JP3050158B2 - How to fix the mask - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に使用するフォトマスクおよびフォトレチクル（以下マ
スクと称する）の欠陥修正方法に関し、特に、黒欠陥
（マスク上に発生する遮光膜の残渣）の修正方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing a defect in a photomask and a photo reticle (hereinafter, referred to as a mask) used for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a black defect (residue of a light-shielding film generated on a mask). How to fix.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来の技術において、半導体装置の製造
に使用するマスクに生じた黒欠陥（マスク上に発生する
遮光膜の残渣等）には、集束イオンビームによる修正が
行われている。さらに、欠陥修正跡に生じる転写時の寸
法変動を低減する方法として、白欠陥（マスク上に発生
する遮光膜の欠損等）の例ではあるが、発生した欠陥と
異なる大きさに欠陥修正を行うことが、特開平８−１０
６１５５号公報に記載されている。2. Description of the Related Art In the prior art, a black defect (residue of a light-shielding film or the like generated on a mask) generated in a mask used for manufacturing a semiconductor device is corrected by a focused ion beam. Further, as a method of reducing the dimensional fluctuation at the time of transfer occurring in the defect correction mark, an example of a white defect (a defect of a light-shielding film generated on a mask, etc.) is used, but the defect is corrected to a size different from the generated defect. Japanese Patent Laid-Open No. 8-10
No. 6155.

【０００３】以下に従来技術の第１の例として、集束イ
オンビームを用いた一般的な黒欠陥の修正方法を、図面
を参照して説明する。[0003] As a first example of the prior art, a general method of correcting a black defect using a focused ion beam will be described below with reference to the drawings.

【０００４】この例は、図１２の工程断面図に示すよう
に、石英基板１上の修正すべき黒欠陥１２に、集束イオ
ンビーム修正装置（図示しない）によって集束イオンビ
ーム（Ｇａイオン等）を照射し、石英基板１上から黒欠
陥１２を除去する（図１２（ｂ））。ここで、集束イオ
ンビーム（Ｇａイオン等）を照射する修正領域１０１
は、黒欠陥１２と同じ領域である（図１３）。In this example, as shown in a process sectional view of FIG. 12, a focused ion beam (Ga ion or the like) is applied to a black defect 12 to be repaired on a quartz substrate 1 by a focused ion beam repair device (not shown). Irradiation is performed to remove the black defect 12 from the quartz substrate 1 (FIG. 12B). Here, the correction region 101 to be irradiated with a focused ion beam (Ga ion or the like)
Is the same area as the black defect 12 (FIG. 13).

【０００５】また、この修正工程において、照射した集
束イオンビーム（Ｇａイオン等）の一部は石英基板１の
内部にまで到達して残存し（図１２（ｂ））、修正領域
１０１の透過率は石英基板１の透過率より小さくなる
（図１４）。このため、図１５に示すように、転写イメ
ージ像では修正領域１０１の痕跡が観察され、これに隣
接するクロムパターン１１の転写イメージでの線幅寸法
値が、所望する線幅寸法値より大きくなる（図１５
（ｂ））。In this repairing step, part of the irradiated focused ion beam (Ga ion or the like) reaches the inside of the quartz substrate 1 and remains there (FIG. 12B), and the transmittance of the repairing area 101 is changed. Becomes smaller than the transmittance of the quartz substrate 1 (FIG. 14). For this reason, as shown in FIG. 15, a trace of the correction area 101 is observed in the transfer image image, and the line width dimension value in the transfer image of the chrome pattern 11 adjacent thereto becomes larger than the desired line width dimension value. (FIG. 15
(B)).

【０００６】又、上述した欠陥修正跡に生じる転写時の
寸法変動を低減させる例を第２の従来例として、以下に
図面を参照して説明する。この第２の従来例は、特開平
８−１０６１５５号公報で示されている白欠陥の修正法
である欠陥修正法を、黒欠陥修正に適用した場合につい
て説明している。An example of reducing the dimensional fluctuation at the time of transfer occurring in the above-mentioned defect correction mark will be described as a second conventional example with reference to the drawings. This second conventional example describes a case in which a defect correction method, which is a method for correcting a white defect disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-106155, is applied to black defect correction.

【０００７】第２の従来例は、図１６の工程断面図に示
すように、集束イオンビーム修正装置（図示しない）を
用いて集束イオンビーム（Ｇａイオン等）を、修正領域
１０１に照射し、黒欠陥１２とクロムパターン１１の一
部を石英基板１上から除去する。修正領域１０１は、図
１７に示すように、黒欠陥１２を含み、かつ、黒欠陥１
２に隣接するクロムパターン１１の一部も含む領域に配
置する。図１８に示すように、修正領域１０１の透過率
は、クロムパターン１１より高く、かつ、石英基板１よ
り低くなる。In a second conventional example, as shown in a process sectional view of FIG. 16, a focused ion beam (Ga ion or the like) is irradiated on a repair region 101 using a focused ion beam repair device (not shown). The black defect 12 and a part of the chromium pattern 11 are removed from the quartz substrate 1. The correction area 101 includes the black defect 12 and the black defect 1 as shown in FIG.
2 is arranged in a region including a part of the chrome pattern 11 adjacent thereto. As shown in FIG. 18, the transmittance of the correction region 101 is higher than that of the chromium pattern 11 and lower than that of the quartz substrate 1.

【０００８】また、この第２の従来例では、修正領域１
０１に含まれる石英基板１上の黒欠陥１２と隣接するク
ロムパターン１１の一部は、Ｇａイオン等の集束イオン
ビームが照射されることにより除去され、この部分には
石英基板１が露出する。（図１６）。このとき、修正領
域１０１に隣接するクロムパターン１１の線幅は細くな
る。さらに、修正領域１０１は黒欠陥１２およびクロム
パターン１１が除去されて石英基板１が露出し、修正領
域１０１の透過率は高くなるが、照射した集束イオンビ
ームの一部が修正領域１０１の石英基板１の表面付近に
残存するため（図１６（ｂ））、修正領域１０１の透過
率は石英基板１の透過率より低くなる（図１８
（ｂ））。In the second conventional example, the correction area 1
A part of the chromium pattern 11 adjacent to the black defect 12 on the quartz substrate 1 included in the quartz substrate 1 is removed by irradiation with a focused ion beam such as Ga ions, and the quartz substrate 1 is exposed to this part. (FIG. 16). At this time, the line width of the chrome pattern 11 adjacent to the correction area 101 becomes thin. Further, in the repair region 101, the black defect 12 and the chromium pattern 11 are removed and the quartz substrate 1 is exposed, and the transmittance of the repair region 101 is increased. 1 (FIG. 16B), the transmittance of the correction region 101 is lower than the transmittance of the quartz substrate 1 (FIG. 18).
(B)).

