JP3034543U - Wireless communication equipment - Google Patents

Wireless communication equipment

Info

Publication number
JP3034543U
JP3034543U JP1996007968U JP796896U JP3034543U JP 3034543 U JP3034543 U JP 3034543U JP 1996007968 U JP1996007968 U JP 1996007968U JP 796896 U JP796896 U JP 796896U JP 3034543 U JP3034543 U JP 3034543U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
band
output
uhf band
output terminal
mos type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1996007968U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
俊男 高岡
巧 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Icom Inc
Original Assignee
Icom Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Icom Inc filed Critical Icom Inc
Priority to JP1996007968U priority Critical patent/JP3034543U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3034543U publication Critical patent/JP3034543U/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】VHF帯とUHF帯の出力電力のバランスがよ
く、部品点数が少なく経済的で且つ小さい2バンドの無
線通信機を提供する。 【解決手段】高周波信号生成部1aの高周波信号を増幅
し出力するMOS型FETQ1及びMOS型FETQ2
と、高周波信号生成部1aの出力インピーダンスとFE
TQ1の入力インピーダンスとをUHF帯において整合
させるマッチングコイルL1と、FETQ1の出力イン
ピーダンスとFETQ2の入力インピーダンスとをUH
F帯において整合させるマッチング回路2aと、FET
Q2から出力されるVHF帯送信信号を通過させVHF
帯出力端子J4から出力するLPF2bと、FETQ2
から出力されるUHF帯送信信号を通過させUHF帯出
力端子J5から出力するHPF2cとを備えた電力増幅
回路2を設けた。
(57) An object of the present invention is to provide a two-band wireless communication device that has a good balance of output power in the VHF band and the UHF band, has a small number of parts, and is economical and small. SOLUTION: A MOS type FET Q1 and a MOS type FET Q2 for amplifying and outputting a high frequency signal of a high frequency signal generator 1a.
And the output impedance of the high frequency signal generator 1a and the FE
The matching coil L1 for matching the input impedance of TQ1 in the UHF band, the output impedance of the FET Q1 and the input impedance of the FET Q2 are UH.
Matching circuit 2a for matching in F band and FET
Pass the VHF band transmission signal output from Q2
LPF2b output from the band output terminal J4 and FETQ2
The power amplifier circuit 2 is provided with an HPF 2c that allows the UHF band transmission signal output from the device to pass through and outputs from the UHF band output terminal J5.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【考案の属する技術分野】[Technical field to which the invention belongs]

本考案は、VHF帯とUHF帯の2つの周波数帯域を使用する無線通信機に関 するものである。 The present invention relates to a wireless communication device that uses two frequency bands, a VHF band and a UHF band.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

少なくとも2つの通信周波数帯を備え、その中の1つの周波数帯を選んで送信 する無線通信機では、1つの電力増幅回路で異なる周波数帯の高周波信号を増幅 することは、短波帯ではごく普通に行われていた。例えば、アマチュア無線通信 機の短波帯の通信周波数帯としては、 3.5メガヘルツ帯,7メガヘルツ帯,・・ ・,28メガヘルツ帯等、多数の周波数帯があるが、それらの周波数の高周波信 号の電力増幅には、広帯域の電力増幅回路が用いられていた。しかし、この電力 増幅回路は、名前の通り広帯域なので、目的の周波数の高周波信号以外の不要な 高周波信号まで増幅してしまうという欠点があった。そのため、この電力増幅回 路の出力側に、周波数帯ごとにその周波数帯の高周波信号だけを通過させるバン ドパスフィルター(以下、BPFという)を設け、周波数帯に応じて、それらを リレーやダイオードスイッチ等で切り換え、高調波等のスプリアス成分を除去し てから送信していた(実公平4−38570号,実公平7−37387号公報参 照)。 In a wireless communication device that has at least two communication frequency bands and selects and transmits one of the frequency bands, it is very common in the short wave band to amplify high frequency signals of different frequency bands with one power amplifier circuit. It was done. For example, there are many frequency bands such as the 3.5 MHz band, 7 MHz band, ..., 28 MHz band for the short-wave communication frequency band of amateur radio communication devices. A wide band power amplifier circuit was used for amplification. However, as the name implies, this power amplifier circuit has a wide band, so that it has the drawback of amplifying unnecessary high frequency signals other than the high frequency signal of the target frequency. Therefore, on the output side of this power amplification circuit, a bandpass filter (hereinafter referred to as BPF) that allows only high-frequency signals in that frequency band to pass is provided for each frequency band, and relays or diodes are provided depending on the frequency band. Transmission was performed after switching with a switch or the like to remove spurious components such as harmonics (see Japanese Utility Model Publications 4-38570, 7-37387).

【0003】 また、移動体通信においては、周波数の異なる多数の高周波信号を分配器で分 配し、それぞれの高周波信号を同一利得,同一位相特性のフィードフォワード回 路(FF回路)で電力増幅したあと、それぞれの送信信号を合成回路において同 相で合成し、それを1本のアンテナから送信するものもあった。(特開平5−1 9178号公報参照)。In mobile communication, a large number of high frequency signals having different frequencies are distributed by a distributor, and each high frequency signal is power-amplified by a feedforward circuit (FF circuit) having the same gain and the same phase characteristic. Then, there was also one in which each transmission signal was combined in phase in a combining circuit and transmitted from one antenna. (See JP-A-5-19178).

