JP3060642B2 - Image sensor - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル複写機やファ
クシミリ等において画像読み取りに使用されるイメージ
センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor used for reading an image in a digital copying machine, a facsimile or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、デジタル複写機やファクシミリ等
において原稿の画像の読み取りを行うためのイメージセ
ンサとしては密着型のＣＣＤラインセンサが一般的に用
いられており、このようなイメージセンサにおいては、
その側面から入射してくる余分な光によって正規より多
くの信号電荷が生成され、その結果受光素子の感度にバ
ラツキが生じる問題があり、それを改善するものとして
例えば特開平2-122667号公報には、イメージセンサの端
の縦断面部に遮光膜を設けることが提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a contact type CCD line sensor is generally used as an image sensor for reading a document image in a digital copying machine, a facsimile, or the like.
Excessive light incident from the side surface generates more signal charges than normal, resulting in a problem that the sensitivity of the light receiving element varies, and as a method for improving it, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. It has been proposed to provide a light-shielding film in a vertical section at the end of an image sensor.
【０００３】しかし、ＣＣＤラインセンサの寸法はウェ
ハーの直径で決定されるので短尺にならざるを得ないの
に対して、ＣＣＤラインセンサで密着型イメージセンサ
を構成する場合には短尺のＣＣＤラインセンサを複数個
千鳥状に組み合わせる等して長尺のイメージセンサとす
る必要があるので、製造が面倒なばかりでなく、各ＣＣ
Ｄラインセンサの特性のバラツキも問題となっていた。
以上は白黒のイメージセンサについての説明であるが、
この議論はカラーイメージセンサについても同様であ
る。However, the size of the CCD line sensor is determined by the diameter of the wafer and must be short. On the other hand, when the contact type image sensor is constituted by the CCD line sensor, the length of the CCD line sensor is short. It is necessary to combine multiple CCs in a staggered form to make a long image sensor.
Variations in the characteristics of the D-line sensor have also been a problem.
The above is a description of a black and white image sensor.
This discussion is the same for the color image sensor.
【０００４】これに対して、近年ではガラス基板等の透
明基板に受光素子としてのフォトダイオードやフォトト
ランジスタ等の光半導体素子を複数個ライン状または二
次元マトリクス状に形成したイメージセンサが提案され
ており、これによれば光半導体素子を形成する一連の製
造工程だけで容易に所望のサイズのイメージセンサを得
ることができ、しかも各光半導体素子の特性のバラツキ
を抑えることができるものである。On the other hand, in recent years, an image sensor has been proposed in which a plurality of optical semiconductor elements such as photodiodes and phototransistors as light receiving elements are formed in a line or two-dimensional matrix on a transparent substrate such as a glass substrate. According to this, an image sensor of a desired size can be easily obtained only by a series of manufacturing steps for forming an optical semiconductor element, and variation in characteristics of each optical semiconductor element can be suppressed.
【０００５】そして、このようなイメージセンサを形成
したイメージセンサ基板（以下、単にセンサ基板と称
す）に、ガラス基板等の透明基板にカラーフィルタを形
成したカラーフィルタ基板（以下、単にフィルタ基板と
称す）を積層することによって容易にカラーイメージセ
ンサを構成することができる。[0005] Then, a color filter substrate (hereinafter simply referred to as a filter substrate) in which a color filter is formed on a transparent substrate such as a glass substrate is provided on an image sensor substrate (hereinafter simply referred to as a sensor substrate) on which such an image sensor is formed. ) Can easily constitute a color image sensor.
【０００６】その構成例を図１４に示す。図１４Ａは光
半導体素子からなる受光素子が主走査（ＦＳ）方向に３
列配列されたカラーイメージセンサの概略の平面図、同
図Ｂは図１４ＡのＡ−Ａ′における概略断面図である。
図１４Ａにおいて、イメージセンサ１は、ＦＳ方向に３
列に配列された受光素子４と、各受光素子列の上に形成
されたカラーフィルタ７、１１、１２を備えている。カ
ラーフィルタ７、１１、１２は例えばそれぞれ赤色透過
フィルタ、緑色透過フィルタ、青色透過フィルタであ
る。このイメージセンサ１は、図１４Ｂに示すように、
ガラス基板等の透明基板３上に半導体素子からなる受光
素子４が形成されたセンサ基板２と、ガラス基板等の透
明基板６上にカラーフィルタ７、１１、１２が形成され
たフィルタ基板５とを透明接着層８で貼り合わせること
により構成されている。また、センサ基板２のフィルタ
基板５が貼り合わされる側とは反対側の面には、受光素
子４を駆動させるための回路を搭載する駆動回路基板９
が接着層１０により貼り合わされている。なお、図１４
Ａ，Ｂには図示していないが、センサ基板２には各受光
素子４と駆動回路基板９とを接続するための配線パター
ンが形成されていることは当然である。FIG. 14 shows an example of the configuration. FIG. 14A shows that the light receiving element composed of the optical semiconductor element has three pixels in the main scanning (FS) direction.
14B is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 14A.
In FIG. 14A, the image sensor 1
The light receiving device includes light receiving elements 4 arranged in rows and color filters 7, 11, and 12 formed on each light receiving element row. The color filters 7, 11, and 12 are, for example, a red transmission filter, a green transmission filter, and a blue transmission filter, respectively. This image sensor 1 has, as shown in FIG.
A sensor substrate 2 in which a light receiving element 4 made of a semiconductor element is formed on a transparent substrate 3 such as a glass substrate, and a filter substrate 5 in which color filters 7, 11, and 12 are formed on a transparent substrate 6 such as a glass substrate. It is constituted by bonding with a transparent adhesive layer 8. A drive circuit board 9 on which a circuit for driving the light receiving element 4 is mounted is provided on the surface of the sensor substrate 2 opposite to the side on which the filter substrate 5 is bonded.
Are bonded by the adhesive layer 10. FIG.
Although not shown in A and B, it is natural that a wiring pattern for connecting each light receiving element 4 and the drive circuit board 9 is formed on the sensor substrate 2.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図１４に
示すイメージセンサにおいては、図１５に示すように、
隣接する受光素子とその配線の間に生じる隙間等を通っ
て外部から入射する光１５がセンサ基板２と駆動回路基
板９との接着面で反射した後、図中１６で示すように再
びフィルタ基板５の表面で反射し、あるいは図中１７で
示すようにセンサ基板２とフィルタ基板５との接着面で
反射して受光素子４に入射してしまうことがあり、これ
によって受光素子の感度にバラツキが生じるという問題
があった。また、上述したようにセンサ基板２の透明基
板３及びフィルタ基板５の透明基板６としては共に絶縁
体であるガラス基板が用いられるものであり、従ってセ
ンサ基板２、フィルタ基板５の取り扱い時にはこれら透
明基板３、６に静電気が蓄積されることがあり、それに
よってセンサ基板２とフィルタ基板５の絶縁が破壊さ
れ、その結果受光素子４を形成する光半導体素子が破壊
されるという問題がある。また、このようなイメージセ
ンサはその基板から数mm乃至数１０mmの距離に原稿を搬
送する駆動系あるいはイメージセンサ基板を搬送する駆
動系が配置されてファクシミリ等の記録装置あるいは複
写機装置等が構成される。こうした環境からの電気的ノ
イズがイメージセンサの出力に重畳するという問題もあ
る。However, in the image sensor shown in FIG. 14, as shown in FIG.
Light 15 incident from the outside through a gap or the like generated between the adjacent light receiving element and its wiring is reflected on the bonding surface between the sensor substrate 2 and the drive circuit substrate 9, and then, as shown in FIG. 5 may be reflected on the surface of the light receiving element 5 or may be reflected on the bonding surface between the sensor substrate 2 and the filter substrate 5 as shown by 17 in the figure and enter the light receiving element 4, thereby causing variations in the sensitivity of the light receiving element. There was a problem that occurs. Further, as described above, the transparent substrate 3 of the sensor substrate 2 and the transparent substrate 6 of the filter substrate 5 are both glass substrates which are insulators. Therefore, when the sensor substrate 2 and the filter substrate 5 are handled, these transparent substrates are used. Static electricity may accumulate on the substrates 3 and 6, thereby causing a problem that insulation between the sensor substrate 2 and the filter substrate 5 is broken, and as a result, an optical semiconductor element forming the light receiving element 4 is broken. Further, in such an image sensor, a drive system for transporting a document or a drive system for transporting the image sensor substrate is arranged at a distance of several mm to several tens of mm from the substrate, thereby constituting a recording device such as a facsimile or a copier device. Is done. There is also a problem that electrical noise from such an environment is superimposed on the output of the image sensor.
【０００８】本発明は、上記の課題を解決するものであ
って、受光素子の感度のバラツキを防止できるイメージ
センサを提供することを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to provide an image sensor capable of preventing variation in sensitivity of a light receiving element.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１記載のイメージセンサは、透明基板の一
方の面に受光素子が形成されたイメージセンサ基板と、
透明基板の一方の面にカラーフィルタが形成されたカラ
ーフィルタ基板とが貼り合わされて形成されてなるイメ
ージセンサにおいて、前記イメージセンサ基板の受光素
子を除く全面もしくは受光素子周辺部には絶縁性材料に
より反射防止膜が形成され、且つ前記カラーフィルタ基
板の前記イメージセンサ基板と貼り合わされる面とは反
対側の面には透明導電性膜が形成されることを特徴とす
る。請求項２記載のイメージセンサは、透明基板の一方
の面に受光素子が形成されたイメージセンサ基板と、透
明基板の一方の面にカラーフィルタが形成されたカラー
フィルタ基板とが貼り合わされて形成されてなるイメー
ジセンサにおいて、前記カラーフィルタ基板の前記イメ
ージセンサ基板と貼り合わされる面とは反対側の面の受
光素子に対応する領域を除く全面もしくは受光素子に対
応する領域の周辺部に反射防止膜を形成したことを特徴
とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an image sensor comprising: a transparent substrate having a light receiving element formed on one surface thereof;
In an image sensor formed by laminating a color filter substrate in which a color filter is formed on one surface of a transparent substrate, an insulating material is used on the entire surface of the image sensor substrate excluding the light receiving element or on the periphery of the light receiving element. An anti-reflection film is formed, and a transparent conductive film is formed on a surface of the color filter substrate opposite to a surface bonded to the image sensor substrate. The image sensor according to claim 2 is formed by bonding an image sensor substrate having a light receiving element formed on one surface of a transparent substrate and a color filter substrate having a color filter formed on one surface of the transparent substrate. In the image sensor, an anti-reflection film is formed on the entire surface of the color filter substrate except for the region corresponding to the light receiving element on the surface opposite to the surface bonded to the image sensor substrate, or on the periphery of the region corresponding to the light receiving element. Is formed.
【００１０】[0010]
【作用及び発明の効果】請求項１記載のイメージセンサ
によれば、受光素子の間及び当該イメージセンサの側面
あるいは端面からの余分な光の入射を防止することがで
き、また反射防止膜に照射した光は反射することがない
ので、受光素子には余分な光が入射することがなく、以
て受光素子の感度のバラツキを抑制することができると
共に、基板取り扱い時においてカラーフィルタ基板の透
明基板に静電気が蓄積されたとしても、当該静電気を透
明導電性膜を介して外部に導くことができるために受光
素子の絶縁破壊を防止することができるものである。更
に、この反射防止膜をイメージセンサ駆動回路の接地線
と接続することにより、イメージセンサ外部からの不要
な電気的ノイズを遮断することができる。請求項２記載
のイメージセンサによれば、受光素子に余分な光が入射
することを防止できるので、受光素子の感度のバラツキ
を抑制することができる。また、基板取り扱い時におい
てフィルタ基板の透明基板に静電気が蓄積されたとして
も、当該静電気を反射防止膜を介して外部に導くことが
できるために受光素子の絶縁破壊を防止することができ
る。更に、この反射防止膜をイメージセンサ駆動回路の
接地線と接続することにより、イメージセンサ外部から
の不要な電気的ノイズを遮断することができる。According to the image sensor of the first aspect, it is possible to prevent extra light from entering between the light receiving elements and from the side surface or the end surface of the image sensor, and to irradiate the antireflection film. The reflected light is not reflected, so that no extra light is incident on the light receiving element, which can suppress variations in the sensitivity of the light receiving element, and can reduce the color filter substrate's transparent substrate when handling the substrate. Even if static electricity is accumulated in the light-receiving element, the static electricity can be guided to the outside through the transparent conductive film, so that dielectric breakdown of the light receiving element can be prevented. Further, by connecting this anti-reflection film to the ground line of the image sensor driving circuit, unnecessary electric noise from outside the image sensor can be cut off. According to the image sensor of the second aspect, it is possible to prevent extra light from being incident on the light receiving element, so that it is possible to suppress the variation in the sensitivity of the light receiving element. Further, even if static electricity is accumulated on the transparent substrate of the filter substrate when handling the substrate, the static electricity can be guided to the outside through the anti-reflection film, so that dielectric breakdown of the light receiving element can be prevented. Further, by connecting this anti-reflection film to the ground line of the image sensor driving circuit, unnecessary electric noise from outside the image sensor can be cut off.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、図面を参照しつつ実施例及び参考例を
説明する。なお、以下の実施例及び参考例においては図
１４に示すと同様に受光素子がＦＳ方向に３列並べられ
たカラーイメージセンサに適用した場合について説明す
るが、受光素子が二次元マトリクス状に配列されたイメ
ージセンサにも適用できるものであることは当然であ
る。また、図１４と同じもの、同等なものについては同
一の符号を付す。Embodiments and reference examples will be described below with reference to the drawings. In the following examples and reference examples, a case will be described in which the light receiving elements are applied to a color image sensor in which three rows are arranged in the FS direction, as shown in FIG. 14, but the light receiving elements are arranged in a two-dimensional matrix. It is a matter of course that the present invention can be applied to an image sensor that has been used. In addition, the same components as those in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals.
【００１２】本発明に係るイメージセンサの第１の参考
例の構成を図１に示す。この断面図は図１４Ｂと同様に
一つの受光素子列のＦＳ方向に沿った部分断面図であ
る。図１において、イメージセンサ２０は、従来と同様
に、センサ基板２の受光素子４が形成されている面には
フィルタ基板５を透明接着層８で貼り合わせ、他方の面
には駆動回路基板９を接着層１０で貼り合わせることに
よって構成されているが、センサ基板２の透明基板３の
受光素子４が形成される面と反対の面に反射防止膜２１
が形成されている点で従来の構成と異なっている。FIG. 1 shows a configuration of a first reference example of an image sensor according to the present invention. This cross-sectional view is a partial cross-sectional view of one light receiving element row along the FS direction, similarly to FIG. 14B. In FIG. 1, the image sensor 20 has a filter substrate 5 bonded to the surface of the sensor substrate 2 on which the light receiving elements 4 are formed with a transparent adhesive layer 8 and a drive circuit substrate 9 Are bonded by an adhesive layer 10, but the anti-reflection film 21 is formed on a surface of the transparent substrate 3 of the sensor substrate 2 opposite to the surface on which the light receiving elements 4 are formed.
Is different from the conventional configuration.
【００１３】この反射防止膜２１を形成するための材料
としては、図１の２２で示すように隣接する受光素子と
その配線の間に生じる隙間等を通って外部から入射する
光の反射を防止することができ、且つ抵抗率が１×１０
12Ω・ｃｍ以下の導電性を有する材料を用いる。このよ
うな材料としては、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，ＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）等の金属材料あるいは導電性を有する有機
材料等を用いることができるが、ＩＴＯ等の透光性を有
する材料を用いる場合には光を吸収する吸収誘電体を組
み合わせて用いる。また、この導電性を有する反射防止
膜は導電性エポキシ（図示せず）等を用いてイメージセ
ンサ駆動回路の接地線もしくは一定電位線と接続して構
成する。As a material for forming the anti-reflection film 21, as shown at 22 in FIG. 1, the reflection of light entering from the outside through a gap or the like generated between adjacent light receiving elements and its wiring is prevented. And the resistivity is 1 × 10
Use a material having a conductivity of 12 Ω · cm or less. As such a material, a metal material such as Cr, Si, Ti, and ITO (indium tin oxide) or an organic material having conductivity can be used. When a material having a light transmitting property such as ITO is used. Is used in combination with an absorbing dielectric that absorbs light. The conductive antireflection film is formed by using a conductive epoxy (not shown) or the like and connected to a ground line or a constant potential line of the image sensor driving circuit.
