JP3088168B2 - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体およびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量情報記録媒体として、光記録ディ
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。
【０００３】近年、コンパクトディスク（以下、ＣＤと
略称する）規格に対応して追記ないし記録を行なうこと
のできる光記録ディスクが提案されている（日経エレク
トロニクス１９８９年１月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ
１０７、社団法人近畿化学協会機能性色素部会，１９８
９年３月３日，大阪科学技術センター、SPIE vol 1078Op
tical Data Storage Topical Meeting, 80 1989等）。
この光記録ディスクは、透明樹脂基板上に、色素層、Ａ
ｕ反射層および保護膜をこの順に設層して形成される。
すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。
略称する）規格に対応して追記ないし記録を行なうこと
のできる光記録ディスクが提案されている（日経エレク
トロニクス１９８９年１月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ
１０７、社団法人近畿化学協会機能性色素部会，１９８
９年３月３日，大阪科学技術センター、SPIE vol 1078Op
tical Data Storage Topical Meeting, 80 1989等）。
この光記録ディスクは、透明樹脂基板上に、色素層、Ａ
ｕ反射層および保護膜をこの順に設層して形成される。
すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。
【０００４】しかし、この光記録ディスクは有機色素を
用いているため耐候性、特に耐光性が低く、例えば太陽
光中の紫外線などにより色素が劣化してしまう。このた
め、記録前であっても記録後であっても、長期にわたっ
て信頼性の高い保存を行なうことが難しい。
用いているため耐候性、特に耐光性が低く、例えば太陽
光中の紫外線などにより色素が劣化してしまう。このた
め、記録前であっても記録後であっても、長期にわたっ
て信頼性の高い保存を行なうことが難しい。
【０００５】このような事情から、本発明者らは、加熱
により分解してガスを放出する無機化合物、具体的に
は、酸化銀や窒化鉄を含有する記録薄膜を有する光記録
媒体を提案している（特願平３−１１９４７４号、同３
−２２１０２５号）。
により分解してガスを放出する無機化合物、具体的に
は、酸化銀や窒化鉄を含有する記録薄膜を有する光記録
媒体を提案している（特願平３−１１９４７４号、同３
−２２１０２５号）。
【０００６】これらの光記録媒体は、耐光性が良好であ
るために信頼性が高いものであるが、高温、高湿等の悪
条件下に長時間保存した場合、クロストークやジッター
が増加するという問題がある。
るために信頼性が高いものであるが、高温、高湿等の悪
条件下に長時間保存した場合、クロストークやジッター
が増加するという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、無機化合物
を用いた耐光性の高い記録薄膜を有する光記録媒体にお
いて、高温、高湿環境下で長時間保存した場合のクロス
トークやジッターの増加を抑えることを目的とする。
を用いた耐光性の高い記録薄膜を有する光記録媒体にお
いて、高温、高湿環境下で長時間保存した場合のクロス
トークやジッターの増加を抑えることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１１）の本発明によって達成される。
（１）〜（１１）の本発明によって達成される。
【０００９】（１）基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜
および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａ
ｇ、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択さ
れる少なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍ
およびＮを含有することを特徴とする光記録媒体。
および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａ
ｇ、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択さ
れる少なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍ
およびＮを含有することを特徴とする光記録媒体。
【００１０】（２）前記基板と前記記録薄膜との間に、
前記基板よりもガラス転移点の低い基板表面層を有する
上記（１）に記載の光記録媒体。
前記基板よりもガラス転移点の低い基板表面層を有する
上記（１）に記載の光記録媒体。
【００１１】（３）前記基板がポリオレフィンから構成
され、前記基板表面層がポリカーボネートから構成され
る上記（２）に記載の光記録媒体。
され、前記基板表面層がポリカーボネートから構成され
る上記（２）に記載の光記録媒体。
【００１２】（４）基板表面に、誘電体薄膜、記録薄膜
および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａ
ｇ、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択さ
れる少なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍ
およびＮを含有することを特徴とする光記録媒体。
および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａ
ｇ、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択さ
れる少なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍ
およびＮを含有することを特徴とする光記録媒体。
【００１３】（５）前記記録薄膜中において、原子比Ｍ
／（Ａｇ＋Ｍ）または原子比Ｍ／（Ｆｅ＋Ｍ）が０超
０．５以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに
記載の光記録媒体。
／（Ａｇ＋Ｍ）または原子比Ｍ／（Ｆｅ＋Ｍ）が０超
０．５以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに
記載の光記録媒体。
【００１４】（６）上記（１）ないし（５）のいずれか
に記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録
薄膜が反応性スパッタ法により形成されることを特徴と
する光記録媒体の製造方法。
に記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録
薄膜が反応性スパッタ法により形成されることを特徴と
する光記録媒体の製造方法。
【００１５】（７）前記記録薄膜が、酸素ガスを含有す
る雰囲気中において、ＡｇおよびＭをターゲットとして
反応性スパッタにより形成される上記（６）に記載の光
記録媒体の製造方法。
る雰囲気中において、ＡｇおよびＭをターゲットとして
反応性スパッタにより形成される上記（６）に記載の光
記録媒体の製造方法。
【００１６】（８）前記反応性スパッタに際して、全て
のガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％
とする上記（７）に記載の光記録媒体の製造方法。
のガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％
とする上記（７）に記載の光記録媒体の製造方法。
【００１７】（９）前記記録薄膜が、窒素ガスを含有す
る雰囲気中において、ＦｅおよびＭをターゲットとして
反応性スパッタにより形成される上記（６）に記載の光
記録媒体の製造方法。
る雰囲気中において、ＦｅおよびＭをターゲットとして
反応性スパッタにより形成される上記（６）に記載の光
記録媒体の製造方法。
【００１８】（１０）前記反応性スパッタに際して、全
てのガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０
％とする上記（９）に記載の光記録媒体の製造方法。
てのガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０
％とする上記（９）に記載の光記録媒体の製造方法。
【００１９】（１１）前記反応性スパッタ時の圧力が３
×１０-1〜１．０Paである上記（７）ないし（１０）の
いずれかに記載の光記録媒体の製造方法。
×１０-1〜１．０Paである上記（７）ないし（１０）の
いずれかに記載の光記録媒体の製造方法。
【００２０】
【作用】本発明の光記録媒体の第一の態様の好適実施例
を図１に、第二の態様の好適実施例を図２に示す。
を図１に、第二の態様の好適実施例を図２に示す。
【００２１】図１に示される態様の光記録媒体では、記
録時には、基板２の裏面側から基板２を通して記録レー
ザー光が照射され、記録薄膜３が加熱される。記録薄膜
３がＡｇおよびＯを含有する場合、これらは通常、酸化
銀の形態で存在する。そして、前記加熱により酸化銀は
１６０℃程度でＡｇとＯ2 とに分解する。また、記録薄
膜３がＦｅおよびＮを含有する場合、これらは通常、窒
化鉄の形態で存在する。そして、２００℃程度で窒化鉄
から窒素が放出される。そして、発生したガスにより記
録薄膜３中に空隙３１が形成される。また、記録薄膜３
近傍の樹脂製基板２は加熱されて軟化しているため、発
生したガスの圧力により記録薄膜３との界面に凹部２１
が形成される。
録時には、基板２の裏面側から基板２を通して記録レー
ザー光が照射され、記録薄膜３が加熱される。記録薄膜
３がＡｇおよびＯを含有する場合、これらは通常、酸化
銀の形態で存在する。そして、前記加熱により酸化銀は
１６０℃程度でＡｇとＯ2 とに分解する。また、記録薄
膜３がＦｅおよびＮを含有する場合、これらは通常、窒
化鉄の形態で存在する。そして、２００℃程度で窒化鉄
から窒素が放出される。そして、発生したガスにより記
録薄膜３中に空隙３１が形成される。また、記録薄膜３
近傍の樹脂製基板２は加熱されて軟化しているため、発
生したガスの圧力により記録薄膜３との界面に凹部２１
が形成される。
【００２２】これらの空隙や凹部などが生じることによ
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部の底部
は粗面化しているため、これによっても反射率が低下す
る。
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部の底部
は粗面化しているため、これによっても反射率が低下す
る。
【００２３】このようにして生じる光反射率の変化は不
可逆的であるので、追記型の光記録媒体として使用する
ことができる。そして、ＣＤに対して用いられている７
８０nm近傍の光の反射率は、レーザー光照射前で７０％
以上あり、照射後には５０％程度以下、特に２０％程度
以下まで低下するので、ＣＤ規格対応の追記型光記録デ
ィスクとしての使用が可能である。また、誘電体薄膜等
の厚さを調整することにより、３００〜９００nm程度の
波長範囲においてこのような反射率変化が得られるの
で、短波長記録が可能であり、より高い記録密度とする
ことが可能である。
可逆的であるので、追記型の光記録媒体として使用する
ことができる。そして、ＣＤに対して用いられている７
８０nm近傍の光の反射率は、レーザー光照射前で７０％
以上あり、照射後には５０％程度以下、特に２０％程度
以下まで低下するので、ＣＤ規格対応の追記型光記録デ
ィスクとしての使用が可能である。また、誘電体薄膜等
の厚さを調整することにより、３００〜９００nm程度の
波長範囲においてこのような反射率変化が得られるの
で、短波長記録が可能であり、より高い記録密度とする
ことが可能である。
【００２４】第一の態様において、基板２と記録薄膜３
との間に、基板２よりもガラス転移点の低い基板表面層
を設ければ、硬度の高いポリオレフィンなどを基板に用
いた場合でも十分な記録感度が得られる。
との間に、基板２よりもガラス転移点の低い基板表面層
を設ければ、硬度の高いポリオレフィンなどを基板に用
いた場合でも十分な記録感度が得られる。
【００２５】図２に示される第二の態様では、記録レー
ザー光照射により記録薄膜から発生したガスによって記
録薄膜３中に空隙３２が形成され、また、発生したガス
の圧力により反射薄膜５に凹部５１が形成される。これ
らの空隙や凹部などが生じることにより、第一の態様と
同様に記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光
学的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部５１
の光反射面は粗面化しているため、これによっても反射
率が低下する。このようにして生じる光反射率の変化は
不可逆的であり、追記型光記録ディスクとしての使用が
可能である。
ザー光照射により記録薄膜から発生したガスによって記
録薄膜３中に空隙３２が形成され、また、発生したガス
の圧力により反射薄膜５に凹部５１が形成される。これ
らの空隙や凹部などが生じることにより、第一の態様と
同様に記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光
学的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部５１
の光反射面は粗面化しているため、これによっても反射
率が低下する。このようにして生じる光反射率の変化は
不可逆的であり、追記型光記録ディスクとしての使用が
可能である。
【００２６】第二の態様における誘電体薄膜４は、ガス
バリアとしての作用を有し、光記録媒体の信頼性を高め
るはたらきを有する。
バリアとしての作用を有し、光記録媒体の信頼性を高め
るはたらきを有する。
【００２７】上記各態様において、記録薄膜中に含有さ
れるＭは、高温、高湿条件下で長時間保存された場合の
特性劣化を防ぐ作用を有する。具体的には、クロストー
クやジッターの劣化を抑える。
れるＭは、高温、高湿条件下で長時間保存された場合の
特性劣化を防ぐ作用を有する。具体的には、クロストー
クやジッターの劣化を抑える。
【００２８】なお、特公昭６３−５６９２０号公報に
は、「Ａｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化銀を含有する記録薄膜と酸化ケイ素を含有
する誘電体薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、光記録媒体として使用することは困難であり、
特に、ＣＤ規格対応の光記録媒体として用いることは不
可能である。
は、「Ａｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化銀を含有する記録薄膜と酸化ケイ素を含有
する誘電体薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、光記録媒体として使用することは困難であり、
特に、ＣＤ規格対応の光記録媒体として用いることは不
可能である。
【００２９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００３０】図１に示される第一の態様の光記録媒体１
は、基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反
射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられ
ている。また、図２に示される第二の態様の光記録媒体
１は、基板２の表面に誘電体薄膜４、記録薄膜３および
反射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けら
れている。
は、基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反
射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられ
ている。また、図２に示される第二の態様の光記録媒体
１は、基板２の表面に誘電体薄膜４、記録薄膜３および
反射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けら
れている。
【００３１】［基板２］光記録媒体１では、基板２を通
して記録薄膜３に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である必
要がある。また、第一の態様において基板２は、記録薄
膜３から発生するガスの圧力により凹部が形成される必
要があるので、基板２の材質としては樹脂が好ましい。
具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂を用いればよい。
して記録薄膜３に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である必
要がある。また、第一の態様において基板２は、記録薄
膜３から発生するガスの圧力により凹部が形成される必
要があるので、基板２の材質としては樹脂が好ましい。
具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂を用いればよい。
【００３２】ポリオレフィンは透水性が低いため、記録
薄膜の劣化を防ぎ、高い信頼性が得られる。しかし、ポ
リオレフィンは硬度が高いため、第一の態様の基板材料
に適用した場合、図１に示される基板の凹部２１を形成
することが困難であり、記録感度が不十分となりやす
い。このため、ポリオレフィン基板を用いる場合には、
基板と記録層との間に、基板よりもガラス転移点の低い
基板表面層を設けて凹部２１の形成を容易にし、記録感
度の向上やモジュレーションの向上をはかることが好ま
しい。
薄膜の劣化を防ぎ、高い信頼性が得られる。しかし、ポ
リオレフィンは硬度が高いため、第一の態様の基板材料
に適用した場合、図１に示される基板の凹部２１を形成
することが困難であり、記録感度が不十分となりやす
い。このため、ポリオレフィン基板を用いる場合には、
基板と記録層との間に、基板よりもガラス転移点の低い
基板表面層を設けて凹部２１の形成を容易にし、記録感
度の向上やモジュレーションの向上をはかることが好ま
しい。
【００３３】ポリオレフィン基板のガラス転移点は一般
に１２０〜１５０℃程度であるが、基板表面層のガラス
転移点は基板よりも１０〜２０℃程度低くなるように構
成することが好ましい。
に１２０〜１５０℃程度であるが、基板表面層のガラス
転移点は基板よりも１０〜２０℃程度低くなるように構
成することが好ましい。
【００３４】基板表面層のガラス転移点は、基板を加熱
しながらレーザー光を照射し、その散乱光を分光光度計
により分析することにより測定できる。
しながらレーザー光を照射し、その散乱光を分光光度計
により分析することにより測定できる。
【００３５】なお、基板表面層はポリオレフィン基板に
限らず基板の硬度が高い場合に有用である。例えば、基
板表面層を設ければ、透水性は高いが変形しにくいガラ
ス基板を用いることもできる。
限らず基板の硬度が高い場合に有用である。例えば、基
板表面層を設ければ、透水性は高いが変形しにくいガラ
ス基板を用いることもできる。
【００３６】基板表面層の構成材質は特に限定されない
が、形成が容易で記録感度向上効果が高いことから、ポ
リカーボネートを用いることが好ましい。
が、形成が容易で記録感度向上効果が高いことから、ポ
リカーボネートを用いることが好ましい。
【００３７】ポリカーボネート表面層の形成方法は特に
限定されないが、通常は、ポリカーボネートをテトラヒ
ドロフラン等の溶媒に溶解して塗布溶液を調製し、この
塗布溶液をスピンコートなどにより基板表面上に塗布
し、乾燥する方法を用いることが好ましい。
限定されないが、通常は、ポリカーボネートをテトラヒ
ドロフラン等の溶媒に溶解して塗布溶液を調製し、この
塗布溶液をスピンコートなどにより基板表面上に塗布
し、乾燥する方法を用いることが好ましい。
【００３８】基板表面層の厚さは特に限定されないが、
１００A以上、特に４００A 以上であれば十分に高い記
録感度向上効果が実現する。厚さの上限は特にないが、
１０００A を超える厚さとする必要はない。
１００A以上、特に４００A 以上であれば十分に高い記
録感度向上効果が実現する。厚さの上限は特にないが、
１０００A を超える厚さとする必要はない。
【００３９】また、上記のように基板と独立して基板表
面層を設ける態様の他、ポリオレフィン基板の記録薄膜
側の表層付近のガラス転移点を低く構成し、この表層付
近を基板表面層とすることもできる。この態様の詳細
は、例えば特願平３−１８５０５号に開示されており、
ポリオレフィン基板を射出成形により製造する際に、射
出圧を２５０〜４００kg/cm2程度、溶融温度を３００〜
４００℃程度、金型温度を８０〜１２０℃程度とし、そ
の他、保圧や型締力等は通常の条件とすれば、中央付近
に対し表層付近のガラス転移点の低いポリオレフィン基
板を得ることができる。
面層を設ける態様の他、ポリオレフィン基板の記録薄膜
側の表層付近のガラス転移点を低く構成し、この表層付
近を基板表面層とすることもできる。この態様の詳細
は、例えば特願平３−１８５０５号に開示されており、
ポリオレフィン基板を射出成形により製造する際に、射
出圧を２５０〜４００kg/cm2程度、溶融温度を３００〜
４００℃程度、金型温度を８０〜１２０℃程度とし、そ
の他、保圧や型締力等は通常の条件とすれば、中央付近
に対し表層付近のガラス転移点の低いポリオレフィン基
板を得ることができる。
【００４０】基板２の形状および寸法は特に限定されな
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
【００４１】基板２の表面には、トラッキング用やアド
レス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要
に応じて設けられる。例えば、図示例の光記録媒体には
グルーブが設けられており、記録光はグルーブ内に照射
される。
レス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要
に応じて設けられる。例えば、図示例の光記録媒体には
グルーブが設けられており、記録光はグルーブ内に照射
される。
【００４２】［記録薄膜３］記録薄膜３は、Ａｇ、Ｍ
（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択される少
なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍおよび
Ｎを含有する。
（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択される少
なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍおよび
Ｎを含有する。
【００４３】記録薄膜３中において、原子比Ｍ／（Ａｇ
＋Ｍ）または原子比Ｍ／（Ｆｅ＋Ｍ）は、０超０．５以
下、特に０．２〜０．４であることが好ましい。Ｍの比
率が前記範囲未満となると、クロストークやジッターの
抑制効果が不十分となり、前記範囲を超えると屈折率が
大きく変化し、誘電体薄膜の厚さを最適値とした場合で
も反射率が７０％以下となってしまう。
＋Ｍ）または原子比Ｍ／（Ｆｅ＋Ｍ）は、０超０．５以
下、特に０．２〜０．４であることが好ましい。Ｍの比
率が前記範囲未満となると、クロストークやジッターの
抑制効果が不十分となり、前記範囲を超えると屈折率が
大きく変化し、誘電体薄膜の厚さを最適値とした場合で
も反射率が７０％以下となってしまう。
【００４４】Ｍのうち特にＮｉが好ましく、特にこの場
合、上記原子比は０．２〜０．３とすることがより好ま
しい。
合、上記原子比は０．２〜０．３とすることがより好ま
しい。
【００４５】記録薄膜３がＡｇ、ＭおよびＯを含有する
場合、薄膜中のＯの含有比率は、５〜５０原子％、特に
１０〜３０原子％であることが好ましい。また、記録薄
膜３がＦｅ、ＭおよびＮを含有する場合、薄膜中のＮの
含有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％で
あることが好ましい。記録薄膜３は、上記した各元素だ
けから構成されることが好ましいが、他にＳｎ、Ｚｎ等
の各種元素が合計で１０原子％程度以下含有されていて
