形成される。
【０００４】気相法のうち、レーザアブレーション法
は、超電導層を、高速（１μｍ／分以上）でかつ高い品
質をもって形成できる方法であることが確認されてい
る。
は、超電導層を、高速（１μｍ／分以上）でかつ高い品
質をもって形成できる方法であることが確認されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、テー
プ状基材上に、超電導層に加えて、バッファ層および安
定化層が形成される酸化物超電導線材の製造において、
バッファ層および安定化層は、いずれも、超電導層とは
別の種類の形成方法によって形成されていた。そのた
め、これらバッファ層および安定化層のような機能層の
形成と、超電導層の形成とを、タンデム形式の連続した
工程によって行なうことが困難であった。なぜなら、異
なる種類の形成方法のすべてについて、最適な成膜速度
範囲が一致することは極めて稀であり、それゆえに、タ
ンデム形式で複数工程を連続させることは、成膜速度お
よびラインの速度を同期させる上で無理があったためで
ある。
プ状基材上に、超電導層に加えて、バッファ層および安
定化層が形成される酸化物超電導線材の製造において、
バッファ層および安定化層は、いずれも、超電導層とは
別の種類の形成方法によって形成されていた。そのた
め、これらバッファ層および安定化層のような機能層の
形成と、超電導層の形成とを、タンデム形式の連続した
工程によって行なうことが困難であった。なぜなら、異
なる種類の形成方法のすべてについて、最適な成膜速度
範囲が一致することは極めて稀であり、それゆえに、タ
ンデム形式で複数工程を連続させることは、成膜速度お
よびラインの速度を同期させる上で無理があったためで
ある。
【０００６】したがって、上述のような酸化物超電導線
材を製造するには、長時間必要とし、そのため、製造コ
ストも高いものであった。
材を製造するには、長時間必要とし、そのため、製造コ
ストも高いものであった。
【０００７】それゆえに、この発明の目的は、製造時間
の短縮およびコスト低減を可能にする、酸化物超電導線
材の製造方法を提供しようとすることである。
の短縮およびコスト低減を可能にする、酸化物超電導線
材の製造方法を提供しようとすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、テープ状基
材上に酸化物超電導層および前記酸化物超電導層に接す
る少なくとも１つの機能層が積層されてなる酸化物超電
導線材の製造方法に向けられるものであって、上述した
技術的課題を解決するため、次のような構成を備えるこ
とを特徴としている。
材上に酸化物超電導層および前記酸化物超電導層に接す
る少なくとも１つの機能層が積層されてなる酸化物超電
導線材の製造方法に向けられるものであって、上述した
技術的課題を解決するため、次のような構成を備えるこ
とを特徴としている。
【０００９】まず、この発明では、酸化物超電導層の形
成にレーザアブレーション法が用いられ、そして、酸化
物超電導層に接する少なくとも１つの機能層も、また、
レーザアブレーション法により形成される。このように
することにより、これら超電導層および少なくとも１つ
の機能層の形成は、タンデム形式の連続した工程によっ
て行なわれる。すなわち、この発明による酸化物超電導
線材の製造方法は、テープ状基材上に酸化物超電導層お
よび前記酸化物超電導層に接する少なくとも１つの機能
層が積層されてなる酸化物超電導線材の製造方法であっ
て、第１の成膜チャンバ内において、テープ状基材を所
定の移動速度で搬送しながら、酸化物超電導層および機
能層のいずれか一方の第１の層をテープ状基材上にレー
ザアブレーション法により形成する第１の成膜工程と、
第１の成膜チャンバから第２の成膜チャンバの内部へと
テープ状基材を搬送するとともに、第２の成膜チャンバ
内において、テープ状基材を上記移動速度で搬送しなが
ら、酸化物超電導層および機能層のうち第１の層とは異
なる第２の層をテープ状基材上にレーザアブレーション
法により形成する第２の成膜工程とを備え、第１および
第２の成膜工程のいずれか一方では、上記移動速度に基
いて、レーザアブレーション法におけるレーザ光のエネ
ルギおよびレーザ光の繰返し周波数が決定されている。
成にレーザアブレーション法が用いられ、そして、酸化
物超電導層に接する少なくとも１つの機能層も、また、
レーザアブレーション法により形成される。このように
することにより、これら超電導層および少なくとも１つ
の機能層の形成は、タンデム形式の連続した工程によっ
て行なわれる。すなわち、この発明による酸化物超電導
線材の製造方法は、テープ状基材上に酸化物超電導層お
よび前記酸化物超電導層に接する少なくとも１つの機能
層が積層されてなる酸化物超電導線材の製造方法であっ
て、第１の成膜チャンバ内において、テープ状基材を所
定の移動速度で搬送しながら、酸化物超電導層および機
能層のいずれか一方の第１の層をテープ状基材上にレー
