JP3048705B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3048705B2 JP3048705B2 JP26394791A JP26394791A JP3048705B2 JP 3048705 B2 JP3048705 B2 JP 3048705B2 JP 26394791 A JP26394791 A JP 26394791A JP 26394791 A JP26394791 A JP 26394791A JP 3048705 B2 JP3048705 B2 JP 3048705B2
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- Japan
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- linear
- layer
- light
- electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大容量マトリクス型の
液晶表示装置に関する。
液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マトリクス型の液晶表示装置（ＬＣＤ）
は、近年、ますます大容量化が要求されている。即ち、
表示機器の高解像度化に伴って絵素数を400×600 から1
000×1000以上へと増大することが求められており、表
示画面のサイズも10インチから20インチ以上へと、より
大型化することが求められている。
は、近年、ますます大容量化が要求されている。即ち、
表示機器の高解像度化に伴って絵素数を400×600 から1
000×1000以上へと増大することが求められており、表
示画面のサイズも10インチから20インチ以上へと、より
大型化することが求められている。
【０００３】このマトリクス型のＬＣＤは、その駆動方
法の違いからアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤと単純
マトリクス駆動型ＬＣＤとに大別され、それぞれについ
て高解像度化及び大画面化が図られている。
法の違いからアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤと単純
マトリクス駆動型ＬＣＤとに大別され、それぞれについ
て高解像度化及び大画面化が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
駆動型ＬＣＤ、特にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動型
ＬＣＤにおいては、高解像度化及び大画面化を行う場
合、次のごとき問題がある。
駆動型ＬＣＤ、特にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動型
ＬＣＤにおいては、高解像度化及び大画面化を行う場
合、次のごとき問題がある。
【０００５】走査線数の増大に応じて走査線１本当たり
の書き込み時間が減少してしまうので、ＴＦＴ素子の十
分な駆動を行うために、より大きなオン電流が必要とな
る。オン電流を大きくするためには、ＴＦＴ素子を構成
する半導体材料に大きな移動度を有するものを使用する
か、ＴＦＴ素子のＷ／Ｌ（幅／長さ）比を大きくするこ
とが必要となる。前者の場合には材料の特性に関するも
のであるため、大幅に改善することが難しい。後者の場
合には極めて微細なプロセス制御が要求されるため、歩
留まりを大幅に落とす原因にもつながる。
の書き込み時間が減少してしまうので、ＴＦＴ素子の十
分な駆動を行うために、より大きなオン電流が必要とな
る。オン電流を大きくするためには、ＴＦＴ素子を構成
する半導体材料に大きな移動度を有するものを使用する
か、ＴＦＴ素子のＷ／Ｌ（幅／長さ）比を大きくするこ
とが必要となる。前者の場合には材料の特性に関するも
のであるため、大幅に改善することが難しい。後者の場
合には極めて微細なプロセス制御が要求されるため、歩
留まりを大幅に落とす原因にもつながる。
【０００６】又、高解像度化が進んで絵素に対するＴＦ
Ｔ素子の面積の比が大きくなると、ＴＦＴ素子のゲート
−ドレイン間のキャパシタンスが液晶キャパシタンスに
比して大きくなる。このため、ゲート信号の絵素に与え
る影響が極めて大きくなってしまう。
Ｔ素子の面積の比が大きくなると、ＴＦＴ素子のゲート
−ドレイン間のキャパシタンスが液晶キャパシタンスに
比して大きくなる。このため、ゲート信号の絵素に与え
る影響が極めて大きくなってしまう。
【０００７】従って、本発明は、従来技術の上述した問
題点を解消するものであり、光スイッチング機能を用い
ることにより、絵素駆動電流を容易に増大させることが
でき、駆動電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け上
の走査線数を任意に増大させることができる高解像度の
液晶表示装置を提供するものである。
題点を解消するものであり、光スイッチング機能を用い
ることにより、絵素駆動電流を容易に増大させることが
でき、駆動電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け上
の走査線数を任意に増大させることができる高解像度の
液晶表示装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】それぞれが電極を有する
２つの基板間に設けた液晶層を含む液晶表示装置であっ
て、一方の基板が、互いに並列に配列された複数の線状
発光源と、複数の線状発光源と交差する方向に互いに並
列に配列された複数の線状電極と、複数の線状発光源及
び複数の線状電極が交差する位置に隣接して複数の線状
電極と同一の面上に形成されている複数の絵素電極と複
数の線状電極との間にそれぞれ設けられ線状発光源から
の光によりスイッチング動作する複数の光導電体層とを
備えており、線状電極及び光導電体層を介して印加され
る信号により液晶層の各絵素が駆動されるよう構成さ
れ、線状発光源が切れ目を有している。
２つの基板間に設けた液晶層を含む液晶表示装置であっ
て、一方の基板が、互いに並列に配列された複数の線状
発光源と、複数の線状発光源と交差する方向に互いに並
列に配列された複数の線状電極と、複数の線状発光源及
び複数の線状電極が交差する位置に隣接して複数の線状
電極と同一の面上に形成されている複数の絵素電極と複
数の線状電極との間にそれぞれ設けられ線状発光源から
の光によりスイッチング動作する複数の光導電体層とを
備えており、線状電極及び光導電体層を介して印加され
る信号により液晶層の各絵素が駆動されるよう構成さ
れ、線状発光源が切れ目を有している。
【０００９】
【作用】切れ目を有する線状発光源からの光が印加され
ると、光導電体層はそのインピーダンスが低下してオン
状態となる。その結果、線状電極からの信号がこの光導
電体層を介して液晶層の絵素に印加される。このように
光導電体層がアクティブ素子のごとくスイッチング動作
を行う。従って、光スイッチング機能を用いることによ
り、絵素駆動電流を容易に増大させることができ、駆動
電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け上の走査線数
を任意に増大させることができる。また、線状発光源の
切れ目によって、外部へ放出される光量が増大し、光利
用効率を高めることができる。
ると、光導電体層はそのインピーダンスが低下してオン
状態となる。その結果、線状電極からの信号がこの光導
電体層を介して液晶層の絵素に印加される。このように
光導電体層がアクティブ素子のごとくスイッチング動作
を行う。従って、光スイッチング機能を用いることによ
り、絵素駆動電流を容易に増大させることができ、駆動
電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け上の走査線数
を任意に増大させることができる。また、線状発光源の
切れ目によって、外部へ放出される光量が増大し、光利
用効率を高めることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１１】図１は本発明に係る液晶表示装置の第１の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本
的構造を示す断面図であり、図２は本発明に係る液晶表
示装置の第１の実施例であるアクティブマトリクス駆動
型ＬＣＤの基本的構造を示す平面図である。ここで、図
１の断面図は図２のＡＡ線断面図である。
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本
的構造を示す断面図であり、図２は本発明に係る液晶表
示装置の第１の実施例であるアクティブマトリクス駆動
型ＬＣＤの基本的構造を示す平面図である。ここで、図
１の断面図は図２のＡＡ線断面図である。
【００１２】尚、図２に示す平面図では、図１の断面図
に示すガラス基板15、透明電極16、液晶層17及びシール
材18は省略されている。
に示すガラス基板15、透明電極16、液晶層17及びシール
材18は省略されている。
【００１３】両図に示すように、一方のガラス基板10上
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って
配列されている。
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って
配列されている。
【００１４】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例え
ば線状発光源Ｙ2 は、エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子等による発光部11とこの発光部11からの光を伝
える線状の光導波路12とから構成されており、発光部11
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2 全体からライ
ン状の光が放射される。
ば線状発光源Ｙ2 は、エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子等による発光部11とこの発光部11からの光を伝
える線状の光導波路12とから構成されており、発光部11
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2 全体からライ
ン状の光が放射される。
【００１５】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 全体を
発光部とすることも可能である。しかしながら、この実
施例の構成の方が消費電力が少ない点で有利である。
発光部とすることも可能である。しかしながら、この実
施例の構成の方が消費電力が少ない点で有利である。
【００１６】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極14とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極14との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極14との間に光スイッチ素子13が設けられている。
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極14とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極14との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極14との間に光スイッチ素子13が設けられている。
【００１７】光スイッチ素子13に光が印加されると、即
ち線状発光源Ｙ2 が発光すると、光スイッチ素子13はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1 からの信号
が絵素電極14に印加される。
ち線状発光源Ｙ2 が発光すると、光スイッチ素子13はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1 からの信号
が絵素電極14に印加される。
【００１８】他方のガラス基板15上には透明電極16が設
けられており、上述した基板及びシール材18の間に液晶
層17が封止されている。
けられており、上述した基板及びシール材18の間に液晶
層17が封止されている。
【００１９】ガラス基板10及び15は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子13は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極14は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層17は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
の一実施例である。光スイッチ素子13は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極14は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層17は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
