JP3078675B2 - Film baking treatment equipment for workpieces - Google Patents
Film baking treatment equipment for workpiecesInfo
- Publication number
- JP3078675B2 JP3078675B2 JP04352572A JP35257292A JP3078675B2 JP 3078675 B2 JP3078675 B2 JP 3078675B2 JP 04352572 A JP04352572 A JP 04352572A JP 35257292 A JP35257292 A JP 35257292A JP 3078675 B2 JP3078675 B2 JP 3078675B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor wafer
- hot plate
- sparging element
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被処理物表面に酸化ケ
イ素被膜を形成するための焼き付け処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking treatment apparatus for forming a silicon oxide film on the surface of a workpiece.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハー表面に酸化ケイ素被膜を
焼き付けによって形成するには、先ず塗布装置のケース
内に設けたスピンナーに被処理物を載置し、スピンナー
上方に配置したノズルからＳＯＧ（Spin-On-Glass）原
料を滴下して回転塗布する。このＳＯＧ原料は、テトラ
ヒドロキシシラン等のケイ素化合物を水又は有機溶剤に
溶解したものである。2. Description of the Related Art In order to form a silicon oxide film on a semiconductor wafer surface by baking, first, an object to be processed is placed on a spinner provided in a case of a coating apparatus, and a SOG (Spin-Spin-) is placed from a nozzle arranged above the spinner. On-Glass) Raw material is dropped and spin-coated. This SOG raw material is obtained by dissolving a silicon compound such as tetrahydroxysilane in water or an organic solvent.
【０００３】上記回転塗布後、ＳＯＧ原料を塗布した半
導体ウェハーの裏面をチャックで吸着固定してホットプ
レート上へ搬送・載置し、約４５０℃で焼き付け処理を
行う。この焼き付け処理によって被処理物上に塗布され
た前記ケイ素化合物の脱水縮合反応が起こり、酸化ケイ
素膜（ＳＯＧ）が形成される。After the spin coating, the back surface of the semiconductor wafer coated with the SOG material is suction-fixed by a chuck, transported and placed on a hot plate, and baked at about 450.degree. The baking treatment causes a dehydration condensation reaction of the silicon compound applied on the object to be processed, and a silicon oxide film (SOG) is formed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記ホットプレートに
よる焼き付け処理において、酸素存在下でこの処理を行
うと形成される被膜に微細な亀裂が生じ、被処理物とし
て使用できなくなるため、窒素等の不活性ガス雰囲気中
で行うのが普通である。しかし、ホットプレート周辺に
は、被処理物の出入りに伴って外部の空気が流入するた
め、酸素濃度を低下させることは非常に困難であった。In the above baking process using a hot plate, if this process is performed in the presence of oxygen, a fine crack is formed in the formed film, and the film cannot be used as an object to be processed. Usually, it is performed in an active gas atmosphere. However, it is very difficult to reduce the oxygen concentration because outside air flows in and around the hot plate as the object to be processed enters and exits.
【０００５】またホットプレートの代わりに縦型炉或い
は横型炉を用いて熱処理する方法もあるが、炉の入口及
び出口周辺では温度が低下し、炉の中央部では温度が高
くなり過ぎる。従って、熱処理条件が不安定となる難点
があり、また炉の周辺は被処理物の出入りに伴って外部
の空気が流入するため、上記ホットプレートの場合と同
じく酸素濃度を低下させることは困難であった。There is also a method of performing heat treatment using a vertical furnace or a horizontal furnace instead of a hot plate. However, the temperature decreases around the inlet and outlet of the furnace, and the temperature becomes too high in the center of the furnace. Therefore, there is a problem that the heat treatment condition becomes unstable, and since the outside air flows in and around the furnace as the object to be processed enters and exits, it is difficult to lower the oxygen concentration as in the case of the hot plate. there were.
【０００６】本発明は、従来の技術が有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、被処理物を安定した温度及び低酸素下で焼き付
け処理し、良好なＳＯＧ被覆被処理物が得られる装置を
提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to bake an object to be processed at a stable temperature and low oxygen to obtain a good result. It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of obtaining an SOG-coated object.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明の被膜焼き付け処理装置は、ケイ素化合物溶液を被
処理物上に塗布するためのスピンナーと、前記ケイ素化
合物を焼き付け処理してＳｉＯ 2 被膜とするための複数
のホットプレートとを備えたものであって、夫々のホッ
トプレート上部に不活性ガスを散布するためのスパージ
ングエレメントを配置した。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, a film baking apparatus according to the present invention comprises a spinner for applying a silicon compound solution on an object to be processed, and a baking treatment of the silicon compound to form a SiO 2 film. A plurality of hot plates for forming a coating were provided, and a sparging element for spraying an inert gas was disposed on each of the hot plates.
【０００８】ホットプレートの温度に影響を与えないた
めに、散布する不活性ガスは予備加熱装置によって２０
０℃前後に加熱して、マニホールドを通じてスパージン
グエレメントへ供給することが好ましい。上記加熱した
不活性ガスが冷えないように、予備加熱装置はマニホー
ルド及びスパージングエレメントと近接して配置され、
且つマニホールドと直結されていることが好ましい。[0008] In order not to affect the temperature of the hot plate, the inert gas to be sparged is preheated by a preheating device.
It is preferable to heat the mixture to about 0 ° C. and supply it to the sparging element through the manifold. The pre-heating device is arranged close to the manifold and the sparging element so that the heated inert gas does not cool down,
In addition, it is preferable that it is directly connected to the manifold.
【０００９】外気の流入を避けるため、前記複数のホッ
トプレートの第１段目上流側（即ち、被処理物が搬入さ
れる側）に前記スパージングエレメントと同様のスパー
ジングエレメントを設け、また最終段目下流側（即ち、
被処理物が搬出される側）に、前記スパージングエレメ
ントを上部に配置したダミープレートを設けることが好
ましい。In order to avoid the inflow of outside air, a sparging element similar to the sparging element is provided on the upstream side of the first stage of the plurality of hot plates (ie, on the side where the object to be processed is carried in). Downstream (ie,
It is preferable that a dummy plate on which the sparging element is arranged is provided on the side where the object is carried out).
【００１０】またホットプレート周辺を低酸素状態に保
つため並びに処理温度を安定して保つために、前記スパ
ージングエレメント、ホットプレート、及びダミープレ
ートを一括して収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断
した第１層、前記予備加熱装置及びマニホールドを収納
し金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上
部に隣接する第２層、及びこの第２層の上面部及び側面
部を金属製隔壁で覆い且つ外気を流通させる第３層構造
とすることが好ましい。In order to keep the surroundings of the hot plate in a low oxygen state and to keep the processing temperature stable, the sparging element, the hot plate and the dummy plate are collectively housed and surrounded by a metal partition to protect the outside air. A first layer which is shut off, the preheating device and the manifold are housed and surrounded by a metal partition wall to shut off the outside air, and a second layer adjacent to the upper portion of the first layer, and upper and side portions of the second layer Is preferably covered by a metal partition wall and has a third layer structure in which outside air flows.
【００１１】上記に加え、更に外気との遮断を完全にす
るために前記第１層の被処理物搬入口及び搬出口の周辺
に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置するこ
とも好ましい。In addition to the above, in order to further completely shut off the outside air, it is preferable to dispose a shower for injecting an inert gas around the entrance and exit of the object to be treated in the first layer.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置は、
被処理物を積層してストックするためのカセットケー
ス、このカセットより搬送された被処理物を１枚ずつ冷
却するためのクーリングプレート、このクーリングプレ
ートから搬入された被処理物上にケイ素化合物溶液を塗
布するための塗布装置、その下流に配置される被処理物
を低酸素濃度状態で焼き付け処理するためのスパージン
グエレメントを備えた複数のホットプレート、及びＳi
Ｏ2被膜の形成された被処理物を積層してストックする
ためのカセットケースが搬送ライン上に一体化されてい
る。According to the present invention, there is provided an apparatus for baking a coating film for a workpiece.
A cassette case for stacking and stocking the objects to be processed, a cooling plate for cooling the objects to be processed conveyed from the cassette one by one, and a silicon compound solution being put on the objects to be processed carried in from the cooling plate. A coating device for coating, a plurality of hot plates provided with a sparging element for baking a workpiece disposed at a downstream side thereof in a low oxygen concentration state, and Si
A cassette case for stacking and stocking objects to be processed on which an O 2 film is formed is integrated on a transport line.
【００１３】[0013]
【実施例】以下に本発明に基づく実施例を図１乃至図６
に基づいて説明する。ここにおいて図１は本発明の焼き
付け処理装置の一例を示す概要図であり、図２は本発明
に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を示す平面工程図
（ａ）及び側面工程図（ｂ）、図３は同、クーリングプ
レートの一例を示す断面図（ａ）及び平面図（ｂ）、図
４は同、クーリングプレートからの被処理物の移送機構
の一例を説明する部分断面図、図５は同、塗布装置の一
例を示す断面図、図６は同、塗布装置からホットプレー
トまでの搬送機構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイ
クル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）、図７は従来の塗布
装置からホットプレートまでの搬送方法の例を示す平面
工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図
（ｃ）、図８は本発明に係るホットプレート周辺の一例
を示す側面断面図、図９は同、ホットプレート周辺の一
例を示す正面断面図、図１０は同、スパージングエレメ
ントの一例を示す部分拡大断面図、図１１は同、ホット
プレート上の被処理物の搬送機構の一例を説明する部分
断面図（ａ）及びホットプレートの一例を示す平面図
（ｂ）である。1 to 6 show an embodiment according to the present invention.
It will be described based on. Here, FIG. 1 is a schematic view showing an example of a baking treatment apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a plan process diagram (a) and a side process diagram (b) showing an example of a conveying method before and after a coating device according to the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view (a) and a plan view (b) showing an example of a cooling plate, and FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example of a mechanism for transferring an object to be processed from the cooling plate. FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the coating apparatus, and FIG. 6 is a plan process diagram (a), a cycle diagram (b), and a side process diagram (c) showing an example of a transport mechanism from the coating device to the hot plate. FIG. 7 is a plan view (a), a cycle diagram (b), and a side view (c) showing an example of a conventional transfer method from a coating apparatus to a hot plate, and FIG. 8 is an example of a hot plate periphery according to the present invention. FIG. 9 is a side sectional view showing the same hot plate. 10 is a front sectional view showing an example of a side, FIG. 10 is a partially enlarged sectional view showing an example of a sparging element, and FIG. 11 is a partial sectional view showing an example of a transfer mechanism of a workpiece on a hot plate. FIG. 4B) is a plan view showing an example of a hot plate.
【００１４】本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置
は図１に示すように、被処理物、例えば半導体ウェハー
Ｗを積層してストックするためのカセットケース１、こ
の半導体ウェハーＷを１枚ずつ冷却するためのクーリン
グプレート２、更に半導体ウェハーＷ上にケイ素化合物
溶液を塗布するためのスピンナー１８を備えた塗布装置
３、半導体ウェハーＷを焼き付け処理するための複数の
ホットプレート４及びＳiＯ2被膜の形成された半導体ウ
ェハーＷを積層してストックするためのカセットケース
５等の装置が搬送ライン上に一体化されている。As shown in FIG. 1, a coating film baking treatment apparatus for an object to be processed according to the present invention has a cassette case 1 for laminating and stocking an object to be processed, for example, semiconductor wafers W. cooling plate 2 for cooling, coating apparatus 3 further comprising a spinner 18 for applying a silicon compound solution onto the semiconductor wafer W, a plurality of hot plates 4 and SiO 2 film for processing baking the semiconductor wafer W An apparatus such as a cassette case 5 for laminating and stocking the formed semiconductor wafers W is integrated on a transport line.
【００１５】図１及び図２に示すように、半導体ウェハ
ーＷを目的の温度にまで冷却するためのクーリングプレ
ート２は塗布装置３と近接して設けられている。クーリ
ングプレート２と塗布装置３との間には半導体ウェハー
Ｗを搬送するためのチャック１４が配置されている。ま
た塗布装置３の周辺には同じく半導体ウェハーＷを搬送
するための搬送フォーク１５が配置されており、この搬
送フォーク１５には爪１６、爪２２及びフック１７が設
けられている。As shown in FIGS. 1 and 2, a cooling plate 2 for cooling a semiconductor wafer W to a target temperature is provided in the vicinity of a coating apparatus 3. A chuck 14 for transporting the semiconductor wafer W is arranged between the cooling plate 2 and the coating device 3. A transport fork 15 for transporting the semiconductor wafer W is also arranged around the coating device 3, and the transport fork 15 is provided with claws 16, claws 22 and hooks 17.
【００１６】クーリングプレート２は図３に示すよう
に、上部に半導体ウェハーＷを載置するための冷却プレ
ート６を備え、熱伝導性の良い金属で一体的に形成され
ており、内部には一定の温度に制御された水、エチレン
グリコール等の冷媒が循環する熱交換器（図示せず）を
備えている。また冷却プレート６には、クーリングプレ
ート２の前後、即ちカセットケースからクーリングプレ
ート２へ、及びクーリングプレート２から塗布装置３方
向へ半導体ウェハーＷを搬送するための搬送フォーク７
を通すために溝８が２本穿設されており、更に、半導体
ウェハーＷの裏面を汚さないための４本の突起９が突設
されている。As shown in FIG. 3, the cooling plate 2 is provided with a cooling plate 6 for mounting a semiconductor wafer W thereon, and is integrally formed of a metal having good heat conductivity, and has a fixed inside. And a heat exchanger (not shown) in which a coolant such as water or ethylene glycol controlled at a temperature of is circulated. The cooling plate 6 has a transport fork 7 for transporting the semiconductor wafer W before and after the cooling plate 2, that is, from the cassette case to the cooling plate 2 and from the cooling plate 2 to the coating device 3.
Two grooves 8 are formed to pass through, and four projections 9 are protruded to prevent the back surface of the semiconductor wafer W from being soiled.
【００１７】図４は、上記半導体ウェハーＷをクーリン
グプレート２から塗布装置３へ搬送するための機構を示
している。搬送フォーク７は、シリンダ１０によって上
下方向に駆動するロッド１１、及びシリンダ１０に固着
されたスライダ１２を前後に摺動させるためのガイドロ
ッド１３によって作動する。FIG. 4 shows a mechanism for transporting the semiconductor wafer W from the cooling plate 2 to the coating device 3. The transport fork 7 is operated by a rod 11 that is driven vertically by a cylinder 10 and a guide rod 13 that slides a slider 12 fixed to the cylinder 10 back and forth.
【００１８】また図５には塗布装置３が示されており、
この塗布装置３には温度及び湿度を調整された窒素、空
気等の気体が導入されるガス通路１９が設けられ、この
ガス通路１９は筒状ケース２０内のスピンナー１８上面
に開口するガス噴出孔２１につながっている。ガス噴出
孔２１は周方向に等間隔で多数設けられ、且つガス噴出
孔２１の向きは噴出された気体が半導体ウェハーＷの上
面を覆うように半導体ウェハーＷの中心部上方に向けら
れている。FIG. 5 shows a coating device 3.
The coating device 3 is provided with a gas passage 19 through which a gas such as nitrogen or air whose temperature and humidity are adjusted is introduced. The gas passage 19 is a gas ejection hole opened on the upper surface of the spinner 18 in the cylindrical case 20. It is connected to 21. A large number of gas ejection holes 21 are provided at equal intervals in the circumferential direction, and the direction of the gas ejection holes 21 is directed upward above the center of the semiconductor wafer W so that the ejected gas covers the upper surface of the semiconductor wafer W.
【００１９】図６（ａ）に示すように、スピンナー１８
とホットプレート４との間には半導体ウェハーＷを搬送
するためのチャック２３が配置されている。As shown in FIG. 6A, the spinner 18
A chuck 23 for transferring the semiconductor wafer W is disposed between the hot plate 4 and the hot plate 4.
【００２０】また図８及び図９に示すように、ホットプ
レート４周辺の焼き付け処理部は第１層、第２層及び第
３層に分割してある。このうち第１層は５個のホットプ
レート４ａ〜４ｅ（ホットプレート４の数は５又は６が
好ましい）、スパージングエレメント２７及びダミープ
レート４６を収納し、ＳＵＳ等の金属製隔壁２５で包囲
して外気と遮断してある。また第２層は第１層上部に隣
接して金属製隔壁２５、３０で遮蔽した形体で設けてあ
り、窒素等の不活性ガスの予備加熱装置２８及びマニホ
ールド２９を収納している。この第２層も全体が金属製
隔壁で包囲されて外気と遮断されている。更に第３層
は、第２層の上面部及び側面部を覆う金属製隔壁３０、
金属製上部外面隔壁３２及び金属製側部外面隔壁３３に
囲まれて形成された外気の通路である。また上記第１層
の前後には、不活性ガスが噴射されるシャワー室３４、
３５が設置されている。As shown in FIGS. 8 and 9, the baking processing section around the hot plate 4 is divided into a first layer, a second layer and a third layer. The first layer contains five hot plates 4a to 4e (the number of hot plates 4 is preferably 5 or 6), a sparging element 27 and a dummy plate 46, and is surrounded by a metal partition 25 such as SUS. Shielded from outside air. The second layer is provided adjacent to the upper portion of the first layer and is shielded by metal partition walls 25 and 30 and houses a preheating device 28 for inert gas such as nitrogen and a manifold 29. This second layer is also entirely surrounded by a metal partition and is shielded from the outside air. Further, the third layer is a metal partition 30 that covers the upper surface and side surfaces of the second layer,
The outside air passage is formed by being surrounded by the metal upper outer partition wall 32 and the metal side outer partition wall 33. In addition, before and after the first layer, a shower room 34 into which an inert gas is injected,
35 are installed.
【００２１】上述の焼き付け処理部は、第１層内の修理
及び点検を簡便に行うために、第２層及び第３層を持ち
上げてホットプレート４を露出できるように、図８に示
すように蝶番部５２及び取っ手５３が設けられている。
また第１層内の半導体ウェハーＷ上面の酸素濃度を測定
するためのガス採取管５４、第３層内に外気を通すため
の吸気孔５５及び排気孔５６も設けられている。As shown in FIG. 8, the above-described baking processing unit is configured to lift the second layer and the third layer to expose the hot plate 4 so as to easily repair and inspect the inside of the first layer. A hinge 52 and a handle 53 are provided.
Further, a gas sampling pipe 54 for measuring the oxygen concentration on the upper surface of the semiconductor wafer W in the first layer, and an intake hole 55 and an exhaust hole 56 for passing outside air into the third layer are provided.
【００２２】更に、スパージングエレメント２７と半導
体ウェハーＷとの間隔を自在に変更できるように、スパ
ージングエレメント２７にはマニホールド２９を介して
第３層上外面を貫通するロッド４７が取り付けてあり、
このロッド４７に付設したプレート４８の位置を第３層
上外面部に取り付けたボルト４９及びナット５０、５１
で調節できるようにしてある。Further, a rod 47 penetrating through the upper surface of the third layer via a manifold 29 is attached to the sparging element 27 so that the distance between the sparging element 27 and the semiconductor wafer W can be freely changed.
The position of the plate 48 attached to the rod 47 is determined by fixing the bolt 49 and the nuts 50 and 51 attached to the outer surface of the third layer.
It can be adjusted with.
【００２３】ホットプレート４は基本的に前記クーリン
グプレート２と同様の構成を有しており、上部に半導体
ウェハーＷを載置する加熱プレート３６を備え、熱伝導
性の良い金属で一体的に形成されており、内部にはヒー
タ又は熱媒体が循環する熱交換器（図示せず）を備えて
いる。また加熱プレート３６には搬送フォーク３７を通
すために溝３８が２本穿設されており、更に、半導体ウ
ェハーＷの裏面を汚さないための４本の突起３９が突設
されている。The hot plate 4 has basically the same configuration as the cooling plate 2 and includes a heating plate 36 on which a semiconductor wafer W is placed, and is integrally formed of a metal having good heat conductivity. It is and includes heat exchanger heater or heat medium body is circulated (not shown) inside. Further, the heating plate 36 is provided with two grooves 38 for passing the transport fork 37, and furthermore, four projections 39 are provided so as not to stain the back surface of the semiconductor wafer W.
【００２４】図１０はスパージングエレメント２７の部
分拡大断面図であり、ＳＵＳを焼結した不活性ガス散布
部４０と、同じくＳＵＳ板で形成された背面部４１とが
嵌着されてスパージングエレメント２７を形成してい
る。FIG. 10 is a partially enlarged cross-sectional view of the sparging element 27. The sparging element 27 is formed by fitting an inert gas spraying portion 40 made of SUS and a back portion 41 also formed of a SUS plate. Has formed.
【００２５】また図１１（ａ）には、半導体ウェハーＷ
を複数のホットプレート４上で順次搬送するための機構
を示してある。搬送フォーク３７は、シリンダ４２によ
って上下方向に駆動するロッド４３、及びシリンダ４２
に固着されたスライダ４４を前後に摺動させるためのガ
イドロッド４５によって作動する。更に図１１（ｂ）に
は、ホットプレート４上面部の半導体ウェハーＷ、加熱
プレート３６、溝３８及び突起３９の位置関係を示して
ある。FIG. 11A shows a semiconductor wafer W
Are sequentially shown on a plurality of hot plates 4. The transport fork 37 includes a rod 43 driven vertically by a cylinder 42 and a cylinder 42.
This is operated by a guide rod 45 for sliding the slider 44 fixed to the front and back. FIG. 11B shows the positional relationship among the semiconductor wafer W, the heating plate 36, the groove 38, and the protrusion 39 on the upper surface of the hot plate 4.
【００２６】上記構成の、本発明に係る焼き付け処理装
置は以下のようにして操作する。即ち、先ず図２に示す
ようにカセットケース１に積層された高温の半導体ウェ
ハーＷを１枚ずつクーリングプレート２に運び、クーリ
ングプレート２上で目的の温度にまで冷却する。The above-structured printing apparatus according to the present invention operates as follows. That is, first, as shown in FIG. 2, the high-temperature semiconductor wafers W stacked in the cassette case 1 are carried one by one to the cooling plate 2 and cooled to a target temperature on the cooling plate 2.
【００２７】冷却された半導体ウェハーＷをクーリング
プレート２から塗布装置３へ搬送するには、先ず図４に
示すように上下方向に駆動するシリンダ１０によってロ
ッド１１を上昇させる。するとロッド１１に連結した前
記２本の搬送フォーク７は溝８内から出て上昇し半導体
ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シリンダ１０に固着
されたスライダ１２をモータ等によりガイドロッド１３
に沿って摺動させる。すると搬送フォーク７もスライダ
１２と一体的に動作し、半導体ウェハーＷを進行方向
（図２のＡ点）へ移動させることができる。In order to transport the cooled semiconductor wafer W from the cooling plate 2 to the coating device 3, first, as shown in FIG. 4, the rod 11 is raised by the cylinder 10 which is driven in the vertical direction. Then, the two transfer forks 7 connected to the rod 11 rise out of the groove 8 and lift the semiconductor wafer W. Next, the slider 12 fixed to the cylinder 10 is moved to a guide rod 13 by a motor or the like.
Slide along. Then, the transport fork 7 also operates integrally with the slider 12, and can move the semiconductor wafer W in the traveling direction (point A in FIG. 2).
【００２８】Ａ点においては、図２に示すチャック１４
を上昇して半導体ウェハーＷの裏面を吸着させる。その
後、ロッド１１を下降させることによって搬送フォーク
７から半導体ウェハーＷを分離し、半導体ウェハーＷは
チャック１４上に残す。一方、搬送フォーク７は後退さ
せて当初の位置に戻し、次の半導体ウェハーＷを搬送す
るために待機させる。At the point A, the chuck 14 shown in FIG.
To adsorb the back surface of the semiconductor wafer W. Thereafter, the semiconductor wafer W is separated from the transport fork 7 by lowering the rod 11, and the semiconductor wafer W is left on the chuck 14. On the other hand, the transport fork 7 is retracted and returned to the initial position, and waits for transporting the next semiconductor wafer W.
【００２９】前記Ａ点に残留した半導体ウェハーＷを、
今度はチャック１４に吸着したままＢ点へ移動する。Ｂ
点においては、塗布装置３に係る搬送フォーク１５の爪
１６が移動してきたときに、前記チャック１４を下降さ
せてこの爪１６上へ半導体ウェハーＷを載せる。そして
チャック１４の下降が完了した後、爪１６をＣ点へ移動
させる。このとき、爪１６の端部に設けたフック１７に
半導体ウェハーＷの端部を掛けることによって、塗布装
置３に設けられたスピンナー１８の中心との位置合わせ
（センタリング）が容易となる。The semiconductor wafer W remaining at the point A is
This time, it moves to the point B while being attracted to the chuck 14. B
At this point, when the claw 16 of the transport fork 15 of the coating apparatus 3 moves, the chuck 14 is lowered to place the semiconductor wafer W on the claw 16. After the lowering of the chuck 14 is completed, the claw 16 is moved to the point C. At this time, by hooking the end of the semiconductor wafer W on the hook 17 provided on the end of the nail 16, alignment (centering) with the center of the spinner 18 provided on the coating apparatus 3 becomes easy.
【００３０】前記Ｃ点に移動した半導体ウェハーＷの下
方からスピンナー１８を上昇させて搬送フォーク１５の
爪１６よりも高い位置に押し上げ、半導体ウェハーＷを
吸着させる。この状態で、半導体ウェハーＷが下降して
も掛からない位置に爪１６を更に移動させておいてスピ
ンナー１８を下降させる。こうして回転塗布の態勢が整
う。搬送フォーク１５は中央位置に戻しておく。クーリ
ングプレート２と塗布装置３とは近接して設置してある
ため、搬送中の半導体ウェハーＷの温度変化はそれ程大
きくないが、クーリングプレート２と塗布装置３との間
を恒温に保つ手段を講じることも好ましい。The spinner 18 is lifted from below the semiconductor wafer W moved to the point C, and is pushed up to a position higher than the claw 16 of the transport fork 15 to attract the semiconductor wafer W. In this state, the nail 16 is further moved to a position where the semiconductor wafer W does not catch even when the semiconductor wafer W is lowered, and the spinner 18 is lowered. Thus, the spin coating is ready. The transport fork 15 is returned to the center position. Since the cooling plate 2 and the coating device 3 are arranged close to each other, the temperature change of the semiconductor wafer W during the transfer is not so large, but a means for keeping the temperature between the cooling plate 2 and the coating device 3 constant is taken. It is also preferred.
【００３１】塗布装置３は図５に示すように、前記温度
及び湿度を調整済みの噴出された気体が半導体ウェハー
Ｗの上面を覆うように、複数のガス噴出孔２１の向きは
半導体ウェハーＷの中心部上方に向けられているが、塗
布装置３への気体の供給方法には特に制限はなく、ガス
噴出孔２１を用いる上記方法の他、塗布液に影響を与え
ない程度の風速で半導体ウェハーＷ上方から半導体ウェ
ハーＷへ向けて噴射する等の手段をとってもよい。また
気体の温度及び湿度を調整する装置としては公知のもの
が使用でき、また本発明の塗布設備専用である必要もな
く、例えば工場内に配設された窒素ラインから供給され
る窒素を熱交換器を通して温度調整して用いてもよい。As shown in FIG. 5, the direction of the plurality of gas ejection holes 21 of the semiconductor wafer W is adjusted so that the ejected gas whose temperature and humidity have been adjusted covers the upper surface of the semiconductor wafer W, as shown in FIG. Although directed to the upper part of the center, the method of supplying gas to the coating apparatus 3 is not particularly limited. In addition to the above-described method using the gas ejection holes 21, the semiconductor wafer is supplied at a wind speed that does not affect the coating liquid. Means such as spraying from above the W toward the semiconductor wafer W may be employed. In addition, as a device for adjusting the temperature and humidity of the gas, known devices can be used, and there is no need to use the device exclusively for the coating equipment of the present invention. For example, heat exchange with nitrogen supplied from a nitrogen line provided in a factory is performed. It may be used by adjusting the temperature through a vessel.
【００３２】半導体ウェハーＷはクーリングプレート２
によって既に目的の温度に調整してあるため、塗布装置
３内で上述の温度及び湿度を調整された気体雰囲気中に
この半導体ウェハーＷを載置すれば、改めて温度が安定
するまで待つ無駄がなくなる。また湿度については、湿
気の影響を受けやすいＳＯＧ、ＢＳＯＧ等の塗布液の場
合は脱湿を十分に行い、また乾燥し過ぎないほうがよ
い。水溶性塗布液等の場合は適度な湿度にコントロール
する等、塗布液の種類に応じた湿度調整を行うことが必
要である。The semiconductor wafer W has a cooling plate 2
Therefore, if the semiconductor wafer W is placed in the gas atmosphere in which the temperature and humidity are adjusted in the coating apparatus 3 because the target temperature has already been adjusted, there is no need to wait until the temperature is stabilized again. . Regarding humidity, in the case of a coating liquid such as SOG or BSOG which is easily affected by humidity, it is better to sufficiently dehumidify and not to dry too much . In the case of a water-soluble coating solution or the like, it is necessary to adjust the humidity according to the type of the coating solution, such as controlling the humidity to an appropriate level.
【００３３】上記の温度及び湿度を調整した雰囲気中で
半導体ウェハーＷを回転塗布した後、スピンナー１８が
上昇しても掛からないように爪２２をＣ点側に移動させ
てから、スピンナー１８を上昇させる。そして搬送フォ
ーク１５の爪２２をスピンナー１８の下に移動し、スピ
ンナー１８を下降させて半導体ウェハーＷを爪２２に移
す。次に爪２２をＤ点のチャック２３上に移動し、チャ
ック２３を上昇させて半導体ウェハーＷを吸着させ、搬
送フォーク１５は中央位置（Ｃ点）に戻す。After the semiconductor wafer W is spin-coated in an atmosphere in which the temperature and humidity are adjusted, the claws 22 are moved to the point C so that the spinner 18 does not catch even if the spinner 18 rises. Let it. Then, the claw 22 of the transport fork 15 is moved below the spinner 18, and the spinner 18 is lowered to transfer the semiconductor wafer W to the claw 22. Next, the claw 22 is moved onto the chuck 23 at the point D, the chuck 23 is raised to suck the semiconductor wafer W, and the transport fork 15 is returned to the center position (point C).
【００３４】図６に示すように、Ｄ点でチャック２３に
吸着された半導体ウェハーＷはＦ点に搬送され、ホット
プレート４ａの入口に置かれる。このチャック２３によ
る搬送機構を説明すると、Ｄ点において上昇状態で半導
体ウェハーＷを吸着したチャック２３は、図６（ｂ）の
サイクル図に示すように上昇状態のままＥ点を通過し、
Ｆ点に達して下降する。この結果、半導体ウェハーＷは
ホットプレート４を縦貫する搬送フォーク２４の一端に
移載される。一方、空になったチャック２３はＦ点上で
再度上昇され、Ｅ点に移動してから下降される。その後
下降状態のままＤ点に戻り、次の半導体ウェハーＷを待
機する状態に入る。As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer W attracted to the chuck 23 at the point D is conveyed to the point F and placed at the entrance of the hot plate 4a. The transfer mechanism using the chuck 23 will be described. The chuck 23 that has sucked the semiconductor wafer W in the ascending state at the point D passes through the point E in the ascending state as shown in the cycle diagram of FIG.
It reaches point F and descends. As a result, the semiconductor wafer W is transferred to one end of the transport fork 24 that passes through the hot plate 4. On the other hand, the emptied chuck 23 is raised again at the point F, moved to the point E, and then lowered. Thereafter, the state returns to the point D in the descending state, and enters a state of waiting for the next semiconductor wafer W.
【００３５】上記Ｅ点とＦ点との間は、前記金属製隔壁
２５で隔てられており、Ｆ点は前記第１層の中に在る。
従って、図７に示す従来法のように、ｄ点（本願発明の
Ｄ点に対応）で上昇して半導体ウェハーＷを吸着したチ
ャック１２３を上昇状態のまま金属製隔壁１２５を通過
してｆ点（本願発明のＦ点に対応）に運び、ここで下降
して半導体ウェハーＷを搬送フォーク１２４の一端に移
載し、この下降状態のまま再度金属製隔壁１２５を通過
してｄ点に戻る機構では、図７（ｃ）に示すように金属
製隔壁１２５にチャック１２３を通すための大きな開口
部１２６（斜線で表示）が必要となる。この開口部１２
６が大きいと、外気が流入し易くなるため第１層内を低
酸素状態に保つことが困難となる。The points E and F are separated by the metal partition 25, and the point F is in the first layer.
Therefore, as in the conventional method shown in FIG. 7, the chuck 123 that has risen at the point d (corresponding to the point D of the present invention) and has attracted the semiconductor wafer W has passed through the metal partition 125 while being lifted, and the point f. (Corresponding to the point F of the present invention), the semiconductor wafer W is lowered and transferred to one end of the transfer fork 124, and passes through the metal partition 125 again in this lowered state to return to the point d. In this case, as shown in FIG. 7C, a large opening 126 (shown by oblique lines) for passing the chuck 123 through the metal partition 125 is required. This opening 12
When 6 is large, it becomes difficult to keep the inside of the first layer in a low oxygen state because outside air flows easily.
【００３６】これに対して、上述の本願の方法ではＥ点
とＦ点との間の移動は往復とも上昇状態で行うため、図
６（ｃ）に示すように金属製隔壁２５の開口部２６（斜
線で表示）は従来に比較して非常に小さくて済む。従っ
て、外気は流入し難くなるため第１層内を低酸素状態に
保つことが容易となる。On the other hand, in the above-described method of the present invention, the movement between the points E and F is performed in an ascending and reciprocating manner, so that the opening 26 of the metal partition wall 25 as shown in FIG. (Indicated by diagonal lines) can be much smaller than in the past. Therefore, since the outside air is less likely to flow, it is easy to maintain the inside of the first layer in a low oxygen state.
【００３７】上述の外気の流入を更に完全に防ぐため
に、Ｅ点とＦ点との間の第１層入口近辺にシャワー室３
４が配置され、この中に不活性ガスが吹き出るようにな
っている。シャワー室３４で使用する不活性ガスはマニ
ホールド２９から供給されるものであっても、或いは別
のラインから供給されるものであってもよい。In order to more completely prevent the above-mentioned inflow of outside air, the shower room 3 is placed near the entrance of the first layer between the points E and F.
4 is disposed therein, into which an inert gas is blown. The inert gas used in the shower room 34 may be supplied from the manifold 29 or may be supplied from another line.
【００３８】前記Ｆ点において搬送フォーク２４の一端
に移載された半導体ウェハーＷの上面へは、スパージン
グエレメント２７から不活性ガスが散布される。スパー
ジングエレメント２７を用いた不活性ガスの散布はＦ点
の他、ホットプレート４及びダミープレート４６におい
ても行う。スパージングエレメント２７への不活性ガス
の供給は、図９に示すように外部供給源から送られた不
活性ガスを予備加熱装置２８で例えば２００℃に加熱
し、これをマニホールド２９に送り、ここから各スパー
ジングエレメント２７へ分配する。An inert gas is sprayed from the sparging element 27 onto the upper surface of the semiconductor wafer W transferred to one end of the transport fork 24 at the point F. The sparging of the inert gas using the sparging element 27 is performed on the hot plate 4 and the dummy plate 46 in addition to the point F. To supply the inert gas to the sparging element 27, as shown in FIG. 9, the inert gas sent from the external supply source is heated to, for example, 200 ° C. by the pre-heating device 28, and is sent to the manifold 29. Distribute to each sparging element 27.
【００３９】上記外部供給源の例としては、工場内に配
設されたラインから供給される窒素等が挙げられる。ま
た予備加熱装置２８は加熱時に粉塵等を生じず、半導体
レベルの清浄な不活性ガスを供給できるものであること
が必要である。予備加熱装置２８及びマニホールド２９
は近接されて外気の出入りのない第２層に配置されてい
るため、加熱された不活性ガスの温度が低下することが
ない。Examples of the above-mentioned external supply source include nitrogen supplied from a line provided in a factory. Further, the preheating device 28 must be capable of supplying a clean inert gas at a semiconductor level without generating dust or the like during heating. Preheating device 28 and manifold 29
Is disposed in the second layer, which is close to and does not allow the outside air to enter and exit, so that the temperature of the heated inert gas does not decrease.
【００４０】スパージングエレメント２７は図１０に示
すように焼結金属（ＳＵＳ）で形成された散布部４０か
ら不活性ガスが散布される方式になっている。本発明に
おいては、図１１に示すように半導体ウェハーＷの表面
積（又は外径）よりも１〜３割大きい外径のスパージン
グエレメント２７を使用する。このため半導体ウェハー
Ｗを十分な不活性ガス雰囲気に置くことができ、特に各
ホットプレート４に載置され半導体ウェハーＷの周辺に
おいては、酸素濃度２０ｐｐｍ以下に調整することが可
能である。As shown in FIG. 10, the sparging element 27 has a system in which an inert gas is sprayed from a spraying section 40 formed of sintered metal (SUS). In the present invention, as shown in FIG. 11, a sparging element 27 having an outer diameter that is 10 to 30% larger than the surface area (or outer diameter) of the semiconductor wafer W is used. Therefore, the semiconductor wafer W can be placed in a sufficient inert gas atmosphere. In particular, the oxygen concentration around the semiconductor wafer W placed on each hot plate 4 can be adjusted to 20 ppm or less.
【００４１】上述のように搬送フォーク２４の一端に載
せられてスパージングエレメント２７から不活性ガスを
散布された状態の半導体ウェハーＷは、次にホットプレ
ート４に搬送される。この搬送方法は、上記クーリング
プレート２周辺の搬送機構と本質的に同じであるが、先
ず図１１（ａ）に示すように上下方向に駆動するシリン
ダ４２によってロッド４３を上昇させる。するとロッド
４３に連結した２本の搬送フォーク３７は溝３８内から
出て上昇し半導体ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シ
リンダ４２に固着されたスライダ４４をモータ等により
ガイドロッド４５に沿って摺動させる。すると搬送フォ
ーク３７もスライダ４４と一体的に動作し、半導体ウェ
ハーＷを進行方向へ、即ちホットプレート４ａ、４ｂ、
４ｃ、４ｄ、４ｅの順に移動させることができる。The semiconductor wafer W placed on one end of the transfer fork 24 and having the sparging element 27 sprayed with the inert gas as described above is then transferred to the hot plate 4. This transfer method is essentially the same as the transfer mechanism around the cooling plate 2, but first, as shown in FIG. 11A, the rod 43 is moved up by the cylinder 42 which is driven in the vertical direction. Then, the two transport forks 37 connected to the rod 43 rise out of the groove 38 and lift the semiconductor wafer W. Next, the slider 44 fixed to the cylinder 42 is slid along the guide rod 45 by a motor or the like. Then, the transport fork 37 also operates integrally with the slider 44, and moves the semiconductor wafer W in the traveling direction, that is, the hot plates 4a, 4b,
4c, 4d, and 4e can be moved in this order.
【００４２】焼き付け処理を終了した半導体ウェハーＷ
はダミープレート４６へ搬送される。このダミープレー
ト４６は第１層の半導体ウェハーＷの搬出口に隣接して
設けてあり、ホットプレート４への外気の影響を避ける
ためのものである。また上記半導体ウェハーＷの搬出口
外側に設けたシャワー室３５も目的は同じくホットプレ
ート４への外気の影響を避けることにある。The semiconductor wafer W that has completed the baking process
Is transported to the dummy plate 46. The dummy plate 46 is provided adjacent to the loading / unloading port of the first-layer semiconductor wafer W to avoid the influence of the outside air on the hot plate 4. The purpose of the shower room 35 provided outside the carry-out port of the semiconductor wafer W is also to avoid the influence of the outside air on the hot plate 4.
【００４３】上記によって焼き付け処理部を経た半導体
ウェハーＷは、カセットケース５へ搬送される。The semiconductor wafer W having passed through the baking processing section as described above is transferred to the cassette case 5.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の被処理
物用被膜焼き付け処理装置は、複数のホットプレートを
備え且つ夫々のホットプレート上部に不活性ガスを散布
するためのスパージングエレメントを配置したため、被
処理物を安定した温度及び低酸素状態で焼き付け処理す
ることができる。また前記ホットプレートの数を５又は
６の複数とすれば、安定した温度を確保することがで
き、且つ前記スピンナーとの処理時間差を調整すること
ができる。As described above, the coating film baking treatment apparatus of the present invention has a plurality of hot plates and disposes a sparging element for spraying an inert gas on each of the hot plates. Therefore, the object can be baked at a stable temperature and a low oxygen state. Further, if the number of the hot plates is 5 or 6, a stable temperature can be secured, and a difference in processing time with the spinner can be adjusted.
【００４５】また散布する不活性ガスを予備加熱装置に
よって２００℃前後に加熱してマニホールドを通じてス
パージングエレメントへ供給すれば、ホットプレートの
温度が低下する等の影響を受けることがない。更に、上
記予備加熱装置をマニホールド及びスパージングエレメ
ントと近接して配置し且つマニホールドと直結すれば、
加熱した不活性ガスが冷えることがない。If the inert gas to be sprayed is heated to about 200 ° C. by the pre-heating device and supplied to the sparging element through the manifold, there is no influence such as a decrease in the temperature of the hot plate. Furthermore, if the preheating device is arranged in close proximity to the manifold and the sparging element and is directly connected to the manifold,
The heated inert gas does not cool.
【００４６】前記ホットプレートの第１段目下流側に前
記スパージングエレメントと同様のスパージングエレメ
ントを設け、また最終段目上流側に、前記スパージング
エレメントを上部に配置したダミープレートを設ければ
外気の流入を避けることができ、ホットプレート周辺を
低酸素状態に置くことが可能である。If a sparging element similar to the sparging element is provided downstream of the first stage of the hot plate, and a dummy plate having the sparging element arranged above is provided upstream of the last stage, the inflow of outside air can be achieved. Can be avoided, and the surroundings of the hot plate can be placed in a low oxygen state.
【００４７】また前記スパージングエレメント、ホット
プレート、及びダミープレートを一括して収納し金属製
隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装
置及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気
と遮断し且つ前記第１層上部に隣接する第２層、及びこ
の第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外
気を流通させる第３層構造とした場合にも、ホットプレ
ート周辺を低酸素状態に保ち且つ焼き付け処理温度を安
定させることができる。The sparging element, the hot plate, and the dummy plate are collectively housed and surrounded by a metal partition, and the first layer which is shielded from the outside air, the preheating device and the manifold are housed and surrounded by the metal partition. In the case of a third layer structure that shields from outside air and is adjacent to the upper portion of the first layer, and the upper surface and side surfaces of the second layer are covered with metal partition walls and the outside air flows, The periphery of the hot plate can be kept in a low oxygen state and the baking processing temperature can be stabilized.
【００４８】前記第１層の被処理物入口及び出口の外部
に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置した場
合には、更に外気との遮断を完全にすることができる。When showers for ejecting an inert gas are respectively provided outside the entrance and exit of the object to be treated in the first layer, the shielding from the outside air can be further completed.
【００４９】上記複数の手段による、低酸素濃度の維持
及び焼き付け温度安定化の効果により、被膜面に亀裂等
のない優れた被処理物を提供することができる。Due to the effects of maintaining a low oxygen concentration and stabilizing the baking temperature by the above-described means, it is possible to provide an excellent workpiece having no cracks or the like on the coating surface.
【図１】本発明の焼き付け処理装置の一例を示す概要図FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a printing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を
示す平面工程図（ａ）及び側面工程図（ｂ）FIGS. 2A and 2B are a plan view and a side view showing an example of a transfer method before and after a coating apparatus according to the present invention.
【図３】同、クーリングプレートの一例を示す断面図
（ａ）及び平面図（ｂ）FIG. 3 is a cross-sectional view (a) and a plan view (b) showing an example of a cooling plate.
【図４】同、クーリングプレートからの被処理物の移送
機構の一例を説明する部分断面図FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a mechanism for transferring an object to be processed from a cooling plate.
【図５】同、塗布装置の一例を示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing an example of the coating apparatus.
【図６】同、塗布装置からホットプレートまでの搬送機
構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及
び側面工程図（ｃ）6A and 6B are a plan process diagram, a cycle diagram and a side process diagram illustrating an example of a transfer mechanism from the coating apparatus to the hot plate.
【図７】従来の塗布装置からホットプレートまでの搬送
方法の例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及
び側面工程図（ｃ）FIGS. 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, 7E, 7E, and 7E are plan process diagrams (a), cycle diagrams (b), and side process diagrams (c) showing an example of a conventional transfer method from a coating apparatus to a hot plate.
【図８】本発明に係るホットプレート周辺の一例を示す
側面断面図FIG. 8 is a side sectional view showing an example of the periphery of the hot plate according to the present invention.
【図９】同、ホットプレート周辺の一例を示す正面断面
図FIG. 9 is a front sectional view showing an example of the vicinity of the hot plate;
【図１０】同、スパージングエレメントの一例を示す部
分拡大断面図FIG. 10 is a partially enlarged sectional view showing an example of the sparging element.
【図１１】同、ホットプレート上の被処理物の搬送機構
の一例を説明する部分断面図（ａ）及びホットプレート
の一例を示す平面図（ｂ）FIG. 11 shows a transfer mechanism of the object to be processed on the hot plate.
Partial cross-sectional view illustrating an example of (a) and a plan view showing an example of a hot plate (b)
２…クーリングプレート、３…塗布装置、４…ホットプ
レート、６…冷却プレート、７、１５、２４、３７…搬
送フォーク、８、３８…溝、９、３９…突起、１０、４
２…シリンダ、１１、４３、４７…ロッド、１２、４４
…スライダ、１３、４５…ガイドロッド、１４、２３…
チャック、１８…スピンナー、２０…筒状ケース、２
５、３０、３１…金属製隔壁、２６…開口部、２７…ス
パージングエレメント、２８…予備加熱装置、２９…マ
ニホールド、３２…金属製上部外面隔壁、３３…金属製
側部外面隔壁、３４、３５…シャワー室、３６…加熱プ
レート、４０…不活性ガス散布部、４１…背面部、４６
…ダミープレート。2 ... Cooling plate, 3 ... Coating device, 4 ... Hot plate, 6 ... Cooling plate, 7, 15, 24, 37 ... Conveying fork, 8, 38 ... Groove, 9, 39 ... Protrusion, 10, 4
2 ... cylinder, 11, 43, 47 ... rod, 12, 44
... Slider, 13, 45 ... Guide rod, 14, 23 ...
Chuck, 18 ... Spinner, 20 ... Cylindrical case, 2
5, 30, 31: metal partition, 26: opening, 27: sparging element, 28: preheating device, 29: manifold, 32: metal upper outer partition, 33: metal side outer partition, 34, 35 ... shower room, 36 ... heating plate, 40 ... inert gas spraying part, 41 ... back part, 46
... Dummy plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 猛 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/316 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Takeshi Saito 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Within Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/31 H01L 21/316
Claims (6)
るためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け
処理してＳiＯ2被膜とするための複数のホットプレート
を備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前
記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するため
の、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、
スパージングエレメントを配置したことを特徴とする被
処理物用被膜焼き付け処理装置。1. A spinner for applying a silicon compound solution on an object to be processed and a baking process for the object to be processed comprising a plurality of hot plates for baking the silicon compound to form a SiO 2 film. In the apparatus, the surface area for the object to be treated is larger than that of the object to be sprinkled with an inert gas on each of the hot plates,
A coating baking processing apparatus for a workpiece, wherein a sparging element is disposed.
ングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備
加熱装置を備えたことを特徴とする請求項１に記載の焼
き付け処理装置。2. The baking apparatus according to claim 1, further comprising a pre-heating device for raising the temperature of the inert gas and sending it to a manifold connected to the sparging element.
びスパージングエレメントと近接して配置され、且つ前
記マニホールドに直結されていることを特徴とする請求
項１又は２に記載の焼き付け処理装置。3. The printing apparatus according to claim 1, wherein the preheating device is disposed close to the manifold and the sparging element, and is directly connected to the manifold.
目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメ
ントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側に
ダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部
にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の焼き付け処理装
置。4. A hot plate, comprising a plurality of hot plates, a sparging element further provided upstream of the first stage hot plate, a dummy plate provided downstream of the last stage hot plate, and The baking processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a sparging element is also arranged at an upper portion.
レート、及びダミープレートを一括して収納し金属製隔
壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置
及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気と
遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこ
の第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外
気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼き付け処理
装置。5. The first layer, in which the sparging element, the hot plate, and the dummy plate are collectively housed and surrounded by a metal partition wall to block the outside air, the preheating device and the manifold are stored and surrounded by a metal partition wall. And a third layer structure in which the second layer is shielded from the outside air and is adjacent to the upper portion of the first layer, and the upper surface and side surfaces of the second layer are covered with metal partition walls to allow the outside air to flow therethrough. The baking processing apparatus according to claim 1, further comprising:
周辺に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置し
たことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
の焼き付け処理装置。6. The apparatus according to claim 1, wherein showers for injecting an inert gas are disposed around the first-portion carrying-in port and the carrying-out port of the first layer. Baking processing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04352572A JP3078675B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Film baking treatment equipment for workpieces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04352572A JP3078675B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Film baking treatment equipment for workpieces |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177118A JPH06177118A (en) | 1994-06-24 |
| JP3078675B2 true JP3078675B2 (en) | 2000-08-21 |
Family
ID=18424974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04352572A Expired - Fee Related JP3078675B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Film baking treatment equipment for workpieces |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3078675B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3330335B2 (en) * | 1998-11-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating film forming device and aging treatment device |
| US6656273B1 (en) * | 1999-06-16 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming system |
| JP2001102374A (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | Film-forming system |
| JP4485374B2 (en) * | 2005-01-25 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Cooling processing device |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP04352572A patent/JP3078675B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177118A (en) | 1994-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI789048B (en) | Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable storage medium | |
| KR101299742B1 (en) | Substrate support mechanism, reduced-pressure drying unit and substrate processing apparatus | |
| KR100755796B1 (en) | Coating film forming apparatus and coating unit cross-reference to related applications | |
| KR101018578B1 (en) | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system | |
| KR101059309B1 (en) | Heating device, coating, developing device and heating method | |
| US5565034A (en) | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate | |
| JP4542577B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
| KR101061651B1 (en) | Heating device and heating method | |
| KR100497299B1 (en) | Substrate Processing Equipment | |
| KR100848767B1 (en) | Method and apparatus for heat processing of substrate | |
| JP4676359B2 (en) | Priming processing method and priming processing apparatus | |
| JP3910054B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4384686B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
| JP3777542B2 (en) | NOZZLE DEVICE, COATING DEVICE, AND COATING METHOD | |
| US6309116B1 (en) | Substrate processing system | |
| JP2008160011A (en) | Substrate treating equipment | |
| JP3078675B2 (en) | Film baking treatment equipment for workpieces | |
| JP5208093B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and reduced pressure drying apparatus | |
| KR101568050B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20170055819A (en) | Substrate treating apparatus | |
| KR20110066864A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium storing program for executing the substrate processing method | |
| JP2929260B2 (en) | Method and apparatus for forming coating film | |
| JP2003068725A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP3909574B2 (en) | Resist coating device | |
| JP3811359B2 (en) | Liquid processing equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000606 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |