JP3092902B2 - 薄膜付ガラス基板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示装置の
電極材料などに用いる薄膜付きガラス基板に関する。
電極材料などに用いる薄膜付きガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示パネルなどの需要が増加
している。この液晶表示パネルを備えた液晶表示装置な
どの作製を行う際に、例えば電極材料などとして、ガラ
ス基板上に直接、金属薄膜、半導体薄膜または絶縁物薄
膜などの薄膜を堆積させるケースが多く見られる。特
に、アクティブマトリクス型表示装置など、トランジス
タやＭＩＭ素子などを形成する液晶表示装置に用いられ
るガラス基板についてはその表面がよりフラットである
ことが求められてきた。
している。この液晶表示パネルを備えた液晶表示装置な
どの作製を行う際に、例えば電極材料などとして、ガラ
ス基板上に直接、金属薄膜、半導体薄膜または絶縁物薄
膜などの薄膜を堆積させるケースが多く見られる。特
に、アクティブマトリクス型表示装置など、トランジス
タやＭＩＭ素子などを形成する液晶表示装置に用いられ
るガラス基板についてはその表面がよりフラットである
ことが求められてきた。
【０００３】ところが、表面がフラットなガラス基板の
場合、ガラス基板とその上に成膜された薄膜との密着性
の不安定性により薄膜の膜剥がれの問題が生じている。
このため、従来においては、スピンコート法、ＣＶＤ法
およびＰＶＤ法によりガラス基板上に成膜した絶縁物薄
膜をオーバーコート膜として用い、応力緩和を行なうこ
とにより、ガラス基板と金属薄膜との密着性を保ってき
た。この表面コート膜はかなりラフな表面モフォロジー
を有し、これにより基板と金属膜との良好な密着性を得
てきた。しかし、このオーバーコート膜の成膜は工程の
増加、コストアップの要因になっていた。
場合、ガラス基板とその上に成膜された薄膜との密着性
の不安定性により薄膜の膜剥がれの問題が生じている。
このため、従来においては、スピンコート法、ＣＶＤ法
およびＰＶＤ法によりガラス基板上に成膜した絶縁物薄
膜をオーバーコート膜として用い、応力緩和を行なうこ
とにより、ガラス基板と金属薄膜との密着性を保ってき
た。この表面コート膜はかなりラフな表面モフォロジー
を有し、これにより基板と金属膜との良好な密着性を得
てきた。しかし、このオーバーコート膜の成膜は工程の
増加、コストアップの要因になっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】上記従来の構成で
は、図９に示すように、平坦なガラス基板１上に直接、
薄膜２を成膜する際、熱的歪または、基板およびこの基
板上に堆積した薄膜からの応力３が加わると、この応力
３は界面の終端部に内部応力４として集中し、薄膜２と
ガラス基板１の密着性の弱い部分５に歪が生じていた。
この歪が膜剥がれの原因となっていた。この膜剥がれは
Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｔａ，Ｔｉなどの低抵抗金属
を用いた場合に特に顕著に見られる。また、同様な機構
によって、Ｓｉ、Ｇｅなどの単元素の半導体およびＧａ
Ａｓ，Ｓｉ−Ｇｅなどの混晶系の半導体においても膜剥
がれが見られる。さらには、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘなどの
窒化物系および酸化物系の絶縁膜においても同様であ
る。
は、図９に示すように、平坦なガラス基板１上に直接、
薄膜２を成膜する際、熱的歪または、基板およびこの基
板上に堆積した薄膜からの応力３が加わると、この応力
３は界面の終端部に内部応力４として集中し、薄膜２と
ガラス基板１の密着性の弱い部分５に歪が生じていた。
この歪が膜剥がれの原因となっていた。この膜剥がれは
Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｔａ，Ｔｉなどの低抵抗金属
を用いた場合に特に顕著に見られる。また、同様な機構
によって、Ｓｉ、Ｇｅなどの単元素の半導体およびＧａ
Ａｓ，Ｓｉ−Ｇｅなどの混晶系の半導体においても膜剥
がれが見られる。さらには、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘなどの
窒化物系および酸化物系の絶縁膜においても同様であ
る。
【０００５】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、オーバーコート膜を用いる必要がなく、金属薄膜、
半導体薄膜、絶縁物薄膜およびそれらの積層膜が、良好
な密着性をもって直接ガラス基板上に成膜できる薄膜付
きガラス基板を提供することを目的とする。