もよい。
場合、薄膜中のＯの含有比率は、５〜５０原子％、特に
１０〜３０原子％であることが好ましい。また、記録薄
膜３がＦｅ、ＭおよびＮを含有する場合、薄膜中のＮの
含有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％で
あることが好ましい。記録薄膜３は、上記した各元素だ
けから構成されることが好ましいが、他にＳｎ、Ｚｎ等
の各種元素が合計で１０原子％程度以下含有されていて
もよい。
【００４６】なお、記録薄膜３中において、Ａｇ、Ｆｅ
およびＭは、酸化物あるいは窒化物の形態で存在する。
およびＭは、酸化物あるいは窒化物の形態で存在する。
【００４７】記録薄膜の厚さは、第一の態様では６００
〜１５００A 、特に７００〜１２００A であることが好
ましく、第二の態様では、５００〜１０００A とするこ
とが好ましい。厚さが前記範囲未満であると記録が困難
となり、前記範囲を超えると記録薄膜での光吸収のため
に反射率が不十分となる。
〜１５００A 、特に７００〜１２００A であることが好
ましく、第二の態様では、５００〜１０００A とするこ
とが好ましい。厚さが前記範囲未満であると記録が困難
となり、前記範囲を超えると記録薄膜での光吸収のため
に反射率が不十分となる。
【００４８】記録薄膜３は、スパッタ法や蒸着法などの
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。
【００４９】Ａｇ、ＭおよびＯを含有する記録薄膜を形
成する場合、酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａ
ｇおよびＭをターゲットとして反応性スパッタを行なう
ことが好ましい。酸素ガスはＡｒ等の不活性ガスと併用
することが好ましく、酸素ガスの流量は、全てのガスの
合計流量中の１０〜７０％とすることが好ましい。酸素
ガス流量が前記範囲を外れると、記録薄膜中の酸素量が
不適当になり、十分な記録感度が得られない。
成する場合、酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａ
ｇおよびＭをターゲットとして反応性スパッタを行なう
ことが好ましい。酸素ガスはＡｒ等の不活性ガスと併用
することが好ましく、酸素ガスの流量は、全てのガスの
合計流量中の１０〜７０％とすることが好ましい。酸素
ガス流量が前記範囲を外れると、記録薄膜中の酸素量が
不適当になり、十分な記録感度が得られない。
【００５０】Ｆｅ、ＭおよびＮを含有する記録薄膜を形
成する場合、窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆ
ｅおよびＭをターゲットとして反応性スパッタを行なう
ことが好ましい。窒素ガスはＡｒ等の不活性ガスと併用
することが好ましく、窒素ガスの流量は、全てのガスの
合計流量中の１０〜２０％とすることが好ましい。窒素
ガス流量が前記範囲を外れると、記録薄膜中の窒素量が
不適当になり、十分な記録感度が得られない。
成する場合、窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆ
ｅおよびＭをターゲットとして反応性スパッタを行なう
ことが好ましい。窒素ガスはＡｒ等の不活性ガスと併用
することが好ましく、窒素ガスの流量は、全てのガスの
合計流量中の１０〜２０％とすることが好ましい。窒素
ガス流量が前記範囲を外れると、記録薄膜中の窒素量が
不適当になり、十分な記録感度が得られない。
【００５１】これらの反応性スパッタの際の圧力は、好
ましくは３×１０-1〜１．０Pa、より好ましくは５×１
０-1〜９×１０-1Pa、特に好ましくは５×１０-1〜８×
１０-1Paである。
ましくは３×１０-1〜１．０Pa、より好ましくは５×１
０-1〜９×１０-1Pa、特に好ましくは５×１０-1〜８×
１０-1Paである。
【００５２】なお、反応性スパッタにはＤＣスパッタ法
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。
【００５３】［誘電体薄膜４］誘電体薄膜４は、各種誘
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜３が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
４を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ2 で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜３が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜４を、通
常Ｓｉ3 Ｎ4 で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜３が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
４を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ2 で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜３が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜４を、通
常Ｓｉ3 Ｎ4 で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。
【００５４】なお、誘電体としては、この他、透明な各
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
【００５５】誘電体薄膜４の厚さは、用いる誘電体の屈
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ2 を用いる場合、第一の態様では、好ましくは
５００〜４０００A 、より好ましくは１８００〜３５０
０A 、さらに好ましくは２５００〜３３００A であり、
第二の態様では、好ましくは１０００〜２０００A とす
る。また、屈折率がＳｉＯ2 とは異なる誘電体を用いる
場合の好ましい厚さは、その誘電体の屈折率でＳｉＯ2
の屈折率を除した値を上記したＳｉＯ2 の好ましい厚さ
範囲に乗じて求めればよい。誘電体薄膜４の厚さが好ま
しい範囲を外れると、十分な反射率およびその変化を得
ることが困難となる。
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ2 を用いる場合、第一の態様では、好ましくは
５００〜４０００A 、より好ましくは１８００〜３５０
０A 、さらに好ましくは２５００〜３３００A であり、
第二の態様では、好ましくは１０００〜２０００A とす
る。また、屈折率がＳｉＯ2 とは異なる誘電体を用いる
場合の好ましい厚さは、その誘電体の屈折率でＳｉＯ2
の屈折率を除した値を上記したＳｉＯ2 の好ましい厚さ
範囲に乗じて求めればよい。誘電体薄膜４の厚さが好ま
しい範囲を外れると、十分な反射率およびその変化を得
ることが困難となる。
【００５６】第二の態様における誘電体薄膜４は、記録
感度向上効果の他、ガスバリアとしての作用を有し、特
に基板２がポリカーボネート樹脂などの樹脂製である場
合、基板２側からの水蒸気や酸素などの侵入を防止し、
これらによる記録薄膜３の劣化を防ぐ。
感度向上効果の他、ガスバリアとしての作用を有し、特
に基板２がポリカーボネート樹脂などの樹脂製である場
合、基板２側からの水蒸気や酸素などの侵入を防止し、
これらによる記録薄膜３の劣化を防ぐ。
【００５７】誘電体薄膜４は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。
気相成長法により形成されることが好ましい。
【００５８】［反射薄膜５］第一の態様における反射薄
膜５は、高反射率の金属や合金から構成されることが好
ましく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等から
適宜選択すればよい。
膜５は、高反射率の金属や合金から構成されることが好
ましく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等から
適宜選択すればよい。
【００５９】また、第二の態様における反射薄膜５は、
