JP3036891B2 - Thin film magnetic head - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関する
ものであり、特に、磁気コア材料に改良を加え、高保磁
力媒体への書込みを可能とした高密度ギャップ記録用薄
膜磁気ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head, and more particularly to a thin-film magnetic head for high-density gap recording in which a magnetic core material is improved to enable writing on a high coercivity medium.

【０００２】[0002]

【従来の技術】磁気記録の高密度化の要求に伴い、磁気
記録媒体の高保磁力化が精力的に進められ、現在では１
５００〜２０００Ｏｅ（エルステッド）近い保磁力を持
つ記録媒体も得られるようになってきている。このよう
な記録媒体に充分な記録を行なうためには、高い飽和磁
束密度を持つ磁気ヘッドコア材料が必要となる。実際、
今後の記録媒体の高保磁力化の進歩も考え合わせると、
高密度記録用磁気ヘッドのコア材料としては、１５００
０Ｇ（ガウス）以上の飽和磁束密度を持つことが要求さ
れる。2. Description of the Related Art With the demand for higher density of magnetic recording, the coercive force of magnetic recording media has been energetically increased.
Recording media having a coercive force close to 500 to 2000 Oe (Oersted) have been obtained. In order to perform sufficient recording on such a recording medium, a magnetic head core material having a high saturation magnetic flux density is required. In fact,
Considering the future progress of high coercivity of recording media,
The core material of the magnetic head for high density recording is 1500
It is required to have a saturation magnetic flux density of 0 G (Gauss) or more.

【０００３】また、薄膜ヘッドの磁気コアに用いられる
材料は、ヘッドの使用周波数である数ＭＨｚという高い
周波数領域で大きな透磁率を持つことが要求される。こ
のためには、材料の平均の磁化困難軸がヘッドの磁路方
向を向いていることが好ましく、したがって、材料の困
難軸の向きを制御することができるものが好ましい。さ
らに、薄膜ヘッドは、絶縁層に樹脂を用いるものが一般
的であり、樹脂の性質上、４００℃以上の高い温度をか
けることは不可能である。したがって、薄膜ヘッドの磁
気コアに用いられる材料としては、４００℃以上の高い
温度で熱処理することなしに、充分な軟磁気特性が得ら
れることが望ましい。Further, the material used for the magnetic core of the thin film head is required to have a large magnetic permeability in a high frequency range of several MHz, which is the operating frequency of the head. For this purpose, it is preferable that the average hard axis of the material is oriented in the direction of the magnetic path of the head, and therefore, it is preferable that the direction of the hard axis of the material can be controlled. Further, a thin film head generally uses a resin for the insulating layer, and it is impossible to apply a high temperature of 400 ° C. or more due to the properties of the resin. Therefore, as a material used for the magnetic core of the thin film head, it is desirable that sufficient soft magnetic properties can be obtained without heat treatment at a high temperature of 400 ° C. or higher.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来より、薄膜磁気ヘ
ッドの磁気コアとしては、パーマロイ、センダスト等の
飽和磁束密度Ｂｓがほぼ１．０Ｔ（テスラ）の材料が用
いられていた。このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、
たとえ強い磁界を発生するためにコイルに強い電流を流
したとしても、磁気コアの一部が磁気的に飽和してしま
うため、高保磁力媒体に充分な書き込みを行なうだけの
強い磁界を発生することができないという問題があっ
た。Conventionally, a material having a saturation magnetic flux density Bs of about 1.0 T (tesla), such as permalloy or sendust, has been used for the magnetic core of the thin-film magnetic head. In such a conventional thin film magnetic head,
Even if a strong current is applied to the coil to generate a strong magnetic field, a part of the magnetic core is magnetically saturated. There was a problem that can not be.

【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たものであり、薄膜ヘッドの磁気コア材料として好適な
性質を持ち、高い飽和磁束密度を持つ磁気コアを用いる
ことにより、高保磁力媒体への書込みを可能とした高密
度ギャップ記録用薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a property suitable for a magnetic core material of a thin film head, and by using a magnetic core having a high saturation magnetic flux density, a high coercive force medium can be obtained. An object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head for high-density gap recording that enables writing.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の第１の手段は、上部コアと下部コアとが媒体対向面
においてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部
磁極を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの
間に絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上部コアと下部コアの少なくとも一
部をＦｅxＭyＯz（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３＜z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。第２の手段
は、上部コアと下部コアとが媒体対向面においてギャッ
プ層を介して対向し上部磁極および下部磁極を形成する
とともに、前記上部コアと下部コアとの間に絶縁層およ
び導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのう
ち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％
を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。According to a first aspect of the present invention, an upper core and a lower core oppose each other via a gap layer on a medium facing surface to form an upper magnetic pole and a lower magnetic pole. In a thin-film magnetic head in which an insulating layer and a conductor layer are sequentially formed between the upper core and the lower core, at least a part of the upper core and the lower core is formed of FexMyOz (where M is at least one of Zr and Hf). One element, Fe represents iron, O represents oxygen, and x, y, and z each represent atomic%.), Wherein x, y, and z are: 70 ≦ x ≦ 96 1 ≦ y ≦ 12 3 <z ≦ 25 x + y + z = 100, and y and z are formed of a magnetic film having a composition satisfying a relationship of 1.5y ≦ z ≦ 4.0y. Head. The second means is that an upper core and a lower core are opposed to each other via a gap layer on a medium facing surface to form an upper magnetic pole and a lower magnetic pole, and an insulating layer and a conductive layer are formed between the upper core and the lower core. In a thin film magnetic head formed sequentially,
At least a part of the upper core and the lower core is made of FexMyO.
z Rw (where M is at least one element of Zr and Hf, Fe is iron, O is oxygen, and R is Si, B, Al, Y
Represents at least one element Chi, x, y, z, w each atomic%
Represents ), Wherein x, y, z, w is formed of a magnetic film having a composition satisfying the following relationship: 70 ≦ x <96 1 ≦ y ≦ 123 3 ≦ z ≦ 25 w ≦ 26 x + y + z + w = 100 A thin-film magnetic head.