ザアブレーション法により形成する第１の成膜工程と、
第１の成膜チャンバから第２の成膜チャンバの内部へと
テープ状基材を搬送するとともに、第２の成膜チャンバ
内において、テープ状基材を上記移動速度で搬送しなが
ら、酸化物超電導層および機能層のうち第１の層とは異
なる第２の層をテープ状基材上にレーザアブレーション
法により形成する第２の成膜工程とを備え、第１および
第２の成膜工程のいずれか一方では、上記移動速度に基
いて、レーザアブレーション法におけるレーザ光のエネ
ルギおよびレーザ光の繰返し周波数が決定されている。
【００１０】上述したように、酸化物超電導層とともに
レーザアブレーション法による形成が適用される機能層
としては、種々のものがある。
レーザアブレーション法による形成が適用される機能層
としては、種々のものがある。
【００１１】たとえば、テープ状基材上に、バッファ層
が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さら
にその上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製
造においては、酸化物超電導層の形成に加えて、バッフ
ァ層の形成、もしくは安定化層の形成、またはこれらバ
ッファ層および安定化層の形成に、レーザアブレーショ
ン法を適用することができる。
が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さら
にその上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製
造においては、酸化物超電導層の形成に加えて、バッフ
ァ層の形成、もしくは安定化層の形成、またはこれらバ
ッファ層および安定化層の形成に、レーザアブレーショ
ン法を適用することができる。
【００１２】また、テープ状基材上に、酸化物超電導層
が形成され、その上にバッファ層が形成され、さらにそ
の上に安定化層が形成される酸化物超電導線材の製造に
おいては、バッファ層の形成、またはバッファ層および
安定化層の形成にレーザアブレーション法を適用するこ
とができる。
が形成され、その上にバッファ層が形成され、さらにそ
の上に安定化層が形成される酸化物超電導線材の製造に
おいては、バッファ層の形成、またはバッファ層および
安定化層の形成にレーザアブレーション法を適用するこ
とができる。
【００１３】また、テープ状基材上に、第１のバッファ
層が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さ
らにその上に第２のバッファ層が形成され、さらにその
上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製造にお
いては、第１のバッファ層の形成、第２のバッファ層の
形成、第１および第２のバッファ層の形成、または第１
および第２のバッファ層ならびに安定化層の形成に、レ
ーザアブレーション法を適用することができる。
層が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さ
らにその上に第２のバッファ層が形成され、さらにその
上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製造にお
いては、第１のバッファ層の形成、第２のバッファ層の
形成、第１および第２のバッファ層の形成、または第１
および第２のバッファ層ならびに安定化層の形成に、レ
ーザアブレーション法を適用することができる。
【００１４】
【作用】レーザアブレーション法によれば、バッファ
層、安定化層のような機能層を、高速の成膜速度によっ
て形成しても、良好な品質を得ることができる。したが
って、高速成膜で高品質が得られる酸化物超電導層のレ
ーザアブレーション法による形成に連続して、バッファ
層、安定化層のような機能層を、同じレーザアブレーシ
ョン法によって形成することができる。
層、安定化層のような機能層を、高速の成膜速度によっ
て形成しても、良好な品質を得ることができる。したが
って、高速成膜で高品質が得られる酸化物超電導層のレ
ーザアブレーション法による形成に連続して、バッファ
層、安定化層のような機能層を、同じレーザアブレーシ
ョン法によって形成することができる。
【００１５】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、酸化物
超電導層の形成に加えて、バッファ層、安定化層のよう
な機能層の形成も、ともにレーザアブレーション法によ
りタンデム形式の連続した工程をもって行なうことがで
きるので、酸化物超電導線材の製造の高速化を図れ、製
造コストの低減を可能にするとともに、装置の簡略化を
図ることができる。
超電導層の形成に加えて、バッファ層、安定化層のよう
な機能層の形成も、ともにレーザアブレーション法によ
りタンデム形式の連続した工程をもって行なうことがで
きるので、酸化物超電導線材の製造の高速化を図れ、製