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかし、VHF帯以上の周波数において複数の周波数帯域の送受信をする無線 通信機は、現在でもその周波数帯域ごとに高周波の電力増幅回路やその調整回路 ,フィルター等を備えている。例えば、VHF帯(144〜146メガヘルツ帯 )とUHF帯(430〜440メガヘルツ帯)の2つの周波数帯を使用するアマ チュア無線通信機においては、VHF帯用とUHF帯用のパワーモジュール(電 力増幅素子)を、それぞれの周波数帯ごとに備えている。これらの無線通信機で 、周波数帯域ごとに電力増幅回路を設けられているのは、増幅すべき周波数の幅 (144〜440メガヘルツ)が非常に広いことや、VHF帯で使用される回路 素子と、周波数が非常に高いUHF帯で使用される回路素子とが基本的に異なる ためで、一つのパワーモジュールでVHF帯とUHF帯の双方の信号を増幅する ことができなかったからである。 However, wireless communication devices that transmit and receive in a plurality of frequency bands at frequencies higher than the VHF band are still equipped with a high-frequency power amplifier circuit, its adjustment circuit, and a filter for each frequency band. For example, in an amateur radio communication device that uses two frequency bands, the VHF band (144 to 146 MHz band) and the UHF band (430 to 440 MHz band), power modules (power sources for the VHF band and the UHF band) are used. An amplification element) is provided for each frequency band. In these wireless communication devices, the power amplification circuit is provided for each frequency band because the width of the frequency to be amplified (144 to 440 MHz) is very wide, and the circuit element used in the VHF band is used. This is because the circuit elements used in the UHF band, which has a very high frequency, are basically different, and it was not possible to amplify signals in both the VHF band and the UHF band with one power module.

【0005】 この結果、VHF帯とUHF帯の2つの周波数帯を使用する無線通信機は、周 波数帯ごとに専用のパワーモジュール・BPFをはじめ、BPFを切り換えるリ レー等、それ以外の部品も多く必要となり、無線通信機の筐体は大きくなり、製 造コストも高いものとなっていた。この問題は、特に携帯用無線通信機において 、小型化の大きな障害となっていた。また、電力増幅素子の増幅率は、周波数が 高いほど小さくなるので、電力増幅素子への入力電圧が同じであれば、結果とし て、高い方の周波数帯(UHF帯)で出力が小さくなるという問題もあった。As a result, a wireless communication device that uses two frequency bands, the VHF band and the UHF band, has other components such as a dedicated power module / BPF for each frequency band and a relay for switching the BPF. Many of them were required, the housing of the wireless communication device became large, and the manufacturing cost was high. This problem has been a major obstacle to miniaturization, especially in portable wireless communication devices. Further, the amplification factor of the power amplification element decreases as the frequency increases, so that if the input voltage to the power amplification element is the same, as a result, the output decreases in the higher frequency band (UHF band). There was also a problem.

【0006】 本考案は、上記の課題にかんがみて提案されたもので、VHF帯とUHF帯の 2つの周波数帯を使用する無線通信機において、VHF帯とUHF帯の2つの出 力電力のバランスがよく、部品点数が少なく経済的で且つ小さくできる無線通信 機を提供することを目的とするものである。The present invention has been proposed in view of the above problems, and in a wireless communication device that uses two frequency bands, a VHF band and a UHF band, balances the two output powers of the VHF band and the UHF band. It is an object of the present invention to provide a wireless communication device that is good, has a small number of parts, is economical, and can be made small.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記課題を解決するため、請求項1の考案は、高周波信号生成部と該高周波信 号生成部から出力される高周波信号を増幅する電力増幅部とを備え、VHF帯と UHF帯の2つの周波数帯を用いて通信する無線通信機において、前記電力増幅 部は、高周波信号生成部から出力された高周波信号を増幅する第1のMOS型F ETと、第1のMOS型FETから出力された高周波信号を増幅する第2のMO S型FETと、高周波信号生成部の出力インピーダンスと第1のMOS型FET の入力インピーダンスとをUHF帯において整合させる第1のマッチング回路と 、第1のMOS型FETの出力インピーダンスと第2のMOS型FETの入力イ ンピーダンスとをUHF帯において整合させる第2のマッチング回路と、第2の MOS型FETから出力されるVHF帯送信信号を通過させVHF帯出力端子か ら出力するローパスフィルターと、第2のMOS型FETから出力されるUHF 帯送信信号を通過させUHF帯出力端子から出力するハイパスフィルターとを備 えた。 In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is provided with a high frequency signal generation section and a power amplification section for amplifying a high frequency signal output from the high frequency signal generation section, and has two frequencies of a VHF band and a UHF band. In a wireless communication device that communicates using a band, the power amplification unit includes a first MOS type F ET that amplifies the high frequency signal output from the high frequency signal generation unit and a high frequency output from the first MOS type FET. A second MOS type FET for amplifying a signal; a first matching circuit for matching the output impedance of the high frequency signal generator and the input impedance of the first MOS type FET in the UHF band; and a first MOS type FET Second matching circuit for matching the output impedance of the second MOS type FET and the input impedance of the second MOS type FET in the UHF band, and the second MOS type FET A low-pass filter that passes the VHF band transmission signal output from the VHF band output terminal and a high-pass filter that passes the UHF band transmission signal output from the second MOS type FET and outputs it from the UHF band output terminal. Equipped with.