【０００７】[0007]

【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける上部コアと下
部コアは、少なくともその一部が１．５Ｔ（テスラ）以
上の高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料により形成され
ているため、コイルに強い電流を流しても磁気コアが磁
気的になかなか飽和せず、強い磁界を発生することがで
きる。したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
高保磁力媒体への書き込みが充分可能となる。The upper core and the lower core in the thin-film magnetic head of the present invention are at least partially formed of a soft magnetic material having a high saturation magnetic flux density of 1.5 T (tesla) or more. , The magnetic core is not easily saturated magnetically, and a strong magnetic field can be generated. Therefore, according to the thin-film magnetic head of the present invention,
Writing to a high coercive force medium can be sufficiently performed.

【０００８】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す縦
断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃ等の非磁性セラミック材料等で形成される基板１上
に、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂等の絶縁材料で形成される下部
絶縁層８、下部コア２、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂等の絶縁材
料で形成されるギャップ絶縁層３、ポリイミド，レジス
ト，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂等の絶縁材料で形成される絶縁
層４および絶縁層５により被包されたＡｌ，Ｃｕ等の導
電性コイル６、上部コア７を、スパッタ法、真空蒸着法
等の手段により順次積層してなるものである。また、前
記上部コア７の上に、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂等の絶縁材料
からなる保護層をさらに設けることもある。磁気コアを
形成する上部コア７と下部コア２の先端部はギャップ絶
縁層３を介して重ね合わせられ、媒体対向面９において
ギャップを介して対向する一対の上部磁極７ａおよび下
部磁極２ａを構成している。Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of the thin-film magnetic head of the present invention. The thin film magnetic head, Al ₂ O ₃ -Ti
On a substrate 1 made of a nonmagnetic ceramic material such as C, a lower insulating layer 8 made of an insulating material such as Al ₂ O ₃ or SiO ₂ , a lower core 2, or a material such as Al ₂ O ₃ or SiO ₂ . A gap insulating layer 3 formed of an insulating material, an insulating layer 4 formed of an insulating material such as polyimide, resist, Al ₂ O ₃ , SiO ₂ , and a conductive coil of Al, Cu or the like encapsulated by the insulating layer 5. 6. The upper core 7 is sequentially laminated by means such as a sputtering method and a vacuum evaporation method. A protective layer made of an insulating material such as Al ₂ O ₃ or SiO ₂ may be further provided on the upper core 7. The top end of the upper core 7 and the tip of the lower core 2 forming the magnetic core are overlapped via the gap insulating layer 3 to form a pair of upper and lower magnetic poles 7a and 2a opposed to each other via the gap on the medium facing surface 9. ing.

【０００９】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記上部コア
７と下部コア２の少なくとも一部に高い飽和磁束密度を
持つ軟磁性材料を用いた点に大きな特徴を有するもので
ある。また、本発明で用いられる軟磁性材料は、薄膜磁
気ヘッドの磁気コアとして好適な性質を有している。こ
の膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コアの少なくとも一部に使
用することにより、磁気コア全体の飽和磁束密度を大き
くすることが可能となる。これにより、磁気ヘッドのコ
イルに強い電流を流しても前記磁気コアの飽和が起りず
らくなるため、より強い磁界を発生することができるよ
うになり、高保磁力媒体への充分な書き込みが可能とな
る。The thin-film magnetic head of the present invention is characterized in that at least a part of the upper core 7 and the lower core 2 is made of a soft magnetic material having a high saturation magnetic flux density. The soft magnetic material used in the present invention has properties suitable for a magnetic core of a thin-film magnetic head. By using this film for at least a part of the magnetic core of the thin-film magnetic head, the saturation magnetic flux density of the entire magnetic core can be increased. This makes it difficult for the magnetic core to saturate even when a strong current flows through the coil of the magnetic head, so that a stronger magnetic field can be generated, and sufficient writing on the high coercivity medium can be performed. Become.

【００１０】上記磁性膜は、磁場中でのスパッタおよび
磁場中での熱処理を施すことによって、印加した磁場の
方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を付けることができ
る。したがって、特定の向きに磁場を印加しながらスパ
ッタおよび熱処理を行うことにより、ヘッドの磁路方向
に材料の平均の磁化困難軸を向けることが可能である。
また、上記磁性膜は４００℃以上の高い温度の熱処理を
必要とせずに、充分良好な軟磁性を得ることができる。By subjecting the magnetic film to sputtering in a magnetic field and heat treatment in a magnetic field, it is possible to impart magnetic anisotropy having an easy axis of magnetization in the direction of the applied magnetic field. Therefore, by performing sputtering and heat treatment while applying a magnetic field in a specific direction, it is possible to direct the average hard axis of the material in the direction of the magnetic path of the head.
Further, the magnetic film can obtain sufficiently good soft magnetism without requiring heat treatment at a high temperature of 400 ° C. or more.

【００１１】図２は磁場中でスパッタすることにより作
成し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ
₈₁Ｈｆ₅Ｏ₁₄膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の直流Ｂ−Ｈカーブ
を示し、図３は磁場中でスパッタすることにより作成
し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ₈₁
Ｈｆ₅Ｏ₁₄膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の周波数−透磁率特性
を示すものである。図２によれば、このＦｅ₈₁Ｈｆ₅Ｏ
₁₄膜に、磁場を印加した方向に磁化容易軸を持つ異方性
が付けられていることが分る。また、図３によると、困
難軸方向の透磁率は、数１０Ｍｚの高周波領域まで２０
００程度の高い値を持っていることが分る。FIG. 2 is a view showing a state where Fe was heat-treated at 350 ° C. for 1 hour in a magnetic field.
FIG. 3 shows a direct current B-H curve of an ₈₁ Hf ₅ O ₁₄ film (Bs = 1.7 T). FIG. 3 shows Fe ₈₁ prepared by sputtering in a magnetic field and subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 1 hour in a magnetic field.
Frequency hf ₅ O ₁₄ film (Bs = 1.7T) - shows the permeability characteristics. According to FIG. 2, this Fe ₈₁ Hf ₅ O
It can be seen that the film ₁₄ has anisotropy having an easy axis of magnetization in the direction in which the magnetic field is applied. According to FIG. 3, the magnetic permeability in the hard axis direction is 20 to a high frequency range of several tens Mz.
It can be seen that it has a high value of about 00.

【００１２】このように、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｚｒまた
はＨｆ）系材料膜は薄膜磁気ヘッドの磁気コアに好適な
性質を有しており、この膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コア
の少なくとも一部に用いることにより、高保磁力媒体へ
の充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。しかしながら、本発明の薄膜磁気
ヘッドの磁気コアに用いることができる軟磁性材料は、
上記Ｆｅ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝ＺｒまたはＨｆ）系材料に限ら
れるものではない。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ−Ｒ（Ｒ＝Ｓｉ，Ｂ，
ＡｌまたはＹ）系材料等についても使用することができ
ることが後述の説明により明かにされる。As described above, the Fe-MO (M = Zr or Hf) -based material film has properties suitable for the magnetic core of the thin-film magnetic head. By using the thin-film magnetic head partially, it is possible to obtain a thin-film magnetic head for high-density recording capable of sufficiently writing on a high coercive force medium. However, the soft magnetic material that can be used for the magnetic core of the thin film magnetic head of the present invention is:
The material is not limited to the Fe-MO (M = Zr or Hf) -based material . Fe-MOR (R = Si, B,
It will be clarified by the following description that an Al or Y) -based material can be used.

【００１３】薄膜磁気ヘッドの磁気コアの飽和磁束密度
を変え、ヘッドにより生じる磁界がどう変化するかにつ
いて試験を行った。図４は起磁力と記録磁界との関係の
試験結果を示すものである。この結果から、磁気コアの
飽和磁束密度を大きくすると、磁気ヘッドが発生し得る
磁界が大きくなることが分かる。したがって、本発明に
よる薄膜磁気ヘッドによれば、従来の薄膜磁気ヘッドよ
りも強い磁界を発生することができ、より高保磁力の媒
体に記録を行うことが可能であることが明らかである。A test was conducted to see how the magnetic field generated by the head changes while changing the saturation magnetic flux density of the magnetic core of the thin film magnetic head. FIG. 4 shows test results of the relationship between the magnetomotive force and the recording magnetic field. From this result, it can be seen that when the saturation magnetic flux density of the magnetic core is increased, the magnetic field that the magnetic head can generate increases. Therefore, it is apparent that the thin-film magnetic head according to the present invention can generate a stronger magnetic field than the conventional thin-film magnetic head, and can perform recording on a medium having a higher coercive force.

【００１４】次に、本発明の上部コア７および下部コア
２として使用可能な磁性膜材料の組成、特性等について
詳細に説明する。本発明の実施例において用いられる上
部コア７および下部コア２は、少なくともその一部が
１．５Ｔ以上の高い飽和磁束密度を持つ下記軟磁性材料
により形成される。下記軟磁性材料を上部コア７および
下部コア２の一部に用いた場合、その他の部分には、パ
ーマロイ、センダスト等の軟磁性材料が用いられる。 (1) Ｆｅ_xＭ_yＯ_z（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２３＜z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜、Next, the composition, characteristics, and the like of the magnetic film material usable as the upper core 7 and the lower core 2 of the present invention will be described in detail. At least a part of the upper core 7 and the lower core 2 used in the embodiment of the present invention is formed of the following soft magnetic material having a high saturation magnetic flux density of 1.5 T or more. When the following soft magnetic material is used for a part of the upper core 7 and the lower core 2, a soft magnetic material such as Permalloy or Sendust is used for other parts. _{(1) Fe x M y O} z ( where, M is Zr, at least one element of Hf, Fe is iron, O is oxygen, x, y, z are each an atomic%.) Shown in Wherein x, y, z are 70 ≦ x ≦ 96 1 ≦ y ≦ 123 3 <z ≦ 25 x + y + z = 100, and y and z are 1.5y ≦ z ≦ 4.0y A magnetic film with a composition that satisfies the relationship,

【００１５】(2) ＦｅxＭyＯzＮw（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
Ｎは窒素を表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で示
され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ ２２＜w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜（参考例）、あるい
は(2) FexMyOzNw (where M is Zr, H
at least one element of f, Fe is iron, O is oxygen,
N represents nitrogen, and x, y, z, and w each represent atomic%. ) Indicated by the x, y, z, w is, 70 ≦ x <96 1 ≦ y ≦ 12 3 ≦ z ≦ 25 22 <w ≦ 26 x + y + z + w = 100 at which the composition satisfying the relationships magnetic film (Reference Example) or