造コストの低減を可能にするとともに、装置の簡略化を
図ることができる。
【００１６】また、レーザアブレーション法は、用いら
れるレーザ光の繰返し周波数を変えることにより、成膜
速度を調整することが容易である。そのため、タンデム
形式の連続した工程を採用しても、酸化物超電導層およ
び機能層の各々について、最適な成膜速度を設定するこ
とを容易に行なえる。
れるレーザ光の繰返し周波数を変えることにより、成膜
速度を調整することが容易である。そのため、タンデム
形式の連続した工程を採用しても、酸化物超電導層およ
び機能層の各々について、最適な成膜速度を設定するこ
とを容易に行なえる。
【００１７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例を実施している
状態を示している。
状態を示している。
【００１８】長尺の可撓性を有するテープ状基材１は、
サプライチャンバ２内のリール３から引出され、第１の
成膜チャンバ４およびこれに後続する第２の成膜チャン
バ５を通った後、巻取チャンバ６内のリール７に巻取ら
れる。
サプライチャンバ２内のリール３から引出され、第１の
成膜チャンバ４およびこれに後続する第２の成膜チャン
バ５を通った後、巻取チャンバ６内のリール７に巻取ら
れる。
【００１９】第１の成膜チャンバ４内には、バッファ層
となるべき、たとえばＭｇＯからなるターゲット８が配
置される。ターゲット８には、レーザ９によって発生さ
れたレーザ光が照射される。これによって、ターゲット
８から飛散した粒子は、バッファ層を形成するように、
テープ状基材１上に堆積される。
となるべき、たとえばＭｇＯからなるターゲット８が配
置される。ターゲット８には、レーザ９によって発生さ
れたレーザ光が照射される。これによって、ターゲット
８から飛散した粒子は、バッファ層を形成するように、
テープ状基材１上に堆積される。
【００２０】また、第２の成膜チャンバ５内には、酸化
物超電導層となるべき、たとえばＹ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなるターゲット１０が配置される。ターゲット
１０には、レーザ１１から発生されたレーザ光が照射さ
れる。これによって、ターゲット１０から飛散した粒子
は、酸化物超電導層を形成するように、テープ状基材１
上のバッファ層上に堆積される。
物超電導層となるべき、たとえばＹ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなるターゲット１０が配置される。ターゲット
１０には、レーザ１１から発生されたレーザ光が照射さ
れる。これによって、ターゲット１０から飛散した粒子
は、酸化物超電導層を形成するように、テープ状基材１
上のバッファ層上に堆積される。
【００２１】図１に示した装置において、サプライチャ
ンバ２から第１および第２の成膜チャンバ４および５を
経て巻取チャンバ６に至るまで、閉じられた空間または
実質的に閉じられた空間を形成している。第１および第
２の成膜チャンバ４および５内に、所望の雰囲気を形成
できるようにするためである。
ンバ２から第１および第２の成膜チャンバ４および５を
経て巻取チャンバ６に至るまで、閉じられた空間または
実質的に閉じられた空間を形成している。第１および第
２の成膜チャンバ４および５内に、所望の雰囲気を形成
できるようにするためである。
【００２２】以下に、図１に示した装置を用いて行なっ
た実験例について説明する。
た実験例について説明する。
【００２３】実験例１ テープ状基材１として、厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼
からなるテープを用いた。第１の成膜チャンバ４におい
て、ＭｇＯからなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、ＭｇＯからなる厚さ
０．２μｍのバッファ層をテープ状基材１上に形成し
た。さらに、第２の成膜チャンバ５において、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなるターゲット１０を、ＫｒＦエキ
シマレーザ光によってアブレーションし、バッファ層が
形成されたテープ状基材１上に、Ｙ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなる酸化物超電導層を形成した。
からなるテープを用いた。第１の成膜チャンバ４におい
て、ＭｇＯからなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、ＭｇＯからなる厚さ
０．２μｍのバッファ層をテープ状基材１上に形成し
た。さらに、第２の成膜チャンバ５において、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなるターゲット１０を、ＫｒＦエキ
シマレーザ光によってアブレーションし、バッファ層が
