JP3062153B2 - リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法Info
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- Power Engineering (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止されてなる半導体装置を構成するリードフ
レームとそのリードフレームを用いた半導体装置および
その製造方法に関するものである。
し、樹脂封止されてなる半導体装置を構成するリードフ
レームとそのリードフレームを用いた半導体装置および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用のリードフレーム１
は、図９に示すように、インナーリード部２と、アウタ
ーリード部３と、タイバー４と、半導体素子を搭載する
ダイパッド部５と、ダイパッド部５を支持する吊りリー
ド部６とより構成されていた。そしてリードフレーム１
に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパ
ッド部５への応力を緩和するために、ダイパッド部５に
は、開口部であるスリット７が形成されていた。また樹
脂封止し、パッケージを形成した際に、ダイパッド部５
上に搭載した半導体素子の表面からパッケージの表面ま
での樹脂厚と、ダイパッド部５の裏面からパッケージの
裏面までの樹脂厚とが同じになるように、吊りリード部
６にディプレス加工を施してディプレス部８を形成し、
ダイパッド部５をインナーリード部２よりも下げてい
た。
は、図９に示すように、インナーリード部２と、アウタ
ーリード部３と、タイバー４と、半導体素子を搭載する
ダイパッド部５と、ダイパッド部５を支持する吊りリー
ド部６とより構成されていた。そしてリードフレーム１
に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパ
ッド部５への応力を緩和するために、ダイパッド部５に
は、開口部であるスリット７が形成されていた。また樹
脂封止し、パッケージを形成した際に、ダイパッド部５
上に搭載した半導体素子の表面からパッケージの表面ま
での樹脂厚と、ダイパッド部５の裏面からパッケージの
裏面までの樹脂厚とが同じになるように、吊りリード部
６にディプレス加工を施してディプレス部８を形成し、
ダイパッド部５をインナーリード部２よりも下げてい
た。
【０００３】次に従来のリードフレームを用いた半導体
装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１０、図１１は、従来の半導体装置の製造方法を示す
断面図であり、図９のＢ−Ｂ１断面を示している。
装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１０、図１１は、従来の半導体装置の製造方法を示す
断面図であり、図９のＢ−Ｂ１断面を示している。
【０００４】まず図１０に示すように、ダイパッド部５
を支持している吊りリード部６にプレス加工によりディ
プレス部８を形成したリードフレーム１に対して、半導
体素子９をそのダイパッド部５上に銀（Ａｇ）ペースト
等の接着剤１０により接合する。なお、ダイパッド部５
には、スリット７が設けられているものである。
を支持している吊りリード部６にプレス加工によりディ
プレス部８を形成したリードフレーム１に対して、半導
体素子９をそのダイパッド部５上に銀（Ａｇ）ペースト
等の接着剤１０により接合する。なお、ダイパッド部５
には、スリット７が設けられているものである。
【０００５】次に図１１に示すように、搭載した半導体
素子９とリードフレーム１のインナーリード部とを金属
細線等の電気的接続手段により接続した後、半導体素子
９の外囲およびリードフレーム１のインナーリード部の
領域を封止樹脂１１で封止し、パッケージ部を形成す
る。その後、リードフレーム１のアウターリード部を成
形して半導体装置を形成していた。
素子９とリードフレーム１のインナーリード部とを金属
細線等の電気的接続手段により接続した後、半導体素子
９の外囲およびリードフレーム１のインナーリード部の
領域を封止樹脂１１で封止し、パッケージ部を形成す
る。その後、リードフレーム１のアウターリード部を成
形して半導体装置を形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良が大きな問
題となってきている。この問題の原因としては、半導体
素子とダイパッド部とを接合するのに用いている銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤に吸湿した水分が、リフロー時
の熱により気化膨張することによる応力であると考えら
れている。そのため従来は、ダイパッド部にスリットを
施したリードフレームを用いて、Ａｇペーストの量を減
らして、絶対的に水分の吸湿量を減らすことにより対処
していた。
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良が大きな問
題となってきている。この問題の原因としては、半導体
素子とダイパッド部とを接合するのに用いている銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤に吸湿した水分が、リフロー時
の熱により気化膨張することによる応力であると考えら
れている。そのため従来は、ダイパッド部にスリットを
施したリードフレームを用いて、Ａｇペーストの量を減
らして、絶対的に水分の吸湿量を減らすことにより対処
していた。
【０００７】しかし従来のようにスリットを設けたダイ
パッド部では、半導体素子を搭載した際に、半導体素子
の裏面が露出することになり、半導体素子裏面と封止樹
脂とが接触することになる。この場合、もしも半導体素
子裏面が汚染されていた場合、半導体素子と封止樹脂と
の密着性が悪くなるという課題が発生してしまう。特に
リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する
前に、半導体素子が形成された半導体ウェハーを粘着シ
ートに貼り付けてダイシングするので、その粘着シート
の粘着剤が半導体素子の裏面に残り、半導体素子裏面が
汚染されてしまい、樹脂封止した場合、半導体素子と封
止樹脂との密着性が悪くなる恐れがある。
パッド部では、半導体素子を搭載した際に、半導体素子
の裏面が露出することになり、半導体素子裏面と封止樹
脂とが接触することになる。この場合、もしも半導体素
子裏面が汚染されていた場合、半導体素子と封止樹脂と
の密着性が悪くなるという課題が発生してしまう。特に
リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する
前に、半導体素子が形成された半導体ウェハーを粘着シ
ートに貼り付けてダイシングするので、その粘着シート
の粘着剤が半導体素子の裏面に残り、半導体素子裏面が
汚染されてしまい、樹脂封止した場合、半導体素子と封
止樹脂との密着性が悪くなる恐れがある。
【０００８】また、半導体装置の小型化、薄型化にとも
ない、半導体装置のパッケージ厚が薄くなり、樹脂封止
の際、リードフレームのダイパッド部の裏面側におい
て、樹脂ゲート口とその対向側で、注入する樹脂の流入
速度が異なり、ダイパッド部の左右領域が早く注入さ
れ、中央部が遅くなり、リードフレームの樹脂ゲート口
の対角側に未充填ボイドが発生してしまうという問題も
ある。
ない、半導体装置のパッケージ厚が薄くなり、樹脂封止
の際、リードフレームのダイパッド部の裏面側におい
て、樹脂ゲート口とその対向側で、注入する樹脂の流入
速度が異なり、ダイパッド部の左右領域が早く注入さ
れ、中央部が遅くなり、リードフレームの樹脂ゲート口
の対角側に未充填ボイドが発生してしまうという問題も
ある。
【０００９】本発明は、上記課題を解決するもので、半
導体素子の裏面が露出していても、封止樹脂との密着性
を確保でき、また樹脂封止の際に未充填領域ができるの
を防止できるリードフレームとそれを用いた半導体装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
導体素子の裏面が露出していても、封止樹脂との密着性
を確保でき、また樹脂封止の際に未充填領域ができるの
を防止できるリードフレームとそれを用いた半導体装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のリードフレームは、インナーリード部と、
アウターリード部と、搭載する半導体素子の外形よりも
小型であって、接着剤により半導体素子の裏面と接着す
る複数の接合部を有し前記複数の接合部が互いに連結さ
れることにより、それら接合部間に形成された開口部と
よりなるダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持する
吊りリード部と、前記ダイパッド部に半導体素子を搭載
後に樹脂封止する際の樹脂ゲート口とより構成される薄
型パッケージ用のリードフレームであって、前記ダイパ
ッド部の複数の接合部は互いに連結されてダイパッド部
を構成するとともに、前記樹脂ゲート口と対向する対角
領域には接合部が配置されず、前記樹脂ゲート口と対向
する対角領域を除く領域以外に前記接合部が配置されて
いるリードフレームである。
に、本発明のリードフレームは、インナーリード部と、
アウターリード部と、搭載する半導体素子の外形よりも
小型であって、接着剤により半導体素子の裏面と接着す
る複数の接合部を有し前記複数の接合部が互いに連結さ
れることにより、それら接合部間に形成された開口部と
よりなるダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持する
吊りリード部と、前記ダイパッド部に半導体素子を搭載
後に樹脂封止する際の樹脂ゲート口とより構成される薄
型パッケージ用のリードフレームであって、前記ダイパ
ッド部の複数の接合部は互いに連結されてダイパッド部
を構成するとともに、前記樹脂ゲート口と対向する対角
領域には接合部が配置されず、前記樹脂ゲート口と対向
する対角領域を除く領域以外に前記接合部が配置されて
いるリードフレームである。
【００１１】また本発明の半導体装置は、半導体素子
と、前記半導体素子を搭載したダイパッド部であってそ
の外形が前記半導体素子の外形よりも小型であり、前記
半導体素子の裏面の一部を接着した複数の接合部を有し
前記複数の接合部が互いに連結されることにより、それ
ら接合部間に形成された開口部とよりなるダイパッド部
と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記
半導体素子と金属細線で接続されたインナーリード部
と、前記半導体素子、前記ダイパッド部、前記吊りリー
ド部および前記金属細線の領域を封止した封止樹脂とよ
りなる薄型の半導体装置であって、前記ダイパッド部の
前記複数の接合部は互いに連結されてダイパッド部を構
成し、前記封止樹脂が注入された側と対向する対角領域
には接合部は配置されず、前記封止樹脂が注入された側
と対向する対角領域を除く領域以外に前記接合部が配置
されている半導体装置である。
と、前記半導体素子を搭載したダイパッド部であってそ
の外形が前記半導体素子の外形よりも小型であり、前記
半導体素子の裏面の一部を接着した複数の接合部を有し
前記複数の接合部が互いに連結されることにより、それ
ら接合部間に形成された開口部とよりなるダイパッド部
と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記
半導体素子と金属細線で接続されたインナーリード部
と、前記半導体素子、前記ダイパッド部、前記吊りリー
ド部および前記金属細線の領域を封止した封止樹脂とよ
りなる薄型の半導体装置であって、前記ダイパッド部の
前記複数の接合部は互いに連結されてダイパッド部を構
成し、前記封止樹脂が注入された側と対向する対角領域
には接合部は配置されず、前記封止樹脂が注入された側
と対向する対角領域を除く領域以外に前記接合部が配置
されている半導体装置である。
【００１２】また本発明の半導体装置の製造方法は、イ
ンナーリード部と、アウターリード部と、搭載する半導
体素子の外形よりも小型であって、接着剤により半導体
素子の裏面と接着する複数の接合部を有し前記複数の接
合部が互いに連結されることにより、それら接合部間に
形成された開口部とよりなるダイパッド部と、前記ダイ
パッド部を支持する吊りリード部と、前記ダイパッド部
に半導体素子を搭載後に樹脂封止する際の樹脂ゲート口
とよりなり、前記ダイパッド部の複数の接合部は互いに
連結されてダイパッド部を構成するとともに、前記樹脂
ゲート口と対向する対角領域には接合部が配置されず、
前記樹脂ゲート口と対向する対角領域を除く領域以外に
前記接合部が配置されている薄型パッケージ用のリード
フレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記
ダイパッド部の接合部上に半導体素子を接着剤により接
合するダイボンド工程と、前記半導体素子と前記インナ
ーリード部とを金属細線により接続するワイヤーボンド
工程と、前記リードフレームの前記接合部が配置されて
いない対角領域にある前記樹脂ゲート口より封止樹脂を
注入し、前記対角領域と前記ダイパッド部の左右領域と
を同時に注入して、前記半導体素子、前記ダイパッド
部、前記吊りリード部および前記金属細線の領域を未充
填ボイドの発生なく封止樹脂により封止する工程を有す
る半導体装置の製造方法である。
ンナーリード部と、アウターリード部と、搭載する半導
体素子の外形よりも小型であって、接着剤により半導体
素子の裏面と接着する複数の接合部を有し前記複数の接
合部が互いに連結されることにより、それら接合部間に
形成された開口部とよりなるダイパッド部と、前記ダイ
パッド部を支持する吊りリード部と、前記ダイパッド部
に半導体素子を搭載後に樹脂封止する際の樹脂ゲート口
とよりなり、前記ダイパッド部の複数の接合部は互いに
連結されてダイパッド部を構成するとともに、前記樹脂
ゲート口と対向する対角領域には接合部が配置されず、
前記樹脂ゲート口と対向する対角領域を除く領域以外に
前記接合部が配置されている薄型パッケージ用のリード
フレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記
ダイパッド部の接合部上に半導体素子を接着剤により接
合するダイボンド工程と、前記半導体素子と前記インナ
ーリード部とを金属細線により接続するワイヤーボンド
工程と、前記リードフレームの前記接合部が配置されて
いない対角領域にある前記樹脂ゲート口より封止樹脂を
注入し、前記対角領域と前記ダイパッド部の左右領域と
を同時に注入して、前記半導体素子、前記ダイパッド
部、前記吊りリード部および前記金属細線の領域を未充
填ボイドの発生なく封止樹脂により封止する工程を有す
る半導体装置の製造方法である。
【００１３】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
では、半導体素子を搭載するダイパッド部が、開口部と
接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が小さ
いダイパッド部であり、応力を緩和できる形状であるた
め、そのダイパッド部に半導体素子を搭載後、樹脂封止
した際、封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド
部に対して、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダ
イパッド部とを接合するのに用いる接着剤の量を減らす
ことができ、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体
装置を基板実装する際のリフロー工程でパッケージクラ
ック、パッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を
防止することができる。また封止樹脂を注入する樹脂ゲ
ート口のゲート対角部に接合部を設けない構造により、
樹脂の注入速度の均一化を図り、薄型パッケージ形成時
の封止でもゲート対角部に未充填ボイドの発生を防止す
ることができる。
では、半導体素子を搭載するダイパッド部が、開口部と
接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が小さ
いダイパッド部であり、応力を緩和できる形状であるた
め、そのダイパッド部に半導体素子を搭載後、樹脂封止
した際、封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド
部に対して、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダ
イパッド部とを接合するのに用いる接着剤の量を減らす
ことができ、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体
装置を基板実装する際のリフロー工程でパッケージクラ
ック、パッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を
防止することができる。また封止樹脂を注入する樹脂ゲ
ート口のゲート対角部に接合部を設けない構造により、
樹脂の注入速度の均一化を図り、薄型パッケージ形成時
の封止でもゲート対角部に未充填ボイドの発生を防止す
ることができる。
【００１４】または接合部に凹部を形成することによ
り、樹脂の注入速度の均一化を図り、薄型パッケージ形
成時の封止でもゲート対角部に未充填ボイドの発生を防
止することができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な
状態にするための前工程を行なった後、ダイボンド工程
を行なうという製造方法と、本発明のリードフレームと
を組み合わせることにより、懸念される半導体素子の裏
面の汚染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂とが直接接
しても、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保す
ることができる。
り、樹脂の注入速度の均一化を図り、薄型パッケージ形
成時の封止でもゲート対角部に未充填ボイドの発生を防
止することができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な
状態にするための前工程を行なった後、ダイボンド工程
を行なうという製造方法と、本発明のリードフレームと
を組み合わせることにより、懸念される半導体素子の裏
面の汚染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂とが直接接
しても、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保す
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームの
一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１
は、第１の実施形態のリードフレームの主要部分を示す
平面図である。
一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１
は、第１の実施形態のリードフレームの主要部分を示す
平面図である。
【００１６】図１において、本実施形態のリードフレー
ム１２は、インナーリード部１３と、アウターリード部
１４と、タイバー１５と、半導体素子を搭載するダイパ
ッド部１６と、ダイパッド部１６を支持する吊りリード
部１７とより構成されている。そしてリードフレーム１
２に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイ
パッド部１６への応力を緩和するために、ダイパッド部
１６は、開口部１８を有しており、また半導体素子との
接着のための接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを
有している。すなわち、４個の小型ダイパッド部である
接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄが連結されるこ
とによりダイパッド部１６を構成しているものである。
なお、本実施形態のリードフレーム１２のダイパッド部
１６の大きさは、搭載する半導体素子の大きさよりも小
型としている。また樹脂封止し、パッケージを形成した
際に、ダイパッド部１６上に搭載した半導体素子の表面
からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッド部１
６の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが同じに
なるように、吊りリード部１７にディプレス加工を施し
てディプレス部２０を形成し、ダイパッド部１６をイン
ナーリード部１３よりも下げている。
ム１２は、インナーリード部１３と、アウターリード部
１４と、タイバー１５と、半導体素子を搭載するダイパ
ッド部１６と、ダイパッド部１６を支持する吊りリード
部１７とより構成されている。そしてリードフレーム１
２に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイ
パッド部１６への応力を緩和するために、ダイパッド部
１６は、開口部１８を有しており、また半導体素子との
接着のための接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを
有している。すなわち、４個の小型ダイパッド部である
接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄが連結されるこ
とによりダイパッド部１６を構成しているものである。
なお、本実施形態のリードフレーム１２のダイパッド部
１６の大きさは、搭載する半導体素子の大きさよりも小
型としている。また樹脂封止し、パッケージを形成した
際に、ダイパッド部１６上に搭載した半導体素子の表面
からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッド部１
６の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが同じに
なるように、吊りリード部１７にディプレス加工を施し
てディプレス部２０を形成し、ダイパッド部１６をイン
ナーリード部１３よりも下げている。
【００１７】次に図１に示したリードフレーム１２を用
いた半導体装置の製造方法について説明する。図２、図
３は半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１の
Ａ−Ａ１箇所の断面図である。
いた半導体装置の製造方法について説明する。図２、図
３は半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１の
Ａ−Ａ１箇所の断面図である。
【００１８】まず前工程として、半導体素子が複数個形
成された半導体ウェハーを個々の半導体素子に分割する
ダイシング工程において、半導体素子が形成された半導
体ウェハーを粘着シートに貼り付けてダイシングした
後、その半導体素子の裏面に残存した粘着シートの粘着
剤を紫外線（ＵＶ）洗浄し、半導体素子の裏面を清浄な
状態にしておく。紫外線（ＵＶ）洗浄は、半導体素子の
裏面に対して紫外線を照射することにより行なうもので
あるが、ダイシング時の粘着シートに紫外線硬化型の粘
着剤を用いている場合に有効であり、他の粘着剤を用い
ている場合は、適宜、対応した洗浄を行なう。
成された半導体ウェハーを個々の半導体素子に分割する
ダイシング工程において、半導体素子が形成された半導
体ウェハーを粘着シートに貼り付けてダイシングした
後、その半導体素子の裏面に残存した粘着シートの粘着
剤を紫外線（ＵＶ）洗浄し、半導体素子の裏面を清浄な
状態にしておく。紫外線（ＵＶ）洗浄は、半導体素子の
裏面に対して紫外線を照射することにより行なうもので
あるが、ダイシング時の粘着シートに紫外線硬化型の粘
着剤を用いている場合に有効であり、他の粘着剤を用い
ている場合は、適宜、対応した洗浄を行なう。
【００１９】次に図２に示すように、ダイボンド工程と
して、ダイパッド部１６を支持している吊りリード部１
７にプレス加工によりディプレス部２０を形成したリー
ドフレーム１２に対して、前工程により、裏面が清浄な
半導体素子２１をそのダイパッド部１６の接合部１９
ｂ，１９ｄ（１９ａ，１９ｃは図示せず）上に銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤２２により接合する。
して、ダイパッド部１６を支持している吊りリード部１
７にプレス加工によりディプレス部２０を形成したリー
ドフレーム１２に対して、前工程により、裏面が清浄な
半導体素子２１をそのダイパッド部１６の接合部１９
ｂ，１９ｄ（１９ａ，１９ｃは図示せず）上に銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤２２により接合する。
【００２０】次に図３に示すように、搭載した半導体素
子２１とリードフレーム１２のインナーリード部とを金
属細線等の電気的接続手段により接続（ワイヤーボン
ド）した後、半導体素子２１の外囲およびリードフレー
ム１２のインナーリード部の領域を封止樹脂２３で封止
し、パッケージ部を形成する。その後、リードフレーム
１２のアウターリード部を成形して半導体装置を形成す
る。なお、ここで本実施形態では、半導体素子２１上の
封止樹脂厚ａと半導体素子２１下の封止樹脂厚ｂとを同
じになるようにディプレスを行なっている。ただし、ダ
イパッド部の形状により、多少ディプレス部の深さは変
化させる必要がある。図１の形状では、約２０［μｍ］
ほどディプレス部を半導体素子の上下均等値より浅めに
した方が、効果的である。
子２１とリードフレーム１２のインナーリード部とを金
属細線等の電気的接続手段により接続（ワイヤーボン
ド）した後、半導体素子２１の外囲およびリードフレー
ム１２のインナーリード部の領域を封止樹脂２３で封止
し、パッケージ部を形成する。その後、リードフレーム
１２のアウターリード部を成形して半導体装置を形成す
る。なお、ここで本実施形態では、半導体素子２１上の
封止樹脂厚ａと半導体素子２１下の封止樹脂厚ｂとを同
じになるようにディプレスを行なっている。ただし、ダ
イパッド部の形状により、多少ディプレス部の深さは変
化させる必要がある。図１の形状では、約２０［μｍ］
ほどディプレス部を半導体素子の上下均等値より浅めに
した方が、効果的である。
【００２１】以上のように、半導体素子２１よりも小さ
い外形のダイパッド部１６を有し、かつ搭載される半導
体素子２１との接合面積が少ない本実施形態のリードフ
レームを用いることにより、封止樹脂２３との応力を緩
和でき、またダイパッド部１６に対して、半導体素子２
１を搭載しても、半導体素子２１とダイパッド部１６と
を接合するのに用いる銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤２
２の量を減らすことができ、接着剤２２が吸湿する水分
量を減らし、半導体装置を基板実装する際のリフロー工
程でパッケージクラック、パッケージ裏面の膨れによる
半田付け実装不良を防止することができる。また、ダイ
ボンド前に半導体素子２１の裏面を紫外線洗浄して、ダ
イシングの粘着シートの粘着剤を除去しているので、懸
念される半導体素子２１の裏面の汚染はなく、半導体素
子２１の裏面が露出し、直接封止樹脂２３と接していて
も、封止樹脂２３との密着性を確保し、パッケージクラ
ックの発生を防止し、信頼性を確保できる。
い外形のダイパッド部１６を有し、かつ搭載される半導
体素子２１との接合面積が少ない本実施形態のリードフ
レームを用いることにより、封止樹脂２３との応力を緩
和でき、またダイパッド部１６に対して、半導体素子２
１を搭載しても、半導体素子２１とダイパッド部１６と
を接合するのに用いる銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤２
２の量を減らすことができ、接着剤２２が吸湿する水分
量を減らし、半導体装置を基板実装する際のリフロー工
程でパッケージクラック、パッケージ裏面の膨れによる
半田付け実装不良を防止することができる。また、ダイ
ボンド前に半導体素子２１の裏面を紫外線洗浄して、ダ
イシングの粘着シートの粘着剤を除去しているので、懸
念される半導体素子２１の裏面の汚染はなく、半導体素
子２１の裏面が露出し、直接封止樹脂２３と接していて
も、封止樹脂２３との密着性を確保し、パッケージクラ
ックの発生を防止し、信頼性を確保できる。
【００２２】次にリードフレームの構造について、他の
実施形態について説明する。図４、図５は、図１に示し
たリードフレームとは異なる形態を有するリードフレー
ムを示す平面図である。
実施形態について説明する。図４、図５は、図１に示し
たリードフレームとは異なる形態を有するリードフレー
ムを示す平面図である。
【００２３】まず図４に示すリードフレーム２４は、イ
ンナーリード部２５と、アウターリード部２６と、タイ
バー２７と、半導体素子を搭載するダイパッド部２８
と、ダイパッド部２８を支持する吊りリード部２９とよ
り構成されている。そしてリードフレーム２４に半導体
素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパッド部２
８への応力を緩和するために、ダイパッド部２８は、開
口部３０を有しており、また半導体素子との接着のため
の接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを有してい
る。すなわち、接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ
が連結されることによりダイパッド部２８を構成してい
るものである。なお、本実施形態のリードフレーム２４
のダイパッド部２８は、搭載する半導体素子の大きさよ
りも小型としている。また樹脂封止し、パッケージを形
成した際に、ダイパッド部２８上に搭載した半導体素子
の表面からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッ
ド部２８の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが
同じになるように、吊りリード部２９にディプレス加工
を施してディプレス部３２を形成し、ダイパッド部２８
をインナーリード部２５よりも下げている。ここで図４
に示すリードフレーム２４のダイパッド部２８は、中央
部の開口部３０が円形に構成されており、封止後の封止
樹脂とリードフレーム材料との熱膨張係数の違いから生
じる応力に対しても緩和する効果を有している。また、
ディプレス加工を施す際の応力によるディプレス部の深
さのバラツキ、ダイパッド部のたわみを防止することが
できるものである。
ンナーリード部２５と、アウターリード部２６と、タイ
バー２７と、半導体素子を搭載するダイパッド部２８
と、ダイパッド部２８を支持する吊りリード部２９とよ
り構成されている。そしてリードフレーム２４に半導体
素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパッド部２
８への応力を緩和するために、ダイパッド部２８は、開
口部３０を有しており、また半導体素子との接着のため
の接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを有してい
る。すなわち、接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ
が連結されることによりダイパッド部２８を構成してい
るものである。なお、本実施形態のリードフレーム２４
のダイパッド部２８は、搭載する半導体素子の大きさよ
りも小型としている。また樹脂封止し、パッケージを形
成した際に、ダイパッド部２８上に搭載した半導体素子
の表面からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッ
ド部２８の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが
同じになるように、吊りリード部２９にディプレス加工
を施してディプレス部３２を形成し、ダイパッド部２８
をインナーリード部２５よりも下げている。ここで図４
に示すリードフレーム２４のダイパッド部２８は、中央
部の開口部３０が円形に構成されており、封止後の封止
樹脂とリードフレーム材料との熱膨張係数の違いから生
じる応力に対しても緩和する効果を有している。また、
ディプレス加工を施す際の応力によるディプレス部の深
さのバラツキ、ダイパッド部のたわみを防止することが
できるものである。
【００２４】図５に示すリードフレーム３３は、図１に
示したダイパッド部１６の形状を円形にしたダイパッド
部３４を有したものであり、他の構成は図１、図４に示
したものと同様である。図４に示したリードフレーム２
４と同様に、封止後の封止樹脂とリードフレーム材料と
の熱膨張係数の違いから生じる応力に対しても緩和する
効果を有している。また、ディプレス加工を施す際の応
力によるディプレス部の深さのバラツキ、ダイパッド部
のたわみを防止することができるものである。
示したダイパッド部１６の形状を円形にしたダイパッド
部３４を有したものであり、他の構成は図１、図４に示
したものと同様である。図４に示したリードフレーム２
４と同様に、封止後の封止樹脂とリードフレーム材料と
の熱膨張係数の違いから生じる応力に対しても緩和する
効果を有している。また、ディプレス加工を施す際の応
力によるディプレス部の深さのバラツキ、ダイパッド部
のたわみを防止することができるものである。
【００２５】なお、図４、図５に示したリードフレーム
２４、リードフレーム３３を用いて半導体装置を製造し
ても前記と同様な効果がある。
２４、リードフレーム３３を用いて半導体装置を製造し
ても前記と同様な効果がある。
【００２６】次に本発明のリードフレームの第２の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図６は本実
施形態のリードフレームを示す平面図である。図７は図
６とは異なる実施形態のリードフレームを示す平面図で
ある。
形態について図面を参照しながら説明する。図６は本実
施形態のリードフレームを示す平面図である。図７は図
６とは異なる実施形態のリードフレームを示す平面図で
ある。
【００２７】図６に示すように、本実施形態のリードフ
レーム３５は、そのダイパッド部３６が接合部３７ａ，
３７ｂ，３７ｃを有しており、リードフレーム３５の封
止樹脂を注入する樹脂ゲート口３８付近にのみ接合部３
７ａ，３７ｂ，３７ｃを設け、樹脂ゲート口３８と対向
するゲート対角領域３９には接合部を設けていないもの
である。このような構成とすることで、樹脂封止した際
に、樹脂ゲート口３８から注入した樹脂は、均一な速度
で注入され、ゲート対角領域３９もダイパッド部３６の
左右領域と同時に注入されるので、未充填ボイドの発生
を防止できる。
レーム３５は、そのダイパッド部３６が接合部３７ａ，
３７ｂ，３７ｃを有しており、リードフレーム３５の封
止樹脂を注入する樹脂ゲート口３８付近にのみ接合部３
７ａ，３７ｂ，３７ｃを設け、樹脂ゲート口３８と対向
するゲート対角領域３９には接合部を設けていないもの
である。このような構成とすることで、樹脂封止した際
に、樹脂ゲート口３８から注入した樹脂は、均一な速度
で注入され、ゲート対角領域３９もダイパッド部３６の
左右領域と同時に注入されるので、未充填ボイドの発生
を防止できる。
【００２８】また図７に示すように、リードフレーム４
０は、ダイパッド部４１の裏面での樹脂流れに対する抵
抗を小さくし、裏面での樹脂流れの速度を一定にするた
め、ダイパッド部４１の接合部４２ａ，４２ｂ，４２
ｃ，４２ｄの裏面を凹状にしたものである。図におい
て、ハッチングを付した部分が接合部４２ａ，４２ｂ，
４２ｃ，４２ｄの各凹状部である。また接合部４２ａ，
４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの凹状の形成は、樹脂ゲート口
４３に対向するゲート対角領域４４側の接合部４２ｃだ
けでもよい。なお、凹状の加工は、エッチング加工、プ
レス加工により行なうものである。
０は、ダイパッド部４１の裏面での樹脂流れに対する抵
抗を小さくし、裏面での樹脂流れの速度を一定にするた
め、ダイパッド部４１の接合部４２ａ，４２ｂ，４２
ｃ，４２ｄの裏面を凹状にしたものである。図におい
て、ハッチングを付した部分が接合部４２ａ，４２ｂ，
４２ｃ，４２ｄの各凹状部である。また接合部４２ａ，
４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの凹状の形成は、樹脂ゲート口
４３に対向するゲート対角領域４４側の接合部４２ｃだ
けでもよい。なお、凹状の加工は、エッチング加工、プ
レス加工により行なうものである。
【００２９】次に前記本実施形態に示したような、開口
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームを用いた場
合の半導体装置の製造方法において、特に金属細線によ
る接続工程であるワイヤーボンド工程について説明す
る。
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームを用いた場
合の半導体装置の製造方法において、特に金属細線によ
る接続工程であるワイヤーボンド工程について説明す
る。
【００３０】図８は、ワイヤーボンド工程で用いるヒー
タープレートを示す図であり、図８（ａ）は平面図、図
８（ｂ）はＡ−Ａ１箇所の断面図である。図示するよう
なヒータープレートは、リードフレームを搭載し、ワイ
ヤーボンドする際にリードフレームを加熱するために用
いられるものである。
タープレートを示す図であり、図８（ａ）は平面図、図
８（ｂ）はＡ−Ａ１箇所の断面図である。図示するよう
なヒータープレートは、リードフレームを搭載し、ワイ
ヤーボンドする際にリードフレームを加熱するために用
いられるものである。
【００３１】図８に示すヒータープレートは、プレート
本体４５と、リードフレームのダイパッド部が載置され
る凹部４６と、ダイパッド部の接合部を真空で吸着し、
固定するための吸着用穴４７より構成されている。吸着
用穴４７は、その径が０．１［ｍｍ］〜１．０［ｍｍ］
であり、ダイパッド部の大きさにより、適宜設定するも
のである。
本体４５と、リードフレームのダイパッド部が載置され
る凹部４６と、ダイパッド部の接合部を真空で吸着し、
固定するための吸着用穴４７より構成されている。吸着
用穴４７は、その径が０．１［ｍｍ］〜１．０［ｍｍ］
であり、ダイパッド部の大きさにより、適宜設定するも
のである。
【００３２】したがって、前記本実施形態で示したよう
なリードフレームを用いて、リードフレーム上に搭載し
た半導体素子とインナーリード部とを金属細線により接
続する場合は、図８に示すヒータープレートを用いるこ
とにより、リードフレームのダイパッド部の接合部を吸
着用穴４７の真空吸着により安定に固定しながら、ワイ
ヤーボンドすることができ、金属細線による接続の信頼
性を向上させることができる。なお、通常のリードフレ
ームでは、ワイヤーボンド時にダイパッド部を吸着して
固定する必要はないが、本実施形態で示したような開口
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームの場合は、
ダイパッド部の安定が悪く、ダイパッド部を固定しなけ
れば、安定したワイヤーボンドができないものである。
なリードフレームを用いて、リードフレーム上に搭載し
た半導体素子とインナーリード部とを金属細線により接
続する場合は、図８に示すヒータープレートを用いるこ
とにより、リードフレームのダイパッド部の接合部を吸
着用穴４７の真空吸着により安定に固定しながら、ワイ
ヤーボンドすることができ、金属細線による接続の信頼
性を向上させることができる。なお、通常のリードフレ
ームでは、ワイヤーボンド時にダイパッド部を吸着して
固定する必要はないが、本実施形態で示したような開口
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームの場合は、
ダイパッド部の安定が悪く、ダイパッド部を固定しなけ
れば、安定したワイヤーボンドができないものである。
【００３３】以上、本実施形態で示したように、開口部
と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が小
さいダイパッド部を有したリードフレームを用いること
により、樹脂封止した際、封止樹脂との応力を緩和で
き、またダイパッド部に対して、半導体素子を搭載して
も、半導体素子とダイパッド部とを接合するのに用いる
銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本実施形態のリードフレームとを
組み合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面
の汚染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を
確保することができるという効果を奏する。さらに、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体装置を製造す
る際のワイヤーボンド工程では、リードフレームのダイ
パッド部を安定に固定するために、ヒータープレートに
吸着用穴を備えたものを用いることにより、安定な状態
で半導体素子とインナーリード部とを接続することがで
き、金属細線による接続の信頼性を向上させることがで
きる。
と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が小
さいダイパッド部を有したリードフレームを用いること
により、樹脂封止した際、封止樹脂との応力を緩和で
き、またダイパッド部に対して、半導体素子を搭載して
も、半導体素子とダイパッド部とを接合するのに用いる
銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本実施形態のリードフレームとを
組み合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面
の汚染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を
確保することができるという効果を奏する。さらに、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体装置を製造す
る際のワイヤーボンド工程では、リードフレームのダイ
パッド部を安定に固定するために、ヒータープレートに
吸着用穴を備えたものを用いることにより、安定な状態
で半導体素子とインナーリード部とを接続することがで
き、金属細線による接続の信頼性を向上させることがで
きる。
【００３４】また開口部と接合部とを有し、搭載する半
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームは、その
ダイパッド部に半導体素子を搭載後、樹脂封止した際、
封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド部に対し
て、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダイパッド
部とを接合するのに用いる接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本発明のリードフレームとを組み
合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面の汚
染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保
することができるという効果を奏する。
ダイパッド部に半導体素子を搭載後、樹脂封止した際、
封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド部に対し
て、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダイパッド
部とを接合するのに用いる接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本発明のリードフレームとを組み
合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面の汚
染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保
することができるという効果を奏する。
【００３６】また開口部と接合部とを有し、搭載する半
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図５】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図６】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図７】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
ヒータープレートを示す図
ヒータープレートを示す図
【図９】従来のリードフレームを示す平面図
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
１ リードフレーム ２ インナーリード部 ３ アウターリード部 ４ タイバー ５ ダイパッド部 ６ 吊りリード部 ７ スリット ８ ディプレス部 ９ 半導体素子 １０ 接着剤 １１ 封止樹脂 １２ リードフレーム １３ インナーリード部 １４ アウターリード部 １５ タイバー １６ ダイパッド部 １７ 吊りリード部 １８ 開口部 １９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 接合部 ２０ ディプレス部 ２１ 半導体素子 ２２ 接着剤 ２３ 封止樹脂 ２４ リードフレーム ２５ インナーリード部 ２６ アウターリード部 ２７ タイバー ２８ ダイパッド部 ２９ 吊りリード部 ３０ 開口部 ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ 接合部 ３２ ディプレス部 ３３ リードフレーム ３４ ダイパッド部 ３５ リードフレーム ３６ ダイパッド部 ３７ａ，３７ｂ，３７ｃ 接合部 ３８ 樹脂ゲート口 ３９ ゲート対角領域 ４０ リードフレーム ４１ ダイパッド部 ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ 接合部 ４３ 樹脂ゲート口 ４４ ゲート対角領域 ４５ プレート本体 ４６ 凹部 ４７ 吸着用穴
Claims (3)
- 【請求項１】 インナーリード部と、アウターリード部
と、搭載する半導体素子の外形よりも小型であって、接
着剤により半導体素子の裏面と接着する複数の接合部を
有し前記複数の接合部が互いに連結されることにより、
それら接合部間に形成された開口部とよりなるダイパッ
ド部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリード部と、
前記ダイパッド部に半導体素子を搭載後に樹脂封止する
際の樹脂ゲート口とより構成される薄型パッケージ用の
リードフレームであって、前記ダイパッド部の複数の接
合部は互いに連結されてダイパッド部を構成するととも
に、前記樹脂ゲート口と対向する対角領域には接合部が
配置されず、前記樹脂ゲート口と対向する対角領域を除
く領域以外に前記接合部が配置されていることを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体素子と、前記半導体素子を搭載し
たダイパッド部であってその外形が前記半導体素子の外
形よりも小型であり、前記半導体素子の裏面の一部を接
着した複数の接合部を有し前記複数の接合部が互いに連
結されることにより、それら接合部間に形成された開口
部とよりなるダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持
した吊りリード部と、前記半導体素子と金属細線で接続
されたインナーリード部と、前記半導体素子、前記ダイ
パッド部、前記吊りリード部および前記金属細線の領域
を封止した封止樹脂とよりなる薄型の半導体装置であっ
て、前記ダイパッド部の前記複数の接合部は互いに連結
されてダイパッド部を構成し、前記封止樹脂が注入され
た側と対向する対角領域には接合部は配置されず、前記
封止樹脂が注入された側と対向する対角領域を除く領域
以外に前記接合部が配置されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項３】 インナーリード部と、アウターリード部
と、搭載する半導体素子の外形よりも小型であって、接
着剤により半導体素子の裏面と接着する複数の接合部を
有し前記複数の接合部が互いに連結されることにより、
それら接合部間に形成された開口部とよりなるダイパッ
ド部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリード部と、
前記ダイパッド部に半導体素子を搭載後に樹脂封止する
際の樹脂ゲート口とよりなり、前記ダイパッド部の複数
の接合部は互いに連結されてダイパッド部を構成すると
ともに、前記樹脂ゲート口と対向する対角領域には接合
部 が配置されず、前記樹脂ゲート口と対向する対角領域
を除く領域以外に前記接合部が配置されている薄型パッ
ケージ用のリードフレームを用意する工程と、前記リー
ドフレームの前記ダイパッド部の接合部上に半導体素子
を接着剤により接合するダイボンド工程と、前記半導体
素子と前記インナーリード部とを金属細線により接続す
るワイヤーボンド工程と、前記リードフレームの前記接
合部が配置されていない対角領域にある前記樹脂ゲート
口より封止樹脂を注入し、前記対角領域と前記ダイパッ
ド部の左右領域とを同時に注入して、前記半導体素子、
前記ダイパッド部、前記吊りリード部および前記金属細
線の領域を未充填ボイドの発生なく封止樹脂により封止
する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18014298A JP3062153B2 (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18014298A JP3062153B2 (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17327496A Division JP2892988B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-07-03 | リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326858A JPH10326858A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3062153B2 true JP3062153B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16078149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1998
- 1998-06-26 JP JP18014298A patent/JP3062153B2/ja not_active Expired - Fee Related
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