【0008】 請求項2の考案は、請求項1に記載の無線通信機において、第1のMOS型F ET及び/又は第2のMOS型FETのゲートに加える電圧を調節して、第2の MOS型FETの送信出力を増減させる出力調節回路を、電力増幅回路に付加し た。 請求項3の考案は、請求項1に記載の無線通信機において、VHF帯の送信を 指令するVHF帯送信指令信号が入力されたとき、UHF帯出力端子から出力さ れたVHF帯送信信号の高調波成分をアースするショート回路と、同時点にUH F帯送信出力信号が出力されるUHF帯送信出力端子と前記UHF帯出力端子と を切り離すオープン回路とを付加した。According to a second aspect of the present invention, in the wireless communication device according to the first aspect, the voltage applied to the gate of the first MOS-type FET and / or the second MOS-type FET is adjusted to adjust the second An output adjustment circuit that increases or decreases the transmission output of the MOS FET is added to the power amplification circuit. According to a third aspect of the present invention, in the wireless communication device according to the first aspect, when a VHF band transmission command signal for instructing transmission of the VHF band is input, the VHF band transmission signal output from the UHF band output terminal is output. A short circuit for grounding the harmonic component and an open circuit for disconnecting the UHF band transmission output terminal from which the UHF band transmission output signal is output and the UHF band output terminal are added at the same point.

【0009】 請求項4の考案は、請求項3に記載の無線通信機において、ショート回路を、 UHF帯出力端子にカソードが接続された第1ダイオードと、この第1ダイオー ドのアノードとアースとの間に接続された第1コンデンサと、コレクタがUHF 帯出力端子に接続されエミッタが接地されベースがVHF帯送信指令信号入力端 子に接続されたトランジスタとから構成すると共に第1ダイオードのアノードに はプラス電圧を印加し、オープン回路を、アノード側を第2コンデンサを介して UHF帯出力端子に接続し、カソード側をUHF帯送信出力端子に接続する第2 ダイオードで構成した。According to a fourth aspect of the present invention, in the wireless communication device according to the third aspect, the short circuit includes a first diode whose cathode is connected to a UHF band output terminal, an anode of the first diode, and a ground. Is connected to the UHF band output terminal, the emitter is grounded and the base is connected to the VHF band transmission command signal input terminal. Applied a positive voltage and constituted an open circuit with a second diode whose anode side was connected to the UHF band output terminal through the second capacitor and whose cathode side was connected to the UHF band transmission output terminal.

【0010】 上記トランジスタは、リレーやサイリスタ等のスイッチング素子を用いてもよ いが、スイッチング用のトランジスタを用いるのが好ましい。また、上記ショー ト回路及びオープン回路は、ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,リレー等 、どのような素子を用いても構わない。A switching element such as a relay or a thyristor may be used as the transistor, but it is preferable to use a switching transistor. Further, the short circuit and the open circuit may use any element such as a diode, a transistor, a thyristor, and a relay.

【0011】[0011]

【考案の実施の形態】[Embodiment of the invention]

以下に、本考案にかかる無線通信機の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説 明する。 図1は本考案にかかる無線通信機のブロック図,図2は図1の電力増幅回路の 回路図,図3は図1の電力増幅回路の出力に接続される全ブロックの回路図であ る。 Embodiments of a wireless communication device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 is a block diagram of a wireless communication device according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of the power amplifier circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is a circuit diagram of all blocks connected to the output of the power amplifier circuit of FIG. .

【0012】 本考案にかかる無線通信機は、アマチュア無線用の2バンドトランシーバーで 、図1に示すようなブロックから構成されている。1は送信用の信号を生成する 高周波信号生成部1aと受信信号を復調する受信部1bとこれらの動作の制御を するコントロール部1cとから成る送受信部で、この送受信部1は、VHF帯( 144メガヘルツ〜146メガヘルツ)とUHF帯(430メガヘルツ〜440 メガヘルツ)の2つの周波数帯を用いて送受信を行うようになっている。A radio communication device according to the present invention is a two-band transceiver for amateur radio, and is composed of blocks as shown in FIG. Reference numeral 1 is a transmission / reception unit including a high-frequency signal generation unit 1a that generates a signal for transmission, a reception unit 1b that demodulates a received signal, and a control unit 1c that controls these operations. The transmission / reception unit 1 is a VHF band ( Transmission and reception are performed using two frequency bands of 144 MHz to 146 MHz and UHF band (430 MHz to 440 MHz).

【0013】 2は高周波信号生成部1aから出力されるVHF帯からUHF帯までの広帯域 の高周波信号を電力増幅する電力増幅部である。3はVHF帯送信指令信号に基 づいて、VHF帯出力端子J4に入力されたVHF帯の送信信号をVHF帯送信 出力信号としてVHF帯送信出力端子J10からVHF帯用のLPF5に出力す ると共に、ダイオードD8,D9を導通させるアンテナスイッチである。また、 4はUHF帯送信指令信号に基づいて、UHF帯出力端子J5に入力されたUH F帯の送信信号をUHF帯送信出力信号としてUHF帯送信出力端子J11から UHF帯用のBPF6に出力すると共に、ダイオードD8,D9を導通させるア ンテナスイッチである。7はLPF5,BPF6が並列に接続されるアンテナ端 子である。Reference numeral 2 denotes a power amplifier that amplifies the power of a wideband high frequency signal from the VHF band to the UHF band output from the high frequency signal generation unit 1a. 3 outputs the VHF band transmission signal input to the VHF band transmission terminal J4 as the VHF band transmission output signal from the VHF band transmission output terminal J10 to the VHF band LPF5 based on the VHF band transmission command signal. , An antenna switch that conducts the diodes D8 and D9. Also, 4 outputs the UHF band transmission signal input to the UHF band output terminal J5 as a UHF band transmission output signal from the UHF band transmission output terminal J11 to the UPF band BPF 6 based on the UHF band transmission command signal. At the same time, it is an antenna switch that conducts the diodes D8 and D9. Reference numeral 7 is an antenna terminal to which LPF5 and BPF6 are connected in parallel.