【０００９】この第２の従来例では、修正領域１０１の
透過率が石英基板１より低くなるが、修正領域１０１に
隣接するクロムパターン１１の線幅が細くなるため（図
１８）、転写イメージ像のクロムパターン１１の線幅寸
法値が所望の寸法値と同程度になる。In the second conventional example, the transmittance of the repair area 101 is lower than that of the quartz substrate 1, but the line width of the chrome pattern 11 adjacent to the repair area 101 becomes narrower (FIG. 18). The line width dimension value of the chrome pattern 11 becomes substantially equal to the desired dimension value.

【００１０】これは、修正領域１０１が石英基板１より
低い透過率になることは転写イメージ像でのクロムパタ
ーン１１の線幅寸法値を大きくする作用を持つが、一
方、修正領域１０１に隣接するクロムパターン１１の線
幅を細くすることが転写イメージ像でのクロムパターン
１１の線幅寸法値を小さくする作用を有するからであ
る。The fact that the transmittance of the repair area 101 becomes lower than that of the quartz substrate 1 has the effect of increasing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transferred image image, but is adjacent to the repair area 101. This is because reducing the line width of the chrome pattern 11 has an effect of reducing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in a transfer image image.

【００１１】従って、この第２の従来例では、隣接する
クロムパターン１１にも修正領域１０１を配置すること
により、クロムパターン１１の線幅を細くし、転写イメ
ージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値を所望の寸
法値と同程度にすることが可能になっている。Therefore, in the second conventional example, the line width of the chrome pattern 11 is reduced by arranging the correction region 101 also in the adjacent chrome pattern 11, and the line width of the chrome pattern 11 in the transfer image image is reduced. It is possible to make the dimension value almost equal to the desired dimension value.

【００１２】なお、具体的な例としては、修正領域１０
１の露光光（波長２４８ｎｍ）での透過率が８０％程度
である（石英基板１の透過率を１００％とした場合）集
束イオンビームによる黒欠陥修正において、マスク上の
寸法で０．５μｍ平方程度の黒欠陥１２を修正したクロ
ムパターン１１（線幅寸法１．２５μｍ）の転写イメー
ジでの線幅寸法（露光波長は２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５
５、σ値＝０．８０、１／５の縮小投影露光）は、先の
第１の従来例では０．２８μｍと、所望の寸法値（０．
２５μｍ）より０．０３μｍ程度大きく転写されたのに
対して、上述した第２の従来例では、隣接するクロムパ
ターン１１の内側に０．１μｍ程度の修正領域１０１を
設定したところ、転写された線幅寸法は０．２６μｍと
所望の寸法値との差が０．０１μｍ程度であり、転写時
の欠陥修正跡による寸法変動が低減されていた。As a specific example, the correction area 10
In the correction of a black defect by a focused ion beam having a transmittance of about 80% in the exposure light (wavelength 248 nm) (assuming that the transmittance of the quartz substrate 1 is 100%), the dimension on the mask is 0.5 μm square. Line width dimension (exposure wavelength: 248 nm, NA = 0.5) in a transfer image of a chrome pattern 11 (line width dimension: 1.25 μm) in which the degree of black defect 12 has been corrected.
5, σ value = 0.80, 1/5 reduction projection exposure) is 0.28 μm in the first conventional example, which is a desired dimension value (0.
In contrast to the transfer of about 0.03 μm larger than 25 μm), in the above-described second conventional example, when the correction area 101 of about 0.1 μm was set inside the adjacent chrome pattern 11, the transferred line The difference between the width dimension of 0.26 μm and the desired dimension value was about 0.01 μm, and the dimensional fluctuation due to the defect correction trace during transfer was reduced.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】集束イオンビームを用
いた黒欠陥欠陥修正方法では、上述した第１の従来例
は、欠陥修正跡が転写されて寸法変動を起こす問題があ
る。又、この改善方法としての第２の従来例においても
上述したように寸法変動の低減に効果はみられるが、し
かしながら、以下に示す問題点がある。In the method of repairing a black defect using a focused ion beam, the first conventional example described above has a problem that a defect repair mark is transferred to cause a dimensional change. In the second conventional example as this improvement method, the effect of reducing the dimensional fluctuation is seen as described above, however, there are the following problems.

【００１４】まず、第１の問題点は、集束イオンビーム
の照射位置が修正領域１０１に対して位置ずれした場合
に、上述した転写時の欠陥修正跡の寸法変動が低減され
ない点である。First, the first problem is that when the irradiation position of the focused ion beam is displaced with respect to the correction area 101, the above-described dimensional fluctuation of the defect correction mark during transfer is not reduced.

【００１５】その理由は、図２０に示すように、第２の
従来例において、修正部分１０１は、透過率の低いクロ
ムパターン１１部分と透過率の高い石英基板１部分に接
しているため（図１７）、修正領域１０１の位置ずれに
より透過率が変化する部分が起きる、という構成的な問
題点を有しているためである。The reason for this is that, as shown in FIG. 20, in the second conventional example, the repaired portion 101 is in contact with the portion of the chromium pattern 11 having a low transmittance and the portion of the quartz substrate 1 having a high transmittance (see FIG. 20). 17), there is a structural problem that a portion where the transmittance changes due to the displacement of the correction area 101 occurs.

【００１６】例えば図２０（ｂ）に示すように、修正領
域１０１の位置がＡ’方向にずれた場合には、透過率の
低いクロムパターン１１部分が減少し、透過率の高い石
英基板１部分が増加する。このとき、これらの部分の透
過率の変化は転写イメージ像でのクロムパターン１１の
線幅寸法値を小さくする作用を持つため、結果として線
幅寸法値は所望値より小さくなってしまう（図２０
（ｃ））。For example, as shown in FIG. 20B, when the position of the correction region 101 is shifted in the direction A ', the portion of the chromium pattern 11 having a low transmittance is reduced and the portion of the quartz substrate 1 having a high transmittance is reduced. Increase. At this time, the change in the transmittance of these portions has the effect of reducing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transferred image, and as a result, the line width dimension value becomes smaller than the desired value (FIG. 20).
(C)).

【００１７】また、第２の問題点は、転写イメージ像で
のクロムパターン１１の線幅寸法値が所望値より小さく
なった場合に、これを軽減する手段を有していないこと
である。Further, the second problem is that when the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image becomes smaller than a desired value, there is no means for reducing the line width dimension value.

【００１８】その理由は、上述した修正部分１０１をク
ロムパターン１１の内側に設定する手段は、転写イメー
ジ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値を小さくする
作用しか有していないために、線幅寸法値を大きくする
ことができないからである。The reason for this is that the means for setting the corrected portion 101 inside the chrome pattern 11 only has the effect of reducing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transferred image image, and This is because the width dimension value cannot be increased.

【００１９】［発明の目的］本発明の目的は、上述した
集束イオンビームの照射による黒欠陥修正において、転
写時の欠陥修正跡の寸法変動をさらに低減する、黒欠陥
修正の修正方法を提供することにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a method of repairing a black defect which further reduces the dimensional fluctuation of a defect repair mark during transfer in the above-described black defect repair by irradiation of a focused ion beam. It is in.

【００２０】[0020]

【課題を解決するための手投】本発明の黒欠陥の修正方
法は、まず、図１に示すように工程手順において、黒欠
陥修正工程と、転写イメージ観察工程と、透過率調整工
程とを有している。According to the method for correcting a black defect of the present invention, first, as shown in FIG. 1, a black defect correcting step, a transfer image observation step, and a transmittance adjusting step are performed in a process procedure. Have.

【００２１】黒欠陥修正工程は、集束イオンビームを修
正領域１０１に照射し、黒欠陥１２およびクロムパター
ン１１の一部を石英基板１上から除去する（図２（ａ）
〜（ｂ））。転写イメージ観察工程は、クロムパターン
１１および修正領域１０１付近の転写イメージを観察
し、修正領域１０１に隣接するクロムパターン１１の転
写イメージでの線幅寸法を得る手段を有している。透過
率調整工程は、Ｇａイオン注入領域１０２に集束イオン
ビームを照射する（図２（ｃ））。In the black defect repairing step, a focused ion beam is applied to the repair region 101 to remove a part of the black defect 12 and the chromium pattern 11 from the quartz substrate 1 (FIG. 2A).
-(B)). The transfer image observation step includes means for observing the transfer image in the vicinity of the chrome pattern 11 and the correction area 101 and obtaining a line width dimension of the transfer image of the chrome pattern 11 adjacent to the correction area 101. In the transmittance adjusting step, a focused ion beam is irradiated to the Ga ion implantation region 102 (FIG. 2C).

【００２２】修正領域１０１は黒欠陥１２を含み、か
つ、黒欠陥１２に隣接するクロムパターン１１の一部を
含む領域であり、Ｇａイオン注入領域１０２の設定位置
は、図２（ｂ’）に示すように修正領域１０１の内部の
領域に配置してある。The repair region 101 is a region including the black defect 12 and including a part of the chromium pattern 11 adjacent to the black defect 12, and the setting position of the Ga ion implantation region 102 is shown in FIG. As shown, it is arranged in an area inside the correction area 101.

【００２３】また、透過率調整工程において、クロムパ
ターン１１より透過率の高い追加修正領域１０３を作成
することも特徴点である。具体的には、透過率調整工程
において、集束イオンビームを追加修正領域１０３に照
射し、クロムパターン１１の一部を石英基板１上から除
去する段階（図７参照）を有し、追加修正領域１０３は
修正領域１０１に隣接するクロムパターン１１の内部に
配置する段階（図８参照）を有している。Also, in the transmittance adjusting step, it is a feature that an additional correction area 103 having a transmittance higher than that of the chrome pattern 11 is formed. Specifically, in the transmittance adjusting step, a step of irradiating the focused ion beam to the additional correction region 103 and removing a part of the chromium pattern 11 from the quartz substrate 1 (see FIG. 7) is included. The step 103 has a step of arranging it inside the chrome pattern 11 adjacent to the correction area 101 (see FIG. 8).

【００２４】また、透過率調整工程において、Ｇａイオ
ン注入領域１０２に集束イオンビームを照射する手段
と、クロムパターン１１より透過率の高い追加修正領域
１０３を作成する手段とを選択して欠陥修正を行うこと
（図１１）も特徴点である。In the transmittance adjusting step, a means for irradiating the Ga ion implanted area 102 with a focused ion beam and a means for forming an additional repair area 103 having a transmittance higher than that of the chromium pattern 11 are selected to perform defect repair. Performing (FIG. 11) is also a feature point.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施形態に
ついて図面を参照して説明する。Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００２６】［構成の説明］図１に示したように、本発
明の黒欠陥修正方法での工程手順は、黒欠陥修正工程
と、転写イメージ観察工程と、透過率調整工程とを有し
ている。[Explanation of Configuration] As shown in FIG. 1, the steps in the black defect repair method of the present invention include a black defect repair step, a transfer image observation step, and a transmittance adjustment step. I have.

【００２７】各工程は以下の構成になっている。Each step has the following configuration.

【００２８】まず、黒欠陥修正工程で、集束イオンビー
ム修正装置（図示せず）を用いて、集束イオンビーム
（Ｇａイオン等）を修正領域１０１に照射し、黒欠陥１
２およびクロムパターン１１の一部を石英基板１上から
除去する。（図２（ａ）〜（ｃ）） つぎに、転写イメージ観察工程で、クロムパターン１１
および修正領域１０１の付近の転写イメージを観察し
（図５（ｂ））、修正領域１０１に隣接するクロムパタ
ーン１１の転写イメージでの線幅寸法を得る。First, in a black defect repairing step, a focused ion beam (Ga ion or the like) is irradiated to the repair area 101 using a focused ion beam repair device (not shown), and the black defect 1 is removed.
2 and a part of the chromium pattern 11 are removed from the quartz substrate 1. (FIGS. 2A to 2C) Next, in the transfer image observation step, the chromium
Then, the transfer image near the correction region 101 is observed (FIG. 5B), and the line width dimension of the transfer image of the chrome pattern 11 adjacent to the correction region 101 is obtained.

【００２９】つぎに、透過率調整工程で、集束イオンビ
ーム修正装置（図示しない）を用い、Ｇａイオン注入領
域１０２に集束イオンビーム（Ｇａイオン等）を照射す
る。（図２（ｃ）） 各部分の配置位置は、図３に示すような以下の構成にな
っている。すなわち、修正領域１０１は、黒欠陥１２を
含む領域に配置し、かつ、黒欠陥１２に隣接するクロム
パターン１１の一部も含む。また、Ｇａイオン注入領域
１０２は、修正領域１０１の内部に配置する。Next, in the transmittance adjusting step, a focused ion beam (Ga ions or the like) is irradiated on the Ga ion implantation region 102 using a focused ion beam correction device (not shown). (FIG. 2 (c)) The arrangement position of each part has the following configuration as shown in FIG. That is, the repair area 101 is arranged in an area including the black defect 12 and also includes a part of the chrome pattern 11 adjacent to the black defect 12. Further, the Ga ion implantation region 102 is arranged inside the correction region 101.

【００３０】さらに、各部分の透過率は、図４に示すよ
うに、各工程で以下のように変化する。修正領域１０１
は、黒欠陥修正工程において、クロムパターン１１より
透過率が高く、かつ、石英基板１より透過率が低くな
る。（図４（ｂ））また、Ｇａイオン注入領域１０２
は、透過率調整工程において、クロムパターン１１より
透過率が高く、かつ、修正領域１０１より透過率が低く
なる。（図４（ｃ））さらに、黒欠陥１２（および修正
領域１０１）に隣接するクロムパターン１１の転写イメ
ージでの線幅寸法値は、図５に示すように、各工程で以
下のように変化する。Further, as shown in FIG. 4, the transmittance of each part changes in each step as follows. Correction area 101
In the black defect repairing step, the transmittance is higher than the chromium pattern 11 and lower than the quartz substrate 1. (FIG. 4B) Also, the Ga ion implantation region 102
In the transmittance adjusting step, the transmittance is higher than the chrome pattern 11 and the transmittance is lower than the correction region 101. (FIG. 4C) Further, the line width dimension value in the transfer image of the chrome pattern 11 adjacent to the black defect 12 (and the repair area 101) changes as follows in each process as shown in FIG. I do.

