JP3067373B2 - Heating device and semiconductor manufacturing device - Google Patents
Heating device and semiconductor manufacturing deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハー等の半
導体材料を加熱するための加熱装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating apparatus for heating a semiconductor material such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば熱ＣＶＤ装置等では、半導体ウエ
ハーを固定しながら加熱する必要がある。この場合、例
えばヒーターサセプターの下側にウエハーを設置し、ウ
エハーをピンやリングで下方から支持していた。しか
し、ピンやリングがウエハーの保持、離脱のために動く
ときに、パーティクルが発生するため、不純物が混入
し、成膜不良の原因となる。更に、例えば熱ＣＶＤ装置
等においては、半導体ウエハーの全面を均等に押さえて
はいないことから、半導体ウエハーに反りや歪が生じ
る。また、サセプターと半導体ウエハーとの密着性が不
充分になることから、半導体ウエハーの加熱効率が低
い。2. Description of the Related Art In a thermal CVD apparatus, for example, it is necessary to heat a semiconductor wafer while fixing it. In this case, for example, the wafer is placed below the heater susceptor, and the wafer is supported from below by pins or rings. However, when the pins and rings move for holding and separating the wafer, particles are generated, so that impurities are mixed in and cause film formation failure. Further, for example, in a thermal CVD apparatus or the like, since the entire surface of the semiconductor wafer is not uniformly pressed, the semiconductor wafer is warped or distorted. Further, since the adhesion between the susceptor and the semiconductor wafer becomes insufficient, the heating efficiency of the semiconductor wafer is low.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記のよ
うなメカニカル固定に伴う問題点を解決するため、図３
に示す加熱装置を製作した。即ち、金属ヒーター２１と
セラミックス製のサセプター２６とを積層した。金属ヒ
ーター２１においては、銅製の中空のモールド２２内
に、ニクロム線２５を設置し、絶縁体であるマグネシア
パウダー２３を充填した。モールド２２の中央部に貫通
孔２４を設けた。モールド２２の背面２２ｂ側に、中空
の柱状部２２ｃを設け、柱状部２２ｃ内にニクロム線２
５を通し、ニクロム線２５の末端を端子２７に接続し、
端子２７にボルト２８を嵌め合わせた。ボルト２８にリ
ード線８を接続し、リード線８を交流電源９に接続し
た。SUMMARY OF THE INVENTION The inventor of the present invention has attempted to solve the above-mentioned problems associated with mechanical fixing by using FIG.
Was manufactured. That is, the metal heater 21 and the susceptor 26 made of ceramics were laminated. In the metal heater 21, a nichrome wire 25 was placed in a hollow mold 22 made of copper, and magnesia powder 23 as an insulator was filled. A through hole 24 was provided in the center of the mold 22. A hollow columnar portion 22c is provided on the back surface 22b side of the mold 22, and a nichrome wire 2 is provided in the columnar portion 22c.
5, the end of the nichrome wire 25 is connected to the terminal 27,
A bolt 28 was fitted to the terminal 27. The lead wire 8 was connected to the bolt 28, and the lead wire 8 was connected to the AC power supply 9.
【０００４】平板状のセラミックス製サセプター26を表
面22ａに設置し、サセプター26の設置面26ｃに半導体ウ
エハーＷを設置する。サセプター26の設置面26ｃ側に凹
部26ｂを設け、サセプター26の中央部に排気孔26ａを設
けた。排気孔26ａと24とを位置合わせした。貫通孔24
を、図示しない真空排気系に接続し、矢印Ｄのように減
圧、排気し、半導体ウエハーＷを吸着しつつ加熱する。A ceramic susceptor 26 in the form of a flat plate is set on the surface 22a, and a semiconductor wafer W is set on a setting surface 26c of the susceptor 26. A concave portion 26b is provided on the installation surface 26c side of the susceptor 26, and an exhaust hole 26a is provided in the center of the susceptor 26. The exhaust holes 26a and 24 were aligned. Through hole 24
Is connected to a vacuum evacuation system (not shown), and is depressurized and evacuated as shown by arrow D, and is heated while adsorbing the semiconductor wafer W.
【０００５】こうした加熱装置によれば、金属ヒーター
21と半導体ウエハーＷとの間にセラミックス製サセプタ
ー26を設けることにより、半導体ウエハーＷの汚染を少
なくすることができる。しかも、ピンやリング等が半導
体ウエハーＷの成膜面に触れないので、機械式固定の問
題点であるパーティクルの発生を最小限にできる。According to such a heating device, a metal heater
By providing the ceramic susceptor 26 between the semiconductor wafer 21 and the semiconductor wafer W, contamination of the semiconductor wafer W can be reduced. In addition, since pins and rings do not touch the film formation surface of the semiconductor wafer W, generation of particles, which is a problem of mechanical fixing, can be minimized.
【０００６】しかし、図３に示すような加熱装置にも、
以下のような欠点のあることが判明した。即ち、モール
ド２２が銅製であるので、モールドの表面２２ａの温度
は高々６００℃位にしか上昇させることができない。こ
の結果、サセプター２６の設置面２６ｃは高々５００℃
位までしか昇温させることができず、これ以上の高温用
途には使用できない。However, a heating device as shown in FIG.
The following disadvantages were found. That is, since the mold 22 is made of copper, the temperature of the surface 22a of the mold can be raised only to about 600 ° C. at the highest. As a result, the installation surface 26c of the susceptor 26 is at most 500 ° C.
The temperature can be raised only to the order of magnitude and cannot be used for higher temperature applications.
【０００７】また、金属ヒーター21の表面22ａと、サセ
プター26との界面には、必ず微小な隙間が生ずる。そし
て、貫通孔24より排気する際に、この隙間から気体が漏
れる。特に、金属ヒーターを発熱させると、モールド22
が歪み、隙間が大きくなることが判明した。そして、上
記した気体の漏れが大きくなると、貫通孔26ａ、凹部26
ｂの真空度が低下し、半導体ウエハーＷの吸着力が低下
していた。また、モールド22とサセプター26との密着性
が良い部分では、金属ヒーター21からの熱伝導が比較的
良好に行われる。一方、モールド22とサセプター26とに
隙間が生じた部分では、熱輻射、熱対流によってしか熱
が伝わらず、特にこの隙間の圧力が下がると、僅かしか
熱が伝わらなくなる。この結果、サセプター26の設置面
26ｃにおいて温度ムラが生じ、均熱性が下がる。[0007] In addition, a minute gap is always generated at the interface between the surface 22a of the metal heater 21 and the susceptor 26. When gas is exhausted from the through hole 24, gas leaks from this gap. In particular, when the metal heater generates heat, the mold 22
Was distorted, and the gap became large. When the leakage of the gas becomes large, the through hole 26a and the concave portion 26
The degree of vacuum of b was reduced, and the attraction force of the semiconductor wafer W was reduced. Further, in a portion where the adhesion between the mold 22 and the susceptor 26 is good, heat conduction from the metal heater 21 is performed relatively well. On the other hand, in a portion where a gap is formed between the mold 22 and the susceptor 26, heat is transmitted only by heat radiation and heat convection. In particular, when the pressure in the gap is reduced, heat is transmitted only slightly. As a result, the installation surface of the susceptor 26
At 26c, temperature unevenness occurs, and the heat uniformity decreases.
【０００８】本発明の課題は、パーティクルが発生しに
くく、半導体材料の加熱効率が高く、高温用途にも使用
でき、半導体材料の吸着力が安定しており、半導体材料
設置面における均熱性が良好な、半導体材料加熱装置を
提供することである。An object of the present invention is to prevent particles from being generated, to have a high heating efficiency for semiconductor materials, to be used in high-temperature applications, to have a stable adsorption force for semiconductor materials, and to have good heat uniformity on a semiconductor material installation surface. Another object of the present invention is to provide a semiconductor material heating apparatus.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る加熱装置
は、半導体材料を設置する半導体材料設置面が設けられ
ており、緻密質セラミックスからなる盤状基体と、半導
体材料設置面上の半導体材料を盤状基体での熱伝導を介
して加熱するために盤状基体内に埋設された抵抗発熱体
とを有するセラミックスヒーターを備えており、半導体
材料設置面に開口する排気孔が盤状基体に設けられてお
り、半導体材料設置面のうち半導体材料を設置する領域
内に凹部が形成されており、凹部と排気孔とが連通して
おり、排気孔および凹部を減圧することにより導体材料
を盤状基体に対して吸着しつつ、抵抗発熱体の発熱によ
って半導体材料を加熱するように構成されている。A heating device according to the present invention is provided with a semiconductor material installation surface on which a semiconductor material is installed, and a board-like base made of dense ceramics, and a semiconductor material on the semiconductor material installation surface. And a ceramic heater having a resistance heating element buried in the board-shaped substrate for heating the substrate via heat conduction in the board-shaped substrate. A recess is formed in a region where the semiconductor material is placed on the semiconductor material placement surface, and the recess and the exhaust hole communicate with each other. The semiconductor material is heated by the heat of the resistance heating element while being attracted to the substrate.
【００１０】また、本発明に係る半導体製造装置は、前
記の加熱装置を備えており、ガスの供給および排出が可
能な、加熱装置を収容するチャンバーと、シースの一端
が盤状基体に対して気密に接合されており、シースの他
端がチャンバー外に位置しでいる気密質セラミックス製
のシースとを備えており、シースの一端側が加熱装置の
排気孔に対して連通しており、シースの他端側が真空排
気系に対して連通していることを特徴とする。Further, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes the above-mentioned heating device, and a chamber for accommodating a heating device capable of supplying and discharging a gas, and one end of a sheath with respect to a board-like substrate. The other end of the sheath is provided with an airtight ceramics sheath located outside the chamber, and one end side of the sheath communicates with an exhaust hole of the heating device. The other end is in communication with the evacuation system.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は、本発明の実施例に係るセラミックス
ヒーター１を概略的に示す断面図である。例えば円盤状
の基体２は、緻密質セラミックスからなる。円盤状基体
２の内部に抵抗発熱体５が例えば渦巻状に埋設され、抵
抗発熱体５の両端に、それぞれ例えば円柱状の端子６が
接続され、各端子６の表面に丸棒状のリード部材７が連
結されている。この連結方法としては、ネジ切り法、拡
散接合、摩擦圧接、ろう付け等がある。各リード部材７
にそれぞれリード線８が接続され、各リード線８が交流
電源９に接続されている。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a ceramic heater 1 according to an embodiment of the present invention. For example, the disk-shaped substrate 2 is made of dense ceramics. A resistance heating element 5 is embedded, for example, in a spiral shape inside the disc-shaped base 2, and for example, a columnar terminal 6 is connected to each end of the resistance heating element 5, and a round bar-shaped lead member 7 is attached to the surface of each terminal 6. Are connected. Examples of the connection method include a thread cutting method, diffusion bonding, friction welding, brazing, and the like. Each lead member 7
Are connected to an AC power supply 9, respectively.
【００１２】円盤状基体２の中央部に、半導体材料設置
面２ａから背面２ｂへと向かって、例えば平面円形の貫
通孔４が設けられ、貫通孔４が、図示しない真空排気系
へと連結されている。半導体材料設置面２ａ側には、凹
部３が形成され、凹部３と貫通孔４とが連通する。半導
体ウエハーＷを加熱処理する際には、半導体材料設置面
２ａに半導体ウエハーＷを設置し、矢印Ａのように吸引
して減圧し、半導体ウエハーＷを吸着する。これと共
に、抵抗発熱体５に電力を供給して発熱させ、半導体ウ
エハーＷを加熱する。At the center of the disc-shaped substrate 2, a through-hole 4, for example, having a plane circular shape is provided from the semiconductor material installation surface 2a to the back surface 2b, and the through-hole 4 is connected to a vacuum exhaust system (not shown). ing. A concave portion 3 is formed on the semiconductor material installation surface 2a side, and the concave portion 3 and the through hole 4 communicate with each other. When the semiconductor wafer W is subjected to the heat treatment, the semiconductor wafer W is set on the semiconductor material setting surface 2a, and the semiconductor wafer W is sucked and depressurized as shown by an arrow A to adsorb the semiconductor wafer W. At the same time, power is supplied to the resistance heating element 5 to generate heat, and the semiconductor wafer W is heated.
【００１３】本実施例によれば、半導体ウエハーＷを固
定し、加熱する際、ピンやリング等を使用しないので、
こうした治具に起因するパーティクルが発生しない。ま
た、円盤状基体２を緻密質セラミックスで形成している
ので、材質にもよるが、最高１１００℃程度まで使用可
能である。また、図３に示すような加熱装置では、既述
したように、金属ヒーター２１の温度が上昇すると、モ
ールド２２とサセプター２６との間の隙間が広がり、設
置面２６ｃにおける均熱性が損なわれる。この点、本実
施例では、こうした温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じ
ない。According to this embodiment, when fixing and heating the semiconductor wafer W, pins and rings are not used.
No particles are generated due to such a jig. Further, since the disk-shaped substrate 2 is formed of dense ceramics, it can be used up to about 1100 ° C. depending on the material. Further, in the heating device as shown in FIG. 3, as described above, when the temperature of the metal heater 21 rises, the gap between the mold 22 and the susceptor 26 is widened, and the uniformity on the installation surface 26 c is impaired. In this regard, in the present embodiment, the deterioration of the thermal uniformity due to the temperature rise does not occur.
【００１４】また、図３に示すような加熱装置では、既
述したように、金属ヒーター２１とサセプター２６との
間の隙間から真空排気時に気体が漏れる。この点、本実
施例では、こうした気体の漏れが生じないので、常に安
定した吸着力が得られる。また、図３に示すような加熱
装置では、金属ヒーター２１を発熱させるときに、モー
ルド２２とサセプター２６との間に隙間が生じ、この隙
間で熱伝導が遮断され、サセプター２６へと伝わる熱量
が全体に少なくなる。この点、本実施例では、設置面２
ａと抵抗発熱体との間にこうした隙間は存在しないの
で、温度上昇時に、設置面２ａの温度が速やかに上昇す
る。即ち、加熱装置としての応答性がよい。特に、凹部
３が排気孔４に連通しており、半導体ウエハーＷのほぼ
全体が凹部３に対向している。そして、凹部３内ではほ
ぼ一定の真空度が保持されるので、半導体ウエハーのう
ち凹部３に対して対向している領域の吸着力が安定して
高く保持されるので、セラミックスヒーターの半導体ウ
エハー設置面から半導体ウエハーの広い面積にわたって
熱移動が均一化される。Further, in the heating device as shown in FIG. 3, as described above, gas leaks from the gap between the metal heater 21 and the susceptor 26 during evacuation. In this regard, in the present embodiment, since such gas leakage does not occur, a stable adsorption force is always obtained. Further, in the heating device as shown in FIG. 3, when the metal heater 21 generates heat, a gap is formed between the mold 22 and the susceptor 26, heat conduction is interrupted by this gap, and the amount of heat transmitted to the susceptor 26 is reduced. Less overall. In this regard, in this embodiment, the installation surface 2
Since such a gap does not exist between a and the resistance heating element, when the temperature rises, the temperature of the installation surface 2a quickly rises. That is, the response as a heating device is good. In particular, the concave portion 3 communicates with the exhaust hole 4, and almost the entire semiconductor wafer W faces the concave portion 3. Further, since a substantially constant degree of vacuum is maintained in the concave portion 3, the suction force in the region of the semiconductor wafer facing the concave portion 3 is stably held high, so that the ceramic heater can be installed in the semiconductor wafer. The heat transfer is made uniform over a wide area of the semiconductor wafer from the surface.
【００１５】図２は、半導体製造装置のチャンバー12に
セラミックスヒーター１を取り付けた状態を示す概略断
面図である。図１における部材と同じ部材には同じ符号
を付し、その説明は省略する。チャンバー12には導入孔
12ｂと排出孔12ｃとが設けられる。導入孔12ｂから矢印
Ｂのようにガスを導入し、排出孔12ｃから矢印Ｃのよう
にガスを排出する。チャンバー12の上側壁面に貫通孔12
ａを設け、貫通孔12ａを塞ぐようにフランジ10が取り付
けられている。気密質セラミックス製シース11Ａ，11
Ｂ，11Ｃはそれぞれ、円筒状本体11ａと、本体11ａの下
端に設けられた円環状のフランジ11ｂとからなる。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a state in which the ceramic heater 1 is attached to the chamber 12 of the semiconductor manufacturing apparatus. The same members as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Inlet hole in chamber 12
12b and a discharge hole 12c are provided. The gas is introduced from the introduction hole 12b as shown by the arrow B, and the gas is discharged from the discharge hole 12c as shown by the arrow C. Through hole 12 in upper wall of chamber 12
a, and a flange 10 is attached so as to close the through hole 12a. Airtight ceramic sheath 11A, 11
B and 11C each include a cylindrical main body 11a and an annular flange 11b provided at the lower end of the main body 11a.
【００１６】各シース11Ａ，11Ｂ，11Ｃの円筒状本体11
ａが、それぞれ、フランジ部10の貫通孔に挿通され、固
定される。チャンバー12とフランジ部10との間、フラン
ジ部10とシース11Ａ，11Ｂ，11Ｃとの間は、それぞれ気
密にシールされている。各シース11Ａ，11Ｂ，11Ｃのフ
ランジ11ｂがそれぞれ背面２ｂに接合されている。セラ
ミックスヒーター１は、これらのシース11Ａ，11Ｂ，11
Ｃによって支持される。一対のリード部材７は、それぞ
れシース11Ａ又は11Ｃの内側に包囲される。排気孔４
は、シース11Ｂの内側空間に連通しており、シース11Ｂ
の内側空間が、図示しない真空排気系に接続されてい
る。The cylindrical body 11 of each sheath 11A, 11B, 11C
a are respectively inserted into the through holes of the flange portion 10 and fixed. The space between the chamber 12 and the flange portion 10 and the space between the flange portion 10 and the sheaths 11A, 11B, and 11C are hermetically sealed. The flange 11b of each of the sheaths 11A, 11B, 11C is joined to the back surface 2b. The ceramic heater 1 includes these sheaths 11A, 11B, 11
Supported by C. The pair of lead members 7 are surrounded inside the sheath 11A or 11C, respectively. Exhaust hole 4
Communicates with the inner space of the sheath 11B.
Is connected to a vacuum exhaust system (not shown).
【００１７】本実施例においては、図１の例で述べた効
果に加え、更に以下の効果を奏することができる。ま
ず、リード部材７、端子６などが腐蝕性の容器内雰囲気
に曝されないので、これらの部材の腐蝕、劣化を防止で
き、安定して運転を続けることができる。また、金属製
フランジ部10は、温度が大きく上昇すると変形する。し
かし、本例では、セラミックスヒーター１とフランジ部
10との間に、セラミックスからなるシース11Ａ，11Ｂ，
11Ｃが介在しており、セラミックスヒーター１を高温に
しても、フランジ部10の温度はあまり上がらず、変形し
ない。従って、フランジ部10の変形によって半導体ウエ
ハーＷの設置位置がズレることもない。In this embodiment, in addition to the effects described in the example of FIG. 1, the following effects can be further obtained. First, since the lead members 7, the terminals 6, and the like are not exposed to the corrosive atmosphere in the container, the members can be prevented from being corroded or deteriorated, and the operation can be stably continued. Further, the metal flange portion 10 is deformed when the temperature rises significantly. However, in this example, the ceramic heater 1 and the flange portion
10 and sheaths 11A, 11B made of ceramic,
Even if the ceramic heater 1 is heated to a high temperature, the temperature of the flange portion 10 does not rise so much and does not deform. Therefore, the installation position of the semiconductor wafer W does not shift due to the deformation of the flange portion 10.
【００１８】円盤状基体２の材質としては、耐熱性の点
で、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化
アルミニウム、アルミナ−炭化珪素複合材料等とするの
が好ましい。抵抗発熱体５の材質としては、タングステ
ン、モリブデン、白金等とするのが好ましい。The material of the disk-shaped substrate 2 is preferably alumina, silicon nitride, sialon, silicon carbide, aluminum nitride, alumina-silicon carbide composite material or the like from the viewpoint of heat resistance. The material of the resistance heating element 5 is preferably tungsten, molybdenum, platinum or the like.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によれば、盤状基体の半導体材料
設置面に開口する排気孔を減圧することにより、半導体
材料を吸着するので、半導体材料を固定し、加熱する
際、ピンやリング等を使用しないので、こうした治具に
起因するパーティクルは発生しない。また、盤状基体が
緻密質セラミックスからなるので、高温での加熱にも適
している。また、半導体材料設置面を有する盤状基体に
抵抗発熱体を埋設しているので、前述したように、温度
上昇に伴う均熱性の劣化は生じず、気体の漏れによる吸
着力の低下も生じず、温度上昇時の応答も速い。According to the present invention, the semiconductor material is adsorbed by reducing the pressure of the exhaust hole formed on the surface of the board-shaped substrate on which the semiconductor material is placed, so that when the semiconductor material is fixed and heated, a pin or ring is used. No particles are generated due to such jigs. Further, since the disk-shaped substrate is made of dense ceramics, it is also suitable for heating at a high temperature. Further, since the resistance heating element is embedded in the board-shaped substrate having the semiconductor material installation surface, as described above, the uniformity does not deteriorate due to the temperature rise, and the adsorption force does not decrease due to gas leakage. Also, the response when the temperature rises is fast.
【００２０】しかも、サセプターの半導体材料設置面に
開口する排気孔を減圧することにより、半導体材料を吸
着するので、半導体材料を固定し、加熱する際、ピンや
リング等を使用しないので、こうした治具に起因するパ
ーティクルは発生しない。また、盤状基体が緻密質セラ
ミックスからなるので、高温での加熱にも適している。
更に、盤状基体が緻密質セラミックスからなり、サセプ
ターが非金属無機質材料からなるので、前述したよう
に、温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じず、気体の漏れ
による吸着力の低下も生じず、温度上昇時の応答も速
い。In addition, since the semiconductor material is adsorbed by reducing the pressure of the exhaust hole opened on the surface of the susceptor on which the semiconductor material is placed, the semiconductor material is fixed and heated. No particles due to the ingredients are generated. Further, since the disk-shaped substrate is made of dense ceramics, it is also suitable for heating at a high temperature.
Further, since the disk-shaped substrate is made of dense ceramics and the susceptor is made of a non-metallic inorganic material, as described above, there is no deterioration in heat uniformity due to temperature rise, and no decrease in adsorption force due to gas leakage. Also, the response when the temperature rises is fast.
【００２１】特に、凹部が排気孔に連通しており、半導
体材料の広い範囲が凹部に対向している。そして、凹部
内ではほぼ一定の真空度が保持されるので、半導体材料
のうち凹部３に対して対向している領域の吸着力が安定
して高く保持されるので、セラミックスヒーターの半導
体ウエハー設置面から半導体材料の広い面積にわたって
熱移動が均一化される。In particular, the recess communicates with the exhaust hole, and a wide area of the semiconductor material faces the recess. Since a substantially constant degree of vacuum is maintained in the concave portion, the attraction force in the region of the semiconductor material facing the concave portion 3 is stably maintained at a high level. , Heat transfer is made uniform over a wide area of the semiconductor material.
【００２２】[0022]
【００２３】[0023]
【図１】本発明の実施例に係るセラミックスヒーター１
を示す概略断面図である。FIG. 1 shows a ceramic heater 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG.
【図２】セラミックスヒーター１をチャンバー１２に取
り付けた状態を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a state where the ceramic heater 1 is attached to a chamber 12.
【図３】本発明者が製作した半導体ウエハー加熱装置を
概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view schematically showing a semiconductor wafer heating apparatus manufactured by the present inventors.
１ セラミックスヒーター ２ 円盤状基体 ２ａ 半
導体ウエハー設置面 ３ 凹部 ４ 排気孔 ５
抵抗発熱体 ６ 端子 ７ リード部材 １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ シースDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic heater 2 Disc-shaped base 2a Semiconductor wafer installation surface 3 Concave part 4 Exhaust hole 5
Resistance heating element 6 Terminal 7 Lead member 11A, 11B, 11C Sheath
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲のぼり▼ 和宏 愛知県葉栗郡木曽川町大字黒田字北宿二 ノ切66番地の１ (56)参考文献 特開 平２−260415（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−261131（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−30159（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−108354（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−49612（ＪＰ，Ｕ) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor ▲ Nobori ▼ Kazuhiro, Kisogawa-machi, Haguri-gun, Aichi Prefecture, Kojita, Kino-juku 66 No. 1 (56) Reference JP-A-2-260415 (JP, A) JP-A-3-261131 (JP, A) JP-A-2-30159 (JP, A) JP-A-3-108354 (JP, A) JP-A-62-249612 (JP, U)
Claims (2)
が設けられており、緻密質セラミックスからなる盤状基
体と、前記半導体材料設置面上の前記半導体材料を前記
盤状基体での熱伝導を介して加熱するために前記盤状基
体内に埋設された抵抗発熱体とを有するセラミックスヒ
ーターを備えた加熱装置であって、前記半導体材料設置
面に開口する排気孔が前記盤状基体に設けられており、
前記半導体材料設置面のうち前記半導体材料を設置する
領域内に凹部が形成されており、この凹部と前記排気孔
とが連通しており、この排気孔および前記凹部を減圧す
ることにより前記半導体材料を前記盤状基体に対して吸
着しつつ、前記抵抗発熱体の発熱によって前記半導体材
料を加熱するように構成された加熱装置。1. A semiconductor material installation surface on which a semiconductor material is installed is provided, and a disk-shaped substrate made of dense ceramics and the semiconductor material on the semiconductor material installation surface are transferred by the disk-shaped substrate to conduct heat. A heating device comprising a ceramic heater having a resistance heating element embedded in the board-shaped substrate for heating through the substrate-based substrate, wherein the board-shaped substrate is provided with an exhaust hole opened on the semiconductor material installation surface. And
A recess is formed in a region of the semiconductor material placement surface where the semiconductor material is placed, and the recess and the exhaust hole communicate with each other, and the semiconductor material is reduced by reducing the pressure of the exhaust hole and the recess. A heating device configured to heat the semiconductor material by heat generated by the resistance heating element while adsorbing the semiconductor material on the board-shaped substrate.
導体製造装置であって、ガスの供給および排出が可能
な、前記加熱装置を収容するチャンバーと、シースの一
端が前記盤状基体に対して気密に接合されており、前記
シースの他端が前記チャンバー外に位置している気密質
セラミックス製のシースとを備えており、前記シースの
前記一端側が前記加熱装置の前記排気孔に対して連通し
ており、前記シースの他端側が真空排気系に対して連通
していることを特徴とする、半導体製造装置。2. A semiconductor manufacturing apparatus comprising the heating device according to claim 1, wherein a chamber capable of supplying and discharging gas and accommodating the heating device and one end of a sheath are provided on the plate-like base. The other end of the sheath is provided with an airtight ceramics sheath located outside the chamber, and the one end side of the sheath is provided with respect to the exhaust hole of the heating device. Wherein the other end of the sheath communicates with a vacuum exhaust system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062413A JP3067373B2 (en) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | Heating device and semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062413A JP3067373B2 (en) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | Heating device and semiconductor manufacturing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267308A JPH05267308A (en) | 1993-10-15 |
| JP3067373B2 true JP3067373B2 (en) | 2000-07-17 |
Family
ID=13199445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4062413A Expired - Lifetime JP3067373B2 (en) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | Heating device and semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067373B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03248431A (en) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | Semiconductor substrate heating stand |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4062413A patent/JP3067373B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267308A (en) | 1993-10-15 |
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