【００２０】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn をＹ1 か
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加され
る。即ち、ＴＦＴ素子の電気的ゲート信号の代わりに線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn からの光信号により光ス
イッチ素子が走査されることとなる。
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加され
る。即ち、ＴＦＴ素子の電気的ゲート信号の代わりに線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn からの光信号により光ス
イッチ素子が走査されることとなる。
【００２１】このように上述の実施例によれば、走査信
号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合のように走査信号
（ゲート信号）が素子キャパシタンスを通じて流れ込む
ような不都合が生じない。
号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合のように走査信号
（ゲート信号）が素子キャパシタンスを通じて流れ込む
ような不都合が生じない。
【００２２】図３は本発明に係る液晶表示装置の第２の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図４はそのＢＢ線断面図である。
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図４はそのＢＢ線断面図である。
【００２３】尚、図３に示す平面図では、図４の断面図
に示す配向層30、ガラス基板31、透明電極32、配向層3
3、シール材34及び液晶層35は省略されている。
に示す配向層30、ガラス基板31、透明電極32、配向層3
3、シール材34及び液晶層35は省略されている。
【００２４】両図に示すように、一方のガラス基板20上
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って
配列されている。
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って
配列されている。
【００２５】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例え
ば線状発光源Ｙ2 は、ＥＬ素子等による発光部21とこの
発光部21からの光を伝える線状の光導波路22とから構成
されており、発光部21を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2 全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 全体を発光部とすること
も可能である。
ば線状発光源Ｙ2 は、ＥＬ素子等による発光部21とこの
発光部21からの光を伝える線状の光導波路22とから構成
されており、発光部21を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2 全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 全体を発光部とすること
も可能である。
【００２６】発光部21及び光導波路22は、次のようにし
て形成される。
て形成される。
【００２７】先ず、ガラス基板20上に、アルミニウム
（Ａｌ）層を電子ビーム（ＥＢ）蒸着によって形成した
後、エッチングプロセスを行うことによって電極23を形
成する。この電極23は、線状発光源Ｙ2 の一方の端部に
設けられており、並列に配列された複数の短いストリッ
プ形状となっている。
（Ａｌ）層を電子ビーム（ＥＢ）蒸着によって形成した
後、エッチングプロセスを行うことによって電極23を形
成する。この電極23は、線状発光源Ｙ2 の一方の端部に
設けられており、並列に配列された複数の短いストリッ
プ形状となっている。
【００２８】次に、ガラス基板20及び電極23の一部の上
に、下方絶縁層24を形成する。この下方絶縁層24は、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）又は三窒化二ケイ素（Ｓｉ2 Ｎ
3 ）等をスパッタにより蒸着することによって形成され
る。そして、下方絶縁層24上に発光層25を積層する。こ
の発光層25は、ＥＢ蒸着によりマンガン（Ｍｎ）を0.5
％添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）層を形成し、更にこれを
真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化とを行
うことにより形成される。
に、下方絶縁層24を形成する。この下方絶縁層24は、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）又は三窒化二ケイ素（Ｓｉ2 Ｎ
3 ）等をスパッタにより蒸着することによって形成され
る。そして、下方絶縁層24上に発光層25を積層する。こ
の発光層25は、ＥＢ蒸着によりマンガン（Ｍｎ）を0.5
％添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）層を形成し、更にこれを
真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化とを行
うことにより形成される。
【００２９】このエッチングを行う際、発光層25に切れ
目25a を設けておくと、発光層25の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。
目25a を設けておくと、発光層25の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。
【００３０】次いで、上方絶縁層26を形成する。この上
方絶縁層26は、発光層25上にＳｉ2 N3 又は酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等をスパッタにより蒸着すること
によって形成される。その後、上方絶縁層26上の電極23
に対向する位置に電極27を形成する。この電極27は、上
方絶縁層26上の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによっ
て形成される。
方絶縁層26は、発光層25上にＳｉ2 N3 又は酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等をスパッタにより蒸着すること
によって形成される。その後、上方絶縁層26上の電極23
に対向する位置に電極27を形成する。この電極27は、上
方絶縁層26上の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによっ
て形成される。
【００３１】これら電極23及び27としては、Ａｌの他に
モリブデン（Ｍｏ）、酸化すずドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の金属を用いてもよい。下方絶縁層24及び
上方絶縁層26としては、ＳｉＯ2 、Ｓｉ2 Ｎ3 、Ａｌ2
Ｏ3 の他に窒化ケイ素類（ＳｉＮx ）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）、タンタル酸バリウム（Ｂａ
Ｔａ2 Ｏ6 ）等を用いてもよい。又、発光層25として
は、ＺｎＳの他にセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等を用いて
もよい。
モリブデン（Ｍｏ）、酸化すずドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の金属を用いてもよい。下方絶縁層24及び
上方絶縁層26としては、ＳｉＯ2 、Ｓｉ2 Ｎ3 、Ａｌ2
Ｏ3 の他に窒化ケイ素類（ＳｉＮx ）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）、タンタル酸バリウム（Ｂａ
Ｔａ2 Ｏ6 ）等を用いてもよい。又、発光層25として
は、ＺｎＳの他にセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等を用いて
もよい。
【００３２】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極29とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極29との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極29との間に光スイッチ素子28が設けられている。
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極29とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極29との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極29との間に光スイッチ素子28が設けられている。
【００３３】この光導電体層は、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤ（ケミカル
ヴェイパ ディポジション）を用いて形成し、パター
ン化を行うことにより形成される。その後、線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm として、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法
により蒸着しパターン化する。その後、スパッタにより
ＩＴＯを蒸着しパターン化することによって、絵素電極
29を形成する。
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤ（ケミカル
ヴェイパ ディポジション）を用いて形成し、パター
ン化を行うことにより形成される。その後、線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm として、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法
により蒸着しパターン化する。その後、スパッタにより
ＩＴＯを蒸着しパターン化することによって、絵素電極
29を形成する。
【００３４】光スイッチ素子28に光が印加されると、光
スイッチ素子28はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1 からの信号が絵素電極29に印加される。
スイッチ素子28はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1 からの信号が絵素電極29に印加される。
【００３５】これらの層の上に、配向層30を形成する。
この配向層30は、スピナにより形成されたポリイミド膜
をラビング処理することによって形成される。
この配向層30は、スピナにより形成されたポリイミド膜
をラビング処理することによって形成される。
【００３６】他方のガラス基板31上には、透明電極32が
設けられている。この透明電極32は、スパッタ法により
ＩＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電
極32上に配向層33を形成する。この配向層33は、スピナ
により形成されたポリイミド膜をラビング処理すること
によって形成される。
設けられている。この透明電極32は、スパッタ法により
ＩＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電
極32上に配向層33を形成する。この配向層33は、スピナ
により形成されたポリイミド膜をラビング処理すること
によって形成される。
【００３７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材34を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層35
が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール材34を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層35
が構成される。
【００３８】液晶層35の厚さは約5 μｍであり、表示モ
ードはＴＮ（ツイステッドネマチック）のノーマリホワ
イト型である。液晶材料としては、例えばメルク社製の
ＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を用い、これを真空注入するこ
とにより液晶層35が形成される。
ードはＴＮ（ツイステッドネマチック）のノーマリホワ
イト型である。液晶材料としては、例えばメルク社製の
ＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を用い、これを真空注入するこ
とにより液晶層35が形成される。