で、オーバーコート膜を用いる必要がなく、金属薄膜、
半導体薄膜、絶縁物薄膜およびそれらの積層膜が、良好
な密着性をもって直接ガラス基板上に成膜できる薄膜付
きガラス基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜付きガラス
基板は、表面が凹凸形状を有すると共に微小亀裂を有す
るように、機械的研磨されたガラス基板上に、一部が該
微小亀裂内に入り込んでいる状態で薄膜を設けたもので
あり、そのことにより上記目的が達成される。
基板は、表面が凹凸形状を有すると共に微小亀裂を有す
るように、機械的研磨されたガラス基板上に、一部が該
微小亀裂内に入り込んでいる状態で薄膜を設けたもので
あり、そのことにより上記目的が達成される。
【０００７】また、好ましくは、本発明の薄膜付きガラ
ス基板における微小亀裂の大きさは、ガラス基板の深さ
方向に対して１ｎｍ〜１０００ｎｍの大きさである。
ス基板における微小亀裂の大きさは、ガラス基板の深さ
方向に対して１ｎｍ〜１０００ｎｍの大きさである。
【０００８】さらに、好ましくは、本発明の薄膜付きガ
ラス基板における薄膜は、金属薄膜、絶縁膜および半導
体膜のうち少なくともいずれかであるか、またはそれら
の積層膜である。
ラス基板における薄膜は、金属薄膜、絶縁膜および半導
体膜のうち少なくともいずれかであるか、またはそれら
の積層膜である。
【０００９】さらに、好ましくは、本発明の薄膜付きガ
ラス基板における凹凸形状は、その高さが０．０１μｍ
〜２μｍ、その幅が０．０５μｍ〜１．２μｍの範囲内
である。
ラス基板における凹凸形状は、その高さが０．０１μｍ
〜２μｍ、その幅が０．０５μｍ〜１．２μｍの範囲内
である。
【００１０】さらに、好ましくは、本発明の薄膜付きガ
ラス基板における薄膜は１００ｎｍ以上の膜厚を有す
る。
ラス基板における薄膜は１００ｎｍ以上の膜厚を有す
る。
【００１１】
【作用】本発明のガラス基板においては、表面が凹凸形
状を有すると共に微小亀裂を有するように機械的研磨さ
れており、ガラス基板と薄膜との間の応力や、熱的歪に
よる応力は、その表面の凹凸や微小亀裂で分散させるこ
とが可能となる。また、表面の凹凸でガラス基板と薄膜
との接触面積が増加するとともに、薄膜の一部が微小亀
裂内に入り込んでいるので、ガラス基板と薄膜の安定し
た密着性が得られる。したがって、従来のようにオーバ
ーコート膜を用いる必要がなく、ガラス基板上に直接的
に金属薄膜、半導体薄膜または絶縁物薄膜の薄膜、また
はそれらの積層薄膜を密着性良く積層することが可能と
なり、製造コストのアップの要因となっていた工程の削
減が可能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下や、
それによる性能低下が防止される。
状を有すると共に微小亀裂を有するように機械的研磨さ
れており、ガラス基板と薄膜との間の応力や、熱的歪に
よる応力は、その表面の凹凸や微小亀裂で分散させるこ
とが可能となる。また、表面の凹凸でガラス基板と薄膜
との接触面積が増加するとともに、薄膜の一部が微小亀
裂内に入り込んでいるので、ガラス基板と薄膜の安定し
た密着性が得られる。したがって、従来のようにオーバ
ーコート膜を用いる必要がなく、ガラス基板上に直接的
に金属薄膜、半導体薄膜または絶縁物薄膜の薄膜、また
はそれらの積層薄膜を密着性良く積層することが可能と
なり、製造コストのアップの要因となっていた工程の削
減が可能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下や、
それによる性能低下が防止される。
【００１２】また、ガラス基板表面に凹凸形状を得るの
に機械的研磨を用いたが、薬液処理であっても、上記微
小亀裂は生じないが、上記機械的研磨と同等以上の凹凸
形状が得られて上記機械的研磨の場合と同等以上の効果
が得られる。
に機械的研磨を用いたが、薬液処理であっても、上記微
小亀裂は生じないが、上記機械的研磨と同等以上の凹凸
形状が得られて上記機械的研磨の場合と同等以上の効果
が得られる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す薄膜付きガ
ラス基板の断面図である。
ラス基板の断面図である。
【００１４】図１において、表面が凹凸形状を有すると
共に微小亀裂（以下マイクロクラックという）１１を有
するように、機械的に研磨されたガラス基板１２上に、
一部がマイクロクラック１１内に入り込んでいる状態で
薄膜１３を設けている。
共に微小亀裂（以下マイクロクラックという）１１を有
するように、機械的に研磨されたガラス基板１２上に、
一部がマイクロクラック１１内に入り込んでいる状態で
薄膜１３を設けている。
【００１５】このガラス基板１２の機械的研磨につい