形成されたテープ状基材１上に、Ｙ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなる酸化物超電導層を形成した。
【００２４】この場合、重要なことは、第１の成膜チャ
ンバ４および第２の成膜チャンバ５の各々におけるテー
プ状基材１の速度を同じにすることである。
ンバ４および第２の成膜チャンバ５の各々におけるテー
プ状基材１の速度を同じにすることである。
【００２５】第２の成膜チャンバ５におけるＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、１μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、３ｃｍ／分の速度をもってテープ状基材１を
搬送する必要がある。レーザアブレーション法によっ
て、厚さ０．２μｍのバッファ層を、これに先立って、
かつ３ｃｍ／分の速度を保って形成するには、ＫｒＦレ
ーザ光のエネルギが２００ｍＪ、ＭｇＯのターゲット８
上でのエネルギ密度が２．８Ｊ／ｃｍ2 であって、繰返
し周波数を３４Ｈｚで行なえばよいことを確認できた。
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、１μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、３ｃｍ／分の速度をもってテープ状基材１を
搬送する必要がある。レーザアブレーション法によっ
て、厚さ０．２μｍのバッファ層を、これに先立って、
かつ３ｃｍ／分の速度を保って形成するには、ＫｒＦレ
ーザ光のエネルギが２００ｍＪ、ＭｇＯのターゲット８
上でのエネルギ密度が２．８Ｊ／ｃｍ2 であって、繰返
し周波数を３４Ｈｚで行なえばよいことを確認できた。
【００２６】実験例２ 長尺の可撓性を有するテープ状基材１として、厚さ０．
１ｍｍ、幅１０ｍｍのイットリア安定化ジルコニアテー
プを用いた。サプライチャンバ２から、テープ状基材１
が第１の成膜チャンバ４に送られ、ここで、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏx からなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、厚さ２μｍのＹ1 Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層をテープ状基
材１上に形成した。続いて、この超電導層が形成された
テープ状基材１を第２の成膜チャンバ５に送り、ここ
で、Ａｇからなるターゲット１０をＫｒＦエキシマレー
ザ光によってアブレーションし、厚さ１μｍのＡｇから
なる安定化層を超電導層の上に形成した。
１ｍｍ、幅１０ｍｍのイットリア安定化ジルコニアテー
プを用いた。サプライチャンバ２から、テープ状基材１
が第１の成膜チャンバ４に送られ、ここで、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏx からなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、厚さ２μｍのＹ1 Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層をテープ状基
材１上に形成した。続いて、この超電導層が形成された
テープ状基材１を第２の成膜チャンバ５に送り、ここ
で、Ａｇからなるターゲット１０をＫｒＦエキシマレー
ザ光によってアブレーションし、厚さ１μｍのＡｇから
なる安定化層を超電導層の上に形成した。
【００２７】前述したバッファ層を形成した実験例１の
場合と同様、この実験例２においても、成膜チャンバ４
および５の各々におけるテープ状基材１の移動速度を同
じにすることが重要である。
場合と同様、この実験例２においても、成膜チャンバ４
および５の各々におけるテープ状基材１の移動速度を同
じにすることが重要である。
【００２８】第１の成膜チャンバ４におけるＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、２μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、１５ｍｍ／分の速度でテープ状基材１を搬送
する必要がある。これに引続いて、Ａｇの安定化層を１
μｍの厚さで、かつ１５ｍｍ／分の速度を保って形成す
るには、ＫｒＦエキシマレーザ光のエネルギが４００ｍ
Ｊ、Ａｇターゲット１０上でのエネルギ密度が３．５Ｊ
／ｃｍ2 、レーザ光の繰返し周波数が６８Ｈｚという成
膜条件を用いればよいことが実験的に確認できた。
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、２μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、１５ｍｍ／分の速度でテープ状基材１を搬送
