JP3053183B1 - 磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融 - Google Patents
磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
【要約】
【目的】 磁気力を擬似微小重力場に利用し、浮遊状態
で被処理物質を溶融・冷却し、理想的な形状や表面をも
つ材料を得る 【構成】 勾配のある強磁場に被溶融物質６を配置し、
磁場勾配で発生した磁気力で被溶融物質６を浮遊状態に
維持し、加熱光源７からの光線又は熱線照射或いは抵抗
加熱ヒータで浮遊状態にある被溶融物質加熱溶融する。
次いで、光線又は熱線照射又はヒータ加熱を中止し、溶
融した被溶融物質を浮遊状態のままで冷却する。
で被処理物質を溶融・冷却し、理想的な形状や表面をも
つ材料を得る 【構成】 勾配のある強磁場に被溶融物質６を配置し、
磁場勾配で発生した磁気力で被溶融物質６を浮遊状態に
維持し、加熱光源７からの光線又は熱線照射或いは抵抗
加熱ヒータで浮遊状態にある被溶融物質加熱溶融する。
次いで、光線又は熱線照射又はヒータ加熱を中止し、溶
融した被溶融物質を浮遊状態のままで冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁場勾配により発生す
る磁気力で被溶融物質を浮遊状態に維持し、加熱，溶
融，冷却する方法，装置及び製造された球状物質に関す
る。
る磁気力で被溶融物質を浮遊状態に維持し、加熱，溶
融，冷却する方法，装置及び製造された球状物質に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子技術，光技術を始めとする先端技術
の進展に伴って、極めて高い純度や極めて理想的な形状
及び表面をもつ材料が要求されるようになってきた。一
般に材料の溶製段階ではルツボ，鋳型等の容器が使用さ
れるが、この方法では容器によって材料が汚染される虞
れがある。そこで、容器による汚染を解消するため、容
器を使用することなく溶融・溶製する方法が開発されて
いる。容器を使用することなく物質を合成する高温溶融
方法としては、静電浮遊，電磁浮遊，ガス流浮遊，超音
波浮遊等の重力場での浮遊状態や、ロケット，飛行機，
落下塔等、自由落下による微小重力状態の溶融炉が利用
されている。微小重力浮遊状態での材料溶製は、１９９
２年に音波浮遊炉を用いて宇宙空間で実験され、有用性
が認識されている。しかし、経済性が重視される産業に
利用可能とするためには、宇宙空間の代替となる浮遊状
態を地上においても利用できる技術の確立が必要にな
る。
の進展に伴って、極めて高い純度や極めて理想的な形状
及び表面をもつ材料が要求されるようになってきた。一
般に材料の溶製段階ではルツボ，鋳型等の容器が使用さ
れるが、この方法では容器によって材料が汚染される虞
れがある。そこで、容器による汚染を解消するため、容
器を使用することなく溶融・溶製する方法が開発されて
いる。容器を使用することなく物質を合成する高温溶融
方法としては、静電浮遊，電磁浮遊，ガス流浮遊，超音
波浮遊等の重力場での浮遊状態や、ロケット，飛行機，
落下塔等、自由落下による微小重力状態の溶融炉が利用
されている。微小重力浮遊状態での材料溶製は、１９９
２年に音波浮遊炉を用いて宇宙空間で実験され、有用性
が認識されている。しかし、経済性が重視される産業に
利用可能とするためには、宇宙空間の代替となる浮遊状
態を地上においても利用できる技術の確立が必要にな
る。
【０００３】静電気を利用する方法では、被処理物質を
帯電させ、電場によって発生した引力又は斥力で被処理
物質を浮遊させる。この方法で安定な浮遊状態を得るた
めには、電場の安定点を形成し、その中心に帯電物質を
浮遊させることが必要になる。しかし、安定点をもった
電場の発生が困難であること、更に溶融状態の維持に必
要な高温雰囲気では電荷保持に問題があることから、処
理物質の化学組成やサイズに制約が加わる。電磁誘導を
利用する方法では、変動する磁場によって被処理物質の
内部に反電流を発生させ、そのときに生じる反発力で被
処理物質を浮遊させている。この場合、被処理物質が導
電性であることが必要とされ、たとえばガラスのような
絶縁体では浮遊力が生じない。
帯電させ、電場によって発生した引力又は斥力で被処理
物質を浮遊させる。この方法で安定な浮遊状態を得るた
めには、電場の安定点を形成し、その中心に帯電物質を
浮遊させることが必要になる。しかし、安定点をもった
電場の発生が困難であること、更に溶融状態の維持に必
要な高温雰囲気では電荷保持に問題があることから、処
理物質の化学組成やサイズに制約が加わる。電磁誘導を
利用する方法では、変動する磁場によって被処理物質の
内部に反電流を発生させ、そのときに生じる反発力で被
処理物質を浮遊させている。この場合、被処理物質が導
電性であることが必要とされ、たとえばガラスのような
絶縁体では浮遊力が生じない。
【０００４】ガス流を用いた方法では、導電性の有無，
化学組成に拘わらず被処理物質を浮遊させ、大きな被処
理物質の浮遊もガス流の増大によって可能になる。しか
し、ガス流を増大させると加熱溶融が困難になる。ま
た、ガスの流れによって融液の大きな揺動が避けられ
ず、球状体や平滑面を得ることができなくなる。超音波
の音圧を利用する方法では、導電性如何に拘わらず被処
理物質を浮遊させることが可能である。しかし、音場に
よって生じる浮力は、電磁気力やガス流に比較して遥か
に小さく、被処理物質の大きさや重量に制約が加わる。
また、電磁誘導や超音波では、高周期の振動に起因する
揺動が融液に生じ、融液内部における物質流動が避けら
れず、形状に悪影響を及ぼす原因となる。
化学組成に拘わらず被処理物質を浮遊させ、大きな被処
理物質の浮遊もガス流の増大によって可能になる。しか
