JP3032380B2 - Plasma electron gun - Google Patents
Plasma electron gunInfo
- Publication number
- JP3032380B2 JP3032380B2 JP4174248A JP17424892A JP3032380B2 JP 3032380 B2 JP3032380 B2 JP 3032380B2 JP 4174248 A JP4174248 A JP 4174248A JP 17424892 A JP17424892 A JP 17424892A JP 3032380 B2 JP3032380 B2 JP 3032380B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- electron gun
- acceleration
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アルゴンガスなどを放
電部に供給し、更に、放電部に電子を供給し、該放電部
においてプラズマを生成するようにしたプラズマ生成装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma generating apparatus which supplies an argon gas or the like to a discharge section, further supplies electrons to the discharge section, and generates plasma in the discharge section.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は、プラズマ生成装置からの電子を
用いた従来のイオンプレーティング装置を示しており、
１は真空チャンバーである。真空チャンバー１の下部に
は、ルツボ２が配置され、その中に被蒸発材料３が入れ
られている。４はフィラメント、５は高圧電源であり、
このフィラメント４から発生した電子ビームは、図示し
ていない磁石により２７０°偏向され、ルツボ２中の被
蒸発材料３に照射される。チャンバー１の上部には、イ
オン化された蒸発材料が付着させられる基板６が配置さ
れる。チャンバー１の底部には、図示していないターボ
モレキュラーポンプなどの真空ポンプに接続された排気
管７が設けられている。また、チャンバー１の内部に
は、後述するプラズマ電子銃からの電子を引き出すため
のアース電位の電極８が設けられている。チャンバー１
の一方の側部には、プラズマ電子銃９が設けられてい
る。このプラズマ電子銃９には、ランタニウムヘキサボ
ライドの如きフィラメント１０、第１の電極である中間
電極１１、第２の電極であるスクリーン電極１２、第３
の電極である加速電極１３、環状直流コイル１４，１
５、ニードルバルブ１６を有したアルゴンガス供給管１
７、フィラメント加熱電源１８、放電安定化抵抗１９、
放電電源２０、中間電極負荷抵抗２１、加速電源２２よ
り構成されている。また、２３は排気管であり、図示し
ていないターボモレキュラーポンプなどの真空ポンプに
接続されている。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional ion plating apparatus using electrons from a plasma generating apparatus.
1 is a vacuum chamber. At the lower part of the vacuum chamber 1, a crucible 2 is arranged, in which a material 3 to be evaporated is put. 4 is a filament, 5 is a high voltage power supply,
The electron beam generated from the filament 4 is deflected by 270 ° by a magnet (not shown) and is irradiated on the material 3 in the crucible 2. On the upper part of the chamber 1, a substrate 6 to which the ionized evaporation material is attached is arranged. At the bottom of the chamber 1, an exhaust pipe 7 connected to a vacuum pump such as a turbo molecular pump (not shown) is provided. Further, an electrode 8 having a ground potential for extracting electrons from a plasma electron gun described later is provided inside the chamber 1. Chamber 1
A plasma electron gun 9 is provided on one side. The plasma electron gun 9 includes a filament 10 such as lanthanum hexaboride, an intermediate electrode 11 as a first electrode, a screen electrode 12 as a second electrode, and a third electrode.
Electrode 13, the ring-shaped DC coil 14, 1
5. Argon gas supply pipe 1 having needle valve 16
7, filament heating power supply 18, discharge stabilizing resistor 19,
It comprises a discharge power supply 20, an intermediate electrode load resistor 21, and an acceleration power supply 22. Reference numeral 23 denotes an exhaust pipe which is connected to a vacuum pump (not shown) such as a turbo molecular pump.
