JP3076585B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP3076585B2 JP3076585B2 JP02122961A JP12296190A JP3076585B2 JP 3076585 B2 JP3076585 B2 JP 3076585B2 JP 02122961 A JP02122961 A JP 02122961A JP 12296190 A JP12296190 A JP 12296190A JP 3076585 B2 JP3076585 B2 JP 3076585B2
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Description
【０００１】
本発明は、所謂オンランド記録方式の光情報記録媒体
に係り、特に透明基板に形成される案内溝の形状および
寸法に関する。
に係り、特に透明基板に形成される案内溝の形状および
寸法に関する。
【０００２】
本願出願人は先に、少なくとも、Ｖ字形状の案内溝を
有する透明基板と、該透明基板の屈折率よりも大きな屈
折率を有する透明膜と、該透明膜上に設けられた磁性膜
とから成り、前記案内溝の溝間に情報を記録し、かつ再
生光の波長をλとしたとき、Ｖ字形状の溝の深さをλ/6
より浅くしかもλ/8よりも深くした光磁気ディスクを提
案した（特開昭63−225945号公報）。再生光としては、
現在のところ波長が830nmの半導体レーザが多く用いら
れている。従って、この半導体レーザが搭載された光磁
気記録媒体駆動装置に適用される光磁気記録媒体につい
ては、案内溝の深さが約104〜140nmに形成される。
有する透明基板と、該透明基板の屈折率よりも大きな屈
折率を有する透明膜と、該透明膜上に設けられた磁性膜
とから成り、前記案内溝の溝間に情報を記録し、かつ再
生光の波長をλとしたとき、Ｖ字形状の溝の深さをλ/6
より浅くしかもλ/8よりも深くした光磁気ディスクを提
案した（特開昭63−225945号公報）。再生光としては、
現在のところ波長が830nmの半導体レーザが多く用いら
れている。従って、この半導体レーザが搭載された光磁
気記録媒体駆動装置に適用される光磁気記録媒体につい
ては、案内溝の深さが約104〜140nmに形成される。
【０００３】 この光磁気ディスクは、案内溝をＶ字形状にしたの
で、溝と溝との間の平坦部（ランド部）に情報を記録し
た場合に、良質な再生信号を得ることができる。
で、溝と溝との間の平坦部（ランド部）に情報を記録し
た場合に、良質な再生信号を得ることができる。
【０００４】 また、案内溝の深さを再生光の波長の1/6より浅く1/8
よりも深くしたので、ボール型光検出素子によって光磁
気ディスクからの反射光を検出したとき、 |D1−D2|/（D1＋D2） （但し、D1,D2は各光検出素子の出力） で定義されるトラッキング信号の変調度が最大になり、
安定なトラッキングを行うことができる。
よりも深くしたので、ボール型光検出素子によって光磁
気ディスクからの反射光を検出したとき、 |D1−D2|/（D1＋D2） （但し、D1,D2は各光検出素子の出力） で定義されるトラッキング信号の変調度が最大になり、
安定なトラッキングを行うことができる。
【０００５】
ところで、光情報記録媒体のトラッキング信号検出方
式としては、前記のボール型光検出器を用いる方式のほ
か、２分割検出器を用いたプッシュプル方式がある。
式としては、前記のボール型光検出器を用いる方式のほ
か、２分割検出器を用いたプッシュプル方式がある。
【０００６】 プッシュプル方式とは、光情報記録媒体からの反射光
を２分割光検出器にて検出し、２分割検出器を構成する
第１の光検出素子で検出された反射光強度をI1、第２の
光検出素子で検出された反射光強度をI2、ミラー面（光
情報記録媒体の平坦部）からの反射強度をI0としたと
き、|I1−I2|/I0にて定義される信号（プッシュプル信
号）をトラッキング信号としてトラッキングを行う方式
である。
を２分割光検出器にて検出し、２分割検出器を構成する
第１の光検出素子で検出された反射光強度をI1、第２の
光検出素子で検出された反射光強度をI2、ミラー面（光
情報記録媒体の平坦部）からの反射強度をI0としたと
き、|I1−I2|/I0にて定義される信号（プッシュプル信
号）をトラッキング信号としてトラッキングを行う方式
である。
【０００７】 このプッシュプル方式のトラッキング信号検出方式を
用いた場合には、トラッキングエラーを防止するため、
前記プッシュプル信号の大きさを、２分割ディクタを装
置した標準ドライブを用いたときに、 0.4≦|I1−I2|/I0≦0.65 の範囲に収める必要がある。