し、ガス流を増大させると加熱溶融が困難になる。ま
た、ガスの流れによって融液の大きな揺動が避けられ
ず、球状体や平滑面を得ることができなくなる。超音波
の音圧を利用する方法では、導電性如何に拘わらず被処
理物質を浮遊させることが可能である。しかし、音場に
よって生じる浮力は、電磁気力やガス流に比較して遥か
に小さく、被処理物質の大きさや重量に制約が加わる。
また、電磁誘導や超音波では、高周期の振動に起因する
揺動が融液に生じ、融液内部における物質流動が避けら
れず、形状に悪影響を及ぼす原因となる。
【０００５】しかも、静電気，電磁誘導，ガス流，超音
波を利用する何れの方法でも被処理物質全体に上向きの
力を加えて浮遊させているので、被処理物質を構成する
原子や分子は基本的に１Ｇの重力が加わった状態に維持
される。そのため、加熱時に生じた熱分布によって被処
理物質が部分的に膨張収縮すると、融液中に対流が生じ
る。また、化学組成に起因した比重差によって成分の偏
りが生じることも避けられない。更には、これらの方法
によって揺動の少ない状況が仮に実現された場合でも、
溶融状態にある物質の表面で重力を受け止めることにな
るので、得られる球状物質が変形したドロップレット形
状になる。
波を利用する何れの方法でも被処理物質全体に上向きの
力を加えて浮遊させているので、被処理物質を構成する
原子や分子は基本的に１Ｇの重力が加わった状態に維持
される。そのため、加熱時に生じた熱分布によって被処
理物質が部分的に膨張収縮すると、融液中に対流が生じ
る。また、化学組成に起因した比重差によって成分の偏
りが生じることも避けられない。更には、これらの方法
によって揺動の少ない状況が仮に実現された場合でも、
溶融状態にある物質の表面で重力を受け止めることにな
るので、得られる球状物質が変形したドロップレット形
状になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】自由落下を利用する方
法では、原子や分子に加わる重力が個々に相殺されるた
め、極めて小さな重力状態が実現される。しかも、材質
や大きさの影響を受けることなく、比重差に起因した対
流や偏りも生じない。しかし、この方法を地上で実施し
ようとすると、微小重力状態が維持できる時間は、自由
落下が終了するまでの僅かな時間、具体的には落下塔で
は数十秒間，飛行機の放物線飛行では２０秒間程度，ロ
ケットの弾道飛行でも数分間に過ぎず、球状物質の溶製
に必要な溶融から冷却までの全過程を完了することは不
可能に近い。この点、宇宙空間では無限に長い浮遊状態
が維持できるが、桁違いに大きな費用が必要になる。
法では、原子や分子に加わる重力が個々に相殺されるた
め、極めて小さな重力状態が実現される。しかも、材質
や大きさの影響を受けることなく、比重差に起因した対
流や偏りも生じない。しかし、この方法を地上で実施し
ようとすると、微小重力状態が維持できる時間は、自由
落下が終了するまでの僅かな時間、具体的には落下塔で
は数十秒間，飛行機の放物線飛行では２０秒間程度，ロ
ケットの弾道飛行でも数分間に過ぎず、球状物質の溶製
に必要な溶融から冷却までの全過程を完了することは不
可能に近い。この点、宇宙空間では無限に長い浮遊状態
が維持できるが、桁違いに大きな費用が必要になる。
【０００７】このように地上において被処理物質を浮遊
させて溶融・冷却する方法は、被処理物質の化学組成，
導電性，重量や保持時間，微小重力状態等の面で解決さ
れていない。そこで、理想的な形状や表面をもつ物質を
製造するため、宇宙空間での浮遊溶融の代替技術とし
て、地上において擬似微小重力場を長時間発生・維持さ
せ、且つ静的な状況下で被処理物質を溶融固化する技術
が望まれている。
させて溶融・冷却する方法は、被処理物質の化学組成，
導電性，重量や保持時間，微小重力状態等の面で解決さ
れていない。そこで、理想的な形状や表面をもつ物質を
製造するため、宇宙空間での浮遊溶融の代替技術とし
て、地上において擬似微小重力場を長時間発生・維持さ
せ、且つ静的な状況下で被処理物質を溶融固化する技術
が望まれている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような要
求に応えるべく案出されたものであり、磁場勾配によっ
て生じる磁気力を利用することにより、時間的な制約の
ない擬似微小重力場において被処理物質を浮遊状態で加
熱，溶融，冷却し、理想的な形状や表面をもつ材料を得
ることを目的とする。本発明の浮遊溶融方法は、その目
的を達成するため、勾配のある強磁場に被溶融物質を配
置し、磁場勾配により発生した磁気力で被溶融物質を浮
遊状態に維持し、光線又は熱線照射或いは抵抗加熱ヒー
タで浮遊状態にある被溶融物質を加熱溶融し、次いで光
線又は熱線照射又はヒータ加熱を中止し、溶融した被溶
融物質を浮遊状態のままで冷却することを特徴とする。
この方法で使用する浮遊溶融装置は、勾配のある強磁場
を発生する磁場発生装置と、発生した強磁場の安定点に
被溶融物質を保持する手段と、被溶融物質を光線又は熱
線照射で加熱する或いは抵抗加熱する加熱手段とを備え
ている。得られた球状物質は、溶融状態で生じる表面張
力によって球状化され、平滑な表面をもっている。
求に応えるべく案出されたものであり、磁場勾配によっ
て生じる磁気力を利用することにより、時間的な制約の
ない擬似微小重力場において被処理物質を浮遊状態で加
熱，溶融，冷却し、理想的な形状や表面をもつ材料を得
ることを目的とする。本発明の浮遊溶融方法は、その目
的を達成するため、勾配のある強磁場に被溶融物質を配
置し、磁場勾配により発生した磁気力で被溶融物質を浮
遊状態に維持し、光線又は熱線照射或いは抵抗加熱ヒー
タで浮遊状態にある被溶融物質を加熱溶融し、次いで光
線又は熱線照射又はヒータ加熱を中止し、溶融した被溶
