JP3075229B2 - フォトマスクの白欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスクの白欠陥修正方法Info
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Description
液晶ディスプレイ等の製造に用いられるフォトマスクの
白欠陥の修正方法に関する。
損欠陥の修正方法として、原料ガスの雰囲気中に置かれ
たフォトマスク基板に紫外線レ−ザ光を照射し、レ−ザ
CVD法を用いて、原料ガスの光分解反応により遮光膜
を所望の白欠陥部に堆積させて修正する方法が知られて
いる。
特開平2―204746号公報に記載のように、レ−ザ
光とレ−ザ光照射位置観察用の照明光をスリットで矩形
に整形し、これらの整形されたレ−ザビ−ムと整形され
たスリット照明光とをフォトマスク基板上に縮小転写す
る照射光学系を用いて、白欠陥を修正する方法がある。
具体的には、スリットのサイズを調整し、フォトマスク
基板上に結像されたスリット照明像を白欠陥部に目合わ
せし、その後、レーザ光を照射して白欠陥を修正する方
法である。
CVDによる白欠陥修正方法では、フォトマスク基板上
に結像されたスリット照明像を欠陥部のエッジに目合わ
せして修正する場合、スリット照明像を欠陥のエッジに
正確に目合わせしても、実際に堆積したCVD膜の形状
が欠陥部のエッジに対し、膨らんだり、または、光学的
な調整によっては逆に内側になったりする問題が生じて
いた。これは、特に、高精度の加工精度を必要とするL
SI用のフォトマスク修正では、現実的な問題であり、
微細化が進みつつあるTFT液晶基板用のフォトマスク
では将来的な問題となる。このため、高精度な修正加工
を行うためには、最初に欠陥部をその欠陥部より大きく
CVD膜で覆い、その後、残留欠陥を修正する黒欠陥修
正機能によりエッジから膨らんだ部分を削り取る方法が
用いられていた。
程は、目合わせを2度行う必要があり、修正のスループ
ットが低下することや、作業者の負担が大きいという課
題を有していた。また、上述の2段階修正工程は、パタ
ーンが近接している場合、光学的な結像性能限界のため
に黒欠陥の最小加工幅が隣接のパターンへ重なってしま
い2段階目の黒欠陥修正を適用できないという課題を有
していた。
解決し、修正工程の能率を向上させ、しかも、欠陥部の
エッジに高精度で目合わせされたCVD膜を成膜できる
フォトマスクの白欠陥修正方法を提供するものである。
白欠陥修正方法は、原料ガス雰囲気中のフォトマスク基
板上に、矩形のスリットにより整形されたレーザビーム
を照射光学系により縮小し照射して、レーザCVD成膜
法により、フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマス
ク欠陥修正方法において、前記スリットにより整形され
た照明光を前記照射光学系により縮小し照射して前記フ
ォトマスク基板上に結像された第1のスリット照明像を
白欠陥部に目合わせしてCVD膜を成膜する位置と前記
CVD膜のサイズを特定するための第1工程と、前記第
1のスリット照明像をCVD広がり補正因子と前記照射
光学系の色収差による倍率補正因子でスリットサイズを
補正して第2のスリット照明像を形成する第2工程と、
前記第2のスリット照明像でレーザビームを照射してC
VD膜を成膜する第3工程とを有することを特徴として
いる。
方法は、前記第1のスリット照明像のサイズをXとし、
前記第2のスリット照明像のサイズをX’とし、前記C
VD広がり補正因子をaとし、前記倍率補正因子をbと
するとき、 X’=(1―b)X―a の関係式を満たすようスリットサイズの補正を行うこと
を特徴としている。
正方法は、複数の前記CVD広がり補正因子と前記倍率
補正因子と保持し、所望のCVD膜に応じて1組の最適
なCVD広がり補正因子と倍率補正因子を選択してスリ
ットサイズの補正を行うことを特徴としている。
て図面を参照して説明する。
正方法の―つの実施の形態を示すための工程図である。
図1(a)はスリット照明像を欠陥部に目合わせする第
1工程で、図1(b)はスリットサイズ補正後のスリッ
ト照明像を欠陥部に位置合わせする第2工程で、図1
(c)はレーザCVDで成膜する第3工程である。フォ
トマスクは、図1(a)に示すように、LSI用の石英
系のフォトマスク基板3上に遮光膜のCr膜2が形成さ
れているものである。欠陥部4は、Cr膜2の−部に膜
のない部分である。
条件として、レーザCVD光源にQスイッチNd:YA
Gレーザの第4高調波(266nm、40ns、2kH