用いた場合には、トラッキングエラーを防止するため、
前記プッシュプル信号の大きさを、２分割ディクタを装
置した標準ドライブを用いたときに、 0.4≦|I1−I2|/I0≦0.65 の範囲に収める必要がある。
【０００８】 前記プッシュプル信号は、案内溝の幅および深さによ
って変動する。然るに、前記した従来の光情報記録媒体
は、案内溝の幅寸法が規制されていないため、前記のプ
ッシュプルトラッキング信号検出方式を適用した場合、
前記所定のプッシュプル信号を得ることができず、安定
したトラッキング特性を得られない場合がある。
って変動する。然るに、前記した従来の光情報記録媒体
は、案内溝の幅寸法が規制されていないため、前記のプ
ッシュプルトラッキング信号検出方式を適用した場合、
前記所定のプッシュプル信号を得ることができず、安定
したトラッキング特性を得られない場合がある。
【０００９】 また、従来より、光磁気記録媒体駆動装置には、記録
／再生用レーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けて直線
偏光を照射するものと、記録／再生用レーザ光の偏光面
を案内溝と直角に向けて直線偏光を照射するものとがあ
るが、案内溝に対する偏光面の向きによってプッシュプ
ル信号の大きさが変動するため、いずれかの駆動装置に
装着した場合に前記所定のプッシュプル信号を得られた
光情報記録媒体であっても、他方の駆動装置に装着した
ときに前記所定のプッシュプル信号を得られないという
ことがある。
／再生用レーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けて直線
偏光を照射するものと、記録／再生用レーザ光の偏光面
を案内溝と直角に向けて直線偏光を照射するものとがあ
るが、案内溝に対する偏光面の向きによってプッシュプ
ル信号の大きさが変動するため、いずれかの駆動装置に
装着した場合に前記所定のプッシュプル信号を得られた
光情報記録媒体であっても、他方の駆動装置に装着した
ときに前記所定のプッシュプル信号を得られないという
ことがある。
【００１０】 さらに、従来より知られている光情報記録媒体には、
光磁気記録媒体のほか、透明基板上に当該透明基板より
も大きな屈折率をする透明中間膜を介して相変化型光記
録膜を積層したものがあり、光入射光路の屈折率によっ
てプッシュプル信号が変動するが、いずれの光情報記録
媒体についても前記所定のプッシュプル信号を得られる
ようにする必要がある。
光磁気記録媒体のほか、透明基板上に当該透明基板より
も大きな屈折率をする透明中間膜を介して相変化型光記
録膜を積層したものがあり、光入射光路の屈折率によっ
てプッシュプル信号が変動するが、いずれの光情報記録
媒体についても前記所定のプッシュプル信号を得られる
ようにする必要がある。
【００１１】 従って、本発明の目的は、プッシュプル方式のトラッ
キング信号検出手段をもつ駆動装置であって、案内溝に
対する直線偏光の向きが異なるいかなる駆動装置に装着
された場合にも所定のプッシュプル信号を得ることがで
き、安定なトラッキング特性を得ることができる光磁気
記録媒体および相変化形の光情報記録媒体を提供するこ
とにある。
キング信号検出手段をもつ駆動装置であって、案内溝に
対する直線偏光の向きが異なるいかなる駆動装置に装着
された場合にも所定のプッシュプル信号を得ることがで
き、安定なトラッキング特性を得ることができる光磁気
記録媒体および相変化形の光情報記録媒体を提供するこ
とにある。
【００１２】
本発明は前記の目的を達成するため、光磁気記録媒体
については、1.0μｍ以上2.0μｍ以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピット列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であって、前記案内溝の断面
形状が略Ｖ字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピット列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
光磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
／再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をｎ
（n;1.8〜2.3）としたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られるようにし
た。 また、相変化型記録媒体については、1.0μｍ以上2.0
μｍ以下の間隔で相隣接する案内溝の間にプリピット列