【0014】 電力増幅部2の端子J1は、高周波信号生成部1aから出力されるVHF帯又 はUHF帯の高周波信号が入力される高周波信号入力端子である。アンテナスイ ッチ3の端子J6とアンテナスイッチ4の端子J9とは、VHF帯で送信をする ときにVHF帯送信指令信号が入力されるVHF帯送信指令信号入力端子である 。アンテナスイッチ4の端子J8は、UHF帯で送信をするときにUHF帯送信 指令信号が入力されるUHF帯送信指令信号入力端子である。これらの端子に入 力される信号は、コントロール部1cによって制御されている。アンテナスイッ チ3の端子J12はLPF5を通過したVHF帯受信信号が受信部1aに出力さ れるVHF帯受信出力端子,アンテナスイッチ4の端子J13はBPF6を通過 したUHF帯受信信号が受信部1bに出力されるUHF帯受信出力端子である。 なお、図2と図3において、VHF帯出力端子J4とUHF帯出力端子J5とは 1つずつあるが、これは互いに接続されるべき端子を表している。The terminal J1 of the power amplification unit 2 is a high frequency signal input terminal to which the high frequency signal of the VHF band or the UHF band output from the high frequency signal generation unit 1a is input. The terminal J6 of the antenna switch 3 and the terminal J9 of the antenna switch 4 are VHF band transmission command signal input terminals to which a VHF band transmission command signal is input when transmitting in the VHF band. The terminal J8 of the antenna switch 4 is a UHF band transmission command signal input terminal to which a UHF band transmission command signal is input when transmitting in the UHF band. The signals input to these terminals are controlled by the controller 1c. The terminal J12 of the antenna switch 3 outputs the VHF band reception signal that has passed through the LPF 5 to the receiving section 1a, and the terminal J13 of the antenna switch 4 receives the UHF band reception signal that passes through the BPF 6 to the receiving section 1b. It is an output terminal for receiving the UHF band. 2 and 3, there is one VHF band output terminal J4 and one UHF band output terminal J5, which represent terminals to be connected to each other.

【0015】 図2,図3において、電力増幅部2のQ1・Q2は高周波特性のよい電力増幅 用のMOS型FET,Q3はスイッチング用のNPN型トランジスタである。以 下、符号の頭にDが付された部品はスイッチング用ダイオード,Lが付された部 品はコイル,Cが付された部品はコンデンサ,Jが付された部品は端子を表して いる。端子J7には常時プラス電圧がかかっている。In FIGS. 2 and 3, Q1 and Q2 of the power amplification unit 2 are MOS type FETs for power amplification with good high frequency characteristics, and Q3 is an NPN type transistor for switching. Below, the parts prefixed by D are switching diodes, the parts marked L are coils, the parts marked C are capacitors, and the parts marked J are terminals. A positive voltage is always applied to the terminal J7.

【0016】 次に、高周波信号生成部1aからVHF帯の145メガヘルツの高周波信号が 出力されたときの各部の動作の説明をする。 高周波信号生成部1aで生成された145メガヘルツの高周波信号は、高周波 信号入力端子J1からコイルL1を介してFETQ1のゲートに入力される。コ イルL1は、UHF帯の信号に対して入出力インピーダンスの整合をはかるため のマッチングコイルである。FETQ1のゲインは周波数の低いVHF帯の方が 大きいので、マッチングのとれたUHF帯とVHF帯の送信信号は、結果として ちょうど同じくらいの大きさとなっている。また、FETQ1の出力レベルは、 抵抗R1を介してFETQ1に加えられる出力調節端子J2のゲートバイアス電 圧を加減して行う。Next, the operation of each part when the high-frequency signal generator 1a outputs a high-frequency signal of 145 MHz in the VHF band will be described. The 145 MHz high frequency signal generated by the high frequency signal generator 1a is input from the high frequency signal input terminal J1 to the gate of the FET Q1 via the coil L1. The coil L1 is a matching coil for matching the input / output impedance with the UHF band signal. Since the gain of the FET Q1 is larger in the VHF band where the frequency is low, the matched transmission signals in the UHF band and the VHF band are just as large as a result. The output level of the FET Q1 is adjusted by adjusting the gate bias voltage of the output adjusting terminal J2 applied to the FET Q1 via the resistor R1.

【0017】 FETQ1からの145メガヘルツの高周波信号は、マッチング回路2aを介 し、FETQ2のゲートに入力される。マッチング回路2aはコンデンサC1, C2,コイルL2とから成り、UHF帯の信号に対して入出力インピーダンスの 整合をはかっている。このため上記のマッチングコイル同様、周波数帯切り替え による出力電力のばらつきが少なくなる。FETQ2の出力レベル(高周波出力 )は、FETQ1の場合と同様、コイルL3を介して出力調節端子J3に加えら れるゲートバイアス電圧を調節することによって加減する。A high frequency signal of 145 MHz from the FET Q1 is input to the gate of the FET Q2 via the matching circuit 2a. The matching circuit 2a is composed of capacitors C1, C2 and a coil L2, and the input / output impedance is matched to the UHF band signal. Therefore, like the matching coil described above, variations in output power due to frequency band switching are reduced. The output level (high frequency output) of the FET Q2 is adjusted by adjusting the gate bias voltage applied to the output adjusting terminal J3 via the coil L3, as in the case of the FET Q1.