金属ないし合金から構成されることが好ましいが、高い
記録感度を得るためには、反射薄膜５を形状記憶合金か
ら構成することが好ましい。形状記憶合金の反射薄膜は
記録光照射により変形しやすいため、凹部５１の形成が
容易である。用いる形状記憶合金の組成に特に制限はな
いが、製造が比較的容易であることから、Ｎｉ−Ｔｉ系
合金または銅系形状記憶合金を用いることが好ましい。
銅系形状記憶合金としては、特にＣｕ−Ｚｎ−Ａｌ系合
金が好ましい。これらの形状記憶合金の組成や特性など
については、例えば日本伸銅協会発行（1988.5）の「銅
および銅合金の基礎と工業技術」に記載されている。た
だし、第二の態様においても、反射薄膜５を上記した高
反射率金属から構成してよい。
金属ないし合金から構成されることが好ましいが、高い
記録感度を得るためには、反射薄膜５を形状記憶合金か
ら構成することが好ましい。形状記憶合金の反射薄膜は
記録光照射により変形しやすいため、凹部５１の形成が
容易である。用いる形状記憶合金の組成に特に制限はな
いが、製造が比較的容易であることから、Ｎｉ−Ｔｉ系
合金または銅系形状記憶合金を用いることが好ましい。
銅系形状記憶合金としては、特にＣｕ−Ｚｎ−Ａｌ系合
金が好ましい。これらの形状記憶合金の組成や特性など
については、例えば日本伸銅協会発行（1988.5）の「銅
および銅合金の基礎と工業技術」に記載されている。た
だし、第二の態様においても、反射薄膜５を上記した高
反射率金属から構成してよい。
【００６０】反射薄膜５の厚さは、３００〜１５００A
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。
【００６１】反射薄膜５は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成されることが好ましい。
相成長法により形成されることが好ましい。
【００６２】［保護膜６］保護膜６は、耐擦傷性や耐食
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
【００６３】保護膜６の厚さは、通常、０．１〜１００
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。
【００６４】［反射率変化作用］図１に示される第一の
態様の光記録媒体１の基板２の裏面側から記録レーザー
光を照射すると、基板２を透過した記録レーザー光は記
録薄膜３を加熱する。記録薄膜がＡｇおよびＯを含有す
る場合、Ｏ2 ガスが発生する。また、記録薄膜がＦｅお
よびＮを含有する場合、Ｎ2 ガスが発生する。そして、
発生したガスの圧力により記録薄膜３内には空隙３１が
形成される。
態様の光記録媒体１の基板２の裏面側から記録レーザー
光を照射すると、基板２を透過した記録レーザー光は記
録薄膜３を加熱する。記録薄膜がＡｇおよびＯを含有す
る場合、Ｏ2 ガスが発生する。また、記録薄膜がＦｅお
よびＮを含有する場合、Ｎ2 ガスが発生する。そして、
発生したガスの圧力により記録薄膜３内には空隙３１が
形成される。
【００６５】一方、記録薄膜３の温度上昇と共に記録薄
膜３近傍の基板２の温度も上昇し、基板２は軟化する。
そして、発生したガスの圧力により基板２表面に凹部２
１が形成される。なお、場合によっては、ガスの圧力に
より誘電体薄膜４側もへこむことがある。
膜３近傍の基板２の温度も上昇し、基板２は軟化する。
そして、発生したガスの圧力により基板２表面に凹部２
１が形成される。なお、場合によっては、ガスの圧力に
より誘電体薄膜４側もへこむことがある。
【００６６】記録レーザー光照射により形成された空隙
３１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部２１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
３１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部２１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
【００６７】凹部２１は、深さ５００〜１５００A 程
度、特に５００〜８００A 程度であり、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等によ
り寸法を測定することができる。また、凹部２１の底部
は粗面化している。このような粗面化は、無機化合物の
分解によりガスがバブル状に発生したことによるものと
考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与していると
考えられる。
度、特に５００〜８００A 程度であり、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等によ
り寸法を測定することができる。また、凹部２１の底部
は粗面化している。このような粗面化は、無機化合物の
分解によりガスがバブル状に発生したことによるものと
考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与していると
考えられる。
【００６８】図２に示される第二の態様では、第一の態
様と同様に記録レーザー光照射により記録薄膜３からガ
スが発生する。発生したガスの圧力により記録薄膜３内
には空隙３２が形成される。一方、発生したガスにより
反射薄膜５も圧力を受け、反射薄膜５には凹部５１が形
成される。反射薄膜５が形状記憶合金から構成されてい
る場合に記録感度が高くなる、すなわち低パワーのレー
ザー光で書き込み可能となるのは、形状記憶合金の反射
薄膜を用いると、凹部５１の形成が容易となるためであ
る。
様と同様に記録レーザー光照射により記録薄膜３からガ
スが発生する。発生したガスの圧力により記録薄膜３内
には空隙３２が形成される。一方、発生したガスにより
反射薄膜５も圧力を受け、反射薄膜５には凹部５１が形
成される。反射薄膜５が形状記憶合金から構成されてい
る場合に記録感度が高くなる、すなわち低パワーのレー
ザー光で書き込み可能となるのは、形状記憶合金の反射
薄膜を用いると、凹部５１の形成が容易となるためであ
る。
【００６９】記録レーザー光照射により形成された空隙
３２内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部５１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
３２内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部５１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
【００７０】凹部５１の深さは、反射率変化の様子から
３００〜５００A 程度と推定される。また、凹部５１の
光反射面は粗面化している。このような粗面化は、無機
化合物の分解によりガスがバブル状に発生したことによ
るものと考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与し
ていると考えられる。粗面化の様子は、走査型トンネル
顕微鏡（ＳＴＭ）等により確認することができる。
３００〜５００A 程度と推定される。また、凹部５１の
光反射面は粗面化している。このような粗面化は、無機
化合物の分解によりガスがバブル状に発生したことによ
るものと考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与し
ていると考えられる。粗面化の様子は、走査型トンネル
顕微鏡（ＳＴＭ）等により確認することができる。
【００７１】［媒体構造］以上では、本発明を片面記録
型の光記録媒体に適用する場合について説明したが、本
発明は両面記録型の光記録媒体にも適用可能である。両
面記録型の光記録媒体に適用する場合、一対の基板２、
２を、記録薄膜３が内封されるように接着する。また、
片面記録型であって、保護膜６上に保護板を接着した構
成とすることもできる。この場合の保護板としては、通
常、基板２と同質のものを用いればよいが、透明である
必要はなく、その他の材質も用いることができる。
型の光記録媒体に適用する場合について説明したが、本
発明は両面記録型の光記録媒体にも適用可能である。両
面記録型の光記録媒体に適用する場合、一対の基板２、
