JP3085367B2 - Method of manufacturing magnetoresistive head - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの製造方法に係り、特にコンピュータ等の磁気記録
装置やＨＤＤ（ハードディスク駆動装置）に用いられる
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関するものである。
（より具体的には情報の書き込みを行う記録素子の磁極
層の製造方法に関する）BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magnetoresistive head, and more particularly to a method of manufacturing a magnetoresistive head used in a magnetic recording device such as a computer or a hard disk drive (HDD). is there.
(More specifically, it relates to a method for manufacturing a pole layer of a recording element for writing information.)

【０００２】[0002]

【従来の技術】図５に従来例を示す。この図５に示す従
来例は、一般的な磁気抵抗効果型ヘッドの構造を磁気デ
ィスク側からみた場合の一部省略した概略断面構造であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventional example. The conventional example shown in FIG. 5 is a schematic cross-sectional structure in which the structure of a general magnetoresistive head is partially omitted when viewed from the magnetic disk side.

【０００３】この図５において、スライダの一部を構成
するアルチック等のセラミック基板１０１上に、下シー
ルド１０２，第１の磁気分離層１０３，磁気抵抗効果素
子１０４，第２の磁気分離層１０５，上シールド兼下部
磁極１１２が順次積層されている。この内、磁気抵抗効
果素子１０４の図１における左右両側には、当該磁気抵
抗効果素子１０４とほぼ同一厚さの電極部１０４Ａ，１
０４Ｂがそれぞれ積層され同一層を構成している。上シ
ールド兼下部磁極１１２の図１における上側には、磁気
ギャップ１１６を介して当該上シールド兼下部磁極１１
２と平行に上部磁極１２０が積層されている。In FIG. 5, a lower shield 102, a first magnetic separation layer 103, a magnetoresistive element 104, a second magnetic separation layer 105, a lower shield 102, a first magnetic separation layer 103, The upper shield and lower magnetic pole 112 are sequentially stacked. The electrode portions 104A, 1 having substantially the same thickness as the magnetoresistive effect element 104 are provided on the left and right sides of the magnetoresistive effect element 104 in FIG.
04B are laminated to form the same layer. The upper shield / lower magnetic pole 11 is located above the upper shield / lower magnetic pole 112 in FIG.
The upper magnetic pole 120 is stacked in parallel with the second magnetic pole 2.

【０００４】この上シールド兼下部磁極１１２，上部磁
極１２０の磁気ディスク媒体への対向面の奥には、絶縁
体で挟まれたコイル（図示せず）が配置され、このコイ
ルからの発生磁界によって磁化された下部磁極１１２と
上部磁極１２０の間の磁気ギャップ１１６から漏れる磁
束によって、所定の情報の記録が行われるようになって
いる。A coil (not shown) sandwiched between insulators is arranged behind the upper shield / lower magnetic pole 112 and the upper magnetic pole 120 facing the magnetic disk medium. Prescribed information is recorded by the magnetic flux leaking from the magnetized magnetic gap 116 between the lower magnetic pole 112 and the upper magnetic pole 120.

【０００５】この場合、昨今にあっては、１平方センチ
メートルあたり３〔Ｇｂ〕以上という高密度記録が要求
される。このため、従来の飽和磁化が１０〔ｋＧ〕程度
のメッキＮｉＦｅ膜のみから形成される記録磁極では、
十分な記録性能が得られないというのが現状である。In this case, high-density recording of 3 [Gb] or more per square centimeter has recently been required. For this reason, in a conventional recording magnetic pole formed only from a plated NiFe film having a saturation magnetization of about 10 [kG],
At present, sufficient recording performance cannot be obtained.

【０００６】一方、高記録密度領域で十分な記録性能を
得るためには、磁極として飽和磁化の大きな材料の採用
が不可欠となっている。ここに、磁極の一部（特に磁気
ギャップに近い側の一部）に高飽和磁化膜を設けた磁極
の積層構造の必要性は存在することとなる。ここで、こ
の高飽和磁化膜を設けた磁極の積層構造（特に図４にお
ける上シールド兼下部磁極より下方部分）について、そ
の製造工程を図５に基づいて説明する。On the other hand, in order to obtain sufficient recording performance in a high recording density region, it is essential to use a material having a large saturation magnetization for the magnetic pole. Here, there is a need for a stacked structure of magnetic poles in which a high saturation magnetization film is provided on a part of the magnetic pole (particularly on the side close to the magnetic gap). Here, the manufacturing process of the laminated structure of the magnetic pole provided with the high saturation magnetization film (particularly, the portion below the upper shield and lower magnetic pole in FIG. 4) will be described with reference to FIG.

