JP3074274B1 - 液晶ディスプレイのtft製造方法 - Google Patents
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Abstract
供。 【解決手段】 第1金属相をガラス基板上にスパッタ
し、エッチングによりゲート導線を画定した後、スピナ
コーティングで有機ポリマー材料を堆積並びにキュア
し、続いて酸素ガス及び六フッ化イオウを利用しドライ
エッチングして有機ポリマーをエッチバックし、さらに
UVスペクトル終点検出器を利用しエッチングの終点を
決定する。続いてゲート絶縁層、アモルファスシリコン
層、窒化シリコン層を順に画定し、この窒化シリコンを
エッチングした後にさらにn形ヘビードープアモルファ
スシリコンを堆積、画定し、さらに金属層を堆積、エッ
チングしてソース/ドレインを形成し、最後に窒化シリ
コン保護層を形成して、本発明の平坦化TFT構造を完
成する。
Description
レイのTFT製造方法に係り、特にTFTのゲート導線
の平坦化を達成する液晶ディスプレイのTFT製造方法
に関する。
展は目ざましく、小面積の腕時計、電子計算機から比較
的大きな面積のモバイルコンピュータのディスプレイ、
液晶テレビまであらゆるところに応用されている。この
ような液晶ディスプレイは軽く薄いだけでなく、消耗電
力量が比較的少ない。
なマトリクス方式とアクティブマトアリクスの方式があ
り、アクティブマトリクスの液晶ディスプレイはTFT
(薄膜トランジスタ)或いは薄膜ダイオードを使用して
大型化と低コストの要求に応じる必要がある。最近の半
導体技術の発展により、シリコン薄膜を利用して形成し
たTFT液晶ディスプレイはより実用化の段階に至って
いる。
は2片のガラス基板中に液晶を封入し、下方の基板にマ
トリクス状の信号線と走査線を配置し、信号線と走査線
の交点にTFTと画素電極を連接するものである。上方
の基板に共用電極とカラーフィルタを配置している。操
作時には、TFTに加えるゲート信号電圧を各単位画素
のスイッチ素子となして、トランジスタがオンとなる時
に、画像信号を付帯するデータ電圧が信号線を通って対
応する画素電極と液晶に加わり、これにより液晶分子の
配列に影響を与えて光学変化と画像表示を発生する。
0Åから3000Åとされ、解析度が高い場合は、30
00Åから4000Åとされた。液晶ディスプレイの動
作能力を高めるため、例えば、6ビットから8ビットに
進歩する時、ゲート厚はさらに5000Åから6000
Å程度にまで達した。このとき、ゲート絶縁層の厚さを
余り大きくしないことにより、素子の機能を保持でき
る。もしゲートを余り厚くする必要がなければ、ゲート
絶縁層とゲートの連接部の界面が増加し、電圧のブレー
クダウン或いはリーク電流の発生という問題が生じ、こ
のため周知の技術によると、この問題を解決するため
に、ゲート領域画定の後、まず一層の有機ポリマー層を
堆積してから、ゲート絶縁層を堆積している。
の厚さの制御が行いにくく、このため、ゲートとゲート
絶縁層の堆積の間に、TFTの特性がこの有機ポリマー
層の影響により下がることがあり、この厚さの不均一性
はさらに液晶ディスプレイの品質に影響し、このためこ
の問題を解決して製品の歩留りを向上することができる
新たな方法が求められていた。
のTFT液晶ディスプレイはTFTの特性を向上するた
めに、ゲートとゲート絶縁層の間にまず一層の有機ポリ
マー材料が堆積されている。しかし、この有機ポリマー
の厚さは適切な高さに制御しにくいため、TFTの特性
が減衰する傾向があった。このため、本発明は、TFT
の機能を増進できるTFT液晶ディスプレイの平坦化構
造と方法を提供することを課題としている。
マーの厚さを有効に制御できるTFT液晶ディスプレイ
の平坦化方法を提供することにある。
ディスプレイのTFT製造方法において、第1導電層を
基板の上に形成するステップ、第1導電層をエッチング
してゲート導線を形成するステップ、有機ポリマー材料
を該ゲート導線と該基板の上に塗布するステップ、有機
ポリマー層をエッチバックし、このとき該第2導電層を
以てエッチング終点を検出するステップ、一つの誘電層
をゲート導線と該有機ポリマー層の上に形成し、該TF
Tのゲート絶縁層となすステップ、アモルファスシリコ
ン層を該誘電層の上に形成並びに画定し、該TFTのチ
ャネル層となすステップ、ヘビードープアモルファスシ
リコン層を該アモルファスシリコン層の上に形成並びに
画定するステップ、第2導電層を該ヘビードープアモル
ファスシリコン層の上に形成並びに画定し、該TFTの
ソースとドレインを形成するステップ、以上のステップ
を少なくとも具えたことを特徴とする、液晶ディスプレ
イのTFT製造方法としている。請求項2の発明は、前
記基板をガラス基板とすることを特徴とした、請求項1
に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としてい
る。請求項3の発明は、前記第1導電層をタングステン
モリブデン層とすることを特徴とする、請求項1に記載
の液晶ディスプレイのTFT製造方法としている。請求
項4の発明は、前記有機ポリマー材料を塗布するステッ
プにおいてスピンコーティング法を用いることを特徴と
する、請求項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製造
方法としている。請求項5の発明は、前記有機ポリマー
層をエッチバックするステップにおいて、六フッ化イオ
ウガスと酸素ガスを使用したドライエッチングを行うこ
とを特徴とする、請求項1に記載の液晶ディスプレイの
TFT製造方法としている。請求項6の発明は、前記第
2導電層を以てエッチング終点を検出する時に、モリブ
デンを検出材料とすることを特徴とする、請求項1に記
載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としている。請
求項7の発明は、前記有機ポリマー層に対するエッチバ
ックのステップで、該有機ポリマー層をエッチングして
有機ポリマー層をゲート導線より1000Åから300
0Å程度低くすることを特徴とする、請求項1に記載の
液晶ディスプレイのTFT製造方法としている。請求項
8の発明は、前記誘電層を窒化シリコンで組成すること
を特徴とする、請求項1に記載の液晶ディスプレイのT
FT製造方法としている。請求項9の発明は、前記ヘビ
ードープアモルファスシリコン層のドーパントをn型と
する、請求項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製造
方法としている。請求項10の発明は、液晶ディスプレ
イのTFT製造方法において、第1導電層を基板の上に
形成するステップ、第2導電層を該第1導電層の上に形
成するステップ、該第1導電層と該第2導電層をエッチ
ングしてゲート導線を形成するステップ、該第1導電層
の側壁を陽極酸化するステップ、有機ポリマー材料を該
ゲート導線と該基板の上に塗布するステップ、該有機ポ
リマー材料をエッチバックし、そのうち該第2導電層を
以てエッチング終点を検出するステップ、第2導電層を
エッチングし並びに底層の第1導電層を露出させるステ
ップ、第1導電層の上端を陽極酸化するステップ、一つ
の誘電層を該ゲート導線と該有機ポリマー材料の上に形
成して該TFTのゲート絶縁層となすステップ、アモル
ファスシリコン層を該誘電層の上に形成、画定し、該T
FTのチャネル層となすステップ、該アモルファスシリ
コン層の上にヘビードープアモルファスシリコン層を形
成並びに画定するステップ、第3導電層を該ヘビードー
プアモルファスシリコン層の上に形成並びに画定し、該
TFTのソースとドレインを形成するステップ、以上の
ステップを少なくとも具えたことを特徴とする、液晶デ
ィスプレイのTFT製造方法としている。請求項11の
発明は、前記基板をガラス基板とすることを特徴とし
た、請求項10に記載の液晶ディスプレイのTFT製造
方法としている。請求項12の発明は、前記第1導電層
の材料としてアルミニウム、アルミ合金で組成されたグ
ループより一つを選択することを特徴とする、請求項1
0に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としてい
る。請求項13の発明は、前記第2導電層をモリブデン
とすることを特徴とする、請求項10に記載の液晶ディ
スプレイのTFT製造方法としている。請求項14の発
明は、前記有機ポリマー材料を塗布するステップにおい
てスピンコーティング法を用いることを特徴とする、請
求項10に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法と
している。請求項15の発明は、前記有機ポリマー材料
をエッチバックするステップにおいて、六フッ化イオウ
ガスと酸素ガスを使用したドライエッチングを行うこと
を特徴とする、請求項10に記載の液晶ディスプレイの
TFT製造方法としている。請求項16の発明は、前記
有機ポリマー層に対するエッチバックのステップで、該
有機ポリマー層をエッチングして有機ポリマー層をゲー
ト導線より1000Åから3000Å程度低くすること
を特徴とする、請求項10に記載の液晶ディスプレイの
