JP3080142B2 - 電界放出型冷陰極の製造方法 - Google Patents
電界放出型冷陰極の製造方法Info
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- JP3080142B2 JP3080142B2 JP11681996A JP11681996A JP3080142B2 JP 3080142 B2 JP3080142 B2 JP 3080142B2 JP 11681996 A JP11681996 A JP 11681996A JP 11681996 A JP11681996 A JP 11681996A JP 3080142 B2 JP3080142 B2 JP 3080142B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型冷陰極
に関し、特にその製造方法に関する。
に関し、特にその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CRT(Cathode Ray Tube)や自発光型
フラットディスプレイパネル等に使用される電子銃の電
子源として、電界放出型冷陰極がある。
フラットディスプレイパネル等に使用される電子銃の電
子源として、電界放出型冷陰極がある。
【0003】図3に示すように、この種の電界放出型冷
陰極は、導電層31上に絶縁層32とゲート電極層33
とを順次積層し、ゲート電極層33及び絶縁層32に開
口部34を形成して、開口部34内に露出した導電層3
1上に先鋭化された陰極(エミッタチップ)35を形成
することにより得られる。通常、この電界放出型冷陰極
の製造は、半導体微細加工技術を用いて行われる。
陰極は、導電層31上に絶縁層32とゲート電極層33
とを順次積層し、ゲート電極層33及び絶縁層32に開
口部34を形成して、開口部34内に露出した導電層3
1上に先鋭化された陰極(エミッタチップ)35を形成
することにより得られる。通常、この電界放出型冷陰極
の製造は、半導体微細加工技術を用いて行われる。
【0004】電界放出型冷陰極における陰極35の材料
としては、高融点金属、炭化物、あるいは硼化物等を用
いる場合が多い。特に、高融点金属であるモリブデン
は、高放射電流密度が得られ、制御性の面で優れている
のでよく使用される。なお、モリブデンを用いた陰極の
形成は、Spindt等によりJournal of Applied Physics,V
ol.47 (1976) 5248頁に提案されているように、高真空
中での蒸着やスパッタ等の方法が用いられる。
としては、高融点金属、炭化物、あるいは硼化物等を用
いる場合が多い。特に、高融点金属であるモリブデン
は、高放射電流密度が得られ、制御性の面で優れている
のでよく使用される。なお、モリブデンを用いた陰極の
形成は、Spindt等によりJournal of Applied Physics,V
ol.47 (1976) 5248頁に提案されているように、高真空
中での蒸着やスパッタ等の方法が用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】電界放出型冷陰極は、
陰極を製造した後、次の工程に移行するため、あるい
は、次の工程において大気中に暴露される。このため、
陰極表面には、図4(a)に示すように大気成分の酸素
(MoO及びMoO2 41、MoO3 42)や炭素系ガ
ス等が吸着する。一般に、電界放出における電子の放出
特性は、陰極表面の仕事関数に大きく依存し、表面に付
着した酸素や炭素系ガス等は、その仕事関数を変動させ
る。したがって、大気中に暴露された電界放出型冷陰極
は、放出電流量の低下や電流変動の増大等が生じる。そ
こで、大気中に暴露された陰極の表面を清浄化する必要
がある。
陰極を製造した後、次の工程に移行するため、あるい
は、次の工程において大気中に暴露される。このため、
陰極表面には、図4(a)に示すように大気成分の酸素
(MoO及びMoO2 41、MoO3 42)や炭素系ガ
ス等が吸着する。一般に、電界放出における電子の放出
特性は、陰極表面の仕事関数に大きく依存し、表面に付
着した酸素や炭素系ガス等は、その仕事関数を変動させ
る。したがって、大気中に暴露された電界放出型冷陰極
