JP3055520B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル及びその製造方法に関し、更に詳細には、高
い発光効率で高輝度のＡＣ形プラズマディスプレイ及び
その製造方法に関するものである。
レイパネル及びその製造方法に関し、更に詳細には、高
い発光効率で高輝度のＡＣ形プラズマディスプレイ及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイは、放電により発
生した真空紫外線を蛍光体に照射することにより可視光
を取り出しており、交流放電現象を利用するＡＣ形と直
流放電現象を利用するＤＣ形とに分類されている。更
に、ＡＣ形プラズマディスプレイは、電極構造の違いか
ら面放電式や対向放電式等がある。
生した真空紫外線を蛍光体に照射することにより可視光
を取り出しており、交流放電現象を利用するＡＣ形と直
流放電現象を利用するＤＣ形とに分類されている。更
に、ＡＣ形プラズマディスプレイは、電極構造の違いか
ら面放電式や対向放電式等がある。
【０００３】ここで、図１０及び図１１を参照して、従
来の面放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの構成を説明
する。図１０は従来の面放電式ＡＣ形プラズマディスプ
レイの斜視図、図１１は図１０の面放電式ＡＣ形プラズ
マディスプレイの１セルの断面図である。従来の面放電
式ＡＣ形プラズマディスプレイでは、図１０及び図１１
に示すように、前面基板１の内側面上には、透明電極３
ａと、透明電極３ａに対して並列かつ平行に配置された
別の透明電極３ｂとからなる電極対３が設けられてい
る。電極対３は、透明誘電体層５及びその上のＭｇＯ保
護膜８により覆われている。一方、背面基板２の内面上
には、データ電極４が設けられ、白色誘電体層６により
覆われ、更に白色誘電体層６上に蛍光体層７が設けられ
ている。蛍光体層７とＭｇＯ保護膜８との間は、放電空
間１０となっている。
来の面放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの構成を説明
する。図１０は従来の面放電式ＡＣ形プラズマディスプ
レイの斜視図、図１１は図１０の面放電式ＡＣ形プラズ
マディスプレイの１セルの断面図である。従来の面放電
式ＡＣ形プラズマディスプレイでは、図１０及び図１１
に示すように、前面基板１の内側面上には、透明電極３
ａと、透明電極３ａに対して並列かつ平行に配置された
別の透明電極３ｂとからなる電極対３が設けられてい
る。電極対３は、透明誘電体層５及びその上のＭｇＯ保
護膜８により覆われている。一方、背面基板２の内面上
には、データ電極４が設けられ、白色誘電体層６により
覆われ、更に白色誘電体層６上に蛍光体層７が設けられ
ている。蛍光体層７とＭｇＯ保護膜８との間は、放電空
間１０となっている。
【０００４】前面基板１と背面基板２とは、電極対３と
データ電極４とを直交させるようにして向かい合い、そ
の間に、多数個のセルからなる放電空間１０を形成して
いる。各セルにはＸｅを含む混合希ガスが封入されてい
る。各セルは、隔壁１６によってある程度仕切られてい
るが、必ずしもセルの前後左右に設けられているわけで
はない。放電を維持するための信号が、透明電極３ａお
よび３ｂに与えられ、放電空間１０で放電が発生する。
このとき、放電空間１０に存在するイオンが透明電極３
ａ、３ｂ上のＭｇＯ保護膜８に入射することにより、Ｍ
ｇＯ保護膜８の表面から２次電子が放出され、放電の持
続に寄与する。
データ電極４とを直交させるようにして向かい合い、そ
の間に、多数個のセルからなる放電空間１０を形成して
いる。各セルにはＸｅを含む混合希ガスが封入されてい
る。各セルは、隔壁１６によってある程度仕切られてい
るが、必ずしもセルの前後左右に設けられているわけで
はない。放電を維持するための信号が、透明電極３ａお
よび３ｂに与えられ、放電空間１０で放電が発生する。
このとき、放電空間１０に存在するイオンが透明電極３
ａ、３ｂ上のＭｇＯ保護膜８に入射することにより、Ｍ
ｇＯ保護膜８の表面から２次電子が放出され、放電の持
続に寄与する。
【０００５】ＭｇＯは、２次電子放出係数が大きいの
で、放電電圧を低く抑えることができ、また、耐スパッ
タ性に優れているため、イオンの入射による劣化が小さ
いといった利点がある。放電によって、波長１４７ｎｍ
などの真空紫外線が、セルに封入されているＸｅを含む
混合ガスから発生し、真空紫外線が照射された蛍光体７
は可視光を発する。可視光は、直接透過して、又は白色
誘電体層６で反射して反射光となって、ＭｇＯ保護膜
８、透明誘電体層５、透明電極３ａ、３ｂ及び前面基板
１を透過して取り出される。
で、放電電圧を低く抑えることができ、また、耐スパッ
タ性に優れているため、イオンの入射による劣化が小さ
いといった利点がある。放電によって、波長１４７ｎｍ
などの真空紫外線が、セルに封入されているＸｅを含む
混合ガスから発生し、真空紫外線が照射された蛍光体７
は可視光を発する。可視光は、直接透過して、又は白色
誘電体層６で反射して反射光となって、ＭｇＯ保護膜
８、透明誘電体層５、透明電極３ａ、３ｂ及び前面基板
１を透過して取り出される。
【０００６】次に、図１２を参照して対向放電式ＡＣ形
プラズマディスプレイの構成を説明する。図１２は対向
放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの１セルの断面図で
ある。対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイでは、図
１２に示すように、背面基板２側の構造は面放電式と同
じであり、電極が電極対を構成していないことを除いて
前面基板１側の構造も同じである。前面基板１内面上に
は透明電極３ａが設けられており、背面基板２上のデー
タ電極４と直交している。対向放電式では、放電を維持
するための信号は、透明電極３ａとデータ電極４とに与
えられる。
プラズマディスプレイの構成を説明する。図１２は対向
放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの１セルの断面図で
ある。対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイでは、図
１２に示すように、背面基板２側の構造は面放電式と同
じであり、電極が電極対を構成していないことを除いて
前面基板１側の構造も同じである。前面基板１内面上に
は透明電極３ａが設けられており、背面基板２上のデー