【０００７】図６において、まず、基板１０１上に（前
述した図５に示すように）、下シールド１０２，第１の
磁気分離層１０３，磁気抵抗効果素子１０４，第２の磁
気分離層１０５，上シールド兼下部磁極１１２が順次積
層されている。ここで、磁気抵抗効果素子１０４の図１
における左右両側には、当該磁気抵抗効果素子１０４と
ほぼ同一厚さの電極部１０４Ａ，１０４Ｂがそれぞれ積
層され同一層を構成している。次に、下地導体膜１１０
（図５では省略）をスパッタで形成し、その上にフォト
リソグラフィー技術によって所定パターンから成るレジ
スト層１１１を、比較的厚く形成する（図６の工程
（Ａ）参照）。In FIG. 6, first, on a substrate 101 (as shown in FIG. 5 described above), a lower shield 102, a first magnetic separation layer 103, a magnetoresistive element 104, a second magnetic separation layer 105, The upper shield and lower magnetic pole 112 are sequentially stacked. Here, FIG.
The electrode portions 104A and 104B having substantially the same thickness as the magnetoresistive effect element 104 are respectively laminated on the left and right sides of the device to form the same layer. Next, the base conductor film 110
(Omitted in FIG. 5) is formed by sputtering, and a relatively thick resist layer 111 having a predetermined pattern is formed thereon by photolithography (see step (A) in FIG. 6).

【０００８】続いて、電解メッキ法によってレジスト層
１１１が除去され露出した状態の下地導体膜１１０上
に、メッキＮｉＦｅ等の磁性膜１１２Ａを前述したレジ
スト層（レジストパターン層）１１１よりも薄く形成す
る。その後、この磁性膜１１２Ａおよび前述したレジス
ト層１１１の全体に、高飽和磁化材なら成る飽和磁化の
大きな磁性膜１１２Ｂを積層成膜する（図６（Ｂ）参
照）。Subsequently, a magnetic film 112A of NiFe or the like is formed thinner than the above-described resist layer (resist pattern layer) 111 on the underlying conductive film 110 in a state where the resist layer 111 is removed and exposed by the electrolytic plating method. . Thereafter, a magnetic film 112B having a high saturation magnetization, which is a high saturation magnetization material, is formed on the entire magnetic film 112A and the resist layer 111 (see FIG. 6B).

【０００９】次に、前述したレジスト層１１１をその上
方部分に付された磁性膜１１２Ｂとともに除去し、更に
当該除去したレジスト層１１１の下に位置していた部分
の下地導体膜１１０をも、イオンミリングにより除去す
る（図６（Ｃ）参照）。そして、先に形成した磁性膜１
１２Ａ，１１２Ｂの全域の内の下部磁極層１１２となる
領域部分をレジスト１１５で被覆する（図６（Ｄ）参
照）。Next, the above-described resist layer 111 is removed together with the magnetic film 112B provided on the upper portion thereof, and the underlying conductor film 110 in the portion located below the removed resist layer 111 is also ion-exchanged. It is removed by milling (see FIG. 6C). Then, the previously formed magnetic film 1
A portion of the entire region of 12A and 112B to be the lower magnetic pole layer 112 is covered with the resist 115 (see FIG. 6D).

【００１０】その後、エッチングにより、露出している
不要となった磁性膜１１２Ａ，１１２Ｂ，及びその下方
に位置する下地導体膜１１０を除去したのち、残ったレ
ジスト層１１５を除去することで所定パターンを有する
積層化した上シールド兼下部磁極層１２０を形成する。
そして、その後は、前述した図５に合わせて、磁気ギャ
ップ１１６および上部磁極１２０が積層される。After that, the exposed unnecessary magnetic films 112A and 112B and the underlying conductor film 110 located thereunder are removed by etching, and the remaining resist layer 115 is removed to form a predetermined pattern. The formed upper shield and lower magnetic pole layer 120 is formed.
Thereafter, the magnetic gap 116 and the upper magnetic pole 120 are stacked according to FIG. 5 described above.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この飽
和磁化の異なる二種類以上の磁性膜１１２Ａ，１１２Ｂ
から成る磁極層を形成する際に、前述した積層する磁性
膜１１２Ａ，１１２Ｂがメッキ膜とスパッタ膜の積層か
ら成る場合、特に、メッキ膜がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏのうち
少なくとも一つを主成分とし、スパッタ膜がＣｏ−Ｍ，
Ｆｅ−Ｍ，Ｎｉ−Ｍ（ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｙ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの内から選択される少なく
とも一種類の元素）を主成分とするスパッタ膜である場
合に、上記従来の製造方法で製造すると、時には、積層
した磁性膜が部分的に腐食してしまい、良好かつ安定な
磁気ヘッドの製造ができなくなる場合が生じていた。However, two or more types of magnetic films 112A and 112B having different saturation magnetizations.
When the magnetic layers 112A and 112B described above are formed by laminating a plating film and a sputtered film when forming the magnetic pole layer composed of, for example, the plating film mainly contains at least one of Ni, Fe and Co , The sputtered film is Co-M,
Fe-M, Ni-M (M is Ti, V, Cr, Y, Zr,
In the case of a sputtered film containing at least one element selected from Nb, Mo, Hf, Ta, and W) as a main component, when it is manufactured by the above-described conventional manufacturing method, sometimes the laminated magnetic film is partially In some cases, the magnetic head has been corroded, making it impossible to manufacture a good and stable magnetic head.

【００１２】これは、電解メッキ法によりメッキ磁性膜
を形成する際、メッキ浴中の酸性物質がメッキ磁性膜お
よび当該メッキ磁性膜をパターン化するために先に形成
されているレジスト層中或いはその表面に残留し、その
後に形成するスパッタ膜がこの残留物によって部分的に
腐食を起こすためと思考される。This is because, when a plating magnetic film is formed by an electrolytic plating method, an acidic substance in a plating bath is deposited in a plating magnetic film and a resist layer previously formed for patterning the plating magnetic film or in the resist layer. It is considered that the sputtered film remaining on the surface and subsequently formed is partially corroded by the residue.