【００１６】(3) Ｆｅ_xＭ_yＯ_zＲ_w（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素を
表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で示され、前記
x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜である。[0016] _{(3) Fe x M y O} z R w ( where, M is Zr, H
at least one element of f, Fe is iron, O is oxygen,
R represents at least one element among Si, B, Al and Y, and x, y, z and w each represent atomic%. ), And said
x, y, z, w is a magnetic film having a composition satisfying the following relationship: 70 ≦ x <96 1 ≦ y ≦ 123 3 ≦ z ≦ 25 w ≦ 26 x + y + z + w = 100

【００１７】上記(1)〜(3)記載の磁性膜において、Ｆｅ
（鉄）は主成分であり、磁性を担う元素であり、少なく
とも１５０００Ｇ以上の飽和磁束密度を得るためには、
x≧７０原子％が必要である。上記Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆのう
ち少なくとも１種の元素）とＯは軟磁性を得るために必
要な元素であり、ＦｅにＭとＯを同時に、しかもその割
合が特定の値をとるように添加することによって、膜の
軟磁性は著しく向上する。ＭとＯの割合が上記関係を満
たさない場合には好適な軟磁性を得ることができない。
ＭとＯの割合が上記関係を満たしている場合でも、y＜
１ａｔ％またはz＜３ａｔ％では軟磁性向上の効果が不
十分であり、y≧１ａｔ％かつz ≧３ａｔ％でなければ
ならない。In the magnetic film described in the above (1) to (3),
(Iron) is a main component and is an element responsible for magnetism. In order to obtain a saturation magnetic flux density of at least 15,000 G or more,
x ≧ 70 atomic% is required. The above-mentioned M (at least one element of Zr and Hf) and O are elements necessary for obtaining soft magnetism, and M and O are simultaneously added to Fe so that the ratio takes a specific value. Thereby, the soft magnetism of the film is significantly improved. If the ratio of M and O does not satisfy the above relationship, it is not possible to obtain a suitable soft magnetism.
Even if the ratio of M and O satisfies the above relationship, y <
At 1 at% or z <3 at%, the effect of improving the soft magnetism is insufficient, and y ≧ 1 at% and z ≧ 3 at% must be satisfied.

【００１８】上記(1)記載の磁性膜において良好な軟磁
性を得るためには、さらに、膜中のＭとＯの割合が、
１．５y≦z≦４．０yの関係を満足させなければならな
い。y≧1ａｔ％、z ＞３ａｔ％、x＋y＋z＝１００よ
り、x≦９６ａｔ％となる。また、x≧７０ａｔ％、x＋y
＋z＝１００、１．５y≦z≦４．０yより、必然的に、y
≦１２ａｔ％、z≦２５ａｔ％になる。In order to obtain good soft magnetism in the magnetic film according to the above (1), the ratio of M and O in the film must be
The relationship of 1.5y ≦ z ≦ 4.0y must be satisfied. Since y ≧ 1 at%, z> 3 at% , and x + y + z = 100, x ≦ 96 at%. Also, x ≧ 70 at%, x + y
+ Z = 100, 1.5y ≦ z ≦ 4.0y, inevitably y
≦ 12 at% and z ≦ 25 at%.

【００１９】また、上記(3)記載の磁性膜においては、x
≧７０ａｔ％、y≧1ａｔ％、z ≧３ａｔ％、x＋y＋z＋w
＝１００より、w＞0、x＜９６ａｔ％となる。なお、本
発明において用いられる上記(1)又は(3)記載の磁性膜に
おいても、磁歪定数の調整や耐食性の改善を目的とし
て、飽和磁束密度を大きく低下させたり軟磁性を大きく
低下させない範囲で、前記３元組成あるいは４元組成に
他の元素を添加することが可能である。In the magnetic film according to the above (3) , x
≧ 70 at%, y ≧ 1 at%, z ≧ 3 at%, x + y + z + w
= 100, w> 0 and x <96 at%. In the magnetic film according to the above (1) or (3) used in the present invention, for the purpose of adjusting the magnetostriction constant and improving the corrosion resistance, a range in which the saturation magnetic flux density is not significantly reduced or the soft magnetism is not significantly reduced. Other elements can be added to the ternary composition or the quaternary composition.

【００２０】本発明における上部コア７および下部コア
２材料の高飽和磁束密度軟磁性膜は、ＦｅにＭ（Ｚｒ，
Ｈｆのうち少なくとも１種の元素）とＯを同時に、しか
もその割合が特定の値をとるように添加することによっ
て、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度と軟磁性を同
時に実現するものであり、スパッタ法、真空蒸着等の一
般的な薄膜作成法により作成されるものであって、特別
な膜作成方法に限定されるものではない。In the present invention, the high saturation magnetic flux density soft magnetic film of the material of the upper core 7 and the lower core 2 is formed by adding M (Zr,
At least one element of Hf) and O are added at the same time so that the ratio thereof takes a specific value, thereby simultaneously realizing a high saturation magnetic flux density of 15000 G or more and soft magnetism. It is formed by a general thin film forming method such as vacuum deposition, and is not limited to a special film forming method.