【０００３】上記した構成において、まず、チャンバー
１内部とプラズマ電子銃９の内部を、排気管７，２３を
介して１０-5Torr以下にまで排気する。その後、プラズ
マ電子銃９のアルゴンガス供給管１７に設けられている
ニードルバルブ１６を徐々に開け、アルゴンガスをプラ
ズマ電子銃９内に導入する。そして、フィラメント加熱
電源１８をオンにし、フィラメント電流をフィラメント
定格温度にまで徐々に増加させ、フィラメント１６から
電子を放出させる。次に、放電電源２０をオンとし、放
電電圧を中間電極１１とスクリーン電極１２との間に印
加すると、両電極間に放電が発生し、放電電流が流れ
る。この放電による電子がアルゴンガス分子と衝突し、
アルゴンガス分子を電離し、この電離が進行することに
より電子励起のプラズマＰが発生する。なお、この時の
アルゴンガスの流量と放電電圧とは、パッシニンの法則
に従った放電が開始される値に調整される。また、プラ
ズマ電子銃９内で発生したプラズマＰは、環状の直流コ
イル１４による磁場により発散が防止され、中心方向へ
集束される。In the above-described configuration, first, the inside of the chamber 1 and the inside of the plasma electron gun 9 are evacuated to 10 -5 Torr or less through the exhaust pipes 7 and 23. Thereafter, the needle valve 16 provided on the argon gas supply pipe 17 of the plasma electron gun 9 is gradually opened to introduce argon gas into the plasma electron gun 9. Then, the filament heating power supply 18 is turned on, the filament current is gradually increased to the filament rated temperature, and electrons are emitted from the filament 16. Next, when the discharge power supply 20 is turned on and a discharge voltage is applied between the intermediate electrode 11 and the screen electrode 12, a discharge occurs between the two electrodes and a discharge current flows. Electrons from this discharge collide with argon gas molecules,
The argon gas molecules are ionized, and as the ionization proceeds, an electronically excited plasma P is generated. At this time, the flow rate of the argon gas and the discharge voltage are adjusted to values at which discharge is started in accordance with Passinin's law. Further, the plasma P generated in the plasma electron gun 9 is prevented from diverging by the magnetic field generated by the annular DC coil 14 and is focused toward the center.
【０００４】このプラズマＰ中で生成した電子は、加速
電源２２から１００Ｖ程度の加速電圧が印加された加速
電極１３とチャンバー１内の電子引き出し電極８によっ
て引き出され、真空チャンバー１の内部に向け加速され
る。この時、電子は、直流コイル１４，１５による磁場
により中心方向に集束され、電子が加速電極１３などに
衝突して消滅するのを防止している。真空チャンバー１
内では、フィラメント４を加熱させて電子を放出させ、
ルツボ２中の被蒸発材料３に電子が照射されている。材
料３は電子の照射によって加熱され、蒸発させられる。
この蒸発した材料は、真空チャンバー１内でプラズマ電
子銃９からの電子と衝突し、イオン化，活性化されプラ
ズマが生成される。このプラズマ中のイオン化された材
料は、基板６に引き寄せられて該基板６に付着しイオン
プレーティングが行われる。なお、ルツボ２内の材料３
の蒸発と同時に、チャンバー１内に反応ガスを供給すれ
ば、蒸発材料と反応ガスとの反応に基づく物質を基板に
付着させることができる。例えば、蒸発物質がシリコン
で、反応ガスが酸素ガスの場合、基板には、二酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）がイオンプレーティングされる。Electrons generated in the plasma P are extracted by an acceleration electrode 13 to which an acceleration voltage of about 100 V is applied from an acceleration power supply 22 and an electron extraction electrode 8 in the chamber 1, and accelerated toward the inside of the vacuum chamber 1. Is done. At this time, the electrons are focused toward the center by the magnetic field generated by the DC coils 14 and 15, thereby preventing the electrons from colliding with the acceleration electrode 13 and the like and disappearing. Vacuum chamber 1
Inside, the filament 4 is heated to emit electrons,
The material to be evaporated 3 in the crucible 2 is irradiated with electrons. The material 3 is heated and evaporated by the irradiation of electrons.