タ電極４と直交している。対向放電式では、放電を維持
するための信号は、透明電極３ａとデータ電極４とに与
えられる。
【０００７】面放電式および対向放電式のいずれにおい
ても、放電を維持するための電極を覆っている誘電体の
保護膜としてＭｇＯが、一般に、用いられている。Ｍｇ
Ｏ保護膜の他にも、真空紫外線領域の光を透過する物質
の薄膜とＭｇＯとの複合層を保護膜として用いる技術
が、特開平９−２４５６５４号公報に開示されている。
また、ＭｇＯ1- X-YＦY （但し、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜
１）の一般式で表される弗素化マグネシヤを保護膜とし
て用いる技術が、特開平７−２０１２８０号公報に開示
されている。
ても、放電を維持するための電極を覆っている誘電体の
保護膜としてＭｇＯが、一般に、用いられている。Ｍｇ
Ｏ保護膜の他にも、真空紫外線領域の光を透過する物質
の薄膜とＭｇＯとの複合層を保護膜として用いる技術
が、特開平９−２４５６５４号公報に開示されている。
また、ＭｇＯ1- X-YＦY （但し、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜
１）の一般式で表される弗素化マグネシヤを保護膜とし
て用いる技術が、特開平７−２０１２８０号公報に開示
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
の発光効率および輝度を向上させるための一つの方法と
して、蛍光体の塗布面積を広くして、放電によりＸｅを
含む混合希ガスから発生する波長１４７ｎｍ、又は１５
０〜１９０ｎｍの真空紫外線の利用効率を大きくすると
いうことが考えられる。しかし、蛍光体は放電によって
劣化するため、放電が強い所から離れた場所に蛍光体層
を形成する必要があり、蛍光体を塗布できる場所は限定
されている。そこで、放電が強い所に蛍光体を塗布し、
塗布した蛍光体の劣化を抑えるために、蛍光体をＭｇＯ
保護膜で覆う試みがあるものの、ＭｇＯは真空紫外線を
遮蔽してしまうため、真空紫外線の利用効率は大きくな
らない。また、例えば、ＭｇＦ2 のような真空紫外線を
透過する物質を保護膜として蛍光体層上に設ける試みが
あるものの、ＭｇＦ2 は二次電子放出係数が小さいため
に放電電圧が上昇してしまうという問題がある。このよ
うに、従来の技術では、蛍光体の塗布面積を大きくし
て、発光効率が高く、高輝度のプラズマディスプレイを
実現することは難しかった。
の発光効率および輝度を向上させるための一つの方法と
して、蛍光体の塗布面積を広くして、放電によりＸｅを
含む混合希ガスから発生する波長１４７ｎｍ、又は１５
０〜１９０ｎｍの真空紫外線の利用効率を大きくすると
いうことが考えられる。しかし、蛍光体は放電によって
劣化するため、放電が強い所から離れた場所に蛍光体層
を形成する必要があり、蛍光体を塗布できる場所は限定
されている。そこで、放電が強い所に蛍光体を塗布し、
塗布した蛍光体の劣化を抑えるために、蛍光体をＭｇＯ
保護膜で覆う試みがあるものの、ＭｇＯは真空紫外線を
遮蔽してしまうため、真空紫外線の利用効率は大きくな
らない。また、例えば、ＭｇＦ2 のような真空紫外線を
透過する物質を保護膜として蛍光体層上に設ける試みが
あるものの、ＭｇＦ2 は二次電子放出係数が小さいため
に放電電圧が上昇してしまうという問題がある。このよ
うに、従来の技術では、蛍光体の塗布面積を大きくし
て、発光効率が高く、高輝度のプラズマディスプレイを
実現することは難しかった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、放電電圧を上昇
させることなく、蛍光体の塗布面積を大きくし、輝度が
高く発光効率の良好なＡＣ形プラズマディスプレイ及び
その製造方法を提供することにある。
させることなく、蛍光体の塗布面積を大きくし、輝度が
高く発光効率の良好なＡＣ形プラズマディスプレイ及び
その製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、面放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの場合には、
本発明に係るＡＣ形プラズマディスプレイは、電極と前
記電極を覆う誘電体層とが形成された第１の基板と、基
板面に平行に、かつ相互に間隙を介して延在する１対の
電極と前記一対の電極を覆う誘電体層とが形成された第
２の基板とが、放電空間を介して前記電極と前記一対の
電極とを対向させるように配置されて、１対の基板を構
成し、放電を維持する信号を前記１対の電極に印加する
ようにした、セルからなる面放電式ＡＣ形プラズマディ
スプレイにおいて、前記一対の電極を覆う誘電体層は、
ＭｇＯ層、及び、蛍光体層と前記蛍光体層上に積層され
た真空紫外線透過膜との複合層の少なくとも一方によっ
て覆われ、前記ＭｇＯ層と前記複合層とは、それぞれ、
少なくともその一部が前記放電空間に接し、前記ＭｇＯ
層は、前記誘電体層を介して前記間隙と前記１対の電極
の一部を覆うように形成されていることを特徴としてい
る。また、対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの場
合には、本発明に係るＡＣ形プラズマディスプレイは、
第１の電極と前記第１の電極を覆う誘電体層とが形成さ
れた第１の基板と、第２の電極と前記第２の電極を覆う
誘電体層とが形成された第２の基板とが、放電空間を介
して前記第１の電極と前記第２の電極とを対向させるよ
うに配置されて、１対の基板を構成し、放電を維持する
信号を前記第１の電極に印加するようにした、セルから
なる対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイにおいて、
前記第１の電極を覆う誘電体層は、ＭｇＯ層、及び、蛍
光体層と前記蛍光体層上に積層された真空紫外線透過膜
との複合層の少なくとも一方によって覆われ、前記Ｍｇ
Ｏ層と前記複合層とは、それぞれ、少なくともその一部
が前記放電空間に接し、前記ＭｇＯ層は、前記誘電体層
を介して前記第１の電極の一部を覆うように形成されて
いることを特徴としている。
に、面放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの場合には、
本発明に係るＡＣ形プラズマディスプレイは、電極と前
記電極を覆う誘電体層とが形成された第１の基板と、基
板面に平行に、かつ相互に間隙を介して延在する１対の
電極と前記一対の電極を覆う誘電体層とが形成された第
２の基板とが、放電空間を介して前記電極と前記一対の