【００１３】[0013]

【発明の目的】本発明は、上記した背景に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高密度記録を意図
して開発された異なる磁性膜の積層から成る磁極層を安
定かつ良好に形成し、これによって磁気抵抗効果型ヘッ
ドの耐久性増大を図った磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法を提供することを、その目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background, and has as its object to stably and favorably provide a magnetic pole layer composed of a stack of different magnetic films developed for high-density recording. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a magnetoresistive head in which the durability of the magnetoresistive head is increased.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドでは、例えば
下部磁極層（上シールド兼下部磁極層）は、以下に示す
方法によって製造される。In order to achieve the above object, in a magnetoresistive head according to the present invention, for example, a lower magnetic pole layer (an upper shield and lower magnetic pole layer) is manufactured by the following method. .

【００１５】まず、基板上に磁気抵抗効果を利用した読
み出し部を構成する所定の積層体を形成し、次に、例え
ば図３に示すように、下地導体膜１０を形成し、その上
にフォトリソグラフィー技術によって所定パターンから
成るレジスト層１１を形成する（図３の工程（Ａ）参
照）。First, a predetermined laminated body constituting a read section utilizing the magnetoresistance effect is formed on a substrate, and then, as shown in FIG. 3, for example, a base conductor film 10 is formed, and a photoconductor is formed thereon. A resist layer 11 having a predetermined pattern is formed by lithography (see step (A) in FIG. 3).

【００１６】次いで、電解メッキ法によりレジストが除
去されて露出した下地導体膜１０上にメッキＮｉＦｅ等
の磁性膜１２Ａを形成する（図３の工程（Ｂ）参照）。
次に、レジスト層１１を一度除去した後（図３の工程
（Ｃ）参照）、再度所定パターンのレジスト層１３を形
成し、その後、前述した磁性膜１２Ａとは異なる飽和磁
化を有する磁性膜１２Ｂを形成し（図３の工程（Ｃ）参
照）、しかる後、レジスト層１３をその上に位置する磁
性膜１２Ｂと共に除去し、更に、除去したレジスト層１
３の下に位置していた下地導体膜１０をイオンミリング
により除去する。Next, a magnetic film 12A of plated NiFe or the like is formed on the exposed underlying conductor film 10 from which the resist has been removed by electrolytic plating (see step (B) in FIG. 3).
Next, after the resist layer 11 is once removed (see step (C) in FIG. 3), a resist layer 13 having a predetermined pattern is formed again, and then the magnetic film 12B having a saturation magnetization different from that of the magnetic film 12A described above. (See step (C) in FIG. 3), and thereafter, the resist layer 13 is removed together with the magnetic film 12B located thereon, and further, the removed resist layer 1 is removed.
3 is removed by ion milling.

【００１７】続いて、先に形成した磁性膜１２Ａ及１２
Ｂ部分の内、下部磁極層１２となる部分をレジスト層１
５で被覆する（図３の工程（Ｃ）参照）。そして、その
後、エッチングによって、露出している不要となった磁
性膜及びその下方に位置する下地導体膜１７を除去した
のち、残ったレジスト２２を除去する。これにより、所
定パターンを有する積層化した下部磁極層１２が形成さ
れる。Subsequently, the previously formed magnetic films 12A and 12A
Of the portion B, the portion to be the lower magnetic pole layer 12 is
5 (see step (C) in FIG. 3). Then, after the exposed unnecessary magnetic film and the underlying conductive film 17 located thereunder are removed by etching, the remaining resist 22 is removed. Thereby, a laminated lower magnetic pole layer 12 having a predetermined pattern is formed.

【００１８】[0018]

【作用】異なる磁性膜の積層体からなる磁極層を形成す
る際、特にメッキ膜の磁性膜を形成する際には、パター
ン化するために先に形成されているレジスト層中、或い
はその表面にメッキ浴中に含まれる酸性物質が残存す
る。When forming a magnetic pole layer composed of a laminate of different magnetic films, particularly when forming a magnetic film of a plating film, the magnetic layer is formed on a surface of a resist layer previously formed for patterning or on the surface thereof. The acidic substance contained in the plating bath remains.

【００１９】このため、次に形成する膜，特にスパッタ
膜では、この酸性物質に対する耐腐食性が悪い場合があ
り、腐食され、良好かつ安定な磁気ヘッドの製造ができ
なくなる恐れがあった。For this reason, a film to be formed next, particularly a sputtered film, may have poor corrosion resistance to this acidic substance, and may be corroded, making it impossible to manufacture a good and stable magnetic head.

【００２０】しかしながら、ここで先に形成されている
レジスト層を除去し、新たにレジスト層を形成する（図
３の工程（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ））工程を加えることに
より、従来の製造方法では安定且つ良好に形成できなか
った（不可能であった）磁性膜の積層体から成る磁極層
を、形成することが可能となった。However, by removing the previously formed resist layer and adding a step of forming a new resist layer (steps (B), (C), and (D) in FIG. 3), the conventional method is used. It has become possible to form a pole layer consisting of a stack of magnetic films that could not be formed stably and satisfactorily (impossible).