TFT製造方法としている。請求項17の発明は、前記
誘電層を窒化シリコンで組成することを特徴とする、請
求項10に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法と
している。請求項18の発明は、前記ヘビードープアモ
ルファスシリコン層のドーパントをn型とする、請求項
10に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法として
いる。請求項19の発明は、液晶ディスプレイのTFT
製造方法において、第1導電層を基板の上に形成するス
テップ、該第1導電層をエッチングしてゲート導線を形
成するステップ、有機ポリマー材料を該ゲート導線と該
基板の上に塗布し並びにキュアするステップ、該有機ポ
リマー材料をエッチバックし、このとき第1導電層を以
てエッチング終点を検出するステップ、以上のステップ
を少なくとも具えたことを特徴とする、液晶ディスプレ
イのTFT製造方法としている。請求項20の発明は、
前記第1導電層の材料として、タングステンモリブデン
合金、アルミニウム、アルミニウム合金で組成されたグ
ループより一つを選択することを特徴とする、請求項1
9に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としてい
る。請求項21の発明は、前記第1導電層がさらに最上
層のモリブデン層を具えたことを特徴とする、請求項1
9に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としてい
る。請求項22の発明は、前記有機ポリマー材料の塗布
のステップをスピンコーティング法を以て進行すること
を特徴とする、請求項19に記載の液晶ディスプレイの
TFT製造方法としている。請求項23の発明は、前記
有機ポリマー材料をエッチバックするステップにおい
て、六フッ化イオウガスと酸素ガスを使用したドライエ
ッチングを行うことを特徴とする、請求項19に記載の
液晶ディスプレイのTFT製造方法としている。請求項
24の発明は、前記有機ポリマー層に対するエッチバッ
クのステップで、該有機ポリマー層をエッチングして有
機ポリマー層の厚さをゲート導線より1000Åから3
000Å程度低くすることを特徴とする、請求項19に
記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法としている。
請求項25の発明は、前記エッチング終点を検出する時
に、モリブデンを検出材料とすることを特徴とする、請
求項19に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法と
している。
ず、スパッタ法によりタングステンモリブデン合金をガ
ラス基板の上に堆積して形成し、さらに周知のリソグラ
フィーマスクとエッチングによりこのタングステンモリ
ブデン合金をエッチングしゲート導線層を形成し、その
後、このゲート導線層の上に、スピンコーティングによ
り有機ポリマー材料を形成し、並びにキュアする。続い
て、ドライエッチング法で有機ポリマーをエッチバック
し、そのとき利用するガスは酸素ガス及び六フッ化イオ
ウである。有機ポリマーに対するエッチングは二つのス
テップを具備する。即ち、第1ステップにおいて、エッ
チング初期に、エッチング速度を増すために、比較的高
い濃度の六フッ化イオウを利用して有機ポリマーをエッ
チングする。その後、タングステンモリブデン合金の損
害を防止するため、タングステンモリブデン合金の濃度
を下げる。
点検出器を利用してエッチングの終点を決定して、エッ
チング不足或いは過度のエッチングによる問題の発生を
回避し、並びにゲート導線中のモリブデンを検出材料と
する。反応ガス中の六フッ化イオウ含有量は比較的少な
く、タングステンモリブデン合金の表面には反応ガスに
よりエッチングされないため、ゲート高度を平坦化した
有機ポリマー表面より高くすることができる。これによ
り平坦化した有機ポリマー表面がTFTの特性に影響を
与えることがなくなる。
びに平坦化した後、続いて窒化シリコンが形成するゲー
ト絶縁層、真性アモルファスシリコン(intrins
icamorfphous silicon)、及び第
2の窒化シリコン層を順に堆積し、第2の窒化シリコン
層をエッチングした後にさらにn形ヘビードープアモル
ファスシリコンを堆積する。その後、このn形ヘビード
ープアモルファスシリコンをエッチングし、さらに一つ
の金属層を堆積し、さらにこの金属層をエッチングして
ソース/ドレインを形成し、最後に窒化シリコン保護層
を形成してソース/ドレインと外界を電気的に隔離す