融物質を浮遊状態のままで冷却することを特徴とする。
この方法で使用する浮遊溶融装置は、勾配のある強磁場
を発生する磁場発生装置と、発生した強磁場の安定点に
被溶融物質を保持する手段と、被溶融物質を光線又は熱
線照射で加熱する或いは抵抗加熱する加熱手段とを備え
ている。得られた球状物質は、溶融状態で生じる表面張
力によって球状化され、平滑な表面をもっている。
【０００９】
【作用】溶融状態にある全ての物質は反磁性又は常磁性
の磁気的性質を示し、均一磁場中におかれた物質の電磁
気的なポテンシャルエネルギーは場所に拘わらず一定で
あり力を受けることがない。これに対し、勾配のある磁
場に置かれた物質は、次式で示される磁気力Ｆを受け
る。磁気力Ｆの方向は、反磁性の場合には帯磁率が負値
であるため磁場方向になり、常磁性の場合には帯磁率が
正値であるため磁場の反対方向になる。 Ｆ＝χ／μ0・ＢｄＢ／ｄｚ ただし、Ｆ：磁気力（Ｎ／ｋｇ）， χ：帯磁率（ｍ
3／ｋｇ），μ0：真空の透磁率（４π×１０-7） Ｂ：磁場（Ｔ）， ｚ：鉛直方向の座標（ｍ），Ｂｄ
Ｂ／ｄｚ：磁場勾配（Ｔ2／ｍ）
の磁気的性質を示し、均一磁場中におかれた物質の電磁
気的なポテンシャルエネルギーは場所に拘わらず一定で
あり力を受けることがない。これに対し、勾配のある磁
場に置かれた物質は、次式で示される磁気力Ｆを受け
る。磁気力Ｆの方向は、反磁性の場合には帯磁率が負値
であるため磁場方向になり、常磁性の場合には帯磁率が
正値であるため磁場の反対方向になる。 Ｆ＝χ／μ0・ＢｄＢ／ｄｚ ただし、Ｆ：磁気力（Ｎ／ｋｇ）， χ：帯磁率（ｍ
3／ｋｇ），μ0：真空の透磁率（４π×１０-7） Ｂ：磁場（Ｔ）， ｚ：鉛直方向の座標（ｍ），Ｂｄ
Ｂ／ｄｚ：磁場勾配（Ｔ2／ｍ）
【００１０】重力場により鉛直下方に加わる重力は１ｋ
ｇ当り１Ｎになるが、重力と同じ値の磁気力Ｆ、すなわ
ち磁場勾配を逆方向に発生させると浮遊状態が実現され
る。磁気力Ｆは物質を構成する原子や分子それぞれに作
用するため、原子や分子に働く重力を相殺する大きさの
磁気力、すなわち磁場勾配を発生させるとき極めて微小
な重力場に類似した状態になって被処理物質が浮遊す
る。物質の浮遊に必要な磁気力Ｆは当該物質の帯磁率で
異なるが、反磁性物質の二酸化珪素（ＳｉＯ2，帯磁
率：−６．１９ｍ3／ｋｇ）では−１９８８Ｔ2／ｍの磁
場勾配ＢｄＢ／ｄｚが必要になる。また、反磁性物質の
酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3，帯磁率：７．０４ｍ3／ｋｇ）で
は−１７４８Ｔ2／ｍの磁場勾配ＢｄＢ／ｄｚが必要に
なる。何れの場合も、帯磁率が負値の反磁性物質では、
磁場勾配中において磁場が減少する方向に磁気力が作用
する。
ｇ当り１Ｎになるが、重力と同じ値の磁気力Ｆ、すなわ
ち磁場勾配を逆方向に発生させると浮遊状態が実現され
る。磁気力Ｆは物質を構成する原子や分子それぞれに作
用するため、原子や分子に働く重力を相殺する大きさの
磁気力、すなわち磁場勾配を発生させるとき極めて微小
な重力場に類似した状態になって被処理物質が浮遊す
る。物質の浮遊に必要な磁気力Ｆは当該物質の帯磁率で
異なるが、反磁性物質の二酸化珪素（ＳｉＯ2，帯磁
率：−６．１９ｍ3／ｋｇ）では−１９８８Ｔ2／ｍの磁
場勾配ＢｄＢ／ｄｚが必要になる。また、反磁性物質の
酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3，帯磁率：７．０４ｍ3／ｋｇ）で
は−１７４８Ｔ2／ｍの磁場勾配ＢｄＢ／ｄｚが必要に
なる。何れの場合も、帯磁率が負値の反磁性物質では、
磁場勾配中において磁場が減少する方向に磁気力が作用
する。
【００１１】他方、帯磁率が正値の常磁性物質では、磁
場勾配中において磁場が増加する方向に磁気力が作用す
る。常磁性物質には、反磁性物質に比較して絶対値で数
十〜数百倍の帯磁率を示すものがある。たとえば、酸化
鉄（Ｆｅ2Ｏ3）では、帯磁率が１２５９ｍ3／ｋｇであ
り、磁気浮遊に必要な磁場勾配は９．８Ｔ2／ｍとな
る。強磁性物質は、正値の大きな帯磁率をもつが、転移
点以上で常磁性に変わる。この磁気変態に伴って帯磁率
も変化する。そこで、強磁性物質の浮遊溶融に際して
は、磁気変態時の位置ズレを防止するため強磁性物質を
予め昇温して常磁性にしておくことが好ましい。このよ
うに、正値及び負値の帯磁率をもつ物質が混在する場合
を除き、物質を構成する元素又は分子の帯磁率が異なる
場合にあっても、通常の重力下における比重差よりも小
さくなるため、浮遊状態における比重差に起因した物質
移動が軽減される。なお、本件明細書では、原子集団を
包含する意味で使用する「分子」を使用する。
場勾配中において磁場が増加する方向に磁気力が作用す
る。常磁性物質には、反磁性物質に比較して絶対値で数
十〜数百倍の帯磁率を示すものがある。たとえば、酸化
鉄（Ｆｅ2Ｏ3）では、帯磁率が１２５９ｍ3／ｋｇであ
り、磁気浮遊に必要な磁場勾配は９．８Ｔ2／ｍとな
る。強磁性物質は、正値の大きな帯磁率をもつが、転移
点以上で常磁性に変わる。この磁気変態に伴って帯磁率
も変化する。そこで、強磁性物質の浮遊溶融に際して
は、磁気変態時の位置ズレを防止するため強磁性物質を
予め昇温して常磁性にしておくことが好ましい。このよ
うに、正値及び負値の帯磁率をもつ物質が混在する場合
を除き、物質を構成する元素又は分子の帯磁率が異なる
場合にあっても、通常の重力下における比重差よりも小
さくなるため、浮遊状態における比重差に起因した物質
移動が軽減される。なお、本件明細書では、原子集団を
包含する意味で使用する「分子」を使用する。
【００１２】本発明は、磁場勾配のある定常磁場下で発
生する反磁性の斥力又は常磁性の引力を磁気力として利
用し、磁場勾配に揺動や振動を生じさせない加熱方法と
組み合わせることにより、長時間にわたって安定した浮
遊状態が維持でき、浮遊状態での物質の溶融・冷却を可
能にしたものである。磁場の変動を生じさせない加熱方
法としては、光又は熱線を放射するレーザ，ランプ等の
光源を用いた加熱，通電時に発生する磁場を相殺する配
線構造をもつ電気抵抗ヒータを使用した抵抗加熱等が採
用できる。
生する反磁性の斥力又は常磁性の引力を磁気力として利
用し、磁場勾配に揺動や振動を生じさせない加熱方法と
組み合わせることにより、長時間にわたって安定した浮
遊状態が維持でき、浮遊状態での物質の溶融・冷却を可
能にしたものである。磁場の変動を生じさせない加熱方
法としては、光又は熱線を放射するレーザ，ランプ等の
光源を用いた加熱，通電時に発生する磁場を相殺する配
線構造をもつ電気抵抗ヒータを使用した抵抗加熱等が採
用できる。
【００１３】光源を用いた加熱では、レンズ，ミラー，
光ファイバ等の光学部品によって光又は熱線を被処理物
質に導き昇温させる。ヒータ加熱では、ヒータ近傍に被
処理物質を浮遊させ、放射熱及び伝熱によって被処理物
質を昇温させる。このとき、被処理物質６を構成する原
子又は分子に加わる力が磁気力で相殺されるので、擬似
的な微小重力の浮遊状態が作り出される。溶融状態にあ
る被処理物質は、物質自体の表面張力によって球状の液
滴になると共に、表面が平滑になる。この状態で加熱を
中止すると、熱放射により液滴が冷却固化し、汚染の少
ない平滑面をもつ球状の固化体が得られる。
光ファイバ等の光学部品によって光又は熱線を被処理物
質に導き昇温させる。ヒータ加熱では、ヒータ近傍に被
処理物質を浮遊させ、放射熱及び伝熱によって被処理物
質を昇温させる。このとき、被処理物質６を構成する原
子又は分子に加わる力が磁気力で相殺されるので、擬似
的な微小重力の浮遊状態が作り出される。溶融状態にあ
る被処理物質は、物質自体の表面張力によって球状の液
滴になると共に、表面が平滑になる。この状態で加熱を
中止すると、熱放射により液滴が冷却固化し、汚染の少
ない平滑面をもつ球状の固化体が得られる。
【００１４】
【実施の形態】本発明は、たとえば設備構成を図１に示
す浮遊溶融装置を用いて実施される。磁場発生装置１
は、磁石２を内蔵した円筒状の周壁を備えている。加熱
時の放射熱を遮断するため断熱容器３が円筒状周壁の内
側に配置され、断熱容器３の内部にある処理室４内に試
料籠５が配置され、試料籠５に被処理物質６が収容され
ている。断熱容器３の開口部には、加熱光源７からの光
線又は熱線を反射させ、被処理物質６に照射して昇温さ
せる反射鏡又は集光反射鏡８が付設されている。磁石２
としては、強磁場を発生できる限り水冷磁石，超伝導磁
石，永久磁石等が使用される。水冷磁石で被処理物質６
を浮遊させる場合には多大な電力を消費するが、超伝導
磁石を使用すると消費電力を大幅に節減できる。
す浮遊溶融装置を用いて実施される。磁場発生装置１
は、磁石２を内蔵した円筒状の周壁を備えている。加熱
時の放射熱を遮断するため断熱容器３が円筒状周壁の内
側に配置され、断熱容器３の内部にある処理室４内に試
料籠５が配置され、試料籠５に被処理物質６が収容され
ている。断熱容器３の開口部には、加熱光源７からの光
線又は熱線を反射させ、被処理物質６に照射して昇温さ
せる反射鏡又は集光反射鏡８が付設されている。磁石２
としては、強磁場を発生できる限り水冷磁石，超伝導磁
石，永久磁石等が使用される。水冷磁石で被処理物質６
を浮遊させる場合には多大な電力を消費するが、超伝導
磁石を使用すると消費電力を大幅に節減できる。
【００１５】試料籠５は、磁気浮遊状態になるまで被処
理物質６を保持する機能が要求されるが、磁気浮遊点の
近傍に被処理物質６を保持でき且つ加熱の妨げにならな
いものである限り形状や材質に制約を受けることがな
い。被処理物質６が曝される雰囲気には、ガス種に制限
を受けることなく、大気，不活性ガス，反応性ガス等、
各種のガス雰囲気が使用される。また、真空雰囲気に被
処理物質６を保持しても良い。加熱光源７には、光線又
は熱線を放出する赤外線レーザ，ランプ等が使用され、
光線又は熱線で直接又は間接に被処理物質６が照射され
る限り設置個所に制約を受けない。加熱光源７に替えて
抵抗加熱ヒータを使用する場合、エネルギー効率を確保
する上から処理室４内の被処理物質６に近接した位置に
抵抗加熱ヒータを配置することが好ましい。反射鏡８と
しては、加熱効率を向上させるために集光機能のある凹
面鏡を使用しても良い。また、平面鏡及び集光レンズを
組み合わせて同様の機能をもたせることもできる。
理物質６を保持する機能が要求されるが、磁気浮遊点の
近傍に被処理物質６を保持でき且つ加熱の妨げにならな
いものである限り形状や材質に制約を受けることがな
い。被処理物質６が曝される雰囲気には、ガス種に制限
を受けることなく、大気，不活性ガス，反応性ガス等、
各種のガス雰囲気が使用される。また、真空雰囲気に被
処理物質６を保持しても良い。加熱光源７には、光線又
は熱線を放出する赤外線レーザ，ランプ等が使用され、
光線又は熱線で直接又は間接に被処理物質６が照射され
る限り設置個所に制約を受けない。加熱光源７に替えて
抵抗加熱ヒータを使用する場合、エネルギー効率を確保
する上から処理室４内の被処理物質６に近接した位置に
抵抗加熱ヒータを配置することが好ましい。反射鏡８と
しては、加熱効率を向上させるために集光機能のある凹
面鏡を使用しても良い。また、平面鏡及び集光レンズを
組み合わせて同様の機能をもたせることもできる。
【００１６】被処理物質６を磁気浮遊状態に維持するた
めには、磁気力に必要な勾配のある磁場を発生させる。
たとえば、円筒形の磁場発生装置を使用する場合、磁場
の発生している円筒中心から軸方向外向きに磁場勾配が
大きくなる。また、小型の円筒型水冷磁石を大型の円筒
型超伝導磁石の中に配置したハイブリッド型磁場発生装
置では、双方の電磁石に供給する電流を調整することに
