JP3048300B2 - Adhesive insulating tape and semiconductor device using the same - Google Patents

Adhesive insulating tape and semiconductor device using the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子工業素材として、
加熱溶融接着可能な高絶縁性、高耐熱性を有する接着性
絶縁テープおよびそれを用いた半導体装置に関するもの
である。The present invention relates to a material for electronic industry,
The present invention relates to an adhesive insulating tape having high insulation properties and high heat resistance, which can be heated and melted, and a semiconductor device using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】樹脂封止型半導体装置においては、ＬＳ
Ｉの高機能化、高速化、高集積化に伴いＩＣチップの大
型化、発熱量の増大が避けられ無いのが現状である。Ｉ
Ｃチップが大型化すると、パッケージサイズは規格化さ
れていること等から大きくできないため、パッケージ側
端とＩＣチップとの隙間が少なくなる方向にある。その
為に、ＩＣチップ内の配線を外部に取り出すリードフレ
ームを配置する余裕は極端に低減し、パッケージ内に埋
設するリードフレームの強度及び長期使用の信頼性に問
題が生じている。それに対し、特開昭６１−２１８１３
９および米国特許４８６２２４５に記載されているが、
ＩＣチップの上部又は下部にリードフレームを配置する
装置が提案されており実用化も進んでいる。ＩＣチップ
の上部にリードフレームが配置された場合の断面の模式
図は図１のようである。ＩＣチップからの発熱量増大に
対しては、チップを載せるダイあるいはタブの代わりに
熱伝導性が良く熱容量が大きいヒートスプレッダを使用
し、そのヒートスプレッダとインナーリードを絶縁材料
で固定した装置が提案され実用化が進んでいる。この場
合の断面の模式図は図２のようである。該装置では、リ
ードフレームとＩＣチップあるいはヒートスプレッダと
の直接の接触を避ける為に、接着性絶縁テープを使用す
ることが行われている。このテープの断面の模式図は図
３のように表せる。2. Description of the Related Art In a resin-sealed semiconductor device, LS
At present, it is unavoidable that the size and size of the IC chip are increased and the amount of heat generated is increased with the increase in functions, speed, and integration of I. I
When the size of the C chip is increased, the size of the package cannot be increased due to the standardization of the package. Therefore, the gap between the package side end and the IC chip tends to decrease. Therefore, the margin for arranging the lead frame for taking out the wiring in the IC chip to the outside is extremely reduced, and there is a problem in the strength of the lead frame embedded in the package and the reliability in long-term use. In contrast, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-21813
9 and U.S. Pat. No. 4,862,245,
A device for arranging a lead frame above or below an IC chip has been proposed and is being put to practical use. FIG. 1 is a schematic diagram of a cross section when a lead frame is arranged above an IC chip. In order to increase the amount of heat generated from the IC chip, a device that uses a heat spreader with good heat conductivity and large heat capacity in place of the die or tab on which the chip is mounted, and fixes the heat spreader and inner leads with an insulating material has been proposed and put into practical use. Is progressing. A schematic diagram of the cross section in this case is as shown in FIG. In such a device, an adhesive insulating tape is used in order to avoid direct contact between the lead frame and the IC chip or the heat spreader. A schematic view of the cross section of this tape can be represented as shown in FIG.

【０００３】従来、該接着性絶縁テープは、ポリイミド
フィルム等の絶縁性基体上にエポキシ樹脂、アクリル樹
脂等の接着性樹脂を塗布し、その接着剤による、絶縁テ
ープとＩＣチップ及びリードフレーム、絶縁テープとヒ
ートスプレッダ及びリードフレームとの接合が検討され
てきた。該方法では、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の
接着剤に含有するイオン性不純物が長期間の使用により
溶出し、ＩＣチップ上に配置された回路を破壊する為に
半導体装置の長期使用信頼性が低いと言う問題点があ
る。さらに加えて、それらの接着剤を用いて工業的に高
温短時間接着を行うと接着剤成分の一部が揮発しリード
フレーム、ＩＣチップ、ヒートスプレッダ表面を汚染
し、その表面への接着信頼性が低下するため、ＩＣチッ
プとリードフレームを電気的に接合するためのワイヤー
ボンドの信頼性が低下するという問題点がある。また、
接着剤を硬化させるための時間が必要であり生産性が劣
るという問題点もある。それらを改良する目的で、特開
平２−１５６６３、特開平２−３６５４２などでアミド
系あるいはイミド系の接着剤を使用したテープ提案され
ている。Conventionally, the adhesive insulating tape has been obtained by applying an adhesive resin such as an epoxy resin or an acrylic resin on an insulating substrate such as a polyimide film, and applying the adhesive to the insulating tape, the IC chip, the lead frame, and the insulating material. Bonding of the tape to the heat spreader and the lead frame has been studied. In this method, ionic impurities contained in an adhesive such as an epoxy resin or an acrylic resin are eluted by a long-term use, and a circuit arranged on an IC chip is destroyed. There is a problem to say. In addition, when high-temperature and short-time bonding is performed industrially using these adhesives, some of the adhesive components volatilize, contaminating the lead frame, IC chip, and heat spreader surfaces, and the bonding reliability to the surface is reduced. Therefore, there is a problem that the reliability of the wire bond for electrically connecting the IC chip and the lead frame is reduced. Also,
There is also a problem that time is required for curing the adhesive and productivity is poor. For the purpose of improving these, tapes using an amide or imide adhesive have been proposed in JP-A-2-15663 and JP-A-2-36542.

【０００４】しかしながら、特開平２−１５６６３では
半硬化状のポリイミド系接着剤を使用しており、リード
フレームへテープを固定後、溶剤の除去、イミド化反応
の完結というプロセスが必要であり、その際発生する溶
剤、水分はリードフレームを依然として汚染するのでそ
れらを除去する必要があり生産性の点で不十分である。
また、特開平２−３６５４２では接着性絶縁テープの接
着剤として、テープがリードフレームと接着する側に熱
可塑性重合体としてポリエーテルアミドまたはポリエー
テルアミドイミドを用いており、テープがＩＣチップと
接着する側には熱硬化性のポリイミド系ダイボンド剤あ
るいはエポキシ系ダイボンド剤を用いている。その結
果、アミド構造を持つため吸水率が高くなることが避け
られず、接着時の乾燥が不十分な場合には接着時にボイ
ドを発生したり、吸水テスト後、半導体装置が半田リフ
ロー等の急激な加熱を受けると熱可塑性重合体層が膨れ
を起こす等、半導体製造時および半導体性能の上で改善
が必要である。そのほか、熱硬化性樹脂特有の問題点は
避けられない。However, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-15663, a semi-cured polyimide adhesive is used. After fixing the tape to the lead frame, a process of removing the solvent and completing the imidization reaction is required. The solvent and moisture generated at this time still contaminate the lead frame, and it is necessary to remove them, which is insufficient in terms of productivity.
JP-A-2-36542 discloses that an adhesive for an adhesive insulating tape uses polyetheramide or polyetheramideimide as a thermoplastic polymer on the side where the tape is to be bonded to a lead frame, and the tape is bonded to an IC chip. A thermosetting polyimide die bonding agent or epoxy die bonding agent is used on the side to be bonded. As a result, the amide structure inevitably increases the water absorption, and if the drying at the time of bonding is insufficient, voids may occur at the time of bonding, or after the water absorption test, the semiconductor device may undergo rapid reflow such as solder reflow. When heated, the thermoplastic polymer layer swells, and it is necessary to improve the semiconductor production and the semiconductor performance. In addition, problems specific to thermosetting resins cannot be avoided.

【０００５】米国特許４８６２２４５では一般論として
ポリイミドフィルム等をalpha barriersとして、その両
側にエポキシ、アクリル、シリコン、ポリイミド、シリ
コンを含むポリイミドから選択された接着層を設け、半
導体チップとリードフレームを固定する概念が開示され
ている。特にリードフレーム側の第２層の接着層にはエ
ポキシ、アクリルから選択された接着層が望ましいと記
載されている。これらの中にも、ポリイミドの記載はあ
るがポリイミドの接着剤の種類等の記載は無く、また、
ポリイミドのメリットも記載されていない。そのため、
どの様な種類、構造の接着剤が最適かは明確ではない。In US Pat. No. 4,862,245, as a general theory, a polyimide film or the like is used as alpha barriers, and an adhesive layer selected from epoxy, acrylic, silicon, polyimide and polyimide containing silicon is provided on both sides to fix the semiconductor chip and the lead frame. The concept is disclosed. In particular, it is described that an adhesive layer selected from epoxy and acrylic is preferable for the second adhesive layer on the lead frame side. Among them, there is a description of polyimide, but there is no description of the kind of polyimide adhesive, etc.,
No mention is made of the advantages of polyimide. for that reason,
It is not clear what type and structure of adhesive is best.

【０００６】一方、これらの接着性絶縁テープとは異な
った概念の接着性ポリイミドフィルム積層体が米国特許
４５４３２９５で提案されている。すなはち熱可塑性ポ
リイミドをポリイミドフィルムの両面に形成したフィル
ム積層体等であり、接着対象はポリイミドフィルムおよ
び金属である。このフィルムを用いて半導体用のリード
フレーム、ヒートスプレッダ、ポリイミド系のバッファ
ーコート付ＩＣチップ等を接着することは可能である。
このフィルムを用いた場合、従来の接着性絶縁テープや
前記に提案されているテープの改善すべき点である、イ
オン性不純物、接着時に発生する揮発成分、吸水率等に
ついては改善される可能性がある良い提案である。この
提案では熱可塑性ポリイミド全体を含んでいるが、例示
されているポリイミドはＬＡＲＣー２、ＬＡＲＣ−３，
ＬＡＲＣ−４でありガラス転移温度は各々２４７℃、２
６９℃、２９７℃である。これらの接着剤はやや脆い特
性があり、接着条件も３４０〜３７０℃の温度で圧力３
〜２１ｋｇ／ｃｍ2 で約５分が適当であると書かれてい
る。On the other hand, US Pat. No. 4,543,295 proposes an adhesive polyimide film laminate having a different concept from these adhesive insulating tapes. That is, it is a film laminate or the like in which thermoplastic polyimide is formed on both sides of a polyimide film, and the bonding object is a polyimide film and a metal. It is possible to bond a semiconductor lead frame, a heat spreader, a polyimide-based IC chip with a buffer coat, and the like using this film.
When this film is used, ionic impurities, volatile components generated at the time of bonding, water absorption, and the like, which are points to be improved over the conventional adhesive insulating tape and the tapes proposed above, may be improved. There is a good suggestion. While this proposal includes the entire thermoplastic polyimide, the illustrated polyimides are LARC-2, LARC-3,
LARC-4, each having a glass transition temperature of 247 ° C., 2
69 ° C, 297 ° C. These adhesives have somewhat brittle properties, and the bonding conditions are 340 to 370 ° C. and pressure 3
It is stated that about 5 minutes at ~ 21 kg / cm 2 is appropriate.

【０００７】近年の半導体業界の進歩は目ざましく、生
産性は極めて高くなっており、また、接着力等の要求物
性も高度になっている。接着プロセスも接着温度は半導
体の保護も含めて４００℃以下が望まれている。そのた
め、接着条件としては温度４００℃以下、圧力５０ｋｇ
／ｃｍ2 以下、時間は、なんと、１０秒以下好ましくは
３秒以下が要求されている。また、半導体では、ポリイ
ミドのバッファーコートを用いなく窒化珪素等のセラミ
ックや燐ガラス等のガラス質をパッシベーション膜とし
て直接熱可塑性ポリイミドで接着を要求される場合もあ
る。このような条件では、ＬＡＲＣ−２、ＬＡＲＣ−
３，ＬＡＲＣ−４での半導体材料への接着力は必ずしも
十分ではない。例えば、ＬＡＲＣ−２を用いた接着性テ
ープをつくり、温度３７０℃、圧力２１ｋｇ／ｃｍ2 、
時間５秒で半導体用リードフレーム材料の４２ＮｉＦｅ
合金シートと接着したところ、ピール強度は０．５ｋｇ
／ｃｍであった。時間を５分にした場合は１．５ｋｇ／
ｃｍであった。そこで、熱可塑性ポリイミド接着剤とし
ては、短時間接着に適するようにガラス転移温度が適切
な範囲で接着温度でのポリイミドの流動性が適切である
こと、ワイヤーボンド温度での樹脂の弾性率が適切であ
ること、多種の半導体材料への接着に適する柔軟なポリ
マー構造あるいは適切な官能基を持った構造であること
等が要求されている。The progress of the semiconductor industry in recent years has been remarkable, productivity has been extremely high, and required physical properties such as adhesive strength have also become high. In the bonding process, the bonding temperature is desired to be 400 ° C. or less including protection of the semiconductor. Therefore, the bonding conditions are a temperature of 400 ° C. or less and a pressure of 50 kg
/ Cm 2 or less, and the time is required to be 10 seconds or less, preferably 3 seconds or less. In some cases, a semiconductor is required to be directly bonded with thermoplastic polyimide as a passivation film using a ceramic such as silicon nitride or a glassy material such as phosphorous glass without using a polyimide buffer coat. Under such conditions, LARC-2, LARC-
3, LARC-4 does not always have sufficient adhesive strength to a semiconductor material. For example, an adhesive tape using LARC-2 was made, and the temperature was 370 ° C., the pressure was 21 kg / cm 2 ,
42NiFe of lead frame material for semiconductor in 5 seconds
0.5kg peel strength when bonded to alloy sheet
/ Cm. 1.5kg / when the time is 5 minutes
cm. Therefore, as the thermoplastic polyimide adhesive, the fluidity of the polyimide at the bonding temperature is appropriate within the appropriate range of the glass transition temperature so that it is suitable for short-time bonding, and the elastic modulus of the resin at the wire bonding temperature is appropriate. And a flexible polymer structure suitable for bonding to various kinds of semiconductor materials or a structure having an appropriate functional group.

【０００８】また、これら接着性絶縁フィルムにおいて
絶縁性基体と接着剤との接着力が重要であることは言う
までもない事である。しかしながら、熱可塑性ポリイミ
ド接着剤の場合、絶縁性基体との接着力が絶縁性基体の
両側共に、工業的、安定的に高く保つことは実現されて
いない。特に、イミド結合を有する絶縁性基体の場合、
コロナ処理では安定的に高い接着力を得るのは不可能と
思われる。また、サンドブラストでの表面粗化では微少
なサンドが表面に残り不純物イオンやα線の原因となる
恐れがある等適切な表面処理が見いだされていない。近
年、ある種類の熱可塑性ポリイミド接着剤において被着
体である絶縁性基体の表面を化学的・物理的処理を施し
た後接着を行うことが可能であることが一般論として特
開平５−５９３４４に処理方法名が開示されている。し
かしながら、どの方法が最適かは記載が無い。また、ポ
リイミドフィルム等のフィルムをプラズマ処理すること
により表面改質し接着剤との接着性を上げる事が、特公
平４−７４３７２に記載されている。しかしながら、熱
硬化性のアクリル系接着剤と熱硬化性のポリアミド接着
剤が接着剤として例示されている他は接着剤の説明は無
い。本発明の対象は、半導体装置における特性向上の為
に有用な接着性絶縁テープおよびそれを用いた半導体装
置である。It is needless to say that the adhesive strength between the insulating substrate and the adhesive is important in these adhesive insulating films. However, in the case of the thermoplastic polyimide adhesive, it has not been realized that the adhesive strength with the insulating substrate is industrially and stably kept high on both sides of the insulating substrate. In particular, in the case of an insulating substrate having an imide bond,
It seems that it is impossible to obtain a stable high adhesive strength by the corona treatment. Further, in the surface roughening by sand blasting, no suitable surface treatment has been found, for example, a minute sand may remain on the surface and cause impurity ions or α rays. In recent years, it has been generally disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-59344 that it is possible to perform bonding after subjecting the surface of an insulating substrate as an adherend to a certain kind of thermoplastic polyimide adhesive by subjecting it to a chemical / physical treatment. Discloses a processing method name. However, there is no description as to which method is optimal. Japanese Patent Publication No. 4-74372 describes that a film such as a polyimide film is subjected to a plasma treatment to improve the surface of the film to improve the adhesiveness with an adhesive. However, there is no description of the adhesive except that a thermosetting acrylic adhesive and a thermosetting polyamide adhesive are exemplified as the adhesive. An object of the present invention is an adhesive insulating tape useful for improving characteristics of a semiconductor device and a semiconductor device using the same.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本願発明は、近年の半
導体産業に求められている、リードフレーム、ヒートス
プレッダ及びＩＣチップ等の金属導電体及び半導体等の
電子部品との接着において優れた特性、信頼性と量産性
を有する接着性絶縁テープを提供することおよびそのテ
ープを用いた半導体装置を提供することにある。さらに
は、米国特許４５４３２９５のいわゆる熱可塑性ポリイ
ミドにおいて、半導体材料の量産接着に、はるかに短時
間で、且つより優れた接着力を与える、好適な他の熱可
塑性ポリイミド接着剤を見いだすことにより、半導体接
着用の非常に優れた接着性絶縁テープを供給することに
ある。その接着性絶縁テープは長期間の使用信頼性に優
れた絶縁性能を有すること、また、半導体産業に好適に
利用される為に、接着温度が４００℃以下、接着時間が
１０秒以下の短時間接着で各種半導体材料にたいし十分
な接着力が得られ、その接着の際、リードフレームやＩ
Ｃチップ表面にワイヤーボンドに有害な汚染をしないこ
と、また、リードフレームとＩＣチップの配線の為のワ
イヤーボンディング工程での加熱に対して、リードの位
置移動等の無い優れた耐熱性を有すること等が必要であ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides excellent characteristics and reliability in bonding with metal conductors such as lead frames, heat spreaders and IC chips, and electronic components such as semiconductors required in the semiconductor industry in recent years. An object of the present invention is to provide an adhesive insulating tape having high performance and mass productivity, and to provide a semiconductor device using the tape. Furthermore, in the so-called thermoplastic polyimides of U.S. Pat. No. 4,543,295, by finding other suitable thermoplastic polyimide adhesives that give much more rapid and better adhesion to mass production bonding of semiconductor materials, It is to provide a very good adhesive insulating tape for bonding. The adhesive insulating tape has an insulating performance with excellent long-term use reliability, and in order to be suitably used in the semiconductor industry, the bonding temperature is 400 ° C. or less, and the bonding time is 10 seconds or less. Sufficient adhesive strength to various semiconductor materials can be obtained by bonding.
Does not cause harmful contamination of the wire bond on the surface of the C chip, and has excellent heat resistance without moving the position of the lead against heating in the wire bonding process for wiring the lead frame and the IC chip. Is necessary.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、 １．絶縁性基体上の両面又は片面に熱可塑性ポリイミド
を必須成分とする熱可塑性重合体の層を有し、該熱可塑
性重合体のガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温度
範囲であり、弾性率が、２５℃に於いて１０10〜１０11
dyne/cm2の範囲であり、２５０〜３００℃において１０
2 〜１０9dyne/cm2 の範囲であることを特徴とする接着
性絶縁テープであり、また、 ２．熱可塑性重合体のガラス転移温度が１８０℃〜２４
０℃の温度範囲であり、弾性率が２５０℃において１０
2 〜１０9dyne/cm2 の範囲である項１記載の接着性絶縁
テープであり、また、 ３．熱可塑性重合体のガラス転移温度が２００℃〜２６
０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくとも２７０℃に
おいて１０2 〜１０9dyne/cm2 の範囲である項１記載の
接着性絶縁テープであり、また、 ４．熱可塑性重合体のガラス転移温度が２５０℃〜２８
０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくとも２７０〜３
００℃において１０2 〜１０9dyne/cm2 の範囲である項
１記載の接着性絶縁テープであり、また、 ５．熱可塑性重合体が熱可塑性ポリイミドとシランカッ
プリング剤を該熱可塑性ポリイミドの合成時あるいは合
成後に反応あるいは混合してなるシランカップリング剤
変成熱可塑性ポリイミドを必須成分とするものである項
１記載の接着性絶縁テープであり、また、 ６．熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイミドの構
造が、式（１）、〔化５〕の構造単位からなる項１ある
いは２記載の接着性絶縁テープであり、また、Means for Solving the Problems That is, the present invention provides: A thermoplastic polymer layer containing thermoplastic polyimide as an essential component on both surfaces or one surface on the insulating substrate, and the glass transition temperature of the thermoplastic polymer is in a temperature range of 180 ° C. to 280 ° C .; Is 10 10 to 10 11 at 25 ° C.
dyne / cm 2 and at 250 to 300 ° C.
1. An adhesive insulating tape having a range of 2 to 10 9 dyne / cm 2 , and The glass transition temperature of the thermoplastic polymer is from 180 ° C to 24 ° C.
Temperature range of 0 ° C. and an elastic modulus of 10 at 250 ° C.
2. The adhesive insulating tape according to item 1, which has a range of 2 to 10 9 dyne / cm 2 , and The glass transition temperature of the thermoplastic polymer is from 200 ° C. to 26 ° C.
3. The adhesive insulating tape according to item 1, wherein the adhesive insulating tape has a temperature range of 0 ° C. and an elastic modulus in a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at least at 270 ° C. The glass transition temperature of the thermoplastic polymer is from 250 ° C to 28 ° C.
0 ° C. temperature range and elastic modulus of at least 270-3
Item 4. The adhesive insulating tape according to Item 1, which has a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at 00 ° C. Item 1. The thermoplastic polymer according to item 1, wherein the thermoplastic polyimide is a modified silane coupling agent obtained by reacting or mixing a thermoplastic polyimide and a silane coupling agent during or after the synthesis of the thermoplastic polyimide. 5. an adhesive insulating tape; Item 1. The adhesive insulating tape according to item 1 or 2, wherein the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is represented by the formula (1),

【００１１】[0011]

【化５】 ７．熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイミドの構
造が、式（１）の構造単位においてポリマー分子端が式
（２）、〔化６〕で表されるジカルボン酸無水物で封止
されている項１あるいは２記載の接着性絶縁テープであ
り、また、Embedded image 7. The structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer, in which the polymer molecule end in the structural unit of the formula (1) is sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2) or [Formula 6]. 3. The adhesive insulating tape according to 1 or 2,

【００１２】[0012]

【化６】 （式中、Ｚは単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基また
は芳香族基が直接または架橋員により相互に連結された
非縮合多環式芳香族基からなる群より選ばれた２価の基
をしめす） ８．熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイミドの構
造が、式（３）、〔化７〕の構造単位からなり式（３）
においてｍ：ｎ＝１〜９０：９９〜１０、好ましくは
ｍ：ｍ＝３０〜７０：７０〜３０である項１あるいは３
記載の接着性絶縁テープであり、また、Embedded image (Wherein, Z is selected from the group consisting of a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or a non-condensed polycyclic aromatic group in which aromatic groups are connected to each other directly or by a bridge member. (Showing a divalent group) 8. The structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is represented by the formula (3):
Wherein m: n = 1-90: 99-10, preferably m: m = 30-70: 70-30
The adhesive insulating tape according to the above,

【００１３】[0013]

【化７】 ９．熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイミドの構
造が、式（３）の構造単位を有し式（３）においてｍ：
ｎ＝１〜９０：９９〜１０、好ましくはｍ：ｎ＝３０〜
７０：７０〜３０であり、ポリマー分子端が式（２）で
表されるジカルボン酸無水物で封止されている項１ある
いは３記載の接着性絶縁テープであり、また、 １０．熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイミドの
構造が、式（４）、〔化８〕の構造単位からなる項１あ
るいは４記載の接着性絶縁テープであり、また、Embedded image 9. The structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer has a structural unit of the formula (3), and in the formula (3), m:
n = 1 to 90:99 to 10, preferably m: n = 30 to
9. The adhesive insulating tape according to item 1 or 3, wherein the ratio is 70:70 to 30, and the polymer molecular end is sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2). The adhesive insulating tape according to item 1 or 4, wherein the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is a structural unit represented by the formula (4) or [Formula 8],

【００１４】[0014]

【化８】 １１．絶縁性基体の表面がプラズマ処理および、あるい
はオゾン処理されている項１〜５の何れかに記載の接着
性絶縁テープである。また、 １２．半導体リードフレームのインナーリードが項１〜
５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の片面
に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定され
ていることを特徴とするリードフレームであり、また、 １３．半導体リードフレームのインナーリードが項１〜
５記載の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の
片面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定
されており、かつ少なくともその固定された部分が樹脂
封止材で封止されていることを特徴とする半導体装置で
あり、また、 １４．半導体リードフレームのインナーリードが項１〜
５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面
に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定され
ており、ＩＣチップあるいはヒートスプレッダと接着可
能になったことを特徴とする半導体リードフレームであ
り、また、 １５．リードオンチップあるいはチップオンリード構造
の半導体装置に於てインナーリードとＩＣチップが項１
〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両
面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定さ
れていることを特徴とする半導体装置であり、また、 １６．ヒートスプレッダ付リードフレーム構造の半導体
装置に於てインナーリードとヒートスプレッダが項１〜
５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面
に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定され
ていることを特徴とする半導体装置である。Embedded image 11. Item 6. The adhesive insulating tape according to any one of Items 1 to 5, wherein the surface of the insulating substrate is subjected to plasma treatment and / or ozone treatment. Also, 12. Item 1 is the inner lead of the semiconductor lead frame.
12. A lead frame, which is fixed with an adhesive insulating tape having a thermoplastic polymer on one surface of an insulating substrate in the tape according to any one of 5. Item 1 is the inner lead of the semiconductor lead frame.
5. The tape according to any one of the items 5, wherein the tape is fixed on one surface of the insulating substrate with an adhesive insulating tape having a thermoplastic polymer, and at least the fixed portion is sealed with a resin sealing material. 13. A semiconductor device characterized in that: Item 1 is the inner lead of the semiconductor lead frame.
5. A semiconductor characterized in that the tape is fixed with an adhesive insulating tape having a thermoplastic polymer on both sides of an insulating substrate in the tape according to any one of the items 5, and can be bonded to an IC chip or a heat spreader. 14. a lead frame; In a semiconductor device having a lead-on-chip or chip-on-lead structure, an inner lead and an IC chip are used in item 1.
15. A semiconductor device, characterized in that the tape is fixed with an adhesive insulating tape having a thermoplastic polymer on both surfaces of an insulating substrate in the tape according to any one of the above items. In a semiconductor device having a lead frame structure with a heat spreader, the inner lead and the heat spreader are items 1 to 5.
5. A semiconductor device characterized by being fixed with an adhesive insulating tape having a thermoplastic polymer on both surfaces of an insulating substrate in the tape according to any one of the above items 5.

【００１５】以下、本題において開示される発明のう
ち、特に代表的なものの態様を簡単に説明すれば、下記
の通りである。 （１）絶縁性基体上の両面又は片面に熱可塑性ポリイミ
ドを必須成分とする熱可塑性重合体の層を有し、該熱可
塑性重合体のガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温
度範囲であり、弾性率が、２５℃に於いて１０10〜１０
11dyne/cm2の範囲であり、２５０〜３００℃において１
０2 〜１０9dyne/cm2 の範囲であることを特徴とする接
着性絶縁テープを用いるもの。 （２）（１）において熱可塑性重合体に含まれる熱可塑
性ポリイミドの構造が、式（１）、〔化９〕の構造単位
である、あるいは式（１）、〔化９〕の構造単位におい
てポリマー分子端が式（２）、〔化１０〕で表されるジ
カルボン酸無水物で封止されていることを特徴とする接
着性絶縁テープを用いるもの。The following is a brief description of a typical embodiment of the invention disclosed in the present subject matter. (1) A layer of a thermoplastic polymer containing thermoplastic polyimide as an essential component on both sides or one side of the insulating substrate, and the glass transition temperature of the thermoplastic polymer is in a temperature range of 180 ° C to 280 ° C. Elastic modulus is 10 10 to 10 at 25 ° C.
11 dyne / cm 2 , and 1 at 250 to 300 ° C.
The one using an adhesive insulating tape, characterized by being in the range of 0 2 to 10 9 dyne / cm 2 . (2) In (1), the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is a structural unit of the formula (1) or [Chemical formula 9], or a structural unit of the formula (1) or [Chemical formula 9] What uses an adhesive insulating tape characterized in that the polymer molecular ends are sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2) or [Formula 10].