The evaporated material collides with electrons from the plasma electron gun 9 in the vacuum chamber 1 and is ionized and activated to generate plasma. The ionized material in the plasma is attracted to the substrate 6 and adheres to the substrate 6 to perform ion plating. The material 3 in the crucible 2
If a reaction gas is supplied into the chamber 1 at the same time as the evaporation of the material, a substance based on the reaction between the evaporation material and the reaction gas can be attached to the substrate. For example, when the evaporation substance is silicon and the reaction gas is oxygen gas, silicon dioxide (SiO 2 ) is ion-plated on the substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記した構成で、チャ
ンバー１内でプラズマが発生するが、このプラズマ中の
正イオンがプラズマ電子銃内の負電位により電子ビーム
の引き出しとは逆の向きに加速され、スクリーン電極１
２に衝突する。また、電子ビームの出力を上げるため、
多量のガスをプラズマ電子銃９内に導入すると、スクリ
ーン電極１２と加速電極１３の間の圧力が上昇し、電極
１２と１３との間でグロー放電が発生し、この放電によ
り発生したイオンがスクリーン電極１２に衝突する。図
２はスクリーン電極１２の詳細を図示したもので、スク
リーン電極１２は、それぞれステンレスで形成された筒
状の放電部壁２５と加速部壁２６との間に碍子２７，２
８を介して取り付けられている。また、スクリーン電極
１２の中心部分にはモリブデンなどの高融点金属のオリ
フィス２９が設けられている。なお、放電部壁２５とか
加速部壁２６とは電気的にフローティングの状態とされ
ている。In the above configuration, plasma is generated in the chamber 1. Positive ions in the plasma are accelerated by a negative potential in the plasma electron gun in a direction opposite to the direction in which the electron beam is extracted. Screen electrode 1
Collide with 2. Also, to increase the output of the electron beam,
When a large amount of gas is introduced into the plasma electron gun 9, the pressure between the screen electrode 12 and the accelerating electrode 13 increases, and a glow discharge is generated between the electrodes 12 and 13, and the ions generated by this discharge generate It collides with the electrode 12. FIG. 2 shows the details of the screen electrode 12. The screen electrode 12 has insulators 27, 2 between a cylindrical discharge wall 25 and an acceleration wall 26, each of which is made of stainless steel.
8 is attached. An orifice 29 made of a high melting point metal such as molybdenum is provided at the center of the screen electrode 12. The discharge wall 25 and the acceleration wall 26 are electrically floating.
【０００６】このようなスクリーン電極１２にイオンが
衝突すると、電極１２やオリフィス２９がイオンによっ
てスパッタされ、このスパッタ物質により加速部壁２６
の内面が汚染される。また、碍子２８の表面にスパッタ
された導電物質が付着し、碍子２８がショートし、スク
リーン電極１２に印加されている電圧が加速部壁２６に
も印加され、その結果、加速部壁２６にもイオンが衝突
し加速部壁２６内面も激しくスパッタされてしまう。従
って、電子ビームの電流を大きくすることができず、イ
オンによるスパッタ現象は、プラズマ電子銃における電
子ビーム出力を制限する大きな要因となっている。[0006] When ions collide with the screen electrode 12, the electrode 12 and the orifice 29 are sputtered by the ions, and the sputtered material causes the acceleration portion wall 26 to be sputtered.
Inside is contaminated. In addition, the sputtered conductive material adheres to the surface of the insulator 28, the insulator 28 is short-circuited, and the voltage applied to the screen electrode 12 is also applied to the acceleration unit wall 26. As a result, the acceleration unit wall 26 The ions collide and the inner surface of the acceleration unit wall 26 is also sputtered violently. Therefore, the current of the electron beam cannot be increased, and the ion-induced sputtering phenomenon is a major factor limiting the electron beam output in the plasma electron gun.
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、スクリーン電極へのイオンの衝突
を著しく少なくして電極がスパッタされることを防止し
た、高出力のプラズマ電子銃を実現するにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to remarkably reduce the collision of ions with a screen electrode to prevent the electrode from being sputtered, and to provide a high-power plasma electron. The gun is to make it happen.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に基づくプラズマ
電子銃は、第１の電極と第２の電極との間に形成される
放電部と、第２の電極と第３の電極との間に形成される
加速部と、該放電部に不活性ガスを導入する手段と、該
放電部に供給する電子を発生するフィラメントとを備
え、該放電部でプラズマを生成し、生成したプラズマか
ら加速部に電子ビームを取り出すように構成したプラズ
マ電子銃において、第２の電極の加速部側の面を覆うよ
うに加速部壁と同電位のシールド部材を設けたことを特
徴としている。According to the present invention, there is provided a plasma electron gun comprising: a discharge portion formed between a first electrode and a second electrode; and a discharge portion formed between the second electrode and the third electrode. The discharge section, a means for introducing an inert gas into the discharge section, and a filament for generating electrons to be supplied to the discharge section. Plasma is generated in the discharge section, and acceleration is performed from the generated plasma. In a plasma electron gun configured to extract an electron beam to a part, a shield member having the same potential as the acceleration part wall is provided so as to cover the surface of the second electrode on the acceleration part side.
【０００９】[0009]
【作用】本発明に基づくプラズマ電子銃は、イオンが向
かう第２電極（スクリーン電極）の加速部側の面を覆う
ようにシールド電極を設け、第２電極がスパッタされる
ことを防止する。In the plasma electron gun according to the present invention, a shield electrode is provided so as to cover the surface of the second electrode (screen electrode) on which the ions are directed on the accelerating portion side, and the second electrode is prevented from being sputtered.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図３は、本発明に基づくプラズマ電子銃の
要部を示しており、図１と図２の従来装置と同一部分は
同一番号が付されている。この実施例において、スクリ
ーン電極１２の中心部分にはカーボンで形成されたオリ
フィス３０が設けられている。また、スクリーン電極１
２は碍子３１によって放電部壁２５に接続され、碍子３
２によって加速部壁２６に接続されている。加速部壁２
６には、スクリーン電極１２の加速部側の面を覆うよう
に設けられたステンレス製のシールド電極３３が取り付
けられている。シールド電極３３の中心開口の径は、オ
リフィス３０によって形成される電子ビームの通過開口
Ｅの径とほぼ同じか若干大きくされている。オリフィス
３０の加速部側には、オリフィスカバー３４が取り付け
られており、オリフィスカバー３４には突起部３５が設
けられ、後述するスパッタされた物質が碍子３２の方向
に向かうことを阻止している。このような構成の動作を
次に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows a main part of a plasma electron gun according to the present invention, and the same parts as those of the conventional apparatus of FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, an orifice 30 made of carbon is provided at the center of the screen electrode 12. Screen electrode 1
2 is connected to the discharge section wall 25 by an insulator 31,
2 is connected to the acceleration unit wall 26. Accelerator wall 2
6, a stainless steel shield electrode 33 provided so as to cover the surface of the screen electrode 12 on the side of the acceleration section is attached. The diameter of the center opening of the shield electrode 33 is substantially the same as or slightly larger than the diameter of the electron beam passage opening E formed by the orifice 30. An orifice cover 34 is attached to the accelerating portion side of the orifice 30, and a projection 35 is provided on the orifice cover 34 to prevent a sputtered substance described later from going toward the insulator 32. The operation of such a configuration will now be described.
【００１１】放電部で生成されたプラズマから引き出さ
れた電子ビームは、オリフィス３０の中心開口Ｅを通っ
て加速部内に導入される。一方、加速部や図示していな
いイオンプレーティング装置のチャンバー内で発生した
イオンは、電子ビームの取りだしの向きとは逆の向きに
加速されてスクリーン電極１２とオリフィス３０に向か
って進行する。このイオンの一部は、スクリーン電極１
２の前面に配置されたシールド電極３３に衝突する。シ
ールド電極３３はイオンの衝突によってスパッタされる
が、スパッタされたシールド電極物質粒子は、加速部壁
２６の内面に付着する。しかし、シールド電極３３の材
料は、加速部壁２６と同じ材料で形成されているので、
放電部壁２６内面を汚染することはない。また、碍子３
２にはスパッタされた粒子が付着しないので、シールド
電極３３や加速部壁２６はスクリーン電極とは常に絶縁
され、電気的にフローティングの状態が維持される。ま
た、イオンは、オリフィス３０にも衝突するが、オリフ
ィス３０の材料としてカーボンを用いているので、オリ
フィスへのイオンの衝突によってスパッタされる粒子は
僅かである。さらに、スパッタされた僅かなオリフィス
物質粒子もオリフィスカバー３４に設けられた突起部３
５によって碍子３２方向への侵入が阻止されることか
ら、碍子３２に導電性物質が付着することは完全に防止
される。なお、オリフィスカバー３４にもイオンが衝突
することが考えられるため、オリフィスカバー３４もカ
ーボンで形成し、スパッタの量を少なくすることが望ま
しい。An electron beam extracted from the plasma generated in the discharge section is introduced into the acceleration section through the central opening E of the orifice 30. On the other hand, ions generated in the accelerating unit and the chamber of an ion plating apparatus (not shown) are accelerated in a direction opposite to the direction in which the electron beam is extracted, and travel toward the screen electrode 12 and the orifice 30. Some of these ions are
2 collides with the shield electrode 33 arranged on the front surface of the second. The shield electrode 33 is sputtered by the collision of ions, and the sputtered shield electrode material particles adhere to the inner surface of the acceleration unit wall 26. However, since the material of the shield electrode 33 is formed of the same material as the accelerating portion wall 26,
The inner surface of the discharge section wall 26 is not contaminated. In addition, insulator 3
Since the sputtered particles do not adhere to 2, the shield electrode 33 and the accelerating portion wall 26 are always insulated from the screen electrode, and an electrically floating state is maintained. The ions also collide with the orifice 30, but since carbon is used as the material of the orifice 30, a small number of particles are sputtered by the collision of the ions with the orifice. Further, even a small amount of sputtered orifice material particles are formed on the projection 3 provided on the orifice cover 34.
5 prevents the intrusion in the direction of the insulator 32, so that the conductive substance is completely prevented from adhering to the insulator 32. Since ions may collide with the orifice cover 34, it is preferable that the orifice cover 34 is also formed of carbon to reduce the amount of sputtering.
【００１２】[0012]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づくプ
ラズマ電子銃は、イオンが向かうスクリーン電極の加速
部側の面を覆うようにシールド電極を設け、スクリーン
電極がスパッタされることを防止するように構成したの
で、プラズマ電子銃における電子ビーム出力を大きくす
ることができる。また、加速部内の汚染も防止すること
ができる。As described above, in the plasma electron gun according to the present invention, the shield electrode is provided so as to cover the surface of the screen electrode on the side of the acceleration section toward which the ions are directed, thereby preventing the screen electrode from being sputtered. With this configuration, the electron beam output of the plasma electron gun can be increased. In addition, contamination in the acceleration section can be prevented.
【図１】従来のプラズマ電子銃を用いたイオンプレーテ
ィング装置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a conventional ion plating apparatus using a plasma electron gun.
【図２】図１の電子銃のスクリーン電極部の詳細を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing details of a screen electrode unit of the electron gun of FIG. 1;
【図３】本発明に基づくプラズマ電子銃の要部を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing a main part of a plasma electron gun according to the present invention.
１ 真空チャンバー ２ ルツボ ３ 被蒸発材料 ４ フィラメント ５，１６，１８，２１ 電源 ６ 基板 ７ 電極 ８，２３ 排気管 ９ プラズマ電子銃 １０ フィラメント １１ 中間電極 １２ スクリーン電極 １３ 加速電極 １４，１５ 環状直流コイル １６ ニードルバルブ １７ アルゴンガス供給管 ２５ 放電部壁 ２６ 加速部壁 ３０ オリフィス ３１，３２ 碍子 ３４ オリフィスカバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Crucible 3 Material to be evaporated 4 Filaments 5, 16, 18, 21 Power supply 6 Substrate 7 Electrode 8, 23 Exhaust pipe 9 Plasma electron gun 10 Filament 11 Intermediate electrode 12 Screen electrode 13 Acceleration electrode 14, 15 Annular DC coil 16 Needle valve 17 Argon gas supply pipe 25 Discharge section wall 26 Acceleration section wall 30 Orifice 31, 32 Insulator 34 Orifice cover
Claims (1)
れる放電部と、第２の電極と第３の電極との間に形成さ
れる加速部と、該放電部に不活性ガスを導入する手段
と、該放電部に供給する電子を発生するフィラメントと
を備え、該放電部でプラズマを生成し、生成したプラズ
マから加速部に電子ビームを取り出すように構成したプ
ラズマ電子銃において、第２の電極の加速部側の面を覆
うように加速部壁と同電位のシールド部材を設けたこと
を特徴とするプラズマ電子銃。A discharge unit formed between a first electrode and a second electrode; an acceleration unit formed between a second electrode and a third electrode; A plasma electron gun comprising: means for introducing an active gas; and a filament for generating electrons to be supplied to the discharge unit, wherein the plasma is generated in the discharge unit and an electron beam is extracted from the generated plasma to an acceleration unit. 3. The plasma electron gun according to claim 1, further comprising a shield member having the same potential as the accelerating portion wall so as to cover a surface of the second electrode on the accelerating portion side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4174248A JP3032380B2 (en) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Plasma electron gun |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4174248A JP3032380B2 (en) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Plasma electron gun |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620631A JPH0620631A (en) | 1994-01-28 |
| JP3032380B2 true JP3032380B2 (en) | 2000-04-17 |
Family
ID=15975313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4174248A Expired - Fee Related JP3032380B2 (en) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Plasma electron gun |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3032380B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4807901B2 (en) * | 2000-12-15 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | Thin film production method |
| JP2010225410A (en) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Ulvac Japan Ltd | Electron source and treatment apparatus |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP4174248A patent/JP3032380B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620631A (en) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003506826A (en) | Enhanced electron emission surface for thin film deposition systems using ion sources | |
| US7030390B2 (en) | Ion source with electrode kept at potential(s) other than ground by zener diode(s), thyristor(s) and/or the like | |
| US6987364B2 (en) | Floating mode ion source | |
| US7038389B2 (en) | Magnetron plasma source | |
| US6988463B2 (en) | Ion beam source with gas introduced directly into deposition/vacuum chamber | |
| US6734434B1 (en) | Ion source | |
| AU589349B2 (en) | Dynamic electron emitter | |
| JP3345009B2 (en) | Method for ionizing material vapor produced by heating and apparatus for performing the method | |
| JPS6330986B2 (en) | ||
| JP3032380B2 (en) | Plasma electron gun | |
| JP3406769B2 (en) | Ion plating equipment | |
| JP2849771B2 (en) | Sputter type ion source | |
| JP3401365B2 (en) | Plasma generator and ion plating device | |
| JP3186777B2 (en) | Plasma source | |
| JP2000340150A (en) | Electron beam gun with grounded shield | |
| JPH10255675A (en) | Negative ion source | |
| JP2620474B2 (en) | Ion plating equipment | |
| JPH0617241A (en) | Ion plating device | |
| JPH08246138A (en) | Ion plating device | |
| JPS595732Y2 (en) | Ion plating equipment | |
| JPH05239631A (en) | Plasma forming device | |
| JPS62122210A (en) | Apparatus for forming thin film | |
| JPH04181636A (en) | Metal ion source | |
| JPH0648159U (en) | Ion beam generator | |
| JPH043056B2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000118 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |