JP3060511B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板の垂直方向のレーザ光を発振する面発
光半導体レーザであり、更に外部入力光に対してスイッ
チング特性を有する面発光半導体レーザに関する。
光半導体レーザであり、更に外部入力光に対してスイッ
チング特性を有する面発光半導体レーザに関する。
［従来の技術］ 従来、基板の垂直方向に共振器を持つ面発光レーザ
は、第50回応用物理学会学術講演会講演予稿集 第３分
冊 p.909 29a−ZG−７のごときものであった。第５図
はその発光部を示す斜視図である。（502）ｎ型GaAs基
板に（503）ｎ型AlGaAs/AlAs多層膜、（504）ｎ型AlGaA
sクラッド層、（505）ｐ型GaAs活性層、（506）ｐ型AlG
aAsクラッド層を成長した後、円柱状の領域を残してエ
ッチングし、（507）ｐ型、（508）ｎ型、（509）ｐ
型、（510）ｐ型の順にAlGaAsで埋め込む。しかる後（5
10）ｐ型AlGaAsキャップ層の上部に（511）誘電体多層
膜を蒸着し、（512）ｎ型オーミック電極、（510）ｐ型
オーミック電極を形成し、面発光レーザを構成した。
は、第50回応用物理学会学術講演会講演予稿集 第３分
冊 p.909 29a−ZG−７のごときものであった。第５図
はその発光部を示す斜視図である。（502）ｎ型GaAs基
板に（503）ｎ型AlGaAs/AlAs多層膜、（504）ｎ型AlGaA
sクラッド層、（505）ｐ型GaAs活性層、（506）ｐ型AlG
aAsクラッド層を成長した後、円柱状の領域を残してエ
ッチングし、（507）ｐ型、（508）ｎ型、（509）ｐ
型、（510）ｐ型の順にAlGaAsで埋め込む。しかる後（5
10）ｐ型AlGaAsキャップ層の上部に（511）誘電体多層
膜を蒸着し、（512）ｎ型オーミック電極、（510）ｐ型
オーミック電極を形成し、面発光レーザを構成した。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の技術では共振器ミラーとなる多層膜の
反射率は、ある波長に対してのみ高反射率となるため、
レーザ発振はするが外部の入力光に対して機能動作をす
るものではない。従って、これを２次元アレイにしても
種々の演算動作ができない。更に、活性層以外の部分に
電流が流れるのを防ぐ手段として、埋め込み層にｐ−ｎ
接合を設けているが、十分な電流狭窄を得ることは難し
く完全には無効電流を抑制できない。無効電流の抑制
は、面発光レーザにおいて重要な課題であり、このため
に前述の従来例でも室温連続発振駆動することが困難で
ある。また埋め込み層を従来例のように多層構造にした
場合、円柱状に残した成長層の界面と埋め込み層のｐ−
ｎ界面の位置を考慮する必要があり、埋め込み成長の膜
厚制御が難しく再現性良く製造することは極めて困難で
ある。
反射率は、ある波長に対してのみ高反射率となるため、
レーザ発振はするが外部の入力光に対して機能動作をす
るものではない。従って、これを２次元アレイにしても
種々の演算動作ができない。更に、活性層以外の部分に
電流が流れるのを防ぐ手段として、埋め込み層にｐ−ｎ
接合を設けているが、十分な電流狭窄を得ることは難し
く完全には無効電流を抑制できない。無効電流の抑制
は、面発光レーザにおいて重要な課題であり、このため
に前述の従来例でも室温連続発振駆動することが困難で
ある。また埋め込み層を従来例のように多層構造にした
場合、円柱状に残した成長層の界面と埋め込み層のｐ−
ｎ界面の位置を考慮する必要があり、埋め込み成長の膜
厚制御が難しく再現性良く製造することは極めて困難で
ある。
本発明はこのような課題を解決するもので、その目的
とするところは、外部光入力に対して光スイッチング特
性を有し、且つ完全な電流狭窄が可能な構造であり、且
つ極めて簡単に製造できる高効率の面発光半導体レーザ
を提供するところにある。
とするところは、外部光入力に対して光スイッチング特
性を有し、且つ完全な電流狭窄が可能な構造であり、且
つ極めて簡単に製造できる高効率の面発光半導体レーザ
を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するため、本発明によれば、下記の構
成が提供される。
成が提供される。
（１）半導体基板に垂直な方向に共振器を持ち、該半導
体基板側に半導体多層膜で形成された反射ミラーを持
ち、垂直な方向に光が出射される面発光半導体レーザで
あって、光を発する活性層が量子井戸構造を持ち、前記
半導体多層膜が、前記量子井戸構造の第一量子準位に対
応するエネルギーの波長の光に対して高反射率となるよ
うに構成される第一の多層膜と、第二の量子準位に対応
するエネルギーの光に対して高反射率となるように構成
される第二の多層膜を複合してなり、該半導体多層膜に
おいて、前記第二の量子準位に対応するエネルギーの光
に対する反射率が、前記量子井戸構造の第一量子準位に
対応するエネルギーの波長の光に対する反射率より大き
いことを特徴とする半導体レーザ。
体基板側に半導体多層膜で形成された反射ミラーを持
ち、垂直な方向に光が出射される面発光半導体レーザで
あって、光を発する活性層が量子井戸構造を持ち、前記
半導体多層膜が、前記量子井戸構造の第一量子準位に対
応するエネルギーの波長の光に対して高反射率となるよ
うに構成される第一の多層膜と、第二の量子準位に対応
するエネルギーの光に対して高反射率となるように構成
される第二の多層膜を複合してなり、該半導体多層膜に
おいて、前記第二の量子準位に対応するエネルギーの光
に対する反射率が、前記量子井戸構造の第一量子準位に
対応するエネルギーの波長の光に対する反射率より大き
いことを特徴とする半導体レーザ。
（２）前記共振器を形成する半導体層の少なくとも一層
が柱状で、該柱状の半導体層の周囲がII−VI族化合物半
導体層で埋め込まれていることを特徴とする上記（１）
の半導体レーザ。
が柱状で、該柱状の半導体層の周囲がII−VI族化合物半
導体層で埋め込まれていることを特徴とする上記（１）
の半導体レーザ。
（３）前記活性層に対し光出射側に半導体コンタクト層
を有し、該半導体コンタクト層の膜厚が、0.1μｍ以上
3.0μｍ以下であることを特徴とする上記（１）の半導
体レーザ。
を有し、該半導体コンタクト層の膜厚が、0.1μｍ以上
3.0μｍ以下であることを特徴とする上記（１）の半導
体レーザ。
（４）前記II−VI族化合物半導体層が、ZnSe、ZnS、ZnS
Se、ZnCdS、CdSSeのいずれかであることを特徴とする上
記（２）の半導体レーザ。
Se、ZnCdS、CdSSeのいずれかであることを特徴とする上
記（２）の半導体レーザ。
（５）前記II−VI族化合物半導体層の格子定数が、前記
柱状の半導体層の格子定数と一致していることを特徴と
する上記（２）の半導体レーザ。
柱状の半導体層の格子定数と一致していることを特徴と
する上記（２）の半導体レーザ。
（６）前記半導体基板および量子井戸構造を持つ活性層
がGaAsからなることを特徴とする上記（１）の半導体レ
ーザ。
がGaAsからなることを特徴とする上記（１）の半導体レ
ーザ。
（７）前記半導体基板がGaAsからなり、前記量子井戸構
造を持つ活性層がInGaAsからなることを特徴とする上記
（１）の半導体レーザ。
造を持つ活性層がInGaAsからなることを特徴とする上記
（１）の半導体レーザ。
（８）前記半導体基板がInPからなり、前記量子井戸構
造を持つ活性層がInGaAsPからなることを特徴とする上
記（１）の半導体レーザ。
造を持つ活性層がInGaAsPからなることを特徴とする上
記（１）の半導体レーザ。
（９）外部から光を入力し、光出力のスイッチングを行
う機能を備えた上記（１）乃至（８）のいずれかの半導
体レーザ。
う機能を備えた上記（１）乃至（８）のいずれかの半導
体レーザ。
［実 施 例］ 第１図は本発明の実施例における半導体レーザの発光
部の断面を示す斜視図である。
部の断面を示す斜視図である。
（102）のｎ型GaAs基板上に、（103）ｎ型GaAsバッフ
ァ層、（104）のｎ型Al0.7Ga0.3As層とｎ型Al0.1Ga0.9A
s層からなり波長810nm付近の光に対し98％以上の反射率
を持つ30ペアの分布反射型多層膜ミラー、（105）のｎ
型Al0.7Ga0.3As層とｎ型Al0.1Ga0.9As層からなり波長84
0nm付近の光に対し90％以上の反射率を持つ15ペアの分
布反射型多層膜ミラー、（106）のｎ型Al0.4Ga0.6Asバ
リア層、（107）の膜厚100の量子井戸活性層（量子井戸
構造を持つ活性層）（109）ｐ型Al0.4Ga0.6Asバリア、
（110）ｐ型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層を順次積層して
成る。（106）のｎ型Al0.4Ga0.6Asバリア層の途中まで
円柱形状にエッチングされ、その周りがGaAsと格子整合
する（108）のZnS0.06Se0.94層で埋め込まれている。更
に、表面に４ペアの（112）のSiO2/α−Si誘電体多層膜
を、ウエットエッチングで、発光部の径よりやや小さい
領域を残して取り去ってある。（112）の誘電体多層膜
以外の表面に（111）のｐ型オーミック電極、基板側に
（101）のｎ型オーミック電極が形成された構造となっ
ている。