【００１６】[0016]

【化９】 Embedded image

【００１７】[0017]

【化１０】 （式中、Ｚは単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基また
は芳香族基が直接または架橋員により相互に連結された
非縮合多環式芳香族基からなる群より選ばれた２価の基
を示す） （３）（１）において熱可塑性重合体に含まれる熱可塑
性ポリイミドの構造が、式（３）、〔化１１〕の構造単
位である、あるいは式（３）、〔化１１〕の構造単位に
おいてポリマー分子端が式（２）で表されるジカルボン
酸無水物で封止されていることを特徴とする接着性絶縁
テープを用いるもの。式（３）においてｍ：ｎ＝１〜９
０：９９〜１０、好ましくはｍ：ｎ＝３０〜７０：７０
〜３０である。ｍ，ｎは繰り返し単位の全ポリマーに対
する割合を示しており、ブロックコポリマー、ランダム
コポリマー等を含んでいる。Embedded image (Wherein, Z is selected from the group consisting of a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or a non-condensed polycyclic aromatic group in which aromatic groups are connected to each other directly or by a bridge member. (Showing a divalent group) (3) In (1), the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is a structural unit of the formula (3) or [Formula 11], or a compound of the formula (3) or [3] Wherein the polymer molecule end in the structural unit of the formula [11] is sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2). In the formula (3), m: n = 1 to 9
0:99 to 10, preferably m: n = 30 to 70:70
~ 30. m and n indicate the ratio of the repeating unit to the total polymer, and include block copolymers, random copolymers, and the like.

【００１８】[0018]

【化１１】 （４）（１）において熱可塑性重合体に含まれる熱可塑
性ポリイミドの構造が、式（４）、〔化１２〕の構造単
位であることを特徴とする接着性テープを用いるもの。Embedded image (4) An adhesive tape according to (1), wherein the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is a structural unit represented by the formula (4) or [Formula 12].

【００１９】[0019]

【化１２】 Embedded image

【００２０】これより以降の説明において、式（１）の
構造単位を有するポリイミドをＰＩ−Ｘ、式（１）の構
造単位において式（２）で表されるジカルボン酸無水物
で封止されているポリイミドをＰＩ−Ｘｈ、式（３）の
構造単位を有するポリイミドをＰＩ−Ｙ、式（３）の構
造単位において式（２）で表されるジカルボン酸無水物
で封止されているポリイミドをＰＩ−Ｙｈ、式（４）の
構造単位を有するポリイミドをＰＩ−Ｚとする。 （５）（１）〜（４）において熱可塑性重合体が熱可塑
性ポリイミドとシランカップリング剤を該熱可塑性ポリ
イミドの合成時あるいは合成後に反応あるいは混合して
なるシランカップリング剤変成熱可塑性ポリイミドを必
須成分とすることを特徴とする接着性絶縁テープを用い
るもの。 （６）絶縁性基体がポリイミド結合を有する重合体であ
り、その表面がプラズマエッチング処理および、あるい
はオゾンエッチング処理されていることを特徴とする前
記（１）〜（５）の接着性絶縁テープを用いるもの。 （７）前記（１）〜（６）の接着性絶縁テープのなか
で、熱可塑性重合体が絶縁性基体の片面に形成されてい
るテープを用い、半導体リードフレームのインナーリー
ドを熱可塑性重合体を介して熱圧着し固定するもの。 （８）前記（１）〜（６）の接着性絶縁テープのなか
で、熱可塑性重合体が絶縁性基体の両面に形成されてい
るテープを用い、半導体リードフレームのインナーリー
ドに熱可塑性重合体層を介して接着性絶縁テープを熱圧
着で固定するもの。 （９）前記（８）のインナーリードが片面に固定された
接着性絶縁テープを用い、インナーリードが固定されて
いない他の片面の熱可塑性重合体を介してＩＣチップを
熱圧着で固定するもの。In the following description, the polyimide having the structural unit of the formula (1) is sealed with PI-X and the dicarboxylic anhydride represented by the formula (2) in the structural unit of the formula (1). PI-Xh, polyimide having a structural unit of the formula (3) as PI-Y, and polyimide having a structural unit of the formula (3) sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2). PI-Yh, a polyimide having the structural unit of the formula (4), is referred to as PI-Z. (5) In (1) to (4), the silane coupling agent modified thermoplastic polyimide obtained by reacting or mixing a thermoplastic polymer with a thermoplastic polyimide and a silane coupling agent during or after the synthesis of the thermoplastic polyimide is used. Using an adhesive insulating tape characterized by being an essential component. (6) The adhesive insulating tape according to (1) to (5), wherein the insulating substrate is a polymer having a polyimide bond, and the surface thereof is subjected to plasma etching treatment and / or ozone etching treatment. What to use. (7) Among the adhesive insulating tapes of (1) to (6), a tape in which a thermoplastic polymer is formed on one surface of an insulating substrate is used, and the inner lead of the semiconductor lead frame is made of a thermoplastic polymer. What is fixed by thermocompression bonding via (8) Among the adhesive insulating tapes of (1) to (6), a tape in which a thermoplastic polymer is formed on both surfaces of an insulating substrate is used, and a thermoplastic polymer is used for an inner lead of a semiconductor lead frame. An adhesive insulating tape that is fixed by thermocompression bonding via a layer. (9) Using an adhesive insulating tape with the inner leads fixed to one side of the above (8), and fixing the IC chip by thermocompression bonding via the other one-sided thermoplastic polymer to which the inner leads are not fixed. .

【００２１】次に、本発明の理解を助けるために、模式
図で説明する。 図１はリードオンチップ構造のＩＣパッケージを示す模
式図 図２はヒートスプレッダ付リードフレームを持ったＩＣ
パッケージを示す模式図 図３は本発明に係わる接着性絶縁テープの層構造を示す
模式図 図４は接着力テスト、及び、リーク電流テストに用いら
れるサンプルの構造を示す平面図 図５は図４に示したテストサンプルの側面図 図６はワイヤーボンドのテストサンプルの構造を示す側
面図 図１、図２の中で、１はＩＣチップ、２はリードフレー
ム、３は樹脂封止材４は接着性絶縁テープ、５は金線、
６はヒートスプレッダ、７はダイボンダーである。この
タイプのＩＣでは、ＩＣチップ１は、接着性絶縁テープ
４によりリードフレーム２の上に接着され、極細の金線
５によって電気的に接続された上、樹脂封止材３によっ
て封止される。図２に示すタイプのＩＣでは、ＩＣチッ
プ１は、ダイボンダー７によってヒートスプレッダ６の
上に接着される。リードフレーム２もまた、接着性絶縁
テープ４によりヒートスプレッダ６の上に接着されてお
り、両者は金線５で電気的に結合されている。本発明に
係わる接着性絶縁テープの典型的な層構造は図３に示さ
れている。即ち、本発明に係わる接着性絶縁テープ４
は、ベースとなる絶縁性基体４１の片面には熱可塑性重
合体からなる接着層４２を、他の一面には接着層４２と
同一または異なった熱可塑性重合体からなる接着層４３
を、それぞれコートして成るものである。この接着性絶
縁テープ４は、図４、５及び６に示したデバイスにより
テストされた。これらの図に示されているように、ＩＣ
チップ１とリードフレーム２のリード２１及び一本のワ
イヤーボンディング用のテストバー８が接着性絶縁テー
プ４で接着固定されている。尚図中２１ａはリード２１
の銀メッキされた部分を示す。ワイヤーボンディングテ
ストする時は、図６に示されているように、金線５によ
ってリード２１の銀メッキ部分２１ａとテストバー８が
結合された。以下に述べるテストの成績は、これらのテ
ストデバイスによるものである。Next, in order to facilitate understanding of the present invention, a description will be given with reference to a schematic diagram. FIG. 1 is a schematic diagram showing an IC package having a lead-on-chip structure. FIG. 2 is an IC having a lead frame with a heat spreader.
FIG. 3 is a schematic view showing a layer structure of an adhesive insulating tape according to the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a structure of a sample used in an adhesive force test and a leak current test. FIG. FIG. 6 is a side view showing the structure of a test sample for wire bonding. In FIGS. 1 and 2, 1 is an IC chip, 2 is a lead frame, 3 is a resin encapsulant 4 is bonded. Conductive tape, 5 is a gold wire,
6 is a heat spreader, 7 is a die bonder. In this type of IC, the IC chip 1 is adhered onto the lead frame 2 by an adhesive insulating tape 4, electrically connected by a fine gold wire 5, and sealed by a resin sealing material 3. . In the type of IC shown in FIG. 2, the IC chip 1 is bonded onto the heat spreader 6 by a die bonder 7. The lead frame 2 is also adhered on the heat spreader 6 by the adhesive insulating tape 4, and both are electrically connected by the gold wire 5. A typical layer structure of the adhesive insulating tape according to the present invention is shown in FIG. That is, the adhesive insulating tape 4 according to the present invention
Is an adhesive layer 42 made of a thermoplastic polymer on one surface of an insulating base 41 serving as a base, and an adhesive layer 43 made of the same or different thermoplastic polymer as the adhesive layer 42 on the other surface.
Are respectively coated. This adhesive insulating tape 4 was tested with the device shown in FIGS. As shown in these figures, the IC
The chip 1, the lead 21 of the lead frame 2 and one test bar 8 for wire bonding are bonded and fixed with the adhesive insulating tape 4. In the figure, 21a is a lead 21.
Shows the silver-plated part of. At the time of the wire bonding test, as shown in FIG. 6, the silver plated portion 21a of the lead 21 and the test bar 8 were joined by the gold wire 5. The test results described below are based on these test devices.

【００２２】以下に、本発明の接着性絶縁テープの好ま
しい実施態様について、より詳細に説明する。勿論、本
例により本願発明の範囲が制限を受けるものではない。
絶縁性基体４１の材料としては、イミド結合を有する重
合体を使用することができる。例えばカプトン（登録商
標）Ｈ、Ｖ、Ｅ、Ｋ、ＺＴ（東レ・デュポン(株 )社
製）、ユーピレックス（登録商標）Ｍ，Ｓ、ＳＧＡ，Ｓ
ＧＡＰＡ（宇部興産( 株 )社製）、アピカル（登録商
標）ＡＨ、ＮＰＩ（鐘淵化学工業( 株 )社製）、レグル
ス（登録商標、三井東圧化学( 株 )社製）等のポリイミ
ドフィルム、またアラミカ（商標、旭化成( 株 )社製）
等のアラミドフィルム等が利用することができる。吸水
率の低いポリイミドフィルムが、より好適に使用でき、
その中でもユーピレックスＳタイプ、カプトンＥタイプ
が更に好適に使用できる。Hereinafter, preferred embodiments of the adhesive insulating tape of the present invention will be described in more detail. Of course, the scope of the present invention is not limited by this example.
As a material of the insulating substrate 41, a polymer having an imide bond can be used. For example, Kapton (registered trademark) H, V, E, K, ZT (manufactured by Dupont Toray), Upilex (registered trademark) M, S, SGA, S
Polyimide films such as GAPA (Ube Industries, Ltd.), Apical (registered trademark) AH, NPI (Kanebuchi Chemical Industry Co., Ltd.), Regulus (registered trademark, Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd.) And Aramika (trademark, manufactured by Asahi Kasei Corporation)
And the like can be used. Polyimide film with low water absorption can be used more suitably,
Among them, Iupirex S type and Kapton E type can be more preferably used.

【００２３】これらの基体の厚みについては臨界的な制
限はないが、１〜５００μｍを利用することが好まし
い。より好ましくは５〜１００μｍである。また、該基
体上に熱可塑性ポリイミドを必須成分とする熱可塑性重
合体層を両面または片面に形成するに先立って、基体の
表面をプラズマ処理および、あるいはオゾン処理するこ
とが好ましい。これらの処理により基体表面を物理的に
粗化したり、化学的にカルボキシル基等の官能基を形成
できることは公知である。しかしながら、本発明の熱可
塑性重合体層においてはその処理の効果は予想外に顕著
であり、該基体との接着力が大幅に増強、安定化するこ
とが出来きた。その結果、半導体装置の耐久信頼性を向
上できるからである。Although there is no critical limitation on the thickness of these substrates, it is preferable to use a thickness of 1 to 500 μm. More preferably, it is 5 to 100 μm. Prior to forming a thermoplastic polymer layer containing thermoplastic polyimide as an essential component on both sides or one side of the substrate, it is preferable to subject the surface of the substrate to plasma treatment and / or ozone treatment. It is known that these treatments can physically roughen the substrate surface or chemically form a functional group such as a carboxyl group. However, in the thermoplastic polymer layer of the present invention, the effect of the treatment was unexpectedly remarkable, and the adhesion to the substrate was greatly enhanced and stabilized. As a result, the durability reliability of the semiconductor device can be improved.

【００２４】しかる後、該基体上に該熱可塑性重合体層
を両面または片面に形成する。該熱可塑性重合体は、ガ
ラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の範囲であり、また
弾性率が、２５℃に於いて１０10〜１０11dyne/cm2の範
囲であり、２５０〜３００℃において１０2 〜１０9dyn
e/cm2 の範囲であることが本発明を実施する上で重要な
点である。この様な特性を有する特に好ましい熱可塑性
重合体として、前記のＰＩ−Ｘ、ＰＩ−Ｘｈ、ＰＩ−
Ｙ，ＰＩ−Ｙｈ、ＰＩ−Ｚの熱可塑性ポリイミドを示す
ことができる。Thereafter, the thermoplastic polymer layer is formed on both sides or one side of the substrate. The thermoplastic polymer has a glass transition temperature in the range of 180 ° C. to 280 ° C., an elastic modulus in the range of 10 10 to 10 11 dyne / cm 2 at 25 ° C., and a 10 2 to 10 9 dyn
It is an important point for implementing the present invention that the range is e / cm 2 . Particularly preferred thermoplastic polymers having such properties include the aforementioned PI-X, PI-Xh, and PI-X.
Y, PI-Yh and PI-Z thermoplastic polyimides can be shown.

【００２５】ガラス転移温度が１８０℃未満であった
り、２５０〜３００℃での弾性率が１０2dyne/cm2 未満
あると２５０℃以上でのワイヤボンデング工程において
インナーリードが動いてしまったり、超音波加熱におい
てインナーリードにエネルギーが適切に伝播できない等
の問題が生じる。またガラス転移温度が２８０℃を越え
たり、２５０〜３００℃での弾性率が１０9dyne/cm2 を
越えるとリードフレームやＩＣチップと接着性テープと
の短時間熱溶融接着が困難となる。If the glass transition temperature is lower than 180 ° C., or if the elastic modulus at 250 to 300 ° C. is lower than 10 2 dyne / cm 2 , the inner lead may move in the wire bonding step at 250 ° C. or higher. In ultrasonic heating, there arises a problem that energy cannot be properly transmitted to the inner lead. On the other hand, if the glass transition temperature exceeds 280 ° C. or the elastic modulus at 250 to 300 ° C. exceeds 10 9 dyne / cm 2 , it becomes difficult to bond the adhesive tape with the lead frame or IC chip in a short time by hot melt.