より小型水冷磁石の中心から軸方向に数センチずれた位
置に磁場勾配が発生する。そこで、一例を示すと、中心
での磁場が２１Ｔとなるように両磁石への投入電力を調
整することにより、中心から７５ｍｍ上方の位置に−１
９８８Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させることができる。
このとき、浮遊位置は水平方向，上下方向共に安定点に
なる。
めには、磁気力に必要な勾配のある磁場を発生させる。
たとえば、円筒形の磁場発生装置を使用する場合、磁場
の発生している円筒中心から軸方向外向きに磁場勾配が
大きくなる。また、小型の円筒型水冷磁石を大型の円筒
型超伝導磁石の中に配置したハイブリッド型磁場発生装
置では、双方の電磁石に供給する電流を調整することに
より小型水冷磁石の中心から軸方向に数センチずれた位
置に磁場勾配が発生する。そこで、一例を示すと、中心
での磁場が２１Ｔとなるように両磁石への投入電力を調
整することにより、中心から７５ｍｍ上方の位置に−１
９８８Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させることができる。
このとき、浮遊位置は水平方向，上下方向共に安定点に
なる。
【００１７】磁場勾配と重力が相殺される位置で物質は
浮遊するが、何らかの外力によって位置ズレが生じる
と、重力が相殺されている条件下では障害物がない限り
物質は一方向に運動し続ける。他方、元の位置に戻るよ
うな磁気力が物質に作用する磁場が存在する安定点で
は、所定位置に物質が維持される。すなわち、安定点か
ら物質の大きさ程度に離れた位置で磁場が若干高くなっ
ていると、元の位置に復帰する力を物質に働かせること
ができる。このとき、重力が基本的に打ち消された状態
にあるので、作用させる力は、重力に比較して無視でき
る程度のごく僅かな力で十分である。
浮遊するが、何らかの外力によって位置ズレが生じる
と、重力が相殺されている条件下では障害物がない限り
物質は一方向に運動し続ける。他方、元の位置に戻るよ
うな磁気力が物質に作用する磁場が存在する安定点で
は、所定位置に物質が維持される。すなわち、安定点か
ら物質の大きさ程度に離れた位置で磁場が若干高くなっ
ていると、元の位置に復帰する力を物質に働かせること
ができる。このとき、重力が基本的に打ち消された状態
にあるので、作用させる力は、重力に比較して無視でき
る程度のごく僅かな力で十分である。
【００１８】磁場発生装置１で適当な分布をもつ磁場勾
配を発生させると、処理室４の一定位置で被処理物質６
が浮遊状態になり、被処理物質６の浮遊状態は時間に関
係なく維持される。浮遊状態にある被処理物質６を加熱
光源７からの光線又は熱線で照射すると、被処理物質６
は光線又は熱線を吸収して昇温する。昇温した被処理物
質６は、結晶質の場合には融点で、非晶質の場合には転
移点以上で原子又は分子が流動性を呈する。流動性が付
与された被処理物質６は、表面張力によって平滑面をも
つ球状物質になる。被処理物質６の化学組成や処理温度
にもよるが、十分な時間加熱した後で加熱光源７からの
光線又は熱線照射を中止すると、被処理物質６は熱放射
によって冷却固化する。その後、磁場発生装置１が作り
出す磁場勾配を取り去ることにより、磁気浮遊状態がな
くなり、球状物質が得られる。
配を発生させると、処理室４の一定位置で被処理物質６
が浮遊状態になり、被処理物質６の浮遊状態は時間に関
係なく維持される。浮遊状態にある被処理物質６を加熱
光源７からの光線又は熱線で照射すると、被処理物質６
は光線又は熱線を吸収して昇温する。昇温した被処理物
質６は、結晶質の場合には融点で、非晶質の場合には転
移点以上で原子又は分子が流動性を呈する。流動性が付
与された被処理物質６は、表面張力によって平滑面をも
つ球状物質になる。被処理物質６の化学組成や処理温度
にもよるが、十分な時間加熱した後で加熱光源７からの
光線又は熱線照射を中止すると、被処理物質６は熱放射
によって冷却固化する。その後、磁場発生装置１が作り
出す磁場勾配を取り去ることにより、磁気浮遊状態がな
くなり、球状物質が得られる。
【００１９】
【実施例】実施例１ 次の組成をもつ酸化物の塊１ｇを被処理物質６として用
意し、被処理物質６を試料籠５に収容し、磁場発生装置
１で−１９９０Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させた。 二酸化珪素（ＳｉＯ2）：６８．９重量％ 酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）：１０．１重量％ 酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）：８．８重量％ 酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）：８．４重量％ 酸化バリウム（ＢａＯ）：２．８重量％ 酸化砒素（Ａｓ2Ｏ3）：１．０重量％
意し、被処理物質６を試料籠５に収容し、磁場発生装置
１で−１９９０Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させた。 二酸化珪素（ＳｉＯ2）：６８．９重量％ 酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）：１０．１重量％ 酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）：８．８重量％ 酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）：８．４重量％ 酸化バリウム（ＢａＯ）：２．８重量％ 酸化砒素（Ａｓ2Ｏ3）：１．０重量％
【００２０】被処理物質６は、磁場勾配により発生した
磁気力で浮遊し、安定な浮遊状態が維持された。この状
態で、加熱光源７としての出力４０Ｗの炭酸ガスレーザ
から出射した光線を集光反射鏡８で集光し、被処理物質
６を５分間照射加熱した。照射開始から１分経過した時
点で被処理物質６の温度が転移点５６５℃を上回り、被
処理物質６が液化した。液化状態を４分間維持したとこ
ろ、被処理物質６は、表面張力によって球状になった。
次いで、レーザ照射を中止し、２分間放冷した後で室温
近傍まで冷却した。処理された被処理物質６は、平滑面
をもつ球状の透明物質であった。
磁気力で浮遊し、安定な浮遊状態が維持された。この状
態で、加熱光源７としての出力４０Ｗの炭酸ガスレーザ
から出射した光線を集光反射鏡８で集光し、被処理物質
６を５分間照射加熱した。照射開始から１分経過した時
点で被処理物質６の温度が転移点５６５℃を上回り、被
処理物質６が液化した。液化状態を４分間維持したとこ
ろ、被処理物質６は、表面張力によって球状になった。
次いで、レーザ照射を中止し、２分間放冷した後で室温
近傍まで冷却した。処理された被処理物質６は、平滑面
をもつ球状の透明物質であった。
【００２１】実施例２：酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）単体１ｇ
を被処理物質６として使用し、実施例２と同様に試料籠
５に収容し、磁場発生装置１で−１７５０Ｔ2／ｍの磁
場勾配を発生させた。被処理物質６は、磁場勾配の磁気
力で安定した浮遊状態に維持された。そこで、加熱光源
７としての出力３０Ｗの炭酸ガスレーザから出射した光
線を集光反射鏡８で集光し、被処理物質６を３分間照射
加熱した。照射開始から３０秒経過した時点で被処理物
質６の温度が転移点２９０℃を上回り、被処理物質６が
液化した。液化状態を１５０秒間維持したところ、被処
理物質６は、表面張力によって球状になった。次いで、
レーザ照射を中止し、２分間放冷した後で室温近傍まで
冷却した。処理された被処理物質６は、平滑面をもつ球
状の透明物質であった。
を被処理物質６として使用し、実施例２と同様に試料籠
５に収容し、磁場発生装置１で−１７５０Ｔ2／ｍの磁
場勾配を発生させた。被処理物質６は、磁場勾配の磁気
力で安定した浮遊状態に維持された。そこで、加熱光源
７としての出力３０Ｗの炭酸ガスレーザから出射した光
線を集光反射鏡８で集光し、被処理物質６を３分間照射
加熱した。照射開始から３０秒経過した時点で被処理物
質６の温度が転移点２９０℃を上回り、被処理物質６が
液化した。液化状態を１５０秒間維持したところ、被処
理物質６は、表面張力によって球状になった。次いで、
レーザ照射を中止し、２分間放冷した後で室温近傍まで
冷却した。処理された被処理物質６は、平滑面をもつ球
状の透明物質であった。
【００２２】実施例３：二酸化珪素（ＳｉＯ2，転移点
１１００℃）単体１ｇを被処理物質６として使用し、実
施例２と同様に試料籠５に収容し、磁場発生装置１で−
１９９０Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させた。被処理物質
６は、磁場勾配の磁気力で安定した浮遊状態に維持され
た。そこで、加熱光源７としての出力６０Ｗの炭酸ガス
レーザから出射した光線を集光反射鏡８で集光し、被処
理物質６を１分間照射加熱した。照射開始から５秒経過
した時点で被処理物質６の照射部温度が１７００℃を上
回り、被処理物質６の表面が液体状態になり、一部が蒸
発した。蒸発した被処理物質６は、浮遊状態に維持さ
れ、表面張力により球状化した。次いで、レーザ照射を
中止し、室温近傍まで冷却した。冷却過程で、蒸発した
被処理物質６は固化した。その結果、直径が１００〜４
００ｎｍで平滑面をもつ球状微粒子が得られた。実施例
１〜３の何れにおいても、被処理物質６が浮遊溶融状態
に維持される限り、被処理物質６の大きさに拘わらず球
状で平滑な表面をもつ球状体が得られた。
１１００℃）単体１ｇを被処理物質６として使用し、実
施例２と同様に試料籠５に収容し、磁場発生装置１で−
１９９０Ｔ2／ｍの磁場勾配を発生させた。被処理物質
６は、磁場勾配の磁気力で安定した浮遊状態に維持され
た。そこで、加熱光源７としての出力６０Ｗの炭酸ガス
レーザから出射した光線を集光反射鏡８で集光し、被処
理物質６を１分間照射加熱した。照射開始から５秒経過
した時点で被処理物質６の照射部温度が１７００℃を上
回り、被処理物質６の表面が液体状態になり、一部が蒸
発した。蒸発した被処理物質６は、浮遊状態に維持さ
れ、表面張力により球状化した。次いで、レーザ照射を
中止し、室温近傍まで冷却した。冷却過程で、蒸発した
被処理物質６は固化した。その結果、直径が１００〜４
００ｎｍで平滑面をもつ球状微粒子が得られた。実施例
１〜３の何れにおいても、被処理物質６が浮遊溶融状態
に維持される限り、被処理物質６の大きさに拘わらず球
状で平滑な表面をもつ球状体が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、磁場勾配で生じる磁気力を利用して物質を磁気浮遊
状態に維持し、浮遊状態の物質を加熱溶融させて得た融
液の表面張力で球状化させている。この方法によると
き、時間に制限なく浮遊状態が維持されるので、物質の
加熱・溶融・冷却の全行程を実施するのに十分な時間が
確保される。処理された物質は、重力下に比較して比重
差に起因する物質移動が抑制され、電磁誘導や超音波に
よる浮遊状態と異なり揺らぎも抑制されているので、よ
り理想的な球状で平滑性の高い表面をもつ物質が得られ
る。このようにして得られた物質は、容器等による汚染
がないことと相俟って、低損失光学材料，光学素子を始
めとして医療用，電子材料用等、低不純物で平滑面が要
求される広範な分野で高機能材料として利用される。
は、磁場勾配で生じる磁気力を利用して物質を磁気浮遊