【００３９】ガラス基板20及び31は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子28は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極29は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層35は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
の一実施例である。光スイッチ素子28は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極29は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層35は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
【００４０】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn をＹ1 か
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
【００４１】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【００４２】図５は本発明に係る液晶表示装置の第３の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す断面図である。
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す断面図である。
【００４３】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤは、各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例えば
線状発光源Ｙ2 が、両端にＥＬ素子等による発光部21及
び21a をそれぞれ有している。即ち、図５に示すよう
に、線状発光源の電極23及び27と反対側の端部にも電極
23a 及び27a を設けることにより、発光部を基板の両側
にそれぞれ形成している。
ＬＣＤは、各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例えば
線状発光源Ｙ2 が、両端にＥＬ素子等による発光部21及
び21a をそれぞれ有している。即ち、図５に示すよう
に、線状発光源の電極23及び27と反対側の端部にも電極
23a 及び27a を設けることにより、発光部を基板の両側
にそれぞれ形成している。
【００４４】これにより、線状発光源の光強度を大幅に
高めることができる。この実施例のその他の製造プロセ
ス、構成及び動作は図３及び図４に示す第２の実施例の
場合と全く同じである。
高めることができる。この実施例のその他の製造プロセ
ス、構成及び動作は図３及び図４に示す第２の実施例の
場合と全く同じである。
【００４５】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【００４６】図６は本発明に係る液晶表示装置の第４の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図７はそのＣＣ線断面図である。
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図７はそのＣＣ線断面図である。
【００４７】尚、図６に示す平面図では、図７の断面図
に示すガラス基板71、透明電極72、配向層73、シール材
74、配向層79及び液晶層80は省略されている。
に示すガラス基板71、透明電極72、配向層73、シール材
74、配向層79及び液晶層80は省略されている。
【００４８】両図に示すように、一方のガラス基板75上
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2、…、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
には複数の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn がＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1 、Ｘ2、…、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
【００４９】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例え
ば線状発光源Ｙ1 は、発光部としてＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイ61と光導波路63とから形成されており、こ
の発光部を発光させることにより、線状発光源Ｙ1 全体
からライン状の光が放射される。
ば線状発光源Ｙ1 は、発光部としてＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイ61と光導波路63とから形成されており、こ
の発光部を発光させることにより、線状発光源Ｙ1 全体
からライン状の光が放射される。
【００５０】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分、即ち線状発光源
Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm
との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、
…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素電極
65とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極65との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ1
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極65との間に光スイッチ素子64が設けられている。
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分、即ち線状発光源
Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm
との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、
…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素電極
65とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極65との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ1
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極65との間に光スイッチ素子64が設けられている。
【００５１】光スイッチ素子64に光が印加されると、即
ち線状発光源Ｙ1 が発光すると、光スイッチ素子64はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1 からの信号
が絵素電極65に印加される。
ち線状発光源Ｙ1 が発光すると、光スイッチ素子64はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1 からの信号
が絵素電極65に印加される。
【００５２】光導波路63は例えば、次のようにして形成
される。
される。
【００５３】先ず、ガラス基板75上にクラッド層76とし
てエポキシ樹脂をコーティングし、その上に光重合性モ
ノマ（アクリレート）を含有するビスフェノールー−Ｚ
−ポリカーボネート（ＰＣＺ）フィルムを溶液キャステ
ィングで形成する。ここで、ライン状のホトマスクを通
して選択的に重合することにより、コア層77としてＰＣ
Ｚ層、クラッド層76としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の
小さいポリアクリレートとの重合部が形成される。更
に、保護層としてエポキシ樹脂をコーティングすること
により、光導波路63が形成される。その後、光導波路63
上に光スイッチ素子64、絵素電極65及び配向層79を前述
の図３及び図４に示す第２の実施例と同様に形成する。
てエポキシ樹脂をコーティングし、その上に光重合性モ
ノマ（アクリレート）を含有するビスフェノールー−Ｚ
−ポリカーボネート（ＰＣＺ）フィルムを溶液キャステ
ィングで形成する。ここで、ライン状のホトマスクを通
して選択的に重合することにより、コア層77としてＰＣ
Ｚ層、クラッド層76としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の
小さいポリアクリレートとの重合部が形成される。更
に、保護層としてエポキシ樹脂をコーティングすること
により、光導波路63が形成される。その後、光導波路63
上に光スイッチ素子64、絵素電極65及び配向層79を前述
の図３及び図４に示す第２の実施例と同様に形成する。
【００５４】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。又、セルフォックスレンズ等を用
いることもできる。
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。又、セルフォックスレンズ等を用
いることもできる。
【００５５】又、ＬＥＤアレイ61と光導波路63とは、こ
の実施例では光ファイバアレイ62によって接合されてい
る。
の実施例では光ファイバアレイ62によって接合されてい
る。
【００５６】他方のガラス基板71上には、透明電極72が
設けられている。この透明電極72は、スパッタによりＩ
ＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電極
72上に配向層73を形成する。この配向層73は、スピナに
より形成されたポリイミド膜をラビングすることによっ
て形成される。
設けられている。この透明電極72は、スパッタによりＩ
ＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電極
72上に配向層73を形成する。この配向層73は、スピナに
より形成されたポリイミド膜をラビングすることによっ
て形成される。
【００５７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材74を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層80
が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール材74を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層80
が構成される。
【００５８】この実施例のその他の製造プロセス、構成
及び動作は図３及び図４の第２の実施例の場合と全く同
じである。
及び動作は図３及び図４の第２の実施例の場合と全く同
じである。
【００５９】ガラス基板71及び75は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子64は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極65は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層80は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
の一実施例である。光スイッチ素子64は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極65は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層80は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2 、…、Ｘm は本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。
【００６０】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【００６１】図８は本発明に係る液晶表示装置の第５の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図９はそのＤＤ線断面図である。
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図９はそのＤＤ線断面図である。
【００６２】尚、図８に示す平面図では、図９の断面図
に示すファイバプレート基板91b 、配向層100a及び100
b、透明電極101 、遮光層102 、シール材103 及び液晶
層104は省略されている。
に示すファイバプレート基板91b 、配向層100a及び100
b、透明電極101 、遮光層102 、シール材103 及び液晶
層104は省略されている。
【００６３】両図に示すように、例えばファイバプレー
トから成る一方のファイバプレート基板91a 上には複数
の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2、…、Ｙn がＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
トから成る一方のファイバプレート基板91a 上には複数
の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2、…、Ｙn がＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
【００６４】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例え
ば線状発光源Ｙ2 は、ＥＬ素子等による発光部81とこの
発光部81からの光を伝える線状の光導波路82とから構成
されており、発光部81を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2 全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 全体を発光部とすること
も可能である。
ば線状発光源Ｙ2 は、ＥＬ素子等による発光部81とこの
発光部81からの光を伝える線状の光導波路82とから構成
されており、発光部81を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2 全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 全体を発光部とすること
も可能である。
【００６５】発光部81及び光導波路82は、次のようにし
て形成される。
て形成される。
【００６６】先ず、ファイバプレート基板91a 上に、Ａ
ｌ層をＥＢ蒸着によって形成した後、エッチングプロセ
スを行うことによって電極92を形成する。この電極92
は、並列に配列された複数の細いストライプ形状をなし
ており、電極としての役割と共に、素子の下方からの光
（外光）が上方に形成される光導電体層に入射するのを
防ぐ役割、即ち遮光層としての役割も兼ねる。
ｌ層をＥＢ蒸着によって形成した後、エッチングプロセ
スを行うことによって電極92を形成する。この電極92
は、並列に配列された複数の細いストライプ形状をなし
ており、電極としての役割と共に、素子の下方からの光
（外光）が上方に形成される光導電体層に入射するのを
防ぐ役割、即ち遮光層としての役割も兼ねる。
【００６７】次に、ファイバプレート基板91a 及び電極
92の一部の上に、下方絶縁層93を形成する。この下方絶
縁層93は、ＳｉＯ2 又はＳｉ2 Ｎ3 等をスパッタにより
蒸着することによって形成される。そして、下方絶縁層
93上に発光層94を積層する。この発光層94は、ＥＢ蒸着
によりＭｎを0.5 ％添加したＺｎＳ層を形成し、更にこ
れを真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化と
を行うことにより形成される。
92の一部の上に、下方絶縁層93を形成する。この下方絶
縁層93は、ＳｉＯ2 又はＳｉ2 Ｎ3 等をスパッタにより
蒸着することによって形成される。そして、下方絶縁層
93上に発光層94を積層する。この発光層94は、ＥＢ蒸着
によりＭｎを0.5 ％添加したＺｎＳ層を形成し、更にこ
れを真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化と
を行うことにより形成される。
【００６８】このエッチングを行う際、発光層94に切れ
目94e を設けておくと、発光層94の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。
目94e を設けておくと、発光層94の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。
【００６９】次いで、上方絶縁層95を形成する。この上
方絶縁層95は、発光層94上にＳｉ2 Ｎ3 又はＡｌ2 Ｏ3
等をスパッタにより蒸着することによって形成される。
その後、上方絶縁層95の上に電極92に対向する位置の端
部に電極96を形成する。この電極96は、上方絶縁層95上
の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによって形成され
る。
方絶縁層95は、発光層94上にＳｉ2 Ｎ3 又はＡｌ2 Ｏ3
等をスパッタにより蒸着することによって形成される。
その後、上方絶縁層95の上に電極92に対向する位置の端
部に電極96を形成する。この電極96は、上方絶縁層95上
の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによって形成され
る。
【００７０】これら電極92及び96としては、Ａｌの他に
Ｍｏ等の金属や、電極96としては、ＩＴＯ等を用いても
よい。下方絶縁層93及び上方絶縁層95としては、ＳｉＯ
2 、Ｓｉ2 Ｎ3 、Ａｌ2 Ｏ3 の他にＳｉＮx 、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴａ2 Ｏ6 等を用いてもよい。又、発光層94
としては、ＺｎＳの他にＺｎＳｅ等を用いてもよい。
Ｍｏ等の金属や、電極96としては、ＩＴＯ等を用いても
よい。下方絶縁層93及び上方絶縁層95としては、ＳｉＯ
2 、Ｓｉ2 Ｎ3 、Ａｌ2 Ｏ3 の他にＳｉＮx 、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴａ2 Ｏ6 等を用いてもよい。又、発光層94
としては、ＺｎＳの他にＺｎＳｅ等を用いてもよい。
【００７１】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極99とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極99との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極99との間に光スイッチ素子83が設けられている。
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極99とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極99との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極Ｘ1 と絵素
電極99との間に光スイッチ素子83が設けられている。
【００７２】この光導電体層は、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤを用いて形
成し、パターン化を行うことにより形成される。その
後、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm として、Ａｌ等の金
属をＥＢ蒸着法により蒸着しパターン化する。その後、
スパッタによりＩＴＯを蒸着しパターン化することによ
って、絵素電極99を形成する。
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤを用いて形
成し、パターン化を行うことにより形成される。その
後、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm として、Ａｌ等の金
属をＥＢ蒸着法により蒸着しパターン化する。その後、
スパッタによりＩＴＯを蒸着しパターン化することによ
って、絵素電極99を形成する。
【００７３】光スイッチ素子83に光が印加されると、光
スイッチ素子83はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1 からの信号が絵素電極99に印加される。
スイッチ素子83はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1 からの信号が絵素電極99に印加される。
【００７４】これらの層の上に、配向層100aを形成す
る。この配向層100aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。
る。この配向層100aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。
【００７５】例えばファイバプレートから成る他方のフ
ァイバプレート基板91b 上には、透明電極101 が設けら
れている。この透明電極101 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極10
1 上に、対向するファイバプレート基板91a に形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子83のパタ−ンに合
わせて遮光層102 を形成する。この遮光層102 は、Ａｌ
をＥＢ蒸着法により形成する。
ァイバプレート基板91b 上には、透明電極101 が設けら
れている。この透明電極101 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極10
1 上に、対向するファイバプレート基板91a に形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子83のパタ−ンに合
わせて遮光層102 を形成する。この遮光層102 は、Ａｌ
をＥＢ蒸着法により形成する。
【００７６】この遮光層102 としては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。
【００７７】更に、これら透明電極101 及び遮光層102
の上に、配向層100bを形成する。この配向層100bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。
の上に、配向層100bを形成する。この配向層100bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。
【００７８】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。
【００７９】液晶層104 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層104 が形成
される。
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層104 が形成
される。
【００８０】ファイバプレート基板91a 及び91b は本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数の線
状電極の一実施例である。
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数の線
状電極の一実施例である。
【００８１】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn をＹ1 か
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
【００８２】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【００８３】更に、上述の実施例では、基板としてファ
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。
【００８４】図１０は本発明に係る液晶表示装置の第６
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す平面図であり、図１１はそのＥＥ線断面図であ
る。
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す平面図であり、図１１はそのＥＥ線断面図であ
る。
【００８５】尚、図１０に示す平面図では、図１１の断
面図に示すファイバプレート基板121b、遮光層122b、配
向層130a及び130b、透明電極131 、シール材132 及び液
晶層133 は省略されている。
面図に示すファイバプレート基板121b、遮光層122b、配
向層130a及び130b、透明電極131 、シール材132 及び液
晶層133 は省略されている。
【００８６】両図に示すように、例えばファイバプレー
トから成る一方のファイバプレート基板121a上には複数
の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2、…、Ｙn がＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
トから成る一方のファイバプレート基板121a上には複数
の線状発光源Ｙ1 、Ｙ2、…、Ｙn がＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1 、Ｘ2 、…、Ｘm-1 、Ｘm がＸ方向に沿って配列され
ている。
【００８７】各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 、例え
ば線状発光源Ｙ2 は、ＬＥＤアレイ111 及び光ファイバ
アレイ112 から成る発光部と、この発光部からの光を伝
える線状の光導波路113 とから構成されており、発光部
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2 全体からライ
ン状の光が放射される。尚、各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn 全体を発光部とすることも可能である。
ば線状発光源Ｙ2 は、ＬＥＤアレイ111 及び光ファイバ
アレイ112 から成る発光部と、この発光部からの光を伝
える線状の光導波路113 とから構成されており、発光部
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2 全体からライ
ン状の光が放射される。尚、各線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn 全体を発光部とすることも可能である。
【００８８】光導波路113 は、次のようにして形成され
る。
る。
【００８９】先ず、ファイバプレート基板121a上に、Ａ
ｌ層をＥＢ蒸着によって遮光層122aを形成する。この遮
光層122aは素子の下方からの光（外光）が上方に形成さ
れる光導電体層に入射するのを防ぐために設けられてお
り、遮光層122aのパターンは光導電体層のパターンと一
致するように形成されている。
ｌ層をＥＢ蒸着によって遮光層122aを形成する。この遮
光層122aは素子の下方からの光（外光）が上方に形成さ
れる光導電体層に入射するのを防ぐために設けられてお
り、遮光層122aのパターンは光導電体層のパターンと一
致するように形成されている。
【００９０】遮光層122aとしては、Ａｌの他にＭｏ等の
金属や、有機顔料分散型の樹脂及び無機顔料分散型の樹
脂を用いてもよい。
金属や、有機顔料分散型の樹脂及び無機顔料分散型の樹
脂を用いてもよい。
【００９１】又、この実施例では、遮光層122aを光導電
体層と同一のパターンで形成しているが、図９に示す第
５の実施例のように、遮光層の役割を果たす電極92のよ
うにストライプ状に形成することもできる。
体層と同一のパターンで形成しているが、図９に示す第
５の実施例のように、遮光層の役割を果たす電極92のよ
うにストライプ状に形成することもできる。
【００９２】次に、ファイバプレート基板121a及び遮光
層122a上に、クラッド層123 としてエポキシ樹脂をスピ
ナで塗布し、その上に光重合性モノマ（アクリレート、
例えばアクリル酸メチル）を含有するＰＣＺフィルムを
溶液キャスティング法で形成する。ここで、ライン状の
ホトマスクを通して選択的に重合することにより、コア
層124 としてＰＣＺ層、クラッド層123 としてＰＣＺと
ＰＣＺより屈折率の小さいポリアクリレートとの混合物
が互いにストライプ状に形成される。更に、表面層126
としてエポキシ樹脂をコーティングすることにより、光
導波路113 が形成される。
層122a上に、クラッド層123 としてエポキシ樹脂をスピ
ナで塗布し、その上に光重合性モノマ（アクリレート、
例えばアクリル酸メチル）を含有するＰＣＺフィルムを
溶液キャスティング法で形成する。ここで、ライン状の
ホトマスクを通して選択的に重合することにより、コア
層124 としてＰＣＺ層、クラッド層123 としてＰＣＺと
ＰＣＺより屈折率の小さいポリアクリレートとの混合物
が互いにストライプ状に形成される。更に、表面層126
としてエポキシ樹脂をコーティングすることにより、光
導波路113 が形成される。
【００９３】光導波路113 の表面には、光スイッチ素子
に光が照射されるように、光スイッチ素子部に合わせて
エッチング等を行うことでわずかな傷をつける。
に光が照射されるように、光スイッチ素子部に合わせて
エッチング等を行うことでわずかな傷をつける。
【００９４】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。
【００９５】又、ＬＥＤアレイ111 と光導波路113 と
は、この実施例では光ファイバアレイ112 によって結合
されている。この光ファイバアレイ112 の代わりに、セ
ルフォックレンズ等を用いてもよい。
は、この実施例では光ファイバアレイ112 によって結合
されている。この光ファイバアレイ112 の代わりに、セ
ルフォックレンズ等を用いてもよい。
【００９６】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極129 とは表面層126 の上に形成されており、線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極129 との間に上述の
光スイッチ素子がそれぞれ設けられている。例えば線状
発光源Ｙ2 と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極
Ｘ1 と絵素電極129 との間に光スイッチ素子127 が設け
られている。
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm との交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn と線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、
Ｘm との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1 、Ｘ
2 、…、Ｘm と液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極129 とは表面層126 の上に形成されており、線状電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm と絵素電極129 との間に上述の
光スイッチ素子がそれぞれ設けられている。例えば線状
発光源Ｙ2 と線状電極Ｘ1 との交差部分には、線状電極
Ｘ1 と絵素電極129 との間に光スイッチ素子127 が設け
られている。
【００９７】この光導電体層は、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をプラ
ズマＣＶＤを用いて形成し、パターン化を行うことによ
り形成される。その後、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm
として、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法により蒸着しパター
ン化する。その後、スパッタによりＩＴＯを蒸着しパタ
ーン化することによって、絵素電極129 を形成する。
ズマＣＶＤを用いて形成し、パターン化を行うことによ
り形成される。その後、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm
として、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法により蒸着しパター
ン化する。その後、スパッタによりＩＴＯを蒸着しパタ
ーン化することによって、絵素電極129 を形成する。
【００９８】光スイッチ素子127 に光が印加されると、
光スイッチ素子127 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極Ｘ1 からの信号が絵素電極129 に印加される。
光スイッチ素子127 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極Ｘ1 からの信号が絵素電極129 に印加される。
【００９９】これらの層の上に、配向層130aを形成す
る。この配向層130aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。
る。この配向層130aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。
【０１００】例えばファイバプレートから成る他方のフ
ァイバプレート基板121b上には、透明電極131 が設けら
れている。この透明電極131 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極13
1 上に、対向するファイバプレート基板121aに形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子127 及び遮光層12
2aのパタ−ンに合わせて遮光層122bを形成する。この遮
光層122bは、ＡｌをＥＢ蒸着法により形成する。
ァイバプレート基板121b上には、透明電極131 が設けら
れている。この透明電極131 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極13
1 上に、対向するファイバプレート基板121aに形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子127 及び遮光層12
2aのパタ−ンに合わせて遮光層122bを形成する。この遮
光層122bは、ＡｌをＥＢ蒸着法により形成する。
【０１０１】この遮光層122bとしては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。
【０１０２】更に、これら透明電極131 及び遮光層122b
の上に、配向層130bを形成する。この配向層130bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。
の上に、配向層130bを形成する。この配向層130bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。
【０１０３】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材132 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
133が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール材132 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
133が構成される。
【０１０４】液晶層133 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層133 が形成
される。
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層133 が形成
される。
【０１０５】ファイバプレート基板121a及び121bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
【０１０６】線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn をＹ1 か
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
らＹn まで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、Ｘ
m に印加する。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn が発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｙm-1 、
Ｘm からの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。
【０１０７】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【０１０８】更に、上述の実施例では、基板としてファ
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。
【０１０９】図１２は本発明に係る液晶表示装置の第７
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図８のＤＤ線断面図である。
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図８のＤＤ線断面図である。
【０１１０】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図８及び図９
に示す第５の実施例の場合と基本的に同じであり、図１
２において図８及び図９に示す構成要素と同一の構成要
素には、同一の参照符号を付している。
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図８及び図９
に示す第５の実施例の場合と基本的に同じであり、図１
２において図８及び図９に示す構成要素と同一の構成要
素には、同一の参照符号を付している。
【０１１１】両図に示すように、この実施例が図８及び
図９に示す第５の実施例と異なるのは、第５の実施例に
おける遮光層102 の代わりに、遮光層152 が素子の最外
部、即ちファイバプレート基板91b の外側に形成されて
いる点である。
図９に示す第５の実施例と異なるのは、第５の実施例に
おける遮光層102 の代わりに、遮光層152 が素子の最外
部、即ちファイバプレート基板91b の外側に形成されて
いる点である。
【０１１２】第５の実施例と同様にして、ファイバプレ
ート基板91a 上に、電極92から順次配向層100aまでを形
成する。
ート基板91a 上に、電極92から順次配向層100aまでを形
成する。
【０１１３】その後、ファイバプレート基板91b 上に、
スパッタ法によりＩＴＯを蒸着することによって透明電
極101 を形成する。
スパッタ法によりＩＴＯを蒸着することによって透明電
極101 を形成する。
【０１１４】更に、これら透明電極101 の上に、配向層
150bを形成する。この配向層150bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。
150bを形成する。この配向層150bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。
【０１１５】ファイバプレート基板91b の透明電極101
及び配向層150bが形成されている側の面と反対側の面
に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層152 を形成
する。この遮光層152 は、対向するファイバプレート基
板91a に形成された光導電体層から成る光スイッチ素子
83のパターンに合わせてエッチングすることにより形成
する。
及び配向層150bが形成されている側の面と反対側の面
に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層152 を形成
する。この遮光層152 は、対向するファイバプレート基
板91a に形成された光導電体層から成る光スイッチ素子
83のパターンに合わせてエッチングすることにより形成
する。
【０１１６】この遮光層152 としては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂を
光重合させてパターン化した膜を用いてもよい。
等の金属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂を
光重合させてパターン化した膜を用いてもよい。
【０１１７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。
【０１１８】ファイバプレート基板91a 及び91b は本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数の線
状電極の一実施例である。
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、Ｙ2 、
…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数の線
状電極の一実施例である。
【０１１９】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【０１２０】上述の実施例では、基板としてファイバプ
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。
【０１２１】又、遮光層を素子の最外部に形成すること
により、液晶が注入されるセル内部における遮光層の段
差を無くすことができ、製造プロセスを容易にすること
ができる。
により、液晶が注入されるセル内部における遮光層の段
差を無くすことができ、製造プロセスを容易にすること
ができる。
【０１２２】図１３は本発明に係る液晶表示装置の第８
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
【０１２３】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図１０及び図
１１に示す第６の実施例の場合と基本的に同じであり、
図１３において図１０及び図１１に示す構成要素と同一
の構成要素には、同一の参照符号を付している。
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図１０及び図
１１に示す第６の実施例の場合と基本的に同じであり、
図１３において図１０及び図１１に示す構成要素と同一
の構成要素には、同一の参照符号を付している。
【０１２４】図１３に示すように、この実施例が図１０
及び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実
施例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層16
2a及び162bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板
121a及び121bの外側にそれぞれ形成されている点であ
る。
及び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実
施例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層16
2a及び162bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板
121a及び121bの外側にそれぞれ形成されている点であ
る。
【０１２５】ファイバプレート基板121aのクラッド層12
3 が形成される側の面と反対側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着
することによって遮光層121aを形成する。ファイバプレ
ート基板121bの透明電極131 が形成される側の面と反対
側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層121b
を形成する。これらの遮光層121a及び121bは、ファイバ
プレート基板121aに形成される光導電体層から成る光ス
イッチ素子127 のパターンに合わせてエッチングするこ
とにより形成する。
3 が形成される側の面と反対側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着
することによって遮光層121aを形成する。ファイバプレ
ート基板121bの透明電極131 が形成される側の面と反対
側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層121b
を形成する。これらの遮光層121a及び121bは、ファイバ
プレート基板121aに形成される光導電体層から成る光ス
イッチ素子127 のパターンに合わせてエッチングするこ
とにより形成する。
【０１２６】裏面に遮光層162aが形成されたファイバプ
レート基板121aに、図１０及び図１１に示す第６の実施
例と同様にして、クラッド層123 、コア層124 及び表面
層126 を形成することにより光導波路113 を形成すると
共に、配向層130aまでを形成する。
レート基板121aに、図１０及び図１１に示す第６の実施
例と同様にして、クラッド層123 、コア層124 及び表面
層126 を形成することにより光導波路113 を形成すると
共に、配向層130aまでを形成する。
【０１２７】その後、裏面に遮光層162bが形成されたフ
ァイバプレート基板121bに、スパッタ法によりＩＴＯを
蒸着することによって透明電極131 を形成する。
ァイバプレート基板121bに、スパッタ法によりＩＴＯを
蒸着することによって透明電極131 を形成する。
【０１２８】更に、これら透明電極131 の上に、配向層
130bを形成する。この配向層130bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。
130bを形成する。この配向層130bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。
【０１２９】この実施例のその他の製造プロセス、構成
及び動作は図１０及び図１１に示す第６の実施例の場合
と全く同じである。
及び動作は図１０及び図１１に示す第６の実施例の場合
と全く同じである。
【０１３０】ファイバプレート基板121a及び121bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
【０１３１】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【０１３２】上述の実施例では、基板としてファイバプ
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。
【０１３３】又、遮光層を素子の最外部に形成したこと
により、クラッド層以下の膜の形成において、段差を小
さくすることができ、製造プロセスを容易にすることが
できる。
により、クラッド層以下の膜の形成において、段差を小
さくすることができ、製造プロセスを容易にすることが
できる。
【０１３４】図１４は本発明に係る液晶表示装置の第９
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
【０１３５】同図に示すように、この実施例が図１０及
び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実施
例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層187a
及び187bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板18
1a及び181bの外側にそれぞれ形成されている点、及び第
６の実施例における光導波路113 の代わりに、光導波路
193 がファイバプレート基板181aの外側に形成されてい
る点である。
び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実施
例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層187a
及び187bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板18
1a及び181bの外側にそれぞれ形成されている点、及び第
６の実施例における光導波路113 の代わりに、光導波路
193 がファイバプレート基板181aの外側に形成されてい
る点である。
【０１３６】先ず、ファイバプレート基板181a上に、光
導電体層から成る光スイッチ素子182 を形成する。この
光スイッチ素子182 は、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて形成し、エッチングすることによりパター
ン化する。
導電体層から成る光スイッチ素子182 を形成する。この
光スイッチ素子182 は、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて形成し、エッチングすることによりパター
ン化する。
【０１３７】光スイッチ素子182 上に、線状電極Ｘ1 と
してＡｌ等の金属をＥＢ蒸着し、パターン化する。
してＡｌ等の金属をＥＢ蒸着し、パターン化する。
【０１３８】更に、スパッタ法によりＩＴＯ膜を蒸着、
パターン化することにより、絵素電極184 を形成する。
パターン化することにより、絵素電極184 を形成する。
【０１３９】これらの層の上に配向層185aを形成する。
この配向層185aは、スピナにより形成されたポリイミド
膜をラビング処理をすることによって形成される。
この配向層185aは、スピナにより形成されたポリイミド
膜をラビング処理をすることによって形成される。
【０１４０】ファイバプレート基板181aに対向している
ファイバプレート基板181b上に透明電極186 を形成し、
透明電極186 の上に配向層185bを形成する。
ファイバプレート基板181b上に透明電極186 を形成し、
透明電極186 の上に配向層185bを形成する。
【０１４１】透明電極186 はＩＴＯをスパッタ法により
形成し、配向層185bはスピナで成膜したポリイミド膜を
ラビング処理して形成する。
形成し、配向層185bはスピナで成膜したポリイミド膜を
ラビング処理して形成する。
【０１４２】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール剤188 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
189が構成される。
示していないスペーサを分散し、シール剤188 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
189が構成される。
【０１４３】液晶層189 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層189 が形成
される。
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層189 が形成
される。
【０１４４】次に、ファイバプレート基板181bの外側に
遮光層187bを形成する。この遮光層187bは、ＡｌをＥＢ
蒸着し、エッチングすることによりパターン化する。
遮光層187bを形成する。この遮光層187bは、ＡｌをＥＢ
蒸着し、エッチングすることによりパターン化する。
【０１４５】遮光層187bのパターンは、例えば光スイッ
チ素子182のパターンに合わせて形成する。
チ素子182のパターンに合わせて形成する。
【０１４６】他方のファイバプレート基板181aの外側
に、光導波路193 及び遮光層187aを形成する。
に、光導波路193 及び遮光層187aを形成する。
【０１４７】即ち、ファイバプレート基板181a上に光重
合性モノマ（アクリレート、例えばアクリル酸メチル）
を含有するＰＣＺフィルムを溶液キャスティング法で形
成する。ここで、ライン状のフォトマスクを通して選択
的に重合することにより、コア層190 としてＰＣＺ層、
クラッド層191 としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の小さ
いポリアクリレートとの混合物が互いにストライプ状に
形成される。更に、表面層192 としてエポキシ樹脂をコ
ーティングすることにより、光導波路193 が形成され
る。