【００２６】また、該基体上に形成された熱可塑性重合
体に含まれる溶剤量が１％以下であること、熱可塑性ポ
リイミドが実質的にイミド化反応が完結していることも
本発明を実施する上でより好ましい事である。これによ
り高温（一般的に２７０℃以上）での短時間熱溶融接着
での溶剤揮発やイミド化反応で生ずる水分の揮発による
リードフレームやＩＣチップ表面の有害な汚染、接着層
等に生ずるボイドを防止できる。The present invention is also carried out in that the amount of the solvent contained in the thermoplastic polymer formed on the substrate is 1% or less and that the imidation reaction of the thermoplastic polyimide is substantially completed. It is more preferable to do so. As a result, harmful contamination of the lead frame or IC chip surface due to solvent volatilization during short-time hot-melt bonding at a high temperature (generally 270 ° C. or higher) or volatilization of water generated by an imidization reaction, and voids generated in an adhesive layer, etc. Can be prevented.

【００２７】また、接着性絶縁テープで接着するＩＣチ
ップの表面が窒化珪素等のセラミックや燐ほう酸ガラス
等のガラスである場合には、該基体上の両面、少なくと
もＩＣチップ表面に接着する片面に熱可塑性ポリイミド
とシランカップリング剤を該熱可塑性ポリイミドの合成
時あるいは合成後に反応あるいは混合してなる熱可塑性
重合体層を形成させる事が重要である。反応あるいは混
合させるシランカップリング剤の量は熱可塑性ポリイミ
ドの０．５〜４％が好適である。更に好適には１〜３％
である。シランカップリング剤の種類としてはエポキシ
シラン、チオールシラン、アミノシラン（ＫＢＭ−４０
３、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−５７３
等、信越化学( 株 )社製）等が好適である。特にＫＢＭ
−４０３、ＫＢＭ−８０３が好適である。シランカップ
リング剤の量があまり少なく、例えば０．５％未満であ
ったり、またあまり多く例えば４％を越える場合には、
セラミックやガラスとの耐湿接着力が不十分であった
り、過剰のシランカップリング剤が高温熱溶融接着時に
揮発してリードフレームを汚染する恐れがある場合があ
るので必ずしも適当ではない。その際、該熱可塑性重合
体のガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温度範囲で
あり、弾性率が、２５℃に於いて１０10〜１０ 11dyne/c
m2の範囲であり且つ２５０〜３００℃において１０2 〜
１０9dyne/cm2の範囲であることは前記と同様な理由で
重要である。Further, an IC chip to be bonded with an adhesive insulating tape.
Ceramic surface such as silicon nitride or phosphoborate glass
In the case of glass, etc., both surfaces on the substrate, at least
Also has a thermoplastic polyimide on one side that adheres to the IC chip surface
Synthesis of the thermoplastic polyimide with silane coupling agent
Thermoplastic that reacts or mixes after or after synthesis
It is important to form a polymer layer. Reaction or mixed
The amount of silane coupling agent to be combined is
0.5 to 4% of the metal is suitable. More preferably 1-3%
It is. Epoxy as the type of silane coupling agent
Silane, thiol silane, amino silane (KBM-40
3, KBM-803, KBM-602, KBM-573
And Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Especially KBM
-403 and KBM-803 are preferred. Silane cup
The amount of the ring agent is too small, for example, less than 0.5%
Or too much, for example more than 4%,
Insufficient moisture-resistant adhesion to ceramics and glass
Excess silane coupling agent during high temperature hot melt bonding
May evaporate and contaminate the lead frame.
Therefore, it is not always appropriate. At this time, the thermoplastic polymerization
When the glass transition temperature of the body is in the temperature range of 180 ° C to 280 ° C
Has an elastic modulus of 10 at 25 ° C.Ten-10 11dyne / c
mTwoAt 250-300 ° C.Two~
109dyne / cmTwoIs within the range for the same reason as above.
is important.

【００２８】本発明の熱可塑性重合体中のナトリウム、
カリウム、塩素、硫酸等のイオン性不純物は極めて微量
であり、１μｇ／ｇ程度である（熱水抽出法、１２０℃
の水で２４時間抽出したイオン量から計算）。そのた
め、本接着性絶縁テープ周辺の電子回路が本テープ中の
イオン性不純物により腐食されたり、金属のマイグレー
ションによる回路のショート等の生じたりすることがな
い。また、半導体記憶装置でのソフトエラーの原因とな
るウラン、トリウム等の放射性元素の量は放射化分析装
置での検出限界（０．６ｐｐｂ）以下であり、半導体装
置の長期信頼性が非常に高い。Sodium in the thermoplastic polymer of the present invention;
Ionic impurities such as potassium, chlorine, sulfuric acid and the like are extremely small and are about 1 μg / g (hot water extraction method, 120 ° C.
Calculated from the amount of ions extracted with water for 24 hours). Therefore, the electronic circuit around the present adhesive insulating tape is not corroded by the ionic impurities in the present tape, and the short circuit of the circuit due to the migration of the metal does not occur. In addition, the amount of radioactive elements such as uranium and thorium which cause a soft error in the semiconductor memory device is less than the detection limit (0.6 ppb) in the activation analyzer, and the long-term reliability of the semiconductor device is very high. .

【００２９】また、本発明の熱可塑性重合体の吸水率は
１．２％以下（２３℃の純水に２４時間浸漬）である。
この値は一般的なポリエーテルアミドやポリエーテルア
ミドイミドの１／２〜１／５であり高温短時間で接着す
る際に発生し易い水の蒸気圧によるボイドの発生確率が
大幅に減少する事ができる。The water absorption of the thermoplastic polymer of the present invention is 1.2% or less (immersed in pure water at 23 ° C. for 24 hours).
This value is 1/2 to 1/5 of that of general polyetheramide or polyetheramideimide, and the probability of void formation due to the vapor pressure of water, which tends to occur when bonding at high temperature and for a short time, is greatly reduced. Can be.

【００３０】熱可塑性ポリイミドを必須成分とする熱可
塑性重合体層の形成方法は、ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸を含有するポリアミド酸ワニス、ポリイミ
ドとして溶解しているポリイミドワニスあるいは、ポリ
アミド酸の重合時あるいは重合後にシランカップリング
剤を添加し、ポリアミド酸とシランカップリング剤を反
応あるいは混合させたワニスを基体上に流延塗布し、乾
燥及びイミド化後形成することができる。さらに、これ
らのワニスを基体上に流延塗布する前に必要に応じてウ
ラン、トリウム等の放射性元素を含まない溶融シリカ等
のフィラーやＥＯＣＮ−１０２７（日本化薬社製）等の
エポキシ樹脂をワニスに混合しても良い。これらの熱可
塑性重合体のなかで熱可塑性ポリイミドは重量比で５０
％以上、好ましくは７５％以上含むことが必要で有る。
また、これら熱可塑性重合体層の厚みには特に制限はな
いが、１μｍ〜１００μｍが好適に利用できる。好まし
くは、３〜５０μｍである。The method for forming a thermoplastic polymer layer containing thermoplastic polyimide as an essential component is performed by preparing a polyamic acid varnish containing a polyamic acid as a polyimide precursor, a polyimide varnish dissolved as a polyimide, or a polymerization of a polyamic acid. A varnish in which a silane coupling agent is added at the time or after polymerization, and a polyamic acid and a silane coupling agent are reacted or mixed, is cast and applied on a substrate, followed by drying and imidization. Further, before casting and coating these varnishes on a substrate, fillers such as fused silica containing no radioactive elements such as uranium and thorium and epoxy resins such as EOCN-1027 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) You may mix with varnish. Of these thermoplastic polymers, thermoplastic polyimide is 50% by weight.
%, Preferably 75% or more.
The thickness of these thermoplastic polymer layers is not particularly limited, but 1 μm to 100 μm can be suitably used. Preferably, it is 3 to 50 μm.

【００３１】流延塗布の方法としてはコンマコータ、３
本リバースコータ、ダイコータ等の公知のコート方法が
適用できる。乾燥、イミド化方法としては基体上の片面
に熱可塑性重合体を形成する場合は通常のロール搬送の
ドライヤーが使用できる。また、基体上の両面に熱可塑
性重合体を形成する場合はフローティングドライヤーが
好適である。熱可塑性重合体層に含まれる溶剤量が１５
WT％以下の場合はサポートロール間の距離を１〜５ｍと
りサポートロール間に遠赤外線ヒータを備えたドライヤ
ーを設置して加熱乾燥することは熱可塑性重合体と半導
体材料との接着性を向上させるために好ましい方法であ
る。これらの乾燥条件は熱可塑性重合体の厚み、ワニス
の濃度、乾燥方法等にも依存するので一概には言えない
が、ワニス濃度が２５％、乾燥後の厚みが２５μｍの場
合、１００〜１５０℃で２〜３０分、１５０℃〜２００
℃で２〜３０分、２００〜２５０℃で２〜３０分、２５
０〜３００℃で０〜３０分程度で行うのが一般である。
更により短時間で乾燥を進めるために３００〜４００℃
での乾燥工程を１０分以下で加えてもよい。As a method of casting coating, a comma coater, 3
Known coating methods such as a reverse coater and a die coater can be applied. In the case of forming a thermoplastic polymer on one side of the substrate as a drying and imidation method, a usual roll-conveying dryer can be used. In the case of forming a thermoplastic polymer on both surfaces of the substrate, a floating dryer is preferable. The amount of the solvent contained in the thermoplastic polymer layer is 15
In the case of WT% or less, the distance between the support rolls is set to 1 to 5 m, and a dryer equipped with a far-infrared heater is installed between the support rolls, and heating and drying improves the adhesiveness between the thermoplastic polymer and the semiconductor material. This is the preferred method. Since these drying conditions depend on the thickness of the thermoplastic polymer, the concentration of the varnish, the drying method, etc., they cannot be unconditionally determined. However, when the varnish concentration is 25% and the thickness after drying is 25 μm, 100 to 150 ° C. For 2 to 30 minutes, 150 ° C to 200
2 to 30 minutes at 200 ° C, 2 to 30 minutes at 200 to 250 ° C, 25
It is generally performed at 0 to 300 ° C. for about 0 to 30 minutes.
300-400 ° C for further drying in a shorter time
May be added in 10 minutes or less.

【００３２】これらの乾燥により熱可塑性重合体に残存
する溶剤は１％以下、更に好ましくは０．１％以下、特
に好ましくは０．０５％以下にすることが加熱溶融圧着
時に発生するガスを低下できるので望ましい。これらの
乾燥工程を経ることにより、ポリアミド酸は実質的にポ
リイミドに変化する。これらの乾燥はクリーン度１００
０以下、好ましくは１００以下の空気中で行なう。必要
に依っては同一クリーン度の窒素中で行う場合もある。
熱可塑性重合体層を基体上に形成する場合は通常３００
ｍｍ以上の幅のシートとして行い、しかる後、使用に適
した幅にスリットを行い接着性絶縁テープとする。The amount of the solvent remaining in the thermoplastic polymer by drying is 1% or less, more preferably 0.1% or less, and particularly preferably 0.05% or less. It is desirable because it can. Through these drying steps, the polyamic acid is substantially changed to polyimide. These are dried with a cleanness of 100
It is performed in air of 0 or less, preferably 100 or less. If necessary, it may be performed in nitrogen having the same cleanness.
When forming a thermoplastic polymer layer on a substrate, it is usually 300
The sheet is formed into a sheet having a width of at least mm and then slit into a width suitable for use to obtain an adhesive insulating tape.

【００３３】かかるポリアミド酸ワニスあるいはポリイ
ミドワニスの製法の例を次に説明するが、方法として特
に限定されるものではない。An example of a method for producing such a polyamic acid varnish or a polyimide varnish will be described below, but the method is not particularly limited.

【００３４】芳香族ジアミンをＮメチルピロリドン等の
極性溶剤に溶解し、そのジアミン量にたいして芳香族テ
トラカルボン酸無水物をジアミン量に対して当量比で９
０〜１１０％程度の範囲で添加し反応させポリイミドの
前駆体であるポリアミド酸のワニスを作成する。その当
量比は、好ましくは９５〜１０５％であり、特に好まし
くは、９７〜１０２％である。このようなアミド酸重合
物は対数粘度η( N,N-ジメチルアセトアミド溶媒、濃度
0.5g/100ml溶媒、35℃で測定 )が０．３〜３ｄｌ／ｇ程
度のものであり、好ましくは０．５〜１．５である。前
記のＰＩ−Ｘは特開昭６１−２９１６７０号、ＰＩ−Ｙ
は特開平５−５９３４４号、ＰＩ−Ｚについては特開昭
６２−６８８１７号公報（米国特許４８４７３４９号）
記載の方法等で合成出来る。An aromatic diamine is dissolved in a polar solvent such as N-methylpyrrolidone, and aromatic tetracarboxylic anhydride is added to the diamine in an equivalent ratio of 9 to the diamine.
A varnish of polyamic acid which is a precursor of polyimide is prepared by adding and reacting in a range of about 0 to 110%. The equivalent ratio is preferably from 95 to 105%, particularly preferably from 97 to 102%. Such an amic acid polymer has a logarithmic viscosity η (N, N-dimethylacetamide solvent, concentration
0.5 g / 100 ml solvent, measured at 35 ° C.) is about 0.3 to 3 dl / g, preferably 0.5 to 1.5. The aforementioned PI-X is disclosed in JP-A-61-291670, PI-Y
Is JP-A-5-59344, and for PI-Z is JP-A-62-68817 (US Pat. No. 4,847,349).
It can be synthesized by the method described.

【００３５】また、より低温、低圧で接着が必要な場合
は、接着温度での熱可塑性ポリイミドの流動性を上げる
目的で式（２）、〔化１３〕When bonding at a lower temperature and lower pressure is required, the formula (2) or (3) is used to increase the fluidity of the thermoplastic polyimide at the bonding temperature.