ァ層、（104）のｎ型Al0.7Ga0.3As層とｎ型Al0.1Ga0.9A
s層からなり波長810nm付近の光に対し98％以上の反射率
を持つ30ペアの分布反射型多層膜ミラー、（105）のｎ
型Al0.7Ga0.3As層とｎ型Al0.1Ga0.9As層からなり波長84
0nm付近の光に対し90％以上の反射率を持つ15ペアの分
布反射型多層膜ミラー、（106）のｎ型Al0.4Ga0.6Asバ
リア層、（107）の膜厚100の量子井戸活性層（量子井戸
構造を持つ活性層）（109）ｐ型Al0.4Ga0.6Asバリア、
（110）ｐ型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層を順次積層して
成る。（106）のｎ型Al0.4Ga0.6Asバリア層の途中まで
円柱形状にエッチングされ、その周りがGaAsと格子整合
する（108）のZnS0.06Se0.94層で埋め込まれている。更
に、表面に４ペアの（112）のSiO2/α−Si誘電体多層膜
を、ウエットエッチングで、発光部の径よりやや小さい
領域を残して取り去ってある。（112）の誘電体多層膜
以外の表面に（111）のｐ型オーミック電極、基板側に
（101）のｎ型オーミック電極が形成された構造となっ
ている。
（111）と（101）の電極の間に順方向に電流を流し
（107）の量子井戸層の量子準位差に対応した波長の光
が発光する。その際、量子準位ｎ＝１からは840nmの波
長の光が、量子準位ｎ＝２からは810nmの光が出る。レ
ーザ発振は下側の半導体多層膜ミラーと上側の誘電体多
層膜ミラーの間で共振器が形成されて起こる。本実施例
に於いては下側の半導体多層膜ミラーが、Al0.7Ga0.3As
（膜厚64.5nm）とAl0.1Ga0.9As（膜厚57.5nm）の層を交
互に30ペアー積層した第二の多層膜（104）とAl0.7Ga
0.3As（膜厚66.9nm）とAl0.1Ga0.9As（膜厚59.7nm）の
層を交互に15ペアー積層した第一の多層膜（105）から
成っている。（104）の多層膜は810nmの波長に対して98
％の高反射率を持ち、（105）の多層膜は840nmの波長に
対して90％程度の反射率となるため、電流を流したとき
量子準位ｎ＝１（発振波長840nm）の損失が大きく、量
子準位ｎ＝２（発振波長810nm）からのレーザ発振が起
こる。この状態で外部から840nmの波長の光を入力する
とｎ＝１の準位にキャリアがポンプされ、レーザ発振の
準位がｎ＝２からｎ＝１に移り、発振波長が810nmから8
40nmにジャンプする。
（107）の量子井戸層の量子準位差に対応した波長の光
が発光する。その際、量子準位ｎ＝１からは840nmの波
長の光が、量子準位ｎ＝２からは810nmの光が出る。レ
ーザ発振は下側の半導体多層膜ミラーと上側の誘電体多
層膜ミラーの間で共振器が形成されて起こる。本実施例
に於いては下側の半導体多層膜ミラーが、Al0.7Ga0.3As
（膜厚64.5nm）とAl0.1Ga0.9As（膜厚57.5nm）の層を交
互に30ペアー積層した第二の多層膜（104）とAl0.7Ga
0.3As（膜厚66.9nm）とAl0.1Ga0.9As（膜厚59.7nm）の
層を交互に15ペアー積層した第一の多層膜（105）から
成っている。（104）の多層膜は810nmの波長に対して98
％の高反射率を持ち、（105）の多層膜は840nmの波長に
対して90％程度の反射率となるため、電流を流したとき
量子準位ｎ＝１（発振波長840nm）の損失が大きく、量
子準位ｎ＝２（発振波長810nm）からのレーザ発振が起
こる。この状態で外部から840nmの波長の光を入力する
とｎ＝１の準位にキャリアがポンプされ、レーザ発振の
準位がｎ＝２からｎ＝１に移り、発振波長が810nmから8
40nmにジャンプする。
第２図は本実施例に於ける光出力のスペクトルを示す
図であり、（ａ）は電流注入をした時、（ｂ）は外部か
ら840nmの光入力のあった場合を示す。前述の理由によ
り発振波長のジャンプしていることがわかる。
図であり、（ａ）は電流注入をした時、（ｂ）は外部か
ら840nmの光入力のあった場合を示す。前述の理由によ
り発振波長のジャンプしていることがわかる。
第３図は、注入電流Iinと840nmの外部光入力Pin（840
nm）と810nmの光出力Pout（810nm）の関係を示すタイミ
ングチャート図である。PinとPoutの関係は、光のイン
バーター動作を示しており、光入力による種々の論理演
算回路をくむことができる。従って、本発明の面発光半
導体レーザを単一半導体基板上にアレイ化すれば並列光
演算プロセッサーとなる。
nm）と810nmの光出力Pout（810nm）の関係を示すタイミ
