JP3070786B2 - 粒体分析方法およびその装置と該装置による粉砕機ロール間隙調節装置 - Google Patents
粒体分析方法およびその装置と該装置による粉砕機ロール間隙調節装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は簡単に構成される粉粒体
の粒径、粒度分析方法とその装置に係り、特に前記分析
装置による粉砕機ロール間隙調節装置に関する。
の粒径、粒度分析方法とその装置に係り、特に前記分析
装置による粉砕機ロール間隙調節装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術における粉粒体の分析には、顕
微鏡で得られた粒子像を直接あるいは写真に撮って寸法
を測定する観察計数法(顕微鏡法)、媒体中に粒子を分
散させた粒子の沈降速度から粒子径を知る沈降法、電解
質溶液を入れた容器を1個の細孔を有する隔壁で仕切
り、その仕切られた双方の液中に電極を入れ、電極間に
一定の電圧をかけ電流を隔壁の細孔を通じて流れるよう
構成し、ある体積をもつ粒子がこの細孔を通過すると粒
子の体積に比例して抵抗値が増大する現象を利用したエ
レクトロゾーン法、懸濁度の微小部分にレーザ光を照射
して多数の粒子によって散乱した光の強度の微小時間変
動を測定し、この変動を信号に変え、変動の自己相関関
数を計算し拡散の式から求める動的光散乱法、媒体中に
懸濁した粒子群にレーザー光を照射し回折した光をレン
ズで集光して得られる回折像リングの直径とその回折光
の強度を測定する光回折法、また、比較的大きな粒子を
充填した固定相に液体の移動相を層流状態で流動させ
て、固定相の入口で移動相に懸濁液を注入すると、固定
相の出口からは最初大きな粒子、順に最後に最も小さい
粒子という順に出てくるという現象を利用したハイドロ
ダイナミッククロマトグラフィー法等が上げられる。
微鏡で得られた粒子像を直接あるいは写真に撮って寸法
を測定する観察計数法(顕微鏡法)、媒体中に粒子を分
散させた粒子の沈降速度から粒子径を知る沈降法、電解
質溶液を入れた容器を1個の細孔を有する隔壁で仕切
り、その仕切られた双方の液中に電極を入れ、電極間に
一定の電圧をかけ電流を隔壁の細孔を通じて流れるよう
構成し、ある体積をもつ粒子がこの細孔を通過すると粒
子の体積に比例して抵抗値が増大する現象を利用したエ
レクトロゾーン法、懸濁度の微小部分にレーザ光を照射
して多数の粒子によって散乱した光の強度の微小時間変
動を測定し、この変動を信号に変え、変動の自己相関関
数を計算し拡散の式から求める動的光散乱法、媒体中に
懸濁した粒子群にレーザー光を照射し回折した光をレン
ズで集光して得られる回折像リングの直径とその回折光
の強度を測定する光回折法、また、比較的大きな粒子を
充填した固定相に液体の移動相を層流状態で流動させ
て、固定相の入口で移動相に懸濁液を注入すると、固定
相の出口からは最初大きな粒子、順に最後に最も小さい
粒子という順に出てくるという現象を利用したハイドロ
ダイナミッククロマトグラフィー法等が上げられる。
【0003】以上の方法は試験、研究には使用可能であ
っても、粉体を扱う工場等では分析時間、サンプリン
グ、自動化、コスト面から粉体の自動分析装置として使
用することはできなかった。
っても、粉体を扱う工場等では分析時間、サンプリン
グ、自動化、コスト面から粉体の自動分析装置として使
用することはできなかった。
【0004】ところで麦等の製粉はブレーキング、リダ
クションと呼ばれる挽砕、粉砕工程と、ピュリファイ
ヤ、シーブなどの選別分級工程の複数の工程を複雑に組
み合わせて製品を作り出しているが、製粉は粒の粒度が
重要視されその良し悪しが決定される。したがって挽
砕、粉砕工程での粉砕状態、つまり粉砕機のロール間隙
の調節により何様にも変化する粉砕粒度の調節は重要で
ある。この粉砕粒度の調節は前述のように粉砕機のロー
ル間隙調節によって行われるが、その目安となっている
のは粉砕ロールを通った粉砕粒を何種かの篩(テストシ
ーブ)に通して、篩の上に残った網上残粒粉体を粒径に
対する累積網上残粒率(%)として求めたものであり、
この値が目標とする累積網上残粒率(%)になるよう粉
砕ロールの間隙調節を行うようにしている。したがっ
て、製粉の粉砕、挽砕工程のロール間隙調節は、その都
度テストシーブによる粉砕粒を分析して行う手間を考え
ると、オペレーターの勘(粉砕粒の手ざわり、外観)に
頼ることが多い。一方自動化に向けて、シーブの投入側
と排出側の2カ所に流量計を設けて、投入側と排出側と
の流量差により網上残粒率を求めたり、レーザ回折によ
り粉砕粒の粒度分布を求めたりすることも行われている
が、計測器を多く必要としたり計測装置が高価であった
りと、実用化は難しいのが現状である。
クションと呼ばれる挽砕、粉砕工程と、ピュリファイ
ヤ、シーブなどの選別分級工程の複数の工程を複雑に組
み合わせて製品を作り出しているが、製粉は粒の粒度が
重要視されその良し悪しが決定される。したがって挽
砕、粉砕工程での粉砕状態、つまり粉砕機のロール間隙
の調節により何様にも変化する粉砕粒度の調節は重要で
ある。この粉砕粒度の調節は前述のように粉砕機のロー
ル間隙調節によって行われるが、その目安となっている
のは粉砕ロールを通った粉砕粒を何種かの篩(テストシ
ーブ)に通して、篩の上に残った網上残粒粉体を粒径に
対する累積網上残粒率(%)として求めたものであり、
この値が目標とする累積網上残粒率(%)になるよう粉
砕ロールの間隙調節を行うようにしている。したがっ
て、製粉の粉砕、挽砕工程のロール間隙調節は、その都
度テストシーブによる粉砕粒を分析して行う手間を考え