状態に維持し、浮遊状態の物質を加熱溶融させて得た融
液の表面張力で球状化させている。この方法によると
き、時間に制限なく浮遊状態が維持されるので、物質の
加熱・溶融・冷却の全行程を実施するのに十分な時間が
確保される。処理された物質は、重力下に比較して比重
差に起因する物質移動が抑制され、電磁誘導や超音波に
よる浮遊状態と異なり揺らぎも抑制されているので、よ
り理想的な球状で平滑性の高い表面をもつ物質が得られ
る。このようにして得られた物質は、容器等による汚染
がないことと相俟って、低損失光学材料，光学素子を始
めとして医療用，電子材料用等、低不純物で平滑面が要
求される広範な分野で高機能材料として利用される。
【図１】 本発明で使用する浮遊溶融装置の一例
１：磁場発生装置 ２：磁石 ３：断熱容器
４：処理室 ５：試料籠 ６：被処理物質 ７：加熱光源 ８：反射鏡又は集
光反射鏡
４：処理室 ５：試料籠 ６：被処理物質 ７：加熱光源 ８：反射鏡又は集
光反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂木 巌 宮城県仙台市青葉区東勝山２−26−30 (72)発明者 北村 直之 大阪府池田市五月丘３−４−13 (72)発明者 牧原 正記 大阪府池田市渋谷１−６−15 (56)参考文献 Ｍ．Ｔａｇａｍｉ ｅｔ ａｌ．，" Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｌｅｖｉｔａｔｉｎｇ ｗａｔｅｒ ｉ ｎ ａ ｇｒａｄｉｅｎｔ ｓｔｒｏｎ ｇ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ”Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．203，Ｊｕｎｅ 1999，ｐｐ．594−598 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (3)
- 【請求項１】 勾配のある強磁場に被溶融物質を配置
し、磁場勾配により発生した磁気力で被溶融物質を浮遊
状態に維持し、光線又は熱線照射或いは抵抗加熱ヒータ
で浮遊状態にある被溶融物質を加熱溶融し、次いで光線
又は熱線照射又はヒータ加熱を中止し、溶融した被溶融
物質を浮遊状態のままで冷却することを特徴とする擬似
微小重力場を利用した浮遊溶融方法。 - 【請求項２】 勾配のある強磁場を発生する磁場発生装
置と、発生した強磁場の安定点に被溶融物質を保持する
手段と、被溶融物質を光線又は熱線照射で加熱する手段
或いは抵抗加熱する加熱手段とを備え、被溶融物質が加
熱，溶融，冷却されるまでの間、磁場勾配による磁気力
で被溶融物質を擬似微小重力場の浮遊状態に維持するこ
とを特徴とする擬似微小重力場を利用した浮遊溶融装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法で製造された平滑な
表面をもつ球状物質。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11241337A JP3053183B1 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融 |
| US09/787,150 US6452140B1 (en) | 1999-08-27 | 2000-05-18 | Floating/melting using dummy micro-gravitational field by magnetic force |
| EP00929796A EP1127964A4 (en) | 1999-08-27 | 2000-05-18 | MAGNETIC FORCE THAT GENERATES A DUMMY MICROGRAVITATION FIELD ON A FLOATING SUBSTANCE OR ON MELT |
| PCT/JP2000/003201 WO2001016412A1 (fr) | 1999-08-27 | 2000-05-18 | Force magnetique produisant un champ micro-gravitationnel factice permettant a une substance de flotter ou d'entrer en fusion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11241337A JP3053183B1 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3053183B1 true JP3053183B1 (ja) | 2000-06-19 |
| JP2001064100A JP2001064100A (ja) | 2001-03-13 |
Family
ID=17072811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11241337A Expired - Lifetime JP3053183B1 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6452140B1 (ja) |
| EP (1) | EP1127964A4 (ja) |
| JP (1) | JP3053183B1 (ja) |
| WO (1) | WO2001016412A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| ATE452214T1 (de) * | 2002-09-25 | 2010-01-15 | Metalysis Ltd | Reinigung von metallpartikeln durch hitzebehandlung |