る。こうして本発明の平坦化TFT構造を完成する。
ニウム或いはアルミ合金材料を堆積し、さらに第2層の
モリブデン薄膜をアルミニウム或いはアルミ合金材料の
上に堆積する。そして周知の周知のリソグラフィーマス
クとエッチングによりこの堆積層をエッチングしてゲー
ト導線を画定し、その後さらに陽極酸化法(anodi
c oxidation)このゲート導線の側壁に酸化
アルミニウム層を形成する。
マーをスピンコーティングし並びにキュアする。続い
て、酸素ガスと六フッ化イオウを利用しドライエッチン
グ法で有機ポリマーをエッチバックすると共に、エッチ
ング初期に比較的高い六フッ化イオウ濃度で有機ポリマ
ーをエッチングし、その後、六フッ化イオウ濃度を下げ
てアルミニウム或いはアルミ合金層を損壊するのを防止
する。その後、UVスペクトル終点検出器を利用してエ
ッチングの終点を決定し、検出する材料は最上層のモリ
ブデン金属層とする。金属堆積層の表面は反応ガスによ
りエッチングされないため、ゲート高度を平坦化した有
機ポリマーの表面より高くすることができる。
に、最上層の残りのモリブデン層を除去し、その後、第
2回の陽極酸化プロセスを進行し、ゲート導線の上端に
酸化アルミニウム遮蔽層を形成する。その後、第1実施
例の工程と同じく、窒化シリコン層を堆積してゲート絶
縁層を形成し、アモルファスシリコン層と第2窒化シリ
コン層を堆積する。その後、この第2窒化シリコン層を
エッチングした後に、さらにn形ヘビードープアモルフ
ァスシリコンを堆積し、このn形ヘビードープアモルフ
ァスシリコンをエッチングした後に一つの金属層を堆積
し、さらにこの金属層をエッチングしてソース/ドレイ
ンを形成し、その後、保護層を形成する。こうして本発
明の第2実施例の平坦化TFT構造を完成する。
析度もますます増加する昨今の状況にあって、その表示
品質を向上し、並びにTFT液晶ディスプレイの機能を
下げることがないように、本発明ではゲート導線製造工
程と構造により有機ポリマーの厚さと平坦化を制御し
て、有効に周知の技術における、有機ポリマーの厚さの
不均一の問題を解決し、歩留りの向上と量産化において
極めて優れた効果を提供している。
造と方法を提供する。以下に本発明の具体的実施例を図
を参照しながら説明する。なお、図中の同じ符号は同じ
材料を代表する。また、図中の各層の比率は各層の厚さ
の比により正確に描かれたものではない。また、記載の
ステップ中、この発明の属する技術の分野における通常
の知識を有する者が熟知するところのリソグラフィーと
エッチングについては、詳細な説明を省略した。
層210を堆積した状態を示す断面図である。基板10
0はガラス材質或いは透明樹脂で組成される。金属層は
タングステンモリブデン合金とされ、且つ適切なPVD
法、例えば蒸着或いはスパッタ法或いはCVD法例えば
PECVD法で堆積される。本発明では、5000Åか
ら8000Åの厚さに堆積する。
パッタ法で堆積した後、周知の周知のリソグラフィーマ
スクとエッチングによりこの金属層210をドライエッ
チングしてゲート導線領域を画定する。続いて、図3に
示されるように、このゲート導線層の厚さが比較的大き
いことから、比較的厚いゲートとゲート絶縁層との間の
界面に電圧ブレークダウン或いはリーク電流の問題が発
生するのを防止するため、まず有機ポリマー層140を
ゲート導線層の上に形成する。この有機ポリマー層14
0はスピンコーティングで形成され、この塗布方法はホ
トレジストのコーティング方式に類似であり、且つ初期
の平坦化効果を提供する。有機ポリマー層140を塗布
した後にキュアを進行する。
マー層140に対するエッチバックのステップを進行す
る。ここで利用する方法は、ドライエッチング技術、即
ちプラズマで薄膜を侵蝕する一種の技術を使用し、反応
ガスは酸素ガスと六フッ化イオウガスとする。このエッ
チングの初期には、有機ポリマー層のエッチング速度を
高めるために六フッ化イオウガスの占める比率を高く
し、この時六フッ化イオウガスと酸素ガスの体積比率は
0.6から0.3とする。その後、過度に高い六フッ化
イオウ比率がゲート導線のタングステンモリブデン合金
に影響を与えるのを防止するために、六フッ化イオウガ
スの比率を低く調整する。この時六フッ化イオウガスと
酸素ガスの体積比率は0.3から0.1とする。
するために、UVスペクトル終点検出器を利用してエッ
チングの終点を決定し、エッチング時に薄膜にエッチン
グ不足或いはエッチング過度の問題を発生させない。六
フッ化イオウはタングステンモリブデン合金を侵蝕しう
るため、有機ポリマー層140に対するエッチングがゲ
ート導線層に接近すると、上述の第2段階の微量の六フ
ッ化イオウガスによりタングステンモリブデン合金をエ
ッチングし、並びにUVスペクトル終点検出器によりモ
リブデン含有量を検出し、有機ポリマー層140の厚さ
をゲート導線層の厚さより1000から3000Å程度
低く制御する。こうして本発明のTFT液晶ディスプレ
イの平坦化構造と製造方法が完成する。
おいて、多層導電層を基板の上に堆積した状態を示す断
面図である。ガラス材質或いは透明樹脂で組成された基
板100の上に、まずスパッタ法で第1の金属層110
を堆積させ、その後、同じ方法で第2の金属層120を
堆積させる。本発明では、第1の金属層110はアルミ
ニウム或いはアルミ合金層とし、その厚さは5000か
ら8000Åとする。第2の金属層120はモリブデン
層とし、その厚さは2000から4000Åとする。
層110、120をスパッタ法で堆積させた後、周知の
周知のリソグラフィーマスクとエッチングによりこの金
属層210をドライエッチングしてゲート導線領域を画
定する。続いて、図7に示されるように、このゲート導
線領域の側壁に対する陽極酸化を行い酸化アルミニウム
層130を形成する。この陽極酸化プロセスはゲートに
電圧を通じさせ並びにそれを酸性溶液中に浸し、ゲート
導線を酸化還元における陽極となして酸化アルミニウム
層130を形成する。
後、スピンコーティングにより有機ポリマー層140を
ガラス基板100とゲート導線層の上に塗布し、その後
キュアする。続いて、図9に示されるように、有機ポリ
マー層140に対するエッチバックを進行する。ここで
はドライエッチング技術を使用し、プラズマで薄膜を侵
蝕し、反応ガスは酸素ガスと六フッ化イオウガスとす
る。エッチング初期には、有機ポリマー層140のエッ
チング速度を上げるために、六フッ化イオウガスの占め
る比率を高くし、この時六フッ化イオウガスと酸素ガス
の体積比率は0.6から0.3とする。その後、過度に
高い六フッ化イオウ比率のためにゲート導線層の最上層
のモリブデン層がエッチングされて除去されてしまうの
を防止するため、六フッ化イオウガスの比率を低く調整
する。この時六フッ化イオウガスと酸素ガスの体積比率
は0.3から0.1とする。続いてUVスペクトル終点
検出器を利用してゲート上層のモリブデンを検出してエ
ッチングの終点を決定すると共に、有機ポリマー層14
0の厚さをゲート導線層の厚さより1000から300
0Åより低く制御する。
140に対するエッチング完成の後に、残りのモリブデ
ン層をアルミニウムエッチング液或いはクロムエッチン
グ液で剥離し、その後、第2回の陽極酸化プロセスを進
行し、ゲート導線層(金属層110)の上端に酸化アル
ミニウム層150を形成する。
る必要があれば、周知の方法によりTFTの各部分を形
成する。例えば、図12、図13に示されるように、ま
ず一層の誘電層160を堆積させてTFTのゲート絶縁
層となし、本実施例では二酸化シリコン或いは窒化シリ
コン層でこの誘電層160を組成している。その後、こ
のゲート絶縁層(即ち誘電層160)の上に真性アモル
ファスシリコン層170と窒化シリコン層200を堆積
させる。その後、例えばポジティブホトレジストによる
被覆と背面露光の方式で、ゲート導線層をマスクとして
窒化シリコン層200をエッチングし、ゲートの上に位
置する窒化シリコン層パターンを形成し、図12中に示
されるBCE薄膜トランジスタではパターン化したホト
レジストで、ゲートの上に位置する窒化シリコン層20
0を先行剥離している。
ン層180を上述の構造の中に堆積させ、そのドーパン
トはn導電型を有する不純物、例えばリン或いは砒素イ
オンとする。その後、ネガティブホトレジストをn形ヘ
ビードープアモルファスシリコン180の上に堆積さ
せ、さらにもう一回、ゲートをマスクとした背面露光の
方式でホトレジストパターンを形成してゲートの上に位
置するn形ヘビードープアモルファスシリコンをエッチ
ングする。続いて、一つの金属層を堆積し、さらにこの
金属層をエッチングしてソース/ドレイン190を形成
する。最後に窒化シリコン保護層(図示せず)を形成し
てソース/ドレインと外界を電気的に隔離する。図12
に示される構造は本発明により形成されたBCE薄膜ト
ランジスタの構造であり、図13に示される構造は本発
明により形成された三層薄膜トランジスタ構造である。
こうして本発明のTFT液晶ディスプレイの平坦化構造
と方法が完成する。
イの有機ポリマー層の平坦化の方法と構造は、TFTに
発生しうる退化の問題を徹底的に解決できるほか、有効
にTFTの機能を増進し、さらに生産の歩留りを向上
し、生産能力を増加することができる。
のであり本発明の請求範囲を限定するものではなく、本
発明に基づきなしうる細部の改変或いは修飾であって本
発明と同じ効果を達成しうるものはいずれも本発明の請
求範囲に属する。
基板上の堆積した状態を示す断面図である。
をエッチングした状態を示す断面図である。
堆積した状態を示す断面図である。
エッチバックした状態を示す断面図である。
板上に堆積した状態を示す断面図である。
属層をエッチングした状態を示す断面図である。
属層の側壁を陽極酸化した状態を示す断面図である。
堆積した状態を示す断面図である。
エッチバックした状態を示す断面図である。
属をエッチングした状態を示す断面図である。
陽極酸化した状態を示す断面図である。
のBCE構造断面表示図である。
の三層構造断面表示図である。
ニウム層 140 有機ポリマー層 150 酸化アルミ
ニウム層 160 誘電層 170 真性アモル
ファスシリコン層 180 ヘビードープアモルファスシリコン層 190 ソース/ドレイン 200 窒化シリコン層
Claims (25)
- 【請求項1】 液晶ディスプレイのTFT製造方法にお
いて、 第1導電層を基板の上に形成するステップ、 第1導電層をエッチングしてゲート導線を形成するステ
ップ、 有機ポリマー材料を該ゲート導線と該基板の上に塗布す
るステップ、 有機ポリマー層をエッチバックし、このとき該第1導電
層を以てエッチング終点を検出するステップ、 一つの誘電層をゲート導線と該有機ポリマー層の上に形
成し、該TFTのゲート絶縁層となすステップ、 アモルファスシリコン層を該誘電層の上に形成並びに画
定し、該TFTのチャネル層となすステップ、 ヘビードープアモルファスシリコン層を該アモルファス
シリコン層の上に形成並びに画定するステップ、 第2導電層を該ヘビードープアモルファスシリコン層の
上に形成並びに画定し、該TFTのソースとドレインを
形成するステップ、 以上のステップを少なくとも具えたことを特徴とする、
液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項2】 前記基板をガラス基板とすることを特徴
とした、請求項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製
造方法。 - 【請求項3】 前記第1導電層をタングステンモリブデ
ン層とすることを特徴とする、請求項1に記載の液晶デ
ィスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項4】 前記有機ポリマー材料を塗布するステッ
プにおいてスピンコーティング法を用いることを特徴と
する、請求項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製造
方法。 - 【請求項5】 前記有機ポリマー層をエッチバックする
ステップにおいて、六フッ化イオウガスと酸素ガスを使
用したドライエッチングを行うことを特徴とする、請求
項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項6】 前記第2導電層を以てエッチング終点を
検出する時に、モリブデンを検出材料とすることを特徴
とする、請求項1に記載の液晶ディスプレイのTFT製
造方法。 - 【請求項7】 前記有機ポリマー層に対するエッチバッ
クのステップで、該有機ポリマー層をエッチングして有
機ポリマー層をゲート導線より1000Åから3000
Å程度低くすることを特徴とする、請求項1に記載の液
晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項8】 前記誘電層を窒化シリコンで組成するこ
とを特徴とする、請求項1に記載の液晶ディスプレイの
TFT製造方法。 - 【請求項9】 前記ヘビードープアモルファスシリコン
層のドーパントをn型とする、請求項1に記載の液晶デ
ィスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項10】 液晶ディスプレイのTFT製造方法に
おいて、 第1導電層を基板の上に形成するステップ、 第2導電層を該第1導電層の上に形成するステップ、 該第1導電層と該第2導電層をエッチングしてゲート導
線を形成するステップ、 該第1導電層の側壁を陽極酸化するステップ、 有機ポリマー材料を該ゲート導線と該基板の上に塗布す
るステップ、 該有機ポリマー材料をエッチバックし、そのうち該第2
導電層を以てエッチング終点を検出するステップ、 第2導電層をエッチングし並びに底層の第1導電層を露
出させるステップ、 第1導電層の上端を陽極酸化するステップ、 一つの誘電層を該ゲート導線と該有機ポリマー材料の上