ると、オペレーターの勘(粉砕粒の手ざわり、外観)に
頼ることが多い。一方自動化に向けて、シーブの投入側
と排出側の2カ所に流量計を設けて、投入側と排出側と
の流量差により網上残粒率を求めたり、レーザ回折によ
り粉砕粒の粒度分布を求めたりすることも行われている
が、計測器を多く必要としたり計測装置が高価であった
りと、実用化は難しいのが現状である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、被粉砕物の
種類にかかわらず原料を粉砕する設備の系統を自動化す
るための、粉砕粒度の自動分析装置の開発を技術的課題
とし、構造も簡単で安価となる粉体分析方法とその装置
及びその装置による粉砕機ロール間隙調節装置の開発も
技術課題とするものである。
種類にかかわらず原料を粉砕する設備の系統を自動化す
るための、粉砕粒度の自動分析装置の開発を技術的課題
とし、構造も簡単で安価となる粉体分析方法とその装置
及びその装置による粉砕機ロール間隙調節装置の開発も
技術課題とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、被測定物の粒
体をコヒーレント光発生部とコヒーレント光を直接受光
する受光素子を備えた受光部との間を通過させ、被測定
物の粒体がコヒーレント光を遮断して通過する遮断時間
を測定し、測定した複数粒体の遮断時間と遮断時間から
所定スケールにおける粒体の値を求める所定の係数とに
よって所定スケールにおける粒体の値を求め、該求めた
値を所定のスケール単位ごとにふり分けて度数を求め、
該度数に基づいて、粉砕ロール間隙調節に関して定めた
目標スケール値(S)に対する累積百分率を求め、該求
めた累積百分率と目標スケール値(S)に対しあらかじ
め定めた目標累積百分率との差を求める粒体分析方法に
より前記課題を解決するための手段とした。また装置と
して、コヒーレント光発生部と、該コヒーレント光発生
部に対向してコヒーレント光を直接受光する受光素子を
備えた受光部と、前記コヒーレント光発生部と受光部と
の間に被測定物の粒体がコヒーレント光を遮断して通過
するよう設けた粒体通路と、前記受光部の出力から前記
粒体がコヒーレント光を遮断して通過する遮断時間をカ
ウントするカウント部と、カウント部の出力とカウント
部の出力から所定スケールにおける粒 体の値を求める所
定の係数と粉砕ロール間隙調節に関して定めた目標スケ
ール値(S)及び目標スケール値(S)に対して定めた
目標累積百分率と、を記憶する記憶部と、カウント部の
出力と所定の係数とから所定スケールにおける粒体の値
を求め、該求めた値を所定のスケール単位ごとにふり分
けて度数を求め、該度数に基づいて目標スケール値
(S)に対する累積百分率を求め、該累積百分率と目標
累積百分率との差を求める演算部及び、該演算部の結果
を出力する出力部とを備える粒体分析装置により前記課
題を解決するための手段とした。
体をコヒーレント光発生部とコヒーレント光を直接受光
する受光素子を備えた受光部との間を通過させ、被測定
物の粒体がコヒーレント光を遮断して通過する遮断時間
を測定し、測定した複数粒体の遮断時間と遮断時間から
所定スケールにおける粒体の値を求める所定の係数とに
よって所定スケールにおける粒体の値を求め、該求めた
値を所定のスケール単位ごとにふり分けて度数を求め、
該度数に基づいて、粉砕ロール間隙調節に関して定めた
目標スケール値(S)に対する累積百分率を求め、該求
めた累積百分率と目標スケール値(S)に対しあらかじ
め定めた目標累積百分率との差を求める粒体分析方法に
より前記課題を解決するための手段とした。また装置と
して、コヒーレント光発生部と、該コヒーレント光発生
部に対向してコヒーレント光を直接受光する受光素子を
備えた受光部と、前記コヒーレント光発生部と受光部と
の間に被測定物の粒体がコヒーレント光を遮断して通過
するよう設けた粒体通路と、前記受光部の出力から前記
粒体がコヒーレント光を遮断して通過する遮断時間をカ
ウントするカウント部と、カウント部の出力とカウント
部の出力から所定スケールにおける粒 体の値を求める所
定の係数と粉砕ロール間隙調節に関して定めた目標スケ
ール値(S)及び目標スケール値(S)に対して定めた
目標累積百分率と、を記憶する記憶部と、カウント部の
出力と所定の係数とから所定スケールにおける粒体の値
を求め、該求めた値を所定のスケール単位ごとにふり分
けて度数を求め、該度数に基づいて目標スケール値
(S)に対する累積百分率を求め、該累積百分率と目標
累積百分率との差を求める演算部及び、該演算部の結果
を出力する出力部とを備える粒体分析装置により前記課
題を解決するための手段とした。
【0007】
【作用】本発明の粒体分析方法及びその装置は、コヒー
レント光発生部と、該コヒーレント光発生部に対向して
コヒーレント光を直接受光する受光素子を備えた受光部
との間でコヒーレント光を遮断するように被測定物を通
過させると、被測定物はコヒーレント光を遮断して、そ
の間受光素子にはコヒーレント光は受光されない。この
時の受光素子に接続したカウント部から得られる遮断時
間は、被測定物の大きさに比例し、その時間は被測定物
の移動速度に反比例する。
レント光発生部と、該コヒーレント光発生部に対向して
コヒーレント光を直接受光する受光素子を備えた受光部
との間でコヒーレント光を遮断するように被測定物を通
過させると、被測定物はコヒーレント光を遮断して、そ
の間受光素子にはコヒーレント光は受光されない。この
時の受光素子に接続したカウント部から得られる遮断時
間は、被測定物の大きさに比例し、その時間は被測定物
の移動速度に反比例する。
【0008】ここで被測定物の移動速度が明らかになれ