【００２１】スパッタ法により本発明における上部コア
７および下部コア２を作成する場合、装置としては、Ｄ
Ｃスパッタ、ＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、対
向ターゲット式スパッタ、イオンビームスパッタ装置等
の既存の装置を使用することができる。Ｏを膜中に添加
する方法としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ₂ガスま
たはＮ₂ガスを混合したＡｒ＋Ｏ₂またはＡｒ＋Ｏ₂＋Ｎ₂
混合雰囲気ガスでスパッタを行なう反応性スパッタが有
効である。また、Ｆｅ，Ｆｅ−ＭあるいはＦｅ−Ｍ−Ｑ
（ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元素、Ｑは
Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素）
合金ターゲットの上にＦｅ、ＭあるいはＱの酸化物また
は窒化物を配置した複合ターゲットを用いてＡｒ等の不
活性ガス中で作成することもできる。When the upper core 7 and the lower core 2 according to the present invention are formed by the sputtering method, the apparatus is D
Existing devices such as C sputtering, RF sputtering, magnetron sputtering, facing target type sputtering, and ion beam sputtering can be used. As a method for adding a O in the film, Ar was mixed with O ₂ gas or N ₂ gas into the inert gas such as Ar + O ₂ or Ar + O ₂ + N ₂
Reactive sputtering, in which sputtering is performed in a mixed atmosphere gas, is effective. Further, Fe, Fe-M or Fe-MQ
(M is at least one element of Zr and Hf, and Q is at least one element of C, B, Si, Al and Y)
It can also be formed in an inert gas such as Ar using a composite target in which an oxide or nitride of Fe, M or Q is disposed on an alloy target.

【００２２】「材料例１」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ_100-xＺｒ_x（x＝０，１．５，３，
７，１１，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用いて、
Ａｒ＋０．１％Ｏ₂、Ａｒ＋０．５％Ｏ₂、Ａｒ＋１．０
％Ｏ₂雰囲気で成膜を行なった。主なスパッタ条件を以
下に示す。 予備排気 １×１０^-5Ｐａ以下 高周波電力 ４００Ｗ Ａｒガス圧 １．０Ｐａ 基板 結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離 ７０mm 膜厚２μｍになるようにスパッタ時間を調節した。次
に、得られた膜の軟磁性を改善するため、真空中で４０
０℃×１ｈｒの熱処理を行った。[Material Example 1] Fe _100-x Zr _x (x = 0, 1.5, 3, 3)
7, 11, 15) Using an alloy target (at%),
Ar + 0.1% O ₂ , Ar + 0.5% O ₂ , Ar + 1.0
Film formation was performed in a% O ₂ atmosphere. The main sputtering conditions are shown below. Preliminary evacuation 1 × 10 ⁻⁵ Pa or less High frequency power 400 W Ar gas pressure 1.0 Pa Substrate Crystallized glass substrate (indirect water cooling) Distance between electrodes 70 mm Sputtering time was adjusted so as to have a film thickness of 2 μm. Next, in order to improve the soft magnetism of the obtained film, 40
A heat treatment at 0 ° C. × 1 hr was performed.

【００２３】膜組成、飽和磁束密度および保磁力の主な
測定結果を第１表に示す。サンプル１〜５が本発明にお
いて用いられている膜で、Ｂｓ≧１５０００Ｇあり、Ｈ
ｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サンプル１〜５と
軟磁性の得られなかったサンプル６，７とを比較する
と、軟磁性を得るためには、ＯがＺｒのおよそ１．５倍
以上必要であることが分る。また、同様に、サンプル
８，９と比較すると、良好な軟磁性を得るためには、Ｏ
がＺｒのおよそ４倍以下でなければならない。サンプル
１０は、Ｚｒが１．０ａｔ％以下で、サンプル１１はＯ
がＺｒの１．５倍未満となっており、これらサンプル１
０，１１は、サンプル１〜５のものより保磁力Ｈｃが大
きくなっている。Table 1 shows main measurement results of the film composition, the saturation magnetic flux density and the coercive force. Samples 1 to 5 are membranes used in the present invention and have Bs ≧ 15000G and H
It shows soft magnetism of c ≦ 2 Oe. Comparing Samples 1 to 5 with Samples 6 and 7 from which soft magnetism was not obtained, it was found that O was required to be about 1.5 times or more of Zr in order to obtain soft magnetism. Similarly, in comparison with Samples 8 and 9, in order to obtain good soft magnetism, O
Must be less than or equal to about four times Zr. sample
Sample No. 10 has Zr of 1.0 at% or less, and Sample No. 11 has Or.
Is less than 1.5 times Zr.
0 and 11 have larger coercive force Hc than those of samples 1 to 5.
I'm getting smart .

【００２４】「材料例２」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ_100-xＨｆ_x（x＝０，１．５，３，
５，７，１３，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用い
て、Ａｒ＋０．１％Ｏ₂、Ａｒ＋０．５％Ｏ₂、Ａｒ＋
１．０％Ｏ₂雰囲気中で成膜を行なった。スパッタ条件
は実施例１と同様とした。次に、得られた膜の軟磁性を
改善するため、真空中で４００℃×１ｈｒの熱処理を行
った。膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分
析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）により
決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測定し
た。[0024] By "Materials Example 2" high-frequency magnetron sputtering _{apparatus, Fe 100-x Hf x (} x = 0,1.5,3,
5, 7, 13, 15) Using an alloy target (at%), Ar + 0.1% O ₂ , Ar + 0.5% O ₂ , Ar +
Film formation was performed in a 1.0% O ₂ atmosphere. The sputtering conditions were the same as in Example 1. Next, in order to improve the soft magnetism of the obtained film, a heat treatment at 400 ° C. × 1 hr was performed in a vacuum. The composition of the film was determined by inductively coupled plasma (ICP) emission spectroscopy and X-ray microanalyzer (EPMA). The saturation magnetic flux density and the coercive force were measured by VSM.