【００３１】この線幅寸法値は、黒欠陥修正工程前では
所望する線幅寸法値より大きく（図５（ａ））、黒欠陥
修正工程後では所望する線幅寸法値より小さく（図５
（ｂ））、透過率調整工程後では、黒欠陥修正工程後よ
り大きく、所望する線幅寸法値にほぼ等しい。（図５
（ｃ）） ［動作の説明］次に、本発明の第１の実施形態の動作に
ついて、図面を参照して説明する。まず、黒欠陥修正工
程では、修正領域１０１（図３）にＧａイオン等の集束
イオンビームが照射されることにより、これに含まれる
黒欠陥１２（図３）は、石英基板１上から完全に除去さ
れて石英基板１が露出する（図２（ａ）〜（ｂ））。修
正領域１０１は、黒欠陥１２に隣接するクロムパターン
１１の一部も含んでいるため（図３）、この部分のクロ
ムパターン１１は石英基板１上から除去され、石英基板
１が露出する（図２（ｂ）（ｃ））。この工程により、
修正領域１０１に隣接するクロムパターン１１の線幅は
細くなる。（図２（ｂ’）、図３） 修正領域１０１の透過率は、黒欠陥１２およびクロムパ
ターン１１が除去され、石英基板１が露出するために高
くなるが、照射した集束イオンビームの一部が修正領域
１０１の石英基板１の表面付近に残存するため（図２
（ｂ））、修正領域１０１の透過率は石英基板１の透過
率よりは低くなる（図４（ｂ））。This line width dimension value is larger than the desired line width dimension value before the black defect repair step (FIG. 5A), and smaller than the desired line width dimension value after the black defect repair step (FIG. 5A).
(B)) After the transmittance adjusting step, it is larger than after the black defect correcting step, and is substantially equal to a desired line width dimension value. (FIG. 5
(C) [Description of Operation] Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, in the black defect repairing step, the repair region 101 (FIG. 3) is irradiated with a focused ion beam such as Ga ions, so that the black defects 12 (FIG. 3) contained therein are completely removed from the quartz substrate 1. After removal, the quartz substrate 1 is exposed (FIGS. 2A and 2B). Since the repair area 101 includes a part of the chrome pattern 11 adjacent to the black defect 12 (FIG. 3), the chrome pattern 11 in this part is removed from the quartz substrate 1 and the quartz substrate 1 is exposed (FIG. 3). 2 (b) (c)). By this process,
The line width of the chrome pattern 11 adjacent to the correction area 101 becomes thin. (FIG. 2 (b ′), FIG. 3) The transmittance of the repair region 101 is increased because the black defect 12 and the chromium pattern 11 are removed and the quartz substrate 1 is exposed. Remains near the surface of the quartz substrate 1 in the correction region 101 (FIG. 2).
(B)), the transmittance of the correction region 101 is lower than the transmittance of the quartz substrate 1 (FIG. 4B).

【００３２】転写イメージ観察工程では、クロムパター
ン１１および修正領域１０１の付近の転写イメージを観
察することにより、修正領域１０１に隣接するクロムパ
ターン１１の転写イメージでの線幅寸法を得る（図５
（ｂ））。この転写イメージの観察には、このマスクを
縮小投影露光装置により半導体基板上のレジスト膜に実
際に転写しレジスト寸法を観察することも可能である
が、より簡便な方法としては、半導体基板への転写条件
（縮小投影露光装置のＮＡ、σ、露光波長等）に対応し
た転写イメージを得ることができる顕微鏡（図示しな
い）を使用する。In the transfer image observation step, the line width of the transfer image of the chrome pattern 11 adjacent to the correction region 101 is obtained by observing the transfer image in the vicinity of the chrome pattern 11 and the correction region 101 (FIG. 5).
(B)). In order to observe the transferred image, it is possible to actually transfer the mask to a resist film on the semiconductor substrate using a reduction projection exposure apparatus and observe the resist dimensions. A microscope (not shown) capable of obtaining a transfer image corresponding to transfer conditions (NA, σ, exposure wavelength, etc. of the reduction projection exposure apparatus) is used.

【００３３】透過率調整工程では、Ｇａイオン注入領域
１０２の透過率が修正領域１０１より低くなる（図４
（ｃ））。これは、黒欠陥修正工程により石英基板１が
露出した修正領域１０１中にあるＧａイオン注入領域１
０２に、照射された集束イオンビーム（Ｇａイオン等）
が残存するためである（図２（ｃ））。In the transmittance adjusting step, the transmittance of the Ga ion implanted region 102 becomes lower than that of the correction region 101 (FIG. 4).
(C)). This is because the Ga ion implanted region 1 in the repair region 101 where the quartz substrate 1 is exposed by the black defect repair process.
02, irradiated focused ion beam (Ga ion etc.)
Is left (FIG. 2C).

【００３４】つぎに、各工程での各部分の透過率の変化
と転写イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値
の変化との関係について説明する。Next, the relationship between the change in the transmittance of each portion in each step and the change in the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transferred image image will be described.

【００３５】まず、黒欠陥１２があるとき、すなわち黒
欠陥修正工程前では、黒欠陥１２部分の透過率が低いた
め（図４（ａ））、黒欠陥１２が転写されて転写イメー
ジ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値は線幅寸法値
より大きくなる（図５（ａ））。First, when the black defect 12 is present, that is, before the black defect correcting step, the transmittance of the black defect 12 is low (FIG. 4A). The line width dimension value of the chrome pattern 11 becomes larger than the line width dimension value (FIG. 5A).

【００３６】つぎに、黒欠陥修正工程により、修正領域
１０１の透過率がクロムパターン１１より高くかつ石英
基板１より低くなる（図４（ｂ））が、修正領域１０１
に隣接するクロムパターン１１の線幅が細くなる（図
３）ため、転写イメージ像のクロムパターン１１の線幅
寸法値は所望の寸法値より小さくなる（図５（ｂ））。
修正領域１０１の透過率が石英基板１より低くなること
は、転写イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法
値を大きくする作用を持つが、修正領域１０１に隣接す
るクロムパターン１１の線幅を細くすることは、転写イ
メージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値を小さく
する作用を持っている。このため、修正領域１０１を図
３中でのＡ’方向に大きく設定して、隣接するクロムパ
ターン１１の線幅を過剰に細くして、転写イメージ像で
のクロムパターン１１の線幅寸法値を所望の寸法値より
小さくすることが可能になる。Next, in the black defect repairing step, the transmittance of the repaired area 101 becomes higher than that of the chromium pattern 11 and lower than that of the quartz substrate 1 (FIG. 4B).
Since the line width of the chrome pattern 11 adjacent to the chrome pattern 11 becomes thinner (FIG. 3), the line width dimension value of the chrome pattern 11 of the transfer image becomes smaller than the desired dimension value (FIG. 5B).
The fact that the transmittance of the repair area 101 is lower than that of the quartz substrate 1 has the effect of increasing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transferred image, but the line width of the chrome pattern 11 adjacent to the repair area 101 is reduced. The thinning has the effect of reducing the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image. For this reason, the correction area 101 is set to be large in the direction A 'in FIG. 3 so that the line width of the adjacent chrome pattern 11 is excessively reduced, and the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image is reduced. It becomes possible to make it smaller than a desired dimension value.