【0018】 FETQ2で電力増幅された145メガヘルツの送信信号は、ローパスフィル ター(以下、LPFという)2bを通過して、VHF帯出力端子J4から出力さ れる。LPF2bはコイルL4とコンデンサC3とから構成され、インピーダン スマッチングの役割を兼ね備えている。また、ハイパスフィルター(以下、HP Fという)2cはコンデンサC4,C5,コイルL5とから構成されており、イ ンピーダンスマッチングの役割も持っている。145メガヘルツの送信信号はこ のHPF2cを通過できない。なお、LPF2bのコイルL4は、UHF帯にお いて十分大きなインピーダンスを持っており、UHF帯の送信信号を阻止してい る。The transmission signal of 145 MHz whose power is amplified by the FET Q2 passes through the low pass filter (hereinafter referred to as LPF) 2b and is output from the VHF band output terminal J4. The LPF 2b is composed of a coil L4 and a capacitor C3, and also has a role of impedance matching. The high-pass filter (hereinafter referred to as HPF) 2c is composed of capacitors C4, C5 and a coil L5, and also has a role of impedance matching. The 145 MHz transmitted signal cannot pass through this HPF2c. The coil L4 of the LPF 2b has a sufficiently large impedance in the UHF band and blocks the transmission signal in the UHF band.

【0019】 図2の電力増幅部2のVHF帯出力端子J4から出力された145メガヘルツ の送信信号は、図3のアンテナスイッチ3のVHF帯出力端子J4に入力される 。 図3において、VHF帯の送信時には、VHF帯送信指令信号入力端子J6に 対してVHF帯送信指令信号としてのプラス電圧が印加される。VHF帯送信指 令信号入力端子J6にプラス電圧が印加されると、コイルL8を介して電流が流 れ、ダイオードD1,D8,D9は導通状態になる。アンテナスイッチ3のVH F帯出力端子J4に入力された145メガヘルツの送信信号は、コンデンサC6 と導通しているダイオードD1を介して,VHF帯用のLPF5とコイルL10 に入力される。LPF5はVHF帯用なので、145メガヘルツの送信信号は、 殆ど減衰されることなくアンテナ端子7に供給され、ここにつながれるアンテナ (図示せず)から送信される。このとき、ダイオードD8,D9は導通している ので、コイルL10に入力された送信信号が、VHF帯受信出力端子J12に表 れることはない。The 145 MHz transmission signal output from the VHF band output terminal J4 of the power amplification unit 2 of FIG. 2 is input to the VHF band output terminal J4 of the antenna switch 3 of FIG. In FIG. 3, when transmitting in the VHF band, a positive voltage as a VHF band transmission command signal is applied to the VHF band transmission command signal input terminal J6. When a positive voltage is applied to the VHF band transmission command signal input terminal J6, a current flows through the coil L8 and the diodes D1, D8 and D9 are turned on. The 145 MHz transmission signal input to the VHF band output terminal J4 of the antenna switch 3 is input to the LPF5 for the VHF band and the coil L10 via the diode D1 conducting to the capacitor C6. Since the LPF 5 is for the VHF band, the 145 MHz transmission signal is supplied to the antenna terminal 7 with almost no attenuation and is transmitted from the antenna (not shown) connected thereto. At this time, since the diodes D8 and D9 are conducting, the transmission signal input to the coil L10 does not appear at the VHF band reception output terminal J12.

【0020】 次に、145メガヘルツの送信の際に発生する高調波信号が、各ブロックでど のように処理されるかを説明する。 図2において、FETQ2のドレインから出力された145メガヘルツの送信 信号は、HPF2cを通過できない。しかし、FETQ2の非線型増幅部で前記 送信信号から派生する3次以上の高調波信号(435メガヘルツ以上)は、HP F2cを通過する。通過した高調波信号は電力増幅部2のUHF帯出力端子J5 から出力され、図3のアンテナスイッチ4に入力される。VHF帯の送信時には 、VHF帯送信指令信号としてのプラス電圧がVHF帯送信指令信号入力端子J 9に出力されるので、トランジスタQ3は導通し、UHF帯出力端子J5の直流 電位は0になる。すると、常時アノード側にプラス電圧がかかっているダイオー ドD2,D3には電流が流れて導通するので、UHF帯出力端子J5の高調波信 号はコンデンサC6を介して、アースにショートされたかたち(ショート回路) になる。更にこのとき、ダイオードD4,D5には電圧がかかっておらずオープ ンの状態(オープン回路)になっている。そのため、アンテナスイッチ4のUH F帯出力端子J5から入力された3次以上の高調波信号は、UHF帯送信出力端 子J11からは出力されず、UHF帯用のBPF6に入力されることもない。よ って、不要な高調波信号がアンテナから輻射されることはない。Next, it will be explained how a harmonic signal generated during transmission at 145 MHz is processed in each block. In FIG. 2, the transmission signal of 145 MHz output from the drain of the FET Q2 cannot pass through the HPF 2c. However, the third or higher harmonic signal (435 MHz or higher) derived from the transmission signal in the non-linear amplification section of the FET Q2 passes through the HP F2c. The passed harmonic signal is output from the UHF band output terminal J5 of the power amplifier 2 and input to the antenna switch 4 of FIG. At the time of transmission in the VHF band, a positive voltage as the VHF band transmission command signal is output to the VHF band transmission command signal input terminal J 9, so that the transistor Q3 becomes conductive and the DC potential of the UHF band output terminal J5 becomes zero. Then, a current flows through the diodes D2 and D3, which are always applied with a positive voltage on the anode side, to conduct them. Therefore, the harmonic signal of the UHF band output terminal J5 is shorted to ground via the capacitor C6. (Short circuit). Further, at this time, no voltage is applied to the diodes D4 and D5 and the diodes are in an open state (open circuit). Therefore, the third harmonic or higher harmonic signal input from the UHF band output terminal J5 of the antenna switch 4 is not output from the UHF band transmission output terminal J11, and is not input to the UHF band BPF6. . Therefore, unnecessary harmonic signals are not radiated from the antenna.