２を、記録薄膜３が内封されるように接着する。また、
片面記録型であって、保護膜６上に保護板を接着した構
成とすることもできる。この場合の保護板としては、通
常、基板２と同質のものを用いればよいが、透明である
必要はなく、その他の材質も用いることができる。
【００７２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００７３】［実施例１］基板２の表面に、記録薄膜
３、誘電体薄膜４、反射薄膜５および保護膜６を形成
し、図１に示される第一の態様の光記録ディスクサンプ
ルNo. １−１を作製した。
３、誘電体薄膜４、反射薄膜５および保護膜６を形成
し、図１に示される第一の態様の光記録ディスクサンプ
ルNo. １−１を作製した。
【００７４】基板２には、射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。
【００７５】記録薄膜３の厚さは８００A とし、酸素ガ
スとＡｒガスを含む雰囲気中で反応性高周波スパッタ法
により形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Pa
とし、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも
１０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇおよびＮｉ
を用い、スパッタパワーは２００W とした。記録薄膜３
の組成をオージェ分光法により測定したところ、１０原
子％の酸素を含み、残部はＡｇおよびＮｉであった。Ａ
ｇ＋Ｎｉに対するＮｉの原子比を下記表１に示す。
スとＡｒガスを含む雰囲気中で反応性高周波スパッタ法
により形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Pa
とし、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも
１０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇおよびＮｉ
を用い、スパッタパワーは２００W とした。記録薄膜３
の組成をオージェ分光法により測定したところ、１０原
子％の酸素を含み、残部はＡｇおよびＮｉであった。Ａ
ｇ＋Ｎｉに対するＮｉの原子比を下記表１に示す。
【００７６】誘電体薄膜４は、ＳｉＯ2 をターゲットと
してスパッタ法により２７００A の厚さに形成した。
してスパッタ法により２７００A の厚さに形成した。
【００７７】反射薄膜５は、Ａｇをターゲットとしてス
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
【００７８】保護膜６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。
【００７９】また、記録薄膜の組成を変更したサンプル
を、サンプルNo. １−１に準じて作製した。
を、サンプルNo. １−１に準じて作製した。
【００８０】これらのサンプルについて、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。
【００８１】次いで、各サンプルを６０℃・８０％ＲＨ
の環境で２４時間保存し、初期と保存後のそれぞれにお
けるクロストークおよびジッターを測定した。測定に
は、クロストークメーター（ＴＤＫ社製）およびジッタ
ーメーター（リーダー電子社製）を用いた。結果を表１
に示す。
の環境で２４時間保存し、初期と保存後のそれぞれにお
けるクロストークおよびジッターを測定した。測定に
は、クロストークメーター（ＴＤＫ社製）およびジッタ
ーメーター（リーダー電子社製）を用いた。結果を表１
に示す。
【００８２】
【表１】
【００８３】表１に示される結果から、クロストークお
よびジッターの悪化がＮｉ添加により著しく改善されて
いることがわかる。
よびジッターの悪化がＮｉ添加により著しく改善されて
いることがわかる。
【００８４】なお、表１に示す各サンプルでは、未記録
部の反射率は７２〜８５％、記録部の反射率は２３〜３
６％であり、ＣＤ規格に対応する再生が可能であった。
部の反射率は７２〜８５％、記録部の反射率は２３〜３
６％であり、ＣＤ規格に対応する再生が可能であった。
【００８５】また、各サンプルを切り出して酸処理する
ことにより、基板表面の反射薄膜、誘電体薄膜および記
録薄膜を溶解、剥離し、ＳＥＭにより観察したところ、
記録部の基板表面には深さ５００〜１０００A の凹部が
形成されており、この凹部の底部は、ガスがバブル状に
発生した結果とみられる粗面状態となっていた。
ことにより、基板表面の反射薄膜、誘電体薄膜および記
録薄膜を溶解、剥離し、ＳＥＭにより観察したところ、
記録部の基板表面には深さ５００〜１０００A の凹部が
形成されており、この凹部の底部は、ガスがバブル状に
発生した結果とみられる粗面状態となっていた。
【００８６】なお、Ｎｉに替え、あるいはＮｉに加え
て、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕの１種以上を添加した場合で
も、上記とほぼ同等の結果が得られた。また、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、ＣｏおよびＣｕの１種以上とＦｅとをターゲットに
用いて、窒素およびＡｒを含む雰囲気中で反応性高周波
スパッタ法により形成された記録薄膜と、Ｓｉ3 Ｎ4 の
誘電体薄膜とを用いた場合でも、上記とほぼ同等の結果
が得られた。
て、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕの１種以上を添加した場合で
も、上記とほぼ同等の結果が得られた。また、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、ＣｏおよびＣｕの１種以上とＦｅとをターゲットに
用いて、窒素およびＡｒを含む雰囲気中で反応性高周波
スパッタ法により形成された記録薄膜と、Ｓｉ3 Ｎ4 の
誘電体薄膜とを用いた場合でも、上記とほぼ同等の結果
が得られた。
【００８７】［実施例２］ポリカーボネートをテトラヒ
ドロフランに溶解して濃度２０％の塗布溶液を調製し
た。この塗布溶液をスピンコート法によりポリオレフィ
ン基板の表面に塗布し、基板表面層を形成した。基板表
面層の厚さを下記表２に示す。
ドロフランに溶解して濃度２０％の塗布溶液を調製し
た。この塗布溶液をスピンコート法によりポリオレフィ
ン基板の表面に塗布し、基板表面層を形成した。基板表
面層の厚さを下記表２に示す。
【００８８】この基板表面層の上に、実施例１のサンプ
ルNo. １と同様にして記録薄膜、誘電体薄膜、反射薄膜
および保護膜を形成し、光記録ディスクサンプルを作製
した。
ルNo. １と同様にして記録薄膜、誘電体薄膜、反射薄膜
および保護膜を形成し、光記録ディスクサンプルを作製
した。
【００８９】また、基板表面層の厚さを変更して複数の
サンプルを作製した。なお、サンプルNo.２−１は、サ
ンプルNo.１と同一の比較サンプルである。
サンプルを作製した。なお、サンプルNo.２−１は、サ
ンプルNo.１と同一の比較サンプルである。
【００９０】これらのサンプルについて、未記録部およ
び記録部それぞれの反射率を測定し、モジュレーション
を算出した。モジュレーションは、｛（未記録部の反射
率−記録部の反射率）／未記録部の反射率｝として求め
た。結果を表２に示す。
び記録部それぞれの反射率を測定し、モジュレーション
を算出した。モジュレーションは、｛（未記録部の反射
率−記録部の反射率）／未記録部の反射率｝として求め
た。結果を表２に示す。
【００９１】
【表２】
【００９２】表２に示される結果から、基板よりもガラ
ス転移点の低い基板表面層を設けることにより、ポリオ
レフィン基板を用いた場合でも十分なモジュレーション
が得られることがわかる。
ス転移点の低い基板表面層を設けることにより、ポリオ
レフィン基板を用いた場合でも十分なモジュレーション
が得られることがわかる。
【００９３】［実施例３］基板２の表面に、誘電体薄膜
４、記録薄膜３、反射薄膜５および保護膜６を形成し、
図２に示される第二の態様の光記録ディスクサンプルを
作製した。なお、記録薄膜の組成を実施例１の各サンプ
ルと同様に変更して、複数のサンプルを作製した。
４、記録薄膜３、反射薄膜５および保護膜６を形成し、
図２に示される第二の態様の光記録ディスクサンプルを
作製した。なお、記録薄膜の組成を実施例１の各サンプ
ルと同様に変更して、複数のサンプルを作製した。
【００９４】誘電体薄膜４、記録薄膜３および保護膜６
は実施例１と同様にして形成した。ただし、誘電体薄膜
４はＳｉＯ2 とし、厚さは１５００A とした。また、記
録薄膜３の厚さは、Ａｇを含有する場合は１０００A と
し、Ｆｅを含有する場合は８００A とした。また、反射
薄膜５は、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ合金をターゲットとしてス
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
は実施例１と同様にして形成した。ただし、誘電体薄膜
４はＳｉＯ2 とし、厚さは１５００A とした。また、記
録薄膜３の厚さは、Ａｇを含有する場合は１０００A と
し、Ｆｅを含有する場合は８００A とした。また、反射
薄膜５は、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ合金をターゲットとしてス
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
【００９５】これら各サンプルについて実施例１と同様
な測定を行なった結果、実施例１と同様に、元素Ｍの添
加量に応じてクロストークおよびジッターの増加が抑制
された。
な測定を行なった結果、実施例１と同様に、元素Ｍの添
加量に応じてクロストークおよびジッターの増加が抑制
された。
【００９６】また、これら各サンプルでは、未記録部の
反射率は４０〜５０％、記録部の反射率は２０〜３８％
であった。
反射率は４０〜５０％、記録部の反射率は２０〜３８％
であった。
【００９７】また、各サンプルを６０℃・８０％ＲＨで
１０００時間保存して、耐久保存性の試験を行なった結
果、エラー率は殆ど増加しなかった。
１０００時間保存して、耐久保存性の試験を行なった結
果、エラー率は殆ど増加しなかった。
【００９８】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、有機色素等の耐
光性の低い物質を用いないので極めて耐光性が高く、記
録前および記録後のいずれにおいても長期にわたって信
頼性の高い保存が可能である。また、記録薄膜が元素Ｍ
を含有するので、高温、高湿条件下で長時間保存した場
合のクロストークやジッターの増加を抑えることができ
る。
光性の低い物質を用いないので極めて耐光性が高く、記
録前および記録後のいずれにおいても長期にわたって信
頼性の高い保存が可能である。また、記録薄膜が元素Ｍ
を含有するので、高温、高湿条件下で長時間保存した場
合のクロストークやジッターの増加を抑えることができ
る。
【００９９】そして、第一の態様では、未記録部におい
て７０％程度以上の反射率が得られ、また、記録部では
５０％程度以下、特に２０％程度以下まで反射率が低下
するので、ＣＤ規格に対応する追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。また、記録感度が高く、例え
ば８mW以下の低パワーのレーザー光による記録が可能で
ある。
て７０％程度以上の反射率が得られ、また、記録部では
５０％程度以下、特に２０％程度以下まで反射率が低下
するので、ＣＤ規格に対応する追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。また、記録感度が高く、例え
ば８mW以下の低パワーのレーザー光による記録が可能で
ある。
【０１００】一方、第二の態様では、基板と記録薄膜と
の間に誘電体薄膜を設けるので、基板側からの水蒸気や
酸素の侵入を防止でき、さらに高い信頼性が得られる。
の間に誘電体薄膜を設けるので、基板側からの水蒸気や
酸素の侵入を防止でき、さらに高い信頼性が得られる。
【図１】本発明の光記録媒体の第一の態様の好適実施例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図２】本発明の光記録媒体の第二の態様の好適実施例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ２１ 凹部 ３ 記録薄膜 ３１ 空隙 ３２ 空隙 ４ 誘電体薄膜 ５ 反射薄膜 ５１ 凹部 ６ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−261039（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−31288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−27788（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149244（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−220150（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 511
Claims (11)
- 【請求項１】 基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜およ
び反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａｇ、Ｍ
（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択される少
なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍおよび
Ｎを含有することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記基板と前記記録薄膜との間に、前記
基板よりもガラス転移点の低い基板表面層を有する請求
項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記基板がポリオレフィンから構成さ
れ、前記基板表面層がポリカーボネートから構成される
請求項２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 基板表面に、誘電体薄膜、記録薄膜およ
び反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、Ａｇ、Ｍ
（Ｍは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＣｏおよびＣｕから選択される少
なくとも１種）およびＯを含有するか、Ｆｅ、Ｍおよび
Ｎを含有することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録薄膜中において、原子比Ｍ／
（Ａｇ＋Ｍ）または原子比Ｍ／（Ｆｅ＋Ｍ）が０超０．
５以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の光
記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が反応
性スパッタ法により形成されることを特徴とする光記録
媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する雰
囲気中において、ＡｇおよびＭをターゲットとして反応
性スパッタにより形成される請求項６に記載の光記録媒
体の製造方法。 - 【請求項８】 前記反応性スパッタに際して、全てのガ
スの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％とす
る請求項７に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する雰
囲気中において、ＦｅおよびＭをターゲットとして反応
性スパッタにより形成される請求項６に記載の光記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記反応性スパッタに際して、全ての
ガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％と
する請求項９に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記反応性スパッタ時の圧力が３×１