【００２５】膜組成、飽和磁束密度および保磁力の主な
測定結果を第２表に示す。サンプル１３〜１９が本発明
の実施例において用いられている膜で、Ｂｓ≧１５００
０Ｇあり、Ｈｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サン
プル１３〜１９と軟磁性の得られなかったサンプル２０
とを比較すると、良好な軟磁性を得るためには、ＯがＨ
ｆのおよそ１．５倍以上必要であることが分る。また、
同様に、サンプル２１，２２と比較すると、良好な軟磁
性を得るためには、ＯがＨｆのおよそ４倍以下でなけれ
ばならない。サンプル２３は、Ｏが３．０ａｔ％以下で
良好な軟磁性が得られなかった例である。サンプル２４
は、ＯがＨｆの１．５倍から４倍の間にあり軟磁性は得
られているが、Ｆｅが７０ａｔ％以下で、Ｂｓが１５０
００Ｇより小さくなっている。Table 2 shows the main measurement results of the film composition, the saturation magnetic flux density and the coercive force. Samples 13 to 19 are films used in the examples of the present invention, and Bs ≧ 1500
0G, indicating soft magnetism of Hc ≦ 2 Oe. Samples 13 to 19 and Sample 20 from which soft magnetism was not obtained
In comparison with the above, in order to obtain good soft magnetism, O
It can be seen that about 1.5 times or more f is necessary. Also,
Similarly, compared to the samples 21 and 22, O must be about four times or less Hf to obtain good soft magnetism. Sample 23 is an example in which good soft magnetism was not obtained when O was 3.0 at% or less. Sample 24
Is that O is between 1.5 and 4 times Hf and soft magnetism is obtained, but Fe is 70 at% or less and Bs is 150 at%.
It is smaller than 00G.

【００２６】[0026]

【表１】 [Table 1]

【００２７】[0027]

【表２】 [Table 2]

【００２８】「材料例３」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ−Ｈｆ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｃ系、Ｆｅ−
Ｈｆ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ａｌ
系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｙ系の各合金ターゲットを適宜用い
て、Ａｒ＋Ｏ₂（０．１〜１．０％）ガス雰囲気、また
は、Ａｒ＋Ｏ₂（０．１〜１．０％）＋Ｎ₂（０．５〜１
０％）ガス雰囲気中で上記(2)に示される磁性膜の成膜
を行なった。主なスパッタ条件は実施例１と同様とし、
製造時膜厚を２μｍになるようにスパッタ時間を調節し
た。各磁性膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発
光分析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）に
より決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測
定した。"Material Example 3" Fe-Hf-based, Fe-Hf-C-based, Fe-
Hf-B system, Fe-Hf-Si system, Fe-Hf-Al
Ar + O ₂ (0.1 to 1.0%) gas atmosphere or Ar + O ₂ (0.1 to 1.0%) + N ₂ (0 0.5-1
0%) The magnetic film shown in (2) above was formed in a gas atmosphere. The main sputtering conditions were the same as in Example 1,
The sputtering time was adjusted so that the film thickness at the time of manufacturing became 2 μm. The composition of each magnetic film was determined by inductively coupled plasma (ICP) emission spectrometry and X-ray microanalyzer (EPMA). The saturation magnetic flux density and the coercive force were measured by VSM.

【００２９】前記の製造条件で多数の試料を作成し、各
試料に於ける磁気特性および電気抵抗を測定した。図５
にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性
膜におけるＣまたはＮ含有量と成膜のままの状態〜３０
０℃以下での熱処理後における保磁力（Ｈｃ）の関係を
示し、図６にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜における熱
処理温度（アニール温度）と保磁力の関係を示す。A number of samples were prepared under the above manufacturing conditions, and the magnetic properties and electric resistance of each sample were measured. FIG.
The C- or N-content in the Fe-Hf-OC-based or Fe-Hf-ON-based magnetic film and the state of the film as it is
FIG. 6 shows the relationship between the coercive force (Hc) after the heat treatment at 0 ° C. or less, and FIG. 6 shows the relationship between the heat treatment temperature (annealing temperature) and the coercive force in the Fe—Hf—ON-based magnetic film.

【００３０】この結果から、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系又は
Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜はＣまたはＮの含有量の
増加に伴い、保磁力が減少することが分る。また、低い
保磁力を得るために４００℃以上の温度での熱処理を必
要としないことも分る。From these results, it can be seen that the Fe-Hf-OC system or
It can be seen that the coercive force of the Fe-Hf-ON-based magnetic film decreases as the content of C or N increases. It is also found that heat treatment at a temperature of 400 ° C. or higher is not required to obtain a low coercive force.

【００３１】また、図６に示される結果から、Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｏ−Ｎ系磁性膜（参考例Ａ、Ｂ）は、参考例Ｃの膜
と比較すると５００℃より高温の熱処理後においても、
成膜のままの保磁力とほとんど変化しないことが分る。
これに対し、参考例Ｃの試料は５００℃より高温の熱処
理によって保磁力が上昇していることが分る。Further, from the results shown in FIG.
The f-ON-based magnetic films (Reference Examples A and B) show that even after the heat treatment at a temperature higher than 500 ° C. as compared with the film of Reference Example C,
It can be seen that the coercive force remains almost the same as that of the film.
On the other hand, it can be seen that the coercive force of the sample of Reference Example C was increased by the heat treatment at a temperature higher than 500 ° C.