合性モノマ（アクリレート、例えばアクリル酸メチル）
を含有するＰＣＺフィルムを溶液キャスティング法で形
成する。ここで、ライン状のフォトマスクを通して選択
的に重合することにより、コア層190 としてＰＣＺ層、
クラッド層191 としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の小さ
いポリアクリレートとの混合物が互いにストライプ状に
形成される。更に、表面層192 としてエポキシ樹脂をコ
ーティングすることにより、光導波路193 が形成され
る。
【０１４８】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。
【０１４９】この実施例で用いたファイバプレート基板
181aは、光導波路193 を通る光が光スイッチ素子182 に
入射するよう、その屈折率が光導波路193 のコア層190
の屈折率と同じか、或いはコア層190 より大きいものを
選定している。
181aは、光導波路193 を通る光が光スイッチ素子182 に
入射するよう、その屈折率が光導波路193 のコア層190
の屈折率と同じか、或いはコア層190 より大きいものを
選定している。
【０１５０】遮光層187aは光導波路193 の表面層192 上
に、ＥＢ蒸着したＡｌをパターン化するこにより形成さ
れる。この遮光層187aとしては、Ａｌの他にＭｏ等の金
属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂等を用い
ることもできる。
に、ＥＢ蒸着したＡｌをパターン化するこにより形成さ
れる。この遮光層187aとしては、Ａｌの他にＭｏ等の金
属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂等を用い
ることもできる。
【０１５１】ファイバプレート基板181a及び181bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子182
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極184
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層189 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子182
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極184
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層189 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1 、
Ｙ2 、…、Ｙn は本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm は本発明の複数
の線状電極の一実施例である。
【０１５２】従って、このように光導波路及び遮光層を
ファイバプレート基板の外側に形成することにより、光
導電体層及び各種電極の作成工程（蒸着、エッチング）
において、その条件を大幅に緩めることができる。
ファイバプレート基板の外側に形成することにより、光
導電体層及び各種電極の作成工程（蒸着、エッチング）
において、その条件を大幅に緩めることができる。
【０１５３】この実施例の動作は図１０及び図１１に示
す第６の実施例の場合と同じである。
す第６の実施例の場合と同じである。
【０１５４】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【０１５５】更に、基板としてファイバプレートから成
る基板を用いているので、斜め方向からの光に対する遮
光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子の部分のみを
遮光すればよい。
る基板を用いているので、斜め方向からの光に対する遮
光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子の部分のみを
遮光すればよい。
【０１５６】図１５は本発明に係る液晶表示装置の第１
０の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの
構成を示す断面図である。
０の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの
構成を示す断面図である。
【０１５７】同図に示すように、この実施例では、線状
発光源が発光部としてＬＥＤアレイ210 と光導波路203
とから成っている。
発光源が発光部としてＬＥＤアレイ210 と光導波路203
とから成っている。
【０１５８】ガラス基板201b側からの周囲光が光導電体
層から成る光スイッチ素子212 に影響を及ぼさないよう
に、ガラス基板201b上に遮光層202bを、又、ガラス基板
201a側からの周囲光の影響を除去するために、ガラス基
板201a上に遮光層202aが設けられている。
層から成る光スイッチ素子212 に影響を及ぼさないよう
に、ガラス基板201b上に遮光層202bを、又、ガラス基板
201a側からの周囲光の影響を除去するために、ガラス基
板201a上に遮光層202aが設けられている。
【０１５９】以下に装置の製造方法を示す。
【０１６０】ガラス基板201b上にＡｌ等の金属をＥＢ蒸
着で蒸着し、パターン化し遮光層202bを形成する。ガラ
ス基板201b及び遮光層202bの上にクラッド層204 として
エポキシ樹脂をコーティングし、クラッド層204 の上に
光重合性モノマ（アクリレート）を含有するＰＣＺフィ
ルムを溶液キャスティングで形成する。ここで、ライン
状のホトマスクを通して選択的に重合することにより、
コア層205 としてＰＣＺ層、クラッド層としてＰＣＺと
ポリアクリレートとの重合部が形成される。更に、表面
層206 としてエポキシ樹脂をコーティングすることによ
り、光導波路203 が形成される。
着で蒸着し、パターン化し遮光層202bを形成する。ガラ
ス基板201b及び遮光層202bの上にクラッド層204 として
エポキシ樹脂をコーティングし、クラッド層204 の上に
光重合性モノマ（アクリレート）を含有するＰＣＺフィ
ルムを溶液キャスティングで形成する。ここで、ライン
状のホトマスクを通して選択的に重合することにより、
コア層205 としてＰＣＺ層、クラッド層としてＰＣＺと
ポリアクリレートとの重合部が形成される。更に、表面
層206 としてエポキシ樹脂をコーティングすることによ
り、光導波路203 が形成される。
【０１６１】その後、スパッタ法でＩＴＯを蒸着するこ
とにより線状電極211 をパターン化し形成する。その
後、絵素電極213 をＩＴＯを蒸着して形成し、配向層20
7bとしてポリイミド膜を塗布した後ラビング処理する。
とにより線状電極211 をパターン化し形成する。その
後、絵素電極213 をＩＴＯを蒸着して形成し、配向層20
7bとしてポリイミド膜を塗布した後ラビング処理する。
【０１６２】即ち、光導波路203 から成っている線状発
光源と線状電極211 との交差部分には、その交差部に隣
接して、光導電体層から成る光スイッチ素子212 が設け
られている。線状電極211 と液晶等の表示媒体を駆動す
るための絵素電極213 とは表面層206 の上に形成されて
おり、線状電極211 と絵素電極213 との間に光スイッチ
素子212 が設けられている。
光源と線状電極211 との交差部分には、その交差部に隣
接して、光導電体層から成る光スイッチ素子212 が設け
られている。線状電極211 と液晶等の表示媒体を駆動す
るための絵素電極213 とは表面層206 の上に形成されて
おり、線状電極211 と絵素電極213 との間に光スイッチ
素子212 が設けられている。
【０１６３】光スイッチ素子212 に光が印加されると、
光スイッチ素子212 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極211 からの信号が絵素電極213 に印加される。
光スイッチ素子212 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極211 からの信号が絵素電極213 に印加される。
【０１６４】次に、ガラス基板201a上に遮光層202aをＡ
ｌ等の金属を蒸着しパターン化するすることにより形成
し、ガラス基板201a及び遮光層202aの上に、透明電極20
8 をスパッタ法によりＩＴＯを蒸着することにより形成
する。透明電極208 の上に、配向層207aとしてポリイミ
ド膜をスピンコートし、ラビング処理することにより形
成する。
ｌ等の金属を蒸着しパターン化するすることにより形成
し、ガラス基板201a及び遮光層202aの上に、透明電極20
8 をスパッタ法によりＩＴＯを蒸着することにより形成
する。透明電極208 の上に、配向層207aとしてポリイミ
ド膜をスピンコートし、ラビング処理することにより形
成する。
【０１６５】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材215 を介して
貼り合わせる。この間に真空注入で液晶を注入すること
により、液晶層214 が形成される。
示していないスペーサを分散し、シール材215 を介して
貼り合わせる。この間に真空注入で液晶を注入すること
により、液晶層214 が形成される。
【０１６６】液晶層214 にはフッ素系液晶を用い、表示
モードはＴＮモードを用いる。又、こうして形成された
基板とＬＥＤアレイ210 とは、この実施例ではセルフォ
ックレンズアレイ209 を用いて結合されている。
モードはＴＮモードを用いる。又、こうして形成された
基板とＬＥＤアレイ210 とは、この実施例ではセルフォ
ックレンズアレイ209 を用いて結合されている。
【０１６７】ガラス基板201a及び201bは本発明の２つの
基板の一実施例である。光スイッチ素子212 は本発明の
光導電体層の一実施例である。絵素電極213 は本発明の
絵素電極の一実施例である。液晶層214 は本発明の液晶
層の一実施例である。ＬＥＤアレイ210 及び光導波路20
3 は本発明の複数の線状発光源の一実施例である。線状
電極211 は本発明の複数の線状電極の一実施例である。
基板の一実施例である。光スイッチ素子212 は本発明の
光導電体層の一実施例である。絵素電極213 は本発明の
絵素電極の一実施例である。液晶層214 は本発明の液晶
層の一実施例である。ＬＥＤアレイ210 及び光導波路20
3 は本発明の複数の線状発光源の一実施例である。線状
電極211 は本発明の複数の線状電極の一実施例である。
【０１６８】次に、光導波路としてガラス導波路を用い
た場合を説明する。
た場合を説明する。
【０１６９】ガラス導波路としてマルチモードのＴｌイ
オン交換導波路を形成した後、その上に電極及びａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層を同様にして形成する。
オン交換導波路を形成した後、その上に電極及びａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層を同様にして形成する。
【０１７０】次に、電極及びａ−Ｓｉ：Ｈ層が形成され
た面と反対側の面を研磨し、ガラス厚を薄層化した後、
図１５の遮光層202bが形成されたガラス基板201bと対向
するガラス基板201aに貼り合わせる。その後のプロセス
は上述の実施例と同様である。
た面と反対側の面を研磨し、ガラス厚を薄層化した後、
図１５の遮光層202bが形成されたガラス基板201bと対向
するガラス基板201aに貼り合わせる。その後のプロセス
は上述の実施例と同様である。
【０１７１】この実施例によれば、バックライトや周囲
光の光スイッチ素子に及ぼす影響を完全に除去すること
が可能となる。
光の光スイッチ素子に及ぼす影響を完全に除去すること
が可能となる。
【０１７２】この実施例の動作は図３及び図４に示す第
２の実施例の場合と同じである。
２の実施例の場合と同じである。
【０１７３】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。
【０１７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、それぞ
れが電極を有する２つの基板間に設けた液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板が、互いに並列に配列
された複数の線状発光源と、複数の線状発光源と交差す
る方向に互いに並列に配列された複数の線状電極と、複
数の線状発光源及び複数の線状電極が交差する位置に隣
接して複数の線状電極と同一の面上に形成されている複
数の絵素電極と複数の線状電極との間にそれぞれ設けら
れ線状発光源からの光によりスイッチング動作する複数
の光導電体層とを備えており、線状電極及び光導電体層
を介して印加される信号により液晶層の各絵素が駆動さ
れるよう構成され、線状発光源が切れ目を有するので、
光スイッチング機能を用いることにより、絵素駆動電流
を容易に増大させることができ、駆動電圧比の大幅な低
下を招くことなく見掛け上の走査線数を任意に増大させ
ることができる高解像度の液晶表示装置を得ることがで
きる。また、線状発光源の切れ目によって、外部へ放出
される光量が増大し、光利用効率を高めることができ
る。
れが電極を有する２つの基板間に設けた液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板が、互いに並列に配列