は、放出電流量の低下や電流変動の増大等が生じる。そ
こで、大気中に暴露された陰極の表面を清浄化する必要
がある。
【0006】高融点金属の材料の表面清浄化法には、簡
便な方法として、高真空中で1500℃以上の高温処理
を行う方法がある。しかしながら、電界放出型冷陰極で
は一体形成された、導電層31、絶縁層32、及びゲー
ト電極層33が、それぞれ異なる融点や熱膨張係数を有
しているので、熱処理温度の上限が制限される。例え
ば、導電層31、絶縁層32、及びゲート電極層33
が、それぞれシリコン、シリコン酸化膜、及びモリブデ
ンであるとすると、これらの融点は、それぞれ1300
℃、1000℃、2600℃であるので、1000℃以
上の高温処理を行うことはできない。つまり、高温処理
ではその温度が制限されているために、図4(b)に示
すように、安定したMoOやMoO2 41を脱離させる
ことができず、電界放出型冷陰極の表面を完全に清浄化
することはできない。
便な方法として、高真空中で1500℃以上の高温処理
を行う方法がある。しかしながら、電界放出型冷陰極で
は一体形成された、導電層31、絶縁層32、及びゲー
ト電極層33が、それぞれ異なる融点や熱膨張係数を有
しているので、熱処理温度の上限が制限される。例え
ば、導電層31、絶縁層32、及びゲート電極層33
が、それぞれシリコン、シリコン酸化膜、及びモリブデ
ンであるとすると、これらの融点は、それぞれ1300
℃、1000℃、2600℃であるので、1000℃以
上の高温処理を行うことはできない。つまり、高温処理
ではその温度が制限されているために、図4(b)に示
すように、安定したMoOやMoO2 41を脱離させる
ことができず、電界放出型冷陰極の表面を完全に清浄化
することはできない。
【0007】本発明は、構成材料が許容する低温熱処理
を用いて陰極表面を清浄化し、安定した高放出電流を発
生させることができる電界放出型冷陰極の製造方法を提
供することを目的とする。
を用いて陰極表面を清浄化し、安定した高放出電流を発
生させることができる電界放出型冷陰極の製造方法を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電層
上に絶縁層及びゲート層を形成し、該ゲート層と前記絶
縁層とを部分的に除去して前記導電層の一部を露出さ
せ、露出した前記導電層上に金属材料からなるエミッタ
チップを形成した後、真空中に配置する電界放出型冷陰
極の製造方法において、前記エミッタチップの表面に、
前記導電層、前記絶縁層、前記ゲート層、及び前記エミ
ッタチップの耐熱範囲内の温度で真空中の加熱脱離が可
能なエミッタチップ材の酸化膜または窒化膜を、前記エ
ミッタチップの形成を行った真空容器内、または、該真
空容器にゲートバルブを介して連結された他の真空容器
内で形成し、該酸化膜または前記窒化膜を前記真空中に
配置される際に加熱除去するようにしたことを特徴とす
る電界放出型冷陰極の製造方法が得られる。
上に絶縁層及びゲート層を形成し、該ゲート層と前記絶
縁層とを部分的に除去して前記導電層の一部を露出さ
せ、露出した前記導電層上に金属材料からなるエミッタ
チップを形成した後、真空中に配置する電界放出型冷陰
極の製造方法において、前記エミッタチップの表面に、
前記導電層、前記絶縁層、前記ゲート層、及び前記エミ
ッタチップの耐熱範囲内の温度で真空中の加熱脱離が可
能なエミッタチップ材の酸化膜または窒化膜を、前記エ
ミッタチップの形成を行った真空容器内、または、該真
空容器にゲートバルブを介して連結された他の真空容器
内で形成し、該酸化膜または前記窒化膜を前記真空中に
配置される際に加熱除去するようにしたことを特徴とす
る電界放出型冷陰極の製造方法が得られる。
【0009】
【作用】Moの陰極を形成したあと、酸素雰囲気中で加
熱することにより形成された陰極表面の酸化膜はMoO
3 膜であって、低温加熱で容易に除去することができ
る。また、MoO3 膜は、電界放電型冷陰極が大気中に
暴露されたとき保護膜として働き、陰極の表面に、低温
加熱では除去困難なMoO膜、MoO2 膜等が形成され
ることを防止する。
熱することにより形成された陰極表面の酸化膜はMoO
3 膜であって、低温加熱で容易に除去することができ
る。また、MoO3 膜は、電界放電型冷陰極が大気中に