ングチャート図である。PinとPoutの関係は、光のイン
バーター動作を示しており、光入力による種々の論理演
算回路をくむことができる。従って、本発明の面発光半
導体レーザを単一半導体基板上にアレイ化すれば並列光
演算プロセッサーとなる。
更に、本実施例の面発光半導体レーザは、埋め込みに
用いたZnS0.06Se0.94層が1GΩ以上の抵抗を有し、埋め
込み層への注入電流のもれが起こらないため、極めて有
効な電流狭窄が達成される。また埋め込み層は多層構造
にする必要がないため容易に成長でき、バッチ間の再現
性も高い。さらにGaAsに比べ屈折率が十分小さいZnS
0.06Se0.94層を用いたリブ導波路構造により、より効果
的な光の閉じ込めが実現される。
用いたZnS0.06Se0.94層が1GΩ以上の抵抗を有し、埋め
込み層への注入電流のもれが起こらないため、極めて有
効な電流狭窄が達成される。また埋め込み層は多層構造
にする必要がないため容易に成長でき、バッチ間の再現
性も高い。さらにGaAsに比べ屈折率が十分小さいZnS
0.06Se0.94層を用いたリブ導波路構造により、より効果
的な光の閉じ込めが実現される。
第４図は本発明の実施例の面発光半導体レーザの駆動
電流と量子準位ｎ＝２からの発振光出力の関係を示す図
である。室温において連続発振が達成され、しきい値1m
Aと極めて低い値を得た。また外部微分量子効率も高
く、無効電流の抑制がレーザの特性向上に貢献してい
る。
電流と量子準位ｎ＝２からの発振光出力の関係を示す図
である。室温において連続発振が達成され、しきい値1m
Aと極めて低い値を得た。また外部微分量子効率も高
く、無効電流の抑制がレーザの特性向上に貢献してい
る。
本発明の実施例の面発光半導体レーザのコンタクト層
の膜厚に関しては、0.1μｍから0.3μｍが最適で、この
範囲が素子抵抗が低く、外部微分量子効率も高い。
の膜厚に関しては、0.1μｍから0.3μｍが最適で、この
範囲が素子抵抗が低く、外部微分量子効率も高い。
更に、半導体基板をGaAsとし、量子井戸層をInGaAsに
することにより発振波長が970nmと940nmとなり、基板に
透過となる外部入力光が使用可能となる。
することにより発振波長が970nmと940nmとなり、基板に
透過となる外部入力光が使用可能となる。
更に、半導体基板をInPとし、量子井戸層をInGaAsPに
することにより発振波長が1.55μｍ帯となり、これも基
板側からの外部入力光がしよう可能となる。
することにより発振波長が1.55μｍ帯となり、これも基
板側からの外部入力光がしよう可能となる。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明の半導体レーザの構造よれ
ば、以下のような効果が得られる。
ば、以下のような効果が得られる。
（１）共振器ミラーとなる半導体多層膜の反射率ピーク
を複合化して光入力によるスイッチング特性が可能とな
る。光インバーター機能を有するので論理演算が可能で
ある。基板表面に垂直な方向に光放出する素子であるの
で２次元アレイ化が容易であり、従って、本構造により
並列光演算素子の製作が可能となる。
を複合化して光入力によるスイッチング特性が可能とな
る。光インバーター機能を有するので論理演算が可能で
ある。基板表面に垂直な方向に光放出する素子であるの
で２次元アレイ化が容易であり、従って、本構造により
並列光演算素子の製作が可能となる。
（２）埋め込みに1GΩ以上の抵抗を有するII−VI族化合
物半導体層を用いるため、注入電流のもれが起こらず、
極めて有効な電流狭窄が達成される。さらに活性層に用
いるIII−Ｖ族化合物半導体層とII−VI族化合物半導体
層とは屈折率差が大きく、従来よりも効果的な光閉じ込
めが可能となる。したがって従来困難であった室温連続
発振が容易に達成され、その発振しきい値も低く外部微
分量子効率も高い。
物半導体層を用いるため、注入電流のもれが起こらず、
極めて有効な電流狭窄が達成される。さらに活性層に用
いるIII−Ｖ族化合物半導体層とII−VI族化合物半導体
層とは屈折率差が大きく、従来よりも効果的な光閉じ込
めが可能となる。したがって従来困難であった室温連続
発振が容易に達成され、その発振しきい値も低く外部微
分量子効率も高い。
（３）埋め込み層は、III−Ｖ族化合物半導体層を用い
た場合のように、多層構造にしてpn接合を形成する必要
がないため、容易に成長でき、バッチ間の再現性も高
い。
た場合のように、多層構造にしてpn接合を形成する必要
がないため、容易に成長でき、バッチ間の再現性も高
い。
（４）埋め込みに用いるII−VI族化合物半導体層の格子
定数を柱状部の半導体層の格子定数と一致させることに
より、レーザの特性に悪影響を及ぼすII−VI族化合物半
導体層と柱状部の半導体層の間の相互拡散が抑制され、
信頼性の高い面発光レーザが得られる。
定数を柱状部の半導体層の格子定数と一致させることに
より、レーザの特性に悪影響を及ぼすII−VI族化合物半
導体層と柱状部の半導体層の間の相互拡散が抑制され、
信頼性の高い面発光レーザが得られる。
第１図は本発明の実施例における面発光半導体レーザの
発光部の断面を示す斜視図。 第２図は本発明の実施例に於ける面発光半導体レーザの
発振スペクトルを示す図であり、（ａ）は電流注入した
場合、（ｂ）は更に外部光入力のあった場合の図。 第３図は本発明の実施例に於ける面発光半導体レーザの
入力電流と光入力と光出力のタイミングチャートを示す
図。 第４図は本発明の実施例の面発光半導体レーザの駆動電
流と発振光出力の関係を示す図。 第５図は従来の面発光半導体レーザの発光部を示す斜視
図。 （101）……ｎ型オーミック電極 （102）……ｎ型GaAs基板 （103）……ｎ型GaAsバッファ層 （104）（105）……分布反射型ミラー （106）……ｎ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層 （107）……GaAs量子井戸活性層 （109）……ｐ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層 （110）……ｐ型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層 （108）……ZnS0.06Se0.94層 （111）……ｐ型オーミック電極 （112）……SiO2/α−Si誘電体多層膜 （501）……ｎ型オーミック電極 （502）……ｎ型GaAs基板 （503）……ｎ型AlGaAs/AlAs多層膜 （504）……ｎ型AlGaAsクラッド層 （505）……ｐ型GaAs活性層 （506）……ｐ型AlGaAsクラッド層 （507）……ｐ型AlGaAs （508）……ｎ型AlGaAs （509）……ｐ型AlGaAs （510）……ｐ型AlGaAsキャップ層 （511）……誘電体多層膜 （512）……ｐ型オーミック電極
発光部の断面を示す斜視図。 第２図は本発明の実施例に於ける面発光半導体レーザの
発振スペクトルを示す図であり、（ａ）は電流注入した
場合、（ｂ）は更に外部光入力のあった場合の図。 第３図は本発明の実施例に於ける面発光半導体レーザの
入力電流と光入力と光出力のタイミングチャートを示す
図。 第４図は本発明の実施例の面発光半導体レーザの駆動電
流と発振光出力の関係を示す図。 第５図は従来の面発光半導体レーザの発光部を示す斜視
図。 （101）……ｎ型オーミック電極 （102）……ｎ型GaAs基板 （103）……ｎ型GaAsバッファ層 （104）（105）……分布反射型ミラー （106）……ｎ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層 （107）……GaAs量子井戸活性層 （109）……ｐ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層 （110）……ｐ型Al0.1Ga0.9Asコンタクト層 （108）……ZnS0.06Se0.94層 （111）……ｐ型オーミック電極 （112）……SiO2/α−Si誘電体多層膜 （501）……ｎ型オーミック電極 （502）……ｎ型GaAs基板 （503）……ｎ型AlGaAs/AlAs多層膜 （504）……ｎ型AlGaAsクラッド層 （505）……ｐ型GaAs活性層 （506）……ｐ型AlGaAsクラッド層 （507）……ｐ型AlGaAs （508）……ｎ型AlGaAs （509）……ｐ型AlGaAs （510）……ｐ型AlGaAsキャップ層 （511）……誘電体多層膜 （512）……ｐ型オーミック電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−111091（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−117386（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−205381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86883（ＪＰ，Ａ) 1990年（平成２年）春季第３回応物学 会予稿集29ａ−ＳＡ−11 ｐ．933 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．25［20 ］（1989）ｐ．1377−1378 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (9)