【００３２】図７と図８に、前記方法で製造された試料
において、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｂ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓ
ｉ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ａｌ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系
の各試料について、Ｂ含有量とＳｉ含有量とＡｌ含有量
とＹ含有量に対する比抵抗（ρ）の変化を示す。この結
果から、Ｂ，Ｓｉ，ＡｌまたはＹのいずれかを添加する
ことで比抵抗を向上できることを確認できた。次に、前
記方法で製造したＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−
Ｏ−Ｎ系の磁性膜について、飽和磁束密度（Ｂｓ）と成
膜のままの状態〜３００℃以下での熱処理後における保
磁力の測定結果を表３に示す。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系膜
について、飽和磁束密度と５００℃〜６００℃での熱処
理後における保磁力の測定結果を表４に示す。Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−
Ａｌ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系膜について飽和磁束密度と
比抵抗と４００℃〜５００℃での熱処理後における保磁
力の測定結果を表５に示す。FIGS. 7 and 8 show that the samples manufactured by the above-described method show the Fe-Hf-OB system and the Fe-Hf-OS system.
For each of the i-type, Fe-Hf-O-Al-type, and Fe-Hf-OY-type samples, the change in specific resistance (ρ) with respect to the B content, the Si content, the Al content, and the Y content is shown. . From these results, it was confirmed that the specific resistance could be improved by adding any of B, Si, Al and Y. Next, the Fe—Hf—O—C system, Fe—Hf—
Table 3 shows the measurement results of the saturation magnetic flux density (Bs) and the coercive force after the heat treatment at 300 ° C. or less for the ON—N based magnetic film. Table 4 shows the measurement results of the saturation magnetic flux density and the coercive force after the heat treatment at 500 to 600 ° C. for the Fe—Hf—O—C-based film. Fe-H
f-OB, Fe-Hf-O-Si, Fe-Hf-O-
Table 5 shows the measurement results of the saturation magnetic flux density, the specific resistance, and the coercive force after the heat treatment at 400 ° C. to 500 ° C. for the Al, Fe—Hf—O—Y-based film.

【００３３】表３に示す結果から磁性膜（サンプル２７
〜３１）においてＣまたはＮを含むものは、１５０００
Ｇを超える飽和磁束密度を示し、しかも比較例のサンプ
ル２５（従来例），２６に比較して保磁力が低いことが
判明した。表４に示す結果から磁性膜（サンプル３２〜
３６）においてＮを含むものは、１５０００Ｇを超える
飽和磁束密度を示し、５００℃〜６００℃での熱処理に
おいても低い保磁力を示すことが確認できた。また、こ
のように低い保磁力を得るためには膜中のＮ含有量が２
４原子％より少なく、Ｏ含有量が３原子％から１３原子
％の間にあり、Ｈｆ含有量が１原子％から５原子％の間
になければならない事がわかる。なお、この表におい
て、サンプル３７〜４１は比較例である。表５に示す結
果から、本発明で用いられる磁性膜（サンプル４３〜５
２）において、Ｂ，Ｓｉ，ＡｌあるいはＹを含む磁性膜
は１６０００Ｇを超える飽和磁束密度と低い保磁力を示
し、しかも比抵抗が高いことが明かとなった。したがっ
て、表５に示す組成の磁性膜は高周波領域での渦電流損
失が少なく、高周波での透磁率を高めることができるも
のである。なお、この表において、サンプル４２は比較
例である。From the results shown in Table 3, the magnetic film (sample 27)
To 31) containing C or N are 15000
Shows the saturation magnetic flux density greater than G, moreover sump Comparative Example
It has been found that the coercive force is lower than that of the magnetic disks 25 (conventional examples) and 26 . From the results shown in Table 4, the magnetic films (samples 32 to
In 36), those containing N showed a saturation magnetic flux density exceeding 15000 G, and it was confirmed that even in the heat treatment at 500 ° C. to 600 ° C., the coercive force was low. In order to obtain such a low coercive force, the N content in the film must be 2%.
It can be seen that the O content must be less than 4 atomic%, the O content must be between 3 atomic% and 13 atomic%, and the Hf content must be between 1 atomic% and 5 atomic%. In this table, samples 37 to 41 are comparative examples. From the results shown in Table 5, the magnetic films used in the present invention (Samples 43 to 5)
In 2), it was clarified that the magnetic film containing B, Si, Al or Y exhibited a saturation magnetic flux density exceeding 16000 G, a low coercive force, and a high specific resistance. Therefore, the magnetic film having the composition shown in Table 5 has a small eddy current loss in a high frequency region and can increase the magnetic permeability at a high frequency. In this table, sample 42 is compared
It is an example .

【００３４】[0034]

【表３】 [Table 3]

【００３５】[0035]

【表４】 [Table 4]

【００３６】[0036]

【表５】 [Table 5]

【００３７】[0037]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドは、上部コア７と下部コア２の少
なくとも一部に、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度
を有するとともに薄膜磁気ヘッドの磁気コアとして好適
な性質を有する軟磁性材料を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。As described in detail above, claim 1 is as follows.
In the thin film magnetic head described above, at least a part of the upper core 7 and the lower core 2 uses a soft magnetic material having a high saturation magnetic flux density of 15000 G or more and having properties suitable for the magnetic core of the thin film magnetic head. For this reason, the saturation magnetic flux density of the entire magnetic core can be increased, and even if a strong current is applied to the coil of the magnetic head, the saturation of the magnetic core hardly occurs, so that a stronger magnetic field can be generated. become. Therefore, it is possible to provide a thin-film magnetic head for high-density recording capable of sufficiently writing on a high coercivity medium.