暴露されたとき保護膜として働き、陰極の表面に、低温
加熱では除去困難なMoO膜、MoO2 膜等が形成され
ることを防止する。
【0010】また、陰極形成時に、絶縁膜に付着したモ
リブデンも酸化され、低温加熱で除去される。したがっ
て、導電層とゲート電極層との間でのリーク電流を低減
でき、高放出電流を安定して発生させることができる。
リブデンも酸化され、低温加熱で除去される。したがっ
て、導電層とゲート電極層との間でのリーク電流を低減
でき、高放出電流を安定して発生させることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1に本発明の電界放出型
冷陰極の製造方法の一実施の形態の工程図を示す。
施の形態について説明する。図1に本発明の電界放出型
冷陰極の製造方法の一実施の形態の工程図を示す。
【0012】まず、本実施の形態では、図1(a)に示
すような電界放出型冷陰極(以下、素子と呼ぶ)を形成
する。即ち、n型に高ドープされた導電層(シリコン基
板)11上に、二酸化シリコン(SiO2)からなる絶
縁層12を厚さ500nm形成する。次に、モリブデン
(Mo)からなるゲート電極層13を厚さ200nm形成
する。そして、ゲート電極層13に径600nmの開口を
形成して絶縁層12をエッチングし、開口部14を形成
し、導電層11を露出させる。その後、開口部14内に
露出させた導電層11上に、真空蒸着法やスパッタ法等
により、金属モリブデンの陰極(エミッタチップ)15
を形成する。なお、ここまでの工程は、従来の技術の欄
で述べたように、Spindt等によって提案された、公知の
方法を用いることができる。
すような電界放出型冷陰極(以下、素子と呼ぶ)を形成
する。即ち、n型に高ドープされた導電層(シリコン基
板)11上に、二酸化シリコン(SiO2)からなる絶
縁層12を厚さ500nm形成する。次に、モリブデン
(Mo)からなるゲート電極層13を厚さ200nm形成
する。そして、ゲート電極層13に径600nmの開口を
形成して絶縁層12をエッチングし、開口部14を形成
し、導電層11を露出させる。その後、開口部14内に
露出させた導電層11上に、真空蒸着法やスパッタ法等
により、金属モリブデンの陰極(エミッタチップ)15
を形成する。なお、ここまでの工程は、従来の技術の欄
で述べたように、Spindt等によって提案された、公知の
方法を用いることができる。
【0013】上述のようにして、開口部14内に陰極1
5を形成したあと、ただちに素子を104 Pa台の酸素
雰囲気中に置き350℃から550℃に加熱する。これ
により、Mo陰極15の表面には、図1(b)に示すよ
うに、MoO3 酸化膜16が選択的に形成される。な
お、この工程は、陰極表面が大気中に暴露されることが
ないように、素子の製造を行なったチャンバーに加熱し
た酸素ガスを導入する、あるいは、素子の製造を行なっ
たチャンバーにゲートバルブを介して連結された酸素処
理専用真空チャンバーに搬送して行う。また、MoO3
酸化膜16の酸化膜形成条件は、N.Floquet 等によって
Surface Science vol.251/252 (1991)の第1044頁に報告
されている、Mo(100),(110),(111)
面上のMoO3 酸化物の選択成長条件を参考にした。
5を形成したあと、ただちに素子を104 Pa台の酸素
雰囲気中に置き350℃から550℃に加熱する。これ
により、Mo陰極15の表面には、図1(b)に示すよ
うに、MoO3 酸化膜16が選択的に形成される。な
お、この工程は、陰極表面が大気中に暴露されることが
ないように、素子の製造を行なったチャンバーに加熱し
た酸素ガスを導入する、あるいは、素子の製造を行なっ
たチャンバーにゲートバルブを介して連結された酸素処
理専用真空チャンバーに搬送して行う。また、MoO3
酸化膜16の酸化膜形成条件は、N.Floquet 等によって
Surface Science vol.251/252 (1991)の第1044頁に報告
されている、Mo(100),(110),(111)
面上のMoO3 酸化物の選択成長条件を参考にした。
【0014】MoO3 は揮発性の高い酸化物であること
が知られており、超高真空中でMo(100)面上のM
oO3 が、500℃程度の比較的低温で脱離すること