０-1〜１．０Paである請求項７ないし１０のいずれかに
記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03352006A JP3088168B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US08/257,578 US5401609A (en) | 1991-12-13 | 1994-06-09 | Optical recording medium and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03352006A JP3088168B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3088168B2 true JP3088168B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=18421138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03352006A Expired - Fee Related JP3088168B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| CN1659041A (zh) * | 2002-06-03 | 2005-08-24 | 先锋株式会社 | 信息记录介质及其制造方法 |
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| WO2004015703A1 (ja) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Sony Corporation | 光ディスク |
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| WO2005018947A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| EP1523002B1 (en) * | 2003-10-08 | 2008-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium, method of manufacturing the same, and sputtering target |
| JP2005161738A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光記録ディスクおよびその製造方法 |
| TW200615935A (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-16 | Ritek Corp | One-time writing high-density optical information recording medium |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| FR2884032B1 (fr) * | 2005-03-29 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique irreversible par formation de bulles ayant une hauteur limitee par la source de gaz les generant |
| JP4227122B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 情報記憶媒体、媒体処理装置、及び媒体処理方法 |
| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| JP2007323795A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体およびその表示方法 |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US20080057659A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates |
| US7544604B2 (en) * | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
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| US7432548B2 (en) * | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7776765B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
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| JP2012020530A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、およびスパッタリングターゲット |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2474222A1 (fr) * | 1980-01-23 | 1981-07-24 | Thomson Csf | Procede d'inscription thermo-optique d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede |
| FR2475271A1 (fr) * | 1980-02-01 | 1981-08-07 | Thomson Csf | Structure de memoire permanente, a inscription thermo-optique et lecture optique, et procede d'inscription dans une telle structure |
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| JPS5887183A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学記録材料 |
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| JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
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| JPS63200331A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Toshiba Corp | 記録媒体及び記録再生方法 |
| US4832012A (en) * | 1987-07-08 | 1989-05-23 | Vortran Medical Technology, Inc. | Intermittent signal actuated nebulizer |
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| US5219708A (en) * | 1989-05-02 | 1993-06-15 | Tdk Corporation | Optical disk |
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-
1991
- 1991-12-13 JP JP03352006A patent/JP3088168B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-09 US US08/257,578 patent/US5401609A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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