【００１４】以上の構成によって、受光素子４の間及び
受光素子４の端面より入射した光がセンサ基板２の裏面
で反射することを防止でき、以てセンサ基板２の裏面で
反射した光が再度フィルタ基板５の表面やセンサ基板２
とフィルタ基板５との接着面で反射して受光素子４に入
射することを防止できるので、受光素子４の感度のバラ
ツキを抑制することができると共に、基板取り扱い時に
おいてセンサ基板２の透明基板３に静電気が蓄積された
としても、当該静電気を導電性を有する反射防止膜２１
を介して外部に導くことができるために受光素子４の絶
縁破壊を防止することができるものである。また、この
導電性を有する反射防止膜はイメージセンサ駆動回路の
接地線等の一定電位と接続されているので、イメージセ
ンサ外部からの電気的ノイズは遮断され、その結果イメ
ージセンサの出力へのノイズの重畳を防止できる。With the above configuration, it is possible to prevent the light that has entered between the light receiving elements 4 and from the end face of the light receiving element 4 from being reflected on the back surface of the sensor substrate 2, so that the light reflected on the back surface of the sensor substrate 2 is again reflected. The surface of the filter substrate 5 and the sensor substrate 2
Can be prevented from entering the light receiving element 4 by being reflected on the bonding surface between the light receiving element 4 and the filter substrate 5, so that the variation in the sensitivity of the light receiving element 4 can be suppressed, and the transparent substrate 3 Even if static electricity is accumulated in the anti-reflection film 21 having conductivity,
Therefore, the dielectric breakdown of the light receiving element 4 can be prevented. In addition, since the conductive anti-reflection film is connected to a constant potential such as a ground line of the image sensor driving circuit, electric noise from outside the image sensor is cut off, and as a result, noise to the output of the image sensor is reduced. Can be prevented from overlapping.
【００１５】次に、図１に示すイメージセンサ２０の製
造方法を説明する。図２はイメージセンサ２０の製造工
程を示す図で、副走査（ＳＳ）方向に沿って切断した断
面図であり、まず、図２Ａに示すようにガラス基板３に
周知の光半導体素子の製造方法を用いて受光素子４を３
列形成し、次に同図Ｂに示すように、ガラス基板３の受
光素子４を形成した面とは反対の面に反射防止膜２１を
均一に形成する。Next, a method of manufacturing the image sensor 20 shown in FIG. 1 will be described. FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the image sensor 20 and is a cross-sectional view taken along the sub-scanning (SS) direction. First, as shown in FIG. And 3 light receiving elements
An anti-reflection film 21 is formed uniformly on the surface of the glass substrate 3 opposite to the surface on which the light receiving elements 4 are formed, as shown in FIG.
【００１６】反射防止膜２１の材料としては、光の反射
を防止する機能を有し、且つ導電率が１×１０12Ω・ｃ
ｍ以下の材料であればどのような材料を用いてもよい。
Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ等の反射防止機能と導電性を合わせ持
つ金属材料を用いる場合にはこれらの金属材料を蒸着法
あるいはスパッタ法によってガラス基板３に着膜するこ
とによって反射防止膜２１を形成することができる。ま
た、ＩＴＯ等の透光性金属材料を用いる場合には、当該
金属材料を蒸着法あるいはスパッタ法によってガラス基
板３に着膜し、更にその上にカラーモザイクＣＫ−2000
（富士ハント製）等の吸収誘電体材料を流延法等の方法
で着膜することによって反射防止膜２１を形成すること
ができる。また更に反射防止膜２１は、ミューラス（松
下電工製）等の有機材料を流延法等の方法で着膜するこ
とにより形成することもできる。以上のようにしてガラ
ス基板３に反射防止膜２１してセンサ基板２を作成する
と、次に図２Ｃに示すように、センサ基板２と、ガラス
基板６に周知の染色法、分散法、電着法、多層干渉膜法
等によりカラーフィルタ７，１１，１２を形成したフィ
ルタ基板５とを透明接着層８により貼り付ける。このと
きセンサ基板２の受光素子４とフィルタ基板５のカラー
フィルタ７，１１，１２とを対向させることは当然であ
る。透明接着層８としてはエポキシ系接着剤、例えばア
ルテコＲＸ−7901−1 （アルファ技研製）等を用いるこ
とができる。次に、図２Ｄに示すように所定の基板サイ
ズに切断し、最後に図２Ｅに示すように駆動回路基板９
を接着層１０によりセンサ基板２に貼り合わせる。接着
層１０としてはシリコン樹脂、例えばＳＥ−9140（東レ
ダウコーニングシリコーン社製）等を用いることができ
る。The material of the antireflection film 21 has a function of preventing light reflection and has a conductivity of 1 × 10 12 Ω · c.
Any material may be used as long as it is less than m.
When using a metal material such as Cr, Si, and Ti having an anti-reflection function and conductivity, the anti-reflection film 21 is formed by depositing the metal material on the glass substrate 3 by vapor deposition or sputtering. be able to. When a translucent metal material such as ITO is used, the metal material is deposited on the glass substrate 3 by vapor deposition or sputtering, and a color mosaic CK-2000 is further formed thereon.
The anti-reflection film 21 can be formed by depositing an absorbing dielectric material such as (manufactured by Fuji Hunt) by a method such as a casting method. Further, the antireflection film 21 can also be formed by depositing an organic material such as Mulas (manufactured by Matsushita Electric Works) by a method such as a casting method. When the sensor substrate 2 is formed by applying the anti-reflection film 21 to the glass substrate 3 as described above, next, as shown in FIG. 2C, the sensor substrate 2 and the glass substrate 6 are coated with a well-known dyeing method, dispersion method, and electrodeposition. The filter substrate 5 on which the color filters 7, 11, 12 are formed by a method such as a multilayer interference film method or the like, is adhered by a transparent adhesive layer 8. At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate 2 and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate 5 face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used. Next, as shown in FIG. 2D, the substrate is cut into a predetermined substrate size. Finally, as shown in FIG.
Is bonded to the sensor substrate 2 with the adhesive layer 10. As the adhesive layer 10, a silicone resin, for example, SE-9140 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) or the like can be used.
【００１７】次に、本発明の第２の参考例の構成を図３
に示す。この断面図は図１と同様に一つの受光素子列の
ＦＳ方向に沿った部分断面図である。図３において、イ
メージセンサ２５は、従来と同様に、センサ基板２の受
光素子４が形成されている面にフィルタ基板５を透明接
着層８で貼り合わせ、他方の面には駆動回路基板９を接
着層１０で貼り合わせることによって構成されている
が、センサ基板２の受光素子４が形成されている面にお
いて、受光素子４を除く全面もしくは受光素子４の周辺
部に反射防止膜２６が形成されている点、及びイメージ
センサ２５の端面及び側面に遮光膜２７が形成されてい
る点で従来の構成と異なっている。この反射防止膜２６
は、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ等の光の反射を防止する機
能を有する導電性材料を受光素子４を除く全面もしくは
受光素子４の周辺部に着膜することによって形成するこ
ともできるし、また、まず受光素子４を除く全面もしく
は受光素子４の周辺部に光の反射を防止する機能を備え
る絶縁性材料で着膜し、次にその絶縁性膜の上に透明導
電性材料を着膜することによって形成することもでき
る。図３は前者の構成を示す図であり、反射防止膜２６
は光の反射を防止する機能を有する導電性材料で形成さ
れている。これに対して図４は後者の構成例を示す図で
あり、反射防止膜２６は絶縁層２８と透明導電層２９で
形成されている。その他は図３と同じである。Next, the configuration of the second embodiment of the present invention is shown in FIG.
Shown in This cross-sectional view is a partial cross-sectional view of one light-receiving element row along the FS direction as in FIG. In FIG. 3, the image sensor 25 has a filter substrate 5 bonded to the surface of the sensor substrate 2 on which the light receiving elements 4 are formed with a transparent adhesive layer 8, and a drive circuit substrate 9 on the other surface, as in the conventional case. An anti-reflection film 26 is formed on the surface of the sensor substrate 2 where the light receiving elements 4 are formed, on the entire surface excluding the light receiving elements 4 or on the periphery of the light receiving elements 4. And a light-shielding film 27 is formed on the end face and the side face of the image sensor 25. This anti-reflection film 26
Can be formed by depositing a conductive material such as Cr, Si, Ti, or Al having a function of preventing light reflection on the entire surface excluding the light receiving element 4 or on the periphery of the light receiving element 4, First, an insulating material having a function of preventing light reflection is deposited on the entire surface except for the light receiving element 4 or on the periphery of the light receiving element 4, and then a transparent conductive material is deposited on the insulating film. It can also be formed by performing. FIG. 3 is a diagram showing the former configuration.
Is formed of a conductive material having a function of preventing light reflection. On the other hand, FIG. 4 is a diagram showing the latter configuration example, in which the antireflection film 26 is formed of an insulating layer 28 and a transparent conductive layer 29. Others are the same as FIG.