【００３７】つぎに、透過率調整工程により、Ｇａイオ
ン注入領域１０２の透過率が修正領域１０１より低くな
り（図４（ｃ））、これが転写イメージ像のクロムパタ
ーン１１の線幅寸法値を大きくする（図５（ｃ））作用
をもつ。Next, in the transmittance adjusting step, the transmittance of the Ga ion implanted region 102 becomes lower than that of the correction region 101 (FIG. 4C), which increases the line width dimension value of the chrome pattern 11 of the transferred image. (FIG. 5C).

【００３８】例えば、Ｇａイオン注入領域１０２の大き
さを図３で示したＡ方向に大きく設定することにより、
修正領域１０１より透過率が低いＧａイオン注入領域１
０２が相対的に増加し、転写イメージ像でのクロムパタ
ーン１１の線幅寸法値を大きくするためである。なお、
Ｇａイオン注入領域１０２をこれより小さく設定した場
合には、逆に、転写イメージ像でのクロムパターン１１
の線幅寸法値が小さくなる。このため、この透過率調整
工程では、Ｇａイオン注入領域１０２の大きさ（図３で
示したＡ−Ａ’方向の長さ）を変えることにより、転写
イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値を変え
ることも可能になっている。For example, by setting the size of the Ga ion implantation region 102 to be large in the direction A shown in FIG.
Ga ion implanted region 1 having a lower transmittance than correction region 101
02 is relatively increased, and the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image is increased. In addition,
If the Ga ion implantation region 102 is set smaller than this, on the contrary, the chrome pattern 11
Becomes smaller. For this reason, in this transmittance adjusting step, the line width of the chromium pattern 11 in the transfer image is changed by changing the size of the Ga ion implanted region 102 (length in the direction of AA ′ shown in FIG. 3). It is also possible to change the value.

【００３９】従って、黒欠陥修正工程において、修正領
域１０１を過剰に大きく設定して、転写イメージ像での
クロムパターン１１の線幅寸法値を、所望する寸法値よ
り小さくし、転写イメージ観察工程で得られた転写イメ
ージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値により、透
過率調整工程のＧａイオン注入領域１０２の大きさを変
えることにより、転写イメージ像でのクロムパターン１
１の線幅寸法値を所望の寸法値にすることが可能とな
る。Therefore, in the black defect repairing step, the repair area 101 is set to be excessively large, so that the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image is made smaller than the desired dimension value, and in the transfer image observation step. By changing the size of the Ga ion implantation region 102 in the transmittance adjusting step according to the line width dimension value of the chromium pattern 11 in the obtained transfer image image, the chromium pattern 1 in the transfer image image is changed.
It is possible to set the line width dimension value of 1 to a desired dimension value.

【００４０】また、本発明の透過率調整工程では、集束
イオンビーム（Ｇａイオン等）の照射位置の変化により
透過率が変化する部分が相殺されるため、これによる転
写イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値の変
化量が小さい。すなわち、本発明では、Ｇａイオン注入
領域１０２は修正部分１０１の中に配置されるため（図
３）、図６（ｂ）に示したように、Ａ’方向に位置がず
れた場合でも、透過率が一様な修正部分１０１の中でＧ
ａイオン注入領域１０２がＡ−Ａ’方向で移動するだけ
であるため、転写イメージ像でのクロムパターン１１の
線幅寸法値の変化が生じにくい。Further, in the transmittance adjusting step of the present invention, since the portion where the transmittance changes due to the change of the irradiation position of the focused ion beam (Ga ion or the like) is offset, the chromium pattern 11 in the transfer image image due to this is offset. Is small. That is, in the present invention, since the Ga ion implanted region 102 is arranged in the repaired portion 101 (FIG. 3), even if the position is shifted in the A ′ direction as shown in FIG. G in the corrected portion 101 with a uniform rate
Since the a ion implantation region 102 merely moves in the AA ′ direction, a change in the line width dimension value of the chrome pattern 11 in the transfer image image hardly occurs.

【００４１】なお、修正部分１０１およびＧａイオン注
入領域１０２の設定例としては、半導体基板への転写条
件を、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ値＝
０．８０、１／５の縮小投影露光とし、所望の線幅寸法
値がマスク上で１．２５μｍ、クロムパターン１１の線
幅寸法値が１．２５μｍ、黒欠陥１２はマスク上の寸法
で０．５μｍ平方程度であり、露光光での透過率が修正
領域１０１は８０％程度で、Ｇａイオン注入領域１０２
は６０％程度（石英基板１の透過率を１００％とした場
合）である集束イオンビームを使用し、かつ、使用する
集束イオンビーム装置での集束イオンビームの照射位置
ずれが０．０５〜０．０７μｍ（マスク上の寸法値）程
度ある場合において、修正領域１０１は０．２μｍ程度
クロムパターン１１の内側に設定し、Ｇａイオン注入領
域１０２は０．１μｍ程度修正領域１０１の内側に設定
する。As an example of setting the corrected portion 101 and the Ga ion implanted region 102, the conditions for transfer to the semiconductor substrate are as follows: exposure wavelength 248 nm, NA = 0.55, σ value =
0.80, 1/5 reduction projection exposure, the desired line width dimension value is 1.25 μm on the mask, the line width dimension value of the chrome pattern 11 is 1.25 μm, and the black defect 12 is 0 on the mask. The transmittance of exposure light is about 80% in the correction area 101, and the Ga ion implantation area 102 is about 0.5 μm square.
Uses a focused ion beam of about 60% (when the transmittance of the quartz substrate 1 is 100%), and the focused ion beam irradiation position shift in the focused ion beam apparatus used is 0.05 to 0. In the case of about 0.07 μm (dimension value on the mask), the correction area 101 is set about 0.2 μm inside the chromium pattern 11, and the Ga ion implantation area 102 is set about 0.1 μm inside the correction area 101.

【００４２】上述した本発明の第１の実施形態は、透過
率調整工程において、修正領域１０１より透過率の低い
Ｇａイオン注入領域１０２を作成することにより、転写
イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法値を所望
の寸法値とする方法について示した。According to the first embodiment of the present invention, the line of the chromium pattern 11 in the transfer image is formed by forming the Ga ion implanted region 102 having a lower transmittance than the correction region 101 in the transmittance adjusting step. The method of setting the width dimension value to a desired dimension value has been described.

【００４３】［実施形態２］次に、本発明の第２の実施
形態として、透過率調整工程において、クロムパターン
１１より透過率の高い追加修正領域１０３を作成するこ
とにより、転写イメージ像でのクロムパターン１１の線
幅寸法値を所望の寸法値とする方法について、図面を参
照して説明する。[Embodiment 2] Next, as a second embodiment of the present invention, in the transmittance adjusting step, an additional correction area 103 having a transmittance higher than that of the chrome pattern 11 is created, so that a transfer image image is formed. A method for setting the line width dimension value of the chrome pattern 11 to a desired dimension value will be described with reference to the drawings.