ば遮断時間と移動速度とによりコヒーレント光を遮断し
た被測定物の長さを求めることができる。この長さは被
測定物を球形と仮定すれば被測定物の直径と見ることが
できる。
ば遮断時間と移動速度とによりコヒーレント光を遮断し
た被測定物の長さを求めることができる。この長さは被
測定物を球形と仮定すれば被測定物の直径と見ることが
できる。
【0009】このように受光部に接続したカウント部か
ら得られる遮断時間は、被測定物の粒径との相関を有す
るものである。したがって、既知の粒度分布の粒体を本
発明の粒体分析方法で分析し、そこで得られた遮断時間
とその度数と、前記既知の粒度分布との任意の係数を求
めて、これを相関係数とすると、被測定物がコヒーレン
ト光を遮断する時間とその度数を得ることにより被測定
物の粒度分布を容易に求めることが可能となる。
ら得られる遮断時間は、被測定物の粒径との相関を有す
るものである。したがって、既知の粒度分布の粒体を本
発明の粒体分析方法で分析し、そこで得られた遮断時間
とその度数と、前記既知の粒度分布との任意の係数を求
めて、これを相関係数とすると、被測定物がコヒーレン
ト光を遮断する時間とその度数を得ることにより被測定
物の粒度分布を容易に求めることが可能となる。
【0010】また装置としても、被測定物が通過したと
きのコヒーレント光の遮断時間と度数を計測するだけで
よく、コヒーレント光発生部つまり一般的にレーザ光と
該レーザ光に対向してレーザ光を直接受光する受光素子
を備えた受光部つまり一般的にフォトトランジスタある
いはフォトダイオードとによりセンサー部分を簡単に構
成することができる。
きのコヒーレント光の遮断時間と度数を計測するだけで
よく、コヒーレント光発生部つまり一般的にレーザ光と
該レーザ光に対向してレーザ光を直接受光する受光素子
を備えた受光部つまり一般的にフォトトランジスタある
いはフォトダイオードとによりセンサー部分を簡単に構
成することができる。
【0011】演算部はカウント部の出力と記憶部に記憶
する任意の係数とにより被測定物の粒度分布を演算する
と共に、麦等に使用される製粉機(ブレーキング等)の
ロール間隙調節の目安となる累積百分率の目標粒径を記
憶部に設定しておいて、目標粒径と前記粒度分布とから
目標粒径に対する累積百分率を演算して、出力部から被
測定物の目標粒径に対する累積百分率を出力することが
できる。また、目標粒径に対する目標累計百分率を定め
ておけば、累積百分率と目標累計百分率との差が出力で
きる。
する任意の係数とにより被測定物の粒度分布を演算する
と共に、麦等に使用される製粉機(ブレーキング等)の
ロール間隙調節の目安となる累積百分率の目標粒径を記
憶部に設定しておいて、目標粒径と前記粒度分布とから
目標粒径に対する累積百分率を演算して、出力部から被
測定物の目標粒径に対する累積百分率を出力することが
できる。また、目標粒径に対する目標累計百分率を定め
ておけば、累積百分率と目標累計百分率との差が出力で
きる。
【0012】制御部においては出力部から出力する目標
粒径に対する累積百分率と、目安の累積網上残粒率との
差に基づいてロール間隙調節部を制御する。
粒径に対する累積百分率と、目安の累積網上残粒率との
差に基づいてロール間隙調節部を制御する。
【0013】ロール間隙調節部においては、制御部の出
力値に応じてロール間隙調節が作動する。
力値に応じてロール間隙調節が作動する。
【0014】ところで前述の任意の係数とカウント部の
出力とから演算部で粒度分布を算出する旨を記載した
が、求めた粒度分布から更に目標粒径に対する累積百分
率を重量で求めるための別の任意の係数を設けること、
あるいはカウント部の出力から演算部で直接重量に換算
する別の係数を設けることなど、任意の係数は粒度分布
を求めるものに限定されない。
出力とから演算部で粒度分布を算出する旨を記載した
が、求めた粒度分布から更に目標粒径に対する累積百分
率を重量で求めるための別の任意の係数を設けること、
あるいはカウント部の出力から演算部で直接重量に換算
する別の係数を設けることなど、任意の係数は粒度分布
を求めるものに限定されない。
【0015】また粒度分布を求める際の任意の係数は、
その例として、CCDカメラ等を利用した等価円直径法
により求められる等価円直径(面積)及びその度数と、
先のカウンタ部の出力と度数との相関によって求めるこ
とも可能である。
その例として、CCDカメラ等を利用した等価円直径法
により求められる等価円直径(面積)及びその度数と、
先のカウンタ部の出力と度数との相関によって求めるこ
とも可能である。
【0016】
【実施例】まず図1により本発明の粒体分析方法の具体
的な実施例を粒体分析装置10で示す。
的な実施例を粒体分析装置10で示す。
【0017】符号1はHe−Ne Gas Laser
(以下ガスレーザ1と称する。)を主構成とするコヒー
レント光発生部であり、ガスレーザ1のレーザ光を直接
受光するようこのガスレーザ1に対向して受光面を向け
た光ファイバ2を設けてあり、該光ファイバ2は、フォ
トトランジスタを受光素子に形成した受光部(以下フォ
トトランジスタ部と称する)3に接続してガスレーザ1
のレーザ光を連絡してある。
(以下ガスレーザ1と称する。)を主構成とするコヒー
レント光発生部であり、ガスレーザ1のレーザ光を直接
受光するようこのガスレーザ1に対向して受光面を向け
た光ファイバ2を設けてあり、該光ファイバ2は、フォ
トトランジスタを受光素子に形成した受光部(以下フォ
トトランジスタ部と称する)3に接続してガスレーザ1
のレーザ光を連絡してある。
【0018】このガスレーザ1と光ファイバ2とは粉体
を発生する機器の内部に設けてもよいが、前記機器から
粉体のバイパス路を設け、このバイパス路の一部にレー
ザー光を透過する測定チャンネル部を設けると、この測
定チャンネル部4にガスレーザ1と光ファイバ2を設け
ることができる。
を発生する機器の内部に設けてもよいが、前記機器から
粉体のバイパス路を設け、このバイパス路の一部にレー
ザー光を透過する測定チャンネル部を設けると、この測
定チャンネル部4にガスレーザ1と光ファイバ2を設け
ることができる。
【0019】一方フォトトランジスタ部3の電気出力は
そのままカウンタ部5に入力する。カウンタ部5では内
部に発振部分を有し、この発振周波数と、粒体の通過に
よるレーザ光の遮断で発生するフォトトランジスタ部3
の電気出力(方形波)の変化とにより、粒体の通過によ
ってレーザ光が遮断された時間を出力する。
そのままカウンタ部5に入力する。カウンタ部5では内
部に発振部分を有し、この発振周波数と、粒体の通過に
よるレーザ光の遮断で発生するフォトトランジスタ部3
の電気出力(方形波)の変化とにより、粒体の通過によ
ってレーザ光が遮断された時間を出力する。
【0020】図2によりフォトトランジスタ部3とカウ
ンタ部5を更に説明する。光ファイバ2に接続するフォ
トトランジスタ33は一方(コレクタ側)をプルアップ
電源31に保護抵抗32を介して接続し、他方(エミッ
タ側)をグランド接地してある。以上からフォトトラン
ジスタ部3を成す。また、AND回路52と、AND回
路52に基準パルスを入力する発振器51と、AND回
路の信号を接続したカウンタIC53と、カウンタIC
53とデータバスFを介して接続したフリップフロップ
54と、フォトトランジスタ部3の信号に基づきカウン
タIC53とフリップフロップ54とにそれぞれワンシ
ョット信号を出力する単安定マルチバイブレータ回路5
5,56とによりカウンタ部5を成す。
ンタ部5を更に説明する。光ファイバ2に接続するフォ
トトランジスタ33は一方(コレクタ側)をプルアップ
電源31に保護抵抗32を介して接続し、他方(エミッ
タ側)をグランド接地してある。以上からフォトトラン
ジスタ部3を成す。また、AND回路52と、AND回
路52に基準パルスを入力する発振器51と、AND回
路の信号を接続したカウンタIC53と、カウンタIC
53とデータバスFを介して接続したフリップフロップ
54と、フォトトランジスタ部3の信号に基づきカウン
タIC53とフリップフロップ54とにそれぞれワンシ
ョット信号を出力する単安定マルチバイブレータ回路5
5,56とによりカウンタ部5を成す。
【0021】フォトトランジスタ33は、光ファイバー
2を通したレーザ光によりON状態であり、AND回路
52に対してポイントAでLow状態を示すが、粒体が
レーザ光を遮断するとフォトトランジスタ33はOFF
となり、ポイントAでHigh状態となって、AND回
路52はカウンタIC53に信号を出力する。このポイ
ントCの信号は、発振器51のパルスとポイントAの信
号とのANDによって出力されるパルス信号である。ま
た、カウンタIC53はAND回路52のポイントCの
信号をデジタル変換してポイントFの信号をフリップフ
ロップ54に出力する。
2を通したレーザ光によりON状態であり、AND回路
52に対してポイントAでLow状態を示すが、粒体が
レーザ光を遮断するとフォトトランジスタ33はOFF
となり、ポイントAでHigh状態となって、AND回
路52はカウンタIC53に信号を出力する。このポイ
ントCの信号は、発振器51のパルスとポイントAの信
号とのANDによって出力されるパルス信号である。ま
た、カウンタIC53はAND回路52のポイントCの
信号をデジタル変換してポイントFの信号をフリップフ
ロップ54に出力する。
【0022】粉体がレーザ光を遮蔽して通過するとフォ
トトランジスタ33は再びON状態となりポイントAか
らLow状態でAND回路52は信号出力を停止する。
一方、ポイントAがLowに変化すると、単安定マルチ
バイブレータ55はポイントAの信号の立ち下がりを見
てフリップフロップ54と演算部6とにワンショット信
号を出力する。この信号でフリップフロップ54は演算
部6にデジタル信号を出力する。更に単安定マルチバイ
ブレータ56は単安定マルチバイブレータ55の立ち上
がりを見てカウンタIC53にワンショット信号を出力
しカウンタIC53をリセットする。フリップフロップ
54は次のワンショット信号が入力されるまで同じデジ
タル信号を出力している。
トトランジスタ33は再びON状態となりポイントAか
らLow状態でAND回路52は信号出力を停止する。
一方、ポイントAがLowに変化すると、単安定マルチ
バイブレータ55はポイントAの信号の立ち下がりを見
てフリップフロップ54と演算部6とにワンショット信
号を出力する。この信号でフリップフロップ54は演算
部6にデジタル信号を出力する。更に単安定マルチバイ
ブレータ56は単安定マルチバイブレータ55の立ち上
がりを見てカウンタIC53にワンショット信号を出力
しカウンタIC53をリセットする。フリップフロップ
54は次のワンショット信号が入力されるまで同じデジ
タル信号を出力している。
【0023】図3に各ポイントA〜Gにおける信号をも
とにしたタイミングチャートを示す。
とにしたタイミングチャートを示す。
【0024】カウンタ部5からの出力は演算部6に入力
し記憶部7に記憶する。この演算部6はロジック回路で
構成するかあるいは実用上CPUボードで前記記憶部7
を含む、入力ポートを備え、その制御は、ROM上に書
き込まれたプログラムで行うなど、先のカウンタ部5の
出力の取り入れ制御ならびにその演算が可能な構成とす
る。
し記憶部7に記憶する。この演算部6はロジック回路で
構成するかあるいは実用上CPUボードで前記記憶部7
を含む、入力ポートを備え、その制御は、ROM上に書
き込まれたプログラムで行うなど、先のカウンタ部5の
出力の取り入れ制御ならびにその演算が可能な構成とす
る。
【0025】カウンタ回路5の出力を無限大に取入れて
記憶することはできないので、サンプリング個数を限定
し、たとえば2000個のサンプルをカウンタ回路5か
ら入力すると、演算部6は2000個のサンプルと前記
記憶部7にあらかじめ設定した任意の係数とにより20
00個のサンプルによる粒度分布を演算して求める。つ
まり、演算においてたとえば粒体がレーザ光を遮断した
時間、あるいは前記遮断時間に移動速度を加味した長
さ、あるいは前記長さに任意の係数を加味した粒径、の
いずれかのスケールにおいて微少単位にスケールを分解
し微少単位ごとに前記2000個のサンプルを度数とし
て振り分けて、微少単位ごとの重みづけをする。このこ
とにより粉体の長さあるいは粒径に対する粒度分布ある
いは累積により累積個数百分率、累積重量百分率等を演
算により求めることができる。ここで前述のようにサン
プルの移動速度が明らかであれば、移動速度と前記サン
プルのレーザ光の遮断時間とによりサンプル個々の長さ
が算出可能で、粉体の長さと既知の粒度分布との相関に
より得られる任意の係数により2000個のサンプルの
粒度分布を求めることが可能である。またこの係数は、
粒径の大小に分けて適当な幅の数個のレンジにそれぞれ
係数を設けることもある。
記憶することはできないので、サンプリング個数を限定
し、たとえば2000個のサンプルをカウンタ回路5か
ら入力すると、演算部6は2000個のサンプルと前記
記憶部7にあらかじめ設定した任意の係数とにより20
00個のサンプルによる粒度分布を演算して求める。つ
まり、演算においてたとえば粒体がレーザ光を遮断した
時間、あるいは前記遮断時間に移動速度を加味した長
さ、あるいは前記長さに任意の係数を加味した粒径、の
いずれかのスケールにおいて微少単位にスケールを分解
し微少単位ごとに前記2000個のサンプルを度数とし
て振り分けて、微少単位ごとの重みづけをする。このこ
とにより粉体の長さあるいは粒径に対する粒度分布ある
いは累積により累積個数百分率、累積重量百分率等を演
算により求めることができる。ここで前述のようにサン
プルの移動速度が明らかであれば、移動速度と前記サン
プルのレーザ光の遮断時間とによりサンプル個々の長さ
が算出可能で、粉体の長さと既知の粒度分布との相関に
より得られる任意の係数により2000個のサンプルの
粒度分布を求めることが可能である。またこの係数は、
粒径の大小に分けて適当な幅の数個のレンジにそれぞれ
係数を設けることもある。
【0026】演算部6で得られた粒度分布は、必要に応
じてディスプレイ表示、プリンタ出力等にデータ出力ポ
ート8の出力部より出力される。
じてディスプレイ表示、プリンタ出力等にデータ出力ポ
ート8の出力部より出力される。
【0027】サンプルの移動速度とくに落下運動の場合
は粒体の大きさなどの影響でばらついて変化するが、こ
の変化はレーザ光を遮断した時間に移動速度を加味して
長さを演算する際に誤差の原因となる。しかし初速が零
で落下する自由落下の物体の速度は落下直後にその差は
なく、レーザ光とフォトトランジスタの間を通過させる
粒体はたとえばサンプル供給装置などから送り出された
直後、つまりサンプル供給装置の直後にレーザ光とフォ
トトランジスタを設けることで移動速度の変化の影響を
無視することができる。
は粒体の大きさなどの影響でばらついて変化するが、こ
の変化はレーザ光を遮断した時間に移動速度を加味して
長さを演算する際に誤差の原因となる。しかし初速が零
で落下する自由落下の物体の速度は落下直後にその差は
なく、レーザ光とフォトトランジスタの間を通過させる
粒体はたとえばサンプル供給装置などから送り出された
直後、つまりサンプル供給装置の直後にレーザ光とフォ
トトランジスタを設けることで移動速度の変化の影響を
無視することができる。
【0028】本発明の受光部3の受光素子にフォトダイ
オード59を組み込んだ場合の受光部8の実施例を図6
により示す。
オード59を組み込んだ場合の受光部8の実施例を図6
により示す。
【0029】ここで組み込むフォトダイオード59は、
その一方(カソード側)をオペアンプ57の(−)入力
側に接続し、他方(アノード側)をグランド接地してあ
る。またオペアンプ57(+)入力側はグランド接地し
てある。このオペアンプ57は、該オペアンプ57の出
力を抵抗64を介した仮想短絡で(−)入力側に接続
し、電流電圧変換回路58を構成している。また、この
オペアンプ57はフォトダイオード59に光を当てるこ
とにより流れる、電流の変化に比例した電圧を出力する
ように作用する。
その一方(カソード側)をオペアンプ57の(−)入力
側に接続し、他方(アノード側)をグランド接地してあ
る。またオペアンプ57(+)入力側はグランド接地し
てある。このオペアンプ57は、該オペアンプ57の出
力を抵抗64を介した仮想短絡で(−)入力側に接続
し、電流電圧変換回路58を構成している。また、この
オペアンプ57はフォトダイオード59に光を当てるこ
とにより流れる、電流の変化に比例した電圧を出力する
ように作用する。
【0030】電流電圧変換回路58の出力電圧は次段の
コンパレータ63の(−)入力側に接続してある。この
コンパレータ63では、(+)入力側に定電圧回路61
を抵抗66を介して接続し、コンパレータ63の出力を
抵抗65を介して(+)入力側に接続して抵抗65,6
6によるシュミット回路を形成すると共に、コンパレー
タ回路(二値化回路)60を構成している。またこのコ
ンパレータ回路60では定電圧回路61から供給される
電圧と前記シュミット回路とによりコンパレータ回路6
0のしきい値を決定し、このしきい値を基準としたHi
ghとLowの二値信号を出力するよう作用する。
コンパレータ63の(−)入力側に接続してある。この
コンパレータ63では、(+)入力側に定電圧回路61
を抵抗66を介して接続し、コンパレータ63の出力を
抵抗65を介して(+)入力側に接続して抵抗65,6
6によるシュミット回路を形成すると共に、コンパレー
タ回路(二値化回路)60を構成している。またこのコ
ンパレータ回路60では定電圧回路61から供給される
電圧と前記シュミット回路とによりコンパレータ回路6
0のしきい値を決定し、このしきい値を基準としたHi
ghとLowの二値信号を出力するよう作用する。
【0031】コンパレータ回路60の出力信号は次段の
インバータ回路(反転回路)62に接続してある。この
インバータ回路62ではコンパレータ回路60の出力信
号を反転させるよう作用し、この場合、粉体の通過によ
ってフォトダイオート59への入射光が遮断された時、
Highの信号となるよう反転してある。
インバータ回路(反転回路)62に接続してある。この
インバータ回路62ではコンパレータ回路60の出力信
号を反転させるよう作用し、この場合、粉体の通過によ
ってフォトダイオート59への入射光が遮断された時、
Highの信号となるよう反転してある。
【0032】以上のフォトダイオード59と電圧電流変
換回路58とコンパレータ回路60と該コンパレータ回
路60に接続した定電圧回路61およびインバータ回路
62とにより受光部8を構成している。またこの回路に
おけるタイミングチャート図の一例を図7により示す。
換回路58とコンパレータ回路60と該コンパレータ回
路60に接続した定電圧回路61およびインバータ回路
62とにより受光部8を構成している。またこの回路に
おけるタイミングチャート図の一例を図7により示す。
【0033】受光部3では、光の強度が任意の値を超え
た時にフォトトランジスタ33がONすることから、こ
のフォトトランジスタ33のON、OFFにより二値信
号を出力するのに対し、受光部8ではフォトダイオード
59によって光の強度に比例した電流が流れコンパレー
タ回路60で二値信号を出力するようにしてあるので回
路は複雑となるが、コンパレータ回路60のしきい値の
とり方によっては、電流の小さな変化も二値信号として
取り出すことが可能となる。
た時にフォトトランジスタ33がONすることから、こ
のフォトトランジスタ33のON、OFFにより二値信
号を出力するのに対し、受光部8ではフォトダイオード
59によって光の強度に比例した電流が流れコンパレー
タ回路60で二値信号を出力するようにしてあるので回
路は複雑となるが、コンパレータ回路60のしきい値の
とり方によっては、電流の小さな変化も二値信号として
取り出すことが可能となる。
【0034】ところで、図6に示す実施例の場合、フォ
トダイオード59の接続をカソード側をオペアンプ57
の(−)入力側としたが、フォトダイオード59のアノ
ード側をオペアンプ57の(−)入力側に接続すること
も可能である。ただしこの場合、電流電圧変換回路58
の出力電圧が前記実施例とは逆となるので、電流電圧変
換回路58とコンパレータ回路60との間に反転回路を
設けることになる。
トダイオード59の接続をカソード側をオペアンプ57
の(−)入力側としたが、フォトダイオード59のアノ
ード側をオペアンプ57の(−)入力側に接続すること
も可能である。ただしこの場合、電流電圧変換回路58
の出力電圧が前記実施例とは逆となるので、電流電圧変
換回路58とコンパレータ回路60との間に反転回路を
設けることになる。
【0035】次に前記粒体分析装置10を麦等の粉砕に
使用される粉砕機のロール間隙調節部20に制御部21
を介して接続した実施例を図4により示す。
使用される粉砕機のロール間隙調節部20に制御部21
を介して接続した実施例を図4により示す。
【0036】図4に示すものは粉砕機の粉砕ロール22
Aとロール22Bとによって粉砕された粒体を篩(シフ
ター)24に送る途中に、サンプリング部23を設け
て、粉砕された粒体の一部を粒体分析装置10にサンプ
リングして測定後は再び篩24に返すようバイパス路を
設けてある。一方、粉体分析装置10は制御部21を介
してロール間隙調節装置20に連絡してある。制御部2
1は粒体分析装置10から送られる信号を受けて、ロー
ル間隙調節装置20を作動させる信号に変換して出力
し、ロール間隙調節装置20によりロール22Bをロー
ル22Aに対し遠近に間隙調節をするものである。
Aとロール22Bとによって粉砕された粒体を篩(シフ
ター)24に送る途中に、サンプリング部23を設け
て、粉砕された粒体の一部を粒体分析装置10にサンプ
リングして測定後は再び篩24に返すようバイパス路を
設けてある。一方、粉体分析装置10は制御部21を介
してロール間隙調節装置20に連絡してある。制御部2
1は粒体分析装置10から送られる信号を受けて、ロー
ル間隙調節装置20を作動させる信号に変換して出力
し、ロール間隙調節装置20によりロール22Bをロー
ル22Aに対し遠近に間隙調節をするものである。
【0037】このロール間隙調節は篩24の累積網上残
留率を基準に行われるのが一般的である。これは、各工
程で決められた篩の上に、供給された粉粒体のうち目標
粒径以上のものが何%残留するかでロール間隙を調節す
るもので、各工程により前記目標粒径が異なるのは粉砕
する度に粒度分布が変化するからである。
留率を基準に行われるのが一般的である。これは、各工
程で決められた篩の上に、供給された粉粒体のうち目標
粒径以上のものが何%残留するかでロール間隙を調節す
るもので、各工程により前記目標粒径が異なるのは粉砕
する度に粒度分布が変化するからである。
【0038】粒体分析装置10を製粉工程のロール間隙
調節装置20に使用する場合、粒体分析装置10の演算
部6は記憶部7に前記目標粒径と目標粒径に対する目標
累積重量百分率または目標累積個数百分率を記憶して、
実測した粒体の目標粒径に対する累積重量百分率または
累積個数百分率を演算して該演算結果を前記目標累積重
量百分率または目標累積個数百分率と比較しその差を出
力部8から制御部21に出力することにより粒体分析装
置10の目的は達成できる。
調節装置20に使用する場合、粒体分析装置10の演算
部6は記憶部7に前記目標粒径と目標粒径に対する目標
累積重量百分率または目標累積個数百分率を記憶して、
実測した粒体の目標粒径に対する累積重量百分率または
累積個数百分率を演算して該演算結果を前記目標累積重
量百分率または目標累積個数百分率と比較しその差を出
力部8から制御部21に出力することにより粒体分析装
置10の目的は達成できる。
【0039】図5により具体的に説明する。これは縦軸
に累積個数百分率をとり、横軸に粒径をとり、サンプリ
ングした粉粒体を粒体分析装置10を通して、ここで得
られたデータ(遮断時間)から任意の係数により粒度分
布を求めると共に、該粒度分布から粒径に対する累積個
数百分率をプロットしたものである。
に累積個数百分率をとり、横軸に粒径をとり、サンプリ
ングした粉粒体を粒体分析装置10を通して、ここで得
られたデータ(遮断時間)から任意の係数により粒度分
布を求めると共に、該粒度分布から粒径に対する累積個
数百分率をプロットしたものである。
【0040】図において、目標粒径Sに対する目標累積
個数百分率をYA=50%に設定してある。またその時
の理想的な曲線をAとしてある。
個数百分率をYA=50%に設定してある。またその時
の理想的な曲線をAとしてある。
【0041】ここでサンプリング部23によりサンプリ
ングした粉粒体を粒体分析装置10を通して測定し得ら
れたデータをプロットした曲線をBとすると、目標粒径
Sに対する累積個数百分率は YB=55%となってい
る。これは曲線Aの粉粒体よりも、目標粒径S以上の粒
径のものが多く含まれていることになる。したがって粒
体分析装置からは、 YA−YB=−5% −5%の値が出力される。この−5%の値を受けて制御
部21は、−5%に見合う信号をロール間隙調節装置2
0に対して出力する。この場合目標粒径S以上の粒径の
粒体が多く含まれているのでロール間隙調節装置20に
よりロール間隙を狭める方向に作用する。
ングした粉粒体を粒体分析装置10を通して測定し得ら
れたデータをプロットした曲線をBとすると、目標粒径
Sに対する累積個数百分率は YB=55%となってい
る。これは曲線Aの粉粒体よりも、目標粒径S以上の粒
径のものが多く含まれていることになる。したがって粒
体分析装置からは、 YA−YB=−5% −5%の値が出力される。この−5%の値を受けて制御
部21は、−5%に見合う信号をロール間隙調節装置2
0に対して出力する。この場合目標粒径S以上の粒径の
粒体が多く含まれているのでロール間隙調節装置20に
よりロール間隙を狭める方向に作用する。
【0042】
【発明の効果】以上のように本発明の粒体分析方法及び
その装置は、コヒーレント光とそれを受光する受光部と
により粉粒体が遮断する時間をカウントする構成から、
センサー部となるコヒーレント光とその受光部とを対向
させた部分を、測定分析すべき粉粒体の通路に設けた
り、その通路からバイパスを設けた場合でもコヒーレン
ト光とその受光部が対向したところに粉粒体を通過させ
るだけでよくカウント部のデータを必要な時、必要なだ
け取り込んで、必要な形に演算処理した値を出力するこ
とは現技術手段で容易に実現できることから特別の装置
を必要としない。
その装置は、コヒーレント光とそれを受光する受光部と
により粉粒体が遮断する時間をカウントする構成から、
センサー部となるコヒーレント光とその受光部とを対向
させた部分を、測定分析すべき粉粒体の通路に設けた
り、その通路からバイパスを設けた場合でもコヒーレン
ト光とその受光部が対向したところに粉粒体を通過させ
るだけでよくカウント部のデータを必要な時、必要なだ
け取り込んで、必要な形に演算処理した値を出力するこ
とは現技術手段で容易に実現できることから特別の装置
を必要としない。
【0043】演算部の処理速度とカウンターの分解能力
にもよるが、粒体分析装置の連続分析が可能となった。
にもよるが、粒体分析装置の連続分析が可能となった。
【0044】したがって、被粉砕物の種類にかかわらず
原料を粉砕する設備の系統を自動化するための、粉砕粒
度の自動分析装置が、非常に簡単な構成で安価に製造可
能となった。
原料を粉砕する設備の系統を自動化するための、粉砕粒
度の自動分析装置が、非常に簡単な構成で安価に製造可
能となった。
【図1】粒体分析装置のブロック図である。
【図2】受光部とカウンタ部のブロック図である。
【図3】受光部とカウンタ部のタイミングチャート図で
ある。
ある。
【図4】粒体分析装置を利用した粉砕機ロール間隙調節
のブロック図である。
のブロック図である。
【図5】目標粒径に対する累積百分率の一例を示す図で
ある。
ある。
【図6】受光部をフォトダイオードで構成した場合の一
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図7】図6で構成した受光部の各部における信号のタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