z)を用い、原料ガスにCr(CO)6(原料濃度:
0.3Torr、CVD圧力:1気圧、キャリアガス:
アルゴンガス)を用い、高繰り返しパルスレーザ光によ
るCrの光CVD法により白欠陥の修正を行う場合であ
る。使用する照射光学系は、レーザ光源からの出射光と
スリット照明光を同軸にして、スリットを通過させ、得
られたレーザビ−ムおよびスリット照明光から成る整形
されたビ−ムをフォトマスク基板上に250分の1の縮
小比で縮小転写すると共に、前記基板上のフォトマスク
のパタ−ンを顕微光学系により拡大して観察する機能を
有している。白欠陥修正時に観察される像は、図1
(a)に示すように、フォトマスクの白欠陥拡大画像の
一部に、目合わせ用のスリット照明像が重なっているも
のである。このスリット照明像の形状とレーザビ−ムの
照射形状とは、光学系の色収差による違いがあるもの
の、ほぼ同じであるので、スリット照明像でレーザビ−
ムの照射形状を観察できる。
修正法の工程を説明する。
スリットサイズを調整し、観察用のスリット照明光によ
るスリット照明像1をCr膜2上の欠陥部4のエッジに
合わせるように目合わせを行う。スリット照明像1のサ
イズは所望のCVD膜のサイズである。このとき、も
し、前記スリットサイズを保持してレーザ光を照射しC
VD膜を成膜すると、スリット照明像1のサイズより大
きなCVD膜が形成され、所望のサイズのCVD膜が得
られない。所望のサイズのCVD膜を得るためには、ス
リット照明像のサイズに対する成膜されたCVD膜のサ
イズの関係を知る必要がある。図2はスリット照明像の
一辺の長さに対しCVD膜のパターン長さの広がり分を
示す図で,図2(a)はCVD膜のパターン長さの広が
り状態を示す図で,図2( b )はCVD膜のパターン
長さの広がり分の依存性を示す図である。図2(a)に
示すように、スリット照明像の長さLに対して成膜され
たCVD膜のパターン長さは広がり分ΔLだけ広がる。
前記成膜条件でのCVD膜のパターン長さの広がり分Δ
Lの依存性は、図2(b)に示すように、広がり分ΔL
はスリット照明像の長さLに依存しない定数成分と、ス
リット照明像の長さLが大きくなるほど増えるスリット
照明像の長さLに依存する成分の2つの成分からなるこ
とがわかる。広がり分ΔLのほとんどは定数成分で、こ
れは、CVD反応そのものの性質で決まり、レーザ光照
射範囲より膜の堆積範囲が基板面内で広がる成分であ
る。―方、スリット照明像の長さLに比例する成分は、
スリット照明光の波長とレーザ光の波長との違いにより
おこる照射光学系の色収差による倍率のわずかな差のた
めに生じる成分である。前記定数成分をCVD広がり補
正因子aと呼び、前記比例する成分を倍率補正因子bと
呼べば、図2(b)より、 CVD広がり補正因子aは
0.06μm、倍率補正因子bは0.001となること
がわかる。
所望の大きさのCVD膜が得られる様に前記補正因子を
用いてスリットサイズを補正しスリット照明像1のサイ
ズを補正する。第一工程時の設定スリットサイズで決定
されるスリット照明像1の縦の長さをX、横の長さをY
とし、およびレーザ光照射時のスリット照明像の縦の長
さをX’、横の長さY’とするとき、前記CVD広がり
補正因子aと前記倍率補正因子bとを用いて、得られた
関係式 X’=(1―b)X―a Y’=(1―b)Y―a を満たすようスリットサイズを補正する。スリットサイ
ズ補正後のスリット照明像5は、CVDによるパターン
長さの広がり分をキャンセルできるよう第1工程でのス
リット照明像1よりわづかに小さくなっている。
ーザCVDによる成膜工程で、上記関係式により補正し
たスリットサイズでレーザ光を照射しCVD膜を成膜す
る。この結果、欠陥部4のエッジに正確に目合わせされ
た所望のレーザCVD膜のパターン6を形成することが
できる。
するコントローラに補正量を計算させる演算ユニットを
設けることで容易に実現でき、作業者に余分な作業を必
要としない。
は、レーザCVD条件や光学系の調整によりわづかに変
化するが、通常、経時変化しないので装置を組み立て調
整した時点で、図2に示すCVD膜のパターン長さの広
がり分のスリット照明像の長さの依存性を測定して、前
記補正因子の値を求めておけば、装置の固有変数として
以後変更する必要はない。
を行わない場合には、第一工程時に正確にエッジへの目
合わせを行っても、設定スリット幅が20μmの場合に
は、エッジのはみ出しが0.1μm程度発生してしま
い、高精度の修正を必要とする場合大きな問題となる。
る。
ットサイズの補正をする補正値はCVD広がり補正因子
aと倍率補正因子bに対して一組の場合についてのべた