【００３８】[0038]

【００３９】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、
上部コア７と下部コア２の少なくとも一部に、１６００
０Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有するとともに比抵抗が
高く、かつ、高周波域での渦電流損失の少ない高周波域
での透磁率の高い軟磁性膜を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。The thin-film magnetic head according to claim 2 is
At least a part of the upper core 7 and the lower core 2 has 1600
A soft magnetic film having a high saturation magnetic flux density of 0 G or more, a high specific resistance, and a high magnetic permeability in a high frequency range with a small eddy current loss in the high frequency range is used. For this reason, the saturation magnetic flux density of the entire magnetic core can be increased, and even if a strong current is applied to the coil of the magnetic head, the saturation of the magnetic core hardly occurs, so that a stronger magnetic field can be generated. become. Therefore, it is possible to provide a thin-film magnetic head for high-density recording capable of sufficiently writing on a high coercivity medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す縦断
面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of a thin film magnetic head according to the present invention.

【図２】磁場中でスパッタすることにより作成し、３５
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ₈₁Ｈｆ₅Ｏ
₁₄膜の直流Ｂ−Ｈカーブである。FIG. 2 is prepared by sputtering in a magnetic field;
Fe ₈₁ Hf ₅ O heat-treated at 0 ° C. for 1 hour in a magnetic field
It is a DC BH curve of ₁₄ films.

【図３】磁場中でスパッタすることにより作成し、３５
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ₈₁Ｈｆ₅Ｏ
₁₄膜の周波数−透磁率特性図である。FIG. 3 is a diagram of a sample prepared by sputtering in a magnetic field,
Fe ₈₁ Hf ₅ O heat-treated at 0 ° C. for 1 hour in a magnetic field
FIG. ₁₄ is a frequency-magnetic permeability characteristic diagram of ₁₄ films.

【図４】起磁力と記録磁界との関係のシュミレーション
結果を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a simulation result of a relationship between a magnetomotive force and a recording magnetic field.

【図５】Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系
の磁性膜におけるＣまたはＮ含有量と熱処理後における
保磁力の関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the C or N content in a Fe—Hf—O—C or Fe—Hf—O—N-based magnetic film and the coercive force after heat treatment.

【図６】Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜における熱処理
温度と保磁力の関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a relationship between a heat treatment temperature and a coercive force in an Fe—Hf—ON-based magnetic film.

【図７】成膜のままの本発明で用いられる磁性膜におけ
る比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関係を示す
グラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between specific resistance and B, Si, Al, Y content X in a magnetic film used in the present invention as formed.

【図８】５００℃アニール後の本発明で用いられる磁性
膜における比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関
係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing a relationship between specific resistance and B, Si, Al, Y content X in a magnetic film used in the present invention after annealing at 500 ° C.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 下部コア ３ ギャップ絶縁層 ４ 絶縁層 ５ 絶縁層 ６ コイル ７ 上部コア ８ 下部絶縁膜 ９ 媒体対向面 ２ａ 下部磁極 ７ａ 上部磁極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower core 3 Gap insulating layer 4 Insulating layer 5 Insulating layer 6 Coil 7 Upper core 8 Lower insulating film 9 Medium facing surface 2a Lower magnetic pole 7a Upper magnetic pole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−24403（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232206（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−84403（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−134710（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−48707（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/127 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-64-24403 (JP, A) JP-A-3-232206 (JP, A) JP-A-4-84403 (JP, A) JP-A-4- 134710 (JP, A) JP-A-4-48707 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) G11B 5/31 G11B 5/127

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 上部コアと下部コアとが媒体対向面にお
いてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部磁極
を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの間に
絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
z（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは各々原子％を
表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３＜z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。An upper core and a lower core oppose each other via a gap layer on a medium facing surface to form an upper magnetic pole and a lower magnetic pole, and an insulating layer and a conductor layer are sequentially formed between the upper core and the lower core. In the thin film magnetic head formed, at least a part of the upper core and the lower core is made of FexMyO.
z (where M represents at least one element of Zr and Hf, Fe represents iron, O represents oxygen, and x, y, and z each represent atomic%), and the x, y, and z described above. Is a magnetic film having a composition satisfying the following relationship: 70 ≦ x ≦ 96 1 ≦ y ≦ 123 3 <z ≦ 25 x + y + z = 100, and y and z are 1.5y ≦ z ≦ 4.0y. A thin film magnetic head characterized by being formed by: 【請求項２】 上部コアと下部コアとが媒体対向面にお
いてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部磁極
を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの間に
絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのう
ち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％
を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。2. An upper core and a lower core oppose each other via a gap layer on a medium facing surface to form an upper magnetic pole and a lower magnetic pole, and an insulating layer and a conductor layer are sequentially formed between the upper core and the lower core. In the thin film magnetic head formed, at least a part of the upper core and the lower core is made of FexMyO.
z Rw (where M is at least one element of Zr and Hf, Fe is iron, O is oxygen, and R is Si, B, Al, Y
Represents at least one element Chi, x, y, z, w each atomic%
Represents ), Wherein x, y, z, w is formed of a magnetic film having a composition satisfying the following relationship: 70 ≦ x <96 1 ≦ y ≦ 123 3 ≦ z ≦ 25 w ≦ 26 x + y + z + w = 100 A thin-film magnetic head.