1 レーザ光(コヒーレント光発生部) 2 光ファイバ 3 フォトトランジスタ部(受光部) 4 測定チャンネル部 5 カウンタ部 6 演算部 7 記憶部 8 出力部 10 粒体分析装置 20 ロール間隙調節装置 21 制御部 22 粉砕ロール 23 サンプリング部 24 篩 31 プルアップ電源 32 保護抵抗 33 フォトトランジスタ 51 発信器 52 AND回路 53 カウンタIC 54 フリップフロップ 55 単安定マルチバイブレータ 56 単安定マルチバイブレータ 57 オペアンプ 58 電流電圧変換回路 59 フォトダイオード 60 コンパレータ回路 61 定電圧電源 62 インバータ回路 63 コンパレータ 64 抵抗 65 抵抗 66 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−214742(JP,A) 特開 昭62−213853(JP,A) 特開 平2−111448(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 15/02 B02C 4/32 B02C 4/38
Claims (6)
- 【請求項1】被測定物の粒体をコヒーレント光発生部と
コヒーレント光を直接受光する受光素子を備えた受光部
との間を通過させ、被測定物の粒体がコヒーレント光を
遮断して通過する遮断時間を測定し、測定した複数粒体
の遮断時間と遮断時間から所定スケールにおける粒体の
値を求める所定の係数とによって所定スケールにおける
粒体の値を求め、該求めた値を所定のスケール単位ごと
にふり分けて度数を求め、該度数に基づいて、粉砕ロー
ル間隙調節に関して定めた目標スケール値(S)に対す
る累積百分率を求め、該求めた累積百分率と目標スケー
ル値(S)に対しあらかじめ定めた目標累積百分率との
差を求めることを特徴とする粒体分析方法。 - 【請求項2】累積百分率は、度数の単位を粒体の重量と
した累積重量百分率あるいは度数の単位を粒体の個数と
した累積個数百分率のいずれかであることを特徴とする
請求項1記載の粒体分析方法。 - 【請求項3】 所定スケールが、時間、長さあるいは粒
径のいずれかであることを特徴とする請求項1または2
記載の粒体分析方法。 - 【請求項4】コヒーレント光発生部と、 該コヒーレント光発生部に対向してコヒーレント光を直
接受光する受光素子を備えた受光部と、 前記コヒーレント光発生部と受光部との間に被測定物の
粒体がコヒーレント光を遮断して通過するよう設けた粒
体通路と、 前記受光部の出力から前記粒体がコヒーレント光を遮断
して通過する遮断時間をカウントするカウント部と、カウント部の出力とカウント部の出力から所定スケール
における粒体の値を求 める所定の係数と粉砕ロール間隙
調節に関して定めた目標スケール値(S)及び目標スケ
ール値(S)に対して定めた目標累積百分率と、を記憶
する記憶部と、 カウント部の出力と所定の係数とから所定スケールにお
ける粒体の値を求め、該求めた値を所定のスケール単位
ごとにふり分けて度数を求め、該度数に基づいて目標ス
ケール値(S)に対する累積百分率を求め、該累積百分
率と目標累積百分率との差を求める演算部及び、 該演算部の結果を出力する出力部とを備えることを特徴
とする粒体分析装置。 - 【請求項5】度数の単位を重量とするとき、カウント部
の出力を粒体の重量に換算する換算係数を記憶部に記憶
して、所定の係数によって所定スケールにおける粒体の
値を求めるとともに、換算係数によって重量に換算し
て、スケール単位ごとにふり分けた度数を重量で求める
ことを特徴とする請求項4記載の粒体分析装置。 - 【請求項6】製粉ロール機の一方のロールを他方のロー
ルに対して遠近調節可能にしたロール間隙調節部と、 製粉ロール機によって粉砕され落下する粒体を所定の経
路に誘導する通路と、該通路にコヒーレント光発生部と
コヒーレント光受光部とを設けた粒体分析装置と、 該粉体分析装置の累積百分率と目標スケール値(S)に
対しあらかじめ定めた目標累積百分率との差出力に応じ
て、該差が小さくなるようにロール間隙調節部を制御す
る制御部とを備えることを特徴とする請求項4または5
に記載の 粒体分析装置による粉砕機ロール間隙調節装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-318995 | 1990-11-22 | ||
JP31899590 | 1990-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0566190A JPH0566190A (ja) | 1993-03-19 |
JP3070786B2 true JP3070786B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=18105323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03332417A Expired - Fee Related JP3070786B2 (ja) | 1990-11-22 | 1991-11-20 | 粒体分析方法およびその装置と該装置による粉砕機ロール間隙調節装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0487356B1 (ja) |
JP (1) | JP3070786B2 (ja) |
KR (1) | KR0159781B1 (ja) |
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