する必要がある。これに引続いて、Ａｇの安定化層を１
μｍの厚さで、かつ１５ｍｍ／分の速度を保って形成す
るには、ＫｒＦエキシマレーザ光のエネルギが４００ｍ
Ｊ、Ａｇターゲット１０上でのエネルギ密度が３．５Ｊ
／ｃｍ2 、レーザ光の繰返し周波数が６８Ｈｚという成
膜条件を用いればよいことが実験的に確認できた。
【図１】この発明の一実施例を実施するための装置を示
す概略的断面図である。
す概略的断面図である。
１ テープ状基材 ４，５ 成膜チャンバ ８，１０ ターゲット ９，１１ レーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 繁 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 林 憲器 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 佐藤 謙一 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 坂本 光正 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 原 築志 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 岡庭 潔 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 山本 隆彦 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 石井 英雄 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 審査官 酒井 美知子 (56)参考文献 特開 昭64−48317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−50314（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191777（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−47858（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 12/00 - 13/00 C23C 14/06 - 14/08 C23C 14/28
Claims (3)
- 【請求項１】 テープ状基材上に酸化物超電導層および
前記酸化物超電導層に接する少なくとも１つの機能層が
積層されてなる酸化物超電導線材の製造方法において、第１の成膜チャンバ内において、前記テープ状基材を所
定の移動速度で搬送しながら、前記酸化物超電導層およ
び前記機能層のいずれか一方の第１の層を前記テープ状
基材上にレーザアブレーション法により形成する第１の
成膜工程と、 前記第１の成膜チャンバから第２の成膜チャンバの内部
へと前記テープ状基材を搬送するとともに、前記第２の
成膜チャンバ内において、前記テープ状基材を前記移動
速度で搬送しながら、前記酸化物超電導層および前記機
能層のうち前記第１の層とは異なる第２の層を前記テー
プ状基材上にレーザアブレーション法により形成する第
２の成膜工程とを備え、 前記第１および第２の成膜工程のいずれか一方では、前
記移動速度に基いて、レーザアブレーション法における
レーザ光のエネルギおよびレーザ光の繰返し周波数が決
定されている 、酸化物超電導線材の製造方法。 - 【請求項２】 前記機能層は、バッファ層である、請求
項１に記載の酸化物超電導線材の製造方法。 - 【請求項３】 前記機能層は、安定化層である、請求項
１に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03077889A JP3092961B2 (ja) | 1990-04-11 | 1991-04-10 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-95466 | 1990-04-11 | ||
| JP9546690 | 1990-04-11 | ||
| JP03077889A JP3092961B2 (ja) | 1990-04-11 | 1991-04-10 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218216A JPH04218216A (ja) | 1992-08-07 |
| JP3092961B2 true JP3092961B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=26418934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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