JP3074858B2 - 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents
半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法Info
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- JP3074858B2 JP3074858B2 JP29688591A JP29688591A JP3074858B2 JP 3074858 B2 JP3074858 B2 JP 3074858B2 JP 29688591 A JP29688591 A JP 29688591A JP 29688591 A JP29688591 A JP 29688591A JP 3074858 B2 JP3074858 B2 JP 3074858B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- unit
- surface treatment
- hmds
- photoresist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の表面処理
装置及び表面処理方法に係わり、特に半導体集積回路な
どのパターンを半導体基板上に形成する為のホトレジス
トを塗布する前のヘキサメチレンジシラザン（以下、Ｈ
ＭＤＳ、という）処理を行う表面処理装置及び表面処理
方法に関する。
装置及び表面処理方法に係わり、特に半導体集積回路な
どのパターンを半導体基板上に形成する為のホトレジス
トを塗布する前のヘキサメチレンジシラザン（以下、Ｈ
ＭＤＳ、という）処理を行う表面処理装置及び表面処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、ホトレ
ジストを塗布する前の処理として行うＨＭＤＳ処理は、
ホトレジストと半導体基板との密着性を向上させるため
に行う処理で、レジストパターンを形成するために行う
現像、あるいはレジストパターンを形成した後、フッ酸
系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウエットエッチン
グにおいて、ホトレジストの半導体基板との間に水ある
いは薬液が浸入するのを防ぐために行われる。
ジストを塗布する前の処理として行うＨＭＤＳ処理は、
ホトレジストと半導体基板との密着性を向上させるため
に行う処理で、レジストパターンを形成するために行う
現像、あるいはレジストパターンを形成した後、フッ酸
系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウエットエッチン
グにおいて、ホトレジストの半導体基板との間に水ある
いは薬液が浸入するのを防ぐために行われる。
【０００３】従来のＨＭＤＳ処理装置は、図３に示され
るように、室温から２００℃まで温度制御可能なホット
プレート１１と、室温より高い温度（例えば８０℃）で
ＨＭＤＳ処理を行うことが可能なように処理温度を一定
に保つための保温カバー１４と、半導体基板１２の全体
をカバーできる大きさでその下面に２０〜５０個の直径
が約１ｍｍの穴が面内均等に設けられた円板からなる吹
き出し板１３とから構成されている。ホットプレート１
１上に載置された半導体基板１２の表面へＨＭＤＳを含
有した窒素（Ｎ2 ）ガスを吹き出し板１３から供給され
て処理される。このＨＭＤＳを含有したＮ2 ガスはＨＭ
ＤＳをＮ2 ガスでバブリングを行うバブラー１６から配
管１５を通じて吹き出し板１３へ供給される。
るように、室温から２００℃まで温度制御可能なホット
プレート１１と、室温より高い温度（例えば８０℃）で
ＨＭＤＳ処理を行うことが可能なように処理温度を一定
に保つための保温カバー１４と、半導体基板１２の全体
をカバーできる大きさでその下面に２０〜５０個の直径
が約１ｍｍの穴が面内均等に設けられた円板からなる吹
き出し板１３とから構成されている。ホットプレート１
１上に載置された半導体基板１２の表面へＨＭＤＳを含
有した窒素（Ｎ2 ）ガスを吹き出し板１３から供給され
て処理される。このＨＭＤＳを含有したＮ2 ガスはＨＭ
ＤＳをＮ2 ガスでバブリングを行うバブラー１６から配
管１５を通じて吹き出し板１３へ供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＨＭＤ
Ｓ処理では、過剰のＨＭＤＳ分子を半導体基板表面に供
給し、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を必要
以上に向上させ、ホトレジスト塗布、露光後の現像にお
いて、ホトレジストと半導体基板が不所望に強固に密着
して、露光部のレジストが完全に溶解除去されず、レジ
ストが残留し、後工程のエッチング工程でのパターン加
工が正確に行われず、歩留りの低下につながるという問
題点があった。
Ｓ処理では、過剰のＨＭＤＳ分子を半導体基板表面に供
給し、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を必要
以上に向上させ、ホトレジスト塗布、露光後の現像にお
いて、ホトレジストと半導体基板が不所望に強固に密着
して、露光部のレジストが完全に溶解除去されず、レジ
ストが残留し、後工程のエッチング工程でのパターン加
工が正確に行われず、歩留りの低下につながるという問
題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＨＭＤＳ処理装
置は、半導体基板表面にＨＭＤＳを含有したＮ2 ガス雰
囲気でＨＭＤＳコーティング処理を行う第１のユニット
