JP3074858B2 - 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents
半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法Info
- Publication number
- JP3074858B2 JP3074858B2 JP29688591A JP29688591A JP3074858B2 JP 3074858 B2 JP3074858 B2 JP 3074858B2 JP 29688591 A JP29688591 A JP 29688591A JP 29688591 A JP29688591 A JP 29688591A JP 3074858 B2 JP3074858 B2 JP 3074858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- unit
- surface treatment
- hmds
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の表面処理
装置及び表面処理方法に係わり、特に半導体集積回路な
どのパターンを半導体基板上に形成する為のホトレジス
トを塗布する前のヘキサメチレンジシラザン(以下、H
MDS、という)処理を行う表面処理装置及び表面処理
方法に関する。
装置及び表面処理方法に係わり、特に半導体集積回路な
どのパターンを半導体基板上に形成する為のホトレジス
トを塗布する前のヘキサメチレンジシラザン(以下、H
MDS、という)処理を行う表面処理装置及び表面処理
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、ホトレ
ジストを塗布する前の処理として行うHMDS処理は、
ホトレジストと半導体基板との密着性を向上させるため
に行う処理で、レジストパターンを形成するために行う
現像、あるいはレジストパターンを形成した後、フッ酸
系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウエットエッチン
グにおいて、ホトレジストの半導体基板との間に水ある
いは薬液が浸入するのを防ぐために行われる。
ジストを塗布する前の処理として行うHMDS処理は、
ホトレジストと半導体基板との密着性を向上させるため
に行う処理で、レジストパターンを形成するために行う
現像、あるいはレジストパターンを形成した後、フッ酸
系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウエットエッチン
グにおいて、ホトレジストの半導体基板との間に水ある
いは薬液が浸入するのを防ぐために行われる。
【0003】従来のHMDS処理装置は、図3に示され
るように、室温から200℃まで温度制御可能なホット
プレート11と、室温より高い温度(例えば80℃)で
HMDS処理を行うことが可能なように処理温度を一定
に保つための保温カバー14と、半導体基板12の全体
をカバーできる大きさでその下面に20〜50個の直径
が約1mmの穴が面内均等に設けられた円板からなる吹
き出し板13とから構成されている。ホットプレート1
1上に載置された半導体基板12の表面へHMDSを含
有した窒素(N2 )ガスを吹き出し板13から供給され
て処理される。このHMDSを含有したN2 ガスはHM
DSをN2 ガスでバブリングを行うバブラー16から配
管15を通じて吹き出し板13へ供給される。
るように、室温から200℃まで温度制御可能なホット
プレート11と、室温より高い温度(例えば80℃)で
HMDS処理を行うことが可能なように処理温度を一定
に保つための保温カバー14と、半導体基板12の全体
をカバーできる大きさでその下面に20〜50個の直径
が約1mmの穴が面内均等に設けられた円板からなる吹
き出し板13とから構成されている。ホットプレート1
1上に載置された半導体基板12の表面へHMDSを含
有した窒素(N2 )ガスを吹き出し板13から供給され
て処理される。このHMDSを含有したN2 ガスはHM
DSをN2 ガスでバブリングを行うバブラー16から配
管15を通じて吹き出し板13へ供給される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のHMD
S処理では、過剰のHMDS分子を半導体基板表面に供
給し、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を必要
以上に向上させ、ホトレジスト塗布、露光後の現像にお
いて、ホトレジストと半導体基板が不所望に強固に密着
して、露光部のレジストが完全に溶解除去されず、レジ
ストが残留し、後工程のエッチング工程でのパターン加
工が正確に行われず、歩留りの低下につながるという問
題点があった。
S処理では、過剰のHMDS分子を半導体基板表面に供
給し、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を必要
以上に向上させ、ホトレジスト塗布、露光後の現像にお
いて、ホトレジストと半導体基板が不所望に強固に密着
して、露光部のレジストが完全に溶解除去されず、レジ
ストが残留し、後工程のエッチング工程でのパターン加
工が正確に行われず、歩留りの低下につながるという問
題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のHMDS処理装
置は、半導体基板表面にHMDSを含有したN2 ガス雰
囲気でHMDSコーティング処理を行う第1のユニット
と、前記第1のユニットとは別のユニットであって、前
記付着処理後に前記半導体基板を減圧処理する第2のユ
ニットとを備えている。ここで、前記第2のユニットに
は前記半導体基板を加熱する手段が設けられていること
ができる。 本発明のHMDS処理方法は、半導体基板表
面にHMDSを含有したN 2 ガス雰囲気でHMDSコー
ティング処理を行う第1の工程と、前記第1の工程の完
了後に前記半導体基板を減圧処理する第2の工程とを有
する。ここで、前記第2の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることができる。
置は、半導体基板表面にHMDSを含有したN2 ガス雰
囲気でHMDSコーティング処理を行う第1のユニット
と、前記第1のユニットとは別のユニットであって、前
記付着処理後に前記半導体基板を減圧処理する第2のユ
ニットとを備えている。ここで、前記第2のユニットに
は前記半導体基板を加熱する手段が設けられていること