【００１８】以上の構成によれば、受光素子４の間及び
イメージセンサ２５の側面、端面からの余分な光の入射
を防止することができ、また図３の３０で示すように反
射防止膜２６に照射した光は反射することがないので、
受光素子４には余分な光が入射することがなく、以て受
光素子４の感度のバラツキを抑制することができる。ま
た、基板取り扱い時においてセンサ基板２の透明基板３
に静電気が蓄積されたとしても、当該静電気を導電性を
有する反射防止膜２６を介して外部に導くことができる
ために受光素子４の絶縁破壊を防止することができるも
のである。更に、この反射防止膜はイメージセンサ駆動
回路の接地線と接続されるので、イメージセンサ外部か
らの不要な電気的ノイズを遮断することができる。According to the above configuration, it is possible to prevent extra light from entering between the light receiving elements 4 and from the side and end faces of the image sensor 25, and as shown at 30 in FIG. Since the light illuminated is not reflected,
No extra light is incident on the light receiving element 4, so that the variation in sensitivity of the light receiving element 4 can be suppressed. When handling the substrate, the transparent substrate 3 of the sensor substrate 2 is used.
Even if static electricity is accumulated in the light receiving element 4, the static electricity can be guided to the outside through the conductive anti-reflection film 26, so that dielectric breakdown of the light receiving element 4 can be prevented. Further, since the antireflection film is connected to the ground line of the image sensor drive circuit, unnecessary electric noise from outside the image sensor can be cut off.
【００１９】次に、図３に示すイメージセンサ２５の製
造方法を説明する。図５はイメージセンサ２５の製造工
程を示す図で、副走査（ＳＳ）方向に沿って切断した断
面図であり、まず図５Ａに示すように、ガラス基板３に
周知の光半導体素子の製造方法を用いて受光素子４を３
列形成し、更にその上に導電膜３１を形成する。この導
電膜３１は、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ等の光反射防止機
能を備える導電性材料を蒸着法またはスパッタ法により
着膜することによって形成することができる。次に、フ
ォトリソグラフィ法により、少なくとも受光素子４の上
の導電膜を除去する。これにより図５Ｂに示すように導
電性材料からなる反射防止膜２６を備えるセンサ基板
２′が形成される。次に、図５Ｃに示すように、センサ
基板２′と、ガラス基板６に周知の染色法、分散法、電
着法、多層干渉膜法等によりカラーフィルタ７，１１，
１２を形成したフィルタ基板５とを透明接着層８により
貼り付ける。このときセンサ基板２の受光素子４とフィ
ルタ基板５のカラーフィルタ７，１１，１２とを対向さ
せることは当然である。透明接着層８としてはエポキシ
系接着剤、例えばアルテコＲＸ−7901−1 （アルファ技
研製）等を用いることができる。Next, a method of manufacturing the image sensor 25 shown in FIG. 3 will be described. FIG. 5 is a view showing a manufacturing process of the image sensor 25, and is a cross-sectional view taken along the sub-scanning (SS) direction. First, as shown in FIG. And 3 light receiving elements
A row is formed, and a conductive film 31 is further formed thereon. The conductive film 31 can be formed by depositing a conductive material having a light reflection preventing function, such as Cr, Si, Ti, or Al, by a vapor deposition method or a sputtering method. Next, at least the conductive film on the light receiving element 4 is removed by photolithography. As a result, as shown in FIG. 5B, a sensor substrate 2 'having an antireflection film 26 made of a conductive material is formed. Next, as shown in FIG. 5C, the color filters 7, 11, and 10 are applied to the sensor substrate 2 'and the glass substrate 6 by a well-known dyeing method, dispersion method, electrodeposition method, multilayer interference film method, or the like.
The filter substrate 5 on which 12 has been formed is adhered by the transparent adhesive layer 8. At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate 2 and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate 5 face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used.
【００２０】次に、センサ基板２′とフィルタ基板５と
を貼り合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に
図５Ｄに示すように、駆動回路基板９を接着層１０によ
りセンサ基板２′に貼り合わせ、最後に端面及び側面に
遮光膜２７を形成する。接着層１０としてはシリコン樹
脂、例えばＳＥ−9140（東レダウコーニングシリコーン
社製）等を用いることができ、また遮光層２７は、例え
ばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハント製）をスピン
コート法またはロールコート法により塗布することで形
成することができる。次に、図４に示すイメージセンサ
の製造方法を説明する。図６は図４に示す構造のイメー
ジセンサの製造工程を示す図で、副走査（ＳＳ）方向に
沿って切断した断面図であり、まず図６Ａに示すよう
に、ガラス基板３に周知の光半導体素子の製造方法を用
いて受光素子４を３列形成し、更にその上に光の反射を
防止する機能を備える絶縁膜３２を形成し、次にその絶
縁膜３２の上に透明導電膜３３を形成して焼成する。絶
縁膜３２は、例えばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハ
ント製）等をスピンコート法またはロールコート法等で
全面に塗布することにより形成することができ、また透
明導電膜３３は、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＩＴＯ，Ｓｂ2Ｏ
3，ＺｎＯ，ＴｉＯ2 等を蒸着法またはスパッタ法によ
り着膜することにより形成することができる。Next, the sensor substrate 2 'and the filter substrate 5 which are bonded together are cut into a predetermined substrate size, and the drive circuit substrate 9 is further bonded to the sensor substrate 2' by an adhesive layer 10, as shown in FIG. 5D. Finally, a light shielding film 27 is formed on the end face and side face. As the adhesive layer 10, a silicon resin, for example, SE-9140 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like can be used. For the light shielding layer 27, for example, a color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) can be used by a spin coating method or a roll. It can be formed by applying by a coating method. Next, a method for manufacturing the image sensor shown in FIG. 4 will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the image sensor having the structure shown in FIG. 4, which is cut along the sub-scanning (SS) direction. First, as shown in FIG. The light-receiving elements 4 are formed in three rows by using the method of manufacturing a semiconductor element, and an insulating film 32 having a function of preventing light reflection is formed thereon, and then a transparent conductive film 33 is formed on the insulating film 32. Is formed and fired. The insulating film 32 can be formed, for example, by applying a color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) or the like to the entire surface by spin coating or roll coating, and the transparent conductive film 33 is formed of In 2 O 3. , SnO 2 , ITO, Sb 2 O
It can be formed by depositing 3 , ZnO, TiO 2 or the like by a vapor deposition method or a sputtering method.
【００２１】次に、フォトリソグラフィ法により、少な
くとも受光素子４の上の絶縁膜及び透明導電膜を除去す
る。これにより図６Ｃに示すように絶縁層２８と透明導
電層２９とからなる反射防止膜２６を備えるセンサ基板
が形成される。次に、図６Ｄに示すように、図６Ｃに示
すセンサ基板と、ガラス基板６に周知の染色法、分散
法、電着法、多層干渉膜法等によりカラーフィルタ７，
１１，１２を形成したフィルタ基板５とを透明接着層８
により貼り付ける。このときセンサ基板２の受光素子４
とフィルタ基板５のカラーフィルタ７，１１，１２とを
対向させることは当然である。透明接着層８としてはエ
ポキシ系接着剤、例えばアルテコＲＸ−7901−1 （アル
ファ技研製）等を用いることができる。Next, at least the insulating film and the transparent conductive film on the light receiving element 4 are removed by photolithography. Thereby, as shown in FIG. 6C, a sensor substrate including the anti-reflection film 26 including the insulating layer 28 and the transparent conductive layer 29 is formed. Next, as shown in FIG. 6D, the color filter 7 and the color filter 7 are applied to the sensor substrate shown in FIG. 6C and the glass substrate 6 by a known staining method, dispersion method, electrodeposition method, multilayer interference film method, or the like.
A transparent adhesive layer 8 is attached to the filter substrate 5 on which 11 and 12 are formed.
Paste with At this time, the light receiving element 4 of the sensor substrate 2
It is natural that the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate 5 face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used.
【００２２】次に、図６Ｄに示すセンサ基板とフィルタ
基板５とを貼り合わせたものを所定の基板サイズに切断
し、更に図６Ｅに示すように、駆動回路基板９を接着層
１０によりセンサ基板の他方の面に貼り合わせ、最後に
図６Ｆに示すように、端面及び側面に遮光膜２７を形成
する。なお、接着層１０としてはシリコン樹脂、例えば
ＳＥ−9140（東レダウコーニングシリコーン社製）等を
用いることができ、また遮光層２７は、例えばカラーモ
ザイクＣＫ−2000（富士ハント製）をスピンコート法ま
たはロールコート法により塗布することで形成すること
ができる。Next, the bonded sensor substrate and filter substrate 5 shown in FIG. 6D are cut into a predetermined substrate size, and further, as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 6F, a light-shielding film 27 is formed on the end face and the side face. The adhesive layer 10 can be made of a silicon resin, for example, SE-9140 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone), and the light shielding layer 27 is made of, for example, color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) by spin coating. Alternatively, it can be formed by applying by a roll coating method.
【００２３】次に、本発明の第１の実施例の構成を図７
に示す。この断面図は図１と同様に一つの受光素子列の
ＦＳ方向に沿った部分断面図である。図７において、イ
メージセンサは従来と同様に、センサ基板２の受光素子
４が形成されている面にフィルタ基板５を透明接着層８
で貼り合わせ、他方の面には駆動回路基板９を接着層１
０で貼り合わせることによって構成されているが、セン
サ基板２の受光素子４が形成されている面において、受
光素子４を除く全面もしくは受光素子４の周辺部に絶縁
性材料からなる反射防止膜３５が形成されている点、フ
ィルタ基板５のセンサ基板２と接着される面とは反対側
の面には透明導電性膜３６が形成されている点及びイメ
ージセンサの端面及び側面に遮光膜２７が形成されてい
る点で従来の構成と異なっている。Next, the configuration of the first embodiment of the present invention is shown in FIG.
Shown in This cross-sectional view is a partial cross-sectional view of one light-receiving element row along the FS direction as in FIG. In FIG. 7, as in the conventional image sensor, a filter substrate 5 is provided on a surface of the sensor substrate 2 on which the light receiving elements 4 are formed, by a transparent adhesive layer 8.
And the drive circuit board 9 is bonded on the other surface to the adhesive layer 1.
However, on the surface of the sensor substrate 2 on which the light receiving elements 4 are formed, an antireflection film 35 made of an insulating material is formed on the entire surface excluding the light receiving elements 4 or on the periphery of the light receiving elements 4. Is formed, the transparent conductive film 36 is formed on the surface of the filter substrate 5 opposite to the surface bonded to the sensor substrate 2, and the light shielding film 27 is formed on the end surface and side surface of the image sensor. It differs from the conventional configuration in that it is formed.
【００２４】この構成によれば、受光素子４の間及び当
該イメージセンサの側面あるいは端面からの余分な光の
入射を防止することができ、また反射防止膜３５に照射
した光は反射することがないので、受光素子４には余分
な光が入射することがなく、以て受光素子４の感度のバ
ラツキを抑制することができると共に、基板取り扱い時
においてフィルタ基板５の透明基板６に静電気が蓄積さ
れたとしても、当該静電気を透明導電性膜３６を介して
外部に導くことができるために受光素子４の絶縁破壊を
防止することができるものである。更に、この反射防止
膜はイメージセンサ駆動回路の接地線と接続されるの
で、イメージセンサ外部からの不要な電気的ノイズを遮
断することができる。According to this configuration, it is possible to prevent extra light from entering between the light receiving elements 4 and from the side surface or the end surface of the image sensor, and it is possible to reflect the light applied to the antireflection film 35. Since no light enters the light receiving element 4, variation in sensitivity of the light receiving element 4 can be suppressed, and static electricity accumulates on the transparent substrate 6 of the filter substrate 5 when handling the substrate. Even if it is performed, the static electricity can be guided to the outside through the transparent conductive film 36, so that dielectric breakdown of the light receiving element 4 can be prevented. Further, since the antireflection film is connected to the ground line of the image sensor drive circuit, unnecessary electric noise from outside the image sensor can be cut off.
【００２５】図７に示すイメージセンサは次のようにし
て製造することができる。まず、図６Ａに示すと同様
に、ガラス基板３に周知の光半導体素子の製造方法を用
いて受光素子４を３列形成し、更にその上に光の反射を
防止する機能を備える絶縁膜を形成する。この絶縁膜
は、例えばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハント製）
等をスピンコート法またはロールコート法等で全面に塗
布することにより形成することができる。次に、フォト
リソグラフィ法により少なくとも受光素子４の上の絶縁
膜を除去することによって、絶縁性材料からなる反射防
止膜３５を備えるセンサ基板を作成する。The image sensor shown in FIG. 7 can be manufactured as follows. First, as shown in FIG. 6A, three rows of light receiving elements 4 are formed on a glass substrate 3 by using a well-known method for manufacturing an optical semiconductor element, and an insulating film having a function of preventing light reflection is further formed thereon. Form. This insulating film is, for example, a color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt)
And the like can be formed by coating the entire surface by spin coating or roll coating. Next, a sensor substrate including an antireflection film 35 made of an insulating material is formed by removing at least the insulating film on the light receiving element 4 by photolithography.
【００２６】また、ガラス基板６に周知の染色法、分散
法、電着法、多層干渉膜法等によりカラーフィルタ７，
１１，１２を形成したフィルタ基板５のカラーフィルタ
が形成されている面とは反対側の面に、Ｉｎ2Ｏ3，Ｓｎ
Ｏ2 ，ＩＴＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＴｉＯ2 等を蒸着法
またはスパッタ法により着膜した後に焼成して、透明導
電性膜３６を備えるフィルタ基板を作成する。次に、以
上のようにして作成したセンサ基板とフィルタ基板とを
透明接着層８により貼り付ける。このときセンサ基板の
受光素子４とフィルタ基板のカラーフィルタ７，１１，
１２とを対向させることは当然である。透明接着層８と
してはエポキシ系接着剤、例えばアルテコＲＸ−7901−
1 （アルファ技研製）等を用いることができる。The color filter 7 is applied to the glass substrate 6 by a well-known dyeing method, dispersion method, electrodeposition method, multilayer interference film method or the like.
The surface of the filter substrate 5 on which the color filters are formed on the opposite side to the surface on which the color filters are formed is formed of In 2 O 3 and Sn.
O 2 , ITO, Sb 2 O 3 , ZnO, TiO 2, and the like are deposited by a vapor deposition method or a sputtering method and then fired to form a filter substrate including the transparent conductive film 36. Next, the sensor substrate and the filter substrate created as described above are adhered by the transparent adhesive layer 8. At this time, the light receiving element 4 of the sensor substrate and the color filters 7, 11,
It is natural that 12 is opposed. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy-based adhesive, for example, Arteco RX-7901-
1 (Alpha Giken) etc. can be used.
【００２７】次に、センサ基板とフィルタ基板とを貼り
合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に駆動回
路基板９を接着層１０によりセンサ基板の他方の面に貼
り合わせ、最後に端面及び側面に遮光膜２７を形成す
る。接着層１０としてはシリコン樹脂、例えばＳＥ−91
40（東レダウコーニングシリコーン社製）等を用いるこ
とができ、また遮光層２７は、例えばカラーモザイクＣ
Ｋ−2000（富士ハント製）をスピンコート法またはロー
ルコート法により塗布することで形成することができ
る。Next, the sensor substrate and the filter substrate bonded together are cut into a predetermined substrate size, the drive circuit substrate 9 is bonded to the other surface of the sensor substrate by the adhesive layer 10, and finally the end surface and the filter substrate are cut. A light shielding film 27 is formed on the side surface. As the adhesive layer 10, a silicone resin, for example, SE-91
40 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like.
It can be formed by applying K-2000 (manufactured by Fuji Hunt) by spin coating or roll coating.
【００２８】次に、本発明の第２の実施例の構成を図８
に示す。この断面図は図１と同様に一つの受光素子列の
ＦＳ方向に沿った部分断面図である。図８において、イ
メージセンサは、従来と同様に、センサ基板２の受光素
子４が形成されている面にフィルタ基板５を透明接着層
８で貼り合わせ、他方の面には駆動回路基板９を接着層
１０で貼り合わせることによって構成されているが、フ
ィルタ基板５のセンサ基板２と貼り合わされる面とは反
対側の面の受光素子４に対応する領域を除く全面もしく
は受光素子４に対応する領域の周辺部に反射防止膜４０
が形成されている点及びイメージセンサの端面及び側面
に遮光膜２７が形成されている点で従来の構成と異なっ
ている。この反射防止膜４０は、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ
ｌ等の光の反射を防止する機能を有する導電性材料を受
光素子４に対応する領域を除く全面もしくは受光素子４
に対応する領域の周辺部に着膜することによって形成す
ることもできるし、また、まず受光素子４に対応する領
域を除く全面もしくは受光素子４に対応する領域の周辺
部に光の反射を防止する機能を備える絶縁性材料で着膜
し、次にその絶縁性膜の上に透明導電性材料を着膜する
ことによって形成することもできる。図８は前者の構成
を示す図であり、反射防止膜４０は光の反射を防止する
機能を有する導電性材料で形成されている。これに対し
て図９は後者の構成例を示す図であり、反射防止膜４０
は絶縁層からなる遮光部４１と透明導電膜４２で形成さ
れている。その他は図８と同じであるNext, the configuration of a second embodiment of the present invention is shown in FIG.
Shown in This cross-sectional view is a partial cross-sectional view of one light-receiving element row along the FS direction as in FIG. 8, in the image sensor, a filter substrate 5 is adhered to a surface of the sensor substrate 2 on which the light receiving elements 4 are formed with a transparent adhesive layer 8, and a drive circuit substrate 9 is adhered to the other surface, as in the conventional case. The entire surface except for the region corresponding to the light receiving element 4 on the surface of the filter substrate 5 opposite to the surface bonded to the sensor substrate 2 or the region corresponding to the light receiving element 4 Anti-reflection coating 40
Is different from the conventional configuration in that the light shielding film 27 is formed on the end face and the side face of the image sensor. This antireflection film 40 is made of Cr, Si, Ti, A
1 or a conductive material having a function of preventing light reflection, such as the entire surface except for the region corresponding to the light receiving element 4 or the light receiving element 4
Can be formed by depositing a film on the periphery of the area corresponding to the light-receiving element, and firstly, the reflection of light is prevented on the entire surface except the area corresponding to the light-receiving element 4 or on the periphery of the area corresponding to the light-receiving element 4. It can also be formed by depositing a film with an insulating material having the function of performing the following, and then depositing a transparent conductive material on the insulating film. FIG. 8 is a diagram showing the former configuration, in which the antireflection film 40 is formed of a conductive material having a function of preventing light reflection. On the other hand, FIG. 9 is a diagram showing an example of the latter configuration,
Is formed by a light-shielding portion 41 made of an insulating layer and a transparent conductive film 42. Others are the same as FIG.
【００２９】この構成によれば、受光素子４に余分な光
が入射することを防止できるので、受光素子４の感度の
バラツキを抑制することができる。また、基板取り扱い
時においてフィルタ基板５の透明基板６に静電気が蓄積
されたとしても、当該静電気を反射防止膜４０を介して
外部に導くことができるために受光素子４の絶縁破壊を
防止することができる。更に、この反射防止膜はイメー
ジセンサ駆動回路の接地線と接続されるので、イメージ
センサ外部からの不要な電気的ノイズを遮断することが
できる。According to this configuration, it is possible to prevent extra light from being incident on the light receiving element 4, so that it is possible to suppress a variation in sensitivity of the light receiving element 4. Further, even if static electricity is accumulated on the transparent substrate 6 of the filter substrate 5 during handling of the substrate, the static electricity can be guided to the outside through the antireflection film 40, so that dielectric breakdown of the light receiving element 4 is prevented. Can be. Further, since the antireflection film is connected to the ground line of the image sensor drive circuit, unnecessary electric noise from outside the image sensor can be cut off.
【００３０】次に、図８に示すイメージセンサの製造方
法を説明する。まず、ガラス基板３に周知の光半導体素
子の製造方法を用いて受光素子４を３列形成してセンサ
基板を作成する。また、ガラス基板６に周知の染色法、
分散法、電着法、多層干渉膜法等によりカラーフィルタ
７，１１，１２を形成し、次に、ガラス基板６のカラー
フィルタが形成されている面とは反対側の面に導電膜を
形成する。この導電膜は、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ等の
光反射防止機能を備える導電性材料を蒸着法またはスパ
ッタ法により着膜することによって形成することができ
る。次に、フォトリソグラフィ法により、少なくとも受
光素子４が形成されている領域の上の導電膜を除去し、
反射防止膜４０を備えるフィルタ基板を作成する。Next, a method of manufacturing the image sensor shown in FIG. 8 will be described. First, a light receiving element 4 is formed in three rows on a glass substrate 3 by using a well-known method for manufacturing an optical semiconductor element, thereby producing a sensor substrate. In addition, a known dyeing method is applied to the glass substrate 6,
The color filters 7, 11, and 12 are formed by a dispersion method, an electrodeposition method, a multilayer interference film method, or the like, and then a conductive film is formed on the surface of the glass substrate 6 opposite to the surface on which the color filters are formed. I do. This conductive film can be formed by depositing a conductive material having a light reflection preventing function, such as Cr, Si, Ti, or Al, by vapor deposition or sputtering. Next, the conductive film on at least the region where the light receiving element 4 is formed is removed by photolithography,
A filter substrate including the anti-reflection film 40 is formed.
【００３１】次に、以上のようにして作成したセンサ基
板とフィルタ基板とを透明接着層８により貼り付ける。
このときセンサ基板の受光素子４とフィルタ基板のカラ
ーフィルタ７，１１，１２とを対向させることは当然で
ある。透明接着層８としてはエポキシ系接着剤、例えば
アルテコＲＸ−7901−1 （アルファ技研製）等を用いる
ことができる。次に、センサ基板とフィルタ基板とを貼
り合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に駆動
回路基板９を接着層１０によりセンサ基板の他方の面に
貼り合わせ、最後に端面及び側面に遮光膜２７を形成す
る。接着層１０としてはシリコン樹脂、例えばＳＥ−91
40（東レダウコーニングシリコーン社製）等を用いるこ
とができ、また遮光層２７は、例えばカラーモザイクＣ
Ｋ−2000（富士ハント製）をスピンコート法またはロー
ルコート法により塗布することで形成することができ
る。Next, the sensor substrate and the filter substrate prepared as described above are adhered by the transparent adhesive layer 8.
At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used. Next, the bonded sensor substrate and filter substrate are cut into a predetermined substrate size, the driving circuit substrate 9 is further bonded to the other surface of the sensor substrate by the adhesive layer 10, and finally, the end surface and side surfaces are shielded from light. A film 27 is formed. As the adhesive layer 10, a silicone resin, for example, SE-91
40 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like.
It can be formed by applying K-2000 (manufactured by Fuji Hunt) by spin coating or roll coating.
【００３２】次に、図９に示すイメージセンサの製造方
法を説明する。まず、ガラス基板３に周知の光半導体素
子の製造方法を用いて受光素子４を３列形成してセンサ
基板を作成する。また、ガラス基板６に周知の染色法、
分散法、電着法、多層干渉膜法等によりカラーフィルタ
７，１１，１２を形成し、次に、ガラス基板６のカラー
フィルタが形成されている面とは反対側の面に絶縁膜を
形成する。この絶縁膜は、例えばカラーモザイクＣＫ−
2000（富士ハント製）等をスピンコート法またはロール
コート法等で全面に塗布することにより形成することが
できる。次に、フォトリソグラフィ法により、少なくと
も受光素子４が形成されている領域の上の絶縁膜を除去
して遮光部４１を形成し、その後この遮光部４１の上に
透明導電膜４２を形成して焼成する。透明導電膜４２
は、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＺｎＯ，
ＴｉＯ2 等を蒸着法またはスパッタ法により着膜するこ
とにより形成することができる。Next, a method of manufacturing the image sensor shown in FIG. 9 will be described. First, a light receiving element 4 is formed in three rows on a glass substrate 3 by using a well-known method for manufacturing an optical semiconductor element, thereby producing a sensor substrate. In addition, a known dyeing method is applied to the glass substrate 6,
The color filters 7, 11, and 12 are formed by a dispersion method, an electrodeposition method, a multilayer interference film method, or the like, and then an insulating film is formed on the surface of the glass substrate 6 opposite to the surface on which the color filters are formed. I do. This insulating film is, for example, a color mosaic CK-
2000 (manufactured by Fuji Hunt) or the like by spin coating or roll coating. Next, at least the insulating film on the region where the light receiving element 4 is formed is removed by photolithography to form a light-shielding portion 41, and then a transparent conductive film 42 is formed on the light-shielding portion 41. Bake. Transparent conductive film 42
Are In 2 O 3 , SnO 2 , ITO, Sb 2 O 3 , ZnO,
It can be formed by depositing TiO 2 or the like by a vapor deposition method or a sputtering method.
【００３３】次に、以上のようにして作成したセンサ基
板とフィルタ基板とを透明接着層８により貼り付ける。
このときセンサ基板の受光素子４とフィルタ基板のカラ
ーフィルタ７，１１，１２とを対向させることは当然で
ある。透明接着層８としてはエポキシ系接着剤、例えば
アルテコＲＸ−7901−1 （アルファ技研製）等を用いる
ことができる。次に、センサ基板とフィルタ基板とを貼
り合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に駆動
回路基板９を接着層１０によりセンサ基板の他方の面に
貼り合わせ、最後に端面及び側面に遮光膜２７を形成す
る。接着層１０としてはシリコン樹脂、例えばＳＥ−91
40（東レダウコーニングシリコーン社製）等を用いるこ
とができ、また遮光層２７は、例えばカラーモザイクＣ
Ｋ−2000（富士ハント製）をスピンコート法またはロー
ルコート法により塗布することで形成することができ
る。Next, the sensor substrate and the filter substrate prepared as described above are adhered by the transparent adhesive layer 8.
At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used. Next, the bonded sensor substrate and filter substrate are cut into a predetermined substrate size, the driving circuit substrate 9 is further bonded to the other surface of the sensor substrate by the adhesive layer 10, and finally, the end surface and side surfaces are shielded from light. A film 27 is formed. As the adhesive layer 10, a silicone resin, for example, SE-91
40 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like.
It can be formed by applying K-2000 (manufactured by Fuji Hunt) by spin coating or roll coating.
【００３４】次に、本発明の第３の参考例の構成を図１
０に示す。図１０Ａは受光素子列のＦＳ方向に沿った部
分断面図、図１０ＢはＳＳ方向に沿った断面図である。
図１０に示すイメージセンサは、フィルタ基板５のカラ
ーフィルタ７，１１，１２が形成される面のカラーフィ
ルタ部７，１１，１２を除く領域に反射防止膜４５が形
成されている点及びイメージセンサの端面及び側面に遮
光膜２７が形成されている点で従来の構成と異なってい
る。この反射防止膜４５は、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ等
の光の反射を防止する機能を有する導電性材料をフィル
タ基板５のカラーフィルタ部を除く領域に着膜すること
によって形成することもできるし、また、まずカラーフ
ィルタ部を除く領域に光の反射を防止する機能を備える
絶縁性材料で着膜し、次にその絶縁性膜の上に透明導電
性材料を着膜することによって形成することもできる。
図１０は前者の構成を示す図であり、反射防止膜４５は
光の反射を防止する機能を有する導電性材料で形成され
ている。これに対して図１１は後者の構成例を示す図で
あり、反射防止膜４５は絶縁層からなる遮光部４６と透
明導電膜４７で形成されている。その他は図１０と同じ
である。Next, the configuration of a third embodiment of the present invention is shown in FIG.
0 is shown. FIG. 10A is a partial cross-sectional view of the light receiving element row along the FS direction, and FIG. 10B is a cross-sectional view along the SS direction.
The image sensor shown in FIG. 10 is different from the image sensor in that an antireflection film 45 is formed in a region of the filter substrate 5 on which the color filters 7, 11, 12 are formed, excluding the color filter portions 7, 11, 12. Is different from the conventional configuration in that a light-shielding film 27 is formed on the end face and side face. The anti-reflection film 45 can also be formed by depositing a conductive material such as Cr, Si, Ti, or Al having a function of preventing reflection of light on a region of the filter substrate 5 other than the color filter portion. In addition, first, a region other than the color filter portion is formed by depositing an insulating material having a function of preventing light reflection, and then a transparent conductive material is deposited on the insulating film. You can also.
FIG. 10 shows the former configuration, in which the antireflection film 45 is formed of a conductive material having a function of preventing light reflection. On the other hand, FIG. 11 is a diagram showing the latter configuration example, in which the antireflection film 45 is formed by a light shielding portion 46 made of an insulating layer and a transparent conductive film 47. Others are the same as FIG.
【００３５】この構成によれば、カラーフィルタ部以外
からの入射光を防止することができるので、受光素子４
に余分な光が入射することを防止でき、以て受光素子４
の感度のバラツキを抑制することができる。また、基板
取り扱い時においてフィルタ基板５の透明基板６に静電
気が蓄積されたとしても、当該静電気を反射防止膜４５
を介して外部に導くことができるために受光素子４の絶
縁破壊を防止することができる。更に、この反射防止膜
はイメージセンサ駆動回路の接地線と接続されるので、
イメージセンサ外部からの不要な電気的ノイズを遮断す
ることができる。According to this configuration, it is possible to prevent the incident light from a portion other than the color filter portion.
Incident light can be prevented from entering the light receiving element 4
Of the sensitivity can be suppressed. Further, even if static electricity is accumulated on the transparent substrate 6 of the filter substrate 5 during handling of the substrate, the static electricity is accumulated in the anti-reflection film 45.
The light-receiving element 4 can be prevented from being broken down because the light-receiving element 4 can be guided to the outside through the interface. Furthermore, since this antireflection film is connected to the ground line of the image sensor drive circuit,
Unnecessary electrical noise from the outside of the image sensor can be cut off.
【００３６】次に、図１０に示すイメージセンサの製造
方法を説明する。図１２は図１０に示すイメージセンサ
の製造工程を示す図で、副走査（ＳＳ）方向に沿って切
断した断面図である。まず、図１２Ａに示すように、ガ
ラス基板６にカラーフィルタ部７，１１，１２を形成す
る。カラーフィルタ部の形成方法としては、染色法、分
散法、電着法、多層干渉膜法等が知られているが、いま
分散法によりカラーフィルタ部を形成するものとする
と、ガラス基板６にカラーモザイク（富士ハント製）を
スピンコート法またはロールコート法で均一に塗布した
後、フォトリソグラフィ法によりＲ，Ｇ，Ｂの３色のカ
ラーフィルタ部を形成する。Next, a method of manufacturing the image sensor shown in FIG. 10 will be described. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the image sensor shown in FIG. 10, taken along the sub-scanning (SS) direction. First, as shown in FIG. 12A, color filter portions 7, 11, 12 are formed on a glass substrate 6. As a method of forming the color filter portion, a dyeing method, a dispersion method, an electrodeposition method, a multilayer interference film method, and the like are known. However, if the color filter portion is formed by the dispersion method, a color After a mosaic (manufactured by Fuji Hunt) is uniformly applied by a spin coating method or a roll coating method, three color filter portions of R, G, and B are formed by a photolithography method.
【００３７】次に、ガラス基板６のカラーフィルタ部を
形成した面に導電膜を形成する。この導電膜は、Ｃｒ，
Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ等の光反射防止機能を備える導電性材
料を蒸着法またはスパッタ法により着膜することによっ
て形成することができる。次に、フォトリソグラフィ法
により、カラーフィルタ部の上に形成されている導電性
材料を除去して図１２Ｂに示す反射防止膜４５を備える
フィルタ基板を作成する。次に、図１２Ｃに示すよう
に、以上のようにして作成したフィルタ基板と、ガラス
基板３に周知の光半導体素子の製造方法を用いて受光素
子４を３列形成したセンサ基板とを透明接着層８により
貼り付ける。このときセンサ基板の受光素子４とフィル
タ基板のカラーフィルタ７，１１，１２とを対向させる
ことは当然である。透明接着層８としてはエポキシ系接
着剤、例えばアルテコＲＸ−7901−1（アルファ技研
製）等を用いることができる。Next, a conductive film is formed on the surface of the glass substrate 6 on which the color filter portion is formed. This conductive film is made of Cr,
It can be formed by depositing a conductive material having a light reflection preventing function, such as Si, Ti, or Al, by vapor deposition or sputtering. Next, the conductive material formed on the color filter portion is removed by photolithography to form a filter substrate having the antireflection film 45 shown in FIG. 12B. Next, as shown in FIG. 12C, the filter substrate prepared as described above and a sensor substrate in which three rows of light receiving elements 4 are formed on a glass substrate 3 using a well-known method of manufacturing an optical semiconductor element are transparently bonded. Affixed by layer 8. At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used.
【００３８】次に、センサ基板とフィルタ基板とを貼り
合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に駆動回
路基板９を接着層１０によりセンサ基板の他方の面に貼
り合わせ、最後に図１２Ｄに示すように、端面及び側面
に遮光膜２７を形成する。接着層１０としてはシリコン
樹脂、例えばＳＥ−9140（東レダウコーニングシリコー
ン社製）等を用いることができ、また遮光層２７は、例
えばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハント製）をスピ
ンコート法またはロールコート法により塗布することで
形成することができる。Next, the bonded sensor substrate and filter substrate are cut into a predetermined substrate size, and the drive circuit substrate 9 is bonded to the other surface of the sensor substrate with an adhesive layer 10. Finally, FIG. As shown in FIG. 7, a light-shielding film 27 is formed on the end face and the side face. As the adhesive layer 10, a silicon resin, for example, SE-9140 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like can be used. For the light shielding layer 27, for example, a color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) can be used by a spin coating method or a roll. It can be formed by applying by a coating method.
【００３９】次に、図１１に示すイメージセンサの製造
方法を説明する。図１３は図１１に示すイメージセンサ
の製造工程を示す図で、副走査（ＳＳ）方向に沿って切
断した断面図である。まず、図１２Ａで説明したと同様
にしてガラス基板６にカラーフィルタ部７，１１，１２
を形成し、図１３Ａに示すフィルタ基板を作成する。次
に、ガラス基板６のカラーフィルタ部を形成した面に、
光の反射を防止する機能を有する絶縁膜を形成する。こ
の絶縁膜は、例えばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハ
ント製）等をスピンコート法またはロールコート法等で
全面に塗布することにより形成することができる。次
に、フォトリソグラフィ法により、カラーフィルタ部の
上に形成されている絶縁膜を除去して遮光部４６を備え
るフィルタ基板を作成し、その後この遮光部４６の上に
透明導電膜４７を形成して焼成する。これにより、図１
３Ｂに示すように、遮光膜４６と透明導電膜４７とから
なる反射防止膜を備えるフィルタ基板を得ることができ
る。ここで、透明導電膜４７は、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2 ，
ＩＴＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＴｉＯ2 等を蒸着法または
スパッタ法により着膜することにより形成することがで
きる。Next, a method of manufacturing the image sensor shown in FIG. 11 will be described. FIG. 13 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the image sensor shown in FIG. 11, taken along the sub-scanning (SS) direction. First, in the same manner as described with reference to FIG.
Is formed to form the filter substrate shown in FIG. 13A. Next, on the surface of the glass substrate 6 where the color filter portion is formed,
An insulating film having a function of preventing light reflection is formed. This insulating film can be formed by, for example, applying color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) or the like to the entire surface by spin coating or roll coating. Next, the insulating film formed on the color filter portion is removed by a photolithography method to form a filter substrate having a light shielding portion 46, and then a transparent conductive film 47 is formed on the light shielding portion 46. And bake. As a result, FIG.
As shown in FIG. 3B, a filter substrate including an antireflection film including the light-shielding film 46 and the transparent conductive film 47 can be obtained. Here, the transparent conductive film 47 is made of In 2 O 3 , SnO 2 ,
It can be formed by depositing ITO, Sb 2 O 3 , ZnO, TiO 2 or the like by vapor deposition or sputtering.
【００４０】次に、図１３Ｃに示すように、以上のよう
にして作成したフィルタ基板と、ガラス基板３に周知の
光半導体素子の製造方法を用いて受光素子４を３列形成
したセンサ基板とを透明接着層８により貼り付ける。こ
のときセンサ基板の受光素子４とフィルタ基板のカラー
フィルタ７，１１，１２とを対向させることは当然であ
る。透明接着層８としてはエポキシ系接着剤、例えばア
ルテコＲＸ−7901−1（アルファ技研製）等を用いるこ
とができる。次に、センサ基板とフィルタ基板とを貼り
合わせたものを所定の基板サイズに切断し、更に駆動回
路基板９を接着層１０によりセンサ基板の他方の面に貼
り合わせ、最後に図１３Ｄに示すように、端面及び側面
に遮光膜２７を形成する。接着層１０としてはシリコン
樹脂、例えばＳＥ−9140（東レダウコーニングシリコー
ン社製）等を用いることができ、また遮光層２７は、例
えばカラーモザイクＣＫ−2000（富士ハント製）をスピ
ンコート法またはロールコート法により塗布することで
形成することができる。Next, as shown in FIG. 13C, a filter substrate formed as described above and a sensor substrate in which three rows of light receiving elements 4 are formed on a glass substrate 3 by using a well-known method of manufacturing an optical semiconductor element. Is adhered by the transparent adhesive layer 8. At this time, it is natural that the light receiving element 4 of the sensor substrate and the color filters 7, 11, and 12 of the filter substrate face each other. As the transparent adhesive layer 8, an epoxy adhesive, for example, Arteco RX-7901-1 (manufactured by Alpha Giken) or the like can be used. Next, the bonded sensor substrate and filter substrate are cut into a predetermined substrate size, and the drive circuit substrate 9 is further bonded to the other surface of the sensor substrate by the adhesive layer 10, and finally, as shown in FIG. 13D. Then, a light-shielding film 27 is formed on the end face and the side face. As the adhesive layer 10, a silicon resin, for example, SE-9140 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) or the like can be used. For the light shielding layer 27, for example, a color mosaic CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt) can be used by a spin coating method or a roll. It can be formed by applying by a coating method.
【図１】 本発明の第１の参考例の構成を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first reference example of the present invention.
【図２】 図１に示すイメージセンサの製造方法を示す
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the image sensor shown in FIG.
【図３】 本発明の第２の参考例の一構成例を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a second reference example of the present invention.
【図４】 本発明の第２の参考例の他の構成例を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing another configuration example of the second reference example of the present invention.
【図５】 図３に示すイメージセンサの製造方法を示す
断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the image sensor shown in FIG.
【図６】 図４に示すイメージセンサの製造方法を示す
断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the image sensor shown in FIG.
【図７】 本発明の第１の実施例の構成を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の第２の実施例の一構成例を示す図で
ある。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a second embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の第２の実施例の他の構成例を示す図
である。FIG. 9 is a diagram showing another configuration example of the second embodiment of the present invention.
【図１０】 本発明の第３の参考例の一構成例を示す図
である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of a third reference example of the present invention.
【図１１】 本発明の第３の参考例の他の構成例を示す
図である。FIG. 11 is a diagram showing another configuration example of the third reference example of the present invention.
【図１２】 図１０に示すイメージセンサの製造方法を
示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the image sensor shown in FIG.
【図１３】 図１１に示すイメージセンサの製造方法を
示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view illustrating the method of manufacturing the image sensor illustrated in FIG. 11;
【図１４】 従来のイメージセンサの構成例を示す図で
ある。FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional image sensor.
【図１５】 従来のイメージセンサの問題点を説明する
ための図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a problem of a conventional image sensor.
２…イメージセンサ基板、３…ガラス基板、４…受光素
子、５…カラーフィルタ基板、６…ガラス基板、７…カ
ラーフィルタ、８…透明接着層、９…駆動回路基板、１
０…接着層。2 image sensor substrate, 3 glass substrate, 4 light receiving element, 5 color filter substrate, 6 glass substrate, 7 color filter, 8 transparent adhesive layer, 9 drive circuit board, 1
0: adhesive layer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−73369（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−202057（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−135153（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−20249（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/146 H04N 1/028 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-73369 (JP, A) JP-A-2-202057 (JP, A) JP-A-61-135153 (JP, A) Jpn. 20249 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 27/146 H04N 1/028
Claims (2)
れたイメージセンサ基板と、透明基板の一方の面にカラ
ーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板とが貼り合
わされて形成されてなるイメージセンサにおいて、前記
イメージセンサ基板の受光素子を除く全面もしくは受光
素子周辺部には絶縁性材料により反射防止膜が形成さ
れ、且つ前記カラーフィルタ基板の前記イメージセンサ
基板と貼り合わされる面とは反対側の面には透明導電性
膜が形成されることを特徴とするイメージセンサ。An image sensor formed by bonding an image sensor substrate having a light receiving element formed on one surface of a transparent substrate and a color filter substrate having a color filter formed on one surface of the transparent substrate. In the above, an anti-reflection film is formed of an insulating material on the entire surface of the image sensor substrate except for the light receiving element or on the periphery of the light receiving element, and the color filter substrate has a surface opposite to the surface bonded to the image sensor substrate. An image sensor, wherein a transparent conductive film is formed on a surface.
れたイメージセンサ基板と、透明基板の一方の面にカラ
ーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板とが貼り合
わされて形成されてなるイメージセンサにおいて、前記
カラーフィルタ基板の前記イメージセンサ基板と貼り合
わされる面とは反対側の面の受光素子に対応する領域を
除く全面もしくは受光素子に対応する領域の周辺部に反
射防止膜を形成したことを特徴とするイメージセンサ。2. An image sensor formed by laminating an image sensor substrate having a light receiving element formed on one surface of a transparent substrate and a color filter substrate having a color filter formed on one surface of the transparent substrate. In the color filter substrate, an anti-reflection film is formed on the entire surface except for the region corresponding to the light receiving element on the surface opposite to the surface to be bonded to the image sensor substrate or on the periphery of the region corresponding to the light receiving element. An image sensor characterized in that:
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| JP3233176A JP3060642B2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Image sensor |
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1991
- 1991-09-12 JP JP3233176A patent/JP3060642B2/en not_active Expired - Fee Related
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