を形成して成るオンランド記録方式の光情報記録媒体で
あって、前記案内溝の断面形状が略Ｖ字状に形成され、
かつこの案内溝および前記プリピット列が形成された透
明基板上に当該透明基板の屈折率よりも大きな屈折率を
有する透明中間膜を介して相変化型記録膜を積層してな
るものにおいて、情報の記録／再生に用いるレーザ光の
波長をλ、光ヘッドのピックアップレンズの開口数をN
A、透明中間膜の屈折率をｎとしたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られるようにし
た。
については、1.0μｍ以上2.0μｍ以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピット列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であって、前記案内溝の断面
形状が略Ｖ字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピット列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
光磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
／再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をｎ
（n;1.8〜2.3）としたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られるようにし
た。 また、相変化型記録媒体については、1.0μｍ以上2.0
μｍ以下の間隔で相隣接する案内溝の間にプリピット列
を形成して成るオンランド記録方式の光情報記録媒体で
あって、前記案内溝の断面形状が略Ｖ字状に形成され、
かつこの案内溝および前記プリピット列が形成された透
明基板上に当該透明基板の屈折率よりも大きな屈折率を
有する透明中間膜を介して相変化型記録膜を積層してな
るものにおいて、情報の記録／再生に用いるレーザ光の
波長をλ、光ヘッドのピックアップレンズの開口数をN
A、透明中間膜の屈折率をｎとしたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られるようにし
た。
【００１３】
プッシュプル信号は、案内溝の幅および偏光面の向き
にかかわらずほぼ一定の溝深さのところで極大値を示
し、その値は溝幅が大きくなるに従って大きくなる。ま
た、偏光面を案内溝と平行に向けると、偏光面を案内溝
と垂直に向けた場合に比べてプッシュプル信号の極大値
が増加する。
にかかわらずほぼ一定の溝深さのところで極大値を示
し、その値は溝幅が大きくなるに従って大きくなる。ま
た、偏光面を案内溝と平行に向けると、偏光面を案内溝
と垂直に向けた場合に比べてプッシュプル信号の極大値
が増加する。
【００１４】 円偏光の場合も、溝幅が大きくなるとプッシュプル信
号の極大値が増加する。
号の極大値が増加する。
【００１５】 また、これらの特性は、少なくともレーザ波長λが78
0〜830nm、レンズNAが0.5〜0.6の範囲で同様であり、レ
ーザ波長が630nm程度まで短波長化された場合、および
トラックピッチの狭幅化に対応してレーザビームスポッ
トの直径が小径化された場合にも相似的な関係が得られ
る。
0〜830nm、レンズNAが0.5〜0.6の範囲で同様であり、レ
ーザ波長が630nm程度まで短波長化された場合、および
トラックピッチの狭幅化に対応してレーザビームスポッ
トの直径が小径化された場合にも相似的な関係が得られ
る。
【００１６】 従って、案内溝の溝幅と溝深さを前記の値に規制する
ことによって前記所定のプッシュプル信号を得ることが
でき、安定したトラッキング特性を得ることができる。
ことによって前記所定のプッシュプル信号を得ることが
でき、安定したトラッキング特性を得ることができる。
【００１７】
本発明の実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
する。第１図は実施例に係る光磁気ディスクの平面図、
第２図はその要部拡大断面図、第３図はそのトラッキン
グ特性図である。
する。第１図は実施例に係る光磁気ディスクの平面図、
第２図はその要部拡大断面図、第３図はそのトラッキン
グ特性図である。
【００１８】 第１図に示すように、実施例に係る光磁気ディスク
は、センタ孔１を有する円板状に形成されており、その
平面部に前記センタ孔１の中心Ｐを中心とする渦巻状の
案内溝２が形成され、相隣接する案内溝２の間にプリピ
ット列３が所定の配列で形成されている。
は、センタ孔１を有する円板状に形成されており、その
平面部に前記センタ孔１の中心Ｐを中心とする渦巻状の