に形成して該TFTのゲート絶縁層となすステップ、 アモルファスシリコン層を該誘電層の上に形成、画定
し、該TFTのチャネル層となすステップ、 該アモルファスシリコン層の上にヘビードープアモルフ
ァスシリコン層を形成並びに画定するステップ、 第3導電層を該ヘビードープアモルファスシリコン層の
上に形成並びに画定し、該TFTのソースとドレインを
形成するステップ、 以上のステップを少なくとも具えたことを特徴とする、
液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項11】 前記基板をガラス基板とすることを特
徴とした、請求項10に記載の液晶ディスプレイのTF
T製造方法。 - 【請求項12】 前記第1導電層の材料としてアルミニ
ウム、アルミ合金で組成されたグループより一つを選択
することを特徴とする、請求項10に記載の液晶ディス
プレイのTFT製造方法。 - 【請求項13】 前記第2導電層をモリブデンとするこ
とを特徴とする、請求項10に記載の液晶ディスプレイ
のTFT製造方法。 - 【請求項14】 前記有機ポリマー材料を塗布するステ
ップにおいてスピンコーティング法を用いることを特徴
とする、請求項10に記載の液晶ディスプレイのTFT
製造方法。 - 【請求項15】 前記有機ポリマー材料をエッチバック
するステップにおいて、六フッ化イオウガスと酸素ガス
を使用したドライエッチングを行うことを特徴とする、
請求項10に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方
法。 - 【請求項16】 前記有機ポリマー層に対するエッチバ
ックのステップで、該有機ポリマー層をエッチングして
有機ポリマー層をゲート導線より1000Åから300
0Å程度低くすることを特徴とする、請求項10に記載
の液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項17】 前記誘電層を窒化シリコンで組成する
ことを特徴とする、請求項10に記載の液晶ディスプレ
イのTFT製造方法。 - 【請求項18】 前記ヘビードープアモルファスシリコ
ン層のドーパントをn型とする、請求項10に記載の液
晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項19】 液晶ディスプレイのTFT製造方法に
おいて、 第1導電層を基板の上に形成するステップ、 該第1導電層をエッチングしてゲート導線を形成するス
テップ、 有機ポリマー材料を該ゲート導線と該基板の上に塗布し
並びにキュアするステップ、 該有機ポリマー材料をエッチバックし、このとき第1導
電層を以てエッチング終点を検出するステップ、 以上のステップを少なくとも具えたことを特徴とする、
液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項20】 前記第1導電層の材料として、タング
ステンモリブデン合金、アルミニウム、アルミニウム合
金で組成されたグループより一つを選択することを特徴
とする、請求項19に記載の液晶ディスプレイのTFT
製造方法。 - 【請求項21】 前記第1導電層の最上層にモリブデン
層を具えたことを特徴とする、請求項19に記載の液晶
ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項22】 前記有機ポリマー材料の塗布のステッ
プをスピンコーティング法を以て進行することを特徴と
する、請求項19に記載の液晶ディスプレイのTFT製
造方法。 - 【請求項23】 前記有機ポリマー材料をエッチバック
するステップにおいて、六フッ化イオウガスと酸素ガス
を使用したドライエッチングを行うことを特徴とする、
請求項19に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方
法。 - 【請求項24】 前記有機ポリマー層に対するエッチバ
ックのステップで、該有機ポリマー層をエッチングして
有機ポリマー層の厚さをゲート導線より1000Åから
3000Å程度低くすることを特徴とする、請求項19
に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法。 - 【請求項25】 前記エッチング終点を検出する時に、
モリブデンを検出材料とすることを特徴とする、請求項
19に記載の液晶ディスプレイのTFT製造方法。
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