て、以下に説明する。
て、以下に説明する。
【００１６】ガラス基板を粒径０．３μｍ〜０．７μｍ
程度の酸化鉄パウダーにより研磨すると、図２ａに示す
ような高さ０．５μｍ〜０．９μｍ、幅１μｍ〜１．２
μｍ程度の凹凸形状を持つ表面モフォロジー１４を有す
るガラス基板１２が得られる。これにより、これらガラ
ス基板１２と、その上に設けられる薄膜１３との接触面
積の増加が得られる。また、これと同時に機械的衝撃に
よってガラス基板１２の表面にはマイクロクラック１１
が生じる。
程度の酸化鉄パウダーにより研磨すると、図２ａに示す
ような高さ０．５μｍ〜０．９μｍ、幅１μｍ〜１．２
μｍ程度の凹凸形状を持つ表面モフォロジー１４を有す
るガラス基板１２が得られる。これにより、これらガラ
ス基板１２と、その上に設けられる薄膜１３との接触面
積の増加が得られる。また、これと同時に機械的衝撃に
よってガラス基板１２の表面にはマイクロクラック１１
が生じる。
【００１７】このときの薄膜１３のガラス基板１２に対
する密着性改善に関する応力緩和機構について、以下に
説明する。
する密着性改善に関する応力緩和機構について、以下に
説明する。
【００１８】図２ｂの断面構造は、酸化鉄パウダーによ
って研磨を行った図２ａのガラス基板１２上に直接、Ｔ
ａ薄膜などの金属薄膜１３ａを堆積した際のものであ
る。この金属薄膜１３ａとガラス基板１２との応力１５
や、熱的歪により生じた応力１５は、矢印１６に示すよ
うにガラス基板１２と金属薄膜１３ａの界面にまで進
み、その表面に生じた凹凸状の表面モフォロジー１４お
よびマイクロクラック１１により矢印１７に示すように
分散させることが可能となり、ガラス基板１２と金属薄
膜１３ａの安定した密着性を得ることができる。
って研磨を行った図２ａのガラス基板１２上に直接、Ｔ
ａ薄膜などの金属薄膜１３ａを堆積した際のものであ
る。この金属薄膜１３ａとガラス基板１２との応力１５
や、熱的歪により生じた応力１５は、矢印１６に示すよ
うにガラス基板１２と金属薄膜１３ａの界面にまで進
み、その表面に生じた凹凸状の表面モフォロジー１４お
よびマイクロクラック１１により矢印１７に示すように
分散させることが可能となり、ガラス基板１２と金属薄
膜１３ａの安定した密着性を得ることができる。
【００１９】ここで、図１に示した凹凸のある薄膜付き
ガラス基板と、図９に示したフラットな従来の薄膜付き
ガラス基板とに対して、テープピール試験を、図３に示
すピールテストポイント（中央部と各角部）Ｐ１〜Ｐ５
について行った。
ガラス基板と、図９に示したフラットな従来の薄膜付き
ガラス基板とに対して、テープピール試験を、図３に示
すピールテストポイント（中央部と各角部）Ｐ１〜Ｐ５
について行った。
【００２０】このテープピール試験は、各薄膜付きガラ
ス基板の金属薄膜をカッタナイフにより１ｍｍ間隔の升
目状に縦横にライン状の傷を付けた後に、テープを貼り
付けてそのテープを剥がすことにより金属薄膜が剥がれ
るか否かを検査する試験である。この試験において、剥
がれた升目の割合を下記の（表１）に示している。
ス基板の金属薄膜をカッタナイフにより１ｍｍ間隔の升
目状に縦横にライン状の傷を付けた後に、テープを貼り
付けてそのテープを剥がすことにより金属薄膜が剥がれ
るか否かを検査する試験である。この試験において、剥
がれた升目の割合を下記の（表１）に示している。
【００２１】
【表１】
【００２２】本実施例の基板構造（研磨ガラス：凹凸
状）の場合においては膜が剥がれたポイントはほとんど
なかった。また、従来の基板構造（無研磨ガラス：フラ
ット状）の場合では全ポイントＰ１〜Ｐ５において全て
の試料で膜剥がれが生じた。
状）の場合においては膜が剥がれたポイントはほとんど
なかった。また、従来の基板構造（無研磨ガラス：フラ
ット状）の場合では全ポイントＰ１〜Ｐ５において全て
の試料で膜剥がれが生じた。
【００２３】したがって、本発明の第１実施例において
は、ガラス基板１２の表面に機械的な研磨を行い、この
ガラス基板１２の表面モフォロジー１４の凹凸制御を行
うことにより、ガラス基板１２表面とこの上に堆積する
薄膜１３の接触面積を増加させる効果が得られて、応力
の分散効果が得られる。また、この機械的研磨工程によ
る機械的衝撃により、ガラス基板１２の最表面にマイク
ロクラック１１が生じ、ガラス基板１２の表面モフォロ
ジー１４の凹凸変化と共にガラス界面に生じた応力の集
中を分散する効果が得られる。これにより、本実施例の
薄膜付きガラス基板構造は、従来のようにオーバーコー
ト膜を用いる必要がなく、ガラス基板１２上に直接、例
えば金属薄膜または半導体薄膜、絶縁物薄膜などの薄膜
１３を密着性良く積層することが可能となって、製造コ
ストアップの要因となっていた工程を削減することが可
能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下やそれによ
る性能低下も防止することができる。
は、ガラス基板１２の表面に機械的な研磨を行い、この
ガラス基板１２の表面モフォロジー１４の凹凸制御を行
うことにより、ガラス基板１２表面とこの上に堆積する
薄膜１３の接触面積を増加させる効果が得られて、応力
の分散効果が得られる。また、この機械的研磨工程によ
る機械的衝撃により、ガラス基板１２の最表面にマイク
ロクラック１１が生じ、ガラス基板１２の表面モフォロ
ジー１４の凹凸変化と共にガラス界面に生じた応力の集
中を分散する効果が得られる。これにより、本実施例の
薄膜付きガラス基板構造は、従来のようにオーバーコー
ト膜を用いる必要がなく、ガラス基板１２上に直接、例
えば金属薄膜または半導体薄膜、絶縁物薄膜などの薄膜
１３を密着性良く積層することが可能となって、製造コ
ストアップの要因となっていた工程を削減することが可
能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下やそれによ
る性能低下も防止することができる。
【００２４】次に、薬液処理基板に関する本発明の第２
実施例について、以下に説明する。この第２実施例は、
図４ａに示すように表面が凹凸形状に薬液処理されたガ
ラス基板２２上に薄膜２３を設けた場合である。
実施例について、以下に説明する。この第２実施例は、
図４ａに示すように表面が凹凸形状に薬液処理されたガ
ラス基板２２上に薄膜２３を設けた場合である。
【００２５】このガラス基板２２の薬液処理について、
以下に説明する。
以下に説明する。
【００２６】ガラス基板の表面をバッファードフッ酸に
より薬液処理すると、図４ｂに示すような高さ０．０１
μｍ〜２．０μｍ、幅０．０５μｍ〜１．０μｍ程度の
凹凸形状を持つ表面モフォロジー２１を有するガラス基
板２２が得られる。これによって、ガラス基板２２と、
この上に設けられる薄膜２３としてのＴａ薄膜などの金
属薄膜２３ａとの接触面積の増加が得られる。
より薬液処理すると、図４ｂに示すような高さ０．０１
μｍ〜２．０μｍ、幅０．０５μｍ〜１．０μｍ程度の
凹凸形状を持つ表面モフォロジー２１を有するガラス基
板２２が得られる。これによって、ガラス基板２２と、
この上に設けられる薄膜２３としてのＴａ薄膜などの金
属薄膜２３ａとの接触面積の増加が得られる。
【００２７】このときの金属薄膜２３ａのガラス基板２
２に対する密着性改善に関する応力緩和機構について、
以下に説明する。
２に対する密着性改善に関する応力緩和機構について、
以下に説明する。
【００２８】この図４ａの断面構造は、バッファードフ
ッ酸により薬液処理を行ったガラス基板２２上に、Ｔａ
薄膜などの金属薄膜２３ａを堆積した際のものである。
これらガラス基板２２と金属薄膜２３ａの応力２４や、
熱的歪により生じた応力２４は、矢印２５に示すように
ガラス基板２２と金属薄膜２３ａの界面にまで進み、表
面に生じた凹凸形状により矢印２６に示すように分散さ
せることが可能となり、安定した密着性を得ることがで
きる。
ッ酸により薬液処理を行ったガラス基板２２上に、Ｔａ
薄膜などの金属薄膜２３ａを堆積した際のものである。
これらガラス基板２２と金属薄膜２３ａの応力２４や、
熱的歪により生じた応力２４は、矢印２５に示すように
ガラス基板２２と金属薄膜２３ａの界面にまで進み、表
面に生じた凹凸形状により矢印２６に示すように分散さ
せることが可能となり、安定した密着性を得ることがで
きる。
【００２９】ここで、図４ａに示した凹凸のある薄膜付
きガラス基板と、図９に示したフラットな従来の薄膜付
きガラス基板とに対して、テープピール試験を、第１実
施例と同様に、図３に示すピールテストポイントＰ１〜
Ｐ５について行った。
きガラス基板と、図９に示したフラットな従来の薄膜付
きガラス基板とに対して、テープピール試験を、第１実
施例と同様に、図３に示すピールテストポイントＰ１〜
Ｐ５について行った。
【００３０】このテープピール試験は、各薄膜付きガラ
ス基板の金属薄膜をカッタナイフにより１ｍｍ間隔の升
目状に縦横にライン状の傷を付けた後に、テープを貼り
付けてそのテープを剥がすことにより金属薄膜が剥がれ
るか否かを検査する試験である。このテープピール試験
において、膜が剥がれた升目の割合を下記の（表２）に
示している。
ス基板の金属薄膜をカッタナイフにより１ｍｍ間隔の升
目状に縦横にライン状の傷を付けた後に、テープを貼り
付けてそのテープを剥がすことにより金属薄膜が剥がれ
るか否かを検査する試験である。このテープピール試験
において、膜が剥がれた升目の割合を下記の（表２）に
示している。
【００３１】
【表２】
【００３２】上記第１実施例と同様に、本実施例におけ
る基板構造においては、膜剥がれの生じたポイントは数
ポイントにとどまっているが、これに対して、従来の基
板構造においては全ポイントにおいて膜剥がれが生じて
いる。また、上記した第１実施例のものに比べて、凹凸
形状の幅が小さくて高さが大きいことに起因してテープ
ピール試験においても良好な結果が得られた。
る基板構造においては、膜剥がれの生じたポイントは数
ポイントにとどまっているが、これに対して、従来の基
板構造においては全ポイントにおいて膜剥がれが生じて
いる。また、上記した第１実施例のものに比べて、凹凸
形状の幅が小さくて高さが大きいことに起因してテープ
ピール試験においても良好な結果が得られた。
【００３３】したがって、本発明の第２実施例において
は、ガラス基板２２の表面を薬液処理し、このガラス基
板２２の表面モフォロジー２１の凹凸制御を行うことに
より、ガラス基板２２表面とこの上に堆積させる薄膜２
３の接触面積を増加させる効果が得られるとともに、そ
の凹凸によって応力分散効果が得られる。これにより、
本実施例の薄膜付きガラス基板構造は、従来のようにオ
ーバーコート膜を用いる必要がなく、ガラス基板２２上
に直接、例えば金属薄膜または半導体薄膜、絶縁物薄膜
などの薄膜２３を密着性良く積層することが可能となっ
て、製造コストアップの要因となっていた工程を削減す
ることが可能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下
や、それによる性能低下も防止することができる。
は、ガラス基板２２の表面を薬液処理し、このガラス基
板２２の表面モフォロジー２１の凹凸制御を行うことに
より、ガラス基板２２表面とこの上に堆積させる薄膜２
３の接触面積を増加させる効果が得られるとともに、そ
の凹凸によって応力分散効果が得られる。これにより、
本実施例の薄膜付きガラス基板構造は、従来のようにオ
ーバーコート膜を用いる必要がなく、ガラス基板２２上
に直接、例えば金属薄膜または半導体薄膜、絶縁物薄膜
などの薄膜２３を密着性良く積層することが可能となっ
て、製造コストアップの要因となっていた工程を削減す
ることが可能になると共に、膜剥がれによる歩留り低下
や、それによる性能低下も防止することができる。
【００３４】なお、上記第１実施例において、酸化鉄パ
ウダーによる研磨ガラスとＴａ薄膜との組み合わせの場
合について説明を行ったが、この凹凸状の基板表面構造
は酸化鉄の他にアルミナパウダー、研磨布、酸化亜鉛、
セシウムなどによっても実現することができる。
ウダーによる研磨ガラスとＴａ薄膜との組み合わせの場
合について説明を行ったが、この凹凸状の基板表面構造
は酸化鉄の他にアルミナパウダー、研磨布、酸化亜鉛、
セシウムなどによっても実現することができる。
【００３５】また、上記第２実施例において、バッファ
ードフッ酸による薬液処理を行ったガラス基板２２とＴ
ａ薄膜などの金属薄膜２３との組み合わせの場合につい
て説明を行ったが、この凹凸状の基板表面構造は、フッ
酸、硝酸、塩酸、有機酸などの酸およびそれらを含む混
酸によっても得ることができて、安定した密着性の得ら
れる基板構造を提供することができる。また、酸および
混酸だけではなく、アルカリによっても薬液処理を行え
て基板表面に凹凸形状を生じさせることができ、これに
より、機械的研磨を行った際と同様以上にガラス基板
と、この上に堆積する薄膜との接触面積の増加が得られ
るとともに応力の分散効果が得られる。
ードフッ酸による薬液処理を行ったガラス基板２２とＴ
ａ薄膜などの金属薄膜２３との組み合わせの場合につい
て説明を行ったが、この凹凸状の基板表面構造は、フッ
酸、硝酸、塩酸、有機酸などの酸およびそれらを含む混
酸によっても得ることができて、安定した密着性の得ら
れる基板構造を提供することができる。また、酸および
混酸だけではなく、アルカリによっても薬液処理を行え
て基板表面に凹凸形状を生じさせることができ、これに
より、機械的研磨を行った際と同様以上にガラス基板
と、この上に堆積する薄膜との接触面積の増加が得られ
るとともに応力の分散効果が得られる。
【００３６】さらに、上記第１および第２実施例の表面
モフォロジー１４，２１の凹凸変化は、基板表面の原子
間力顕微鏡像により確認することができる。この基板表
面の様子を図５〜図８に示している。また、上記第１実
施例のマイクロクラック１１の存在は透過型電子顕微鏡
像により確認することができる。
モフォロジー１４，２１の凹凸変化は、基板表面の原子
間力顕微鏡像により確認することができる。この基板表
面の様子を図５〜図８に示している。また、上記第１実
施例のマイクロクラック１１の存在は透過型電子顕微鏡
像により確認することができる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガラス基
板表面の凹凸形状によって薄膜との接触面積を増加させ
ることができるとともに、応力緩和効果を得ることがで