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を、図
１乃至図３に基づいて説明する。ここで、図１は、磁気
ディスク媒体と対向する面（エアベアリング面）から観
察したときの本実施形態における磁気抵抗効果型ヘッド
の概略構成図である。図２（旧第４図）は図１における
二つの下地導体（後述する符号１０，１８に相当する）
を省略した場合を示す。更に、図３乃至図４は、図１に
示す磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the magnetoresistive head according to the present embodiment when observed from the surface (air bearing surface) facing the magnetic disk medium. FIG. 2 (formerly FIG. 4) shows two ground conductors in FIG. 1 (corresponding to reference numerals 10 and 18 described later).
Is omitted. 3 and 4 show a method of manufacturing the magnetoresistive head shown in FIG.

【００２２】まず、図１において、スライダの一部を構
成するアルチック等のセラミック基板１上には、下シー
ルド２，第１の磁気分離層３，磁気抵抗効果素子４，第
２の磁気分離層５が順次積層されている。ここで、磁気
抵抗効果素子４の図１における左右両側には、当該磁気
抵抗効果素子４とほぼ同一厚さの電極部４Ａ，４Ｂがそ
れぞれ積層され同一層を構成している。First, in FIG. 1, a lower shield 2, a first magnetic separation layer 3, a magnetoresistive element 4, a second magnetic separation layer 5 are sequentially stacked. Here, on both the left and right sides of the magnetoresistive element 4 in FIG. 1, the electrode portions 4A and 4B having substantially the same thickness as the magnetoresistive element 4 are respectively laminated to form the same layer.

【００２３】又、第２の磁気分離層５の図１における上
面側には、下部下地導体１０を介して、二層構造の下部
磁極（上シールド兼下部磁極）１２，磁気ギャップ１
６，上部第１磁性膜１７，上部下地導体１８および，上
部第２磁性膜１９が順次積層されている。そして、この
上部第１磁性膜１７および上部第２磁性膜１９によって
上部磁極２０が構成されている。On the upper surface side of the second magnetic separation layer 5 in FIG. 1, a lower magnetic pole (upper shield / lower magnetic pole) 12 and a magnetic gap 1 having a two-layer structure are interposed via a lower base conductor 10.
6, an upper first magnetic film 17, an upper base conductor 18, and an upper second magnetic film 19 are sequentially laminated. An upper magnetic pole 20 is formed by the upper first magnetic film 17 and the upper second magnetic film 19.

【００２４】ここで、前述した二層構造の下部磁極（上
シールド兼下部磁極）１２は、磁気ギャップ１６側に配
設された高飽和磁化材から成る一方の磁性膜１２Ａと、
これに積層された他方の磁性膜１２Ａとにより構成され
ている。また、前述した上部第２磁性膜２０の内、磁気
ギャップ１６に近い側の上部第１磁性膜１７が高飽和磁
化材から成る飽和磁化によって形成されている。Here, the lower magnetic pole (upper shield / lower magnetic pole) 12 having the two-layer structure described above includes one magnetic film 12 A made of a highly saturated magnetic material disposed on the magnetic gap 16 side,
It is composed of the other magnetic film 12A laminated thereon. Further, of the upper second magnetic film 20 described above, the upper first magnetic film 17 on the side closer to the magnetic gap 16 is formed by a saturation magnetization made of a high saturation magnetization material.

【００２５】更に、前述した二層構造の下部磁極（上シ
ールド兼下部磁極）１２，上部磁極２０の磁気ディスク
媒体への対向面の奥には、絶縁体で挟まれたコイル（図
示せず）が配置され、このコイルからの発生磁界によっ
て磁化された下部磁極１２と上部磁極２０の間の磁気ギ
ャップ１６から生じる漏れる磁束によって、所定の情報
の記録が行われるようになっている。Further, a coil (not shown) sandwiched between insulators is provided behind the lower magnetic pole (upper shield / lower magnetic pole) 12 and the upper magnetic pole 20 facing the magnetic disk medium in the two-layer structure. The predetermined information is recorded by a magnetic flux leaking from the magnetic gap 16 between the lower magnetic pole 12 and the upper magnetic pole 20 magnetized by the magnetic field generated from this coil.

【００２６】次に、上記実施形態における磁気抵抗効果
型ヘッドの製造工程を図３乃至図４に基づいて説明す
る。Next, a manufacturing process of the magnetoresistive head according to the above embodiment will be described with reference to FIGS.

【００２７】まず、図３において、上述したように、セ
ラミック基板１上には、下シールド２，第１の磁気分離
層３，磁気抵抗効果素子４，第２の磁気分離層５が順次
積層される。ここで、磁気抵抗効果素子４の図１におけ
る左右両側には、当該磁気抵抗効果素子４とほぼ同一厚
さの電極部４Ａ，４Ｂがそれぞれ積層され同一層を構成
している。かかる構成については、従来例における公知
の手法によって各層の積層構造が形成される。First, in FIG. 3, as described above, the lower shield 2, the first magnetic separation layer 3, the magnetoresistive element 4, and the second magnetic separation layer 5 are sequentially stacked on the ceramic substrate 1. You. Here, on both the left and right sides of the magnetoresistive element 4 in FIG. 1, the electrode portions 4A and 4B having substantially the same thickness as the magnetoresistive element 4 are respectively laminated to form the same layer. In such a configuration, a laminated structure of each layer is formed by a known method in a conventional example.

【００２８】次に、第２の磁気分離層５の図３における
上面に、下地導体膜１０としてＮｉＦｅスパッタ膜を１
００〔ｎｍ〕成膜し、その面上にフォトリソグラフィー
技術によって所定パターンから成る３〔μｍ〕厚のレジ
スト層１１を形成する（図３の工程（Ａ）参照）。Next, on the upper surface of the second magnetic separation layer 5 in FIG.
Then, a 3 [μm] -thick resist layer 11 having a predetermined pattern is formed on the surface by photolithography (see step (A) in FIG. 3).

【００２９】次いで、レジスト層１１が除去されて露出
した部分（レジスト層１１のパターンから外れた部分）
に電解メッキ法により２〔μｍ〕厚のメッキＮｉＦｅを
形成し、これを磁性膜１２Ａとした（図３の工程（Ｂ）
参照）。Next, a portion exposed by removing the resist layer 11 (a portion deviating from the pattern of the resist layer 11).
Then, plated NiFe having a thickness of 2 μm was formed by electrolytic plating, and this was used as a magnetic film 12A (step (B) in FIG. 3).
reference).

【００３０】次に、上述したレジスト層１１を一度除去
して（図３の（Ｃ）参照）、再びレジスト層１３を形成
する（図３の（Ｄ）参照）。そして、その後に膜厚０．
５〔μｍ〕のＣｏＺｒＴａ膜をスパッタで形成し、磁性
膜１２Ｂとした（図３の（Ｅ）参照）。この磁性膜１２
Ｂは、レジスト層１３および先に積層した磁性膜１２Ａ
を含む全面に積層される。Next, the above-described resist layer 11 is removed once (see FIG. 3C), and a resist layer 13 is formed again (see FIG. 3D). Then, after that, the film thickness is set to 0.
A 5 μm CoZrTa film was formed by sputtering to form a magnetic film 12B (see FIG. 3E). This magnetic film 12
B indicates the resist layer 13 and the previously laminated magnetic film 12A
Is laminated on the entire surface including

【００３１】この場合、磁性膜１２Ａを形成するＮｉＦ
ｅ膜の飽和磁化は１０〔ｋＧ〕、磁性膜１２Ｂを形成す
るＣｏＺｒＴａ膜の飽和磁化は１５〔ｋＧ〕とし、磁性
膜１２Ｂを高飽和磁化材で構成した。In this case, NiF for forming the magnetic film 12A is used.
The saturation magnetization of the e film was 10 [kG], the saturation magnetization of the CoZrTa film forming the magnetic film 12B was 15 [kG], and the magnetic film 12B was made of a high saturation magnetization material.

【００３２】次に、所定パターンのレジスト層１３をそ
の上方に付した部分の磁性膜１２Ｂと共に除去し、更に
除去したレジスト層１３の下に位置していたスパッタＮ
ｉＦｅ膜（下地導体膜１０）部分をイオンミリングによ
り除去する。その後、先に形成したメッキＮｉＦｅ膜
（磁性膜１２Ａ）とＣｏＺｒＴａ膜（磁性膜１２Ｂ）の
二層構造の積層体において下部磁極（上シールド兼下部
磁極）１２となる部分をレジスト層１５で被覆する（図
３の工程（Ｆ）参照）。Next, the resist layer 13 having a predetermined pattern is removed together with the portion of the magnetic film 12B provided above the resist layer 13, and the sputter N which is located under the removed resist layer 13 is removed.
The iFe film (underlying conductor film 10) is removed by ion milling. Thereafter, a portion serving as the lower magnetic pole (upper shield and lower magnetic pole) 12 in the two-layer structure of the previously formed plated NiFe film (magnetic film 12A) and CoZrTa film (magnetic film 12B) is covered with the resist layer 15. (See step (F) in FIG. 3).

【００３３】続いて、エッチングにより、露出している
部分で不要となった磁性膜１２Ａ，１２Ｂ及びその下方
に位置する下地導体膜１０を除去したのち、残ったレジ
スト層１５を除去し、これによって、磁性膜１２Ａ，１
２Ｂから成る下部磁極（上シールド兼下部磁極）１２が
形成される（図３の工程（Ｇ）参照）。Subsequently, after the unnecessary magnetic films 12A and 12B and the underlying conductor film 10 located under the unnecessary portions are removed by etching, the remaining resist layer 15 is removed. , Magnetic film 12A, 1
A lower magnetic pole (upper shield / lower magnetic pole) 12 made of 2B is formed (see step (G) in FIG. 3).

【００３４】次いで、磁気ギャップ１６となる膜厚０．
３５〔μｍ〕のアルミナ膜をスパッタで形成し、その上
に磁界発生用のコイル（図３の背面側、図中には示して
いない）を形成する。この磁界発生用のコイルは、所定
の条件でハードキュアしたフォトレジストによって上下
を挟まれて絶縁されている（図の奥側、図中には示して
いない）。Next, the thickness of the magnetic layer 16 is set to 0.
A 35 [μm] alumina film is formed by sputtering, and a coil for generating a magnetic field (the back side in FIG. 3, not shown in the figure) is formed thereon. The coil for generating the magnetic field is insulated from above and below by a hardened photoresist under a predetermined condition (rear side in the figure, not shown in the figure).