電極とを対向させるように配置されて、１対の基板を構
成し、放電を維持する信号を前記１対の電極に印加する
ようにした、セルからなる面放電式ＡＣ形プラズマディ
スプレイにおいて、前記一対の電極を覆う誘電体層は、
ＭｇＯ層、及び、蛍光体層と前記蛍光体層上に積層され
た真空紫外線透過膜との複合層の少なくとも一方によっ
て覆われ、前記ＭｇＯ層と前記複合層とは、それぞれ、
少なくともその一部が前記放電空間に接し、前記ＭｇＯ
層は、前記誘電体層を介して前記間隙と前記１対の電極
の一部を覆うように形成されていることを特徴としてい
る。また、対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイの場
合には、本発明に係るＡＣ形プラズマディスプレイは、
第１の電極と前記第１の電極を覆う誘電体層とが形成さ
れた第１の基板と、第２の電極と前記第２の電極を覆う
誘電体層とが形成された第２の基板とが、放電空間を介
して前記第１の電極と前記第２の電極とを対向させるよ
うに配置されて、１対の基板を構成し、放電を維持する
信号を前記第１の電極に印加するようにした、セルから
なる対向放電式ＡＣ形プラズマディスプレイにおいて、
前記第１の電極を覆う誘電体層は、ＭｇＯ層、及び、蛍
光体層と前記蛍光体層上に積層された真空紫外線透過膜
との複合層の少なくとも一方によって覆われ、前記Ｍｇ
Ｏ層と前記複合層とは、それぞれ、少なくともその一部
が前記放電空間に接し、前記ＭｇＯ層は、前記誘電体層
を介して前記第１の電極の一部を覆うように形成されて
いることを特徴としている。
【００１１】本発明で、真空紫外線透過膜は、Ｍｇ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、及びＡｌ2Ｏ3 のうちのい
ずれか、又はこれらの混晶からなる膜である。ＭｇＯ層
と複合層との配置は、種々あって、例えば、前記ＭｇＯ
層は、前記誘電体を覆う前記複合層に設けられた開口領
域に、誘電体層に接して形成されている態様、前記Ｍｇ
Ｏ層が前記誘電体全面を覆い、少なくとも電極上領域を
開口するようにパターニングされた前記複合層が、更
に、前記ＭｇＯ層上に積層されている態様、及び、前記
複合層が、前記誘電体全面を覆い、少なくとも電極上領
域に存在するようにパターニングされた前記ＭｇＯ層
が、更に、前記複合層上に積層されている態様がある。
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、及びＡｌ2Ｏ3 のうちのい
ずれか、又はこれらの混晶からなる膜である。ＭｇＯ層
と複合層との配置は、種々あって、例えば、前記ＭｇＯ
層は、前記誘電体を覆う前記複合層に設けられた開口領
域に、誘電体層に接して形成されている態様、前記Ｍｇ
Ｏ層が前記誘電体全面を覆い、少なくとも電極上領域を
開口するようにパターニングされた前記複合層が、更
に、前記ＭｇＯ層上に積層されている態様、及び、前記
複合層が、前記誘電体全面を覆い、少なくとも電極上領
域に存在するようにパターニングされた前記ＭｇＯ層
が、更に、前記複合層上に積層されている態様がある。
【００１２】本発明においては、従来の構造ではＭｇＯ
膜であった領域が、蛍光体層と蛍光体層上に積層した真
空紫外線を透過する膜との複合層で覆われているので、
蛍光体層の塗布面積が大きくなり、放電から発する真空
紫外線を効率よく利用することができ、発光効率および
輝度が向上する。ＭｇＯ保護膜の少なくとも一部が透明
電極上にあるので、放電電圧の上昇が抑えられ、蛍光体
は真空紫外線を透過する膜で覆われているので、放電に
よる蛍光体の劣化が抑えられる。従って、背面基板上に
のみ蛍光体層を有する従来構造のＡＣ形プラズマディス
プレイに比べて、本発明に係るＡＣ形プラズマディスプ
レイは、前面基板上にも蛍光体層を備え、蛍光体面積を
最大２倍まで大きくすることができるので、発光効率お
よび輝度が最大２倍まで向上する。
膜であった領域が、蛍光体層と蛍光体層上に積層した真
空紫外線を透過する膜との複合層で覆われているので、
蛍光体層の塗布面積が大きくなり、放電から発する真空
紫外線を効率よく利用することができ、発光効率および
輝度が向上する。ＭｇＯ保護膜の少なくとも一部が透明
電極上にあるので、放電電圧の上昇が抑えられ、蛍光体
は真空紫外線を透過する膜で覆われているので、放電に
よる蛍光体の劣化が抑えられる。従って、背面基板上に
のみ蛍光体層を有する従来構造のＡＣ形プラズマディス
プレイに比べて、本発明に係るＡＣ形プラズマディスプ
レイは、前面基板上にも蛍光体層を備え、蛍光体面積を
最大２倍まで大きくすることができるので、発光効率お
よび輝度が最大２倍まで向上する。
【００１３】ＭｇＯ層及び複合層を成膜する方法は、任
意であって、例えば、電極、誘電体層、及びＭｇＯ保護
膜を形成した基板に、感光性物質を塗布して感光性物質
層を成膜する工程と、フォトリソグラフィ及びエッチン
グにより感光性物質層を所定のパターンにパターニング
する工程と、蛍光体層、及び蛍光体層上に真空紫外線透
過層を、順次、成膜する工程と、残留感光性物質層を除
去する工程とを有する方法がある。
意であって、例えば、電極、誘電体層、及びＭｇＯ保護
膜を形成した基板に、感光性物質を塗布して感光性物質
層を成膜する工程と、フォトリソグラフィ及びエッチン
グにより感光性物質層を所定のパターンにパターニング
する工程と、蛍光体層、及び蛍光体層上に真空紫外線透
過層を、順次、成膜する工程と、残留感光性物質層を除
去する工程とを有する方法がある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る面放電方式ＡＣ形プラズ
マディスプレイパネルの実施形態の一例であって、図１
は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマディスプレ
イパネルの１セルの断面図である。本実施形態例の面放
電方式ＡＣ形プラズマディスプレイパネル（以下、簡単
にディスプレイパネルと言う）は、図１に示すように、
放電空間１０を介して対向配置された、前面基板１と背
面基板２とを有する。前面基板１および背面基板２は厚
さが２〜５mmであって、例えば基板原料として安価なソ
ーダライムガラスで形成されている。前面基板１上に
は、それぞれ、ＳｎＯ2 又はＩＴＯ等のからなる透明電
極３ａおよび３ｂが、相互に平行に並列離隔して延在し
て、電極対３を形成している。例えば、セルピッチが１
mmの場合には、それぞれ、線幅３００〜５００μm 、厚
さ０．１〜２μm の透明電極３ａ及び３ｂが、１００〜
３００μm の間隔で相互に平行に離隔して延在してい
る。そして、電極対３を覆うように低融点ガラスからな
る厚さ１０〜４０μm の透明誘電体層５が形成されてい
る。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る面放電方式ＡＣ形プラズ
マディスプレイパネルの実施形態の一例であって、図１
は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマディスプレ
イパネルの１セルの断面図である。本実施形態例の面放
電方式ＡＣ形プラズマディスプレイパネル（以下、簡単
にディスプレイパネルと言う）は、図１に示すように、
放電空間１０を介して対向配置された、前面基板１と背
面基板２とを有する。前面基板１および背面基板２は厚
さが２〜５mmであって、例えば基板原料として安価なソ
ーダライムガラスで形成されている。前面基板１上に
は、それぞれ、ＳｎＯ2 又はＩＴＯ等のからなる透明電
極３ａおよび３ｂが、相互に平行に並列離隔して延在し
て、電極対３を形成している。例えば、セルピッチが１
mmの場合には、それぞれ、線幅３００〜５００μm 、厚
さ０．１〜２μm の透明電極３ａ及び３ｂが、１００〜
３００μm の間隔で相互に平行に離隔して延在してい
る。そして、電極対３を覆うように低融点ガラスからな
る厚さ１０〜４０μm の透明誘電体層５が形成されてい
る。
【００１５】透明誘電体層５上には、蛍光体層９ａと、
１４７ｎｍ及び１５０〜１９０ｎｍの真空紫外線を透過
するＭｇＦ2 保護膜９ｂとの積層複合層領域９と、Ｍｇ
Ｏ保護膜８の領域との二つの領域が形成されている。Ｍ
ｇＯ保護膜８の領域８ｃは、透明電極３ａを覆う８ａ領
域と、透明電極３ｂを覆う８ｂ領域と、透明電極３ａと
透明電極３ｂとの間を覆う８ｄ領域とから構成されてい
る。ＭｇＦ2 保護膜９ｂの代わりに、１４７ｎｍおよび
１５０〜１９０ｎｍ真空紫外線を透過するＣａＦ2 、Ｓ
ｒＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等を用いても良い。また、これらの
混晶を用いても良い。ＭｇＯ保護膜８及びＭｇＦ2 保護
膜９ｂの膜厚は、プロセスの容易さと耐久性の点からか
らそれぞれ０．５〜２μm 程度とすることが望ましい
が、この範囲を超えて、厚くても、薄くてもよい。蛍光
体層９ａの厚さは、２〜２０μｍ程度である。ＭｇＯ保
護膜８と複合層９とは、境界で相互に積層されていても
いなくてもかまわないが、ＭｇＯ保護膜８及びＭｇＦ2
保護膜９ｂの少なくとも一部が放電空間１０に接するよ
うに形成し、ＭｇＯ保護膜８が放電空間１０に接してい
る領域８ｃは、透明電極３ａと３ｂのそれぞれ一部を覆
うように形成されている。ＭｇＦ2 保護膜９ｂは、蛍光
体層９ａを完全に覆っていれば良く、複合層９が蛍光体
層９ａとのＭｇＦ2 保護膜９ｂとの積層ではなく、一部
がＭｇＦ2 保護膜９ｂだけから成っていても良い。
１４７ｎｍ及び１５０〜１９０ｎｍの真空紫外線を透過
するＭｇＦ2 保護膜９ｂとの積層複合層領域９と、Ｍｇ
Ｏ保護膜８の領域との二つの領域が形成されている。Ｍ
ｇＯ保護膜８の領域８ｃは、透明電極３ａを覆う８ａ領
域と、透明電極３ｂを覆う８ｂ領域と、透明電極３ａと
透明電極３ｂとの間を覆う８ｄ領域とから構成されてい
る。ＭｇＦ2 保護膜９ｂの代わりに、１４７ｎｍおよび
１５０〜１９０ｎｍ真空紫外線を透過するＣａＦ2 、Ｓ
ｒＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等を用いても良い。また、これらの
混晶を用いても良い。ＭｇＯ保護膜８及びＭｇＦ2 保護
膜９ｂの膜厚は、プロセスの容易さと耐久性の点からか
らそれぞれ０．５〜２μm 程度とすることが望ましい
が、この範囲を超えて、厚くても、薄くてもよい。蛍光
体層９ａの厚さは、２〜２０μｍ程度である。ＭｇＯ保
護膜８と複合層９とは、境界で相互に積層されていても
いなくてもかまわないが、ＭｇＯ保護膜８及びＭｇＦ2
保護膜９ｂの少なくとも一部が放電空間１０に接するよ
うに形成し、ＭｇＯ保護膜８が放電空間１０に接してい
る領域８ｃは、透明電極３ａと３ｂのそれぞれ一部を覆
うように形成されている。ＭｇＦ2 保護膜９ｂは、蛍光
体層９ａを完全に覆っていれば良く、複合層９が蛍光体
層９ａとのＭｇＦ2 保護膜９ｂとの積層ではなく、一部
がＭｇＦ2 保護膜９ｂだけから成っていても良い。
【００１６】面放電式では、透明電極３ａと３ｂ間の電
位差により維持放電が発生し、特に透明電極３ａ、３ｂ
の対向側縁上で放電が強いので、誘電体の劣化を抑え、
かつ放電電圧の上昇を抑えるため、本実施形態例のよう
に、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接している領
域８ｃが、透明電極３ａ及び３ｂ上の領域８ａ、８ｂと
電極間領域８ｄ上を覆うように、連続して延在している
ことが望ましい。
位差により維持放電が発生し、特に透明電極３ａ、３ｂ
の対向側縁上で放電が強いので、誘電体の劣化を抑え、
かつ放電電圧の上昇を抑えるため、本実施形態例のよう
に、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接している領
域８ｃが、透明電極３ａ及び３ｂ上の領域８ａ、８ｂと
電極間領域８ｄ上を覆うように、連続して延在している
ことが望ましい。
【００１７】複合層９のうち放電空間１０に接している
面積が大きいほど、真空紫外線利用効率は大きいので、
ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接している部分８
ｃは透明電極３ａ、３ｂと電極間上だけにあることが望
ましい。特に、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接
し、かつ透明電極３ａ( ３ｂ) 上にある部分８ａ( ８
ｂ) の面積が、透明電極３ａ( ３ｂ) の面積の８０％以
下であれば、発光効率および輝度の向上が大きい。放電
電圧の上昇を抑えるためには、ＭｇＯ保護膜８のうち放
電空間１０に接しかつ透明電極３ａ( ３ｂ) 上にある部
分８ａ( ８ｂ) の面積が、透明電極３ａ(３ｂ) の面積
の２０％以上であることが望ましい。２０％未満では放
電電圧の著しい上昇が見られる。
面積が大きいほど、真空紫外線利用効率は大きいので、
ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接している部分８
ｃは透明電極３ａ、３ｂと電極間上だけにあることが望
ましい。特に、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間１０に接
し、かつ透明電極３ａ( ３ｂ) 上にある部分８ａ( ８
ｂ) の面積が、透明電極３ａ( ３ｂ) の面積の８０％以
下であれば、発光効率および輝度の向上が大きい。放電
電圧の上昇を抑えるためには、ＭｇＯ保護膜８のうち放
電空間１０に接しかつ透明電極３ａ( ３ｂ) 上にある部
分８ａ( ８ｂ) の面積が、透明電極３ａ(３ｂ) の面積
の２０％以上であることが望ましい。２０％未満では放
電電圧の著しい上昇が見られる。
【００１８】ＭｇＯ保護膜８が放電空間１０に接してい
る領域８ｃの形状は、任意であって、前面基板１と背面
基板２とを張り合わせるプロセスの容易さから、透明電
極３ａ、３ｂと平行なストライプ状であることが望まし
いが、必ずしもストライプ状でなくてよい。背面基板２
上には、データ電極４が形成され、その上に厚さ１０〜
４０μm の白色誘電体層６と厚さ５〜３０μｍの蛍光体
層７が形成されている。本実施形態例では、背面基板２
側に加え、前面基板１にも蛍光体層を設けているので、
背面基板２側にのみ蛍光体層を有する従来例に比べて、
真空紫外線利用率が最大２倍まで大きくなり、発光効率
は最大２倍まで向上する。
る領域８ｃの形状は、任意であって、前面基板１と背面
基板２とを張り合わせるプロセスの容易さから、透明電
極３ａ、３ｂと平行なストライプ状であることが望まし
いが、必ずしもストライプ状でなくてよい。背面基板２
上には、データ電極４が形成され、その上に厚さ１０〜
４０μm の白色誘電体層６と厚さ５〜３０μｍの蛍光体
層７が形成されている。本実施形態例では、背面基板２
側に加え、前面基板１にも蛍光体層を設けているので、
背面基板２側にのみ蛍光体層を有する従来例に比べて、
真空紫外線利用率が最大２倍まで大きくなり、発光効率
は最大２倍まで向上する。
【００１９】実施形態例２ 本実施形態例は、本発明に係る面放電方式ＡＣ形プラズ
マディスプレイパネルの実施形態の別の例であって、図
２は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマディスプ
レイパネルの１セルの断面図である。本実施形態例のプ
ラズマディスプレイパネルは、図２に示すように、背面
基板２側には実施形態例１と同じ構造を有し、前面基板
１側も、前面基板１上に透明電極３ａ、３ｂからなる電
極対３、及びそれを覆う透明誘電体層５を備えているこ
とは実施形態例１と同じである。透明誘電体層５の全面
が、ＭｇＯ保護膜８により覆われ、ＭｇＯ保護膜８は、
放電空間１０に接っしているＭｇＯ保護膜領域８ｃを除
く領域で、実施形態例１と同じ構成の複合層９により覆
われている。即ち、実施形態例２のプラズマディスプレ
イパネルでは、透明誘電体層８が、ＭｇＯ保護膜８で覆
われ、更に領域８ｃを開口した複合層９で覆われてい
る。
マディスプレイパネルの実施形態の別の例であって、図
２は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマディスプ
レイパネルの１セルの断面図である。本実施形態例のプ
ラズマディスプレイパネルは、図２に示すように、背面
基板２側には実施形態例１と同じ構造を有し、前面基板
１側も、前面基板１上に透明電極３ａ、３ｂからなる電
極対３、及びそれを覆う透明誘電体層５を備えているこ
とは実施形態例１と同じである。透明誘電体層５の全面
が、ＭｇＯ保護膜８により覆われ、ＭｇＯ保護膜８は、
放電空間１０に接っしているＭｇＯ保護膜領域８ｃを除
く領域で、実施形態例１と同じ構成の複合層９により覆
われている。即ち、実施形態例２のプラズマディスプレ
イパネルでは、透明誘電体層８が、ＭｇＯ保護膜８で覆
われ、更に領域８ｃを開口した複合層９で覆われてい
る。
【００２０】次に、図３を参照して、実施形態例２のプ
ラズマディスプレイパネルを製作する際に、保護膜を形
成する方法を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）、及び図４
（ｅ）〜（ｈ）は、実施形態例２のプラズマディスプレ
イパネルの保護膜を形成する際の各工程毎の断面図であ
る。先ず、前面基板１上に、例えばスパッタデポジショ
ンによりＳｎＯ2 膜を成膜し、図３（ａ）に示すよう
に、パターニングしてＳｎＯ2 膜からなる透明電極３
ａ、３ｂの電極対３を形成し、次いで低融点ガラスペー
ストを厚膜印刷した後、焼成して透明誘電体層５を形成
する。次に、図３（ｂ）に示すように、電子ビーム蒸着
によりＭｇＯ保護膜８を透明誘電体層５上に形成する。
次いで、図３（ｃ）に示すように、ＭｇＯ保護膜８上に
感光性物質層１１を塗布、成膜し、続いて、図３（ｄ）
に示すように、ホトマスク１２を重ね、露光装置で紫外
線１３を照射して、図４（ｅ）に示すように、ＭｇＯ保
護膜８上の感光性物質層１１をパターン化する。次に、
図４（ｆ）に示すように、蛍光体層９ａをＭｇＯ保護膜
８上に形成し、更に、図４（ｇ）に示すように、ＭｇＦ
2 ９ｂを蛍光体層９ａ上に電子ビーム蒸着により成膜す
る。最後に、図４（ｈ）に示すように、残留している感
光性物質１１とその上に堆積したＭｇＦ2 を除去する
と、領域８ｃを開口し、ＭｇＯ保護膜８を露出させた積
層複合層９を形成することができる。
ラズマディスプレイパネルを製作する際に、保護膜を形
成する方法を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）、及び図４
（ｅ）〜（ｈ）は、実施形態例２のプラズマディスプレ
イパネルの保護膜を形成する際の各工程毎の断面図であ
る。先ず、前面基板１上に、例えばスパッタデポジショ
ンによりＳｎＯ2 膜を成膜し、図３（ａ）に示すよう
に、パターニングしてＳｎＯ2 膜からなる透明電極３
ａ、３ｂの電極対３を形成し、次いで低融点ガラスペー
ストを厚膜印刷した後、焼成して透明誘電体層５を形成
する。次に、図３（ｂ）に示すように、電子ビーム蒸着
によりＭｇＯ保護膜８を透明誘電体層５上に形成する。
次いで、図３（ｃ）に示すように、ＭｇＯ保護膜８上に
感光性物質層１１を塗布、成膜し、続いて、図３（ｄ）
に示すように、ホトマスク１２を重ね、露光装置で紫外
線１３を照射して、図４（ｅ）に示すように、ＭｇＯ保
護膜８上の感光性物質層１１をパターン化する。次に、
図４（ｆ）に示すように、蛍光体層９ａをＭｇＯ保護膜
８上に形成し、更に、図４（ｇ）に示すように、ＭｇＦ
2 ９ｂを蛍光体層９ａ上に電子ビーム蒸着により成膜す
る。最後に、図４（ｈ）に示すように、残留している感
光性物質１１とその上に堆積したＭｇＦ2 を除去する
と、領域８ｃを開口し、ＭｇＯ保護膜８を露出させた積
層複合層９を形成することができる。
【００２１】実施形態例３ 本実施形態例は、本発明に係る面放電方式ＡＣ形プラズ
マディスプレイパネルの実施形態の更に別の例であっ
て、図５は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマデ
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。本実施形態
例のプラズマディスプレイパネルは、背面基板２側には
実施形態例１と同じ構造を有し、前面基板１側も、前面
基板１上に電極対３および透明誘電体層５を有すること
は実施形態例１と同じである。透明誘電体層５上を複合
層９で覆い、領域８ｃで開口するようにパターン化した
ＭｇＯ保護膜８を複合層９上に設けることにより、実施
形態例１と同じ範囲で、放電空間１０に接っしているＭ
ｇＯ保護膜領域８ｃを備えている。
マディスプレイパネルの実施形態の更に別の例であっ
て、図５は本実施形態例の面放電方式ＡＣ形プラズマデ
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。本実施形態
例のプラズマディスプレイパネルは、背面基板２側には
実施形態例１と同じ構造を有し、前面基板１側も、前面
基板１上に電極対３および透明誘電体層５を有すること
は実施形態例１と同じである。透明誘電体層５上を複合
層９で覆い、領域８ｃで開口するようにパターン化した
ＭｇＯ保護膜８を複合層９上に設けることにより、実施
形態例１と同じ範囲で、放電空間１０に接っしているＭ
ｇＯ保護膜領域８ｃを備えている。
【００２２】次に、図６を参照して、実施形態例３のプ
ラズマディスプレイパネルを製作する際に、保護膜を形
成する方法を説明する。図６（ａ）〜（ｅ）は、実施形
態例３のプラズマディスプレイパネルの保護膜を形成す
る際の各工程毎の断面図である。先ず、図６（ａ）に示
すように、実施形態例２と同様にして、前面基板１に透
明電極３ａ、３ｂ及び透明誘電体層５を形成する。次
に、図６（ｂ）に示すように、透明誘電体層５上に蛍光
体層９ａを成膜する。続いて、図６（ｃ）に示すよう
に、電子ビーム蒸着によりＭｇＦ2 保護膜９ｂを蛍光体
層９ａ上に成膜する。次に、図６（ｄ）に示すように、
金属マスク１４で覆い、ＭｇＯ保護膜８を電子ビーム蒸
着１５によりパターン化して、図６（ｅ）に示すパター
ン化されたＭｇＯ保護膜８をＭｇＦ2 保護膜９ｂ上に形
成する。ＭｇＯ保護膜８のパターン化は、別法として、
ＭｇＦ2 保護膜９ｂを形成した後、実施形態例２と同様
に、感光性物質を塗布し、ホトマスクを重ね、露光装置
で紫外線を照射して感光性物質をパターン化した後、Ｍ
ｇＯを電子ビーム蒸着により成膜し、残留している感光
性物質とその上に堆積したＭｇＯを除去することにより
行っても良い。
ラズマディスプレイパネルを製作する際に、保護膜を形
成する方法を説明する。図６（ａ）〜（ｅ）は、実施形
態例３のプラズマディスプレイパネルの保護膜を形成す
る際の各工程毎の断面図である。先ず、図６（ａ）に示
すように、実施形態例２と同様にして、前面基板１に透
明電極３ａ、３ｂ及び透明誘電体層５を形成する。次
に、図６（ｂ）に示すように、透明誘電体層５上に蛍光
体層９ａを成膜する。続いて、図６（ｃ）に示すよう
に、電子ビーム蒸着によりＭｇＦ2 保護膜９ｂを蛍光体
層９ａ上に成膜する。次に、図６（ｄ）に示すように、
金属マスク１４で覆い、ＭｇＯ保護膜８を電子ビーム蒸
着１５によりパターン化して、図６（ｅ）に示すパター
ン化されたＭｇＯ保護膜８をＭｇＦ2 保護膜９ｂ上に形
成する。ＭｇＯ保護膜８のパターン化は、別法として、
ＭｇＦ2 保護膜９ｂを形成した後、実施形態例２と同様
に、感光性物質を塗布し、ホトマスクを重ね、露光装置
で紫外線を照射して感光性物質をパターン化した後、Ｍ
ｇＯを電子ビーム蒸着により成膜し、残留している感光
性物質とその上に堆積したＭｇＯを除去することにより
行っても良い。
【００２３】実施形態例４ 本実施形態例は、本発明に係る対向放電方式ＡＣ形プラ
ズマディスプレイパネルの実施形態の例であって、図７
は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマディスプ
レイパネルの１セルの断面図である。本実施形態例のプ
ラズマディスプレイパネルは、前面基板１上に透明電極
３ａ及び透明電極３ａを覆う透明誘電体層５を備え、透
明電極３ａと少なくとも一部重なる領域８ｃで透明誘電
体層５上に設けられたＭｇＯ保護膜８と、ＭｇＯ保護膜
８を除く領域に設けられた複合層９とを有する。対向放
電式では、前面基板上の透明電極３ａと背面基板上のデ
ータ電極４との間で維持放電が発生するので、放電電圧
の上昇を抑えるために、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間
に接し、かつ透明電極３ａ上にある領域８ｃは、透明電
極３ａ上だけにあって、その面積は透明電極３ａの電極
面積の２０％以上であることが望ましい。また、領域８
ｃの面積が透明電極３ａの８０％以下で、発光効率およ
び輝度の向上が大きい。
ズマディスプレイパネルの実施形態の例であって、図７
は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマディスプ
レイパネルの１セルの断面図である。本実施形態例のプ
ラズマディスプレイパネルは、前面基板１上に透明電極
３ａ及び透明電極３ａを覆う透明誘電体層５を備え、透
明電極３ａと少なくとも一部重なる領域８ｃで透明誘電
体層５上に設けられたＭｇＯ保護膜８と、ＭｇＯ保護膜
８を除く領域に設けられた複合層９とを有する。対向放
電式では、前面基板上の透明電極３ａと背面基板上のデ
ータ電極４との間で維持放電が発生するので、放電電圧
の上昇を抑えるために、ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間
に接し、かつ透明電極３ａ上にある領域８ｃは、透明電
極３ａ上だけにあって、その面積は透明電極３ａの電極
面積の２０％以上であることが望ましい。また、領域８
ｃの面積が透明電極３ａの８０％以下で、発光効率およ
び輝度の向上が大きい。
【００２４】実施形態例５ 本実施形態例は、本発明に係る対向放電方式ＡＣ形プラ
ズマディスプレイパネルの実施形態の別の例であって、
図８は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマディ
スプレイパネルの１セルの断面図である。前面基板１上
に透明電極３ａおよび透明誘電体層５を形成し、透明誘
電体層５上をＭｇＯ保護膜８で覆い、少なくとも透明電
極３ａと一部重なるような領域８ｃを開口するようにパ
ターン化した複合層９が設けられている。
ズマディスプレイパネルの実施形態の別の例であって、
図８は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマディ
スプレイパネルの１セルの断面図である。前面基板１上
に透明電極３ａおよび透明誘電体層５を形成し、透明誘
電体層５上をＭｇＯ保護膜８で覆い、少なくとも透明電
極３ａと一部重なるような領域８ｃを開口するようにパ
ターン化した複合層９が設けられている。
【００２５】実施形態例６ 本実施形態例は、本発明に係る対向放電方式ＡＣ形プラ
ズマディスプレイパネルの実施形態の更に別の例であっ
て、図９は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマ
ディスプレイパネルの１セルの断面図である。前面基板
側は前面基板１上に電極対３および透明誘電体層５を形
成し、透明誘電体層５上を複合層９で覆い、透明電極３
ａと少なくとも一部重なる領域８ｃに存在するようにパ
ターン化したＭｇＯ保護膜８が設けられている。
ズマディスプレイパネルの実施形態の更に別の例であっ
て、図９は本実施形態例の対向放電方式ＡＣ形プラズマ
ディスプレイパネルの１セルの断面図である。前面基板
側は前面基板１上に電極対３および透明誘電体層５を形
成し、透明誘電体層５上を複合層９で覆い、透明電極３
ａと少なくとも一部重なる領域８ｃに存在するようにパ
ターン化したＭｇＯ保護膜８が設けられている。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ＭｇＯ層、及び、蛍光
体層と蛍光体層上に積層した真空紫外線透過膜との複合
層の少なくとも一方で誘電体層を覆い、ＭｇＯ層と前記
複合層とが、それぞれ、放電空間に接し、かつ、ＭｇＯ
層の放電空間に接している領域の少なくとも一部が電極
上に位置するようにすることにより、ＭｇＯ層で覆う領
域が減少しているにもかかわらず、放電電圧の上昇を防
ぎ、蛍光体層と真空紫外線透過膜を積層させた複合層に
より真空紫外線利用率を向上させることができるので、
放電電圧を上昇させることなく、発光効率及び輝度を大
幅に向上させたＡＣ形プラズマディスプレイを実現でき
る。本発明によれば、例えば背面基板上にのみ蛍光体層
を有する従来のＡＣ形プラズマディスプレイの発光効率
及び輝度を最大２倍まで向上できる。
体層と蛍光体層上に積層した真空紫外線透過膜との複合
層の少なくとも一方で誘電体層を覆い、ＭｇＯ層と前記
複合層とが、それぞれ、放電空間に接し、かつ、ＭｇＯ
層の放電空間に接している領域の少なくとも一部が電極
上に位置するようにすることにより、ＭｇＯ層で覆う領
域が減少しているにもかかわらず、放電電圧の上昇を防
ぎ、蛍光体層と真空紫外線透過膜を積層させた複合層に
より真空紫外線利用率を向上させることができるので、
放電電圧を上昇させることなく、発光効率及び輝度を大
幅に向上させたＡＣ形プラズマディスプレイを実現でき
る。本発明によれば、例えば背面基板上にのみ蛍光体層
を有する従来のＡＣ形プラズマディスプレイの発光効率
及び輝度を最大２倍まで向上できる。
【図１】実施形態例１の面放電方式ＡＣ形プラズマディ
スプレイパネルの１セルの断面図である。
スプレイパネルの１セルの断面図である。
【図２】実施形態例２の面放電方式ＡＣ形プラズマディ
スプレイパネルの１セルの断面図である。
スプレイパネルの１セルの断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、実施形態例２のプラズ
マディスプレイパネルの保護膜を形成する際の各工程毎
の断面図である。
マディスプレイパネルの保護膜を形成する際の各工程毎
の断面図である。
【図４】図４（ｅ）〜（ｈ）は、図３（ｄ）に続く、実
施形態例２のプラズマディスプレイパネルの保護膜を形
成する際の各工程毎の断面図である。
施形態例２のプラズマディスプレイパネルの保護膜を形
成する際の各工程毎の断面図である。
【図５】実施形態例３の面放電方式ＡＣ形プラズマディ
スプレイパネルの１セルの断面図である。
スプレイパネルの１セルの断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、実施形態例３のプラズ
マディスプレイパネルの保護膜を形成する際の各工程毎
の断面図である。
マディスプレイパネルの保護膜を形成する際の各工程毎
の断面図である。
【図７】実施形態例４の対向放電方式ＡＣ形プラズマデ
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
【図８】実施形態例５の対向放電方式ＡＣ形プラズマデ
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
【図９】実施形態例６の対向放電方式ＡＣ形プラズマデ
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
ィスプレイパネルの１セルの断面図である。
【図１０】従来の面放電式ＡＣ形プラズマディスプレイ
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
【図１１】従来の面放電方式ＡＣ形プラズマディスプレ
イパネルの１セルの断面図である。
イパネルの１セルの断面図である。
【図１２】従来の対向放電方式ＡＣ形プラズマディスプ
レイパネルの１セルの断面図である。
レイパネルの１セルの断面図である。
１ 前面基板 ２ 背面基板 ３ａ、３ｂ 透明電極 ３ 電極対 ４ データ電極 ５ 透明誘電体層 ６ 白色誘電体層 ７ 蛍光体 ８ ＭｇＯ保護膜 ８ａ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接し、かつ透明
電極３ａ上にある領域 ８ｂ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接し、かつ透明
電極３ｂ上にある領域 ８ｃ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接している領域 ８ｄ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接し，かつ透明
電極３ａ、３ｂ間上にある領域 ９ 複合層 ９ａ 蛍光体 ９ｂ ＭｇＦ2 保護膜 １０ 放電空間 １１ 感光性物質層 １２ ホトマスク １３ 紫外線 １４ 金属マスク １５ 蒸発ＭｇＯ １６ 隔壁