と、前記第１のユニットとは別のユニットであって、前
記付着処理後に前記半導体基板を減圧処理する第２のユ
ニットとを備えている。ここで、前記第２のユニットに
は前記半導体基板を加熱する手段が設けられていること
ができる。 本発明のＨＭＤＳ処理方法は、半導体基板表
面にＨＭＤＳを含有したＮ 2 ガス雰囲気でＨＭＤＳコー
ティング処理を行う第１の工程と、前記第１の工程の完
了後に前記半導体基板を減圧処理する第２の工程とを有
する。ここで、前記第２の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることができる。
置は、半導体基板表面にＨＭＤＳを含有したＮ2 ガス雰
囲気でＨＭＤＳコーティング処理を行う第１のユニット
と、前記第１のユニットとは別のユニットであって、前
記付着処理後に前記半導体基板を減圧処理する第２のユ
ニットとを備えている。ここで、前記第２のユニットに
は前記半導体基板を加熱する手段が設けられていること
ができる。 本発明のＨＭＤＳ処理方法は、半導体基板表
面にＨＭＤＳを含有したＮ 2 ガス雰囲気でＨＭＤＳコー
ティング処理を行う第１の工程と、前記第１の工程の完
了後に前記半導体基板を減圧処理する第２の工程とを有
する。ここで、前記第２の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることができる。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１の実施例の構成図で、
ユニット（Ａ）とユニット（Ｂ）とから構成される。
尚、図１において、図３と同じ機能の箇所は同一の符号
で示している。以下動作と共に構成を説明する。
ユニット（Ａ）とユニット（Ｂ）とから構成される。
尚、図１において、図３と同じ機能の箇所は同一の符号
で示している。以下動作と共に構成を説明する。
【０００８】プレート１１上に載置された半導体基板１
２の表面へＨＭＤＳを含有したＮ2ガスを吹き出し板１
３から吹き出させ、半導体基板１２表面にＨＭＤＳを付
着させる処理をユニット（Ａ）で行った後、このユニッ
ト（Ａ）に隣接している、半導体基板を減圧処理するユ
ニット（Ｂ）にこの半導体基板１２を搬送する。ユニッ
ト（Ｂ）内おいて、半導体基板１２を減圧槽ベース部１
８内のプレート１１Ａの上に載置し、上下動する減圧槽
上蓋１７が下降して減圧槽が密閉され、真空ポンプ１９
により真空引きを行い約６０ｍｍＨｇの真空度で１分間
の間、減圧処理を行う。この減圧処理により、半導体基
板１２の表面の過剰のＨＭＤＳを除去する。 ユニット
（Ａ）におけるプレート１１は室温から２００℃まで温
度制御可能なものを用い、半導体基板の状態等によりＨ
ＭＤＳの付着処理を室温または加熱された状態で行う。
２の表面へＨＭＤＳを含有したＮ2ガスを吹き出し板１
３から吹き出させ、半導体基板１２表面にＨＭＤＳを付
着させる処理をユニット（Ａ）で行った後、このユニッ
ト（Ａ）に隣接している、半導体基板を減圧処理するユ
ニット（Ｂ）にこの半導体基板１２を搬送する。ユニッ
ト（Ｂ）内おいて、半導体基板１２を減圧槽ベース部１
８内のプレート１１Ａの上に載置し、上下動する減圧槽
上蓋１７が下降して減圧槽が密閉され、真空ポンプ１９
により真空引きを行い約６０ｍｍＨｇの真空度で１分間
の間、減圧処理を行う。この減圧処理により、半導体基
板１２の表面の過剰のＨＭＤＳを除去する。 ユニット
（Ａ）におけるプレート１１は室温から２００℃まで温
度制御可能なものを用い、半導体基板の状態等によりＨ
ＭＤＳの付着処理を室温または加熱された状態で行う。
【０００９】また、減圧処理の真空度及び減圧処理の時
間、減圧の速度については特に制限はない。
間、減圧の速度については特に制限はない。
【００１０】図２は、本発明の第２の実施例の構成図で
ある。尚、図２において、図１、図３と同じ機能の箇所
は同一の符号で示している。この第２の実施例の第１の
実施例との相違点は、ユニット（Ｂ）の減圧処理ユニッ
トのプレート１１Ｂに、室温から２００℃までの温度制
御可能なものを用い、半導体基板の状態等により減圧処
理を室温または加熱された状態で行うことが出来る事で
ある。以下、動作と共に第２の実施例を説明する。
ある。尚、図２において、図１、図３と同じ機能の箇所
は同一の符号で示している。この第２の実施例の第１の
実施例との相違点は、ユニット（Ｂ）の減圧処理ユニッ
トのプレート１１Ｂに、室温から２００℃までの温度制
御可能なものを用い、半導体基板の状態等により減圧処
理を室温または加熱された状態で行うことが出来る事で
ある。以下、動作と共に第２の実施例を説明する。
【００１１】ユニット（Ａ）においてＨＭＤＳを付着さ
せた半導体基板１２をユニット（Ｂ）の減圧処理ユニッ
トに搬送させ、８０℃に加熱されたプレート１１Ｂの上
に載置し、上下動する減圧槽の上蓋１７を下降させ、減
圧槽１８を密閉し、約６０ｍｍＨｇの真空度で３０秒間
減圧処理を行う。この減圧処理により半導体基板１２の
表面の過剰のＨＭＤＳを除去する。
せた半導体基板１２をユニット（Ｂ）の減圧処理ユニッ
トに搬送させ、８０℃に加熱されたプレート１１Ｂの上
に載置し、上下動する減圧槽の上蓋１７を下降させ、減
圧槽１８を密閉し、約６０ｍｍＨｇの真空度で３０秒間
減圧処理を行う。この減圧処理により半導体基板１２の
表面の過剰のＨＭＤＳを除去する。
【００１２】尚、この第２の実施例におけるユニット
（Ａ）におけるプレート１１も第１の実施例と同様に室
温から２００℃まで温度制御可能なものを用い、ＨＭＤ
Ｓ付着処理を室温または加熱して行う。
（Ａ）におけるプレート１１も第１の実施例と同様に室
温から２００℃まで温度制御可能なものを用い、ＨＭＤ