【００３５】次に、図１における磁気ギャップ１６の面
上に、上部磁極層２０を形成する工程を、図４に基づい
て説明する。Next, a process of forming the upper magnetic pole layer 20 on the surface of the magnetic gap 16 in FIG. 1 will be described with reference to FIG.

【００３６】まず、図３の工程（Ｇ）において成膜済の
第２の磁気分離層５上および下部磁極１２の磁性膜１２
Ｂ上の全面にわたって、磁性膜２０Ｂとして０．５〔μ
ｍ〕厚のＣｏＺｒＴａ膜をスパッタで形成し、更に、下
地導体層１８として膜厚１００〔ｎｍ〕のＮｉＦｅスパ
ッタ膜を形成する。その後、この下地導体層１８の上
に、磁性膜２０Ａを形成するために、フォトリソグラフ
ィの技術によって所定パターンから成る４〔μｍ〕厚の
フレームレジスト層１９を形成する（図４の工程（Ｈ）
参照）。First, the magnetic film 12 on the second magnetic separation layer 5 and the lower magnetic pole 12 which have been formed in the step (G) of FIG.
B over the entire surface of the magnetic film 20B as 0.5 [μ
m] thick CoZrTa film is formed by sputtering, and a NiFe sputtered film having a thickness of 100 [nm] is formed as the underlying conductor layer 18. Thereafter, a 4 [mu] m thick frame resist layer 19 of a predetermined pattern is formed on the underlying conductor layer 18 by photolithography in order to form a magnetic film 20A (step (H) in FIG. 4).
reference).

【００３７】次に、レジスト層１９が既に除去されて露
出した部分に、磁性膜２０Ａ用として、メッキＮｉＦｅ
を形成する（図４の工程（Ｉ）参照）。続いて、前述し
たフレームレジスト層１９を除去すると共に当該除去し
たフレームレジスト層の下部分に位置していた下地導体
膜１８，ＣｏＺｒＴａ膜（磁性膜２０Ｂ），およびアル
ミナ膜（磁気ギャップ１６）を、イオンミリングにより
除去する（図４の工程（Ｊ）参照）。更に、上部磁極層
２０となる部分をレジスト層２１で被覆する（図４の工
程（Ｋ）参照）。Next, the exposed portion of the resist layer 19 which has been removed is plated with NiFe for the magnetic film 20A.
(See step (I) in FIG. 4). Subsequently, the above-described frame resist layer 19 is removed, and the underlying conductor film 18, CoZrTa film (magnetic film 20B), and alumina film (magnetic gap 16) located under the removed frame resist layer are removed. It is removed by ion milling (see step (J) in FIG. 4). Further, a portion to be the upper magnetic pole layer 20 is covered with a resist layer 21 (see step (K) in FIG. 4).

【００３８】そして、その後、エッチングによって、露
出している不要となった部分を除去した後及びレジスト
層２１を除去する（図４の工程（Ｋ）参照）。これによ
り、磁気的に安定で且つ性能が良好な所定パターンを有
する飽和磁化の異なる磁性膜の積層から成る磁極（上部
磁極層２０）が形成される。Then, after the exposed unnecessary portions are removed by etching and the resist layer 21 is removed (see step (K) in FIG. 4). As a result, a magnetic pole (upper magnetic pole layer 20) formed of a stack of magnetic films having different saturation magnetizations and having a predetermined pattern that is magnetically stable and has good performance is formed.

【００３９】（比較例）従来例を示す図６で開示したよ
うに、下部磁極１１２の層を形成する際に、メッキ工程
とスパッタ工程とを連続して行い（図６の工程（Ｂ）参
照）、それ以外は図３ないし図４における実施形態の場
合と同様の工程を経て磁気抵抗効果型ヘッドを作製し
た。Comparative Example As shown in FIG. 6 showing a conventional example, when forming a layer of the lower magnetic pole 112, a plating step and a sputtering step are performed continuously (see step (B) in FIG. 6). 3), the other steps were the same as those in the embodiment shown in FIGS.

【００４０】つまり、下部磁極１１２をパターン化する
ためのレジスト層を形成した後、厚さ２〔μｍ〕のメッ
キＮｉＦｅ膜を電解メッキ法により形成し、更に、厚さ
０．５〔μｍ〕のＣｏＺｒＴａ膜を積層し、次いで前述
したレジスト層を除去することで所定の形状にパターン
化した磁性膜１１２Ａと磁性膜１１２Ｂの積層体から成
る下部磁極層１１２を形成した。That is, after forming a resist layer for patterning the lower magnetic pole 112, a plated NiFe film having a thickness of 2 [μm] is formed by electrolytic plating, and further, a plating NiFe film having a thickness of 0.5 [μm] is formed. By stacking a CoZrTa film and then removing the above-described resist layer, a lower magnetic pole layer 112 composed of a stacked body of a magnetic film 112A and a magnetic film 112B patterned into a predetermined shape was formed.