【００４４】本第２の実施形態における透過率調整工程
では、集束イオンビーム修正装置（図示せず）を用いて
集束イオンビーム（Ｇａイオン等）を追加修正領域１０
３に照射し、クロムパターン１１の一部を石英基板１上
から除去する。（図７（ａ）〜（ｃ））追加修正領域１
０３の位置関係は、図８に示すように、修正領域１０１
に隣接するクロムパターン１１の内部にある。In the transmittance adjusting step according to the second embodiment, a focused ion beam (Ga ions or the like) is added to the additional correction region 10 using a focused ion beam correction device (not shown).
3 and a part of the chromium pattern 11 is removed from the quartz substrate 1. (FIGS. 7A to 7C) Additional correction area 1
As shown in FIG.
Is located inside the chrome pattern 11 adjacent to.

【００４５】また、各部分の透過率は、図９に示すよう
に、以下のように変化する。ここで、追加修正領域１０
３の透過率は、透過率調整工程において、クロムパター
ン１１より透過率が高くなる。Further, as shown in FIG. 9, the transmittance of each portion changes as follows. Here, the additional correction area 10
The transmittance of No. 3 is higher than that of the chrome pattern 11 in the transmittance adjusting step.

【００４６】透過率調整工程後の追加修正領域１０３
（および修正領域１０１）に隣接するクロムパターン１
１の転写イメージでの線幅寸法値は、図１０に示すよう
に、透過率調整工程前の値より小さくなり、所望の寸法
値程度となる。Additional correction area 103 after transmittance adjustment step
Chrome pattern 1 adjacent to (and correction area 101)
As shown in FIG. 10, the line width dimension value in the transfer image No. 1 is smaller than the value before the transmittance adjusting step, and is about the desired dimension value.

【００４７】本第２の実施形態における透過率調整工程
では、追加修正領域１０３にＧａイオン等の集束イオン
ビームが照射されることにより、追加修正領域１０３内
の石英基板１上のクロムパターン１１が石英基板１上か
ら完全に除去され、追加修正領域１０３内には石英基板
１が露出する（図７）。また、これにより、この工程で
追加修正領域１０３（および修正領域１０１）に隣接す
るクロムパターン１１の線幅は細くなる。（図７、図
８）追加修正領域１０３は、クロムパターン１１が除去
されて石英基板１が露出するために透過率が高くなる
が、照射した集束イオンビームの一部が追加修正領域１
０３の石英基板１の表面付近に残存するため（図７
（ｃ））、追加修正領域１０３の透過率は石英基板１の
透過率よりは低い（図９（ｂ））。In the transmittance adjusting step of the second embodiment, the chromium pattern 11 on the quartz substrate 1 in the additional correction region 103 is irradiated by irradiating the additional correction region 103 with a focused ion beam such as Ga ion. The quartz substrate 1 is completely removed from the quartz substrate 1 and the quartz substrate 1 is exposed in the additional correction region 103 (FIG. 7). This also reduces the line width of the chrome pattern 11 adjacent to the additional correction area 103 (and the correction area 101) in this step. (FIGS. 7 and 8) The additional correction area 103 has a high transmittance because the chromium pattern 11 is removed and the quartz substrate 1 is exposed.
7 remains near the surface of the quartz substrate 1 of FIG.
(C)), the transmittance of the additional correction region 103 is lower than the transmittance of the quartz substrate 1 (FIG. 9B).

【００４８】さらに、本第２の実施形態での透過率調整
工程においても、作成する追加修正領域１０３の大きさ
（図８中でのＡ−Ａ’方向に大きく）を変えることによ
り、転写イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法
値を変えることができる。Further, also in the transmittance adjusting step in the second embodiment, by changing the size of the additional correction area 103 to be created (increased in the direction of AA ′ in FIG. 8), the transfer image The line width dimension value of the chrome pattern 11 in the image can be changed.

【００４９】すなわち、追加修正領域１０３の大きさを
Ａ’方向（図８）に大きく設定することにより、クロム
パターン１１より透過率が高い追加修正領域１０３を相
対的に増加させて、転写イメージ像でのクロムパターン
１１の線幅寸法値を大きくすることができる。逆に、
Ａ’方向（図８）に小さく設定した場合には、クロムパ
ターン１１より透過率が低い追加修正領域１０３を相対
的に増加させて、転写イメージ像でのクロムパターン１
１の線幅寸法値は小さくなる。That is, by setting the size of the additional correction area 103 to be larger in the direction A '(FIG. 8), the additional correction area 103 having a higher transmittance than the chrome pattern 11 is relatively increased, and , The line width dimension value of the chrome pattern 11 can be increased. vice versa,
When the size is set smaller in the A ′ direction (FIG. 8), the additional correction area 103 having a transmittance lower than that of the chrome pattern 11 is relatively increased, and the chrome pattern 1 in the transfer image image is increased.
The line width dimension value of 1 becomes smaller.

【００５０】なお、本第２の実施形態の透過率調整工程
では、追加修正領域１０３を作成するため、この工程の
前よりクロムパターン１１より透過率が高い部分が相対
的に増加するため、転写イメージ像でのクロムパターン
１１の線幅寸法値は透過率調整工程前より小さくなる。In the transmittance adjusting step of the second embodiment, since the additional correction area 103 is formed, a portion having a transmittance higher than that of the chrome pattern 11 before this step is relatively increased. The line width dimension value of the chrome pattern 11 in the image image is smaller than before the transmittance adjusting step.

【００５１】［実施形態３］本発明では、上述した２つ
の実施形態の透過率調整工程を組合せることにより、転
写イメージ像でのクロムパターン１１の線幅寸法を、更
に精度良く所望の寸法値にすることが可能である。以下
にこの方法を本発明の第３の実施形態として、図面を参
照して説明する。[Embodiment 3] In the present invention, the line width dimension of the chromium pattern 11 in the transfer image image can be more precisely adjusted to a desired dimension value by combining the transmittance adjusting steps of the above two embodiments. It is possible to Hereinafter, this method will be described as a third embodiment of the present invention with reference to the drawings.

【００５２】まず、工程手順を、図１１に示す。本第３
の実施形態の黒欠陥の修正方法は、修正工程と、転写イ
メージ観察工程と、透過率調整工程とを有している。透
過率調整工程は、上述した２つの方法を有している。こ
の内１つは、修正領域１０１より透過率の低いＧａイオ
ン注入領域１０２を作成する方法であり、もう１つは、
クロムパターン１１より透過率の高い追加修正領域１０
３を作成する方法である。First, the procedure of the process is shown in FIG. Book 3
The method for correcting a black defect according to the embodiment has a repairing step, a transfer image observation step, and a transmittance adjusting step. The transmittance adjusting step has the two methods described above. One of the methods is to create a Ga ion implantation region 102 having a lower transmittance than the correction region 101, and the other is
Additional correction area 10 having higher transmittance than chrome pattern 11
3 is created.