きるため、ガラス基板上に金属薄膜、半導体薄膜および
絶縁物薄膜などの薄膜や、それらの積層薄膜を、良好な
密着性をもって直接ガラス基板上に成膜することができ
て、従来、製造コストのアップ要因となっていた工程を
削減することができると共に、膜剥がれによる歩留り低
下や、それによる性能低下をも防止することができる。
板表面の凹凸形状によって薄膜との接触面積を増加させ
ることができるとともに、応力緩和効果を得ることがで
きるため、ガラス基板上に金属薄膜、半導体薄膜および
絶縁物薄膜などの薄膜や、それらの積層薄膜を、良好な
密着性をもって直接ガラス基板上に成膜することができ
て、従来、製造コストのアップ要因となっていた工程を
削減することができると共に、膜剥がれによる歩留り低
下や、それによる性能低下をも防止することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す薄膜付きガラス基板
の断面図である。
の断面図である。
【図２】ａは第１実施例の研磨ガラス基板の断面図、ｂ
はａの研磨ガラス基板を用いた薄膜付きガラス基板の断
面図である。
はａの研磨ガラス基板を用いた薄膜付きガラス基板の断
面図である。
【図３】テープピール試験の基板に対する実施ポイント
を示す図である。
を示す図である。
【図４】ａは第２実施例の薬液処理ガラス基板を用いた
薄膜付きガラス基板の断面図、ｂはａの薬液処理ガラス
基板の断面図である。
薄膜付きガラス基板の断面図、ｂはａの薬液処理ガラス
基板の断面図である。
【図５】第１および第２実施例の凹凸状のガラス基板表
面の原子間力顕微鏡像を示す図である。
面の原子間力顕微鏡像を示す図である。
【図６】図９の従来のガラス基板表面の原子間力顕微鏡
像を示す図である。
像を示す図である。
【図７】図５の原子間力顕微鏡像の拡大図である。
【図８】図６の原子間力顕微鏡像の拡大図である。
【図９】研磨処理を行わずに平坦なガラス基板上へ金属
薄膜を成膜した場合の従来の薄膜付きガラス基板の断面
図である。
薄膜を成膜した場合の従来の薄膜付きガラス基板の断面
図である。
１１ マイクロクラック １２，２２ ガラス基板 １３，２３ 薄膜 １３ａ，２３ａ 金属薄膜 １４，２１ 表面モフォロジー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−212754（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−302936（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−87680（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−345637（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 500 C03C 19/00
Claims (5)
- 【請求項１】 表面が凹凸形状を有すると共に微小亀裂
を有するように、機械的研磨されたガラス基板上に、一
部が該微小亀裂内に入り込んでいる状態で薄膜を設けた
薄膜付きガラス基板。 - 【請求項２】 前記微小亀裂の大きさは、前記ガラス基
板の深さ方向に対して１ｎｍ〜１０００ｎｍの大きさで
ある請求項１記載の薄膜付きガラス基板。 - 【請求項３】 前記薄膜は、金属膜、絶縁膜および半導
体膜のうち少なくともいずれかであるか、またはそれら
の積層膜である請求項１または２記載の薄膜付きガラス
基板。 - 【請求項４】 前記凹凸形状は、その高さが０．０１μ
ｍ〜２μｍ、その幅が０．０５μｍ〜１．２μｍの範囲
内である請求項１〜３の何れかに記載の薄膜付きガラス
基板。 - 【請求項５】 前記薄膜は１００ｎｍ以上の膜厚を有す
る請求項１〜４の何れかに記載の薄膜付きガラス基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07163987A JP3092902B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 薄膜付ガラス基板 |
| US08/672,548 US6042926A (en) | 1995-06-29 | 1996-06-28 | Glass substrate and thin film combination and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07163987A JP3092902B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 薄膜付ガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915570A JPH0915570A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3092902B2 true JP3092902B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=15784612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07163987A Expired - Fee Related JP3092902B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 薄膜付ガラス基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6042926A (ja) |
| JP (1) | JP3092902B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9906327D0 (en) * | 1999-03-19 | 1999-05-12 | Pilkington Plc | Production of sheet glass |
| KR20150097890A (ko) | 2014-02-18 | 2015-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 곡면 표시 장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3813568A (en) * | 1972-08-02 | 1974-05-28 | Gen Electric | Contrast-enhancing picture tube faceplate and process for producing same |
| US4125640A (en) * | 1975-04-21 | 1978-11-14 | Conant Louis A | Method of manufacturing defect free nickel armored laboratory and industrial brittleware |
| CH589306A5 (ja) * | 1975-06-27 | 1977-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| US4247579A (en) * | 1979-11-30 | 1981-01-27 | General Electric Company | Method for metallizing a semiconductor element |
| US5288515A (en) * | 1990-08-24 | 1994-02-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition method and apparatus for producing an EL thin film of uniform thickness |
| US5342690A (en) * | 1992-11-20 | 1994-08-30 | Ford Motor Company | Reticular glass surface |
| US5558789A (en) * | 1994-03-02 | 1996-09-24 | University Of Florida | Method of applying a laser beam creating micro-scale surface structures prior to deposition of film for increased adhesion |
| US5792327A (en) * | 1994-07-19 | 1998-08-11 | Corning Incorporated | Adhering metal to glass |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP07163987A patent/JP3092902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-28 US US08/672,548 patent/US6042926A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6042926A (en) | 2000-03-28 |
| JPH0915570A (ja) | 1997-01-17 |
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