【００４１】しかしながら、この際、ＣｏＺｒＴａ膜に
直径で約５〔μｍ〕前後又はそれ以下の円上の腐食が多
数発生した。これは、先に形成したメッキＮｉＦｅを形
成する際のメッキ浴中の酸性物質が、磁極層１２をパタ
ーン化するために形成したレジスト層中およびその上面
に残留し、これが次に形成したＣｏＺｒＴａ膜を腐食す
るためである。However, at this time, a large number of circular corrosions of about 5 μm in diameter or less occurred in the CoZrTa film. This is because the acidic substance in the plating bath at the time of forming the previously formed plated NiFe remains in the resist layer formed for patterning the pole layer 12 and on the upper surface thereof, and this is the next formed CoZrTa film. To corrode.

【００４２】このように、従来技術による製造工程で
は、飽和磁化の異なる磁性膜の積層体から成る下部磁極
１１２を安定かつ良好に形成することができないという
場合が生じる。As described above, in the conventional manufacturing process, the lower magnetic pole 112 made of a laminated body of magnetic films having different saturation magnetizations may not be formed stably and satisfactorily.

【００４３】（上記実施形態との比較）最初に、上述し
た実施形態の製造工程により形成した磁気抵抗効果型ヘ
ッドをウエハから切り出し、磁気ディスク用のスライダ
形状に加工し、記録再生評価を行った。(Comparison with the above embodiment) First, the magnetoresistive head formed by the manufacturing process of the above embodiment was cut out from a wafer, processed into a slider shape for a magnetic disk, and evaluated for recording and reproduction. .

【００４４】その結果、再生波形の孤立波半値幅の小さ
い，且つノン−リニア・トランジッションシフト（ＮＬ
ＴＳ）の小さい良好な記録再生特性を得ることができ
た。これは上記図３乃至図４に示した製造工程によっ
て、異なる飽和磁化を有する磁性膜の積層から成る磁極
層１２が安定かつ良好に製造できたことによる。As a result, the reproduced waveform has a small solitary wave half width and a non-linear transition shift (NL).
Good recording / reproducing characteristics with small TS) were obtained. This is because the magnetic pole layer 12 composed of a stack of magnetic films having different saturation magnetizations was stably and satisfactorily manufactured by the manufacturing steps shown in FIGS.

【００４５】一方、比較例の製造工程によって作製した
磁気抵抗効果型ヘッドでは、再生波形の対象性は悪く、
バルクハウゼンノイズの発生も顕著に見られ、更に、ノ
ン−リニア−トランジッション−シフト（ＮＬＴＳ）の
改善も見られなかった。これは上記したように、ＣｏＺ
ｒＴａ膜に直径で約５〔μｍ〕程度以下の円状の腐食が
多数発生したため、安定かつ良好な製造ができなかった
こと、および磁性膜自体の磁気特性が劣化したことによ
ると考えられる。On the other hand, in the magnetoresistive head manufactured by the manufacturing process of the comparative example, the reproduced waveform has poor symmetry.
The occurrence of Barkhausen noise was also remarkably observed, and no improvement in non-linear-transition-shift (NLTS) was observed. This is, as described above, CoZ
It is considered that a large number of circular corrosion having a diameter of about 5 [μm] or less occurred in the rTa film, so that stable and good production could not be performed, and that the magnetic characteristics of the magnetic film itself deteriorated.

【００４６】又、上述した実施形態では、磁極層１２が
メッキＮｉＦｅ膜とスパッタＣｏＺｒＴａ膜で形成され
る場合について述べたが、これ以外に、前述したメッキ
膜がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１つを主成分とする
磁性膜で形成された場合にも同様の効果が得られる。Further, in the above-described embodiment, the case where the pole layer 12 is formed of the plated NiFe film and the sputtered CoZrTa film has been described. However, in addition to this, the above-mentioned plated film is formed of at least one of Ni, Fe, and Co. The same effect can be obtained also when the magnetic film is formed of a magnetic film mainly containing.

【００４７】更に、スパッタ膜がＣｏ−Ｍ、Ｆｅ−Ｍ，
Ｎｉ−Ｍ（ここで、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される少なくとも一
種類の元素）を主成分とする磁性層１２の場合でも同様
の効果が得られる。Further, the sputtering film is made of Co-M, Fe-M,
Ni-M (where M is Ti, V, Cr, Y, Zr, N
The same effect can be obtained also in the case of the magnetic layer 12 mainly containing at least one element selected from b, Mo, Hf, Ta, and W).

【００４８】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明によると、特に、
高密度記録を意図して飽和磁化の異なる磁性膜の積層か
ら成る磁極を形成する際、当該磁極を、積層する磁性膜
の耐食性に関係なく安定かつ良好に製造することが可能
となり、このため、磁気抵抗効果型ヘッドの耐久性を著
しく向上させることができるという従来にない優れた磁
気抵抗効果型ヘッド製造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, in particular,
When forming a magnetic pole composed of a stack of magnetic films having different saturation magnetizations for the purpose of high-density recording, the magnetic pole can be manufactured stably and well regardless of the corrosion resistance of the magnetic film to be stacked. It is possible to provide an excellent method of manufacturing a magnetoresistive head, which has not been heretofore excellent, in which the durability of the magnetoresistive head can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態を実施することによって完
成した磁気抵抗効果型ヘッドの積層構造を示す説明図で
ある。FIG. 1 is an explanatory view showing a laminated structure of a magnetoresistive head completed by carrying out an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の一実施形態を実施することによって完
成した磁気抵抗効果型ヘッドの一部省略した積層構造を
示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a partially omitted laminated structure of a magnetoresistive head completed by carrying out an embodiment of the present invention;

【図３】図１内に開示した下部磁極層の製造工程を示す
説明図であり、（Ａ）〜（Ｇ）の順に進行する。FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing process of the lower magnetic pole layer disclosed in FIG. 1, and proceeds in the order of (A) to (G).