【００５３】これらの工程手順では、修正工程から転写
イメージ観察工程までは上述した第１の実施形態と同様
であり、転写イメージ観察工程で観察された転写イメー
ジでのクロムパターン１１の線幅寸法が所望の寸法値よ
り大きいか小さいかにより、透過率調整工程での２つの
方法の１つを選択する（図１１）。さらに、転写イメー
ジ観察工程と透過率調整工程とを、転写イメージでのク
ロムパターン１１の線幅寸法と所望の寸法値との差が許
容値以下になるまで、これらを繰り返し行う（図１
１）。In these steps, the steps from the correction step to the transfer image observation step are the same as those in the first embodiment described above, and the line width dimension of the chrome pattern 11 in the transfer image observed in the transfer image observation step is different. One of two methods in the transmittance adjusting step is selected depending on whether the size is larger or smaller than the desired dimension value (FIG. 11). Further, the transfer image observation step and the transmittance adjustment step are repeatedly performed until the difference between the line width dimension of the chrome pattern 11 in the transfer image and the desired dimension value becomes equal to or smaller than an allowable value (FIG. 1).
1).

【００５４】ここで、転写イメージ観察工程で観察され
た転写イメージでのクロムパターン１１の線幅寸法が所
望の寸法値より小さい場合には、第１の実施形態で示し
た、修正領域１０１より透過率の低いＧａイオン注入領
域１０２を作成する方法を行い、転写イメージでのクロ
ムパターン１１の線幅寸法を大きくする。Here, when the line width dimension of the chrome pattern 11 in the transfer image observed in the transfer image observation step is smaller than a desired dimension value, the chromium pattern 11 transmits through the correction area 101 shown in the first embodiment. A method of forming the Ga ion implantation region 102 having a low rate is performed to increase the line width dimension of the chromium pattern 11 in the transfer image.

【００５５】また、転写イメージでのクロムパターン１
１の線幅寸法が所望の寸法値より大きい場合には、第２
の実施形態で示した、クロムパターン１１より透過率の
高い追加修正領域１０３を作成する方法を行い、転写イ
メージでのクロムパターン１１の線幅寸法を小さくす
る。Further, the chrome pattern 1 in the transfer image
If the line width dimension of (1) is larger than the desired dimension value, the second
The method of creating the additional correction area 103 having a higher transmittance than the chrome pattern 11 described in the embodiment is performed to reduce the line width dimension of the chrome pattern 11 in the transfer image.

【００５６】従って、先の実施形態と同様に本第３の実
施形態においても、集束イオンビーム照射装置を使用し
た集束イオンビーム（Ｇａイオン等）を用い、Ｇａイオ
ン注入領域１０２は修正領域１０１の内側に設定し（図
３）、追加修正領域１０３は修正領域１０１に隣接する
クロムパターン１１の内側に設定する（図８）ことが可
能であるため、本第３の実施形態の透過率調整工程で
は、集束イオンビーム照射の位置設定を変えることによ
り、これらの２つの方法の選択が可能になっている。Accordingly, in the third embodiment, as in the previous embodiment, a focused ion beam (Ga ions or the like) using a focused ion beam irradiation device is used, and the Ga ion implantation region 102 is Since the additional correction area 103 can be set inside (FIG. 3) and the additional correction area 103 can be set inside the chrome pattern 11 adjacent to the correction area 101 (FIG. 8), the transmittance adjusting step of the third embodiment is performed. By changing the position setting of the focused ion beam irradiation, these two methods can be selected.

【００５７】[0057]

【発明の効果】本発明の効果は、集束イオンビームを用
いた黒欠陥修正において、欠陥修正跡の転写による転写
イメージでの寸法変動を低減させたことである。これに
より、これを使用した半導体装置のパターン形成工程に
おいての寸法変動を低減できる。その理由は、修正工程
と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを有し、と
くに、透過率調整工程では、黒欠陥の修正を行った修正
領域の内部にＧａイオン注入領域を設定し、この部分に
集束イオンビームを照射し、この透過率をさらに低くし
て、クロムパターンの転写イメージでの線幅寸法値を増
加させて所望の寸法値にする段階を設けたからである。The effect of the present invention is to reduce the dimensional fluctuation in the transferred image due to the transfer of the defect correction mark in the black defect correction using the focused ion beam. As a result, a dimensional variation in a pattern forming step of a semiconductor device using the same can be reduced. The reason is that it has a repairing step, a transfer image observation step, and a transmittance adjusting step. In the transmittance adjusting step, in particular, a Ga ion implanted area is set inside a repaired area where a black defect has been repaired. This is because a step of irradiating a focused ion beam to the portion to further reduce the transmittance and increasing a line width dimension value in a transfer image of the chrome pattern to a desired dimension value is provided.

【００５８】第２の理由は、透過率調整工程では、クロ
ムパターン内部に追加修正領域を設定し、この部分に集
束イオンビームを照射し、この透過率を高くして、クロ
ムパターンの転写イメージでの線幅寸法値を減少させて
所望の寸法値にする段階を設けたからである。The second reason is that, in the transmittance adjusting step, an additional correction area is set inside the chromium pattern, and this portion is irradiated with a focused ion beam to increase the transmittance so that the transferred image of the chrome pattern can be obtained. This is because a step of reducing the line width dimension value to a desired dimension value is provided.

【００５９】第３の理由は、転写イメージ観察工程でク
ロムパターンの転写イメージでの線幅寸法値が所望寸法
値より大きいか小さいかにより透過率調整工程での手段
を選択し、これが小さい場合にはＧａイオン注入領域を
設定し、寸法値が大きい場合は追加修正領域を設定し、
この部分に集束イオンビームを照射して、クロムパター
ンの転写イメージでの線幅寸法値を所望の寸法値にする
段階を設けたからである。The third reason is that, in the transfer image observation step, the means in the transmittance adjusting step is selected depending on whether the line width dimension value in the transfer image of the chrome pattern is larger or smaller than the desired dimension value. Sets the Ga ion implantation area, and if the dimension value is large, sets the additional correction area,
This is because a step of irradiating the focused ion beam to this portion to make the line width dimension value in the transfer image of the chrome pattern a desired dimension value is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態での工程手順を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a process procedure in a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第１の実施形態での工程図である。FIG. 2 is a process chart according to the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第１の実施形態での位置関係を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing a positional relationship according to the first embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第１の実施形態での透過率分布を説明
する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a transmittance distribution according to the first embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第１の実施形態での転写イメージを説
明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a transfer image according to the first embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第１の実施形態での位置ずれの影響を
説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the influence of a position shift in the first embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第２の実施形態での工程図である。FIG. 7 is a process chart according to a second embodiment of the present invention.

【図８】本発明の第２の実施形態での位置関係を示す図
である。FIG. 8 is a diagram illustrating a positional relationship according to the second embodiment of the present invention.

【図９】本発明の第２の実施形態での透過率分布を説明
する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a transmittance distribution according to a second embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の第２の実施形態での転写イメージを
説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a transfer image according to the second embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の第３の実施形態での工程手順を示す
図である。FIG. 11 is a view showing a procedure in a third embodiment of the present invention.

【図１２】第１の従来例での工程図である。FIG. 12 is a process chart in the first conventional example.

【図１３】第１の従来例での位置関係を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a positional relationship in the first conventional example.

【図１４】第１の従来例での透過率分布を説明する図で
ある。FIG. 14 is a diagram illustrating a transmittance distribution in the first conventional example.

【図１５】第１の従来例での転写イメージを説明する図
である。FIG. 15 is a diagram illustrating a transfer image in a first conventional example.

【図１６】第２の従来例での工程図である。FIG. 16 is a process chart in the second conventional example.

【図１７】第２の従来例での位置関係を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a positional relationship in a second conventional example.

【図１８】第２の従来例での透過率分布を説明する図で
ある。FIG. 18 is a diagram illustrating a transmittance distribution in a second conventional example.

【図１９】第２の従来例での転写イメージを説明する図
である。FIG. 19 is a diagram illustrating a transfer image in a second conventional example.

【図２０】第２の従来例での位置ずれの影響を説明する
図である。FIG. 20 is a diagram for explaining the influence of a displacement in the second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 石英基板 ２ クロム膜 １１ クロムパターン １２ 黒欠陥 ２１ 残留したＧａイオン ２２ 注入したＧａイオン １０１ 修正領域 １０２ Ｇａイオン注入領域 １０３ 追加修正領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Quartz substrate 2 Chromium film 11 Chromium pattern 12 Black defect 21 Remaining Ga ion 22 Implanted Ga ion 101 Correction area 102 Ga ion implantation area 103 Additional correction area

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 半導体装置のパターン形成に使用するマ
スクに発生する黒欠陥を集束イオンビームにより除去し
て修正するマスクの修正方法において、 修正工程と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを
有し、 前記黒欠陥と該黒欠陥に隣接するクロムパターンの一部
を含む領域に修正領域を配置し、 前記修正領域の内側の領域にＧａイオン注入領域を配置
し、 前記修正工程では、集束イオンビームを前記修正領域に
照射して黒欠陥と該修正領域内のクロムパターンの除去
を行い、 前記転写イメージ観察工程では、転写イメージ像の観察
を行い、前記修正領域に隣接するクロムパターンの転写
イメージでの線幅寸法を得て、 前記透過率調整工程では、集束イオンビームの照射をＧ
ａイオン注入領域に行うことを特徴とするマスクの修正
方法。1. A mask repairing method for removing and repairing a black defect generated in a mask used for pattern formation of a semiconductor device by a focused ion beam, comprising a repairing step, a transfer image observation step, and a transmittance adjusting step. A repair region is arranged in a region including the black defect and a part of the chromium pattern adjacent to the black defect; a Ga ion implantation region is arranged in a region inside the repair region; A beam is applied to the repair area to remove black defects and a chromium pattern in the repair area. In the transfer image observation step, a transfer image image is observed, and a transfer image of a chrome pattern adjacent to the repair area is obtained. In the transmittance adjusting step, the irradiation of the focused ion beam is performed by G
(a) A method for correcting a mask, which is performed on an ion-implanted region. 【請求項２】 半導体装置のパターン形成に使用するマ
スクに発生する黒欠陥を集束イオンビームにより除去し
て修正するマスクの修正方法において、 修正工程と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを
有し、 前記黒欠陥と該黒欠陥に隣接するクロムパターンの一部
を含む領域に修正領域を配置し、 前記修正領域の内側の領域にＧａイオン注入領域を配置
し、 前記修正領域に隣接するクロムパターンの内部に追加修
正領域を配置し、 前記修正工程では、集束イオンビームを前記修正領域に
照射して黒欠陥と該修正領域内のクロムパターンの除去
を行い、 前記転写イメージ観察工程では、転写イメージ像の観察
を行い、前記修正領域に隣接するクロムパターンの転写
イメージでの線幅寸法を得て、 前記透過率調整工程では、集束イオンビームを前記追加
修正領域に照射して該追加修正領域内のクロムパターン
の除去を行うことを特徴とする マスクの修正方法。(2)Masks used for pattern formation in semiconductor devices
The black defects generated in the disk are removed by a focused ion beam.
In the method of correcting the mask to be corrected by Correction process, transfer image observation process, and transmittance adjustment process
Have The black defect and a part of a chrome pattern adjacent to the black defect
Place the correction area in the area containing Ga ion implantation region is arranged in the region inside the correction region
And Additional repair inside the chrome pattern adjacent to the repair area
Place the positive area, In the repairing step, the focused ion beam is applied to the repair area.
Irradiation to remove black defects and chromium patterns in the repair area
Do In the transfer image observation step, the transfer image image is observed.
And transferring a chrome pattern adjacent to the correction area.
Get the line width dimension in the image, In the transmittance adjusting step, the focused ion beam is added.
Irradiating the correction area with the chrome pattern in the additional correction area
Characterized by removing How to fix the mask. 【請求項３】 半導体装置のパターン形成に使用するマ
スクに発生した黒欠陥を集束イオンビームにより除去し
て修正するマスクの修正方法において、 修正工程と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを
有し、 黒欠陥と該黒欠陥に隣接するクロムパターンの一部を含
む領域に修正領域を配置し、 前記修正領域の内側の領域にＧａイオン注入領域を配置
し、 追加修正領域を前記修正領域に隣接するクロムパターン
の内部に配置し、 前記修正工程では、集束イオンビームを該修正領域に照
射して黒欠陥と修正領域内のクロムパターンの除去を行
い、 前記転写イメージ観察工程では、転写イメージ像の観察
を行い、前記修正領域に隣接するクロムパターンの転写
イメージでの線幅寸法を得て、 前記線幅寸法が、所望の寸法より小さい場合は前記Ｇａ
イオン注入領域を選択し、 所望の線幅より大きい場合は追加修正領域を選択し、 前記透過率調整工程では、集束イオンビームの照射を前
記選択した領域に行うことを特徴とするマスクの修正方
法。3. A method of repairing a mask for removing and correcting a black defect generated in a mask used for forming a pattern of a semiconductor device by using a focused ion beam, comprising a repairing step, a transfer image observation step, and a transmittance adjusting step. A repair region is arranged in a region including a black defect and a part of the chromium pattern adjacent to the black defect, a Ga ion implantation region is arranged in a region inside the repair region, and an additional repair region is formed in the repair region. In the repair step, a focused ion beam is applied to the repair area to remove black defects and the chromium pattern in the repair area. In the transfer image observation step, the transfer image image is removed. To obtain a line width dimension in a transfer image of the chrome pattern adjacent to the correction area, and when the line width dimension is smaller than a desired dimension, Serial Ga
Selecting an ion implantation region; selecting an additional correction region if the line width is larger than a desired line width; and irradiating the selected region with a focused ion beam in the transmittance adjusting step. .