ができる。 本発明のHMDS処理方法は、半導体基板表
面にHMDSを含有したN 2 ガス雰囲気でHMDSコー
ティング処理を行う第1の工程と、前記第1の工程の完
了後に前記半導体基板を減圧処理する第2の工程とを有
する。ここで、前記第2の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることができる。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0007】図1は本発明の第1の実施例の構成図で、
ユニット(A)とユニット(B)とから構成される。
尚、図1において、図3と同じ機能の箇所は同一の符号
で示している。以下動作と共に構成を説明する。
ユニット(A)とユニット(B)とから構成される。
尚、図1において、図3と同じ機能の箇所は同一の符号
で示している。以下動作と共に構成を説明する。
【0008】プレート11上に載置された半導体基板1
2の表面へHMDSを含有したN2ガスを吹き出し板1
3から吹き出させ、半導体基板12表面にHMDSを付
着させる処理をユニット(A)で行った後、このユニッ
ト(A)に隣接している、半導体基板を減圧処理するユ
ニット(B)にこの半導体基板12を搬送する。ユニッ
ト(B)内おいて、半導体基板12を減圧槽ベース部1
8内のプレート11Aの上に載置し、上下動する減圧槽
上蓋17が下降して減圧槽が密閉され、真空ポンプ19
により真空引きを行い約60mmHgの真空度で1分間
の間、減圧処理を行う。この減圧処理により、半導体基
板12の表面の過剰のHMDSを除去する。 ユニット
(A)におけるプレート11は室温から200℃まで温
度制御可能なものを用い、半導体基板の状態等によりH
MDSの付着処理を室温または加熱された状態で行う。
2の表面へHMDSを含有したN2ガスを吹き出し板1
3から吹き出させ、半導体基板12表面にHMDSを付
着させる処理をユニット(A)で行った後、このユニッ
ト(A)に隣接している、半導体基板を減圧処理するユ
ニット(B)にこの半導体基板12を搬送する。ユニッ
ト(B)内おいて、半導体基板12を減圧槽ベース部1
8内のプレート11Aの上に載置し、上下動する減圧槽
上蓋17が下降して減圧槽が密閉され、真空ポンプ19
により真空引きを行い約60mmHgの真空度で1分間
の間、減圧処理を行う。この減圧処理により、半導体基
板12の表面の過剰のHMDSを除去する。 ユニット
(A)におけるプレート11は室温から200℃まで温
度制御可能なものを用い、半導体基板の状態等によりH
MDSの付着処理を室温または加熱された状態で行う。
【0009】また、減圧処理の真空度及び減圧処理の時
間、減圧の速度については特に制限はない。
間、減圧の速度については特に制限はない。
【0010】図2は、本発明の第2の実施例の構成図で
ある。尚、図2において、図1、図3と同じ機能の箇所
は同一の符号で示している。この第2の実施例の第1の
実施例との相違点は、ユニット(B)の減圧処理ユニッ
トのプレート11Bに、室温から200℃までの温度制
御可能なものを用い、半導体基板の状態等により減圧処
理を室温または加熱された状態で行うことが出来る事で
ある。以下、動作と共に第2の実施例を説明する。
ある。尚、図2において、図1、図3と同じ機能の箇所
は同一の符号で示している。この第2の実施例の第1の
実施例との相違点は、ユニット(B)の減圧処理ユニッ
トのプレート11Bに、室温から200℃までの温度制
御可能なものを用い、半導体基板の状態等により減圧処
理を室温または加熱された状態で行うことが出来る事で
ある。以下、動作と共に第2の実施例を説明する。
【0011】ユニット(A)においてHMDSを付着さ
せた半導体基板12をユニット(B)の減圧処理ユニッ
トに搬送させ、80℃に加熱されたプレート11Bの上
に載置し、上下動する減圧槽の上蓋17を下降させ、減
圧槽18を密閉し、約60mmHgの真空度で30秒間
減圧処理を行う。この減圧処理により半導体基板12の
表面の過剰のHMDSを除去する。
せた半導体基板12をユニット(B)の減圧処理ユニッ
トに搬送させ、80℃に加熱されたプレート11Bの上
に載置し、上下動する減圧槽の上蓋17を下降させ、減
圧槽18を密閉し、約60mmHgの真空度で30秒間
減圧処理を行う。この減圧処理により半導体基板12の
表面の過剰のHMDSを除去する。
【0012】尚、この第2の実施例におけるユニット
(A)におけるプレート11も第1の実施例と同様に室
温から200℃まで温度制御可能なものを用い、HMD
S付着処理を室温または加熱して行う。
(A)におけるプレート11も第1の実施例と同様に室
温から200℃まで温度制御可能なものを用い、HMD
S付着処理を室温または加熱して行う。
【0013】また、減圧処理の真空度及び減圧処理の時
間、減圧の速度については特に制限はない。
間、減圧の速度については特に制限はない。
【0014】この第2の実施例では、減圧処理を室温よ
り高い温度で加熱しながら行うため、時間短縮ができる
上、より適度なHMDS処理を行うことが可能であると
いう利点がある。
り高い温度で加熱しながら行うため、時間短縮ができる
上、より適度なHMDS処理を行うことが可能であると
いう利点がある。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、HMDS
処理ユニットで半導体基板表面にHMDS分子を供給
し、表面に付着させた後、減圧処理ユニットで過剰のH
MDS分子を半導体基板表面から減圧除去する。したが
って、その後のホトレジスト塗布、露光、現像でホトレ
ジストと半導体基板が不所望に強固に密着して露光部の
レジストが完全に溶解除去されず、レジストが残留し、
後工程のエッチング工程でのパターン加工が正確に行わ
れないという問題が解消されるという効果を有する。
処理ユニットで半導体基板表面にHMDS分子を供給
し、表面に付着させた後、減圧処理ユニットで過剰のH
MDS分子を半導体基板表面から減圧除去する。したが
って、その後のホトレジスト塗布、露光、現像でホトレ
ジストと半導体基板が不所望に強固に密着して露光部の
レジストが完全に溶解除去されず、レジストが残留し、
後工程のエッチング工程でのパターン加工が正確に行わ
れないという問題が解消されるという効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例を示す構成図。
【図2】本発明の第2の実施例を示す構成図。
【図3】従来技術の半導体基板の処理装置を示す構成
図。
図。