案内溝２が形成され、相隣接する案内溝２の間にプリピ
ット列３が所定の配列で形成されている。
【００１９】 第２図に示すように、この光磁気ディスクは、光磁気
記録膜６を内側にして２枚のディスク単板10,10aが接着
層11を介して貼り合され、両面記録形の光磁気ディスク
を構成している。各ディスク単板10,10aは、前記案内溝
２およびプリピット列３が凹凸の形でプリフォーマット
された透明基板４の当該凹凸面上に、前記透明基板４の
屈折率よりも大きな屈折率を有する第１の透明膜５と、
光磁気記録膜６と、前記第１の透明膜５と同様の高屈折
材料から成る第２の透明膜７と、反射膜８と、保護膜９
とを順次積層して成る。
記録膜６を内側にして２枚のディスク単板10,10aが接着
層11を介して貼り合され、両面記録形の光磁気ディスク
を構成している。各ディスク単板10,10aは、前記案内溝
２およびプリピット列３が凹凸の形でプリフォーマット
された透明基板４の当該凹凸面上に、前記透明基板４の
屈折率よりも大きな屈折率を有する第１の透明膜５と、
光磁気記録膜６と、前記第１の透明膜５と同様の高屈折
材料から成る第２の透明膜７と、反射膜８と、保護膜９
とを順次積層して成る。
【００２０】 前記透明基板４は、例えばガラス（屈折率が約1.5）
や、ポリカーボネート（屈折率が約1.58）あるいはポリ
メチルメタクリレート（屈折率が約1.5）などの透明樹
脂材料をもって形成される。前記案内溝２およびプリピ
ット列３などのプリフォーマットパターンは、この透明
基板４の片面に直接形成することもできるし、紫外線硬
化性樹脂（屈折率が約1.5）を介して転写することもで
きる。
や、ポリカーボネート（屈折率が約1.58）あるいはポリ
メチルメタクリレート（屈折率が約1.5）などの透明樹
脂材料をもって形成される。前記案内溝２およびプリピ
ット列３などのプリフォーマットパターンは、この透明
基板４の片面に直接形成することもできるし、紫外線硬
化性樹脂（屈折率が約1.5）を介して転写することもで
きる。
【００２１】 前記案内溝２は、第２図に示すように、断面形状が略
Ｖ字状に、トラックピッチｐが1.6μｍに形成されてお
り、レーザ波長が830nmでレンズNAが0.53の光ピックア
ップを用いた場合、その開口部の溝幅Ｗが510±30nmに
調整されている。また、開口部から底部までの溝深さｄ
が88±12nmに調整されている。ただし、一般に光情報記
録媒体は１枚の金型（スタンパ）から多数複製されるの
で、案内溝２の溝幅Ｗや溝深さｄには、約±5nm程度の
バラツキがある。前記の数値は、このバラツキの平均値
を示している。
Ｖ字状に、トラックピッチｐが1.6μｍに形成されてお
り、レーザ波長が830nmでレンズNAが0.53の光ピックア
ップを用いた場合、その開口部の溝幅Ｗが510±30nmに
調整されている。また、開口部から底部までの溝深さｄ
が88±12nmに調整されている。ただし、一般に光情報記
録媒体は１枚の金型（スタンパ）から多数複製されるの
で、案内溝２の溝幅Ｗや溝深さｄには、約±5nm程度の
バラツキがある。前記の数値は、このバラツキの平均値
を示している。
【００２２】 なお、断面形状が略Ｖ字状の案内溝２とは、開口部か
ら底部に至るに従って順次溝幅が狭くなる溝の総称であ
って、各角部に丸みをもったもの、および開口部から底
部に至る斜面が完全な平面になっていないものも含む。
ら底部に至るに従って順次溝幅が狭くなる溝の総称であ
って、各角部に丸みをもったもの、および開口部から底
部に至る斜面が完全な平面になっていないものも含む。
【００２３】 第１の透明膜５および第２の透明膜７は、当該膜の界
面で透明基板４より入射した直線偏光を多重反射し、見
掛け上のカー回転角を大きくして光磁気記録膜６の再生
感度を改善するものであって、屈折率が約2.0〜2.3の透
明材料によって形成される。この種の透明材料として
は、例えば酸化シリコン（SiO）、窒化アルミニウム（A
lN）、硫化亜鉛（ZnS）など、記録／再生用光のパワー
によって熱的変形を生じない透明誘電体が用いられる。
面で透明基板４より入射した直線偏光を多重反射し、見
掛け上のカー回転角を大きくして光磁気記録膜６の再生
感度を改善するものであって、屈折率が約2.0〜2.3の透
明材料によって形成される。この種の透明材料として
は、例えば酸化シリコン（SiO）、窒化アルミニウム（A
lN）、硫化亜鉛（ZnS）など、記録／再生用光のパワー
によって熱的変形を生じない透明誘電体が用いられる。
【００２４】 光磁気記録膜６としては、例えば遷移金属と希土類金
属を主成分とする垂直磁化膜など、公知に属するものを
用いることができる。
属を主成分とする垂直磁化膜など、公知に属するものを
用いることができる。
【００２５】 反射膜８は、光磁気記録膜６からの透過光を透明基板
４側に反射させるものであって、例えばアルミニウムな
ど反射率の高い金属膜などによって形成される。
４側に反射させるものであって、例えばアルミニウムな
ど反射率の高い金属膜などによって形成される。
【００２６】 保護膜９は、腐食性の雰囲気から光磁気記録膜６を保
護するものであって、例えば紫外線硬化性樹脂によって
形成される。
護するものであって、例えば紫外線硬化性樹脂によって
形成される。
【００２７】 接着剤11としては、エポキシ樹脂や紫外線硬化性樹脂
等が好適である。
等が好適である。
【００２８】 第３図に前記実施例に係る光磁気ディスクから読み出
されるトラッキング信号と案内溝２の幅および深さとの
関係を示す。試験機は、波長が830nmの直線偏光を出射
する光源と、レンズ開口数（NA）が0.53の光ピックアッ
プと、２分割光検出素子を備えたものを用いた。
されるトラッキング信号と案内溝２の幅および深さとの
関係を示す。試験機は、波長が830nmの直線偏光を出射
する光源と、レンズ開口数（NA）が0.53の光ピックアッ
プと、２分割光検出素子を備えたものを用いた。
【００２９】 このグラフ図の横軸は案内溝２の深さを、縦軸はプッ
シュプル信号を示しており、直線偏光の偏光面を案内溝
の延長方向と平行に向けた場合のデータが○印および△
印で、また直線偏光の偏光面を案内溝と垂直に向けた場
合のデータが●印および▲印で表示されている。
シュプル信号を示しており、直線偏光の偏光面を案内溝
の延長方向と平行に向けた場合のデータが○印および△
印で、また直線偏光の偏光面を案内溝と垂直に向けた場
合のデータが●印および▲印で表示されている。
【００３０】 このグラフ図から明らかなように、溝幅が510±30n
m、溝深さが88±12nmの光磁気ディスクは、偏光面の向
きにかかわらず、いずれもプッシュプル信号およびトラ
ッククロス信号が所定の仕様を満足し、充分に大きな値
が得られることが判る。
m、溝深さが88±12nmの光磁気ディスクは、偏光面の向
きにかかわらず、いずれもプッシュプル信号およびトラ
ッククロス信号が所定の仕様を満足し、充分に大きな値
が得られることが判る。
【００３１】 なお、光磁気記録膜６に代えて相変化型の記録膜を形
成した場合にも、案内溝２の溝幅Ｗおよび溝深さｄを前
記実施例の光情報記録媒体と同じにすることによって、
所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定なトラ
ッキング特性を得ることができる。
成した場合にも、案内溝２の溝幅Ｗおよび溝深さｄを前
記実施例の光情報記録媒体と同じにすることによって、
所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定なトラ
ッキング特性を得ることができる。
【００３２】 以下、比較例として、透明基板の屈折率と略等しい屈
折率を有する熱変形性の下地膜を介して透明基板上にラ
イトワンス形の記録膜が形成された光情報記録媒体と、
透明基板上に直接有機色素材料などからなる記録膜がス
ピンコートされた光情報記録媒体について説明する。 第４図は第１比較例に係る光ディスクの断面図、第５
図はその要部拡大断面図、第６図はそのトラッキング特
性図である。
折率を有する熱変形性の下地膜を介して透明基板上にラ
イトワンス形の記録膜が形成された光情報記録媒体と、
透明基板上に直接有機色素材料などからなる記録膜がス
ピンコートされた光情報記録媒体について説明する。 第４図は第１比較例に係る光ディスクの断面図、第５
図はその要部拡大断面図、第６図はそのトラッキング特
性図である。
【００３３】 第４図に示すように、この光ディスクは、記録膜を内
側にし、かつ内周スペーサ21および外周スペーサ22を介
して２枚のディスク単板10,10aが貼り合され、両面記録
形の光ディスクを構成している。各ディスク単板10,10a
は、第５図により詳細に示すように、透明基板４の凹凸
面上に、例えばニトロセルロースやポリテトラフルオロ
エチレンなど透明基板４の屈折率と略等しい屈折率を有
する熱変形性の下地膜23を被着し、この下地膜23上に、
例えばテルルとセレンを主成分とするライトワンス形の
記録膜24を積層して成る。
側にし、かつ内周スペーサ21および外周スペーサ22を介
して２枚のディスク単板10,10aが貼り合され、両面記録
形の光ディスクを構成している。各ディスク単板10,10a
は、第５図により詳細に示すように、透明基板４の凹凸
面上に、例えばニトロセルロースやポリテトラフルオロ
エチレンなど透明基板４の屈折率と略等しい屈折率を有
する熱変形性の下地膜23を被着し、この下地膜23上に、