Ｓ付着処理を室温または加熱して行う。
【００１３】また、減圧処理の真空度及び減圧処理の時
間、減圧の速度については特に制限はない。
間、減圧の速度については特に制限はない。
【００１４】この第２の実施例では、減圧処理を室温よ
り高い温度で加熱しながら行うため、時間短縮ができる
上、より適度なＨＭＤＳ処理を行うことが可能であると
いう利点がある。
り高い温度で加熱しながら行うため、時間短縮ができる
上、より適度なＨＭＤＳ処理を行うことが可能であると
いう利点がある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＨＭＤＳ
処理ユニットで半導体基板表面にＨＭＤＳ分子を供給
し、表面に付着させた後、減圧処理ユニットで過剰のＨ
ＭＤＳ分子を半導体基板表面から減圧除去する。したが
って、その後のホトレジスト塗布、露光、現像でホトレ
ジストと半導体基板が不所望に強固に密着して露光部の
レジストが完全に溶解除去されず、レジストが残留し、
後工程のエッチング工程でのパターン加工が正確に行わ
れないという問題が解消されるという効果を有する。
処理ユニットで半導体基板表面にＨＭＤＳ分子を供給
し、表面に付着させた後、減圧処理ユニットで過剰のＨ
ＭＤＳ分子を半導体基板表面から減圧除去する。したが
って、その後のホトレジスト塗布、露光、現像でホトレ
ジストと半導体基板が不所望に強固に密着して露光部の
レジストが完全に溶解除去されず、レジストが残留し、
後工程のエッチング工程でのパターン加工が正確に行わ
れないという問題が解消されるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す構成図。
【図３】従来技術の半導体基板の処理装置を示す構成
図。
図。
【符号の説明】 １１、１１Ａ、１１Ｂ プレート １２ 半導体基板 １３ 吹き出し板 １４ 保護カバー １５ 配管 １６ バブラー １７ 減圧槽の上蓋 １８ 減圧槽のベース部 １９ 真空ポンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板にホトレジストを塗布する前
の処理装置において、半導体基板の表面にヘキサメチレ
ンジシラザンを含有した窒素ガス雰囲気でヘキサメチレ
ンジシラザンを付着させる第１のユニットと、前記第１
のユニットとは別のユニットであって、前記付着処理後
に前記半導体基板を減圧処理する第２のユニットとを備
えることを特徴とする半導体基板の表面処理装置。 - 【請求項２】 前記第２のユニットには前記半導体基板
を加熱する手段が設けられていることを特徴とする請求
項１記載の半導体基板の表面処理装置。 - 【請求項３】 半導体基板にホトレジストを塗布する前
の処理方法において、半導体基板の表面にヘキサメチレ
ンジシラザンを含有した窒素ガス雰囲気でヘキサメチレ
ンジシラザンを付着させる第１の工程と、前記第１の工
程の完了後に前記半導体基板を減圧処理する第２の工程
とを有することを特徴とする半導体基板の表面処理方
法。 - 【請求項４】 前記第２の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることを特徴とする請求項３記載の半導
体基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29688591A JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29688591A JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251324A JPH05251324A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3074858B2 true JP3074858B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17839429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29688591A Expired - Lifetime JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074858B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5332444A (en) * | 1992-11-25 | 1994-07-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Gas phase cleaning agents for removing metal containing contaminants from integrated circuit assemblies and a process for using the same |
| CN102915908B (zh) * | 2011-08-03 | 2016-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于甲硅烷化的预处理方法及包括该方法的甲硅烷化方法 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP29688591A patent/JP3074858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251324A (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000509 |