【図４】図１内に開示した上部磁極層の製造工程を示す
説明図であり、（Ｈ）〜（Ｌ）の順に進行する。FIG. 4 is an explanatory view showing a manufacturing process of the upper magnetic pole layer disclosed in FIG. 1, and proceeds in the order of (H) to (L).

【図５】従来例における磁気抵抗効果型ヘッドの構造を
示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing the structure of a magnetoresistive head according to a conventional example.

【図６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの一部省略した下
部磁極層の製造工程を示す説明図であり、（Ａ）〜
（Ｅ）の順に進行する。FIG. 6 is an explanatory view showing a manufacturing process of a lower magnetic pole layer in which a part of a conventional magnetoresistive head is omitted, and FIGS.
The process proceeds in the order of (E).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ セラミック基板 ２ 下シールド ３，５ 磁気分離層 ４ 磁気抵抗効果素子 ４Ａ，４Ｂ 電極部 １０，１８ 下地導体層 １２ 下部磁極（上シールド兼下部磁極） １２Ａ，１２Ｂ 磁性膜 ２０ 上部磁極 ２０Ａ，２０Ｂ 磁性膜 １６ 磁気ギャップ １１，１３，１５，１９，２１ レジスト層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2 Lower shield 3,5 Magnetic separation layer 4 Magnetoresistive element 4A, 4B Electrode part 10,18 Under conductor layer 12 Lower magnetic pole (upper shield and lower magnetic pole) 12A, 12B Magnetic film 20 Upper magnetic pole 20A, 20B Magnetic Film 16 magnetic gap 11, 13, 15, 19, 21 resist layer

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 磁気抵抗効果を利用して情報の読み出し
を行う再生素子を有すると共に，下部磁極層，上部磁極
層および励磁用のコイル層を有し、前記下部磁極層と上
部磁極層との間に設けられたギャップに発生する磁界に
より情報の書き込みを行う記録素子を備え、前記下部磁
極層と上部磁極層の内の少なくとも一方の磁極層が飽和
磁化の異なる二種類以上の磁性膜の積層体により構成さ
れて成る磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記一方の磁極層の飽和磁化の形成に際し、フォトリソ
グラフィー技術によって所定パターンのレジスト層を形
成すると共に、前記二種類以上の磁性膜の内の一の磁性
膜を先ず形成し、その後に前記レジスト層を除去した
後、新たに所定パターンのレジスト層を形成し、次に、
前記一の磁性膜と異なる飽和磁化を有する磁性膜を成膜
し、続いて新たに形成したレジスト層を除去すると共に
不要箇所の成膜を除去することを特徴とした磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法。The present invention has a reproducing element for reading information utilizing a magnetoresistive effect, a lower magnetic pole layer, an upper magnetic pole layer, and a coil layer for excitation. A recording element for writing information by a magnetic field generated in a gap provided therebetween, wherein at least one of the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer is a stack of two or more magnetic films having different saturation magnetizations; In the magnetoresistive head comprising a magnetic body, a resist layer having a predetermined pattern is formed by photolithography when forming the saturation magnetization of the one pole layer, and one of the two or more magnetic films is formed. After first forming a magnetic film, after removing the resist layer, a new resist layer of a predetermined pattern is formed,
Manufacturing a magnetic film having a saturation magnetization different from that of the one magnetic film, and subsequently removing a newly formed resist layer and removing a film at an unnecessary portion. Method. 【請求項２】 前記飽和磁化の異なる二種類以上の磁性
膜の積層体から成る磁極層を、一の磁性膜はメッキの手
法をもって成膜すると共に他の一の磁性膜ははスパッタ
の手法をもって成膜することを特徴とした請求項１記載
の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。2. A magnetic pole layer comprising a laminate of two or more types of magnetic films having different saturation magnetizations, wherein one magnetic film is formed by plating and the other magnetic film is formed by sputtering. 2. The method for manufacturing a magnetoresistive head according to claim 1, wherein the film is formed. 【請求項３】 前記メッキ膜の形成に際しては、当該メ
ッキ膜の素材として、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１
つを主成分とすることを特徴とした請求項２記載の磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法。3. When forming the plating film, at least one of Ni, Fe, and Co is used as a material of the plating film.
3. The method for manufacturing a magnetoresistive head according to claim 2, wherein the main component is one. 【請求項４】 前記スパッタ膜の形成に際しては、当該
メッキ膜の素材として、Ｃｏ−Ｍ，Ｆｅ−Ｍ，Ｎｉ−Ｍ
（ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，
Ｔａ，Ｗ等から選択される少なくとも一種類の元素）を
主成分とするスパッタ膜であることを特徴とした請求項
２記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。4. When forming the sputter film, Co-M, Fe-M, Ni-M
(M is Ti, V, Cr, Y, Zr, Nb, Mo, Hf,
3. The method of manufacturing a magnetoresistive head according to claim 2, wherein the sputtered film is a film mainly composed of at least one element selected from Ta, W and the like.