【符号の説明】 11、11A、11B プレート 12 半導体基板 13 吹き出し板 14 保護カバー 15 配管 16 バブラー 17 減圧槽の上蓋 18 減圧槽のベース部 19 真空ポンプ
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板にホトレジストを塗布する前
の処理装置において、半導体基板の表面にヘキサメチレ
ンジシラザンを含有した窒素ガス雰囲気でヘキサメチレ
ンジシラザンを付着させる第1のユニットと、前記第1
のユニットとは別のユニットであって、前記付着処理後
に前記半導体基板を減圧処理する第2のユニットとを備
えることを特徴とする半導体基板の表面処理装置。 - 【請求項2】 前記第2のユニットには前記半導体基板
を加熱する手段が設けられていることを特徴とする請求
項1記載の半導体基板の表面処理装置。 - 【請求項3】 半導体基板にホトレジストを塗布する前
の処理方法において、半導体基板の表面にヘキサメチレ
ンジシラザンを含有した窒素ガス雰囲気でヘキサメチレ
ンジシラザンを付着させる第1の工程と、前記第1の工
程の完了後に前記半導体基板を減圧処理する第2の工程
とを有することを特徴とする半導体基板の表面処理方
法。 - 【請求項4】 前記第2の工程は室温もしくは加熱され
た状態で行われることを特徴とする請求項3記載の半導
体基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29688591A JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29688591A JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05251324A JPH05251324A (ja) | 1993-09-28 |
JP3074858B2 true JP3074858B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17839429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29688591A Expired - Lifetime JP3074858B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3074858B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5332444A (en) * | 1992-11-25 | 1994-07-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Gas phase cleaning agents for removing metal containing contaminants from integrated circuit assemblies and a process for using the same |
CN102915908B (zh) * | 2011-08-03 | 2016-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于甲硅烷化的预处理方法及包括该方法的甲硅烷化方法 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP29688591A patent/JP3074858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05251324A (ja) | 1993-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200507024A (en) | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate | |
JP2013141013A (ja) | 乾式非プラズマ処理システム及び当該システムの使用方法 | |
JPH0344913A (ja) | 露光方法 | |
WO2007117742A2 (en) | Batch processing system and method for performing chemical oxide removal | |
JP2006049798A5 (ja) | ||
JPH0542133B2 (ja) | ||
KR20080080925A (ko) | 기판 처리 장치 | |
ID17230A (id) | Metode memproses lapisan bawah | |
US20070262051A1 (en) | Method of plasma etching with pattern mask | |
JP3074858B2 (ja) | 半導体基板の表面処理装置及び表面処理方法 | |
JP2797839B2 (ja) | 半導体基板表面処理装置 | |
TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
EP0370486A2 (en) | Method for high temperature reaction process | |
JP2675766B2 (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
JPH0313734B2 (ja) | ||
JP2000353649A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH0499310A (ja) | 密着力強化処理装置 | |
JP2003100616A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
JPH0479310A (ja) | 半導体基板の処理装置 | |
JPH08274015A (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
JPH0244722A (ja) | アッシング方法 | |
CN113993288A (zh) | 一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法 | |
JPH08292552A (ja) | ペリクル膜の製造方法 | |
JPS6379324A (ja) | アツシング方法およびその装置 | |
JPS59194437A (ja) | パタ−ン加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000509 |