- 【請求項１】半導体基板に垂直な方向に共振器を持ち、
該半導体基板側に半導体多層膜で形成された反射ミラー
を持ち、垂直な方向に光が出射される面発光半導体レー
ザであって、光を発する活性層が量子井戸構造を持ち、
前記半導体多層膜が、前記量子井戸構造の第一量子準位
に対応するエネルギーの波長の光に対して高反射率とな
るように構成される第一の多層膜と、第二の量子準位に
対応するエネルギーの光に対して高反射率となるように
構成される第二の多層膜を複合してなり、該半導体多層
膜において、前記第二の量子準位に対応するエネルギー
の光に対する反射率が、前記量子井戸構造の第一量子準
位に対応するエネルギーの波長の光に対する反射率より
大きいことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】前記共振器を形成する半導体層の少なくと
も一層が柱状で、該柱状の半導体層の周囲がII−VI族化
合物半導体層で埋め込まれていることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】前記活性層に対して光出射側に半導体コン
タクト層を有し、該半導体コンタクト層の膜厚が、0.1
μｍ以上3.0μｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】前記II−VI族化合物半導体層が、ZnSe、Zn
S、ZnSSe、ZnCdS、CdSSeのいずれかであることを特徴と
する請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】前記II−VI族化合物半導体層の格子定数
が、前記柱状の半導体層の格子定数と一致していること
を特徴とする請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】前記半導体基板および量子井戸構造を持つ
活性層がGaAsからなることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ。 - 【請求項７】前記半導体基板がGaAsからなり、前記量子
井戸構造を持つ活性層がInGaAsからなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】前記半導体基板がInPからなり、前記量子
井戸構造を持つ活性層がInGaAsPからなることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】外部から光を入力し、光出力のスイッチン
グを行う機能を備えた請求項１乃至８のいずれかに記載
の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251343A JP3060511B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251343A JP3060511B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130690A JPH04130690A (ja) | 1992-05-01 |
| JP3060511B2 true JP3060511B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=17221416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2251343A Expired - Lifetime JP3060511B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3060511B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2251343A patent/JP3060511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| １９９０年（平成２年）春季第３回応物学会予稿集２９ａ−ＳＡ−１１ ｐ．９３３ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．２５［２０］（１９８９）ｐ．１３７７−１３７８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04130690A (ja) | 1992-05-01 |
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