された複数の線状発光源と、複数の線状発光源と交差す
る方向に互いに並列に配列された複数の線状電極と、複
数の線状発光源及び複数の線状電極が交差する位置に隣
接して複数の線状電極と同一の面上に形成されている複
数の絵素電極と複数の線状電極との間にそれぞれ設けら
れ線状発光源からの光によりスイッチング動作する複数
の光導電体層とを備えており、線状電極及び光導電体層
を介して印加される信号により液晶層の各絵素が駆動さ
れるよう構成され、線状発光源が切れ目を有するので、
光スイッチング機能を用いることにより、絵素駆動電流
を容易に増大させることができ、駆動電圧比の大幅な低
下を招くことなく見掛け上の走査線数を任意に増大させ
ることができる高解像度の液晶表示装置を得ることがで
きる。また、線状発光源の切れ目によって、外部へ放出
される光量が増大し、光利用効率を高めることができ
る。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す断面図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す断面図である。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す平面図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す平面図である。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
【図４】図３のＢＢ線断面図である。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の第３の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断面
図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断面
図である。
【図６】本発明に係る液晶表示装置の第４の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
【図７】図６のＣＣ線断面図である。
【図８】本発明に係る液晶表示装置の第５の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。
【図９】図８のＤＤ線断面図である。
【図１０】本発明に係る液晶表示装置の第６の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平
面図である。
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平
面図である。
【図１１】図１０のＥＥ線断面図である。
【図１２】本発明に係る液晶表示装置の第７の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図８のＤＤ線断面図である。
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図８のＤＤ線断面図である。
【図１３】本発明に係る液晶表示装置の第８の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
【図１４】本発明に係る液晶表示装置の第９の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。
【図１５】本発明に係る液晶表示装置の第１０の実施例
であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す
断面図である。
であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す
断面図である。
10、15、20、31、71、75、201a、201b ガラス基板 11、21、21a 、81 発光部 12、22、63、82、113 、193 、203 光導波路 13、28、64、83、127 、182 、212 光スイッチ素子 14、29、65、99、129 、184 、213 絵素電極 16、32、72、101 、131 、186 、208 透明電極 17、35、80、104 、133 、189 、214 液晶層 18、34、74、103 、132 、188 、215 シール材 23、23a 、27、27a 、92、96 電極 24、93 下方絶縁層 25、94 発光層 26、95 上方絶縁層 30、33、73、79、100a、100b、130a、130b、150b、185
a、185b、207a、207b 配向層 61、111 、210 ＬＥＤアレイ 62、112 光ファイバアレイ 76、123 、191 、204 クラッド層 77、124 、190 、205 コア層 91a 、91b 、121a、121b、181a、181b ファイバプレー
ト基板 102 、122a、122b、152 、162a、162b、187a、187b、20
2a、202b 遮光層 126 、192 、206 表面層 211 、Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm 線状電極 Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 線状発光源
a、185b、207a、207b 配向層 61、111 、210 ＬＥＤアレイ 62、112 光ファイバアレイ 76、123 、191 、204 クラッド層 77、124 、190 、205 コア層 91a 、91b 、121a、121b、181a、181b ファイバプレー
ト基板 102 、122a、122b、152 、162a、162b、187a、187b、20
2a、202b 遮光層 126 、192 、206 表面層 211 、Ｘ1 、Ｘ2 、…、Ｘm 線状電極 Ｙ1 、Ｙ2 、…、Ｙn 線状発光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 小百合 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 和泉 良弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−173016（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−50079（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−224727（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−89029（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−1922（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/135 G02F 1/13357 G09F 9/30 G09G 3/36
Claims (6)
- 【請求項１】 それぞれが電極を有する２つの基板間に
設けた液晶層を含む液晶表示装置であって、一方の該基
板が、互いに並列に配列された複数の線状発光源と、該
複数の線状発光源と交差する方向に互いに並列に配列さ
れた複数の線状電極と、前記複数の線状発光源及び前記
複数の線状電極が交差する位置に隣接して前記複数の線
状電極と同一の面上に形成されている複数の絵素電極と
該複数の線状電極との間にそれぞれ設けられ前記線状発
光源からの光によりスイッチング動作する複数の光導電
体層とを備えており、前記線状電極及び前記光導電体層
を介して印加される信号により前記液晶層の各絵素が駆
動されるよう構成されている液晶表示装置であって、前
記線状発光源が切れ目を有することを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記複数の線状発光源はＥＬ発光素子と
光導波路とから形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記複数の線状発光源はＬＥＤアレイと
光導波路とから形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記２つの基板がファイバプレートから
成っていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項５】 前記複数の光導電体層の各々に対向する
位置に光を遮るための遮光層が一方若しくは両方に設け
られていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】 前記複数の光導電体層の各々に対向する
位置に光を遮るための遮光層が設けられており、該遮光
層及び前記複数の線状発光源は前記基板に関して前記液
晶層が設けられている側と反対側に設けられていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26394791A JP3048705B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 液晶表示装置 |
| CA002055123A CA2055123C (en) | 1990-11-09 | 1991-11-07 | Display apparatus |
| EP91310363A EP0490484B1 (en) | 1990-11-09 | 1991-11-08 | Display apparatus |
| DE69119210T DE69119210T2 (de) | 1990-11-09 | 1991-11-08 | Anzeigevorrichtung |
| KR1019910019948A KR950009845B1 (ko) | 1990-11-09 | 1991-11-09 | 디스플레이 장치 |
| US08/267,556 US5535027A (en) | 1990-11-09 | 1994-06-28 | Liquid crystal display device with a photoconductor at each intersection of a linear luminous source and a linear electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26394791A JP3048705B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100246A JPH05100246A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3048705B2 true JP3048705B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=17396468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26394791A Expired - Lifetime JP3048705B2 (ja) | 1990-11-09 | 1991-10-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3048705B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2915724B2 (ja) * | 1992-11-25 | 1999-07-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US5541751A (en) * | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light scan type display device having light waveguides and photo conductive switching elements |
| JP3952923B2 (ja) | 2002-10-01 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 光インターコネクション回路の製造方法 |
| JP4249474B2 (ja) | 2002-12-06 | 2009-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 波長多重チップ間光インターコネクション回路 |
| JP3952995B2 (ja) | 2003-06-13 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 光導波路の形成方法 |
| JP5395766B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-01-22 | 日本放送協会 | 波長多重光アドレス型ディスプレイ |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP26394791A patent/JP3048705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05100246A (ja) | 1993-04-23 |
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