| JP4857422B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2012-01-18 | 国立大学法人東北大学 | 高温融体導電材料の熱物性測定方法及び測定装置 |
| JP2013527831A (ja) | 2010-05-05 | 2013-07-04 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 新規な前駆体から生成されたナノワイヤおよびその製造方法 |
| JP2017077988A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス材の製造方法及び製造装置 |
| CN112195519B (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-22 | 西安交通大学 | 一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法 |
| CN113181856B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-04-29 | 东南大学 | 磁场辅助模拟零-微重力火焰合成纳米颗粒的装置和方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4896849A (en) * | 1987-06-26 | 1990-01-30 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sample levitation and melt in microgravity |
| JPH03107404A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-07 | Daido Steel Co Ltd | 金属粉末の製造方法および製造装置 |
| US5003551A (en) * | 1990-05-22 | 1991-03-26 | Inductotherm Corp. | Induction melting of metals without a crucible |
| GB9015872D0 (en) * | 1990-07-19 | 1990-09-05 | Secr Defence | Production of ceramic filaments |
| US5319670A (en) * | 1992-07-24 | 1994-06-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Velocity damper for electromagnetically levitated materials |
| US5528620A (en) * | 1993-10-06 | 1996-06-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Levitating and melting apparatus and method of operating the same |
| US5650903A (en) * | 1995-11-30 | 1997-07-22 | General Electric Company | Superconducting-magnet electrical circuit having voltage and quench protection |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP11241337A patent/JP3053183B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-18 US US09/787,150 patent/US6452140B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-18 EP EP00929796A patent/EP1127964A4/en not_active Withdrawn
- 2000-05-18 WO PCT/JP2000/003201 patent/WO2001016412A1/ja not_active Application Discontinuation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｍ．Ｔａｇａｍｉ ｅｔ ａｌ．，"Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｌｅｖｉｔａｔｉｎｇ ｗａｔｅｒ ｉｎ ａ ｇｒａｄｉｅｎｔ ｓｔｒｏｎｇ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ"Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．２０３，Ｊｕｎｅ １９９９，ｐｐ．５９４−５９８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1127964A1 (en) | 2001-08-29 |
| WO2001016412A1 (fr) | 2001-03-08 |
| US6452140B1 (en) | 2002-09-17 |
| JP2001064100A (ja) | 2001-03-13 |
| EP1127964A4 (en) | 2004-09-15 |
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