【0021】 続いて、高周波信号生成部1aから435メガヘルツの高周波信号が出力され たときの動作について簡単に説明する。 マッチングコイルL1とマッチング回路2aによって整合された435メガヘ ルツの高周波信号は、FETQ1,Q2でそれぞれ増幅され、HPF2cを通っ て、UHF帯出力端子J5から出力される。図3において、UHF帯送信時には UHF帯送信指令入力端子J8に対してUHF帯送信指令信号としてのプラス電 圧が印加される。すると、高周波トラップ用のコイルL7を介して、ダイオード D4,D5,D6,D7に電流が流れ、これら4つのダイオードは導通する。ア ンテナスイッチ4のUHF帯出力端子J5に入力された435メガヘルツの高周 波信号は、コンデンサC7と導通したダイオードD4,D5を介して、コイルL 9とBPF6とに入力される。この時、ダイオードD6,D7は導通しているの で、コイルL10に入力された送信信号が、VHF帯受信出力端子J12に表れ ることはない。Next, the operation when the high frequency signal of 435 MHz is output from the high frequency signal generator 1 a will be briefly described. The high-frequency signals of 435 megahertz matched by the matching coil L1 and the matching circuit 2a are amplified by the FETs Q1 and Q2, passed through the HPF2c, and output from the UHF band output terminal J5. In FIG. 3, at the time of UHF band transmission, a positive voltage as a UHF band transmission command signal is applied to the UHF band transmission command input terminal J8. Then, current flows through the diodes D4, D5, D6, and D7 via the coil L7 for high frequency trap, and these four diodes become conductive. The 435 MHz high frequency signal input to the UHF band output terminal J5 of the antenna switch 4 is input to the coil L9 and the BPF6 via the diodes D4 and D5 which are electrically connected to the capacitor C7. At this time, since the diodes D6 and D7 are conducting, the transmission signal input to the coil L10 does not appear at the VHF band reception output terminal J12.

【0022】 UHF帯送信時にはトランジスタQ3がオフになっているので、ダイオードD 2,D3はオープンの状態となっており、435メガヘルツの送信信号に影響を 与えることはない。 なお、ダイオードD6〜D9は、LPF5やBPF6の端子に発生する過大な 電圧をカットするリミッタとしても動作している。Since the transistor Q3 is off during the UHF band transmission, the diodes D2 and D3 are in the open state, and do not affect the transmission signal of 435 MHz. The diodes D6 to D9 also operate as limiters that cut off an excessive voltage generated at the terminals of the LPF 5 and the BPF 6.

【0023】[0023]

【考案の効果】[Effect of the invention]

請求項1にかかる無線通信機は、2つの周波数帯の高周波信号を同じMOS型 FETで増幅し、このMOS型FETの出力をローパスフィルターとハイパスフ ィルターでVHF帯とUHF帯に分波するので、経済的に小型化できる。また、 MOS型FETへの入力のうちUHF帯の周波数に合わせて入出力のマッチング 回路を設けたので、VHF帯出力端子とUHF帯出力端子から出力される送信出 力は同じくらいになり、バランスがよい。 Since the radio communication device according to claim 1 amplifies high frequency signals in two frequency bands by the same MOS type FET, and demultiplexes the output of this MOS type FET into a VHF band and a UHF band by a low pass filter and a high pass filter, Can be economically downsized. Since a matching circuit for input and output is provided in accordance with the UHF band frequency of the inputs to the MOS type FET, the VHF band output terminal and the UHF band output terminal have the same transmission output and a balanced output. Is good.

【0024】 請求項2にかかる無線通信機は、請求項1の無線通信機に出力調節回路を備え たので、送信出力を所望の大きさに設定することができる。 請求項3にかかる無線通信機は、VHF帯送信指令信号が入力されたときに、 ショート回路でVHF帯送信信号の高調波成分をアースし、更に、オープン回路 で次段のアンテナ回路と切り離すので、VHF帯送信出力信号の高調波成分の不 要輻射はなくなる。Since the wireless communication device according to claim 2 is provided with the output adjusting circuit in the wireless communication device according to claim 1, the transmission output can be set to a desired size. When the VHF band transmission command signal is input, the radio communication device according to claim 3 grounds the harmonic component of the VHF band transmission signal by the short circuit and further disconnects it from the antenna circuit of the next stage by the open circuit. , The unnecessary radiation of the harmonic component of the VHF band transmission output signal is eliminated.

【0025】 請求項4にかかる無線通信機は、VHF帯送信指令信号が入力され、VHF帯 で送信を開始するとき、トランジスタがオンして第1ダイオードを導通させ、第 1コンデンサを介して、UHF帯出力端子から出力されるVHF帯送信信号の高 調波成分をアースすると共に、UHF帯出力端子とUHF帯送信出力端子とは第 2ダイオードによって遮断されるので、VHF帯送信信号の高調波成分の不要輻 射は更になくなる。In the wireless communication device according to the fourth aspect, when the VHF band transmission command signal is input and the transmission is started in the VHF band, the transistor is turned on to make the first diode conductive, and through the first capacitor, Since the high harmonic component of the VHF band transmission signal output from the UHF band output terminal is grounded and the UHF band output terminal and the UHF band transmission output terminal are cut off by the second diode, harmonics of the VHF band transmission signal The unwanted radiation of the components is further eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本考案にかかる無線通信機のブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of a wireless communication device according to the present invention.

【図2】図1の電力増幅回路の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the power amplifier circuit of FIG.

【図3】図1の電力増幅回路の出力に接続される各ブロ
ックの回路図である。
3 is a circuit diagram of each block connected to the output of the power amplifier circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 送受信部 1a 高周波信号生成部 1b 受信部 1c コントロール部 2 電力増幅部 2a マッチング回路(第2のマッチング回路) 2b,5 LPF(ローパスフィルター) 2c HPF(ハイパスフィルター) 3,4 アンテナスイッチ 6 BPF(バンドパスフィルター) 7 アンテナコネクタ C6 コンデンサ(第1コンデンサ)(ショート回路) C7 コンデンサ(第2コンデンサ)(オープン回路) D2,D3 ダイオード(第1ダイオード)(ショート
回路) D4,D5 ダイオード(第2ダイオード)(オープン
回路) D7 ダイオード(オープン回路) J1 高周波信号入力端子 J4 VHF帯出力端子 J5 UHF帯出力端子 J6,J9 VHF帯送信指令信号入力端子 J8 UHF帯送信指令信号入力端子 J10 VHF帯送信出力端子 J11 UHF帯送信出力端子 L1 マッチングコイル(第1のマッチング回路) L3 コイル(出力調節回路) L7 トラップコイル Q1 FET(第1のMOS型FET) Q2 FET(第2のMOS型FET) Q3 トランジスタ(ショート回路) R1 抵抗(出力調節回路)
1 Transmitter / receiver 1a High frequency signal generator 1b Receiver 1c Control unit 2 Power amplifier 2a Matching circuit (second matching circuit) 2b, 5 LPF (low pass filter) 2c HPF (high pass filter) 3, 4 Antenna switch 6 BPF ( Band pass filter) 7 Antenna connector C6 capacitor (first capacitor) (short circuit) C7 capacitor (second capacitor) (open circuit) D2, D3 diode (first diode) (short circuit) D4, D5 diode (second diode) ) (Open circuit) D7 Diode (Open circuit) J1 High frequency signal input terminal J4 VHF band output terminal J5 UHF band output terminal J6, J9 VHF band transmission command signal input terminal J8 UHF band transmission command signal input terminal J10 VHF band transmission output Input terminal J11 UHF band transmission output terminal L1 matching coil (first matching circuit) L3 coil (output adjustment circuit) L7 trap coil Q1 FET (first MOS type FET) Q2 FET (second MOS type FET) Q3 transistor (Short circuit) R1 resistance (Output control circuit)

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】[Utility model registration claims] 【請求項1】高周波信号生成部(1a)と該高周波信号
生成部(1a)から出力される高周波信号を増幅する電
力増幅部(2)とを備え、VHF(Very-High-Frequenc
y )帯とUHF(Ultra-High-Frequency)帯の2つの周
波数帯を用いて通信する無線通信機において、 前記電力増幅部(2)は、高周波信号生成部(1a)か
ら出力された高周波信号を増幅する第1のMOS(Meta
l-Oxide-Semiconductor)型FET(Field-Effect-Transi
stor) (Q1)と、第1のMOS型FET(Q1)から
出力された高周波信号を増幅する第2のMOS型FET
(Q2)と、高周波信号生成部(1a)の出力インピー
ダンスと第1のMOS型FET(Q1)の入力インピー
ダンスとをUHF帯において整合させる第1のマッチン
グ回路(L1)と、第1のMOS型FET(Q1)の出
力インピーダンスと第2のMOS型FET(Q2)の入
力インピーダンスとをUHF帯において整合させる第2
のマッチング回路(2a)と、第2のMOS型FET
(Q2)から出力されるVHF帯送信信号を通過させV
HF帯出力端子(J4)から出力するローパスフィルタ
ー(2b)と、第2のMOS型FET(Q2)から出力
されるUHF帯送信信号を通過させUHF帯出力端子
(J5)から出力するハイパスフィルター(2c)とを
備えていることを特徴とする無線通信機。
1. A high-frequency signal generator (1a) and a power amplifier (2) for amplifying a high-frequency signal output from the high-frequency signal generator (1a), and a VHF (Very-High-Frequenc)
In a wireless communication device that communicates using two frequency bands, a y) band and a UHF (Ultra-High-Frequency) band, the power amplification unit (2) is a high-frequency signal output from the high-frequency signal generation unit (1a). The first MOS (Meta
l-Oxide-Semiconductor) type FET (Field-Effect-Transi)
Stor) (Q1) and a second MOS type FET that amplifies the high frequency signal output from the first MOS type FET (Q1)
(Q2), a first matching circuit (L1) for matching the output impedance of the high frequency signal generator (1a) and the input impedance of the first MOS type FET (Q1) in the UHF band, and a first MOS type The second that matches the output impedance of the FET (Q1) and the input impedance of the second MOS type FET (Q2) in the UHF band
Matching circuit (2a) and second MOS type FET
Pass the VHF band transmission signal output from (Q2) to V
A low-pass filter (2b) that outputs from the HF band output terminal (J4) and a high-pass filter that passes the UHF band transmission signal output from the second MOS type FET (Q2) and outputs from the UHF band output terminal (J5) ( 2c) is provided, The wireless communication device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】第1のMOS型FET(Q1)及び/又は
第2のMOS型FET(Q2)のゲートに加える電圧を
調節して、第2のMOS型FET(Q2)の送信出力を
増減させる出力調節回路(R1,L3)を、電力増幅回
路(2)に付加したことを特徴とする請求項1に記載の
無線通信機。
2. The transmission output of the second MOS type FET (Q2) is adjusted by adjusting the voltage applied to the gate of the first MOS type FET (Q1) and / or the second MOS type FET (Q2). The radio communication device according to claim 1, further comprising an output control circuit (R1, L3) for controlling the power amplification circuit (2).
【請求項3】VHF帯の送信を指令するVHF帯送信指
令信号が入力されたとき、UHF帯出力端子(J5)か
ら出力されたVHF帯送信信号の高調波成分をアースす
るショート回路と、同時点にUHF帯送信出力信号が出
力されるUHF帯送信出力端子(J11)と前記UHF
帯出力端子(J5)とを切り離すオープン回路とを付加
したことを特徴とする請求項1に記載の無線通信機。
3. A short circuit for grounding a harmonic component of a VHF band transmission signal output from a UHF band output terminal (J5) when a VHF band transmission command signal for commanding VHF band transmission is input. And a UHF band transmission output terminal (J11) for outputting a UHF band transmission output signal to the point
The wireless communication device according to claim 1, further comprising an open circuit for disconnecting the band output terminal (J5).
【請求項4】ショート回路は、UHF帯出力端子(J
5)にカソードが接続された第1ダイオード(D2,D
3)と、この第1ダイオード(D2,D3)のアノード
とアースとの間に接続された第1コンデンサ(C6)
と、コレクタがUHF帯出力端子(J5)に接続されエ
ミッタが接地されベースがVHF帯送信指令信号入力端
子(J9)に接続されたトランジスタとから構成されて
いると共に第1ダイオード(D2,D3)のアノードに
はプラス電圧が印加され、 オープン回路は、アノード側が第2コンデンサ(C7)
を介してUHF帯出力端子(J5)に接続され、カソー
ド側がUHF帯送信出力端子(J11)に接続された第
2ダイオード(D4,D5)で構成されていることを特
徴とする請求項3に記載の無線通信機。
4. The UHF band output terminal (J
5) The first diode (D2, D) whose cathode is connected to
3) and a first capacitor (C6) connected between the anode of the first diode (D2, D3) and ground.
And a transistor having a collector connected to the UHF band output terminal (J5), an emitter grounded, and a base connected to the VHF band transmission command signal input terminal (J9), and the first diode (D2, D3). A positive voltage is applied to the anode of, and the open circuit has a second capacitor (C7) on the anode side.
4. The second diode (D4, D5) connected to the UHF band output terminal (J5) through the cathode side and connected to the UHF band transmission output terminal (J11) on the cathode side. The wireless communication device described.
JP1996007968U 1996-08-09 1996-08-09 Wireless communication equipment Expired - Lifetime JP3034543U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1996007968U JP3034543U (en) 1996-08-09 1996-08-09 Wireless communication equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1996007968U JP3034543U (en) 1996-08-09 1996-08-09 Wireless communication equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3034543U true JP3034543U (en) 1997-02-25

Family

ID=43169384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1996007968U Expired - Lifetime JP3034543U (en) 1996-08-09 1996-08-09 Wireless communication equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3034543U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0886384B1 (en) Single-stage dual-band low-noise amplifier for use in a wireless communication system receiver
US6535069B2 (en) High-frequency power amplifier module
EP1155496B1 (en) Radiofrequency amplifier with reduced intermodulation distortion
US6078794A (en) Impedance matching for a dual band power amplifier
US7330072B2 (en) Circuit for power amplification
JP3336868B2 (en) High frequency amplifier that matches multiple signals with different frequencies
KR101983632B1 (en) Communication module
US6624700B2 (en) Radio frequency power amplifier for cellular telephones
GB2593610A (en) Apparatus and methods for biasing of power amplifiers
US6122491A (en) Communications system using power amplifier with dynamic biasing
US11152893B2 (en) Power amplifying circuit and power amplifier
WO1995002277A1 (en) Stable, narrow bandwidth, high frequency amplifier with low power consumption
JP3436850B2 (en) High frequency amplifier for wireless communication equipment matching multiple signals with different frequencies
JP3034543U (en) Wireless communication equipment
EP1387485B1 (en) Circuit for power amplification
JPH11214932A (en) Amplifier circuit and portable telephone set using the same
CN219802326U (en) Radio frequency front end module, diode bias module, chip and equipment
JPH1168611A (en) Radio communication equipment
JPH04505392A (en) Method and apparatus for reducing intermodulation distortion
US20210336592A1 (en) Power amplifier circuit
JPH05110454A (en) Radio communication equipment
JP4088991B2 (en) Two-band high-frequency power amplifier and mobile communication terminal using the same
JPH0129875Y2 (en)
JPH09284060A (en) Low distortion amplifier and on-vehicle antenna system using the same
CN111064438A (en) Analog predistortion circuit, power amplifier and radio frequency module