【００３６】[0036]

【化１３】 （式中、Ｚは単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基また
は芳香族基が直接または架橋員により相互に連結された
非縮合多環式芳香族基からなる群より選ばれた２価の基
を示す。なお、この架橋員とは、−ＣＯ−，−Ｏ−，−
Ｓ−，−ＳＯ2 −，−ＣＨ2 −，−Ｃ( ＣＨ3 ）2 −，
−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −等を示す）で表されるジカルボン酸
無水物を使用してアミド酸の末端のアミンを封止する。
このジカルボン酸無水物は前記アミド酸重合物製造の初
期から加えても良く、アミド酸重合物製造後加えても良
い。末端のアミンを封止されたアミド酸重合物のワニス
はこのまま絶縁性基体上に流延塗布しても良いが、ワニ
ス中で加熱により熱イミド化反応させて、ポリイミドワ
ニスとしてから流延塗布しても良い。前記のＰＩ−Ｘｈ
およびＰＩ−Ｙｈは各々特開平４−１１１１６７号、特
開平５−５９３４４号公報記載の方法等で合成出来る。Embedded image (Wherein, Z is selected from the group consisting of a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or a non-condensed polycyclic aromatic group in which aromatic groups are connected to each other directly or by a bridge member. And a divalent group, wherein the crosslinking member is -CO-, -O-,-
S -, - SO 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 -,
-C (CF 3 ) 2 -or the like) is used to cap the terminal amine of the amic acid.
The dicarboxylic anhydride may be added from the beginning of the production of the amide acid polymer or may be added after the production of the amide acid polymer. The varnish of the amide acid polymer having the terminal amine blocked may be cast and applied on the insulating substrate as it is, but it is subjected to a thermal imidization reaction by heating in a varnish to form a polyimide varnish and then cast and applied. May be. The aforementioned PI-Xh
And PI-Yh can be synthesized by the methods described in JP-A-4-111167 and JP-A-5-59344, respectively.

【００３７】ＰＩ−Ｘ，ＰＩ−Ｘｈ、ＰＩ−Ｙ、ＰＩ−
Ｙｈ、ＰＩ−Ｚについては、これらのポリアミド酸ワニ
ス、あるいはポリイミドワニスを作成する際、これらの
ワニスを乾燥しフィルム化した後の特性が本発明が規定
しているガラス転移温度、高温時の弾性率範囲内であれ
ば、これらポリアミド酸あるいはポリイミドの構成成分
である芳香族ジアミン、芳香族テトラカルボン酸無水
物、ジカルボン酸無水物の一部を、他の芳香族ジアミ
ン、芳香族テトラカルボン酸無水物、ジカルボン酸無水
物と置き換えても問題無い。置き換え可能な芳香族ジア
ミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−ア
ミノベンジルアミン、ｏ−アミノベンジルアミン、３−
クロロ−1,2−フェニレンジアミン、４−クロロ−1,2
−フェニレンジアミン、2,3 −ジアミノトルエン、2,4
−ジアミノトルエン、2,5 −ジアミノトルエン、2,6 −
ジアミノトルエン、3,4 −ジアミノトルエン、3,5 −ジ
アミノトルエン、２−メトキシ−1,4 −フェニレンジア
ミン、４−メトキシ−1,2 −フェニレンジアミン、４−
メトキシ−1,3 −フェニレンジアミン、ベンジジン、3,
3'−ジメチルベンジジン、3,3'−ジメトキシベンジジ
ン、3,3'−ジクロロベンジジン、3,3'−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,
4'−ジアミノジフェニルエーテル、3,3'−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3,4'−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'−ジア
ミノジフェニルスルホキシド、3,4'−ジアミノジフェニ
ルスルホキシド、4,4'−ジアミノジフェニルスルホキシ
ド、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、3,4'−ジアミ
ノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスル
ホン、3,3'−ジアミノベンゾフェノン、3,4'−ジアミノ
ベンゾフェノン、4,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,3'
−ジアミノジフェニルメタン、3,4'−ジアミノジフェニ
ルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、ビス〔４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、1,
1 −ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
タン、1,2 −ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕エタン、PI-X, PI-Xh, PI-Y, PI-
For Yh and PI-Z, when preparing these polyamic acid varnishes or polyimide varnishes, these varnishes are dried and formed into a film. If the rate is within the range, the aromatic diamine, aromatic tetracarboxylic anhydride, and a part of the dicarboxylic anhydride, which are the constituents of these polyamic acids or polyimides, are partially replaced with other aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic anhydrides. There is no problem even if it is replaced with a product or a dicarboxylic anhydride. Examples of the replaceable aromatic diamine include m-phenylenediamine, o-
Phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, o-aminobenzylamine, 3-
Chloro-1,2-phenylenediamine, 4-chloro-1,2
-Phenylenediamine, 2,3-diaminotoluene, 2,4
-Diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-
Diaminotoluene, 3,4-diaminotoluene, 3,5-diaminotoluene, 2-methoxy-1,4-phenylenediamine, 4-methoxy-1,2-phenylenediamine, 4-
Methoxy-1,3-phenylenediamine, benzidine, 3,
3'-dimethylbenzidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3'-dichlorobenzidine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide 4,4'-diaminodiphenylsulfoxide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'- Diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3 '
-Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, bis [4
-(3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 1,
1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane,

【００３８】1,1 −ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、1,2 −ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、1,3 −ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2 −
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、1,1 −ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ブタン、1,2 −ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ブタン、1,3−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕ブタン、1,4 −ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2 −ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
2,3 −ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン、２−〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−２−〔４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチ
ルフェニル〕プロパン、2,2'−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）−３−メチルフェニル〕プロパン、２−
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−２−〔４
−（４−アミノフェノキシ）−3,5−ジメチルフェニ
ル〕プロパン、2,2'−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−3,5 −ジメチルフェニル〕プロパン、2,2'−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,
3,3 −ヘキサフルオロプロパン、2,2'−ビス〔３−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3 −ヘキ
サフルオロプロパン、2,2'−ビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3 −ヘキサフルオロ
プロパン、2,2'−ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）
フェニル〕−1,1,1,3,3,3 −ヘキサフルオロプロパン、
1,3 −ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3 −
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4 −ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4 −ビス（３−
アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4'−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、3,3'−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、ビス〔３−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔３−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕ケトン、1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-
Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,4-bis [4- (4
-Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane,
2,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl]
Propane, 2- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2-
[4- (4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4
-(4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2'-bis [4 -(4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,
3,3-hexafluoropropane, 2,2′-bis [3- (4
-Aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2'-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3 , 3-Hexafluoropropane, 2,2'-bis [3- (3-aminophenoxy)
Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-
Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-
Aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4 -(4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone,

【００３９】ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルフィド、ビス〔３−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシド、ビ
ス〔３−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン、ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔３−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔３−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、1,4 −ビス〔４
−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン、1,
3 −ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕
ベンゼン、1,4 −ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）
ベンゾイル〕ベンゼン、1,3 −ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン、4,4'−ビス（３−
アミノフェノキシ）−３−メチルビフェニル、4,4'−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）−3,3'−ジメチルビフェニ
ル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）−3,5 −ジメ
チルビフェニル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）
−3,3',5,5' −テトラメチルビフェニル、4,4'−ビス
（３−アミノフェノキシ）−3,3'−ジクロロビフェニ
ル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）−3,5 −ジク
ロロビフェニル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）
−3,3',5,5' −テトラクロロビフェニル、4 ,4' −ビス
（３−アミノフェノキシ）−3,3'−ジブロモビフェニ
ル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）−3,5 −ジブ
ロモビフェニル、4,4'−ビス（３−アミノフェノキシ）
−3,3',5,5'−テトラブロモビフェニル、ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）−３−メトキシフェニル〕ス
ルフィド、〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
〔４−（３−アミノフェノキシ）−3,5 −ジメトキシフ
ェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）−3,5 −ジメトキシフェニル〕スルフィド、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビ
ス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、
1,1 −ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、1,2 −ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタン、Bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- ( 3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] Sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (3 -Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis [4
-(3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,
3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl]
Benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy)
Benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 4,4′-bis (3-
Aminophenoxy) -3-methylbiphenyl, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) -3,3′-dimethylbiphenyl, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) -3,5-dimethylbiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy)
-3,3 ', 5,5'-tetramethylbiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) -3,3'-dichlorobiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) -3 , 5-Dichlorobiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy)
-3,3 ', 5,5'-tetrachlorobiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) -3,3'-dibromobiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) -3 , 5-Dibromobiphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy)
−3,3 ′, 5,5′-tetrabromobiphenyl, bis [4-
(3-aminophenoxy) -3-methoxyphenyl] sulfide, [4- (3-aminophenoxy) phenyl]
[4- (3-aminophenoxy) -3,5-dimethoxyphenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) -3,5-dimethoxyphenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl Methane, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] methane,
1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]
Ethane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane,

【００４０】1,1 −ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニルプロパン、1,2 −ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、1,3 −ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニルプロパン、2,2 −ビ
ス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、1,1 −ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ブタン、1,2 −ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ブタン、1,3 −ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕ブタン、1,4 −ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、2,2 −ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、2,
3 −ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ブ
タン、1 ,3−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−
α，α−ジメチルベンジル〕ベンゼン等が挙げられる。1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenylpropane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4-
(3-aminophenoxy) phenylpropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,4-bis [4- (3
-Aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,
3-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy)-
α, α-dimethylbenzyl] benzene and the like.

【００４１】芳香族テトラカルボン酸二無水物として
は、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンカルボン
酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4' −ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3' −
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3' −
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2 −ビス（3,
4 −ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2 −
ビス（2,3 −ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（3,4 −ジカルボキシフェニル）エーテル二無
水物、ビス（2,3 −ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（3,4 −ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物、ビス（2,3 −ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、ビス（2,3 −ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（3,4 −ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、1,1 −ビス（2,3 −ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、1,1 −ビス（3,4 −ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、1,2 −ビス（2,3 −ジカル
ボキシフェニル）エタン二無水物、1,2 −ビス（3,4 −
ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、1,3 −ビス
（2,3 −ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン、1,3 −ビ
ス（3,4 −ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン、1,4 −
ビス（2,3 −ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン、1,4
−ビス（3,4 −ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン、2,
3,6,7 −ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,
8 −ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1 、2、5、6−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4 −ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4 ,9,10 −ペリレン
テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7 −アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、1,2,7,8 −フェナントレンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2 −ビス（3,4 −ジカルボ
キシフェニル）−1,1,1,3,3,3 −ヘキサフルオロプロパ
ン二無水物、2,2 −ビス（2,3 −ジカルボキシフェニ
ル）−1,1,1,3,3,3 −ヘキサフルオロプロパン二無水
物、1,3 −ビス（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキ
シ）ベンゼン二無水物、1,3 −ビス（３−（1,2 −ジカ
ルボキシ）フェノキシ）ベンゼン二無水物、1,4−ビス
（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキシ）ベンゼン二
無水物、1,4 −ビス（３−（1,2 −ジカルボキシ）フェ
ノキシ）ベンゼン二無水物、1,3 −ビス（４−（（1,2
−ジカルボキシ）−α, α−ジメチル）ベンジル）ベン
ゼン二無水物、1,3 −ビス（３−（（1,2 −ジカルボキ
シ）−α, α−ジメチル）ベンジル）ベンゼン二無水
物、1,4 −ビス（３−（（1,2 −ジカルボキシ）−α,
α−ジメチル）ベンジル）ベンゼン二無水物、1,4 −ビ
ス（４−（（1,2 −ジカルボキシ）−α, α−ジメチ
ル）ベンジル）ベンゼン二無水物、2,2 −ビス〔４−
（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキシ）フェニル〕
プロパン二無水物、2,2 −ビス〔４−（３−（1,2 −ジ
カルボキシ）フェノキシ）フェニル〕プロパン二無水
物、ビス〔４−（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキ
シ）フェニル〕ケトン二無水物、ビス〔４−（３−（1,
2 −ジカルボキシ）フェノキシ）フェニル〕ケトン二無
水物、ビス〔４−（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノ
キシ）フェニル〕スルホン二無水物、ビス〔４−（３−
（1,2 −ジカルボキシ）フェノキシ）フェニル〕スルホ
ン二無水物、4 ,4' −ビス〔４−（1,2 −ジカルボキ
シ）フェノキシ）〕ビフェニル二無水物、4,4'−ビス
〔３−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキシ）〕ビフェニ
ル二無水物、2,2 −ビス〔４−（４−（1,2 −ジカルボ
キシ）フェノキシ）フェニル〕スルフィド二無水物、2,
2 −ビス〔４−（３−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキ
シ）フェニル〕スルフィド二無水物、2,2 −ビス〔４−
（４−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキシ）フェニル〕
−1,1,1,3,3,3 −トリフルオロプロパン二無水物、2,2
−ビス〔４−（３−（1,2 −ジカルボキシ）フェノキ
シ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3 −トリフルオロプロパン
二無水物等である。Examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride include ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane carboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-
Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'
−biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3 ′ −
Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,
4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-
Bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4 -Dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) Methane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,2-bis (2 , 3-Dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,2-bis (3,4-
Dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,3-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene, 1,4-
Bis (2,3-dicarboxyphenoxy) benzene, 1,4
-Bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene, 2,
3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,
8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1, 2, 5, 6-
Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetra Carboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 1,3-bis (4- (1 , 2-Dicarboxy) phenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis (3- (1,2-dicarboxy) phenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis (4- (1,2-di Carboxy) phenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis (3- (1,2-dicarboxy) phenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis (4-((1,2
-Dicarboxy) -α, α-dimethyl) benzyl) benzene dianhydride, 1,3-bis (3-((1,2-dicarboxy) -α, α-dimethyl) benzyl) benzene dianhydride, 1 , 4-bis (3-((1,2-dicarboxy) -α,
α-dimethyl) benzyl) benzene dianhydride, 1,4-bis (4-((1,2-dicarboxy) -α, α-dimethyl) benzyl) benzene dianhydride, 2,2-bis [4-
(4- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl]
Propane dianhydride, 2,2-bis [4- (3- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] propane dianhydride, bis [4- (4- (1,2-dicarboxy) phenoxy) Phenyl] ketone dianhydride, bis [4- (3- (1,
2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] ketone dianhydride, bis [4- (4- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] sulfone dianhydride, bis [4- (3-
(1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] sulfone dianhydride, 4,4′-bis [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy)] biphenyl dianhydride, 4,4′-bis [3 -(1,2-dicarboxy) phenoxy)] biphenyl dianhydride, 2,2-bis [4- (4- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] sulfide dianhydride, 2,
2-bis [4- (3- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] sulfide dianhydride, 2,2-bis [4-
(4- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl]
-1,1,1,3,3,3-trifluoropropane dianhydride, 2,2
-Bis [4- (3- (1,2-dicarboxy) phenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-trifluoropropane dianhydride;

【００４２】ジカルボン酸無水物としては２，３−ベン
ゾフェノンジカルボン酸無水物、３，４−ベンゾフェノ
ンジカルボン酸無水物、２，３−ジカルボキシフェニル
フェニルエーテル無水物、３，４−ジカルボキシフェニ
ルフェニルエーテル無水物、２，３−ビフェニルジカル
ボン酸無水物、３，４−ビフェニルジカルボン酸無水
物、２，３−ジカルボキフェニルフェニルスルホン無水
物、３，４−ジカルボキフェニルフェニルスルホン無水
物、２，３−ジカルボキシフェニルフェニルスルフィド
無水物、１，２−ナフタレンジカルボン酸無水物、１，
８−ナフタレンジカルボン酸無水物、１，２−アントラ
センジカルボン酸無水物、２，３−アントラセンジカル
ボン酸無水物、１，９−アントラセンジカルボン酸無水
物が挙げられる。これらのジカルボン酸無水物はアミン
またはジカルボン酸無水物と反応性を有しない基で置換
されていても差し支えない。Examples of the dicarboxylic anhydride include 2,3-benzophenone dicarboxylic anhydride, 3,4-benzophenone dicarboxylic anhydride, 2,3-dicarboxyphenyl phenyl ether anhydride, and 3,4-dicarboxyphenyl phenyl ether. Anhydride, 2,3-biphenyldicarboxylic anhydride, 3,4-biphenyldicarboxylic anhydride, 2,3-dicarboxyphenylphenylsulfone anhydride, 3,4-dicarboxyphenylphenylsulfone anhydride, 2,3 -Dicarboxyphenylphenyl sulfide anhydride, 1,2-naphthalenedicarboxylic anhydride, 1,
Examples thereof include 8-naphthalenedicarboxylic anhydride, 1,2-anthracenedicarboxylic anhydride, 2,3-anthracenedicarboxylic anhydride, and 1,9-anthracenedicarboxylic anhydride. These dicarboxylic anhydrides may be substituted with a group having no reactivity with amine or dicarboxylic anhydride.

【００４３】本発明に係わるワニスの製造に用いる溶剤
としてはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジルメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿
素、Ｎ−メチルカプロラクタム、プチロラクタム、テト
ラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチ
ル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）
エタン、ビス２−（２−メトシエトキシ）エチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、１，４
−ジオキサン、ピリジン、ピコリン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルスルホン、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、クレゾール酸、ｐ−クロロフェ
ノール、アニソール等が挙げられる。Solvents used for producing the varnish according to the present invention include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dylmethylacetamide, N, N-dimethylformamide,
1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylphosphoramide, tetramethylurea, N-methylcaprolactam, Petyrolactam, tetrahydrofuran, m-dioxane, p-dioxane,
1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy)
Ethane, bis 2- (2-methoxyethoxy) ethyl ether, tetrahydrofuran, 1,3-dioxane, 1,4
-Dioxane, pyridine, picoline, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, O-cresol, m-cresol, p-cresol, cresylic acid, p-chlorophenol, anisole and the like.

【００４４】かくして形成された本発明の絶縁テープの
使用方法の一例により更に詳細に説明する。リードフレ
ーム及びＩＣチップ等の電子器材と接着性絶縁テープと
の接着方法は、基本的な加熱圧着法で行うことができ
る。接着温度としては、２５０℃〜４５０℃の温度範囲
が好ましく更に２７０℃〜４００℃の温度範囲が好まし
い。接着時間としては、特に制限はないが、半導体産業
に好適に利用できることから、０．１秒〜１０秒間の範
囲が好ましく更に０．１秒〜５秒の時間範囲が好まし
い。圧力としては１〜５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力範囲が好
ましく更に５〜３０ｋｇ／ｃｍ2の圧力範囲が好まし
い。また、銅系リードフレーム等高温で酸化反応を受け
易く脆弱な酸化層を形成しやすい材料の場合は、加熱圧
着の環境の酸素濃度を４％以下好ましくは１％以下とし
て酸化層の形成を防止することが望ましい。An example of the method of using the insulating tape of the present invention thus formed will be described in more detail. The bonding method between the electronic equipment such as the lead frame and the IC chip and the adhesive insulating tape can be performed by a basic heat compression bonding method. As the bonding temperature, a temperature range of 250 ° C to 450 ° C is preferable, and a temperature range of 270 ° C to 400 ° C is more preferable. The bonding time is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 seconds to 10 seconds, and more preferably in the range of 0.1 seconds to 5 seconds, since it can be suitably used in the semiconductor industry. Preferably the pressure range of 1 to 50 kg / pressure range cm 2 is preferably further 5～30Kg / cm 2 as the pressure. Further, in the case of a material such as a copper-based lead frame, which easily undergoes an oxidation reaction at a high temperature and easily forms a fragile oxide layer, the oxygen concentration in the environment of the thermocompression bonding is set to 4% or less, preferably 1% or less to prevent the formation of the oxide layer. It is desirable to do.

【００４５】本発明の接着性絶縁テープの特性として
は、本熱可塑性重合体が半導体材料への接着性に優れて
いること、ガラス転移温度が１８０℃以上であるため、
樹脂封止材の一般的な成形温度である１７５℃より高
く、樹脂封止の際に熱可塑性重合体の変形、流れがなく
加工性に優れていること、また、ガラス転移温度が１８
０〜２８０℃のため加熱圧着条件は前記のように工業生
産的に優れていることである。さらに、２５０〜３００
℃において熱可塑性重合体の弾性率は１０2 〜１０ 9dyn
e/cm2 であるため、インナーリードとＩＣチップの配線
を２４０〜２８０℃で行うワイヤーボンディング工程で
のインナーリード位置移動等の異常は全く生じなく、ボ
ンディングによる電気的信頼性は十分に優れている。加
えて、アウターリードとプリント基板との接合における
半田リフロー工程においてもはがれ等の問題を全く生じ
ることがない接着力を得ることができる。長期信頼性に
おいては、プレッシャークッカー中の１２１℃、９０％
相対湿度の加速試験において接着性絶縁テープとリード
フレーム及びあるいはＩＣチップの剥がれは全く無く、
しかも、絶縁性基体と熱可塑性重合体との剥離も全く無
い。加うるに接着後の絶縁特性は、体積固有抵抗とし
て、１０10〜１０18Ω・ｃｍ、表面抵抗として１０ 10〜
１０18Ωであり、またイオン性不純物が極めて少ないた
め、プレッシャークッカー中の１２１℃、９０％相対湿
度、５Ｖの加電圧試験という加速試験を１０００時間以
上行う長期信頼性において絶縁特性がわずか５％以下の
低下率に止まるという優れた電気特性を得ることが出来
る。As the characteristics of the adhesive insulating tape of the present invention,
Means that the thermoplastic polymer has excellent adhesion to semiconductor materials
That the glass transition temperature is 180 ° C or higher,
Higher than 175 ° C, the typical molding temperature for resin encapsulants
No deformation or flow of thermoplastic polymer during resin encapsulation
Excellent workability and a glass transition temperature of 18
0 to 280 ° C, the heat and pressure conditions are industrial
It is to be productive. In addition, 250-300
The elastic modulus of the thermoplastic polymer at 10 ° C. is 10Two-10 9dyn
e / cmTwoTherefore, the wiring between the inner lead and the IC chip
In a wire bonding process performed at 240 to 280 ° C.
No abnormality such as movement of the inner lead position
The electrical reliability due to bonding is sufficiently excellent. Addition
In connection with the outer lead and the printed circuit board,
No problems such as peeling occurred in the solder reflow process
Adhesive strength that does not occur can be obtained. For long-term reliability
In the pressure cooker, 121 ° C, 90%
Adhesive insulating tape and lead in accelerated relative humidity test
There is no peeling of the frame and / or IC chip,
Moreover, there is no peeling between the insulating substrate and the thermoplastic polymer.
No. In addition, the insulation properties after bonding are defined as volume resistivity.
TenTen-1018Ω · cm, 10 as surface resistance Ten~
1018Ω and extremely low ionic impurities
121 ° C, 90% relative humidity in a pressure cooker
Acceleration test of 5V applied voltage test for 1000 hours or less
Insulation characteristics of only 5% or less in long-term reliability
Excellent electrical characteristics that can only be reduced
You.

【００４６】[0046]

【実施例】以下、実施例により更に詳細に説明する。但
しこの実施例は、本願発明のより良き理解のため、その
好ましい実施の態様を、技術的に具体的なレベルで示し
た一例に過ぎないものであり、本願発明の技術的範囲は
なんらこの実施例の範囲に限られるものではないことを
注意されたい。まず、ポリアミド酸ワニスおよびポリイ
ミドワニスの合成例を以下に示す。The present invention will be described below in more detail with reference to examples. However, for better understanding of the present invention, this embodiment is merely an example showing a preferred embodiment at a technically specific level, and the technical scope of the present invention is not limited to this embodiment. Note that the scope of the example is not limited. First, synthetic examples of polyamic acid varnish and polyimide varnish are shown below.

【００４７】（合成例１）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、1,3-ビス（3-フェノキシ）ベ
ンゼン１４．６ｇ（０．０５モル）とN,N-ジメチルアセ
トアミド９２．１ｇを装入し、室温で窒素雰囲気下に3,
3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
６．０ｇ（０．０４９５モル）を４分割して加え、室温
で２０時間攪拌した。かくして得られたポリアミド酸の
ηは０．９５ｄｌ／ｇであった。(Synthesis Example 1) 14.6 g (0.05 mol) of 1,3-bis (3-phenoxy) benzene and N, N-dimethylacetamide were placed in a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube. 92.1 g and charged at room temperature under a nitrogen atmosphere.
3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 1
6.0 g (0.0495 mol) was added in four portions, and the mixture was stirred at room temperature for 20 hours. The η of the polyamic acid thus obtained was 0.95 dl / g.

【００４８】（合成例２）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、4,4'- ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル３６．８ｇ（０．１モル）とN,N-ジメ
チルアセトアミド１３７．６ｇを装入し、室温で窒素雰
囲気下において、ピロメリット酸二無水物１０．３６ｇ
（０．０４７５モル）及び3,3',4,4'-ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物１３．９７ｇ（０．０４７５モル）
を分割して加え、室温で２０時間攪拌した。かくして得
られたポリアミド酸のηは０．５５ｄｌ／ｇであった。(Synthesis Example 2) 36.8 g (0.1 mol) of 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl and N, N- 137.6 g of dimethylacetamide was charged, and 10.36 g of pyromellitic dianhydride was added at room temperature under a nitrogen atmosphere.
(0.0475 mol) and 13.97 g (0.0475 mol) of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
Was added in portions and stirred at room temperature for 20 hours. The η of the polyamic acid thus obtained was 0.55 dl / g.

【００４９】（合成例３）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、4,4'- ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル３６．８ｇ（０．１モル）とN,N-ジメ
チルアセトアミド１７５．８ｇを装入し、室温で窒素雰
囲気下において、ピロメリット酸二無水物２１．５ｇ
（０．１モル）を分割して加え、室温で２０時間攪拌し
た。かくして得られたポリアミド酸のηは１．４５ｄｌ
／ｇであった。(Synthesis Example 3) In a container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube, 36.8 g (0.1 mol) of 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl and N, N- 175.8 g of dimethylacetamide was charged, and 21.5 g of pyromellitic dianhydride was added at room temperature under a nitrogen atmosphere.
(0.1 mol) was added in portions and stirred at room temperature for 20 hours. Η of the polyamic acid thus obtained is 1.45 dl
/ G.

【００５０】（合成例４）撹拌器、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、1,3-ビス（3-フェノキシ）ベ
ンゼン２９２．２ｇ（１．０モル）とＮ−メチル−２−
ピロリドン１８３８．４ｇを装入し、室温で窒素雰囲気
下で撹拌し溶解した。これに撹拌下3,3',4,4'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物３２０．５９ｇ（０．
９９５モル）を分割して加え、５０℃に昇温し１時間撹
拌した。その後、無水フタル酸４．４３４ｇ（０．０３
モル）を加えた後、５０℃でさらに２時間撹拌をつづけ
た。かくして得られたポリアミド酸溶液に、γ−ピコリ
ンを９３．１ｇ（０．１モル）装入し、窒素気流下撹拌
しながら加熱昇温した。昇温中、イミド化反応に伴う生
成水を系外に除去した。１８０℃昇温後、５時間の熱イ
ミド化を行い、その間も生成水および窒素気流により運
ばれる反応溶媒を一部系外に除去した。熱イミド化を５
時間行った後加熱を止め、撹拌下約２時間にて室温まで
冷却し、その後１０時間撹拌を続けた。得られたポリイ
ミドワニスの粘度は６０ポイズであった（Ｅ型粘度計、
２５℃）。そのポリイミドのηは０．５５ｄｌ／ｇであ
った。Synthesis Example 4 292.2 g (1.0 mol) of 1,3-bis (3-phenoxy) benzene and N-methyl-2 were placed in a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube. −
1838.4 g of pyrrolidone were charged and dissolved by stirring at room temperature under a nitrogen atmosphere. Under stirring, 320.59 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (0.
(995 mol), and the mixture was heated to 50 ° C. and stirred for 1 hour. Then, 4.434 g of phthalic anhydride (0.03
Mol), stirring was continued at 50 ° C. for a further 2 hours. 93.1 g (0.1 mol) of γ-picoline was charged into the polyamic acid solution thus obtained, and the mixture was heated and heated while stirring under a nitrogen stream. During the heating, water produced by the imidization reaction was removed from the system. After the temperature was raised to 180 ° C., thermal imidization was performed for 5 hours, and during that time, the generated water and a reaction solvent carried by a nitrogen stream were partially removed from the system. 5 thermal imidization
After a period of time, the heating was stopped, the mixture was cooled to room temperature in about 2 hours with stirring, and then, stirring was continued for 10 hours. The viscosity of the obtained polyimide varnish was 60 poise (E-type viscometer,
25 ° C). The η of the polyimide was 0.55 dl / g.

【００５１】（合成例５）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、4,4'- ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル３６．８ｇ（０．１モル）とN,N-ジメ
チルアセトアミド１３７．６ｇを装入し、室温で窒素雰
囲気下において、ピロメリット酸二無水物１０．３６ｇ
（０．０４７５モル）及び3,3',4,4'-ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物１３．９７ｇ（０．０４７５モル）
を分割して加え、５０℃に昇温し１時間攪拌した。その
後無水フタル酸０．８８６ｇ（０．００６モル）を加え
た後、５０℃でさらに２時間攪拌を続けた。かくして得
られたポリアミド酸溶液にγ−ピコリンを９．３１ｇ
（０．０１モル）装入し、窒素気流下撹拌しながら加熱
昇温した。昇温中、イミド化反応に伴う生成水を系外に
除去した。１８０℃昇温後５時間熱イミド化を行い、そ
の間も生成水および窒素気流により運ばれる反応溶媒を
一部系外に除去した。熱イミド化を５時間行った後加熱
を止め、撹拌下約２時間にて室温まで冷却し、その後１
０時間撹拌を続けた。得られたポリイミドワニスの粘度
は８０ポイズであった（Ｅ型粘度計、２５℃）。そのポ
リイミドのηは０．６０ｄｌ／ｇであった。(Synthesis Example 5) In a container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube, 36.8 g (0.1 mol) of 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl and N, N- 137.6 g of dimethylacetamide was charged, and 10.36 g of pyromellitic dianhydride was added at room temperature under a nitrogen atmosphere.
(0.0475 mol) and 13.97 g (0.0475 mol) of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
, And the mixture was heated to 50 ° C. and stirred for 1 hour. Thereafter, 0.886 g (0.006 mol) of phthalic anhydride was added, and the mixture was further stirred at 50 ° C. for 2 hours. 9.31 g of γ-picoline was added to the polyamic acid solution thus obtained.
(0.01 mol), and heated and heated while stirring under a nitrogen stream. During the heating, water produced by the imidization reaction was removed from the system. After the temperature was raised to 180 ° C., thermal imidization was carried out for 5 hours, and during that time, the produced water and the reaction solvent carried by the nitrogen stream were partially removed from the system. After the thermal imidization was performed for 5 hours, the heating was stopped, and the mixture was cooled to room temperature in about 2 hours with stirring.
Stirring was continued for 0 hours. The viscosity of the obtained polyimide varnish was 80 poise (E-type viscometer, 25 ° C.). The η of the polyimide was 0.60 dl / g.

【００５２】（合成例６）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、1,3-ビス（3-フェノキシ）ベ
ンゼン１４．６ｇ（０．０５モル）とN,N-ジメチルアセ
トアミド９２．１ｇを装入し、室温で窒素雰囲気下に3,
3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
４．４ｇ（０．０４４６モル）を３分割して加え、室温
で２時間攪拌した。その後、エポキシ系シランカップリ
ング剤のＫＢＭ−４０３（信越化学社製）を０．６１ｇ
添加し室温で２０時間攪拌した。その後、3,3',4,4'-ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を１．４ｇ
（０．００４４モル）加え、室温で４時間攪拌した。か
くして得られたシランカップリング剤変成のポリアミド
酸のηは０．８５ｄｌ／ｇであった。Synthesis Example 6 14.6 g (0.05 mol) of 1,3-bis (3-phenoxy) benzene and N, N-dimethylacetamide were placed in a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube. 92.1 g and charged at room temperature under a nitrogen atmosphere.
3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 1
4.4 g (0.0446 mol) was added in three portions, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. Thereafter, 0.61 g of KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an epoxy silane coupling agent was used.
The mixture was added and stirred at room temperature for 20 hours. Thereafter, 1.4 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was obtained.
(0.0044 mol), and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. The η of the polyamic acid modified with the silane coupling agent thus obtained was 0.85 dl / g.

【００５３】（合成例７）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、4,4'- ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル２５．８ｇ（０．０７モル）、4,4'-
ジアミノジフェニルエーテル６．０ｇ（０．０３モル）
とN,N-ジメチルアセトアミド１７５．８ｇを装入し、室
温で窒素雰囲気下において、ピロメリット酸二無水物２
１．５ｇ（０．１モル）を分割して加え、室温で２０時
間攪拌した。かくして得られたポリアミド酸のηは１．
３０ｄｌ／ｇであった。(Synthesis Example 7) 25.8 g (0.07 mol) of 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl and 4,4 'were placed in a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube. -
6.0 g (0.03 mol) of diaminodiphenyl ether
And N, N-dimethylacetamide (175.8 g), and pyromellitic dianhydride 2 was added at room temperature under a nitrogen atmosphere.
1.5 g (0.1 mol) was added in portions and stirred at room temperature for 20 hours. Η of the polyamic acid thus obtained was 1.
It was 30 dl / g.

【００５４】（合成例８）攪拌機、還流冷却器および窒
素導入管を備えた容器に、1,3-ビス（3-フェノキシ）ベ
ンゼン１３８．７ｇ（０．４７５モル）、amine-termin
ated polydimethylsiloxane （TORAY DOW CORNING SIKI
CONE社製、ＢＹ１６−８５３）３２．５ｇ（０．０２５
モル）とN,N-ジメチルアセトアミド９９８ｇを装入し、
室温で窒素雰囲気下に3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物１６２ｇ（０．５０モル）を４分割
して加え、室温で２０時間攪拌した。かくして得られた
ポリアミド酸のηは０．４５ｄｌ／ｇであった。(Synthesis Example 8) 138.7 g (0.475 mol) of 1,3-bis (3-phenoxy) benzene and amine-terminin were placed in a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube.
ated polydimethylsiloxane (TORAY DOW CORNING SIKI
CONE, BY16-853) 32.5 g (0.025
Mol) and 998 g of N, N-dimethylacetamide,
Under a nitrogen atmosphere at room temperature, 162 g (0.50 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added in four portions, and the mixture was stirred at room temperature for 20 hours. The η of the polyamic acid thus obtained was 0.45 dl / g.

【００５５】上記の合成例で得たワニスと、種々のベー
スフィルムを用いて接着性絶縁テープを製造し、各種テ
ストを行った。An adhesive insulating tape was manufactured using the varnish obtained in the above synthesis example and various base films, and various tests were performed.

【００５６】製造方法と試験の内容は以下の通りであ
る。尚、一部の実施例において、下記と異なった条件が
採用されているが、その条件は表の下に付記してある。
即ち、ベースフィルムに、前記の合成例で製造したワニ
スを塗布し、１００℃から２５０℃迄、３０℃ずつ段階
的に温度を上げながら、各々の段階で５分間ずつ乾燥
し、イミド化を行い、所望の厚みの熱可塑性ポリイミド
層を形成し、接着性絶縁テープを作成する。このとき使
用した熱可塑性ポリイミドを、上記と同じ条件で、単独
でフィルム化し、バイブロン（商標）viscoelastmeter
を用いてガラス転移温度の測定を行い、さらに２５℃及
び２５０℃における弾性率を測定する。The production method and the contents of the test are as follows. In some embodiments, conditions different from those described below are employed. The conditions are described below the table.
That is, the varnish produced in the above synthesis example is applied to the base film, and the temperature is increased stepwise by 30 ° C. from 100 ° C. to 250 ° C., and dried at each step for 5 minutes to perform imidization. Then, a thermoplastic polyimide layer having a desired thickness is formed to form an adhesive insulating tape. The thermoplastic polyimide used at this time was made into a film alone under the same conditions as above, and Vibron (trademark) viscoelastmeter was used.
Is used to measure the glass transition temperature, and the elastic modulus at 25 ° C. and 250 ° C. is measured.

【００５７】次いで、その接着性絶縁テープを１０ｍｍ
角に切り出し、図４および図５に示されている様に、ポ
リイミドコートされたＳｉチップ１の上に置き、更にそ
の上に４２ＮｉＦｅ合金製の櫛形リードフレーム２１お
よびテストバー８を配置し、２７０℃、３０ｋｇ／ｃｍ
2 、５秒間で加熱圧着を行い、リード２１をフレームか
ら切り離して、図４及び５に示されているようなテスト
サンプルＭ及びＳをそれぞれ複数個作成した。テストに
用いたリードフレームは、リード数１６本の櫛形リード
フレームであり、テストサンプルＭに用いられたのは、
幅及び間隔が何れも0.3mm 、テストサンプルＳに用いら
れたのは、幅及び0.15mmのリードであった。尚、何れの
リードも、厚さは0.15ｍｍ、先端の0.15mmの領域には銀
メッキが施されていた。Next, the adhesive insulating tape was set to 10 mm
As shown in FIGS. 4 and 5, the chip was cut into a corner, placed on a polyimide-coated Si chip 1, and further, a comb-shaped lead frame 21 made of a 42NiFe alloy and a test bar 8 were placed thereon. ° C, 30kg / cm
Heat and pressure bonding was performed for 2.5 seconds, the lead 21 was separated from the frame, and a plurality of test samples M and S as shown in FIGS. 4 and 5 were prepared. The lead frame used for the test was a comb-shaped lead frame having 16 leads, and the test sample M used was:
Both the width and the interval were 0.3 mm, and the lead used for the test sample S was a width and a 0.15 mm. Each lead had a thickness of 0.15 mm and a silver-plated region at the tip of 0.15 mm.

【００５８】テストサンプルＭを用いて９０°剥離強度
に対するエージングテストを行い、テストサンプルＳを
用いて絶縁に対するエージングテストを行った。９０°
剥離強度に対するエージングテストのため、いくつかの
テストサンプルＭを用いて、初期の９０°剥離強度を測
定し、これと別のサンプルＭを、プレッシャクッカーの
中で温度１２１℃、相対湿度９０％の環境に１０００時
間放置後、上記と同様に９０°剥離試験を行った。An aging test for 90 ° peel strength was performed using test sample M, and an aging test for insulation was performed using test sample S. 90 °
For the aging test for peel strength, an initial 90 ° peel strength was measured using some test samples M, and another sample M was placed in a pressure cooker at a temperature of 121 ° C. and a relative humidity of 90%. After being left in the environment for 1000 hours, a 90 ° peel test was performed in the same manner as described above.

【００５９】次ぎに、テストサンプルＳの、互いに隣接
するリード間に直流５Ｖのバイアスをかけて、リード間
の電流を計測し、次いで、上記の直流５Ｖのバイアスを
かけながら、温度１２１℃、相対湿度９０％の環境下で
１０００時間のエージングを行い、再びリーク電流を計
測した。Next, a bias of 5 VDC was applied between the adjacent leads of the test sample S to measure the current between the leads. Then, while the above-described bias of 5 VDC was applied, the temperature of 121 ° C. Aging was performed for 1000 hours in an environment with a humidity of 90%, and the leak current was measured again.

【００６０】ワイヤーボンドのテストは、図４及び図５
に示すごとく、テストサンプルＳにテストバー８が隣接
して固定されている装置で行った。ボンディングはＡｕ
ワイヤーを使用し、ステージ温度を２６０℃、ボンディ
ング荷重を１００ｇとし超音波振動を併用し図６に示す
ようなボンディングを行い、ボンディング作業に伴うリ
ード２１の横ズレを測定し、その後、ボンディング強度
を測定した。FIGS. 4 and 5 show the wire bond test.
As shown in the figure, the test was performed using an apparatus in which the test bar 8 was fixed adjacent to the test sample S. Bonding is Au
Using a wire, the stage temperature is set to 260 ° C., the bonding load is set to 100 g, and the ultrasonic vibration is also used to perform bonding as shown in FIG. 6, and the lateral displacement of the lead 21 accompanying the bonding operation is measured. It was measured.

【００６１】種々の構成の接着性絶縁テープに対するテ
スト結果を、実施例、比較例として表１〜表４に示す。Tables 1 to 4 show test results for adhesive insulating tapes having various structures as examples and comparative examples.

【００６２】[0062]

【表１】 [Table 1]

【００６３】[0063]

【表２】 [Table 2]

【００６４】[0064]

【表３】 [Table 3]

【００６５】[0065]

【表４】 [Table 4]

【００６６】[0066]

【発明の効果】実施例から明らかな様に、本発明の接着
性絶縁テープは、樹脂封止型半導体装置におけるリード
フレーム、ＩＣチップおよびヒートスプレッダ等との接
着に優れた特性を有し、且つ短時間に接着する特性を有
して量産性に優れ、またワイヤーボンディング工程の加
熱処理に対して、剥がれ及びリードの位置の移動を全く
生じない優れた耐熱性を有するものである。更に、プレ
ッシャークッカー中における耐久性試験において、１２
１℃、９０％相対湿度の過酷な条件において１０００時
間の長期にわたり、剥がれが全くなく、接着力の低下が
少ない接着性を有し、表面抵抗値に代表される絶縁特性
の低下が殆どない効果を提供するものである。すなわ
ち、リードフレーム、ＩＣチップ及びヒートスプレッダ
等の半導体材料への接着性能が大幅に改善され且つ長期
使用の信頼性が付与され、また工業的に利用価値のある
短時間接着が可能となった。As is clear from the examples, the adhesive insulating tape of the present invention has excellent characteristics for adhering to a lead frame, an IC chip, a heat spreader and the like in a resin-encapsulated semiconductor device. It has excellent heat resistance in the wire bonding process due to the property of bonding over time and excellent heat resistance that does not cause any peeling or movement of the lead position during the heat treatment in the wire bonding step. Furthermore, in a durability test in a pressure cooker, 12
Under the severe conditions of 1 ° C. and 90% relative humidity for 1000 hours, there is no peeling, adhesive strength with little decrease in adhesive strength, and almost no decrease in insulation properties typified by surface resistance. Is provided. That is, the bonding performance to semiconductor materials such as a lead frame, an IC chip, and a heat spreader has been greatly improved, reliability for long-term use has been imparted, and short-time bonding that is industrially useful has been made possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】リードオンチップ構造のＩＣパッケージを示す
模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing an IC package having a lead-on-chip structure.

【図２】ヒートスプレッダ付リードフレームを持ったＩ
Ｃパッケージを示す模式図FIG. 2 shows an I having a lead frame with a heat spreader.
Schematic diagram showing C package

【図３】本発明に係わる接着性絶縁テープの層構造を示
す模式図FIG. 3 is a schematic view showing a layer structure of an adhesive insulating tape according to the present invention.

【図４】接着力テスト、及び、リーク電流テストに用い
られるサンプルの構造を示す平面図FIG. 4 is a plan view showing a structure of a sample used for an adhesion test and a leak current test.

【図５】図４に示したテストサンプルの側面図FIG. 5 is a side view of the test sample shown in FIG.

【図６】ワイヤーボンドのテストサンプルの構造を示す
側面図FIG. 6 is a side view showing the structure of a wire bond test sample.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ＩＣチップ ２ リードフレーム ３ 樹脂封止材 ４ 絶縁性接着テープ ５ 金線 ６ ヒートスプレッダー ７ ダイボンダー ８ テストバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 Lead frame 3 Resin sealing material 4 Insulating adhesive tape 5 Gold wire 6 Heat spreader 7 Die bonder 8 Test bar

フロントページの続き (72)発明者 久保 隆幸 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 木場 繁夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 大川戸 悦夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 田辺 健二 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 審査官 芦原 ゆりか (56)参考文献 特開 平４−335559（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−44347（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開511813（ＥＰ，Ａ １) 欧州特許出願公開500292（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/30 - 3/46 H01B 17/60 B32B 1/00 - 35/00 Continued on the front page (72) Inventor Takayuki Kubo 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Shigeo Kiba 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Toatsu Chemicals (72) Inventor Etsuo Okawado 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. Yurika (56) References JP-A-4-335559 (JP, A) JP-A-4-44347 (JP, A) EP-A-511813 (EP, A1) EP-A-500292 (EP, A1) (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01B 3/30-3/46 H01B 17/60 B32B 1/00-35/00

Claims (21)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 絶縁性基体上の片面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が式(１)（化１）の構造単位からなり該熱可
塑性ポリイミドのガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃
の温度範囲であり、弾性率が、２５℃において１０10〜
１０11dyne／cm2の範囲であり、２５０℃〜３００℃に
おいて１０2〜１０9dyne/cm2の範囲である接着性絶縁テ
ープで半導体リードフレームのインナーリードが固定さ
れていることを特徴とするリードフレーム。 【化１】 A thermoplastic polymer layer is provided on one side of an insulating substrate, and the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer comprises a structural unit of the formula (1) (formula 1). Glass transition temperature of thermoplastic polyimide is 180 ℃ ～ 280 ℃
And the elastic modulus is 10 10 to 25 ° C. at 25 ° C.
The inner lead of the semiconductor lead frame is fixed with an adhesive insulating tape in the range of 10 11 dyne / cm 2 and in the range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at 250 ° C. to 300 ° C. Lead frame to do. Embedded image 【請求項２】 絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が請求項１記載の化合物［式（１）］の構造
単位からなり該熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度が
１８０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が、２５
℃において１０10〜１０11dyne/cm2の範囲であり、２５
０℃〜３００℃において１０2〜１０9dyne/cm2の範囲で
ある接着性絶縁テープで半導体リードフレームのインナ
ーリードが固定されており、ICチップあるいはヒートス
プレッダと接着可能になったことを特徴とする半導体リ
ードフレーム。2. The structure of the compound [formula (1)] according to claim 1 , which has a layer of a thermoplastic polymer on both sides of the insulating substrate, and the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is The thermoplastic polyimide has a glass transition temperature of 180 ° C. to 280 ° C. and an elastic modulus of 25 ° C.
In the range of 10 10 to 10 11 dyne / cm 2 at 25 ° C.
The inner lead of the semiconductor lead frame is fixed with an adhesive insulating tape in a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at 0 ° C. to 300 ° C., and can be bonded to an IC chip or a heat spreader. Semiconductor lead frame. 【請求項３】 熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリ
イミドの構造が、式(１)の構造単位においてポリマー分
子端が式(２)（化２）で表されるジカルボン酸無水物で
封止されている請求項１または２記載のリードフレー
ム。 【化２】 （式中、Ｚは単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基また
は芳香族基が直接または架橋員により相互に連結された
非縮合多環式芳香族基からなる群より選ばれた２価の基
をしめす）3. The structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is such that, in the structural unit of the formula (1), the polymer molecular end is sealed with a dicarboxylic anhydride represented by the formula (2) (formula 2). The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is formed. Embedded image (Wherein, Z is selected from the group consisting of a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or a non-condensed polycyclic aromatic group in which aromatic groups are connected to each other directly or by a bridge member. Shows a divalent group) 【請求項４】 絶縁性基体上の片面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が式(３)（化３）の構造単位からなり式(3)
においてm:n＝１〜９０:９９〜１０であり該熱可塑性ポ
リイミドのガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温度
範囲であり、弾性率が、２５℃において１０10〜１０11
dyne／cm2の範囲であり２５０℃〜３００℃において１
０2〜１０9 dyne/cm2の範囲である接着性絶縁テープで
半導体リードフレームのインナーリードが固定されてい
ることを特徴とするリードフレーム。 【化３】 4. An insulating substrate having a layer of a thermoplastic polymer on one surface thereof, wherein the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer comprises a structural unit of the formula (3): (3)
M: n = 1 to 90:99 to 10, the glass transition temperature of the thermoplastic polyimide is in a temperature range of 180 ° C. to 280 ° C., and the elastic modulus is 10 10 to 10 11 at 25 ° C.
dyne / cm 2 range and 1 at 250 ° C to 300 ° C.
A lead frame, wherein the inner lead of the semiconductor lead frame is fixed with an adhesive insulating tape in a range of 0 2 to 10 9 dyne / cm 2 . Embedded image 【請求項５】 絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が請求項４記載の化合物［式（３）］の構造
単位からなり請求項４記載の化合物［式（３）］におい
て、m:n=1〜90:99〜10であり該ポリイミドのガラス転移
温度が１８０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率
が、２５℃において１０10〜１０11dyne/cm2の範囲であ
り、２５０℃〜３００℃において１０2〜１０9dyne/cm2
の範囲である接着性絶縁テープで半導体リードフレーム
のインナーリードが固定されており、ICチップあるいは
ヒートスプレッダと接着可能になったことを特徴とする
半導体リードフレーム。5. The structure of the compound [formula (3)] according to claim 4 , which has a layer of a thermoplastic polymer on both sides of the insulating substrate, and the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer. 5. The compound according to claim 4 , wherein m: n = 1 to 90:99 to 10, wherein the glass transition temperature of the polyimide is in a temperature range of 180 ° C. to 280 ° C. Is in the range of 10 10 to 10 11 dyne / cm 2 at 25 ° C., and 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at 250 ° C. to 300 ° C.
A semiconductor lead frame, wherein the inner lead of the semiconductor lead frame is fixed by an adhesive insulating tape in the range of 1 to 3, and can be bonded to an IC chip or a heat spreader. 【請求項６】 熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリ
イミドの構造が、請求項４記載の化合物［式（３）］の
構造単位を有し請求項４記載の化合物［式（３）］にお
いて、m:n=１〜９０:９９〜１０であり、ポリマー分子
端が請求項３記載の化合物［式（２）］で表されるジカ
ルボン酸無水物で封止されている請求項４または５記載
のリードフレーム。6. The compound of the formula [3], wherein the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer has the structural unit of the compound of the formula [3]. , M: n = 1 to 90:99 to 10, and the polymer molecular end is capped with the dicarboxylic anhydride represented by the compound [Formula (2)] according to claim 3. Lead frame as described. 【請求項７】 絶縁性基体上の片面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が式(４)（化４）の構造単位からなり該熱可
塑性ポリイミドのガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃
の温度範囲であり、弾性率が、２５℃において１０10〜
１０11dyne／cm2の範囲であり２５０℃〜３００℃にお
いて１０2〜１０9 dyne/cm2の範囲である接着性絶縁テ
ープで半導体リードフレームのインナーリードが固定さ
れていることを特徴とするリードフレーム 。 【化４】 7. An insulating substrate having a thermoplastic polymer layer on one surface thereof, wherein the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer comprises a structural unit represented by the formula (4): Glass transition temperature of thermoplastic polyimide is 180 ℃ ～ 280 ℃
And the elastic modulus is 10 10 to 25 ° C. at 25 ° C.
The inner leads of the semiconductor lead frame are fixed with an adhesive insulating tape having a range of 10 11 dyne / cm 2 and a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at 250 ° C. to 300 ° C. Lead frame . Embedded image 【請求項８】 絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体の
層を有し、該熱可塑性重合体に含まれる熱可塑性ポリイ
ミドの構造が請求項７記載の化合物［式（４）］の構造
単位からなり該熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度が
１８０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が、２５
℃において１０10〜１０11dyne/cm2の範囲であり２５０
℃〜３００℃において１０2〜１０9dyne/cm2の範囲であ
る接着性絶縁テープで半導体リードフレームのインナー
リードが固定されており、ICチップあるいはヒートスプ
レッダと接着可能になったことを特徴とする半導体リー
ドフレーム。8. The compound of the formula (4) according to claim 7 , which has a layer of a thermoplastic polymer on both sides of the insulating substrate, and the structure of the thermoplastic polyimide contained in the thermoplastic polymer is The thermoplastic polyimide has a glass transition temperature of 180 ° C. to 280 ° C. and an elastic modulus of 25 ° C.
Range from 10 10 to 10 11 dyne / cm 2 at 250 ° C.
The inner lead of the semiconductor lead frame is fixed with an adhesive insulating tape having a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 at a temperature of 300 ° C. to 300 ° C., and can be bonded to an IC chip or a heat spreader. Semiconductor lead frame. 【請求項９】 請求項１,３,４,６または７いずれか記載
のリードフレームにおいて、少なくともインナーリード
が固定された部分が樹脂封止材で封止されていることを
特徴とする半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 1, wherein at least a portion to which the inner lead is fixed is sealed with a resin sealing material. . 【請求項１０】 請求項２記載のリードフレームにおい
て、さらにICチップが固定されていることを特徴とする
リードオンチップあるいはチップオンリード構造の半導
体装置。10. A lead-on-chip or chip-on-lead structure semiconductor device according to claim 2, wherein an IC chip is further fixed. 【請求項１１】 請求項２記載のリードフレームにおい
て、さらにヒートスプレッダが固定されていることを特
徴とするヒートスプレッダ付きリードフレーム構造の半
導体装置。11. The lead frame according to claim 2, wherein a heat spreader is further fixed. 【請求項１２】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が１
８０℃〜２４０℃の温度範囲であり、弾性率が２５０℃
において１０2〜１０9dyne／cm2の範囲である請求項１
〜８記載のリードフレーム。12. The glass transition temperature of the thermoplastic polymer is 1
80 ° C. to 240 ° C., elastic modulus is 250 ° C.
2. The range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2.
9. A lead frame according to any one of claims 1 to 8. 【請求項１３】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が２
００℃〜２６０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくと
も２７０℃において１０2〜１０9dyne／cm2の範囲であ
る請求項１〜８いずれか記載のリードフレーム。13. The thermoplastic polymer having a glass transition temperature of 2
00 ° C. the temperature range to 260 ° C., the lead frame according to any one of claims 1 to 8 the elastic modulus in the range of 10 2 ~10 9 dyne / cm 2 at least 270 ° C.. 【請求項１４】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が２
５０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくと
も２７０℃〜３００℃において１０2〜１０9dyne／cm2
の範囲である請求項１〜８いずれか記載のリードフレー
ム。14. The thermoplastic polymer having a glass transition temperature of 2
50 ° C. the temperature range of ~280 ℃, 10 2 ~10 in the elastic modulus of at least 270 ℃ ~300 ℃ 9 dyne / cm 2
The lead frame according to any one of claims 1 to 8, wherein 【請求項１５】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が１
８０℃〜２４０℃の温度範囲であり、弾性率が２５０℃
において１０2〜１０9dyne／cm2の範囲である請求項９
〜１１いずれか記載の半導体装置。15. The glass transition temperature of the thermoplastic polymer is 1
80 ° C. to 240 ° C., elastic modulus is 250 ° C.
Claim is in the range of 10 2 ~10 9 dyne / cm 2 at 9
12. The semiconductor device according to any one of items 11 to 11. 【請求項１６】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が２
００℃〜２６０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくと
も２７０℃において１０2〜１０9dyne／cm2の範囲であ
る請求項９〜１１いずれか記載の半導体装置。16. The thermoplastic polymer having a glass transition temperature of 2
The semiconductor device according to claim 9, wherein the semiconductor device has a temperature range of 00 ° C. to 260 ° C. and an elastic modulus of at least 270 ° C. in a range of 10 2 to 10 9 dyne / cm 2 . 【請求項１７】 熱可塑性重合体のガラス転移温度が２
５０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が少なくと
も２７０℃〜３００℃において１０2〜１０9dyne／cm2
の範囲である請求項９〜１１いずれか記載の半導体装
置。17. The thermoplastic polymer having a glass transition temperature of 2
50 ° C. the temperature range of ~280 ℃, 10 2 ~10 in the elastic modulus of at least 270 ℃ ~300 ℃ 9 dyne / cm 2
The semiconductor device according to any one of claims 9 to 11, wherein 【請求項１８】 熱可塑性重合体が熱可塑性ポリイミド
とシランカップリング剤を該熱可塑性ポリイミドの合成
時あるいは合成後に反応あるいは混合してなるシランカ
ップリング剤変性熱可塑性ポリイミドを必須成分とする
ものである請求項１〜８または１２〜１４いずれか記載
のリードフレーム。18. A thermoplastic polymer comprising a silane coupling agent-modified thermoplastic polyimide obtained by reacting or mixing a thermoplastic polyimide and a silane coupling agent during or after the synthesis of the thermoplastic polyimide. The lead frame according to any one of claims 1 to 8 or 12 to 14. 【請求項１９】 熱可塑性重合体が熱可塑性ポリイミド
とシランカップリング剤を該熱可塑性ポリイミドの合成
時あるいは合成後に反応あるいは混合してなるシランカ
ップリング剤変性熱可塑性ポリイミドを必須成分とする
ものである請求項９〜１１または１５〜１７いずれか記
載の半導体装置。19. A thermoplastic polymer comprising a silane coupling agent-modified thermoplastic polyimide obtained by reacting or mixing a thermoplastic polyimide with a silane coupling agent during or after the synthesis of the thermoplastic polyimide. The semiconductor device according to any one of claims 9 to 11, or 15 to 17. 【請求項２０】 絶縁性基体の表面がプラズマ処理及
び、あるいはオゾン処理されている請求項１〜８、１２
〜１４または１８いずれか記載のリードフレーム。20. The surface of an insulating substrate is plasma-treated and / or ozone-treated.
19. The lead frame according to any one of claims 14 to 18. 【請求項２１】 絶縁性基体の表面がプラズマ処理及
び、あるいはオゾン処理されている請求項９〜１１、１
５〜１７または１９いずれか記載の半導体装置。21. A method according to claim 9, wherein the surface of the insulating substrate is subjected to plasma treatment and / or ozone treatment.
20. The semiconductor device according to any one of 5 to 17 or 19.
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