が、E.Bauer 等によってSurface Science vol.88 (197
9) の第31頁に報告されている。ここで、真空蒸着等の
方法により形成されるMo陰極15はランダムに配向し
た多結晶質であり、上記文献に記載されているような単
結晶ではない。しかしながら、発明者等の実験によれ
ば、陰極15の表面に形成されたMoO3 16も、単結
晶表面上のMoO3 と同様に、比較的低温の熱処理で除
去できることが確認できた。
が知られており、超高真空中でMo(100)面上のM
oO3 が、500℃程度の比較的低温で脱離すること
が、E.Bauer 等によってSurface Science vol.88 (197
9) の第31頁に報告されている。ここで、真空蒸着等の
方法により形成されるMo陰極15はランダムに配向し
た多結晶質であり、上記文献に記載されているような単
結晶ではない。しかしながら、発明者等の実験によれ
ば、陰極15の表面に形成されたMoO3 16も、単結
晶表面上のMoO3 と同様に、比較的低温の熱処理で除
去できることが確認できた。
【0015】素子は、この後、後述のように、CRTや
自発光型フラットディスプレイパネル等の装置に実装さ
れる。これらの実装の工程には、脱ガス工程が含まれて
おり、結果的に陰極15表面のMoO3 16は、真空中
で加熱される。したがって、脱ガス工程により、陰極1
5表面のMoO3 16は脱離し、図1(c)に示すよう
に、清浄な陰極15表面を得ることができる。また、こ
のとき、絶縁層12の沿面に陰極形成時に付着してしま
ったモリブデン(酸化され、MoO3 に変化している)
も脱離する。これにより、導電層11とゲート電極層1
3との間のリーク電流を低減し、絶縁耐圧劣化を防止す
ることができる。
自発光型フラットディスプレイパネル等の装置に実装さ
れる。これらの実装の工程には、脱ガス工程が含まれて
おり、結果的に陰極15表面のMoO3 16は、真空中
で加熱される。したがって、脱ガス工程により、陰極1
5表面のMoO3 16は脱離し、図1(c)に示すよう
に、清浄な陰極15表面を得ることができる。また、こ
のとき、絶縁層12の沿面に陰極形成時に付着してしま
ったモリブデン(酸化され、MoO3 に変化している)
も脱離する。これにより、導電層11とゲート電極層1
3との間のリーク電流を低減し、絶縁耐圧劣化を防止す
ることができる。
【0016】図2に、表面にMoO3 16が形成された
陰極15の熱処理時間とエミッション電流との関係を示
す。ここでは、熱処理温度を、350℃、400℃、及
び450℃とした。各温度において、エミッション電流
の増大は、それぞれ100分、10分、1分以上の経過
したとき飽和している。なお、加熱時におけるMoO3
16の脱離は、質量分析器を用いて確認した。
陰極15の熱処理時間とエミッション電流との関係を示
す。ここでは、熱処理温度を、350℃、400℃、及
び450℃とした。各温度において、エミッション電流
の増大は、それぞれ100分、10分、1分以上の経過
したとき飽和している。なお、加熱時におけるMoO3
16の脱離は、質量分析器を用いて確認した。
【0017】図2にから明らかなように、MoO3 16
の熱処理による離脱は、より高い温度で熱処理すれば、
短時間で終えることができる。しかしながら、熱処理の
温度は、素子全体が許容する温度範囲内としなければな
らない。例えば、図1に示すように、導電層11にシリ
コン、絶縁層12にシリコン酸化膜、ゲート電極層13
にモリブデンを用いた場合、これらの融点は、それぞ
れ、1300℃、1000℃、及び2600℃以上であ
り、この融点と、各材料の熱膨脹係数の差に対するマー
ジンを考慮すると800℃程度が熱処理温度の上限とな
る。また、素子を所定の装置に実装するとき、アルミニ
ウム合金等のワイヤー材を用いて配線する場合には、そ
の融点も考慮しなければならず、500℃程度以下に制
限される。
の熱処理による離脱は、より高い温度で熱処理すれば、
短時間で終えることができる。しかしながら、熱処理の
温度は、素子全体が許容する温度範囲内としなければな
らない。例えば、図1に示すように、導電層11にシリ
コン、絶縁層12にシリコン酸化膜、ゲート電極層13
にモリブデンを用いた場合、これらの融点は、それぞ
れ、1300℃、1000℃、及び2600℃以上であ
り、この融点と、各材料の熱膨脹係数の差に対するマー
ジンを考慮すると800℃程度が熱処理温度の上限とな
る。また、素子を所定の装置に実装するとき、アルミニ
ウム合金等のワイヤー材を用いて配線する場合には、そ
の融点も考慮しなければならず、500℃程度以下に制
限される。
【0018】また、MoO3 16は、室温程度では短時
間で脱離するようなこともなく、後工程への移行時、あ
るいは後工程において、素子が大気に暴露された際に陰
極15の保護膜として働く。つまり、MoO3 16は、
1500℃以上の高温でなければ脱離させることができ
ない安定したMoOやMoO2 の形成を防止する。
間で脱離するようなこともなく、後工程への移行時、あ
るいは後工程において、素子が大気に暴露された際に陰
極15の保護膜として働く。つまり、MoO3 16は、
1500℃以上の高温でなければ脱離させることができ
ない安定したMoOやMoO2 の形成を防止する。
【0019】最後に、電界放出型冷陰極を所定の装置に
実装する場合について説明する。まず、素子をCRT
(Cathode Ray Tube)に実装する場合、素子は所定のパ
ッケージ上にマウントされる。このとき、素子をマウン
トに接続固定するために導電性銀ペーストが用いられ
る。導電性銀ペースト(エポキシ樹脂)を固化するため
には、約150℃での熱処理が必要であるが、この熱処
理は短時間で終了するので、この段階では、陰極15表
面のMoO3 16は脱離しない。したがって、陰極15
の表面は依然MoO3 16により保護された状態であ
る。その後、CRT用電子銃としてパッケージにマウン
トされた素子は、CRTに封入実装される。このとき、
CRTの内部は、油拡散ポンプ等で真空引きされ、40
0℃前後の温度で管内の脱ガスが行われる。この工程に
より、陰極15表面のMoO3 は、陰極15から脱離
し、陰極15の表面は清浄化される。
実装する場合について説明する。まず、素子をCRT
(Cathode Ray Tube)に実装する場合、素子は所定のパ
ッケージ上にマウントされる。このとき、素子をマウン
トに接続固定するために導電性銀ペーストが用いられ
る。導電性銀ペースト(エポキシ樹脂)を固化するため
には、約150℃での熱処理が必要であるが、この熱処
理は短時間で終了するので、この段階では、陰極15表
面のMoO3 16は脱離しない。したがって、陰極15
の表面は依然MoO3 16により保護された状態であ
る。その後、CRT用電子銃としてパッケージにマウン
トされた素子は、CRTに封入実装される。このとき、
CRTの内部は、油拡散ポンプ等で真空引きされ、40
0℃前後の温度で管内の脱ガスが行われる。この工程に
より、陰極15表面のMoO3 は、陰極15から脱離
し、陰極15の表面は清浄化される。
【0020】また、素子を平面状に多数配列する自発光
型フラットパネルディスプレイに搭載する場合、パネル
の基板としてガラス基板が用いられると、装置の耐熱温
度はガラスの軟化点である600℃付近に制限される。
このフラットパネルディスプレイにおいても、パネル内
を高真空に維持するために、400℃程度で脱ガスが行
われる。つまり、CRTの場合と同様、脱ガスを行う際
に同時に陰極15の表面が清浄化される。
型フラットパネルディスプレイに搭載する場合、パネル
の基板としてガラス基板が用いられると、装置の耐熱温
度はガラスの軟化点である600℃付近に制限される。
このフラットパネルディスプレイにおいても、パネル内
を高真空に維持するために、400℃程度で脱ガスが行
われる。つまり、CRTの場合と同様、脱ガスを行う際
に同時に陰極15の表面が清浄化される。
【0021】このように、本実施の形態では、脱ガス工
程がMoO3 の脱離工程を兼ねるので、特に脱離工程を
行うことなく、陰極の表面を清浄化することができ、安
定した高放出電流を得ることができる。
程がMoO3 の脱離工程を兼ねるので、特に脱離工程を
行うことなく、陰極の表面を清浄化することができ、安
定した高放出電流を得ることができる。
【0022】なお、脱ガス工程の処理温度と時間とが、
MoO3 の脱離条件を満たさない場合は、別に加熱工程
を(電子放出を行う以前に)行なわなければならない。
MoO3 の脱離条件を満たさない場合は、別に加熱工程
を(電子放出を行う以前に)行なわなければならない。
【0023】また、上記実施の形態では、陰極としてモ
リブデンを用いた時に、その表面にMoO3 を形成する
場合について説明したが、他の陰極材料を用いた場合
に、比較的低温(素子が許容する温度)による真空中で
の加熱処理によって除去できる酸化物、窒化物等の化合
物をその陰極の表面に形成するようにしてもよい。
リブデンを用いた時に、その表面にMoO3 を形成する
場合について説明したが、他の陰極材料を用いた場合
に、比較的低温(素子が許容する温度)による真空中で
の加熱処理によって除去できる酸化物、窒化物等の化合
物をその陰極の表面に形成するようにしてもよい。
【0024】
【発明の効果】本発明にいれば、電界放出型冷陰極の陰
極を形成したあと、直ちに、陰極表面に酸化膜または窒
化膜を形成し、電界放出型冷陰極を所定の装置に実装す
る際にこの酸化膜または窒化膜を真空中で加熱脱離させ
るようにしたことで、素子の耐熱温度範囲内の温度では
加熱除去できない陰極表面への不純物の吸着を防止でき
るとともに、陰極表面を容易に清浄化できる。
極を形成したあと、直ちに、陰極表面に酸化膜または窒
化膜を形成し、電界放出型冷陰極を所定の装置に実装す
る際にこの酸化膜または窒化膜を真空中で加熱脱離させ
るようにしたことで、素子の耐熱温度範囲内の温度では
加熱除去できない陰極表面への不純物の吸着を防止でき
るとともに、陰極表面を容易に清浄化できる。
【0025】また、本発明によれば、陰極表面を清浄化
するだけでなく、導電層とゲート層との間の絶縁層沿面
に付着した陰極材料も同時に除去できるので、リーク電
流の発生や絶縁耐圧の劣化を防ぐことができる。
するだけでなく、導電層とゲート層との間の絶縁層沿面
に付着した陰極材料も同時に除去できるので、リーク電
流の発生や絶縁耐圧の劣化を防ぐことができる。
【図1】本発明による電界放出型冷陰極の製造方法の一
実施の形態を示す工程図である。
実施の形態を示す工程図である。
【図2】表面にMoO3 16が形成された陰極の熱処理
時間と放出電流量との関係を示すグラフである。
時間と放出電流量との関係を示すグラフである。
【図3】従来の電界放出型冷陰極の断面図である。
【図4】従来の電界放出型冷陰極の問題点を説明するた
めの図である。
めの図である。
11 導電層(シリコン基板) 12 絶縁層 13 ゲート電極層 14 開口部 15 陰極(エミッタチップ) 16 MoO3 酸化膜 31 導電層 32 絶縁層 33 ゲート電極層 34 開口部 35 陰極(エミッタチップ) 41 MoO,MoO2 42 MoO3
Claims (4)
- 【請求項1】 導電層上に絶縁層及びゲート層を形成
し、該ゲート層と前記絶縁層とを部分的に除去して前記
導電層の一部を露出させ、露出した前記導電層上に金属
材料からなるエミッタチップを形成した後、真空中に配
置する電界放出型冷陰極の製造方法において、前記エミ
ッタチップの表面に、前記導電層、前記絶縁層、前記ゲ
ート層、及び前記エミッタチップの耐熱範囲内の温度で
真空中の加熱脱離が可能なエミッタチップ材の酸化膜ま
たは窒化膜を、前記エミッタチップの形成を行った真空
容器内、または、該真空容器にゲートバルブを介して連
結された他の真空容器内で形成し、該酸化膜または前記
窒化膜を前記真空中に配置される際に加熱除去するよう
にしたことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項2】 前記酸化膜または前記窒化膜の形成が、
前記真空容器内への酸素ガスまたは窒素ガスの導入と、
加熱にとより行われることを特徴とする請求項1の電界
放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項3】 前記エミッタチップがモリブデンにより
形成されていることを特徴とする請求項1または2の電
界放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項4】 前記酸化膜がMoO3であることを特徴
とする請求項3の電界放出型冷陰極の製造方法。
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