電極３ａ上にある領域 ８ｂ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接し、かつ透明
電極３ｂ上にある領域 ８ｃ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接している領域 ８ｄ ＭｇＯ保護膜８のうち放電空間に接し，かつ透明
電極３ａ、３ｂ間上にある領域 ９ 複合層 ９ａ 蛍光体 ９ｂ ＭｇＦ2 保護膜 １０ 放電空間 １１ 感光性物質層 １２ ホトマスク １３ 紫外線 １４ 金属マスク １５ 蒸発ＭｇＯ １６ 隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/02 H01J 9/02
Claims (10)
- 【請求項１】 電極と前記電極を覆う誘電体層とが形成
された第１の基板と、基板面に平行に、かつ相互に間隙
を介して延在する１対の電極と前記一対の電極を覆う誘
電体層とが形成された第２の基板とが、放電空間を介し
て前記電極と前記一対の電極とを対向させるように配置
されて、１対の基板を構成し、放電を維持する信号を前
記１対の電極に印加するようにした、セルからなる面放
電式ＡＣ形プラズマディスプレイにおいて、 前記一対の電極を覆う誘電体層は、ＭｇＯ層、及び、蛍
光体層と前記蛍光体層上に積層された真空紫外線透過膜
との複合層の少なくとも一方によって覆われ、前記Ｍｇ
Ｏ層と前記複合層とは、それぞれ、少なくともその一部
が前記放電空間に接し、 前記ＭｇＯ層は、前記誘電体層を介して前記間隙と前記
１対の電極の一部を覆うように形成されていることを特
徴とするＡＣ形プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記放電空間に接している前記ＭｇＯ層
のうち前記１対の電極の各電極上に存在する領域の面積
が、前記一対の電極の電極面積の２０％以上、８０％以
下であることを特徴とする請求項１に記載のＡＣ形プラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記ＭｇＯ層が、前記誘電体全面を覆
い、前記間隙上の領域及び前記１対の電極の各電極上の
領域の一部を開口するようにパターニングされた前記複
合層が、更に、前記ＭｇＯ層上に積層されていることを
特徴とする請求項１または２記載のＡＣ形プラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項４】 第１の電極と前記第１の電極を覆う誘電
体層とが形成された第１の基板と、第２の電極と前記第
２の電極を覆う誘電体層とが形成された第２の基板と
が、放電空間を介して前記第１の電極と前記第２の電極
とを対向させるように配置されて、１対の基板を構成
し、放電を維持する信号を前記第１の電極に印加するよ
うにした、セルからなる対向放電式ＡＣ形プラズマディ
スプレイにおいて、 前記第１の電極を覆う誘電体層は、ＭｇＯ層、及び、蛍
光体層と前記蛍光体層上に積層された真空紫外線透過膜
との複合層の少なくとも一方によって覆われ、前記Ｍｇ
Ｏ層と前記複合層とは、それぞれ、少なくともその一部
が前記放電空間に接し、 前記ＭｇＯ層は、前記誘電体層を介して前記第１の電極
の一部を覆うように形成されていることを特徴とするＡ
Ｃ形プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記放電空間に接している前記ＭｇＯ層
のうち前記第１の電極上に存在する領域の面積が、前記
第１の電極の電極面積の２０％以上、８０％以下である
ことを特徴とする請求項４に記載のＡＣ形プラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項６】 前記ＭｇＯ層が、前記誘電体全面を覆
い、前記第１の電極上の領域の一部を開口するようにパ
ターニングされた前記複合層が、更に、前記ＭｇＯ層上
に積層されていることを特徴とする請求項４または５記
載のＡＣ形プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記放電空間と接する前記ＭｇＯ層の下
層に、前記複合層が形成されていることを特徴とする請
求項１、２、４及び５のうちのいずれか１項に記載のＡ
Ｃ形プラズマディスプレイ。 - 【請求項８】 前記真空紫外線透過膜は、ＭｇＦ2 、Ｃ
ａＦ2 、ＳｒＦ2 及びＡｌ2 Ｏ3 のうちのいずれか、又
はこれらの混晶からなる膜であることを特徴とする請求
項１から７のうちのいずれか１項に記載のＡＣ形プラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項９】 電極、誘電体層、及びＭｇＯ保護膜を形
成した基板に、感光性物質を塗布して感光性物質層を成
膜する工程と、 露光及び現像により感光性物質層を所定のパターンにパ
ターニングする工程と、 蛍光体層、及び蛍光体層上に真空紫外線透過層を、順
次、成膜する工程と、 残留感光性物質層を除去する工程とを有することを特徴
とするＡＣ形プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記真空紫外線透過膜は、ＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、ＳｒＦ2及びＡｌ2 Ｏ3 のうちのいずれか、
又はこれらの混晶からなる膜であることを特徴とする請
求項９に記載のＡＣ形プラズマディスプレイパネルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168898A JP3055520B2 (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP4168898A JP3055520B2 (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
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ID=12615375
Family Applications (1)
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1998
- 1998-02-24 JP JP4168898A patent/JP3055520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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