が、白欠陥修正を行うフォトマスク基板の種類に応じて
成膜条件を変更する必要がある場合や、修正すべき白欠
陥の大きさにより対物レンズの倍率を変更する必要があ
る場合には、複数の補正値のセットを装置に組み込み、
対象に応じて最適な補正値のセットを選択する機能を持
つことにより、融通の高い白欠陥修正方法を提供でき
る。
のスリット照明像のサイズに対して、CVD膜の成膜加
工時のスリット照明像のサイズすなわちレ−ザビ−ムの
サイズを補正して成膜加工するので、白欠陥の修正作業
工程の能率を向上させ、しかも欠陥部のエッジに高精度
で目合わせされたCVD膜を成膜できるので、実用性に
優れる高精度なフォトマスクの白欠陥修正方法を実現す
ることができる効果を有する。
の実施の形態を示すための工程図である。
パターン長さの広がり分を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
に、矩形のスリットにより整形されたレーザビームを照
射光学系により縮小し照射して、レーザCVD成膜法に
より、フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク欠
陥修正方法において、前記スリットにより整形された照
明光を前記照射光学系により縮小し照射して前記フォト
マスク基板上に結像された第1のスリット照明像を白欠
陥部に目合わせしてCVD膜を成膜する位置と前記CV
D膜のサイズを特定するための第1工程と、前記第1の
スリット照明像をCVD広がり補正因子と前記照射光学
系の色収差による倍率補正因子でスリットサイズを補正
して第2のスリット照明像を形成する第2工程と、前記
第2のスリット照明像でレーザビームを照射してCVD
膜を成膜する第3工程とを有することを特徴とするフォ
トマスクの白欠陥修正方法。 - 【請求項2】前記第1のスリット照明像のサイズをXと
し、前記第2のスリット照明像のサイズをX’とし、前
記CVD広がり補正因子をaとし、前記倍率補正因子を
bとするとき、 X’=(1―b)X―a の関係式を満たすようスリットサイズの補正を行うこと
を特徴とする請求項1記載のフォトマスクの白欠陥修正
方法。 - 【請求項3】複数の前記CVD広がり補正因子と前記倍
率補正因子と保持し、所望のCVD膜に応じて1組の最
適なCVD広がり補正因子と倍率補正因子を選択してス
リットサイズの補正を行うことを特徴とする請求項1記
載のフォトマスクの白欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26559697A JP3075229B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | フォトマスクの白欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26559697A JP3075229B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | フォトマスクの白欠陥修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11109604A JPH11109604A (ja) | 1999-04-23 |
JP3075229B2 true JP3075229B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17419328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26559697A Expired - Lifetime JP3075229B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | フォトマスクの白欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3075229B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012073553A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26559697A patent/JP3075229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11109604A (ja) | 1999-04-23 |
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