例えばテルルとセレンを主成分とするライトワンス形の
記録膜24を積層して成る。
【００３４】 本例の光ディスクにおいては、透明基板４に凹設され
る案内溝２の開口部の溝幅Ｗが500±50nmに調整され、
また、開口部から底部までの溝深さｄが94±12nmに調整
されている。
る案内溝２の開口部の溝幅Ｗが500±50nmに調整され、
また、開口部から底部までの溝深さｄが94±12nmに調整
されている。
【００３５】 その他、透明基板４の材質や形状等については、実施
例に係る光磁気ディスクと同じである。
例に係る光磁気ディスクと同じである。
【００３６】 第６図に第１比較例に係る光ディスクから読み出され
るトラッキング信号と案内溝２の幅および深さとの関係
を示す。試験機は、波長が830nmの円偏光を出射する光
源と、レンズ開口数（NA）が0.53の光ピックアップと、
２分割光検出素子を備えたものを用いた。
るトラッキング信号と案内溝２の幅および深さとの関係
を示す。試験機は、波長が830nmの円偏光を出射する光
源と、レンズ開口数（NA）が0.53の光ピックアップと、
２分割光検出素子を備えたものを用いた。
【００３７】 このグラフ図の横軸は案内軸２の深さを、縦軸はプッ
シュプル信号を示しており、案内溝２の溝幅を変更した
場合の各データが表示されている。
シュプル信号を示しており、案内溝２の溝幅を変更した
場合の各データが表示されている。
【００３８】 このグラフ図から明らかのように、第１比較例の光デ
ィスクは、案内溝の溝幅Ｗを500±50nmに、溝深さｄを9
4±12nmにすることによってプッシュプル信号を所定の
仕様に適合させることができる。
ィスクは、案内溝の溝幅Ｗを500±50nmに、溝深さｄを9
4±12nmにすることによってプッシュプル信号を所定の
仕様に適合させることができる。
【００３９】 第７図は第２比較例に係る光ディスクの要部拡大断面
図である。
図である。
【００４０】 第７図に示すように、この光ディスクは、記録膜25を
内側にして２枚のディスク単板10,10aが接着層11を介し
て貼り合され、両面記録形の光ディスクを構成してい
る。各ディスク単板10,10aは、透明基板４の凹凸面上
に、有機色素系記録材料などから成る記録膜25を直接ス
ピンコートして成る。
内側にして２枚のディスク単板10,10aが接着層11を介し
て貼り合され、両面記録形の光ディスクを構成してい
る。各ディスク単板10,10aは、透明基板４の凹凸面上
に、有機色素系記録材料などから成る記録膜25を直接ス
ピンコートして成る。
【００４１】 この第２比較例においては、透明基板４に凹設される
案内溝２の開口部の溝幅Ｗが500±50nmに調整され、ま
た、開口部から底部までの溝深さｄが94±12nmに調整さ
れている。
案内溝２の開口部の溝幅Ｗが500±50nmに調整され、ま
た、開口部から底部までの溝深さｄが94±12nmに調整さ
れている。
【００４２】 その他、透明基板４の材質や形状等については、実施
例に係る光磁気ディスクと同じである。
例に係る光磁気ディスクと同じである。
【００４３】 この第２比較例の光ディスクも光学的には第１比較例
の光ディスクと同様であり、第６図に示したと同様のト
ラッキング特性を示す。よって、案内溝の溝幅Ｗを500
±50nmに、溝深さｄを95±12nmにすることによって所定
のプッシュプル信号を得ることができ、安定したトラッ
キング特性を得ることができる。
の光ディスクと同様であり、第６図に示したと同様のト
ラッキング特性を示す。よって、案内溝の溝幅Ｗを500
±50nmに、溝深さｄを95±12nmにすることによって所定
のプッシュプル信号を得ることができ、安定したトラッ
キング特性を得ることができる。
【００４４】 次に、案内溝のトラックピッチが1.5μｍに形成され
た光情報記録媒体を、レーザ光の波長が780nmで光ピッ
クアップのレンズNAが0.55の光学系をもつ駆動装置に装
着した場合の、案内溝の寸法と光情報記録媒体から検出
されるプッシュプル信号との関係を、第８図に示す。な
お、光情報記録媒体の構造は、案内溝のトラックピッチ
が狭いほかは、第２実施例の光情報記録媒体と同じであ
る。
た光情報記録媒体を、レーザ光の波長が780nmで光ピッ
クアップのレンズNAが0.55の光学系をもつ駆動装置に装
着した場合の、案内溝の寸法と光情報記録媒体から検出
されるプッシュプル信号との関係を、第８図に示す。な
お、光情報記録媒体の構造は、案内溝のトラックピッチ
が狭いほかは、第２実施例の光情報記録媒体と同じであ
る。
【００４５】 第８図に示すように、本例の場合には、案内溝の開口
部の溝幅を450±50nmに調整し、案内溝の開口部から底
部までの溝深さを88±12nmに調整することによって、所
定の値のプッシュプル信号を得ることができる。
部の溝幅を450±50nmに調整し、案内溝の開口部から底
部までの溝深さを88±12nmに調整することによって、所
定の値のプッシュプル信号を得ることができる。
【００４６】 すなわち、トラックピッチが狭幅化され、媒体上に照
射されるレーザビームスポットが小径化された場合で
も、透明基板に凹設される案内溝の開口部の溝幅Ｗをλ
／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・NA）とし、当該案内溝
の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとすることによって、
安定なトラッキング特性を得ることができる。
射されるレーザビームスポットが小径化された場合で
も、透明基板に凹設される案内溝の開口部の溝幅Ｗをλ
／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・NA）とし、当該案内溝
の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとすることによって、
安定なトラッキング特性を得ることができる。
【００４７】 なお、トラックピッチを狭幅化すると同時に案内溝の
溝幅を広くすると、より大きなプッシュプル信号を得る
ことができるが、その反面、情報トラックとなるランド
部が狭くなって案内溝部からの光が光検出素子に多く入
るようになり、再生信号のS/N比（信号対ノイズ比）が
低下するため、実用上案内溝の溝幅を前記の値に調整す
ることが好ましい。
溝幅を広くすると、より大きなプッシュプル信号を得る
ことができるが、その反面、情報トラックとなるランド
部が狭くなって案内溝部からの光が光検出素子に多く入
るようになり、再生信号のS/N比（信号対ノイズ比）が
低下するため、実用上案内溝の溝幅を前記の値に調整す
ることが好ましい。
【００４８】 なお、前記実施例においては両面記録形の光ディスク
を例にとって説明したが、片面記録形としても同様の効
果がある。
を例にとって説明したが、片面記録形としても同様の効
果がある。
【００４９】 また、前記実施例においては案内溝を渦巻状に形成し
た場合を例にとって説明したが、案内溝を同心円状に形
成した場合にも同様の効果がある。
た場合を例にとって説明したが、案内溝を同心円状に形
成した場合にも同様の効果がある。
【００５０】 さらに、本発明は、記録膜より光入射側の膜構造（屈
折率）を問題とするのであって、これと反対側の膜構造
については前記実施例にかかわらず任意に形成すること
ができる。
折率）を問題とするのであって、これと反対側の膜構造
については前記実施例にかかわらず任意に形成すること
ができる。
【００５１】
以上説明したように、本発明の光情報記録媒体は、案
内溝の溝幅と溝深さとを最適化したので、直線偏光であ
るレーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けた場合にも、
また、案内溝と垂直に向けた場合にも、実用上好ましい
値のプッシュプル信号を得ることができ、安定したトラ
ッキング特性を得ることができる。
内溝の溝幅と溝深さとを最適化したので、直線偏光であ
るレーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けた場合にも、
また、案内溝と垂直に向けた場合にも、実用上好ましい
値のプッシュプル信号を得ることができ、安定したトラ
ッキング特性を得ることができる。
【図１】 実施例に係る光ディスクの平面図である。
【図２】 実施例に係る光ディスクの要部拡大断面図である。
【図３】 実施例に係る光ディスクのトラッキング特性図である。
【図４】 第１比較例に係る光ディスクの断面図である。
【図５】 第１比較例に係る光ディスクの要部拡大断面図である。
【図６】 第１比較例に係る光ディスクのトラッキング特性図であ
る。
る。
【図７】 第２比較例に係る光ディスクの要部拡大断面図である。
【図８】 案内溝を狭幅化したときのトラッキング特性図である。
１……センタ孔 ２……案内溝 ３……プリピット列 ４……透明基板 ５……第１の透明膜 ６……光磁気記録膜 6,7……第２の透明膜 ８……反射膜 ９……保護膜 10,10a……ディスク単板 11……接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 捷 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 重松 和男 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭63−225945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−51631（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 11/105
Claims (2)
- 【請求項１】1.0μｍ以上2.0μｍ以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピット列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であって、前記案内溝の断面
形状が略Ｖ字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピット列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
光磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
／再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をｎ
（n;1.8〜2.3）としたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られることを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】1.0μｍ以上2.0μｍ以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピット列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であって、前記案内溝の断面
形状が略Ｖ字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピット列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
相変化型記録膜を積層してなるものにおいて、情報の記
録／再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピッ
クアップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をｎ
（n;1.8〜2.3）としたとき、 前記案内溝の幅Ｗをλ／（3.3・NA）≦Ｗ≦λ／（2.8・
NA）とし、 当該案内溝の深さｄをλ/7.3n≦ｄ≦λ/4.0nとして、 直線偏光である前記レーザ光の偏光面を前記案内溝と平
行に向けた場合にも、また、前記案内溝と垂直に向けた
場合にも、所定のプッシュプル信号が得られることを特
徴とする光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-171203 | 1989-07-04 | ||
| JP17120389 | 1989-07-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130948A JPH03130948A (ja) | 1991-06-04 |
| JP3076585B2 true JP3076585B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=15918934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02122961A Expired - Fee Related JP3076585B2 (ja) | 1989-07-04 | 1990-05-15 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076585B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5694379A (en) * | 1995-08-29 | 1997-12-02 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and recording apparatus therefor |
| JP3360542B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP02122961A patent/JP3076585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03130948A (ja) | 1991-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |